JP2004157324A - 露光用マスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
露光用マスク及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004157324A JP2004157324A JP2002322860A JP2002322860A JP2004157324A JP 2004157324 A JP2004157324 A JP 2004157324A JP 2002322860 A JP2002322860 A JP 2002322860A JP 2002322860 A JP2002322860 A JP 2002322860A JP 2004157324 A JP2004157324 A JP 2004157324A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- concave portion
- transfer pattern
- exposure mask
- white defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【課題】上記露光用マスクを用いて半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンが形成されている。少なくとも一部が転写パターンの白欠陥と重なる凹部が、基板に形成されている。凹部の底面の少なくとも一部の領域上に、露光光を遮光する材料で形成された修正膜が配置されている。
【選択図】 図１
【解決手段】転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンが形成されている。少なくとも一部が転写パターンの白欠陥と重なる凹部が、基板に形成されている。凹部の底面の少なくとも一部の領域上に、露光光を遮光する材料で形成された修正膜が配置されている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、その欠陥修正方法、及び半導体装置の製造方法に関し、特に白欠陥（ｃｌｅａｒ ｄｅｆｅｃｔ）を修正した露光用マスク（近接露光用のマスク及び縮小投影露光用のレチクルを含む）、その欠陥修正方法、及びその露光用マスクを用いて半導体装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、露光用マスクの製造時に生じてしまった転写パターンの欠けやピンホール等の白欠陥を修正するために、修正すべき箇所に、収束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によってカーボン膜を堆積させる手法が用いられていた。図８を参照して、従来の白欠陥修正方法について説明する。
【０００３】
図８（Ａ）に示すように、直線状のパターン１００に欠け１０１が生じている。図８（Ｂ）に、図８（Ａ）の一点鎖線Ｂ７−Ｂ７における断面図を示す。パターン１００は、ガラス基板１０２の表面上に配置され、クロム（Ｃｒ）等により形成されている。欠け１０１が生じている部分の線幅が細くなっている。
【０００４】
図８（Ｃ）に示すように、欠け１０１が生じた領域に、カーボンからなる修正膜１０５を堆積させる。なお、修正膜１０５の一部が、転写パターン１００に重なってもよい。図８（Ｄ）に、図８（Ｃ）の一点鎖線Ｄ７−Ｄ７における断面図を示す。修正膜１０５が、ガラス基板１０２の表面のうち欠け１０１の生じていた領域を覆う。修正膜１０５は、欠け１０１の周囲の転写パターン１００の上面まで覆っている。修正膜１０５を形成することにより、欠け１０１が生じた領域の遮光性が確保される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−２６５１９３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
修正膜１０５は、欠け１０１の発生している領域に炭化水素系のガスを供給しながら、収束イオンビームを入射させて化学反応を生じさることにより形成される。修正膜を形成すべき領域の縁の近傍でイオンビームの散乱やガスの拡散等が生じ、修正膜を形成すべき領域の周辺にも、薄いカーボン膜が形成されてしまう。薄いカーボン膜の形成される領域は、修正装置の持つ精度や装置の状態に依存するが、通常、欠け部分から０．３〜０．７μｍまで及ぶ。
【０００７】
図８（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、収束イオンビームで修正膜を堆積させる際に、修正膜１０５の周辺に薄いカーボン膜（ハロ）１０８が形成され、その領域の透過率が低下してしまう。転写すべきパターンの微細化、高集積化が進んだことにより、ハロ１０８による近接パターンへの影響が無視できなくなってきた。マスク上においてハロ１０８の広がりが０．３μｍ程度まで及ぶと、パターンの転写結果に大きな影響を及ぼしてしまう。また、収束イオンビームにより形成される修正膜の位置ずれも無視できなくなってきている。
【０００８】
露光用マスク全面を酸素プラズマに晒すことにより、ハロ１０８を取り除くことができるが、酸素プラズマが正常な転写パターンへも影響を及ぼしてしまう。ハロの影響を見越して、修正膜を配置すべき領域を、欠けの生じている領域よりも小さめに設定する方法も考えられる。しかし、この方法では、修正対象のパターン幅が０．７μｍよりも細い場合に、修正を行うことが困難である。
【０００９】
本発明の目的は、収束イオンビームにより修正を行う時のハロの発生を抑制することが可能な露光用マスク、及び欠陥修正方法を提供することである。
本発明の他の目的は、上記露光用マスクを用いて半導体装置を製造する方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、基板と、転写すべきパターンの原画に基づいて、前記基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンと、前記基板に設けられ、少なくとも一部が前記転写パターンの白欠陥と重なる凹部と、前記凹部の底面の少なくとも一部の領域上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された修正膜とを有する露光用マスクが提供される。
【００１１】
本発明の他の観点によると、転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンを有する露光用マスクの基板に、少なくとも一部が該白欠陥と重なるように凹部を形成する工程と、前記凹部の底面上に、露光光を遮光する材料からなる修正膜を形成する工程とを有する露光用マスクの欠陥修正方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の観点によると、上記欠陥修正された露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
白欠陥部分に形成された凹部が、修正膜を堆積させるときのハロの発生を抑制する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１を参照して、本発明の第１の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。図１（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）に、転写パターンの欠陥部分の平面図を示す。図１（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）に、それぞれ図１（Ａ）の一点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図、図１（Ｃ）の一点鎖線Ｄ１−Ｄ１における断面図、及び図１（Ｅ）の一点鎖線Ｆ１−Ｆ１における断面図を示す。
