JP2004172528A - Semiconductor device and its manufacture method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装基板上に半導体チップを実装した半導体装置及びその製造方法に関する。特には、コストダウン及び小型化が可能な半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図5(A)は、従来の半導体装置を示す平面図であり、図5(B)は、図5(A)に示す5B−5B線に沿った断面図である。この半導体装置は、実装基板に半導体チップを実装したものである。以下、半導体装置の実装方法について図5を参照しつつ説明する。
まず、図5(A),(B)に示す樹脂からなる実装基板110を用意する。
【0003】
この実装基板110には第1及び第2のスルーホール121,122が設けられている。第1及び第2のスルーホール121,122それぞれは実装基板に貫通孔が設けられ、この貫通孔の内側面には銅メッキ層が形成されている。この銅メッキ層によって実装基板110の上面と下面との間で電気的な接続を確保している。
【0004】
実装基板110の上面上には第1乃至第8の電極パッド101〜108と第1乃至第5の配線パターン111〜115が配置されている。第1乃至第5の配線パターンは銅パターンからなるものである。第1の電極パッド101は第1の配線パターン111の一端に電気的に接続されており、第1の配線パターン111の他端は第8の電極パッド118に電気的に接続されている。第3の電極パッド103は第2の配線パターン112の一端に電気的に接続されており、第2の配線パターン112の他端は第6の電極パッド106に電気的に接続されている。第4の電極パッド104は第3の配線パターン113の一端に電気的に接続されており、第3の配線パターン113の他端は第5の電極パッド105に電気的に接続されている。第2の電極パッド102は第4の配線パターン114の一端に電気的に接続されており、第4の配線パターン114の他端は第1のスルーホール121に電気的に接続されている。第2のスルーホール122は第5の配線パターン115の一端に電気的に接続されており、第5の配線パターン115の他端は第7の電極パッド107に電気的に接続されている。
【0005】
また、実装基板の下面上には第6の配線パターン116が配置されている。第6の配線パターン116の一端は第1のスルーホール121に電気的に接続されており、第6の配線パターン116の他端は第2のスルーホール121に電気的に接続されている。つまり、第2の電極パッド102は第4の配線パターン114、第1のスルーホール121、第6の配線パターン116、第2のスルーホール122及び第5の配線パターン115を介して第7の電極パッド107に電気的に接続されている。
【0006】
次に、上記実装基板110に第1及び第2の半導体チップ123,124を実装する。
すなわち、まず、第1及び第2の半導体チップ123,124を用意し、実装基板110の上面に第1の半導体チップ123及び第2の半導体チップ124それぞれを載置して固定する。第1の半導体チップ123の内部には半導体素子などからなる半導体回路が設けられており、第1の半導体チップ123の表面には第1乃至第4のボンディングパッド131〜134が配置されている。第2の半導体チップ124の内部には半導体素子などからなる半導体回路が設けられており、第2の半導体チップ124の表面には第5乃至第8のボンディングパッド135〜138が配置されている。次いで、ワイヤボンディングを行い、第1乃至第8のボンディングパッド131〜138それぞれと第1乃至第8の電極パッド101〜108それぞれとをボンディングワイヤによって電気的に接続する。
このようにして第1及び第2の半導体チップ123,124を実装基板110に実装する。
【0007】
上記従来の半導体装置において実装基板110の下面に第6の配線パターン116を形成している理由は、電子製品の完成体が小型化するに伴い、実装基板上の半導体チップがより高密度の実装となり、半導体チップ間を接続する配線パターンの密度も密になるため、実装基板の上面だけでは配線パターンを引き回すことができないからである。従って、スルーホールを用いて実装基板の下面にも配線パターンを形成している。また、さらに半導体チップの高密度化が進むと、実装基板を複数用いて配線パターンを引き回す面積を広くし、実装基板の相互間を電気的に接続することも可能である。このようにして半導体チップの高密度化に対応することができる。
【0008】
実装基板の上面と下面に配線パターンを引き回したり、実装基板を多層化して配線パターンを引き回す面積を広くすると、該実装基板にスルーホールを形成する必要がある。この場合、実装基板の上面のみに配線パターンを形成する場合に比べて増えた配線層分の材料コストのみならず、レジスト塗布、露光、エッチングなどの加工工数が増加するため、実装基板の価格が大きく上昇することになる。
【0009】
また、実装基板を多層化する場合は、基板の厚さも実装基板の数(層数)に比例して厚くなる。これは完成品の小型化(薄型化)に逆行することになる。この対策としては、厚さの薄い実装基板(例えば絶縁層が0.1mm以下)を用いることも考えられるが、このような厚さの薄い実装基板を用いることにより、材料費、加工費も増大する。従って、コストダウンの要請に応えることができない。
【0010】
