JP2004179620A - 強誘電性抵抗器不揮発性メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】 保持時間が長く、非常に少ない電力を用いて高速で動作することができる強誘電性メモリ抵抗器を提供する。
【解決手段】 強誘電性薄膜抵抗器を製造する方法は、基板を準備する工程と、底部電極を堆積する工程と、強誘電性材料の層を堆積する工程と、上部電極を堆積する工程と、抵抗器を完成させる工程と含む。強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、強誘電性抵抗器は、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、非破壊的に読み出される。
【選択図】 図6
【解決手段】 強誘電性薄膜抵抗器を製造する方法は、基板を準備する工程と、底部電極を堆積する工程と、強誘電性材料の層を堆積する工程と、上部電極を堆積する工程と、抵抗器を完成させる工程と含む。強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、強誘電性抵抗器は、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、非破壊的に読み出される。
【選択図】 図6
Description
本発明は、強誘電性不揮発性メモリデバイス、具体的には、強誘電性抵抗器を用いるメモリデバイスに関する。本願は、2000年4月11日に付与された、「Method of Making Ferroelectric Memory Cell for VLSI RAM Array」という名称の米国特許第6,048,738号に関連する。
1トランジスタ1強誘電性キャパシタ(1T1C)型メモリセルおよび単一トランジスタ強誘電体を用いるデバイスが、メモリ格納デバイスとして用いられる。1T1C型メモリは、不揮発性メモリであるが、破壊的に読み出される。すなわち、格納されたデータが読み出し動作中に失われ、セルのリフレッシュが必要になる。単一トランジスタメモリにおける読み出し動作は、非破壊的である。しかし、待機状態中、強誘電性キャパシタに比較的大きい電界がかけられるので、メモリ保持時間が大幅に低減する。
非特許文献1は、PZT/Pt/TiN/Ti構造のドライエッチングを用いる強誘電性メモリセルの製造を開示する。
S.Onishiらによる、「A half−micron Ferroelectric Memory Cell Technology with Stacked Capacitor Structure」(IEDM、paper 34.4、843頁、1994年)
S.Onishiらによる、「A half−micron Ferroelectric Memory Cell Technology with Stacked Capacitor Structure」(IEDM、paper 34.4、843頁、1994年)
本発明の目的は、保持時間が長く、非常に少ない電力を用いて高速で動作することができる強誘電性メモリ抵抗器を提供することである。
本発明の強誘電性抵抗器を製造する方法は、基板を準備する工程と、底部電極を形成する工程と、強誘電性材料層を形成する工程と、上部電極を形成する工程と、上記強誘電性抵抗器を完成させる工程とを包含し、上記強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、上記強誘電性抵抗器は非破壊的に読み出され、そのことにより上記目的が達成される。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記定電圧検出による上記強誘電性抵抗器の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記定電流検出による上記強誘電性抵抗器の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、所定の抗電圧の強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記強誘電性抵抗器は、上記強誘電性材料の上記抗電圧以下の読み出し電圧で読み出されてもよい。
上記プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われてもよい。
上記プログラミングは、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層を形成する工程を含んでもよい。
上記強誘電性抵抗器は強誘電性薄膜抵抗器であってもよい。
本発明の強誘電性抵抗器を製造する方法は、基板を準備する工程と、底部電極を形成する工程と、所定の抗電圧の強誘電性材料層を形成する工程と、上部電極を形成する工程と、上記強誘電性抵抗器を完成させる工程とを包含し、上記強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、上記強誘電性抵抗器は非破壊的に読み出され、上記強誘電性抵抗器は、上記強誘電性材料の上記抗電圧以下の読み出し電圧で読み出され、そのことにより上記目的が達成される。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記定電圧検出による上記強誘電性抵抗器の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記定電流検出による上記強誘電性抵抗器の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われてもよい。
上記プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われてもよい。
上記プログラミングは、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層を形成する工程を含んでもよい。
上記強誘電性抵抗器は強誘電性薄膜抵抗器であってもよい。
本発明の強誘電性抵抗器を製造する方法は、基板を準備する工程と、底部電極を形成する工程と、PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層を形成する工程と、上部電極を形成する工程と、上記強誘電性抵抗器を完成させる工程とを包含し、上記強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、上記強誘電性抵抗器は非破壊的に読み出され、そのことにより上記目的が達成される。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記定電圧検出による上記強誘電性抵抗器の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、定電流検出による上記強誘電性抵抗器の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われてもよい。