【００１４】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の表面上に、クロム等の遮光材料からなる転写パターン２が形成されている。転写パターン２は、転写すべきパターンの原画（パターン原画）に基づいて形成される。転写パターン２に、遮光材料膜の欠けた白欠陥３が発生している。白欠陥３は、線状のパターン原画の片側の縁に掛かっている。
【００１５】
図１（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、白欠陥３と一致する領域に、凹部５を形成する。凹部５は、ガラス基板１にガリウム（Ｇａ）の収束イオンビームを入射させることにより形成することができる。例えば、Ｇａイオンの加速電圧を２０ｋＶ、電流値を１４０ｐＡ、ビームスポット径を０．２μｍとする。なお、フッ化キセノンを使用したガスアシストエッチングを行ってもよい。
【００１６】
パターン原画の縁のうち白欠陥３で切り取られた部分に、凹部５の縁が重なる。すなわち、パターン原画の縁の一部が、凹部５により画定される。
図１（Ｅ）及び（Ｆ）に示すように、凹部５の底面上にカーボン等の遮光材料からなる修正膜７を堆積させる。修正膜７の堆積は、凹部５の近傍に炭化水素系のガスを供給し、凹部５の底面にガリウムの収束イオンビームを入射させることにより行うことができる。このときの収束イオンビームの加速電圧は、例えば、２０ｋＶ、電流値は１４０ｐＡである。炭化水素系のガスを供給することにより、イオンビームの照射によるガラス基板１のエッチング速度よりも修正膜の堆積速度の方が速くなるため、ガラス基板１のエッチングは生じない。
【００１７】
修正膜７の厚さは、凹部５の深さに比べて薄い。例えば、修正膜の厚さは、収束イオンビーム法で制御可能な２０〜３００ｎｍ程度であり、凹部はそれよりも深い。修正膜７の厚さが１００ｎｍであるとき、凹部５の深さを１５０〜３００ｎｍ程度にすればよい。
【００１８】
上記第１の実施例では、凹部５の底面上に修正膜７が形成される。修正膜７を形成する時の反応ガスの拡散が、凹部５の側壁によって妨げられるため、ハロ現象の発生を抑制することができる。
【００１９】
第１の実施例では、凹部５の平面形状を白欠陥３と同一にしたが、白欠陥３が不規則な形状であったり、極微細であったりする場合には、凹部５を形成する前に、転写パターン２を部分的にエッチングして白欠陥の形状を整えたり、修正しやすい大きさに拡大したりしてもよい。クロムからなる転写パターン２のエッチングは、例えばＧａの収束イオンビームを用い、加速電圧２０ｋＶ、電流値１４０ｐＡの条件で行うことができる。
【００２０】
次に、図２を参照して第２の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。図２（Ａ）、（Ｄ）、（Ｆ）に、転写パターンの欠陥部分の平面図を示す。図２（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｇ）に、それぞれ図１（Ａ）の一点鎖線Ｂ２−Ｂ２における断面図、図１（Ａ）の一点鎖線Ｃ２−Ｃ２における断面図、図１（Ｄ）の一点鎖線Ｅ２−Ｅ２における断面図、及び図２（Ｆ）の一点鎖線Ｇ２−Ｇ２における断面図を示す。
【００２１】
第１の実施例では、白欠陥が線状パターン原画の片側の縁に掛かっていた。第２の実施例では、図２（Ａ）に示すように、白欠陥１０が線状パターン原画の両側の縁に掛かっている。このため、転写パターン２が断線している。
【００２２】
図２（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、白欠陥１０と一致する領域に凹部１２を形成する。断線部分において、凹部１２の縁がパターン原画の縁と一致する。図２（Ｆ）及び（Ｇ）に示すように、凹部１２の底面上に修正膜１５を堆積させる。修正膜１５により、転写パターン２の断線部分が修復される。
【００２３】
図３（Ａ）に、第２の実施例による方法で欠陥修正した露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図を示す。転写パターン２の断線箇所に修正膜１５が配置されている。ハロは観察されなかった。図３（Ｂ）に、図３（Ａ）の修正箇所を転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図を示す。ほぼ設計どおりの線幅のレジストパターンが得られている。
【００２４】
図３（Ｂ）に、従来の方法で欠陥修正した露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図を示す。転写パターン２の断線箇所に修正膜１５Ａが配置されている。修正膜１５Ａの周囲にハロ１６が観察された。図３（Ｄ）に、図３（Ｃ）の修正箇所を転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図を示す。修正箇所の線幅が、ハロ１６の影響を受けて太くなっていることがわかる。
【００２５】
第１及び第２の実施例のように、白欠陥箇所に凹部を形成して、凹部の底面上に修正膜を形成することにより、修正膜形成時におけるハロの発生を防止することができる。実施例による方法で欠陥修正された露光用マスクを用いることにより、所望の線幅のレジストパターンを得ることができる。
【００２６】
特に、活性領域上のゲート電極のパターンを形成する場合には、所望のＭＯＳＦＥＴの電気的特性を確保するために、レジストパターンの幅変動の許容範囲が狭い。白欠陥が、活性領域上のゲート電極に対応する部分に発生している場合であっても、上記第１及び第２の実施例による方法で欠陥修正を行うことにより、使用に耐え得る露光用マスクを作製することができる。
【００２７】
上記第１及び第２の実施例では、白欠陥の領域と、凹部を形成する領域とを一致させたが、凹部を、白欠陥と転写パターンとの境界よりも転写パターン側に広げてもよい。すなわち、凹部が白欠陥の領域を内包するようにしてもよい。これにより、凹部形成時に位置ずれが生じたとしても、白欠陥の未修正部分が発生することを防止できる。
【００２８】
次に、図４を参照して第３の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。図４（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）に、転写パターンの欠陥部分の平面図を示す。図４（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）に、それぞれ図４（Ａ）の一点鎖線Ｂ４−Ｂ４における断面図、図４（Ｃ）の一点鎖線Ｄ４−Ｄ４における断面図、及び図４（Ｅ）の一点鎖線Ｆ４−Ｆ４における断面図を示す。
【００２９】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、パターン原画に基づいて、ガラス基板１の表面上に線状の転写パターン２が形成されている。転写パターン２に、その一方の縁から他方の縁まで達する白欠陥２０が発生している。
【００３０】
図４（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、パターン原画の縁のうち白欠陥２０に対応する部分に沿って、凹部２１ａ及び２１ｂを形成する。凹部２１ａ及び２１ｂは、パターン原画の縁よりも内側に配置され、その縁の一部がパターン原画の縁に一致する。白欠陥２０の中央部分には凹部が形成されていない。
【００３１】
図４（Ｅ）及び（Ｆ）に示すように、凹部２１ａ、２１ｂの底面を含む白欠陥２０の領域内に修正膜２５を堆積させる。転写パターン２の形成されていない領域（透過領域）と白欠陥２０との境界には、凹部２１ａ及び２１ｂが配置されている。このため、透過領域内にはハロが発生しない。
【００３２】
転写パターン２と白欠陥２０との境界には、凹部の配置されていない部分がある。従って、凹部の配置されていない境界に接する転写パターン２の領域にハロ２６が発生する。ところが、転写パターン２は本来遮光領域であるため、転写パターン２の内部にハロ２６が発生しても、露光上の問題はない。