図6は、他の従来の半導体装置を示す平面図であり、図5と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
第1乃至第3の配線パターン111〜113は、図5に示す半導体装置の配線パターンに比べて微細化されたものである。このため、実装基板110の上面上に第4の配線パターン117を配置することが可能となる。第4の配線パターン117の一端は第2の電極パッド102に電気的に接続されており、第4の配線パターンの他端は第7の電極パッド107に電気的に接続されている。
【0011】
上記他の従来の半導体装置において実装基板110の上面のみで配線パターンを引き回すことができる理由は、配線パターンを微細化しているからである。このように配線パターンを微細化することにより実装基板110の下面を用いることなく配線パターンを引き回すことが可能となる。しかし、配線パターンの微細化にも限界があるため、さらに半導体チップの高密度化が進めば実装基板の上面のみで配線パターンを引き回すことができなくなる。
【0012】
また、配線パターンを微細化すると、露光装置などの製造装置を、前述した従来の半導体装置の実装基板を作製する際に適用した加工精度から微細加工用にグレードアップする必要がある。このため、高価な新しい製造装置への投資が必要となり製造コストが上昇する。従って、コストダウンの要請に応えることができない。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の半導体装置及び他の従来の半導体装置では、高密度実装化に伴い配線密度が上がった場合、実装基板の多層化や微細配線化により対応しているが、基板価格の上昇を招き、完成品のコストダウンの要請に応えることができなかった。また、実装基板を多層化した従来の半導体装置では、基板の厚さも実装基板の数に比例して厚くなるため、完成品の小型化を実現することができなくなる。
【0014】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、コストダウン及び小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、実装基板と、
この実装基板上に形成された第1の接続パッドと、
実装基板上に形成された第2の接続パッドと、
第1の接続パッドに接続された第1のバンプと、
第2の接続パッドに接続された第2のバンプと、
第1のバンプと第2のバンプを電気的に接続する配線パターンと、
この配線パターン、第1及び第2のバンプが形成された補助基板と、
を具備することを特徴とする。
【0016】
上記半導体装置によれば、実装基板上において配線パターンが密になる部分や配線パターンの引き回しが困難な部分のみに対し、別に基板上に作製した配線用の補助基板を用いて電気的コンタクトをとる様にしている。このため、従来技術のように基板価格の上昇を招いた配線パターンの微細化や実装基板の多層化をしなくても、実装基板上で配線が困難である部分に対し、必要に応じてラフな配線形成技術を用いた別作りの安価な配線基板である補助基板を用いて配線を付加できる。従って、高密度実装製品の実装工程時の製造コストを低減することができる。また、実装基板の多層化をする必要がないので、実装基板や実装基板に半導体チップを実装した後の製品を薄くして小型化が可能となる。
【0017】
また、本発明に係る半導体装置においては、前記実装基板上に配置された第1の半導体チップと、前記実装基板上に配置された第2の半導体チップと、をさらに具備し、第1の半導体チップは前記第1の接続パッドに電気的に接続されており、第2の半導体チップは前記第2の接続パッドに電気的に接続されていることも可能である。
【0018】
また、本発明に係る半導体装置においては、前記実装基板上に形成された第1の電極パッドと、前記実装基板上に形成された第2の電極パッドと、前記実装基板上に形成された第1の配線パターンと、前記実装基板上に形成された第2の配線パターンと、前記第1の半導体チップ上に形成された第1のボンディングパッドと、前記第2の半導体チップ上に形成された第2のボンディングパッドと、をさらに具備し、
第1の半導体チップは、第1のボンディングパッド、第1の電極パッド、第1の配線パターン、第1の接続パッド、第1のバンプ、配線パターン、第2のバンプ、第2の接続パッド、第2の配線パターン、第2の電極パッド及び第2のボンディングパッドを経由して第2の半導体チップに電気的に接続されていることも可能である。
【0019】
また、本発明に係る半導体装置において、前記補助基板は、ポリイミド、ガラスエポキシ樹脂、セラミックス及びシリコン基板のうちのいずれかからなることが好ましい。
【0020】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1基板と、第1基板上に形成された第1の接続パッドと、第1基板上に形成された第2の接続パッドと、を有する実装基板を用意する工程と、
第2基板と、第2基板上に形成された第1のバンプと、第2基板上に形成され第1のバンプに接続された配線パターンと、第2基板上に形成され配線パターンに接続された第2のバンプと、を有する補助基板を用意する工程と、
第1の接続パッドと第2のバンプとを接触させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接触させて加熱して加圧することにより、第1の接続パッドと第2のバンプとを接続させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接続させる工程と、