上記強誘電性材料層を形成する工程は、所定の抗電圧の強誘電性材料層を形成する工程を含み、上記強誘電性抵抗器は、上記強誘電性材料の上記抗電圧以下の読み出し電圧で読み出されてもよい。
上記プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われてもよい。
上記プログラミングは、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われてもよい。
上記強誘電性抵抗器は強誘電性薄膜抵抗器であってもよい。
強誘電性薄膜抵抗器を製造する方法は、基板を準備する工程と、底部電極を堆積する工程と、強誘電性材料の層を堆積する工程と、上部電極を堆積する工程と、該抵抗器を完成させる工程と含み、該強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、該強誘電性抵抗器は、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、非破壊的に読み出される。
本発明のこの要旨および目的は、本発明の本質を素早く理解することを可能にするために提供される。本発明は、図面とともに、以下の本発明の好適な実施形態の詳細な説明を参照することによって、より良く理解され得る。
本発明によれば、保持時間が長く、非常に少ない電力を用いて高速で動作することができる強誘電性メモリ抵抗器を提供することができる。
図1は、強誘電性抵抗器10および電荷分布を示す。強誘電性抵抗器10は、基板15と、基板15上に形成された底部電極14と、底部電極14上に形成された強誘電性(FE)材料層16と、強誘電性材料層16上に形成された上部電極12とを備える。強誘電性抵抗器10は例えば強誘電性薄膜抵抗器である。強誘電性抵抗器10は強誘電性キャパシタと同様の構造を有し得る。
ここで、図1を参照して、強誘電性抵抗器10(強誘電性キャパシタ)が分極化された後、強誘電性(FE)材料層16の両側に位置する、上部電極12および底部電極14に位置する双極子がある。双極子の対は、電圧V1(底部電極)およびV2(上部電極)に関連付けられている。強誘電性キャパシタ10の分極が変化するにつれて、双極子の極性も変化する。従って、2(V1+V2)の誘発された内部電圧の分極における正味の変化は、キャパシタ10が+VPおよび−VPを用いてプログラミングされる場合に起きる。この電圧シフトは、まとめて参照符号20で図2に示すように、所与のバイアス電圧における、抵抗器電流の大幅な変化を引き起こす。図2は、Pb5Ge3O11(PGO)FE材料を用いて製造されたFE抵抗器のI−V特性を表す。
強誘電性メモリ抵抗器のプログラミングは、強誘電性メモリキャパシタのプログラミングと同じである。図2の曲線Bおよび曲線Dは、それぞれ、FE抵抗器が負の分極電圧および正の分極電圧を用いてプログラミングされた後のFE抵抗器のI−V特性を表す。同様に、負の電圧メモリについて、曲線Aおよび曲線Cは、それぞれ、A FE抵抗器が負の分極電圧および正の分極電圧を用いてプログラミングされた後のA FE抵抗器のI−V特性である。曲線Aおよび曲線C(または、AからBまでの曲線)は、負の電圧読み出し操作における、2つのメモリ状態である。曲線Bおよび曲線D(または、BからAまでの曲線)は、正の電圧読み出し操作における、2つのメモリ状態である。
FE抵抗器メモリ内容は、図2に示すように、検出方法、例えば、定電圧検出方法22および定電流検出方法24を用いて読み出され得る。しかし、読み出し妨害を避けるため、低い電圧および低い電流のみが、読み出し動作中に印加され得る。定電圧検出について、高い状態と低い状態との間の検出電流の差は、図2に示す通りである。電流差は、読み出し電圧が、曲線Bのメモリ状態および曲線Aのメモリ状態について約0.1Vである場合、最大である。最大の電流範囲は、曲線Bメモリ状態および曲線Aメモリ状態について、0.2Vよりわずかに低い電圧において見受けられる。定電流検出について、信号電圧は、約0.3Vであり、メモリウィンドウは、約0Vから1V+の間である。これらのメモリウィンドウは、適切なデバイス設計によって拡大され得る。定電圧読み出し動作の間、読み出し電圧は、強誘電性薄膜の抗電圧より高くない。従って、減極はない。
定電流読み出し動作について、低電圧状態は、−VPプログラミングされた、高電流の曲線B上に位置する。電圧は、強誘電性薄膜の抗電圧よりも低い。高電圧状態は、+VPプログラミングされた、低電流状態の曲線Dに位置する。抵抗器は、完全に分極され、さらなる分極化は可能でない。従って、定電圧読み出し動作または定電流読み出し動作のいずれも、メモリ内容を妨げず、抵抗器のメモリ内容の読み出しは、非破壊的な動作である。待機状態の間、メモリ抵抗器の両方の電極が、グラウンド電位である。いくらかのリーク電流が抵抗器を流れるが、抵抗器のメモリ内容は、リーク電流によって変更されず、長い保持時間が予想される。図3は、図2のPGOデバイスのヒステリシスループを表す。
図4および図5は、それぞれ、図2および図3のPGOデバイスの特性に対応する、代表的なPb(Zr、Ti)O(PZT)デバイスから得られる測定結果を表す。図4は、PZTメモリ抵抗器のI−V特性を表す図である。図5は、図4のPZTメモリ抵抗器のヒステリシスループを表す図である。メモリ抵抗器は、任意の公知の強誘電性薄膜材料を用いて製造され得る。しかし、PZT強誘電性薄膜が、はっきりした抗電圧を示さないので、PZT FE抵抗器のメモリ保持時間は、PGO FE抵抗器の保持時間と同じ程度の長さになり得ない。
次に、図1および図6を参照して、本発明の強誘電性抵抗器10を製造する方法を説明する。図6は、強誘電性抵抗器10を製造する方法を示すフローチャート30である。
まず、下処理した基板15を準備する(ステップ1)。次に、基板15上に底部電極14を形成する(ステップ2)。底部電極14を形成した後、底部電極14上に強誘電性(FE)材料層16を形成する(ステップ3)。次に、強誘電性材料層16上に上部電極12を形成して(ステップ4)、強誘電性抵抗器10が完成する(ステップ5)。
ステップ3において、形成される強誘電性材料層は、PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層であり、強誘電性材料層は所定の抗電圧を有する。
強誘電性抵抗器10は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされる。プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われるか、または、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われる。