【００３３】
第４の実施例のように、白欠陥全域に凹部を形成するのではなく、白欠陥のうちパターン原画の縁に対応する部分にのみ凹部を形成してもよい。凹部を形成する領域の面積が小さくなるため、凹部形成時間の短縮を図ることが可能になる。白欠陥が大きい場合に、この方法が特に有効である。
【００３４】
通常、ハロの張り出す長さは０．３〜０．７μｍ程度であるため、凹部２１ａ及び２１ｂの幅を０．７μｍ以上にすることが好ましい。
次に、図５を参照して第４の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。
【００３５】
図５（Ａ）に示すように、パターン原画に基づいて作製された線状の転写パターン２が形成されている。転写パターン２を断線させる白欠陥３０が発生している。
【００３６】
図５（Ｂ）に示すように白欠陥３０とほぼ一致する領域に凹部３１を形成する。凹部３１の縁の一部が、パターン原画の縁のうち白欠陥３０に対応する部分に一致する。
【００３７】
図５（Ｃ）に示すように、凹部３１の底面の一部の領域上に修正膜３２が形成されている。修正膜３２は、凹部３１の縁よりも後退しており、凹部３１の縁の近傍領域には修正膜３２が配置されていない。
【００３８】
凹部３１の縁の段差によって、マスクを透過する露光光の位相ずれが生ずるため、段差に対応する部分のコントラストが向上する。このため、凹部３１の底面の縁近傍に修正膜３２の配置されない領域があっても、転写のための十分なコントラストを確保することができる。
【００３９】
修正膜３２を凹部３１の底面の全領域に形成しようとすると、両者の相対的な位置がわずかにずれたときに、凹部３１の形成されていない領域に修正膜３２がはみ出してしまう。このはみ出し部分に起因してハロが発生してしまう場合がある。第４の実施例のように、修正膜３２の縁を凹部３１の縁よりも後退させると、両者の相対的な位置がわずかにずれた場合であっても、修正膜３２を凹部３１内に配置することができる。
【００４０】
凹部３１の縁からの修正膜３２の縁の後退量の最大値は、露光光の波長や凹部３１の縁の段差の高さ等に依存する。例えば、露光光の波長が２４８ｎｍ、段差の高さが２５０ｎｍの場合、最大０．２μｍまで後退させることができる。例えば、設計上の後退量を０．１μｍにしておくと、修正膜の位置が、凹部３１の縁に近づく方向及び縁から遠ざかる方向のいずれの方向に０．１μｍだけずれても、十分使用可能な露光用マスクを得ることができる。
【００４１】
修正膜３２が、白欠陥３０と転写パターン２との境界から転写パターン２内にはみ出しても、露光上の問題は生じない。このため、凹部３１の縁のうちパターン原画の縁に対応する部分についてのみ、修正膜３２を凹部３１の縁から後退させてもよい。
【００４２】
次に、図６を参照して第５の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。上記第１〜第４の実施例では、転写パターンが露光光をほぼ１００％遮光する材料で形成されている露光用マスクの欠陥修正を行った。以下に説明する第５の実施例では、減衰型位相シフトマスク（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍａｓｋ）等のように、転写パターンが、露光光を例えば６％程度透過させるような露光用マスクの欠陥修正を行う。
【００４３】
図６（Ａ）に示すように、透過領域内に、例えば６％程度の透過率を有する線状の転写パターン４０が形成されている。転写パターン４０は、転写パターン４０を通過した露光光の位相が、透明領域を通過した露光光の位相と異なるように、例えば１８０°異なるように露光光の位相を調節する。転写パターン４０を断線させる白欠陥４１が発生している。
【００４４】
図６（Ｂ）に示すように、白欠陥４１の発生している領域に凹部４２を形成する。凹部４２は、パターン原画の縁に相当する線よりも外側に（透明領域側に）はみ出している。図６（Ｃ）に示すように、凹部４２の底面上に修正膜４３を堆積させる。
【００４５】
転写パターン４０が露光光の一部を透過させるのに対し、遮光膜４３は露光光をほぼ１００％遮光する。このため、遮光膜の形状をパターン原画の形状に一致させると、白欠陥が発生していない場合と同等の露光状態が実現されない。第５の実施例のように、凹部４２及び遮光膜４３をパターン原画の縁から透明領域側にはみ出させることにより、白欠陥が発生していない場合と同等の転写を行うことが可能になる。
【００４６】
凹部４２及び修正膜４３のはみ出し量は、実際に転写されるレジストパターンの形状が所望の形状に近づくように設定される。好適なはみ出し量は、露光光の波長や転写パターン４０の透過率等に依存する。例えば、露光光の波長が２４８ｎｍであり、転写パターン４０の透過率が６％である場合に、はみ出し量を５０〜１００ｎｍ程度にすればよいであろう。
【００４７】
図７に、上記実施例による方法で欠陥の修正を行った露光用マスク（レチクル）を用いた露光装置（ステッパ）の概略図を示す。
ウエハステージ５０の上に、感光性レジスト膜が形成されたウエハ５１が保持されている。ウエハステージ５０の上方に縮小投影レンズ５９が配置され、その上方に、露光用マスク（レチクル）５７が、マスクステージ５８により保持されている。光源５５から出射された露光光が、コンデンサレンズ５６により収束され、露光用マスク５７に入射する。露光用マスク５７を透過した露光光が、縮小投影レンズ５９により収束され、露光用マスク５７に形成された転写パターンがウエハ５１の表面に投影される。これにより、露光用マスク５７に形成された転写パターンが、ウエハ５１の表面上に形成されたレジスト膜に転写される。ウエハステージ５０を移動させることにより、ウエハ５１上のレジスト膜の全面が露光される。
【００４８】
レジスト膜の露光後、現像処理を行うことにより、レジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとして、ウエハのエッチングやイオン注入等の処理を行う。上記実施例による欠陥修正方法で欠陥を修正した露光用マスクを用いることにより、所望のパターンを転写することができる。
【００４９】
図７には、縮小投影露光用の露光装置を示したが、上記実施例による露光用マスクの欠陥修正方法は、近接露光に用いられるマスクにも適用することができる。
【００５０】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５１】
上記実施例から、以下の付記に示された発明が導出される。
（付記１） 基板と、
転写すべきパターンの原画に基づいて、前記基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンと、
前記基板に設けられ、少なくとも一部が前記転写パターンの白欠陥と重なる凹部と、
前記凹部の底面の少なくとも一部の領域上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された修正膜と
を有する露光用マスク。
【００５２】
（付記２） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部の縁の一部が、前記原画の縁のうち該白欠陥の掛かっている部分に重なる付記１に記載の露光用マスク。
【００５３】
（付記３） 前記凹部の縁のうち前記原画の縁に対応する部分において、前記修正膜の縁が前記凹部の縁よりも後退している付記２に記載の露光用マスク。
（付記４） 前記凹部が、前記白欠陥の領域に一致するか、または前記白欠陥の領域を内包する付記１に記載の露光用マスク。
【００５４】
（付記５） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部が、前記白欠陥のうち前記原画の縁に相当する部分に沿って配置されている付記１に記載の露光用マスク。
【００５５】
（付記６） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、