を具備することを特徴とする。
【0021】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、前記実装基板を用意する工程と前記補助基板を用意する工程との間に、前記第1基板上に第1の半導体チップを配置すると共に前記第1基板上に第2の半導体チップを配置する工程をさらに具備し、
前記第1の半導体チップは前記第1の接続パッドに電気的に接続されており、第2の半導体チップは前記第2の接続パッドに電気的に接続されていることも可能である。
【0022】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、第1基板と、第1基板上に形成された第1の電極パッドと、第1基板上に形成され第1の電極パッドに接続された第1の配線パターンと、第1基板上に形成され第1の配線パターンに接続された第1の接続パッドと、第1基板上に形成された第2の電極パッドと、第1基板上に形成され第2の電極パッドに接続された第2の配線パターンと、第1基板上に形成され第2配線パターンに接続された第2の接続パッドと、を有する実装基板を用意する工程と、
前記第1基板上に第1のボンディングパッドを有する第1の半導体チップを配置すると共に前記第1基板上に第2のボンディングパッドを有する第2の半導体チップを配置する工程と、
第2基板と、第2基板上に形成された第1のバンプと、第2基板上に形成され第1のバンプに接続された配線パターンと、第2基板上に形成され配線パターンに接続された第2のバンプと、を有する補助基板を用意する工程と、
第1の接続パッドと第2のバンプとを接触させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接触させて加熱して加圧することにより、第1の接続パッドと第2のバンプとを接続させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接続させる工程と、
を具備することを特徴とする。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図1(A)は、本発明に係る第1の実施の形態による実装基板に半導体チップを実装した半導体装置を示す平面図であり、図1(B)は、図1(A)に示す1B−1B線に沿った断面図である。図2(A)は、補助基板を示す平面図であり、図2(B)は、図2(A)に示す補助基板の側面図である。図3は、図1に示す実装基板に図2に示す補助基板を接続した半導体装置を示す断面図である。
【0024】
本実施の形態では、実装基板10上において配線が密になる部分や配線の引き回しが困難な部分のみに対し、別に基板上に作製した配線用の補助基板40を用いて電気的コンタクトをとる様にしたものである。後述するが、図1(A)に示す第1の接続パッド21と第2の接続パッド22との間は、配線パターンが密になり過ぎており、同じ配線ルール(配線密度)では配線パターンを形成することができない。そこで、図2に示すようなポリイミドなどの絶縁樹脂からなる補助基板40上に予め配線パターン43を形成しておき、この補助基板を第1の接続パッド21と第2の接続パッド22との間に接続して電気的導通を得るようにしたものである。なお、補助基板の材質は、リフローなどでの熱膨張に対する耐性を有するものであれば種々の材質を用いることも可能であり、例えばポリイミドやガラスエポキシなど、実装基板として通常用いる材料を使用することも可能である。
【0025】
以下、図3に示す半導体装置を製造する方法について具体的に説明する。
まず、図1(A),(B)に示す実装基板10を用意する。この実装基板10はガラスエポキシ樹脂等からなる厚さ0.25mm程度の基板である。実装基板10の上面上には第1乃至第8の電極パッド1〜8と第1乃至第5の配線パターン11〜15が配置されている。第1乃至第5の配線パターンは銅パターンからなるものである。第1の電極パッド1は第1の配線パターン11の一端に電気的に接続されており、第1の配線パターン11の他端は第8の電極パッド18に電気的に接続されている。第3の電極パッド3は第2の配線パターン12の一端に電気的に接続されており、第2の配線パターン12の他端は第6の電極パッド6に電気的に接続されている。第4の電極パッド4は第3の配線パターン13の一端に電気的に接続されており、第3の配線パターン13の他端は第5の電極パッド5に電気的に接続されている。第2の電極パッド2は第4の配線パターン14の一端に電気的に接続されており、第4の配線パターン14の他端は第1の接続パッド21に電気的に接続されている。第2の接続パッド22は第5の配線パターン15の一端に電気的に接続されており、第5の配線パターン15の他端は第7の電極パッド7に電気的に接続されている。第1及び第2の接続パッド21,22それぞれは、種々の材料を用いることが可能であるが、例えば半田バンプ又は金バンプ等からなるものである。
【0026】
次に、上記実装基板10に第1及び第2の半導体チップ23,24を所定の位置に実装する。
すなわち、まず、第1及び第2の半導体チップ23,24を用意し、実装基板10の上面に第1の半導体チップ23及び第2の半導体チップ24それぞれを載置して接着剤により固定する。第1の半導体チップ23の内部には半導体素子などからなる半導体回路が設けられており、第1の半導体チップ23の表面には半導体回路と電気的に接続された第1乃至第4のボンディングパッド31〜34が配置されている。第2の半導体チップ24の内部には半導体素子などからなる半導体回路が設けられており、第2の半導体チップ24の表面には半導体回路と電気的に接続された第5乃至第8のボンディングパッド35〜38が配置されている。