上述したように、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、強誘電性抵抗器10は非破壊的に読み出される。強誘電性材料層16がPGO強誘電性材料層である場合は、定電圧検出による強誘電性抵抗器10に格納された情報の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われる。強誘電性材料層16がPGO強誘電性材料層である場合は、定電流検出による強誘電性抵抗器10に格納された情報の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われる。また、強誘電性抵抗器10は、強誘電性材料層16が有する抗電圧以下の読み出し電圧で読み出される。
上述したように、強誘電性抵抗器不揮発性メモリが開示されてきた。添付の特許請求の範囲に記載の本発明の範囲内で、さらなる変形および改変が行われ得ることが理解される。
本発明によれば、保持時間が長く、非常に少ない電力を用いて高速で動作することができる強誘電性メモリ抵抗器を提供することができる。
本発明は、強誘電性不揮発性メモリデバイス、例えば強誘電性抵抗器を用いるメモリデバイスにおいて有用である。
10 強誘電性抵抗器
15 基板
14 底部電極
16 強誘電性材料層
12 上部電極
15 基板
14 底部電極
16 強誘電性材料層
12 上部電極
Claims (22)
- 強誘電性抵抗器を製造する方法であって、
基板を準備する工程と、
底部電極を形成する工程と、
強誘電性材料層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
該強誘電性抵抗器を完成させる工程と
を包含し、
該強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、該強誘電性抵抗器は非破壊的に読み出される、方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記定電圧検出による前記強誘電性抵抗器の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われる、請求項1に記載の方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記定電流検出による前記強誘電性抵抗器の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われる、請求項1に記載の方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、所定の抗電圧の強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記強誘電性抵抗器は、該強誘電性材料の該抗電圧以下の読み出し電圧で読み出される、請求項1に記載の方法。 - 前記プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記プログラミングは、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層を形成する工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記強誘電性抵抗器は強誘電性薄膜抵抗器である、請求項1に記載の方法。
- 強誘電性抵抗器を製造する方法であって、
基板を準備する工程と、
底部電極を形成する工程と、
所定の抗電圧の強誘電性材料層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
該強誘電性抵抗器を完成させる工程と
を包含し、
該強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、該強誘電性抵抗器は非破壊的に読み出され、該強誘電性抵抗器は、該強誘電性材料の該抗電圧以下の読み出し電圧で読み出される、方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記定電圧検出による前記強誘電性抵抗器の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われる、請求項9に記載の方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記定電流検出による前記強誘電性抵抗器の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われる、請求項9に記載の方法。 - 前記プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われる、請求項9に記載の方法。
- 前記プログラミングは、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われる、請求項9に記載の方法。
- 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層を形成する工程を含む、請求項9に記載の方法。
- 前記強誘電性抵抗器は強誘電性薄膜抵抗器である、請求項9に記載の方法。
- 強誘電性抵抗器を製造する方法であって、
基板を準備する工程と、
底部電極を形成する工程と、
PGOおよびPZTからなる強誘電性材料の群から選択される強誘電性材料層を形成する工程と、
上部電極を形成する工程と、
該強誘電性抵抗器を完成させる工程と
を包含し、
該強誘電性抵抗器は、プログラミング電圧を用いてプログラミングされ、定電圧検出および定電流検出からなる検出方法の群から選択される検出方法によって、該強誘電性抵抗器は非破壊的に読み出される、方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記定電圧検出による前記強誘電性抵抗器の読み出しは、0.2V未満の電圧で行われる、請求項16に記載の方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、PGO強誘電性材料層を形成する工程を含み、
定電流検出による前記強誘電性抵抗器の読み出しは、約0ボルトから1+ボルトの間の電圧で行われる、請求項16に記載の方法。 - 前記強誘電性材料層を形成する工程は、所定の抗電圧の強誘電性材料層を形成する工程を含み、
前記強誘電性抵抗器は、該強誘電性材料の該抗電圧以下の読み出し電圧で読み出される、請求項16に記載の方法。 - 前記プログラミングは、約0ボルトから+1ボルトの間の範囲内の正の分極電圧を用いて行われる、請求項16に記載の方法。
- 前記プログラミングは、約0ボルトから−1ボルトの間の範囲内の負の分極電圧を用いて行われる、請求項16に記載の方法。
- 前記強誘電性抵抗器は強誘電性薄膜抵抗器である、請求項16に記載の方法。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20061107 |