前記転写パターンが、露光光を減衰させ、かつ該転写パターンを通過した露光光の位相が、該転写パターンの形成されていない領域を通過した露光光の位相と異なるように、露光光の位相を調節し、
前記凹部が、前記原画の縁に相当する線よりも外側にはみ出している付記１に記載の露光用マスク。
【００５６】
（付記７） 前記凹部の深さに比べて、前記修正膜の厚さの方が薄い付記１〜６のいずれかに記載の露光用マスク。
（付記８） 転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンを有する露光用マスクの基板に、少なくとも一部が該白欠陥と重なるように凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面上に、露光光を遮光する材料からなる修正膜を形成する工程とを有する露光用マスクの欠陥修正方法。
【００５７】
（付記９） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部の縁の一部が前記原画の縁のうち該白欠陥の掛かっている部分と一致するように前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００５８】
（付記１０） 前記凹部の縁のうち前記原画の縁に対応する部分において、前記修正膜の縁が前記凹部の縁よりも後退するように前記修正膜を形成する付記９に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００５９】
（付記１１） 前記凹部が、前記白欠陥の領域に一致するか、または前記白欠陥の領域を内包するように前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００６０】
（付記１２） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記白欠陥のうち前記原画の縁に対応する部分に沿って前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００６１】
（付記１３） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、
前記転写パターンが、露光光を減衰させ、かつ該転写パターンを通過した露光光の位相が、該転写パターンの形成されていない領域を通過した露光光の位相と異なるように、露光光の位相を調節し、
前記凹部が、前記原画の縁に相当する線よりも外側にはみ出すように前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００６２】
（付記１４） 前記凹部の深さよりも、前記修正膜を薄く形成する付記８〜１３のいずれかに記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
（付記１５） 半導体ウエハの表面上に感光性レジスト膜を形成する工程と、付記１〜７のいずれかに記載の露光用マスクを通して前記感光性レジスト膜を露光し、該露光用マスクに形成されている転写パターンを転写する工程と、
前記感光性レジスト膜を現像する工程と、
前記現像工程で残された感光性レジスト膜をマスクとして用い、前記半導体ウエハに選択的に処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光用マスクの白欠陥部分に凹部を形成し、その底面に修正膜を堆積させることにより、修正膜形成時のハロの発生を抑制することができる。これにより、所望のパターンを転写することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【図２】第２の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【図３】（Ａ）は、第２の実施例による方法で欠陥修正を行った露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図、（Ｂ）は、それを転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図、（Ｃ）は、従来の方法で欠陥修正を行った露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図、（Ｄ）は、それを転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図である。
【図４】第３の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【図５】第４の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図である。
【図６】第５の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図である。
【図７】第１〜第５の実施例による方法で欠陥修正を行った露光用マスクを用いて露光を行う露光装置の概略図である。
【図８】従来の方法による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
２、４０ 転写パターン
３、１０、２０、３０、４１ 白欠陥
５、１２，２１ａ、２１ｂ、３１、４２ 凹部
７、１５、２５、３２、４３ 修正膜
１６ ハロ
５０ ウエハステージ
５１ ウエハ
５５ 光源
５６ コンデンサレンズ
５７ 露光用マスク
５８ マスクステージ
５９ 縮小投影レンズ
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光用マスク、その欠陥修正方法、及び半導体装置の製造方法に関し、特に白欠陥（ｃｌｅａｒ ｄｅｆｅｃｔ）を修正した露光用マスク（近接露光用のマスク及び縮小投影露光用のレチクルを含む）、その欠陥修正方法、及びその露光用マスクを用いて半導体装置を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、露光用マスクの製造時に生じてしまった転写パターンの欠けやピンホール等の白欠陥を修正するために、修正すべき箇所に、収束イオンビーム（Ｆｏｃｕｓｅｄ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ）によってカーボン膜を堆積させる手法が用いられていた。図８を参照して、従来の白欠陥修正方法について説明する。
【０００３】
図８（Ａ）に示すように、直線状のパターン１００に欠け１０１が生じている。図８（Ｂ）に、図８（Ａ）の一点鎖線Ｂ７−Ｂ７における断面図を示す。パターン１００は、ガラス基板１０２の表面上に配置され、クロム（Ｃｒ）等により形成されている。欠け１０１が生じている部分の線幅が細くなっている。
【０００４】
図８（Ｃ）に示すように、欠け１０１が生じた領域に、カーボンからなる修正膜１０５を堆積させる。なお、修正膜１０５の一部が、転写パターン１００に重なってもよい。図８（Ｄ）に、図８（Ｃ）の一点鎖線Ｄ７−Ｄ７における断面図を示す。修正膜１０５が、ガラス基板１０２の表面のうち欠け１０１の生じていた領域を覆う。修正膜１０５は、欠け１０１の周囲の転写パターン１００の上面まで覆っている。修正膜１０５を形成することにより、欠け１０１が生じた領域の遮光性が確保される。
【０００５】
【特許文献１】
特開平５−２６５１９３号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
修正膜１０５は、欠け１０１の発生している領域に炭化水素系のガスを供給しながら、収束イオンビームを入射させて化学反応を生じさることにより形成される。修正膜を形成すべき領域の縁の近傍でイオンビームの散乱やガスの拡散等が生じ、修正膜を形成すべき領域の周辺にも、薄いカーボン膜が形成されてしまう。薄いカーボン膜の形成される領域は、修正装置の持つ精度や装置の状態に依存するが、通常、欠け部分から０．３〜０．７μｍまで及ぶ。
【０００７】