【0027】
次いで、ワイヤボンディングを行い、第1のボンディングパッド31と第1の電極パッド1とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第2のボンディングパッド32と第2の電極パッド2とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第3のボンディングパッド33と第3の電極パッド3とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第4のボンディングパッド34と第4の電極パッド4とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第5のボンディングパッド35と第5の電極パッド5とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第6のボンディングパッド36と第6の電極パッド6とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第7のボンディングパッド37と第7の電極パッド7とをボンディングワイヤによって電気的に接続し、第8のボンディングパッド38と第8の電極パッド8とをボンディングワイヤによって電気的に接続する。
【0028】
このようにして第1の半導体チップの第1、第3及び第4のボンディングパッド31,33,34それぞれは、第2の半導体チップの第8、第6及び第5のボンディングパッド38,36,36に電気的に接続される。すなわち、第1の半導体チップの第1のボンディングパッド31は、ボンディングワイヤ、第1の電極パッド1、第1の配線パターン11、第8の電極パッド8、ボンディングワイヤを経由して第2の半導体チップの第8のボンディングパッド38に電気的に接続される。第1の半導体チップの第3のボンディングパッド33は、ボンディングワイヤ、第3の電極パッド3、第2の配線パターン12、第6の電極パッド6、ボンディングワイヤを経由して第2の半導体チップの第6のボンディングパッド36に電気的に接続される。第1の半導体チップの第4のボンディングパッド34は、ボンディングワイヤ、第4の電極パッド4、第3の配線パターン13、第5の電極パッド5、ボンディングワイヤを経由して第2の半導体チップの第5のボンディングパッド35に電気的に接続される。
【0029】
この後、図2に示す補助基板40を用意する。この補助基板40は厚さ100μm程度のポリイミドフィルムから構成されている。補助基板40は半導体チップ23,24の厚さより薄いものである。補助基板40の表面には金等のメタルからなる第1及び第2のバンプ41,42、配線パターン43が形成されている。配線パターン43の一端は第1のバンプ41に電気的に接続されており、配線パターン43の他端は第2のバンプ42に電気的に接続されている。第1のバンプ41と第2のバンプ42の相対的な位置は実装基板10上の第1の接続パッド21と第2の接続パッド22のそれと同一である。なお、補助基板40の配線パターン43はレジストなどの絶縁膜(図示せず)によって被覆されており、この絶縁膜から第1及び第2のバンプ41,42は露出している。
【0030】
次に、図3に示すように、実装基板10上に補助基板40を移動させ、該実装基板10上の第1の接続パッド21上に補助基板40上の第1のバンプ41を載置すると共に該実装基板10上の第2の接続パッド22上に補助基板40上の第2のバンプ42を載置する。次いで、補助基板40と実装基板10を加熱して加圧することにより、第1の接続パッド21と第1のバンプ41を接続させ、第2の接続パッド22と第2のバンプ42を接続させる。これにより、第2の電極パッド2と第7の電極パッド7とが補助基板の配線パターン43を介して電気的に接続される。即ち、第1の半導体チップの第2のボンディングパッド32は、ボンディングワイヤ、第2の電極パッド2、第4の配線パターン14、第1の接続パッド21、第1のバンプ41、配線パターン43、第2のバンプ42第2の接続パッド22、第5の配線パターン15、第7の電極パッド7、ボンディングワイヤを経由して第2の半導体チップの第7のボンディングパッド37に電気的に接続される。
【0031】
上記第1の実施の形態によれば、実装基板10上において配線パターンが密になる部分や配線パターンの引き回しが困難な部分のみに対し、別に基板上に作製した配線用の補助基板40を用いて電気的コンタクトをとる様にしている。このため、従来技術のように基板価格の上昇を招いた配線パターンの微細化や実装基板の多層化をしなくても、実装基板上で配線が困難である部分に対し、必要に応じてラフな配線形成技術を用いた別作りの安価な配線基板である補助基板を用いて配線を付加できる。従って、高密度実装製品の実装工程時の製造コストを低減することができる。また、実装基板の多層化をする必要がないので、実装基板や実装基板に半導体チップを実装した後の製品を薄くすることが可能となり、最終完成品の厚さやサイズを小さくすることができる。
【0032】
図4(A)は、本発明に係る第2の実施の形態で用いる補助基板を示す平面図であり、図4(B)は、図4(A)に示す4B−4B線に沿った断面図であり、図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態では、第1の実施の形態におけるポリイミドフィルムからなる補助基板をシリコン基板からなる補助基板に代えたものである。