図８（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、収束イオンビームで修正膜を堆積させる際に、修正膜１０５の周辺に薄いカーボン膜（ハロ）１０８が形成され、その領域の透過率が低下してしまう。転写すべきパターンの微細化、高集積化が進んだことにより、ハロ１０８による近接パターンへの影響が無視できなくなってきた。マスク上においてハロ１０８の広がりが０．３μｍ程度まで及ぶと、パターンの転写結果に大きな影響を及ぼしてしまう。また、収束イオンビームにより形成される修正膜の位置ずれも無視できなくなってきている。
【０００８】
露光用マスク全面を酸素プラズマに晒すことにより、ハロ１０８を取り除くことができるが、酸素プラズマが正常な転写パターンへも影響を及ぼしてしまう。ハロの影響を見越して、修正膜を配置すべき領域を、欠けの生じている領域よりも小さめに設定する方法も考えられる。しかし、この方法では、修正対象のパターン幅が０．７μｍよりも細い場合に、修正を行うことが困難である。
【０００９】
本発明の目的は、収束イオンビームにより修正を行う時のハロの発生を抑制することが可能な露光用マスク、及び欠陥修正方法を提供することである。
本発明の他の目的は、上記露光用マスクを用いて半導体装置を製造する方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、基板と、転写すべきパターンの原画に基づいて、前記基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンと、前記基板に設けられ、少なくとも一部が前記転写パターンの白欠陥と重なる凹部と、前記凹部の底面の少なくとも一部の領域上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された修正膜とを有する露光用マスクが提供される。
【００１１】
本発明の他の観点によると、転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンを有する露光用マスクの基板に、少なくとも一部が該白欠陥と重なるように凹部を形成する工程と、前記凹部の底面上に、露光光を遮光する材料からなる修正膜を形成する工程とを有する露光用マスクの欠陥修正方法が提供される。
【００１２】
本発明の他の観点によると、上記欠陥修正された露光用マスクを用いた半導体装置の製造方法が提供される。
白欠陥部分に形成された凹部が、修正膜を堆積させるときのハロの発生を抑制する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１を参照して、本発明の第１の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。図１（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）に、転写パターンの欠陥部分の平面図を示す。図１（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）に、それぞれ図１（Ａ）の一点鎖線Ｂ１−Ｂ１における断面図、図１（Ｃ）の一点鎖線Ｄ１−Ｄ１における断面図、及び図１（Ｅ）の一点鎖線Ｆ１−Ｆ１における断面図を示す。
【００１４】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の表面上に、クロム等の遮光材料からなる転写パターン２が形成されている。転写パターン２は、転写すべきパターンの原画（パターン原画）に基づいて形成される。転写パターン２に、遮光材料膜の欠けた白欠陥３が発生している。白欠陥３は、線状のパターン原画の片側の縁に掛かっている。
【００１５】
図１（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、白欠陥３と一致する領域に、凹部５を形成する。凹部５は、ガラス基板１にガリウム（Ｇａ）の収束イオンビームを入射させることにより形成することができる。例えば、Ｇａイオンの加速電圧を２０ｋＶ、電流値を１４０ｐＡ、ビームスポット径を０．２μｍとする。なお、フッ化キセノンを使用したガスアシストエッチングを行ってもよい。
【００１６】
パターン原画の縁のうち白欠陥３で切り取られた部分に、凹部５の縁が重なる。すなわち、パターン原画の縁の一部が、凹部５により画定される。
図１（Ｅ）及び（Ｆ）に示すように、凹部５の底面上にカーボン等の遮光材料からなる修正膜７を堆積させる。修正膜７の堆積は、凹部５の近傍に炭化水素系のガスを供給し、凹部５の底面にガリウムの収束イオンビームを入射させることにより行うことができる。このときの収束イオンビームの加速電圧は、例えば、２０ｋＶ、電流値は１４０ｐＡである。炭化水素系のガスを供給することにより、イオンビームの照射によるガラス基板１のエッチング速度よりも修正膜の堆積速度の方が速くなるため、ガラス基板１のエッチングは生じない。
【００１７】
修正膜７の厚さは、凹部５の深さに比べて薄い。例えば、修正膜の厚さは、収束イオンビーム法で制御可能な２０〜３００ｎｍ程度であり、凹部はそれよりも深い。修正膜７の厚さが１００ｎｍであるとき、凹部５の深さを１５０〜３００ｎｍ程度にすればよい。
【００１８】
上記第１の実施例では、凹部５の底面上に修正膜７が形成される。修正膜７を形成する時の反応ガスの拡散が、凹部５の側壁によって妨げられるため、ハロ現象の発生を抑制することができる。
【００１９】
第１の実施例では、凹部５の平面形状を白欠陥３と同一にしたが、白欠陥３が不規則な形状であったり、極微細であったりする場合には、凹部５を形成する前に、転写パターン２を部分的にエッチングして白欠陥の形状を整えたり、修正しやすい大きさに拡大したりしてもよい。クロムからなる転写パターン２のエッチングは、例えばＧａの収束イオンビームを用い、加速電圧２０ｋＶ、電流値１４０ｐＡの条件で行うことができる。
【００２０】
次に、図２を参照して第２の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。図２（Ａ）、（Ｄ）、（Ｆ）に、転写パターンの欠陥部分の平面図を示す。図２（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｅ）、（Ｇ）に、それぞれ図１（Ａ）の一点鎖線Ｂ２−Ｂ２における断面図、図１（Ａ）の一点鎖線Ｃ２−Ｃ２における断面図、図１（Ｄ）の一点鎖線Ｅ２−Ｅ２における断面図、及び図２（Ｆ）の一点鎖線Ｇ２−Ｇ２における断面図を示す。
【００２１】
第１の実施例では、白欠陥が線状パターン原画の片側の縁に掛かっていた。第２の実施例では、図２（Ａ）に示すように、白欠陥１０が線状パターン原画の両側の縁に掛かっている。このため、転写パターン２が断線している。
【００２２】
図２（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように、白欠陥１０と一致する領域に凹部１２を形成する。断線部分において、凹部１２の縁がパターン原画の縁と一致する。図２（Ｆ）及び（Ｇ）に示すように、凹部１２の底面上に修正膜１５を堆積させる。修正膜１５により、転写パターン２の断線部分が修復される。
【００２３】
図３（Ａ）に、第２の実施例による方法で欠陥修正した露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図を示す。転写パターン２の断線箇所に修正膜１５が配置されている。ハロは観察されなかった。図３（Ｂ）に、図３（Ａ）の修正箇所を転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図を示す。ほぼ設計どおりの線幅のレジストパターンが得られている。
【００２４】
図３（Ｂ）に、従来の方法で欠陥修正した露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図を示す。転写パターン２の断線箇所に修正膜１５Ａが配置されている。修正膜１５Ａの周囲にハロ１６が観察された。図３（Ｄ）に、図３（Ｃ）の修正箇所を転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図を示す。修正箇所の線幅が、ハロ１６の影響を受けて太くなっていることがわかる。