【0033】
まず、実装基板としては第1の実施の形態と同様のものを用いる。次いで、図4に示す補助基板50を用意する。補助基板50は厚さ150μm程度であり、補助基板50は実装する半導体チップの厚さより薄いものである。補助基板50上には第1の絶縁膜51が形成されており、第1の絶縁膜51上には配線パターン52が形成されている。この配線パターン52及び第1の絶縁膜51の上にはレジスト膜などの第2の絶縁膜53が形成されている。第2の絶縁膜53には配線パターン51の一端上に位置する第1開口部が設けられており、第2の絶縁膜53には配線パターン51の他端上に位置する第2開口部が設けられている。第1開口部内及び第2開口部内それぞれには電解メッキ法又は無電解メッキ法により、配線パターン51の一端及び他端それぞれの上には金等のメタルからなる第1及び第2のバンプ54,55が形成される。
【0034】
次いで、実装基板上に補助基板50を移動させ、該実装基板上の第1の接続パッド上に補助基板50上の第1のバンプ54を載置すると共に該実装基板上の第2の接続パッド上に補助基板50上の第2のバンプ55を載置する。次いで、補助基板50と実装基板を加熱して加圧することにより、第1の接続パッドと第1のバンプ51を接続させ、第2の接続パッドと第2のバンプ52を接続させる。これにより、第2の電極パッドと第7の電極パッドとが補助基板の配線パターン52を介して電気的に接続される。
【0035】
上記第2の実施の形態においても第1の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
また、本実施の形態では、シリコン基板からなる補助基板を用いているため、実装基板上に実装する際に他の半導体チップと同様の手法で実装することも可能であり、実装が容易であるというメリットがあり、また、実装には既存設備を利用でき、チップマウンタやダイボンダーを使用することも可能である。
【0036】
また、本実施の形態では、シリコン基板からなる補助基板上に配線パターンを形成することで、半導体チップの製造技術で樹脂系の補助基板より微細な配線パターンを形成することが可能となり、しかも補助基板の歪み、反りなどの形状変化も少なくすることができるため、実装基板上の接続パッドとのコンタクト不良などの発生も抑制でき、実装品質を向上させることができる。
【0037】
尚、上記第2の実施の形態では、補助基板40の材質にシリコン基板を用いているが、補助基板の材質にセラミックスを用いることも可能である。この場合の補助基板は厚さ150μm程度である。また、配線パターン層の層数が少なければ、シリコンチップで製作するよりも安価に製作でき、コストダウン効果がさらに大きくなる。
【0038】
また、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、配線パターンの数や引き回しやパターン形状などを種々変更して実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態による実装基板に半導体チップを実装した図。
【図2】第1の実施の形態による補助基板を示す図。
【図3】第1の実施の形態による実装基板に補助基板を接続した図。
【図4】第2の実施の形態による補助基板を示す図。
【図5】従来の半導体装置を示す図。
【図6】他の従来の半導体装置を示す平面図。
【符号の説明】
1〜8,101〜108…第1〜第8の電極パッド、10,110…実装基板、11〜15,111〜115…第1〜第5の配線パターン、21…第1の接続パッド、22…第2の接続パッド、23,123…第1の半導体チップ、24,124…第2の半導体チップ、31〜38,131〜138…第1〜第8のボンディングパッド、40,50…補助基板、41,54…第1のバンプ、42,55…第2のバンプ、43,52…配線パターン、51…第1の絶縁膜、53…第2の絶縁膜、117…第4の配線パターン、121…第1のスルーホール、122…第2のスルーホール[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor device having a semiconductor chip mounted on a mounting board and a method for manufacturing the same. In particular, the present invention relates to a semiconductor device capable of reducing cost and size and a method of manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
FIG. 5A is a plan view showing a conventional semiconductor device, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line 5B-5B shown in FIG. This semiconductor device has a semiconductor chip mounted on a mounting substrate. Hereinafter, a method of mounting the semiconductor device will be described with reference to FIG.