【００２５】
第１及び第２の実施例のように、白欠陥箇所に凹部を形成して、凹部の底面上に修正膜を形成することにより、修正膜形成時におけるハロの発生を防止することができる。実施例による方法で欠陥修正された露光用マスクを用いることにより、所望の線幅のレジストパターンを得ることができる。
【００２６】
特に、活性領域上のゲート電極のパターンを形成する場合には、所望のＭＯＳＦＥＴの電気的特性を確保するために、レジストパターンの幅変動の許容範囲が狭い。白欠陥が、活性領域上のゲート電極に対応する部分に発生している場合であっても、上記第１及び第２の実施例による方法で欠陥修正を行うことにより、使用に耐え得る露光用マスクを作製することができる。
【００２７】
上記第１及び第２の実施例では、白欠陥の領域と、凹部を形成する領域とを一致させたが、凹部を、白欠陥と転写パターンとの境界よりも転写パターン側に広げてもよい。すなわち、凹部が白欠陥の領域を内包するようにしてもよい。これにより、凹部形成時に位置ずれが生じたとしても、白欠陥の未修正部分が発生することを防止できる。
【００２８】
次に、図４を参照して第３の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。図４（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）に、転写パターンの欠陥部分の平面図を示す。図４（Ｂ）、（Ｄ）、（Ｆ）に、それぞれ図４（Ａ）の一点鎖線Ｂ４−Ｂ４における断面図、図４（Ｃ）の一点鎖線Ｄ４−Ｄ４における断面図、及び図４（Ｅ）の一点鎖線Ｆ４−Ｆ４における断面図を示す。
【００２９】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、パターン原画に基づいて、ガラス基板１の表面上に線状の転写パターン２が形成されている。転写パターン２に、その一方の縁から他方の縁まで達する白欠陥２０が発生している。
【００３０】
図４（Ｃ）及び（Ｄ）に示すように、パターン原画の縁のうち白欠陥２０に対応する部分に沿って、凹部２１ａ及び２１ｂを形成する。凹部２１ａ及び２１ｂは、パターン原画の縁よりも内側に配置され、その縁の一部がパターン原画の縁に一致する。白欠陥２０の中央部分には凹部が形成されていない。
【００３１】
図４（Ｅ）及び（Ｆ）に示すように、凹部２１ａ、２１ｂの底面を含む白欠陥２０の領域内に修正膜２５を堆積させる。転写パターン２の形成されていない領域（透過領域）と白欠陥２０との境界には、凹部２１ａ及び２１ｂが配置されている。このため、透過領域内にはハロが発生しない。
【００３２】
転写パターン２と白欠陥２０との境界には、凹部の配置されていない部分がある。従って、凹部の配置されていない境界に接する転写パターン２の領域にハロ２６が発生する。ところが、転写パターン２は本来遮光領域であるため、転写パターン２の内部にハロ２６が発生しても、露光上の問題はない。
【００３３】
第４の実施例のように、白欠陥全域に凹部を形成するのではなく、白欠陥のうちパターン原画の縁に対応する部分にのみ凹部を形成してもよい。凹部を形成する領域の面積が小さくなるため、凹部形成時間の短縮を図ることが可能になる。白欠陥が大きい場合に、この方法が特に有効である。
【００３４】
通常、ハロの張り出す長さは０．３〜０．７μｍ程度であるため、凹部２１ａ及び２１ｂの幅を０．７μｍ以上にすることが好ましい。
次に、図５を参照して第４の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。
【００３５】
図５（Ａ）に示すように、パターン原画に基づいて作製された線状の転写パターン２が形成されている。転写パターン２を断線させる白欠陥３０が発生している。
【００３６】
図５（Ｂ）に示すように白欠陥３０とほぼ一致する領域に凹部３１を形成する。凹部３１の縁の一部が、パターン原画の縁のうち白欠陥３０に対応する部分に一致する。
【００３７】
図５（Ｃ）に示すように、凹部３１の底面の一部の領域上に修正膜３２が形成されている。修正膜３２は、凹部３１の縁よりも後退しており、凹部３１の縁の近傍領域には修正膜３２が配置されていない。
【００３８】
凹部３１の縁の段差によって、マスクを透過する露光光の位相ずれが生ずるため、段差に対応する部分のコントラストが向上する。このため、凹部３１の底面の縁近傍に修正膜３２の配置されない領域があっても、転写のための十分なコントラストを確保することができる。
【００３９】
修正膜３２を凹部３１の底面の全領域に形成しようとすると、両者の相対的な位置がわずかにずれたときに、凹部３１の形成されていない領域に修正膜３２がはみ出してしまう。このはみ出し部分に起因してハロが発生してしまう場合がある。第４の実施例のように、修正膜３２の縁を凹部３１の縁よりも後退させると、両者の相対的な位置がわずかにずれた場合であっても、修正膜３２を凹部３１内に配置することができる。
【００４０】
凹部３１の縁からの修正膜３２の縁の後退量の最大値は、露光光の波長や凹部３１の縁の段差の高さ等に依存する。例えば、露光光の波長が２４８ｎｍ、段差の高さが２５０ｎｍの場合、最大０．２μｍまで後退させることができる。例えば、設計上の後退量を０．１μｍにしておくと、修正膜の位置が、凹部３１の縁に近づく方向及び縁から遠ざかる方向のいずれの方向に０．１μｍだけずれても、十分使用可能な露光用マスクを得ることができる。
【００４１】
修正膜３２が、白欠陥３０と転写パターン２との境界から転写パターン２内にはみ出しても、露光上の問題は生じない。このため、凹部３１の縁のうちパターン原画の縁に対応する部分についてのみ、修正膜３２を凹部３１の縁から後退させてもよい。
【００４２】
次に、図６を参照して第５の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法について説明する。上記第１〜第４の実施例では、転写パターンが露光光をほぼ１００％遮光する材料で形成されている露光用マスクの欠陥修正を行った。以下に説明する第５の実施例では、減衰型位相シフトマスク（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｐｈａｓｅ Ｓｈｉｆｔ Ｍａｓｋ）等のように、転写パターンが、露光光を例えば６％程度透過させるような露光用マスクの欠陥修正を行う。
【００４３】
図６（Ａ）に示すように、透過領域内に、例えば６％程度の透過率を有する線状の転写パターン４０が形成されている。転写パターン４０は、転写パターン４０を通過した露光光の位相が、透明領域を通過した露光光の位相と異なるように、例えば１８０°異なるように露光光の位相を調節する。転写パターン４０を断線させる白欠陥４１が発生している。
【００４４】
図６（Ｂ）に示すように、白欠陥４１の発生している領域に凹部４２を形成する。凹部４２は、パターン原画の縁に相当する線よりも外側に（透明領域側に）はみ出している。図６（Ｃ）に示すように、凹部４２の底面上に修正膜４３を堆積させる。
【００４５】
転写パターン４０が露光光の一部を透過させるのに対し、遮光膜４３は露光光をほぼ１００％遮光する。このため、遮光膜の形状をパターン原画の形状に一致させると、白欠陥が発生していない場合と同等の露光状態が実現されない。第５の実施例のように、凹部４２及び遮光膜４３をパターン原画の縁から透明領域側にはみ出させることにより、白欠陥が発生していない場合と同等の転写を行うことが可能になる。
【００４６】
凹部４２及び修正膜４３のはみ出し量は、実際に転写されるレジストパターンの形状が所望の形状に近づくように設定される。好適なはみ出し量は、露光光の波長や転写パターン４０の透過率等に依存する。例えば、露光光の波長が２４８ｎｍであり、転写パターン４０の透過率が６％である場合に、はみ出し量を５０〜１００ｎｍ程度にすればよいであろう。