First, a
[0003]
The
[0004]
On the upper surface of the
[0005]
A
[0006]
Next, the first and
That is, first, the first and
Thus, the first and
[0007]
The reason why the
[0008]
When wiring patterns are routed on the upper and lower surfaces of the mounting substrate, or when the mounting substrate is multilayered to increase the area for routing the wiring patterns, it is necessary to form through holes in the mounting substrate. In this case, not only is the material cost for the wiring layer increased compared to the case where the wiring pattern is formed only on the upper surface of the mounting board, but also the number of processing steps such as resist coating, exposure, and etching are increased. It will rise greatly.
[0009]
In the case where the mounting board is multilayered, the thickness of the board also increases in proportion to the number of mounting boards (the number of layers). This goes against miniaturization (thinning) of the finished product. As a countermeasure, it is conceivable to use a mounting board with a small thickness (for example, the insulating layer is 0.1 mm or less). I do. Therefore, it is impossible to meet the demand for cost reduction.
[0010]
FIG. 6 is a plan view showing another conventional semiconductor device, in which the same parts as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
The first to
[0011]
The reason that the wiring pattern can be routed only on the upper surface of the
[0012]
In addition, when the wiring pattern is miniaturized, it is necessary to upgrade a manufacturing apparatus such as an exposure apparatus for fine processing from the processing accuracy applied when manufacturing the mounting substrate of the conventional semiconductor device described above. For this reason, investment in expensive new manufacturing equipment is required, and the manufacturing cost increases. Therefore, it is impossible to meet the demand for cost reduction.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described conventional semiconductor device and other conventional semiconductor devices, when the wiring density is increased due to the high-density mounting, it is supported by increasing the number of wiring layers and the fine wiring of the mounting substrate, but the cost of the substrate is increased, We could not meet the demand for cost reduction of finished products. Further, in a conventional semiconductor device having a multilayer mounting board, the thickness of the board also increases in proportion to the number of mounting boards, so that it is not possible to realize the miniaturization of a finished product.
[0014]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of reducing cost and size and a method of manufacturing the same.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, a semiconductor device according to the present invention includes a mounting board,
A first connection pad formed on the mounting board;
A second connection pad formed on the mounting board;
A first bump connected to the first connection pad;
A second bump connected to the second connection pad;
A wiring pattern for electrically connecting the first bump and the second bump;
An auxiliary substrate having the wiring pattern, the first and second bumps formed thereon,
It is characterized by having.
[0016]
According to the above-described semiconductor device, electrical contact is made using only a wiring auxiliary substrate separately formed on a portion where the wiring pattern is dense or a portion where the wiring pattern is difficult to route on the mounting substrate. I am doing it. For this reason, even if it is not necessary to miniaturize the wiring pattern and increase the number of layers of the mounting substrate, which has led to an increase in the cost of the substrate as in the prior art, it is necessary to roughen portions where wiring is difficult on the mounting substrate. Wiring can be added using an auxiliary substrate which is a separately manufactured inexpensive wiring substrate using a simple wiring forming technique. Therefore, it is possible to reduce the manufacturing cost in the mounting process of the high-density mounting product. Further, since it is not necessary to provide a multilayer mounting board, it is possible to make the mounting board or a product after mounting the semiconductor chip on the mounting board thinner and to reduce the size.
[0017]
In addition, the semiconductor device according to the present invention further includes a first semiconductor chip disposed on the mounting substrate, and a second semiconductor chip disposed on the mounting substrate. A chip may be electrically connected to the first connection pad, and a second semiconductor chip may be electrically connected to the second connection pad.
[0018]
Further, in the semiconductor device according to the present invention, a first electrode pad formed on the mounting board, a second electrode pad formed on the mounting board, and a second electrode pad formed on the mounting board. 1, a second wiring pattern formed on the mounting substrate, a first bonding pad formed on the first semiconductor chip, and a second bonding pattern formed on the second semiconductor chip. And a second bonding pad.
The first semiconductor chip includes a first bonding pad, a first electrode pad, a first wiring pattern, a first connection pad, a first bump, a wiring pattern, a second bump, a second connection pad, It is also possible to electrically connect to the second semiconductor chip via the second wiring pattern, the second electrode pad, and the second bonding pad.
[0019]
Further, in the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the auxiliary substrate is made of any one of a polyimide, a glass epoxy resin, a ceramic, and a silicon substrate.
[0020]
A method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is directed to a mounting substrate having a first substrate, a first connection pad formed on the first substrate, and a second connection pad formed on the first substrate. A step of preparing
A second substrate, a first bump formed on the second substrate, a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the first bump, and a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the wiring pattern. Preparing an auxiliary substrate having a second bump,
The first connection pad and the second bump are brought into contact with each other, and at the same time, the second connection pad and the second bump are brought into contact with each other and heated and pressed, so that the first connection pad and the second bump are separated from each other. Connecting and connecting the second connection pad and the second bump;
It is characterized by having.
[0021]
Further, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a step of disposing a first semiconductor chip on the first substrate between the step of preparing the mounting substrate and the step of preparing the auxiliary substrate, Arranging a second semiconductor chip on the first substrate,
The first semiconductor chip may be electrically connected to the first connection pad, and the second semiconductor chip may be electrically connected to the second connection pad.
[0022]
The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes a first substrate, a first electrode pad formed on the first substrate, and a first electrode pad formed on the first substrate and connected to the first electrode pad. A wiring pattern, a first connection pad formed on the first substrate and connected to the first wiring pattern, a second electrode pad formed on the first substrate, and a second connection pad formed on the first substrate. Preparing a mounting substrate having a second wiring pattern connected to the second electrode pad and a second connection pad formed on the first substrate and connected to the second wiring pattern;
Arranging a first semiconductor chip having a first bonding pad on the first substrate and arranging a second semiconductor chip having a second bonding pad on the first substrate;
A second substrate, a first bump formed on the second substrate, a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the first bump, and a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the wiring pattern. Preparing an auxiliary substrate having a second bump,
The first connection pad and the second bump are brought into contact with each other, and at the same time, the second connection pad and the second bump are brought into contact with each other and heated and pressed, so that the first connection pad and the second bump are separated from each other. Connecting and connecting the second connection pad and the second bump;
It is characterized by having.
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1A is a plan view showing a semiconductor device in which a semiconductor chip is mounted on a mounting board according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a plan view showing 1B shown in FIG. It is sectional drawing which followed the -1B line. FIG. 2A is a plan view showing the auxiliary substrate, and FIG. 2B is a side view of the auxiliary substrate shown in FIG. 2A. FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor device in which the auxiliary substrate shown in FIG. 2 is connected to the mounting substrate shown in FIG.
[0024]
In the present embodiment, electrical contact is made using only a
[0025]
Hereinafter, a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 3 will be specifically described.
First, a mounting
[0026]
Next, the first and
That is, first, the first and
[0027]
Next, wire bonding is performed, the
[0028]
In this manner, the first, third and
[0029]
Thereafter, the
[0030]
Next, as shown in FIG. 3, the
[0031]
According to the first embodiment, the wiring
[0032]
FIG. 4A is a plan view showing an auxiliary substrate used in the second embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along
In the present embodiment, the auxiliary substrate made of a polyimide film in the first embodiment is replaced with an auxiliary substrate made of a silicon substrate.
[0033]
First, a mounting board similar to that of the first embodiment is used. Next, an
[0034]
Next, the
[0035]
In the second embodiment, the same effects as in the first embodiment can be obtained.
Further, in the present embodiment, since the auxiliary substrate made of a silicon substrate is used, when mounting on a mounting substrate, it is possible to mount it by the same method as other semiconductor chips, and mounting is easy. In addition, existing equipment can be used for mounting, and a chip mounter or a die bonder can be used.
[0036]
Further, in the present embodiment, by forming a wiring pattern on an auxiliary substrate made of a silicon substrate, it becomes possible to form a finer wiring pattern than a resin-based auxiliary substrate by a semiconductor chip manufacturing technique, and Since a change in shape such as distortion or warpage of the substrate can be reduced, occurrence of contact failure with a connection pad on the mounting substrate can be suppressed, and mounting quality can be improved.
[0037]
In the second embodiment, the silicon substrate is used as the material of the
[0038]
In addition, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented with various modifications without departing from the gist of the present invention. For example, the present invention can be implemented with various changes in the number, routing, and pattern shape of the wiring patterns.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor chip mounted on a mounting board according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing an auxiliary substrate according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram in which an auxiliary board is connected to the mounting board according to the first embodiment;
FIG. 4 is a diagram showing an auxiliary substrate according to a second embodiment.
FIG. 5 illustrates a conventional semiconductor device.
FIG. 6 is a plan view showing another conventional semiconductor device.
[Explanation of symbols]
1 to 8, 101 to 108: first to eighth electrode pads, 10, 110: mounting board, 11 to 15, 111 to 115: first to fifth wiring patterns, 21: first connection pads, 22 ... second connection pads, 23,123 ... first semiconductor chips, 24,124 ... second semiconductor chips, 31-38, 131-138 ... first to eighth bonding pads, 40,50 ... auxiliary substrates , 41, 54: first bump, 42, 55: second bump, 43, 52: wiring pattern, 51: first insulating film, 53: second insulating film, 117: fourth wiring pattern, 121: first through hole, 122: second through hole
Claims (7)
この実装基板上に形成された第1の接続パッドと、
実装基板上に形成された第2の接続パッドと、
第1の接続パッドに接続された第1のバンプと、
第2の接続パッドに接続された第2のバンプと、
第1のバンプと第2のバンプを電気的に接続する配線パターンと、
この配線パターン、第1及び第2のバンプが形成された補助基板と、
を具備することを特徴とする半導体装置。A mounting board,
A first connection pad formed on the mounting board;
A second connection pad formed on the mounting board;
A first bump connected to the first connection pad;
A second bump connected to the second connection pad;
A wiring pattern for electrically connecting the first bump and the second bump;
An auxiliary substrate having the wiring pattern, the first and second bumps formed thereon,
A semiconductor device comprising:
第1の半導体チップは、第1のボンディングパッド、第1の電極パッド、第1の配線パターン、第1の接続パッド、第1のバンプ、配線パターン、第2のバンプ、第2の接続パッド、第2の配線パターン、第2の電極パッド及び第2のボンディングパッドを経由して第2の半導体チップに電気的に接続されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。A first electrode pad formed on the mounting board, a second electrode pad formed on the mounting board, a first wiring pattern formed on the mounting board, The semiconductor device further includes a formed second wiring pattern, a first bonding pad formed on the first semiconductor chip, and a second bonding pad formed on the second semiconductor chip. ,
The first semiconductor chip includes a first bonding pad, a first electrode pad, a first wiring pattern, a first connection pad, a first bump, a wiring pattern, a second bump, a second connection pad, 3. The semiconductor device according to claim 2, wherein the semiconductor device is electrically connected to the second semiconductor chip via a second wiring pattern, a second electrode pad, and a second bonding pad.
第2基板と、第2基板上に形成された第1のバンプと、第2基板上に形成され第1のバンプに接続された配線パターンと、第2基板上に形成され配線パターンに接続された第2のバンプと、を有する補助基板を用意する工程と、
第1の接続パッドと第2のバンプとを接触させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接触させて加熱して加圧することにより、第1の接続パッドと第2のバンプとを接続させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接続させる工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。Preparing a mounting substrate having a first substrate, a first connection pad formed on the first substrate, and a second connection pad formed on the first substrate;
A second substrate, a first bump formed on the second substrate, a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the first bump, and a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the wiring pattern. Preparing an auxiliary substrate having a second bump,
The first connection pad and the second bump are brought into contact with each other, and at the same time, the second connection pad and the second bump are brought into contact with each other and heated and pressed, so that the first connection pad and the second bump are separated from each other. Connecting and connecting the second connection pad and the second bump;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記第1の半導体チップは前記第1の接続パッドに電気的に接続されており、第2の半導体チップは前記第2の接続パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。Arranging a first semiconductor chip on the first substrate and arranging a second semiconductor chip on the first substrate between the step of preparing the mounting substrate and the step of preparing the auxiliary substrate Further comprising
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first semiconductor chip is electrically connected to the first connection pad, and the second semiconductor chip is electrically connected to the second connection pad. 13. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
前記第1基板上に第1のボンディングパッドを有する第1の半導体チップを配置すると共に前記第1基板上に第2のボンディングパッドを有する第2の半導体チップを配置する工程と、
第2基板と、第2基板上に形成された第1のバンプと、第2基板上に形成され第1のバンプに接続された配線パターンと、第2基板上に形成され配線パターンに接続された第2のバンプと、を有する補助基板を用意する工程と、
第1の接続パッドと第2のバンプとを接触させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接触させて加熱して加圧することにより、第1の接続パッドと第2のバンプとを接続させると共に第2の接続パッドと第2のバンプとを接続させる工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。A first substrate, a first electrode pad formed on the first substrate, a first wiring pattern formed on the first substrate and connected to the first electrode pad, and a first wiring pattern formed on the first substrate. A first connection pad connected to the first wiring pattern, a second electrode pad formed on the first substrate, and a second connection pad formed on the first substrate and connected to the second electrode pad; Preparing a mounting substrate having a wiring pattern and a second connection pad formed on the first substrate and connected to the second wiring pattern;
Arranging a first semiconductor chip having a first bonding pad on the first substrate and arranging a second semiconductor chip having a second bonding pad on the first substrate;
A second substrate, a first bump formed on the second substrate, a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the first bump, and a wiring pattern formed on the second substrate and connected to the wiring pattern. Preparing an auxiliary substrate having a second bump,
The first connection pad and the second bump are brought into contact with each other, and at the same time, the second connection pad and the second bump are brought into contact with each other and heated and pressed, so that the first connection pad and the second bump are separated from each other. Connecting and connecting the second connection pad and the second bump;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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