【００４７】
図７に、上記実施例による方法で欠陥の修正を行った露光用マスク（レチクル）を用いた露光装置（ステッパ）の概略図を示す。
ウエハステージ５０の上に、感光性レジスト膜が形成されたウエハ５１が保持されている。ウエハステージ５０の上方に縮小投影レンズ５９が配置され、その上方に、露光用マスク（レチクル）５７が、マスクステージ５８により保持されている。光源５５から出射された露光光が、コンデンサレンズ５６により収束され、露光用マスク５７に入射する。露光用マスク５７を透過した露光光が、縮小投影レンズ５９により収束され、露光用マスク５７に形成された転写パターンがウエハ５１の表面に投影される。これにより、露光用マスク５７に形成された転写パターンが、ウエハ５１の表面上に形成されたレジスト膜に転写される。ウエハステージ５０を移動させることにより、ウエハ５１上のレジスト膜の全面が露光される。
【００４８】
レジスト膜の露光後、現像処理を行うことにより、レジストパターンを形成する。レジストパターンをマスクとして、ウエハのエッチングやイオン注入等の処理を行う。上記実施例による欠陥修正方法で欠陥を修正した露光用マスクを用いることにより、所望のパターンを転写することができる。
【００４９】
図７には、縮小投影露光用の露光装置を示したが、上記実施例による露光用マスクの欠陥修正方法は、近接露光に用いられるマスクにも適用することができる。
【００５０】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００５１】
上記実施例から、以下の付記に示された発明が導出される。
（付記１） 基板と、
転写すべきパターンの原画に基づいて、前記基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンと、
前記基板に設けられ、少なくとも一部が前記転写パターンの白欠陥と重なる凹部と、
前記凹部の底面の少なくとも一部の領域上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された修正膜と
を有する露光用マスク。
【００５２】
（付記２） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部の縁の一部が、前記原画の縁のうち該白欠陥の掛かっている部分に重なる付記１に記載の露光用マスク。
【００５３】
（付記３） 前記凹部の縁のうち前記原画の縁に対応する部分において、前記修正膜の縁が前記凹部の縁よりも後退している付記２に記載の露光用マスク。
（付記４） 前記凹部が、前記白欠陥の領域に一致するか、または前記白欠陥の領域を内包する付記１に記載の露光用マスク。
【００５４】
（付記５） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部が、前記白欠陥のうち前記原画の縁に相当する部分に沿って配置されている付記１に記載の露光用マスク。
【００５５】
（付記６） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、
前記転写パターンが、露光光を減衰させ、かつ該転写パターンを通過した露光光の位相が、該転写パターンの形成されていない領域を通過した露光光の位相と異なるように、露光光の位相を調節し、
前記凹部が、前記原画の縁に相当する線よりも外側にはみ出している付記１に記載の露光用マスク。
【００５６】
（付記７） 前記凹部の深さに比べて、前記修正膜の厚さの方が薄い付記１〜６のいずれかに記載の露光用マスク。
（付記８） 転写すべきパターンの原画に基づいて、基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンを有する露光用マスクの基板に、少なくとも一部が該白欠陥と重なるように凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面上に、露光光を遮光する材料からなる修正膜を形成する工程とを有する露光用マスクの欠陥修正方法。
【００５７】
（付記９） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部の縁の一部が前記原画の縁のうち該白欠陥の掛かっている部分と一致するように前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００５８】
（付記１０） 前記凹部の縁のうち前記原画の縁に対応する部分において、前記修正膜の縁が前記凹部の縁よりも後退するように前記修正膜を形成する付記９に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００５９】
（付記１１） 前記凹部が、前記白欠陥の領域に一致するか、または前記白欠陥の領域を内包するように前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００６０】
（付記１２） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記白欠陥のうち前記原画の縁に対応する部分に沿って前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００６１】
（付記１３） 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、
前記転写パターンが、露光光を減衰させ、かつ該転写パターンを通過した露光光の位相が、該転写パターンの形成されていない領域を通過した露光光の位相と異なるように、露光光の位相を調節し、
前記凹部が、前記原画の縁に相当する線よりも外側にはみ出すように前記凹部を形成する付記８に記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
【００６２】
（付記１４） 前記凹部の深さよりも、前記修正膜を薄く形成する付記８〜１３のいずれかに記載の露光用マスクの欠陥修正方法。
（付記１５） 半導体ウエハの表面上に感光性レジスト膜を形成する工程と、付記１〜７のいずれかに記載の露光用マスクを通して前記感光性レジスト膜を露光し、該露光用マスクに形成されている転写パターンを転写する工程と、
前記感光性レジスト膜を現像する工程と、
前記現像工程で残された感光性レジスト膜をマスクとして用い、前記半導体ウエハに選択的に処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【００６３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光用マスクの白欠陥部分に凹部を形成し、その底面に修正膜を堆積させることにより、修正膜形成時のハロの発生を抑制することができる。これにより、所望のパターンを転写することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【図２】第２の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【図３】（Ａ）は、第２の実施例による方法で欠陥修正を行った露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図、（Ｂ）は、それを転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図、（Ｃ）は、従来の方法で欠陥修正を行った露光用マスクの修正部分の顕微鏡写真をスケッチした図、（Ｄ）は、それを転写したレジストパターンの顕微鏡写真をスケッチした図である。
【図４】第３の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【図５】第４の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図である。
【図６】第５の実施例による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図である。
【図７】第１〜第５の実施例による方法で欠陥修正を行った露光用マスクを用いて露光を行う露光装置の概略図である。
【図８】従来の方法による露光用マスクの欠陥修正方法を説明するための転写パターンの欠陥部分の平面図及び断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板
２、４０ 転写パターン
３、１０、２０、３０、４１ 白欠陥
５、１２，２１ａ、２１ｂ、３１、４２ 凹部
７、１５、２５、３２、４３ 修正膜
１６ ハロ
５０ ウエハステージ
５１ ウエハ
５５ 光源
５６ コンデンサレンズ
５７ 露光用マスク
５８ マスクステージ
５９ 縮小投影レンズ
Claims (5)
- 基板と、
転写すべきパターンの原画に基づいて、前記基板の表面上に形成され、少なくとも１箇所に白欠陥が存在する転写パターンと、
前記基板に設けられ、少なくとも一部が前記転写パターンの白欠陥と重なる凹部と、
前記凹部の底面の少なくとも一部の領域上に配置され、露光光を遮光する材料で形成された修正膜と
を有する露光用マスク。 - 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、前記凹部の縁の一部が、前記原画の縁のうち該白欠陥の掛かっている部分に重なる請求項１に記載の露光用マスク。
- 前記凹部の縁のうち前記原画の縁に対応する部分において、前記修正膜の縁が前記凹部の縁よりも後退している請求項２に記載の露光用マスク。
- 前記白欠陥が前記原画の縁に掛かり、
前記転写パターンが、露光光を減衰させ、かつ該転写パターンを通過した露光光の位相が、該転写パターンの形成されていない領域を通過した露光光の位相と異なるように、露光光の位相を調節し、
前記凹部が、前記原画の縁に相当する線よりも外側にはみ出している請求項１に記載の露光用マスク。 - 半導体ウエハの表面上に感光性レジスト膜を形成する工程と、
請求項１〜４のいずれかに記載の露光用マスクを通して前記感光性レジスト膜を露光し、該露光用マスクに形成されている転写パターンを転写する工程と、
前記感光性レジスト膜を現像する工程と、
前記現像工程で残された感光性レジスト膜をマスクとして用い、前記半導体ウエハに選択的に処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002322860A JP2004157324A (ja) | 2002-11-06 | 2002-11-06 | 露光用マスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002322860A JP2004157324A (ja) | 2002-11-06 | 2002-11-06 | 露光用マスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004157324A true JP2004157324A (ja) | 2004-06-03 |
Family
ID=32802928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002322860A Withdrawn JP2004157324A (ja) | 2002-11-06 | 2002-11-06 | 露光用マスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004157324A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114496771A (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-13 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
-
2002
- 2002-11-06 JP JP2002322860A patent/JP2004157324A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114496771A (zh) * | 2020-11-11 | 2022-05-13 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
| CN114496771B (zh) * | 2020-11-11 | 2024-05-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4442962B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| KR101444463B1 (ko) | 그레이톤 마스크의 결함 수정 방법, 그레이톤 마스크의제조 방법 및 그레이톤 마스크와 패턴 전사 방법 | |
| JP2009014934A (ja) | グレートーンマスクの欠陥修正方法、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法 | |
| US6869735B2 (en) | Method of pattern layout of a photomask for pattern transfer | |
| CN110780534A (zh) | 光掩模、其修正方法、制造方法、显示装置用器件的制造方法 | |
| JP4446395B2 (ja) | グレートーンマスクの欠陥修正方法、及びグレートーンマスク | |
| US7771900B2 (en) | Manufacturing method for photo mask | |
| JP2004157324A (ja) | 露光用マスク及び半導体装置の製造方法 | |
| KR100363090B1 (ko) | 개구부용 포토마스크의 불투명 결함 수리 방법 | |
| JP3050158B2 (ja) | マスクの修正方法 | |
| US7955760B2 (en) | Method of correcting defect in photomask | |
| JP2005025230A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| KR100230389B1 (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| JPH07295204A (ja) | 位相シフトマスクの修正方法 | |
| JP4122563B2 (ja) | フォトマスクの回路パターン部の修正方法 | |
| KR100818705B1 (ko) | 칩 영역의 둘레의 프레임 영역에 치밀한 콘택홀 패턴 형성영역을 갖는 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP2003121991A (ja) | フォトマスクの白欠陥修正方法 | |
| JP2010087333A (ja) | フォトマスク、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
| JP3737193B2 (ja) | パターン修正方法 | |
| JP2000277427A (ja) | デバイス製造方法 | |
| KR20040069768A (ko) | 정전기 방지구조를 갖는 반도체 제조용 마스크와 마스크제조방법 | |
| KR20000067541A (ko) | 포토마스크의 결함 수정방법 | |
| JP2003121992A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの白欠陥修正方法 | |
| KR20080089757A (ko) | 포토마스크의 핀홀 제거방법 | |
| KR20040059720A (ko) | 포토마스크의 리페어 식각 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |