JP2004145024A - Tft array substrate, semi-transmissive or reflective liquid crystal display using the same, and method of manufacturing tft array substrate - Google Patents

Tft array substrate, semi-transmissive or reflective liquid crystal display using the same, and method of manufacturing tft array substrate Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent stripping of an organic planarizing film and to secure the connection strength of a terminal part even when peeling of a film carrier and repair of the film carrier and the like of a liquid crystal display panel are performed in a reflective or a semi-transmissive liquid crystal display wherein the angle of a reflection plane is controlled by the organically planarized film. <P>SOLUTION: In the liquid crystal display, an organically planarized film removed parts 15a where the organically planarized film is removed over a peripheral edge part 16 to an image display part 12 side of a substrate in a part where the terminal area 14 and film carrier 13 of a TFT array substrate overlap each other. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）アレイ基板およびこれを用いた反射型または半透過型液晶表示装置並びにＴＦＴアレイ基板の製造方法に係り、更に詳しくは、有機平坦化膜を積層し、反射面の角度を制御している反射型または半透過型液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
ＰＤＡと呼ばれる携帯情報端末や、携帯電話などの携帯通信端末に用いられる表示装置には、薄型、軽量、低消費電力であることが求められるとともに、様々な環境下で高い視認性を有することが求められている。この様な携帯端末の表示装置には、薄型、軽量、低消費電力という特長を有する液晶表示装置が広く普及している。
【０００３】
液晶表示装置の場合、ＣＲＴ、ＰＤＰ等とは異なり、画像情報を出力する液晶表示パネル自身は発光していない。このため、液晶表示装置は大きく分けて、バックライトと呼ばれる光源からの光を透過させる透過型と、反射膜により外来光を反射させる反射型とに分類される。
【０００４】
反射型は、明るい場所では視認性が高いが、暗い場所では視認性が著しく低下する。一方、透過型の場合、明るい場所では視認性が低下し、また、液晶表示装置全体に占めるバックライトの消費電流の割合が大きいため、反射型に比べて消費電流が大きくなるという問題があった。
【０００５】
このため、表示領域の一部を透過表示領域とするとともに、他の一部を反射表示領域とし、透過表示領域ではバックライトからの光を透過させ、反射表示領域では外来光を反射させる半透過型の液晶表示装置が知られている。透過型および反射型の特徴を併せ持つこの様な液晶表示装置は、様々な環境下で高い視認性を確保することができる点で優れている。
【０００６】
一般に、液晶表示パネルは、ガラスなどからなる透明絶縁性基板上に多数のＴＦＴがマトリクス状に形成されたＴＦＴアレイ基板と、透明絶縁性基板上に透明電極が形成された対向電極基板とを貼り合わせるとともに、ＴＦＴアレイ基板、対向電極基板間に液晶を封入して構成され、液晶表示装置は、封入された液晶の配向を制御することによって画像表示を行っている。
【０００７】
従来の反射型の液晶表示装置においては、無アルカリガラスを用いた反射基板（透明絶縁性基板）上の一部にＴＦＴを形成し、ＴＦＴの上面とＴＦＴが形成されない反射基板の上面に無機の層間絶縁膜を形成している。また、層間絶縁膜の上部全面に曲面形状を有する有機の層間絶縁膜（有機平坦化膜）を形成し、有機の層間絶縁膜上に光学的に反射率の高い反射電極（反射膜）を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−８９２１７号公報　（第５頁、第１図）
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
有機平坦化膜を積層し、反射面の角度を制御している従来の半透過型または反射型の液晶表示パネルにおいては、有機平坦化膜の積層範囲は、ゲート配線およびソース配線からの引き出し配線と外部接続を取るためにコンタクトホールを形成したゲート端子領域およびソース端子領域、並びにＴＦＴのドレイン電極と画素電極との接続を取るためのコンタクト領域を除いて、透明絶縁性基板の全面、すなわち基板周縁部まで積層されていた。
【００１０】
これにより、例えば、液晶表示パネルと制御基板との接続をＦＰＣ等のフィルムキャリアとＡＣＦ等を介して接続する場合に、この接続の信頼性評価の１つに、ゲートまたはソース端子部からＦＰＣを引き剥がし密着力の測定するという評価方法がある。また、液晶表示パネルのリペアを行う場合に、ゲートまたはソース端子部からＦＰＣ等のフィルムキャリアを引き剥がし、端子部に残留したＡＣＦ等を除去し、新たなフィルムキャリアを接続しリペアを行うのであるが、この引き剥がしの際に基板周縁部から有機平坦化膜と層間絶縁膜との間に剥離がおきるため、端子部が十分な接続強度を得ることが出来ないという問題点があった。
【００１１】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、液晶表示パネルと制御基板との接続をＦＰＣ等のフィルムキャリアとＡＣＦ等を介して接続する場合に、外部と接続するＦＰＣ等の引き剥がし、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアを行った場合にも、有機平坦化膜の剥離を防ぎ、端子部の接続強度を確保することを目的とするものである。
また、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアをスムースかつ確実に行うことでき、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるＴＦＴアレイ基板においては、絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、この半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されているものである。
【００１３】
また、透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、透明絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、第１の有機平坦化膜と、第１の有機平坦化膜上に形成された第２の有機平坦化膜からなり、第２の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されているものである。
【００１４】
また、第１の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されているものである。
【００１５】
また、画素電極が透明画素電極であり、反射膜が１画素内において透過表示領域を除く、有機平坦化膜または透明画素電極上に形成されているものである。
【００１６】
また、画素電極が反射膜であるものである。
【００１７】
さらに、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけて少なくとも５０μｍの領域で除去されているものである。
【００１８】
また、有機平坦化膜は、基板周縁部から画像表示部側にかけてフィルムキャリアが形成される部分を含む領域で除去されているものである。
【００１９】
また、有機平坦化膜は、フィルムキャリアと端子領域との重なり部分のうち、基板周縁部から画像表示部側にかけて除去されているものである。
【００２０】
この発明に係る半透過型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間隙に液晶が配置されているものである。
【００２１】
この発明に係る反射型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向基板との間隙に液晶が挟持されているものである。
【００２２】
この発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法においては、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、絶縁性基板表面にまで貫通する透過表示領域、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、透過表示領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、透明導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で透明導電性薄膜をパターニングして、少なくとも透過表示領域に透明画素電極を形成する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、一画素内における透過表示領域以外に反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むものである。
【００２３】
また、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むものである。
【００２４】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。図２は、本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図３は、図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＩＩ−ＩＩＩからみた断面図である。図４は、図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＶ−ＩＶからみた断面図である。図１、図２、図３および図４において、１はガラスなどからなる透明絶縁性基板、２は透明絶縁性基板１上に複数本形成されたゲート配線で、一部がゲート電極２ａおよび第１の表示引き出し配線２ｂとなる。３はゲート配線２とゲート絶縁膜４を介して交差するソース配線で、一部がソース電極３ａおよび第２の表示引き出し配線３ｂとなる。５は半導体層で、ゲート電極２ａ上にゲート絶縁膜４を介して設けられ、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃに接続されている。６は層間絶縁膜、７は有機平坦化膜で、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成されている。８は透明画素電極で、有機平坦化膜７上に設けられ、有機平坦化膜７に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極３ｃに接続されている。９は反射膜で、１画素内において透過表示領域１０を除く有機平坦化膜７または透明画素電極８上に形成されている。
【００２５】
１１ａ、１１ｂは端子で、有機平坦化膜７上に設けられ、有機平坦化膜７に形成されたコンタクトホールによりゲート配線２またはソース配線３と電気的にそれぞれ接続されている。なお、端子１１ａはゲート配線２に接続されたゲート端子である。一方、端子１１ｂはソース配線３に接続されたソース端子で、透明画素電極８および反射層９からなる。１２は画像表示部、１３はフィルムキャリアで、外部端子をＡＣＦ等によってゲート端子１１ａ、ソース端子１１ｂに接続している。１４は端子領域で、画像表示部１２周辺でゲート端子１１ａ、ソース端子１１ｂを配列し、各端子１１ａ，１１ｂとフィルムキャリア１３の外部端子との接続が行われる領域である。
【００２６】
１４ａはゲート端子領域で、第１の引き出し配線２ｂと透明画素電極８とを接続するコンタクホールが形成された領域である。１４ｂはソース端子領域で、第２の引き出し配線３ｂと透明画素電極８とを接続するコンタクホールが形成された領域である。１５ａは有機平坦化膜除去部で、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分のうち、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて有機平坦化膜を除去した部分である。１７はコンタクト領域で、透明画素電極８とドレイン電極３ｃとを接続するコンタタクトホールが形成された領域である。
【００２７】
つぎに、この実施の形態１におけるＴＦＴアレイ基板の製造工程を説明する。透明絶縁性基板１は、ＴＦＴ、透過型画素電極および反射型画素電極が形成されるガラス、プラスチック等からなる光透過性の絶縁性基板である。この透明絶縁性基板１上にスパッタ法等を用いて、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｔｉ等からなる導電性膜を形成した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いて導電性膜を所定形状にパターニングすることにより、ゲート配線２、ゲート配線２の一部である第１の表示引き出し配線２ｂおよびゲート電極２ａが形成される。
【００２８】
次に、プラズマＣＶＤ法等を用いて、ゲート絶縁膜４としてのシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜、半導体層５としてのアモルファスシリコン膜、不純物がドープされた低抵抗アモルファスシリコン膜を順に成膜した後、フォトリソグラフィ法により形成したレジストを用いて、アモルファスシリコン膜および低抵抗アモルファスシリコン膜をパターニングし、島状に半導体層５および図示しないオーミックコンタクト層が形成される。
【００２９】
次に、スパッタ法等によりＡｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｔａ，Ｔｉ等からなる導電性膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、ソース配線３、ソース配線３の一部である第２の表示引き出し配線３ｂ、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃを形成するとともに、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃに覆われていないオーミックコンタクト層をエッチングして、ＴＦＴが形成される。
【００３０】
その後、プラズマＣＶＤ法等により層間絶縁膜６（パッシベーション膜）としてのシリコン窒化膜を形成した後、有機平坦化膜７が形成される。有機平坦化膜７は、透明絶縁性基板１上に感光性を有するアクリル系樹脂等からなるポジ型の感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理、焼成処理を順に行って形成される絶縁性膜である。
【００３１】
有機平坦化膜７が、ＴＦＴ、電極配線（ゲート配線２、ソース配線３等）によって生じた透明絶縁性基板１上の段差を吸収することにより、透明絶縁性基板１の表面を平坦化させることができる。一方、反射表示領域における有機平坦化膜７の表面には凹凸を形成し、有機平坦化膜７上に形成される反射膜９に凹凸を設けることにより、反射表示領域において外来光を散乱させている。
【００３２】
また、図１に示すように透過表示領域１０およびコンタクト領域１７において有機平坦化膜７を貫通させコンタクトホールを形成している。これらのコンタクトホールを介して、バックライトからの光を透過させ、あるいは、有機平坦化膜７上に形成される透明画素電極８および反射膜９をドレイン電極３ｃに導通させている。
【００３３】
また、図２、図３および図４に示すように、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂにおいて有機平坦化膜７を貫通させ、これらのコンタクトホールを形成している。このコンタクトホールを介して、有機平坦化膜７上に形成される透明画素電極８および反射膜９を第１の表示引き出し配線２ｂおよび第２の表示引き出し配線３ｂに導通させている。
【００３４】
さらに、画像表示部１２外の端子領域１４では、端子領域１４における有機平坦化膜除去部１５ａで、有機平坦化膜７を除去している。
なお、本願発明者は、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて少なくとも５０μｍの領域で有機平坦化膜７を除去しておくことにより、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離がないことを、実験から明らかにした。
【００３５】
次に、ドライエッチングにより、コンタクト領域１７の層間絶縁膜６を除去してドレイン電極３ｃを露出させ、コンタクトホールを形成する。このとき、有機平坦化膜７がマスクとして用いられ、コンタクト領域１７の層間絶縁膜６をエッチングする際、透過表示領域１０の層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜４も同時にエッチングされる。このため、透過表示領域１０は、透明絶縁性基板１のみからなる光透過の可能な領域となる。また、有機平坦化膜７がマスクとして用いられ、ゲート端子領域１４ａの層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜４も同時にエッチングされる。また、有機平坦化膜７がマスクとして用いられ、ソース端子領域１４ｂの層間絶縁膜６も同時にエッチングされる。さらに、有機平坦化膜除去部１５ａの層間絶縁膜６およびゲート絶縁膜４も同時にエッチングされる。
【００３６】
その後、透過表示領域１０、コンタクト領域１７、ゲート端子領域１４ａ、ソース端子領域１４ｂおよび有機平坦化膜７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する透明導電性膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、透明画素電極８が形成される。透明画素電極８は、コンタクト領域１７においてドレイン電極３ｃと導通し、透過表示領域１０では画素電極として機能するとともに、反射表示領域において透明画素電極８上に形成される反射膜９とも導通される。
【００３７】
最後に、有機平坦化膜７上、コンタクト領域１７内、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内にＡｌ等の高反射率の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、反射膜９が形成される。反射膜９は、透明画素電極８を介してドレイン電極３ｃに導通し、反射表示領域の画素電極として機能する。また、反射膜９はゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂにおいて透明画素電極８を介して第１の表示引き出し配線２ｂおよび第２の表示引き出し配線３ｂに導通し、ＦＰＣ等のフィルムキャリア１３の外部端子との接続端子となる。
【００３８】
ＴＦＴは、ゲート電極２ａ、ゲート絶縁膜４、半導体層５、ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃからなる。また、反射表示領域には画素電極としての反射膜９が形成され、透過表示領域には画素電極としての透明画素電極８が形成されている。これらの画素電極はいずれもドレイン電極３ｃに電気的に接続されている。
【００３９】
ゲート電極２ａは、透明絶縁性基板１上に形成され、ゲート配線２に電気的に接続されている。ゲート絶縁膜４は、ゲート電極２ａ上を含み、透過表示領域１０およびゲート端子領域１４ａ内を除く透明絶縁性基板１上に形成される。半導体層５はＴＦＴのチャネル層であり、ゲート絶縁膜４を介してゲート電極２ａ上に形成される。
【００４０】
ソース電極３ａおよびドレイン電極３ｃはともに図示しないオーミックコンタクト層を介して半導体層５上に形成され、ソース電極３ａはソース配線２に電気的に接続され、ドレイン電極３ｃは透明画素電極８に接続される。また、ＴＦＴ上には層間絶縁膜６が形成されており、この層間絶縁膜６は、透明絶縁性基板１上の透過表示領域１０、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内を除く領域に形成されている。
【００４１】
有機平坦化膜７は、有機平坦化膜除去部１５ａ、コンタクトホールが設けられた透過表示領域１０、コンタクト領域１７、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内を除く領域に形成され、透明絶縁性基板１上の凹凸を平坦化するとともに、外来光を乱反射するためのより細かな凹凸が形成されている。
【００４２】
透明画素電極８は、少なくとも透過表示領域１０に形成される。この透明画素電極８はドレイン電極３ｃと導通させることにより、透過型表示装置における画素電極として機能する。反射膜９は、透過表示領域１０を除く表示領域内であって、少なくとも透明画素電極８および有機平坦化膜７上に形成される。この反射膜９はドレイン電極３ｃと導通されることにより、反射型表示装置における画素電極（反射電極）として機能する。つまり、反射膜９が形成された領域が反射表示領域となる。
【００４３】
以上の工程により、反射型液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板を作製する。
また、ＴＦＴアレイ基板と、他の絶縁性基板上に透明電極とカラーフィルタ等が形成された対向電極基板とを対向配置して、液晶をシール材および封止材により挟持することで液晶表示パネルを作製する。
また、ゲート端子１１ａおよびソート端子１１ｂに、図示しない制御回路との接続をＦＰＣ等のフィルムキャリア１３と図示しないＡＣＦ等を介して接続され、バックライトユニットを備えることで半透過型液晶表示装置を完成する。
【００４４】
なお、この実施の形態１では、図２に示すように、ゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂがＴＦＴアレイ基板の直交する二辺の周縁部に設けられた場合を示したが、この構成に限られるものではなく、例えば、ゲート端子１１ａを形成した辺にゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂを設けることにより、ソース端子１１ｂが形成されていた辺の狭額縁化を図ることが可能である。
【００４５】
また、この実施の形態１では、１層の有機平坦化膜７の表面に凹凸を形成している。しかし、１層の有機平坦化膜７では表面の凹凸の差が大きくなる場合があり、有機平坦化膜７上の反射膜９で有効な外来光の散乱が得られない。この場合、有機平坦化膜を２層で形成することで、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の大きな差を、２層目の有機平坦化膜で緩和できる。従って、反射膜９で有効な外来光の散乱が得ることが可能である。図５は、本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。図６は、本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図である。図７は、本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。図５、図６および図７において、図１〜図４と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。７ａは第１の有機平坦化膜、７ｂは第２の有機平坦化膜で、第１の有機平坦化膜７ａ上に形成され、第１の有機平坦化膜７ａ表面の凹凸の差を緩和する。
【００４６】
２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の製造方法は、前述した１層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の製造方法において以下に示すように第２の有機平坦化膜を形成する工程を追加したものである。前述のようにプラズマＣＶＤ法等により層間絶縁膜６としてのシリコン窒化膜を形成した後に、透明絶縁性基板１上に感光性を有するアクリル系樹脂等からなるポジ型の感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理、焼成処理を順に行って第１の有機平坦化膜７ａを形成する。さらに、感光性を有するアクリル系樹脂等からなるポジ型の感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理、焼成処理を順に行って第２の有機平坦化膜７ｂを形成する製造工程を加える。これにより、２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置を得ることができる。
【００４７】
このように、有機平坦化膜を２層で形成することで、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の大きな差を、２層目の有機平坦化膜で緩和でき、反射膜９で有効な外来光の散乱を得ることが可能である。しかしながら、第１の有機平坦化膜７ａと第２の有機平坦化膜７ｂとは密着性がそれほど高くなく、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、第１の有機平坦化膜７ａから第２の有機平坦化膜７ｂの剥離が生じてしまう。このため、図６および図７に示すように、有機平坦化膜除去部１５ａで第２の有機平坦化膜７ｂを除去することで、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、第１の有機平坦化膜７ａから第２の有機平坦化膜７ｂの剥離が生じない。
なお、ここでは、第２の有機平坦化膜７ｂのみを有機平坦化膜除去部１５ａで除去しているが、第１の有機平坦化膜７ａおよび第２の有機平坦化膜７ｂを有機平坦化膜除去部１５ａで除去しても同様の作用効果を奏する。
【００４８】
また、この実施の形態１では、半透過型の液晶表示装置について説明してきたが、有機平坦化膜を用いる反射型の液晶表示装置においても、同様の作用効果を奏する。図８は、本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図、図９は、本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図、図１０は、本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。図８、図９および図１０において、図１〜図４と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。
【００４９】
反射型液晶表示装置の製造方法を以下に説明する。前述した半透過型の液晶表示装置の製造方法における製造工程である透過表示領域１０、コンタクト領域１７、ゲート端子領域１４ａ、ソース端子領域１４ｂおよび有機平坦化膜７上にＩＴＯ等からなる光透過性を有する導電性膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って透明画素電極８を形成する製造工程を省いている。本製造方法では有機平坦化膜７上、コンタクト領域１７内、ゲート端子領域１４ａおよびソース端子領域１４ｂ内にＡｌ等の高反射率の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によるパターニングを行って、反射膜９を形成することで、反射型液晶表示装置を得ることができる。
なお、前述した半透過型液晶表示装置における透過表示領域１０は、反射型液晶表示装置においては形成しない。
【００５０】
以上のように、この実施の形態１によれば、半透過型液晶表示装置を構成するＴＦＴアレイ基板において、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて有機平坦化膜７を除去する。好ましくは、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて少なくとも５０μｍの領域で有機平坦化膜７を除去しておくことにより、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離をなくすことができ、液晶表示パネルのフィルムキャリア１３等のリペアをスムースかつ確実に行うことできる。このことは液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることができる。また、端子部の接続強度を確保することができる。
【００５１】
発明の実施の形態２．
本実施の形態にかかる半透過型液晶表示装置について図１１から図１３を用いて説明する。図１１は、本発明の実施の形態２による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図１２は、図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩ−ＸＩＩからみた断面図である。図１３は、図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩからみた断面図である。図１１、図１２および図１３において、図１〜図１０と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。１５ｂは有機平坦化膜が除去されている有機平坦化膜除去部で、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分である。
【００５２】
この実施の形態２と実施の形態１との差異は、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分で有機平坦化膜を除去しているところのみであり、後述する有機平坦化膜除去部による作用効果以外は、実施の形態１と同様の作用効果を奏する。
【００５３】
この実施の形態２においては、図１２および図１３に示すように、ゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂである透明画素電極８および反射膜９の下層に、有機平坦化膜７が存在しない。そのため、反射膜９表面と透明絶縁性基板１表面とで実施の形態１に比べて段差が小さい。これにより、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリア１３との密着性を高め、反射膜９または有機平坦化膜７からフィルムキャリア１３が剥離することを防ぎ、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００５４】
発明の実施の形態３．
図１４は、本発明の実施の形態３による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図１４おいて、図１〜１３と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。１５ｃは有機平坦化膜が除去されている有機平坦化膜除去部で、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけての領域で除去されている。
【００５５】
この実施の形態３と実施の形態１および実施の形態２との差異は、フィルムキャリア１３と端子領域１４との重なり部分に関係無く、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜を除去しているところのみである。後述する有機平坦化膜除去部による作用効果以外は、実施の形態１および実施の形態２と同様の作用効果を奏する。
【００５６】
この実施の形態３においては、図１４に示すように、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜７を除去している。これにより、フィルムキャリア１３とＴＦＴアレイ基板との位置ずれが生じた場合においても、フィルムキャリア１３はＴＦＴアレイ基板の基板周縁部１６で有機平坦化膜を除去した有機平坦化膜除去部１５ｃに常に位置することとなる。よって、リペア等のフィルムキャリア１３のＴＦＴアレイ基板からの引き剥がしを行った場合に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離は起こらず、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアをスムースかつ確実に行うことできる。これにより、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることができる。
【００５７】
なお、この実施の形態３におけるＴＦＴアレイ基板においては、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜７を除去しているが、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけて少なくとも５０μｍの領域で有機平坦化膜７を除去しておくことにより、フィルムキャリア１３をＴＦＴアレイ基板から引き剥がす際に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離が生じないので好ましい。
【００５８】
発明の実施の形態４．
図１５は、この実施の形態４による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。図１５おいて、図１〜１４と同じ符号は、同一または相当を示し、その説明を省略する。１５ｄは有機平坦化膜７が除去されている有機平坦化膜除去部で、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけてフィルムキャリア１３が形成される部分を含む領域で除去されている。
【００５９】
この実施の形態４と実施の形態１、実施の形態２および実施の形態３との差異は、基板周縁部１６から画像表示部１２側にかけてフィルムキャリア１３が形成される部分を含む領域で有機平坦化膜７を除去しているところのみである。後述する有機平坦化膜除去部による作用効果以外は、実施の形態１、実施の形態２および３と同様の作用効果を奏する。
【００６０】
この実施の形態４においては、実施の形態２と同様に、ゲート端子１１ａおよびソース端子１１ｂである透明画素電極８および反射膜９の下層に、有機平坦化膜７が存在しないために、反射膜９表面と透明絶縁性基板１表面とで実施の形態１および実施の形態３に比べて段差が小さい。これにより、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリア１３との密着性を高め、反射膜９または有機平坦化膜７からフィルムキャリア１３が剥離することを防ぎ、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００６１】
また、実施の形態３と同様に、基板周縁部１６に沿って有機平坦化膜７を除去している。これにより、フィルムキャリア１３とＴＦＴアレイ基板との位置ずれが生じた場合においても、フィルムキャリア１３はＴＦＴアレイ基板の基板周縁部１６で有機平坦化膜を除去した有機平坦化膜除去部１５ｄに常に位置することとなる。よって、リペア等のフィルムキャリア１３のＴＦＴアレイ基板からの引き剥がしを行った場合に、層間絶縁膜６から有機平坦化膜７の剥離は起こらず、液晶表示パネルのフィルムキャリア等のリペアをスムースかつ確実に行うことできる。従って、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００６２】
この発明は、以上説明したように構成されているので、以下に示すような効果を奏する。
【００６３】
この発明に係るＴＦＴアレイ基板においては、絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、この半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、透明絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６４】
また、透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、半導体層に接続されたソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、透明絶縁性基板上に設けられ、ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりドレイン電極とに接続された画素電極と、有機平坦化膜上に設けられ、有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールによりゲート配線又はソース配線と電気的に接続された端子が透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、有機平坦化膜は、第１の有機平坦化膜と、第１の有機平坦化膜上に形成された第２の有機平坦化膜からなり、第２の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されていることにより、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の差を、２層目の有機平坦化膜で緩和でき、有効な外来光の散乱を得ることが可能である。また、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６５】
また、第１の有機平坦化膜が、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけての領域で除去されていることにより、１層目で生じた有機平坦化膜表面の凹凸の差を、２層目の有機平坦化膜で緩和でき、有効な外来光の散乱を得ることが可能である。また、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６６】
また、画素電極が透明画素電極であり、反射膜が１画素内において透過表示領域を除く、有機平坦化膜または透明画素電極上に形成されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６７】
また、画素電極が反射膜であることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６８】
さらに、有機平坦化膜は、端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけて少なくとも５０μｍの領域で除去されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００６９】
また、有機平坦化膜は、基板周縁部から画像表示部側にかけてフィルムキャリアが形成される部分を含む領域で除去されていることにより、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリアとの密着性を高め、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００７０】
また、有機平坦化膜は、フィルムキャリアと端子領域との重なり部分のうち、基板周縁部から画像表示部側にかけて除去されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。また、ＴＦＴアレイ基板とフィルムキャリアとの密着性を高め、端子部の接続強度を確保することが可能である。
【００７１】
この発明に係る半透過型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間隙に液晶が配置されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、液晶表示装置のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能であり、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることが可能である。
【００７２】
この発明に係る反射型液晶表示装置においては、ＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向基板との間隙に液晶が挟持されていることにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、液晶表示装置のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能であり、液晶表示装置の歩留を向上させ、安価な液晶表示装置を得ることが可能である。
【００７３】
この発明に係るＴＦＴアレイ基板の製造方法においては、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、透明絶縁性基板表面にまで貫通する透過表示領域、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、透過表示領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、透明導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で透明導電性薄膜をパターニングして、少なくとも透過表示領域に透明画素電極を形成する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、一画素内における透過表示領域以外に反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むことにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【００７４】
この発明に係る反射型液晶表示装置においては、絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で半導体層とオーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、ソース電極およびドレイン電極に覆われていないオーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、有機平坦化膜をマスクとして、コンタクト領域の第２の絶縁膜、ゲート端子領域の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜、ソース端子領域の第２の絶縁膜、並びに有機平坦化膜除去部の第１の絶縁膜および第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で金属膜をパターニングして、反射膜を形成する工程と、を少なくとも含むことにより、フィルムキャリアをＴＦＴアレイ基板から引き剥がす場合に、有機平坦化膜の剥離をなくすことができ、ＴＦＴアレイ基板のリペアをスムースかつ確実に行うこと可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【図３】図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＩＩ−ＩＩＩからみた断面図である。
【図４】図２に示す液晶表示パネルの矢視ＩＶ−ＩＶからみた断面図である。
【図５】本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図６】本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図である。
【図７】本発明の２層の有機平坦化膜からなる半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。
【図８】本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ部の断面図である。
【図９】本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のゲート端子部の断面図である。
【図１０】本発明の反射型液晶表示装置の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板のソース端子部の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態２による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【図１２】図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩ−ＸＩＩからみた断面図である。
【図１３】図１１に示す液晶表示パネルの矢視ＸＩＩＩ−ＸＩＩＩからみた断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態３による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【図１５】この実施の形態４による半透過型液晶表示装置の液晶表示パネルの平面図である。
【符号の説明】
１　透明絶縁性基板、２　ゲート配線、２ａ　ゲート電極、
２ｂ　第１の表示引き出し配線、
３　ソース配線、３ａ　ソース電極、３ｂ　第２の表示引き出し配線、
３ｃ　ドレイン電極、
４　ゲート絶縁膜、５　半導体層、６　層間絶縁膜
７　有機平坦化膜、　７ａ　第１の有機平坦化膜、７ｂ　第２の有機平坦化膜、
８　透明画素電極、９　反射膜、１０透過表示領域、
１１ａゲート端子、１１ｂ　ソース端子、１２　画像表示部、
１３　フィルムキャリア、
１４　端子領域、１４ａ　ゲート端子領域、　１４ｂ　ソース端子領域、
１５、１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ　有機平坦化膜除去部、
１６　基板周縁部、１７　コンタクト領域[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thin film transistor (hereinafter, referred to as TFT) array substrate, a reflective or transflective liquid crystal display device using the same, and a method for manufacturing a TFT array substrate. The present invention relates to a reflective or transflective liquid crystal display device that controls the angle of a reflective surface and a method for manufacturing the same.
[0002]
A display device used for a portable information terminal called a PDA or a portable communication terminal such as a cellular phone is required to be thin, light, and low in power consumption, and to have high visibility in various environments. It has been demanded. As a display device of such a mobile terminal, a liquid crystal display device having features such as thinness, light weight, and low power consumption is widely used.
[0003]
In the case of a liquid crystal display device, unlike a CRT, a PDP, or the like, the liquid crystal display panel itself that outputs image information does not emit light. For this reason, the liquid crystal display devices are roughly classified into a transmission type in which light from a light source called a backlight is transmitted and a reflection type in which extraneous light is reflected by a reflection film.
[0004]
In the reflective type, visibility is high in a bright place, but visibility is significantly reduced in a dark place. On the other hand, in the case of the transmissive type, there is a problem that the visibility is reduced in a bright place, and the current consumption of the backlight in the entire liquid crystal display device is large. .
[0005]
Therefore, a part of the display area is a transmissive display area, and the other part is a reflective display area. The transmissive display area transmits light from the backlight, and the reflective display area reflects external light. Liquid crystal display devices of the type are known. Such a liquid crystal display device having both the transmission type and the reflection type features is excellent in that high visibility can be ensured under various environments.
[0006]
In general, a liquid crystal display panel has a TFT array substrate in which a large number of TFTs are formed in a matrix on a transparent insulating substrate made of glass or the like, and a counter electrode substrate in which transparent electrodes are formed on the transparent insulating substrate. At the same time, the liquid crystal is sealed between the TFT array substrate and the counter electrode substrate, and the liquid crystal display device displays an image by controlling the orientation of the sealed liquid crystal.
[0007]
In a conventional reflection type liquid crystal display device, a TFT is formed on a part of a reflection substrate (transparent insulating substrate) using alkali-free glass, and an inorganic material is formed on the upper surface of the TFT and the upper surface of the reflection substrate on which the TFT is not formed. An interlayer insulating film is formed. An organic interlayer insulating film (organic planarization film) having a curved surface is formed on the entire upper surface of the interlayer insulating film, and a reflective electrode (reflection film) having a high optical reflectance is formed on the organic interlayer insulating film. (For example, see Patent Document 1).
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-2000-89217 (page 5, FIG. 1)
[Problems to be solved by the invention]
[0009]
In a conventional transflective or reflective liquid crystal display panel in which an organic flattening film is stacked and the angle of the reflective surface is controlled, the range of stacking of the organic flattening film is determined by the lead wiring from the gate wiring and the source wiring. Except for a gate terminal area and a source terminal area where contact holes are formed for external connection with the TFT and a contact area for connecting the drain electrode of the TFT and the pixel electrode, the entire surface of the transparent insulating substrate, that is, the substrate It was stacked up to the periphery.
[0010]
Thus, for example, when the connection between the liquid crystal display panel and the control board is connected to a film carrier such as an FPC via an ACF or the like, one of the reliability evaluations of this connection is to use the FPC from the gate or source terminal portion. There is an evaluation method of measuring peel adhesion. When the liquid crystal display panel is repaired, a film carrier such as an FPC is peeled off from the gate or source terminal, an ACF or the like remaining in the terminal is removed, and a new film carrier is connected and repaired. However, at the time of the peeling, the peeling occurs between the organic planarizing film and the interlayer insulating film from the peripheral portion of the substrate, so that there is a problem that the terminal portion cannot obtain a sufficient connection strength.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems. When a liquid crystal display panel and a control board are connected to a film carrier such as an FPC via an ACF or the like, an FPC connected to the outside is used. It is an object of the present invention to prevent the organic flattening film from peeling off and secure the connection strength of the terminal portion even when the film carrier of the liquid crystal display panel is repaired by peeling off the film carrier.
It is another object of the present invention to smoothly and reliably repair a film carrier or the like of a liquid crystal display panel, improve the yield of the liquid crystal display device, and obtain an inexpensive liquid crystal display device.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
In the TFT array substrate according to the present invention, a gate wiring provided with a plurality of gate electrodes formed on an insulating substrate, a source wiring provided with a plurality of source electrodes intersecting the gate wiring, A TFT including a semiconductor layer provided with a gate insulating film interposed therebetween, a source electrode and a drain electrode connected to the semiconductor layer, and a TFT provided on an insulating substrate to eliminate a step due to the TFT and to provide an uneven surface; Is formed on the organic planarizing film, the pixel electrode provided on the organic planarizing film, connected to the drain electrode by a contact hole formed in the organic planarizing film, and provided on the organic planarizing film. Terminals electrically connected to the gate wiring or the source wiring by the contact holes formed in the organic planarizing film are arranged around the image display section of the transparent insulating substrate, and each terminal is The TFT array substrate having a terminal region that connection is made between the external terminal, the organic planarization layer are those that are removed in the region of over the image display unit side from the substrate peripheral portion of the terminal region.
[0013]
In addition, a gate wiring provided with a plurality of gate electrodes formed over a transparent insulating substrate, a source wiring provided with a plurality of source electrodes intersecting with the gate wiring, and a gate insulating film provided over the gate electrode are provided. TFT comprising a semiconductor layer provided, a source electrode and a drain electrode connected to the semiconductor layer, and an organic planarization provided on a transparent insulating substrate to eliminate steps caused by the TFT and to form irregularities on the surface. A film, a pixel electrode provided on the organic planarization film, connected to the drain electrode by a contact hole formed in the organic planarization film, and a pixel electrode provided on the organic planarization film, formed on the organic planarization film. The terminals electrically connected to the gate wiring or the source wiring by the contact holes are arranged around the image display section of the transparent insulating substrate, and the terminals are connected to the external terminals. In a TFT array substrate having a region, the organic planarization film includes a first organic planarization film and a second organic planarization film formed on the first organic planarization film, and a second organic planarization film. The flattening film is removed in a region from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side in the terminal region.
[0014]
Further, the first organic planarizing film is removed in a region from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side in the terminal region.
[0015]
Further, the pixel electrode is a transparent pixel electrode, and the reflection film is formed on the organic flattening film or the transparent pixel electrode except for the transmissive display area in one pixel.
[0016]
Further, the pixel electrode is a reflection film.
[0017]
Further, the organic planarizing film is removed in a region of at least 50 μm from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side in the terminal region.
[0018]
In addition, the organic planarizing film is removed in a region including a portion where a film carrier is formed from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side.
[0019]
The organic planarizing film is removed from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side in the overlapping portion between the film carrier and the terminal region.
[0020]
In the transflective liquid crystal display device according to the present invention, the liquid crystal is arranged in a gap between the TFT array substrate and a counter electrode substrate having a transparent electrode.
[0021]
In the reflection type liquid crystal display device according to the present invention, the liquid crystal is interposed between the TFT array substrate and the opposing substrate having the transparent electrode.
[0022]
In the method for manufacturing a TFT array substrate according to the present invention, after forming a first conductive film on an insulating substrate, the first conductive film is patterned by photolithography to form a gate wiring, Forming a first display lead-out line and a gate electrode of a TFT, which are part of the first layer, forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer, and then forming the ohmic contact with the semiconductor layer by photolithography. A step of patterning the contact layer into an island shape, and a step of forming a second conductive film and then patterning the second conductive film by a photolithography method to form a source wiring and a part of a source electrode. 2 and the source and drain electrodes of the TFT, and the ohmic contact not covered by the source and drain electrodes. And after forming a second insulating film, applying a photosensitive organic material, exposing, developing, and baking to form an organic planarizing film and an organic planarizing film in the reflective display region. A transmissive display area, which has irregularities formed on the surface and penetrates to the surface of the insulating substrate, a contact area which penetrates to the surface of the drain electrode, a gate terminal area which penetrates to the surface of the first display lead wiring, and a second display lead A source terminal region penetrating to the wiring surface and an organic flattening film removal portion in the terminal region are formed, and the organic flattening film is used as a mask to form a second insulating film in the contact region and a first insulating film in the transmissive display region. And a second insulating film, a first insulating film and a second insulating film in a gate terminal region, a second insulating film in a source terminal region, and a first insulating film and a second insulating film in an organic planarization film removed portion. A step of etching and removing the insulating film, a step of patterning the transparent conductive thin film by photolithography after forming the transparent conductive film, and a step of forming a transparent pixel electrode at least in a transmissive display region, Patterning the metal film by a photolithography method after forming the film, and forming a reflective film in a region other than the transmissive display region in one pixel.
[0023]
In addition, after forming a first conductive film on an insulating substrate, the first conductive film is patterned by photolithography to form a gate wiring and a first display lead-out wiring which is a part of the gate wiring. Forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer, and then patterning the semiconductor layer and the ohmic contact layer by photolithography in an island shape. After forming the second conductive film, the second conductive film is patterned by photolithography to form a source wiring, a second display lead-out wiring which is a part of the source electrode, a source electrode of the TFT, Forming a drain electrode, etching away an ohmic contact layer not covered with the source electrode and the drain electrode, and forming a second insulating film; After that, a photosensitive organic substance is applied, and an organic flattening film is formed by an exposure process, a developing process, and a baking process, and irregularities are formed on the surface of the organic flattening film in the reflective display region, and penetrate to the drain electrode surface. Forming a contact region, a gate terminal region penetrating to the surface of the first display lead-out wiring, a source terminal region penetrating to the surface of the second display lead-out wiring, and an organic flattening film removing portion in the terminal region; Using the film as a mask, the second insulating film in the contact region, the first insulating film and the second insulating film in the gate terminal region, the second insulating film in the source terminal region, and the first insulating film in the organic planarization film removing portion Etching and removing the insulating film and the second insulating film, and forming a reflective film by patterning the metallic film by photolithography after forming the metallic film. It is intended to include even without.
[0024]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
First Embodiment of the Invention
FIG. 1 is a sectional view of a TFT portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the liquid crystal display panel of the transflective liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. FIG. 4 is a sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 1, 2, 3 and 4, reference numeral 1 denotes a transparent insulating substrate made of glass or the like, 2 denotes a plurality of gate wirings formed on the transparent insulating substrate 1, and a part thereof includes a gate electrode 2 a and a gate electrode 2 a. 1 is the display lead-out wiring 2b. Reference numeral 3 denotes a source wiring which intersects the gate wiring 2 via the gate insulating film 4, and a part thereof becomes a source electrode 3a and a second display lead-out wiring 3b. Reference numeral 5 denotes a semiconductor layer provided on the gate electrode 2a via the gate insulating film 4, and connected to the source electrode 3a and the drain electrode 3c. Reference numeral 6 denotes an interlayer insulating film, and reference numeral 7 denotes an organic flattening film, which eliminates a step caused by the TFT and has an uneven surface. Reference numeral 8 denotes a transparent pixel electrode provided on the organic flattening film 7 and connected to the drain electrode 3c through a contact hole formed in the organic flattening film 7. Reference numeral 9 denotes a reflective film which is formed on the organic planarizing film 7 or the transparent pixel electrode 8 excluding the transmissive display area 10 in one pixel.
[0025]
Terminals 11a and 11b are provided on the organic flattening film 7 and are electrically connected to the gate wiring 2 or the source wiring 3 by contact holes formed in the organic flattening film 7, respectively. The terminal 11a is a gate terminal connected to the gate wiring 2. On the other hand, the terminal 11b is a source terminal connected to the source wiring 3, and is composed of the transparent pixel electrode 8 and the reflection layer 9. Reference numeral 12 denotes an image display unit, 13 denotes a film carrier, and external terminals are connected to the gate terminal 11a and the source terminal 11b by ACF or the like. Reference numeral 14 denotes a terminal area in which gate terminals 11a and source terminals 11b are arranged around the image display section 12, and the terminals 11a and 11b are connected to external terminals of the film carrier 13.
[0026]
Reference numeral 14a denotes a gate terminal area in which a contact hole for connecting the first extraction wiring 2b and the transparent pixel electrode 8 is formed. Reference numeral 14b denotes a source terminal area in which a contact hole for connecting the second extraction wiring 3b and the transparent pixel electrode 8 is formed. Reference numeral 15a denotes an organic flattening film removal portion, which is a portion of the overlapping portion of the film carrier 13 and the terminal region 14 from which the organic flattening film is removed from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side. Reference numeral 17 denotes a contact area, in which a contact hole for connecting the transparent pixel electrode 8 and the drain electrode 3c is formed.
[0027]
Next, a manufacturing process of the TFT array substrate according to the first embodiment will be described. The transparent insulating substrate 1 is a light-transmitting insulating substrate made of glass, plastic, or the like on which TFTs, transmission pixel electrodes, and reflection pixel electrodes are formed. After a conductive film made of Al, Cr, Mo, W, Cu, Ta, Ti, or the like is formed on the transparent insulating substrate 1 by a sputtering method or the like, a conductive film is formed by using a resist formed by a photolithography method. By patterning the conductive film into a predetermined shape, the gate wiring 2, the first display lead-out wiring 2 b which is a part of the gate wiring 2, and the gate electrode 2 a are formed.
[0028]
Next, using a plasma CVD method or the like, a silicon nitride film or a silicon oxide film as the gate insulating film 4, an amorphous silicon film as the semiconductor layer 5, and a low-resistance amorphous silicon film doped with impurities are sequentially formed. The amorphous silicon film and the low-resistance amorphous silicon film are patterned using a resist formed by a photolithography method, so that the semiconductor layer 5 and an ohmic contact layer (not shown) are formed in an island shape.
[0029]
Next, after forming a conductive film made of Al, Cr, Mo, W, Cu, Ta, Ti or the like by a sputtering method or the like, patterning is performed by a photolithography method to form one of the source wiring 3 and the source wiring 3. The second display lead-out line 3b, the source electrode 3a, and the drain electrode 3c, which are the portions, are formed, and the ohmic contact layer that is not covered with the source electrode 3a and the drain electrode 3c is etched to form a TFT.
[0030]
Then, after forming a silicon nitride film as an interlayer insulating film 6 (passivation film) by a plasma CVD method or the like, an organic planarizing film 7 is formed. The organic flattening film 7 is an insulating film formed by applying a positive photosensitive organic material made of a photosensitive acrylic resin or the like on the transparent insulating substrate 1 and sequentially performing an exposure process, a development process, and a baking process. Film.
[0031]
The organic flattening film 7 flattens the surface of the transparent insulating substrate 1 by absorbing a step on the transparent insulating substrate 1 caused by the TFT and the electrode wiring (the gate wiring 2, the source wiring 3, etc.). Can be. On the other hand, irregularities are formed on the surface of the organic flattening film 7 in the reflective display region, and irregularities are formed on the reflective film 9 formed on the organic flattening film 7 to scatter external light in the reflective display region. I have.
[0032]
Further, as shown in FIG. 1, a contact hole is formed in the transmissive display region 10 and the contact region 17 by penetrating the organic flattening film 7. Light from the backlight is transmitted through these contact holes, or the transparent pixel electrode 8 and the reflective film 9 formed on the organic planarizing film 7 are electrically connected to the drain electrode 3c.
[0033]
Further, as shown in FIGS. 2, 3 and 4, the organic planarization film 7 is penetrated in the gate terminal region 14a and the source terminal region 14b to form these contact holes. Through this contact hole, the transparent pixel electrode 8 and the reflective film 9 formed on the organic flattening film 7 are electrically connected to the first display extraction wiring 2b and the second display extraction wiring 3b.
[0034]
Further, in the terminal region 14 outside the image display unit 12, the organic planarization film 7 is removed by the organic planarization film removal unit 15a in the terminal region 14.
The inventor of the present application removes the organic flattening film 7 in a region of at least 50 μm from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side, so that when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate, the interlayer is removed. Experiments have revealed that the organic planarizing film 7 does not peel off from the insulating film 6.
[0035]
Next, the interlayer insulating film 6 in the contact region 17 is removed by dry etching to expose the drain electrode 3c, and a contact hole is formed. At this time, the organic planarizing film 7 is used as a mask, and when the interlayer insulating film 6 in the contact region 17 is etched, the interlayer insulating film 6 and the gate insulating film 4 in the transmissive display region 10 are simultaneously etched. For this reason, the transmissive display area 10 is a light transmissive area including only the transparent insulating substrate 1. Further, the organic planarizing film 7 is used as a mask, and the interlayer insulating film 6 and the gate insulating film 4 in the gate terminal region 14a are simultaneously etched. Further, the interlayer insulating film 6 in the source terminal region 14b is simultaneously etched using the organic planarizing film 7 as a mask. Further, the interlayer insulating film 6 and the gate insulating film 4 of the organic flattening film removing portion 15a are simultaneously etched.
[0036]
After that, a light-transmitting transparent conductive film made of ITO or the like is formed on the transmissive display region 10, the contact region 17, the gate terminal region 14a, the source terminal region 14b, and the organic planarization film 7, and is formed by photolithography. By performing patterning, a transparent pixel electrode 8 is formed. The transparent pixel electrode 8 is electrically connected to the drain electrode 3c in the contact region 17, functions as a pixel electrode in the transmissive display region 10, and is also electrically connected to the reflective film 9 formed on the transparent pixel electrode 8 in the reflective display region.
[0037]
Finally, a metal film of high reflectivity such as Al is formed on the organic planarization film 7, in the contact region 17, the gate terminal region 14a, and the source terminal region 14b, and is patterned by photolithography. A film 9 is formed. The reflective film 9 conducts to the drain electrode 3c via the transparent pixel electrode 8, and functions as a pixel electrode in the reflective display area. Further, the reflection film 9 conducts to the first display lead-out wiring 2b and the second display lead-out wiring 3b via the transparent pixel electrode 8 in the gate terminal region 14a and the source terminal region 14b, and the reflection film 9 is provided outside the film carrier 13 such as FPC. Connects to the terminal.
[0038]
The TFT includes a gate electrode 2a, a gate insulating film 4, a semiconductor layer 5, a source electrode 3a, and a drain electrode 3c. In the reflective display area, a reflective film 9 as a pixel electrode is formed, and in the transmissive display area, a transparent pixel electrode 8 as a pixel electrode is formed. Each of these pixel electrodes is electrically connected to the drain electrode 3c.
[0039]
The gate electrode 2a is formed on the transparent insulating substrate 1 and is electrically connected to the gate wiring 2. The gate insulating film 4 is formed on the transparent insulating substrate 1 including the gate electrode 2a and excluding the inside of the transmissive display region 10 and the gate terminal region 14a. The semiconductor layer 5 is a channel layer of the TFT, and is formed on the gate electrode 2a via the gate insulating film 4.
[0040]
The source electrode 3a and the drain electrode 3c are both formed on the semiconductor layer 5 via an ohmic contact layer (not shown), the source electrode 3a is electrically connected to the source line 2, and the drain electrode 3c is connected to the transparent pixel electrode 8. You. Further, an interlayer insulating film 6 is formed on the TFT, and the interlayer insulating film 6 is formed on the transparent insulating substrate 1 in a region excluding the transmissive display region 10, the gate terminal region 14a, and the source terminal region 14b. Have been.
[0041]
The organic planarizing film 7 is formed in an area excluding the organic planarizing film removing portion 15a, the transmissive display region 10 provided with the contact hole, the contact region 17, the gate terminal region 14a, and the source terminal region 14b. The unevenness on the substrate 1 is flattened, and finer unevenness for irregularly reflecting external light is formed.
[0042]
The transparent pixel electrode 8 is formed at least in the transmissive display area 10. The transparent pixel electrode 8 functions as a pixel electrode in a transmissive display device by being electrically connected to the drain electrode 3c. The reflection film 9 is formed on at least the transparent pixel electrode 8 and the organic planarization film 7 in the display area except the transmission display area 10. The reflection film 9 functions as a pixel electrode (reflection electrode) in the reflection type display device by being electrically connected to the drain electrode 3c. That is, the area where the reflective film 9 is formed is a reflective display area.
[0043]
Through the above steps, a TFT array substrate of the reflection type liquid crystal display device is manufactured.
In addition, a TFT array substrate and a counter electrode substrate on which a transparent electrode and a color filter are formed on another insulating substrate are opposed to each other, and the liquid crystal is sandwiched between a sealing material and a sealing material. Is prepared.
Further, a connection to a control circuit (not shown) is connected to the gate terminal 11a and the sort terminal 11b via a film carrier 13 such as an FPC and an ACF (not shown), and a transflective liquid crystal display device is provided by including a backlight unit. Complete.
[0044]
In the first embodiment, as shown in FIG. 2, a case is shown in which the gate terminal 11a and the source terminal 11b are provided on the peripheral portions of two orthogonal sides of the TFT array substrate, but the present invention is limited to this configuration. However, for example, by providing the gate terminal 11a and the source terminal 11b on the side where the gate terminal 11a is formed, it is possible to narrow the frame on the side where the source terminal 11b is formed.
[0045]
In the first embodiment, the unevenness is formed on the surface of the single-layer organic planarizing film 7. However, there is a case where the difference in the unevenness of the surface becomes large in one organic flattening film 7, and effective scattering of extraneous light cannot be obtained by the reflection film 9 on the organic flattening film 7. In this case, by forming the organic flattening film in two layers, a large difference in unevenness of the surface of the organic flattening film generated in the first layer can be reduced by the second organic flattening film. Therefore, effective scattering of extraneous light can be obtained by the reflection film 9. FIG. 5 is a cross-sectional view of a TFT portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device including a two-layer organic flattening film of the present invention. FIG. 6 is a cross-sectional view of a gate terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device including a two-layer organic flattening film of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view of a source terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device including a two-layer organic flattening film of the present invention. 5, 6, and 7, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 4 denote the same or corresponding elements, and a description thereof will be omitted. Reference numeral 7a denotes a first organic flattening film, and 7b denotes a second organic flattening film. The second organic flattening film is formed on the first organic flattening film 7a. .
[0046]
The method of manufacturing a transflective liquid crystal display device having two organic flattening films is the same as the method of manufacturing a transflective liquid crystal display device having one organic flattening film described above. This is an additional step of forming a flattening film. After forming the silicon nitride film as the interlayer insulating film 6 by the plasma CVD method or the like as described above, a positive photosensitive organic material made of a photosensitive acrylic resin or the like is applied on the transparent insulating substrate 1, An exposure process, a development process, and a baking process are sequentially performed to form a first organic planarization film 7a. Further, a manufacturing process of forming a second organic flattening film 7b by applying a positive photosensitive organic material made of a photosensitive acrylic resin or the like and sequentially performing an exposure process, a development process, and a baking process is added. Thus, a transflective liquid crystal display device including two organic flattening films can be obtained.
[0047]
As described above, by forming the organic flattening film in two layers, a large difference in the unevenness of the surface of the organic flattening film generated in the first layer can be reduced by the second organic flattening film. It is possible to obtain effective scattering of extraneous light. However, the adhesion between the first organic planarization film 7a and the second organic planarization film 7b is not so high, and when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate, the first organic planarization film 7a is removed from the first organic planarization film 7a. Peeling of the second organic planarizing film 7b occurs. Therefore, as shown in FIGS. 6 and 7, by removing the second organic flattening film 7b by the organic flattening film removing portion 15a, the first organic flattening film 7b is removed when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate. Of the second organic planarizing film 7b does not occur from the organic planarizing film 7a.
Here, only the second organic planarization film 7b is removed by the organic planarization film removal part 15a, but the first organic planarization film 7a and the second organic planarization film 7b are organically planarized. The same operation and effect can be obtained even if the film is removed by the film removing section 15a.
[0048]
Although the transflective liquid crystal display device has been described in the first embodiment, a similar effect can be obtained in a reflective liquid crystal display device using an organic flattening film. FIG. 8 is a sectional view of a TFT portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of the reflection type liquid crystal display device of the present invention, and FIG. 9 is a TFT array constituting a liquid crystal display panel of the reflection type liquid crystal display device of the present invention. FIG. 10 is a sectional view of a gate terminal portion of the substrate, and FIG. 10 is a sectional view of a source terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of the reflection type liquid crystal display device of the present invention. 8, 9, and 10, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 4 denote the same or corresponding elements, and a description thereof will be omitted.
[0049]
A method for manufacturing a reflection type liquid crystal display device will be described below. The transmissive display region 10, the contact region 17, the gate terminal region 14a, the source terminal region 14b, and the light transmissivity made of ITO or the like on the organic flattening film 7 are the manufacturing steps in the above-described method of manufacturing the transflective liquid crystal display device. A manufacturing process of forming a transparent pixel electrode 8 by forming a conductive film having a pattern and performing patterning by photolithography is omitted. In this manufacturing method, a high-reflectivity metal film such as Al is formed on the organic planarization film 7, in the contact region 17, the gate terminal region 14a and the source terminal region 14b, and is patterned by photolithography. By forming the reflective film 9, a reflective liquid crystal display device can be obtained.
The transmissive display area 10 in the transflective liquid crystal display device described above is not formed in the reflective liquid crystal display device.
[0050]
As described above, according to the first embodiment, in the TFT array substrate constituting the transflective liquid crystal display device, the organic flattening film 7 is removed from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side. Preferably, the organic planarization film 7 is removed in a region of at least 50 μm from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side, so that when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate, the film carrier 13 is removed from the interlayer insulating film 6. The peeling of the organic flattening film 7 can be eliminated, and the repair of the film carrier 13 and the like of the liquid crystal display panel can be performed smoothly and reliably. This improves the yield of the liquid crystal display device, and can provide an inexpensive liquid crystal display device. Further, the connection strength of the terminal portion can be ensured.
[0051]
Embodiment 2 of the invention
The transflective liquid crystal display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 11 is a plan view of a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device according to Embodiment 2 of the present invention. FIG. 12 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. FIG. 13 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 11 as viewed from arrows XIII-XIII. 11, 12, and 13, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 10 denote the same or corresponding elements, and a description thereof will be omitted. Reference numeral 15b denotes an organic flattening film removed portion from which the organic flattening film has been removed, which is an overlapping portion between the film carrier 13 and the terminal region 14.
[0052]
The only difference between the second embodiment and the first embodiment is that the organic flattening film is removed at the portion where the film carrier 13 and the terminal region 14 overlap. Except for the function and effect, the same function and effect as those of the first embodiment are obtained.
[0053]
In the second embodiment, as shown in FIGS. 12 and 13, the organic planarizing film 7 does not exist under the transparent pixel electrode 8 and the reflective film 9 which are the gate terminal 11a and the source terminal 11b. Therefore, the level difference between the surface of the reflective film 9 and the surface of the transparent insulating substrate 1 is smaller than that in the first embodiment. Thereby, the adhesion between the TFT array substrate and the film carrier 13 is enhanced, the film carrier 13 is prevented from peeling off from the reflection film 9 or the organic planarizing film 7, and the connection strength of the terminal portion can be ensured. .
[0054]
Embodiment 3 of the Invention
FIG. 14 is a plan view of a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device according to Embodiment 3 of the present invention. 14, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 13 indicate the same or corresponding elements, and a description thereof will be omitted. Reference numeral 15c denotes an organic flattening film removal portion from which the organic flattening film has been removed, which is removed in a region from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side.
[0055]
The difference between the third embodiment and the first and second embodiments is that the organic flattening film is removed along the periphery 16 of the substrate regardless of the overlapping portion between the film carrier 13 and the terminal region 14. Only where you are. Except for the function and effect of the organic flattening film removing portion described later, the same function and effect as those of the first and second embodiments are exerted.
[0056]
In the third embodiment, as shown in FIG. 14, the organic planarizing film 7 is removed along the peripheral edge 16 of the substrate. As a result, even when the film carrier 13 and the TFT array substrate are misaligned, the film carrier 13 is always moved to the organic flattening film removing portion 15c where the organic flattening film has been removed at the peripheral portion 16 of the TFT array substrate. Will be located. Therefore, when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate for repair or the like, the organic flattening film 7 is not peeled off from the interlayer insulating film 6, and the repair of the film carrier or the like of the liquid crystal display panel can be performed smoothly and smoothly. It can be done reliably. As a result, the yield of the liquid crystal display device can be improved, and an inexpensive liquid crystal display device can be obtained.
[0057]
In the TFT array substrate according to the third embodiment, the organic flattening film 7 is removed along the peripheral edge portion 16 of the substrate. It is preferable to remove the planarizing film 7 because the organic planarizing film 7 does not peel off from the interlayer insulating film 6 when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate.
[0058]
Embodiment 4 of the Invention
FIG. 15 is a plan view of the liquid crystal display panel of the transflective liquid crystal display device according to the fourth embodiment. 15, the same reference numerals as those in FIGS. 1 to 14 indicate the same or corresponding elements, and a description thereof will be omitted. Reference numeral 15d denotes an organic flattening film removed portion from which the organic flattening film 7 has been removed, which is removed from a region including the portion where the film carrier 13 is formed from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side.
[0059]
The difference between the fourth embodiment and the first, second, and third embodiments is that an organic flat surface is formed in a region including a portion where the film carrier 13 is formed from the substrate peripheral portion 16 to the image display portion 12 side. Only where the oxide film 7 is removed. Except for the function and effect of the organic flattening film removing portion described later, the same function and effect as those of the first, second and third embodiments are obtained.
[0060]
In the fourth embodiment, as in the second embodiment, the organic planarizing film 7 does not exist under the transparent pixel electrode 8 and the reflective film 9 which are the gate terminal 11a and the source terminal 11b. 9 and the surface of the transparent insulating substrate 1 are smaller than those in the first and third embodiments. Thereby, the adhesion between the TFT array substrate and the film carrier 13 is enhanced, the film carrier 13 is prevented from peeling off from the reflection film 9 or the organic planarizing film 7, and the connection strength of the terminal portion can be ensured. .
[0061]
Further, similarly to the third embodiment, the organic planarizing film 7 is removed along the peripheral edge portion 16 of the substrate. As a result, even when the film carrier 13 and the TFT array substrate are misaligned, the film carrier 13 is always moved to the organic flattening film removing portion 15d where the organic flattening film has been removed at the substrate peripheral portion 16 of the TFT array substrate. Will be located. Therefore, when the film carrier 13 is peeled off from the TFT array substrate for repair or the like, the organic flattening film 7 is not peeled off from the interlayer insulating film 6, and the repair of the film carrier or the like of the liquid crystal display panel can be performed smoothly and smoothly. It can be done reliably. Therefore, the yield of the liquid crystal display device can be improved, and an inexpensive liquid crystal display device can be obtained.
【The invention's effect】
[0062]
Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.
[0063]
In the TFT array substrate according to the present invention, a gate wiring provided with a plurality of gate electrodes formed on an insulating substrate, a source wiring provided with a plurality of source electrodes intersecting the gate wiring, A semiconductor layer provided with a gate insulating film interposed therebetween, a TFT including a source electrode and a drain electrode connected to the semiconductor layer, and a TFT provided on a transparent insulating substrate to eliminate steps caused by the TFT, An organic planarization film having irregularities formed thereon, a pixel electrode provided on the organic planarization film, connected to a drain electrode by a contact hole formed in the organic planarization film, and provided on the organic planarization film Terminals electrically connected to the gate wiring or the source wiring by the contact holes formed in the organic planarizing film are arranged around the image display section of the transparent insulating substrate, In a TFT array substrate provided with a terminal region where a connection between a terminal and an external terminal is made, an organic planarizing film is removed in a region from a peripheral portion of the substrate to a side of an image display portion in the terminal region. When the TFT is peeled from the TFT array substrate, the peeling of the organic flattening film can be eliminated, and the repair of the TFT array substrate can be performed smoothly and reliably.
[0064]
In addition, a gate wiring provided with a plurality of gate electrodes formed over a transparent insulating substrate, a source wiring provided with a plurality of source electrodes intersecting with the gate wiring, and a gate insulating film provided over the gate electrode are provided. TFT comprising a semiconductor layer provided, a source electrode and a drain electrode connected to the semiconductor layer, and an organic planarization provided on a transparent insulating substrate to eliminate steps caused by the TFT and to form irregularities on the surface. A film, a pixel electrode provided on the organic planarization film, connected to the drain electrode by a contact hole formed in the organic planarization film, and a pixel electrode provided on the organic planarization film, formed on the organic planarization film. The terminals electrically connected to the gate wiring or the source wiring by the contact holes are arranged around the image display section of the transparent insulating substrate, and the terminals are connected to the external terminals. In a TFT array substrate having a region, the organic planarization film includes a first organic planarization film and a second organic planarization film formed on the first organic planarization film, and a second organic planarization film. Since the flattening film is removed in the terminal region from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side, the difference in unevenness of the surface of the organic flattening film generated in the first layer can be reduced. It is possible to obtain effective scattering of extraneous light which can be alleviated by the oxide film. Further, when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, the peeling of the organic flattening film can be eliminated, and the TFT array substrate can be repaired smoothly and reliably.
[0065]
Further, since the first organic flattening film is removed in a region from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side in the terminal region, the difference in unevenness of the surface of the organic flattening film generated in the first layer is reduced. It can be relaxed by the second organic flattening film, and effective scattering of extraneous light can be obtained. Further, when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, the peeling of the organic flattening film can be eliminated, and the TFT array substrate can be repaired smoothly and reliably.
[0066]
Further, since the pixel electrode is a transparent pixel electrode and the reflection film is formed on the organic flattening film or the transparent pixel electrode except for the transmissive display area in one pixel, the film carrier is peeled off from the TFT array substrate. In this case, the peeling of the organic flattening film can be eliminated, and the repair of the TFT array substrate can be performed smoothly and reliably.
[0067]
In addition, since the pixel electrode is a reflective film, when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, the organic flattening film can be prevented from peeling, and the TFT array substrate can be repaired smoothly and reliably. is there.
[0068]
Further, since the organic planarizing film is removed in a region of at least 50 μm from the periphery of the substrate to the image display portion side in the terminal region, when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, the organic planarizing film is peeled off. Can be eliminated, and the TFT array substrate can be repaired smoothly and reliably.
[0069]
In addition, the organic planarization film is removed from a region including the portion where the film carrier is formed from the peripheral portion of the substrate to the image display portion side, so that the adhesion between the TFT array substrate and the film carrier is increased, and the terminal portion is removed. It is possible to secure the connection strength.
[0070]
The organic flattening film is removed from the peripheral portion of the substrate to the image display side in the overlapping portion between the film carrier and the terminal region, so that when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, the organic flattening film is removed. The removal of the oxide film can be eliminated, and the repair of the TFT array substrate can be performed smoothly and reliably. In addition, it is possible to increase the adhesion between the TFT array substrate and the film carrier and secure the connection strength of the terminal portion.
[0071]
In the transflective liquid crystal display device according to the present invention, when the liquid crystal is disposed in the gap between the TFT array substrate and the counter electrode substrate having a transparent electrode, when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, The removal of the organic planarizing film can be eliminated, the repair of the liquid crystal display device can be performed smoothly and reliably, the yield of the liquid crystal display device can be improved, and an inexpensive liquid crystal display device can be obtained. .
[0072]
In the reflection type liquid crystal display device according to the present invention, the liquid crystal is sandwiched between the TFT array substrate and the opposing substrate having the transparent electrode. It is possible to eliminate the peeling of the oxide film, to repair the liquid crystal display device smoothly and reliably, to improve the yield of the liquid crystal display device, and to obtain an inexpensive liquid crystal display device.
[0073]
In the method for manufacturing a TFT array substrate according to the present invention, after forming a first conductive film on an insulating substrate, the first conductive film is patterned by photolithography to form a gate wiring, Forming a first display lead-out line and a gate electrode of a TFT, which are part of the first layer, forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer, and then forming the ohmic contact with the semiconductor layer by photolithography. A step of patterning the contact layer into an island shape, and a step of forming a second conductive film and then patterning the second conductive film by a photolithography method to form a source wiring and a part of a source electrode. 2 and the source and drain electrodes of the TFT, and the ohmic contact not covered by the source and drain electrodes. And after forming a second insulating film, applying a photosensitive organic material, exposing, developing, and baking to form an organic planarizing film and an organic planarizing film in the reflective display region. A transmissive display area having irregularities formed on the surface and penetrating to the surface of the transparent insulating substrate, a contact area penetrating to the surface of the drain electrode, a gate terminal area penetrating to the surface of the first display lead-out wiring, and a second display A source terminal region penetrating to the surface of the lead-out wiring and an organic flattening film removed portion in the terminal region are formed, and the organic flattening film is used as a mask to form a second insulating film in the contact region and a first insulating film in the transmissive display region. Film, a second insulating film, a first insulating film and a second insulating film in a gate terminal region, a second insulating film in a source terminal region, and a first insulating film and a second insulating film in an organic planarization film removed portion. A step of etching and removing the second insulating film, a step of forming a transparent conductive film, and then patterning the transparent conductive thin film by photolithography to form a transparent pixel electrode at least in a transmissive display region; Peeling the film carrier from the TFT array substrate by including at least a step of patterning a metal film by a photolithography method after forming the film and forming a reflective film in a region other than the transmissive display region in one pixel. In this case, the peeling of the organic flattening film can be eliminated, and the repair of the TFT array substrate can be performed smoothly and reliably.
[0074]
In the reflection type liquid crystal display device according to the present invention, after forming the first conductive film on the insulating substrate, the first conductive film is patterned by photolithography to form the gate wiring and the gate wiring. Forming a first display lead-out line and a gate electrode of a TFT, forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer; forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer by photolithography; Patterning the layer into an island shape, forming a second conductive film, and then patterning the second conductive film by photolithography to form a second wiring which is part of a source wiring and a source electrode. And the source and drain electrodes of the TFT are formed, and the ohmic contact layer not covered by the source and drain electrodes is etched. After the step of removing the film and forming the second insulating film, a photosensitive organic substance is applied, and the organic flattening film is formed by an exposure process, a developing process, and a baking process. A contact region penetrating to the surface of the drain electrode, a gate terminal region penetrating to the surface of the first display lead-out wiring, a source terminal region penetrating to the surface of the second display lead-out wiring, and a terminal region. Forming an organic planarization film removal portion in the above, using the organic planarization film as a mask, a second insulating film in the contact region, a first insulating film and a second insulating film in the gate terminal region, and a second insulating film in the source terminal region. Etching the first insulating film and the second insulating film of the organic flattening film removing portion, and removing the metal film by photolithography after forming the metal film. The step of forming a reflective film by removing the organic planarizing film when the film carrier is peeled off from the TFT array substrate, and the repair of the TFT array substrate can be performed smoothly and smoothly. It is possible to do it reliably.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view of a TFT portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of a liquid crystal display panel of the transflective liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG.
4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 2 as viewed from the direction of arrows IV-IV.
FIG. 5 is a sectional view of a TFT portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device including a two-layer organic flattening film of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a gate terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device including a two-layer organic flattening film of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view of a source terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device including a two-layer organic flattening film of the present invention.
FIG. 8 is a sectional view of a TFT portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 9 is a sectional view of a gate terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 10 is a sectional view of a source terminal portion of a TFT array substrate constituting a liquid crystal display panel of the reflection type liquid crystal display device of the present invention.
FIG. 11 is a plan view of a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 11, as viewed from an arrow XII-XII.
13 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel shown in FIG. 11, viewed from the arrow XIII-XIII.
FIG. 14 is a plan view of a liquid crystal display panel of a transflective liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 15 is a plan view of a liquid crystal display panel of the transflective liquid crystal display device according to the fourth embodiment.
[Explanation of symbols]
1 transparent insulating substrate, 2 gate wiring, 2a gate electrode,
2b first display extraction wiring,
3 source wiring, 3a source electrode, 3b second display extraction wiring,
3c drain electrode,
4 gate insulating film, 5 semiconductor layer, 6 interlayer insulating film
7 organic planarization film, 7a first organic planarization film, 7b second organic planarization film,
8 transparent pixel electrode, 9 reflective film, 10 transmissive display area,
11a gate terminal, 11b source terminal, 12 image display unit,
13 film carriers,
14 terminal area, 14a gate terminal area, 14b source terminal area,
15, 15a, 15b, 15c, 15d Organic planarization film removal unit,
16 Peripheral edge of substrate, 17 contact area

Claims (12)

透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層に接続された前記ソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、
前記透明絶縁性基板上に設けられ、前記ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ドレイン電極とに接続された画素電極と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ゲート配線又は前記ソース配線と電気的に接続された端子が前記透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、前記各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、
前記有機平坦化膜は、前記端子領域における基板周縁部から前記画像表示部側にかけての領域で除去されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。A gate wiring including a plurality of gate electrodes formed on a transparent insulating substrate,
A source wiring including a plurality of source electrodes crossing the gate wiring;
A semiconductor layer provided on the gate electrode via a gate insulating film,
A TFT comprising the source electrode and the drain electrode connected to the semiconductor layer;
An organic flattening film provided on the transparent insulating substrate and eliminating steps caused by the TFT, and having irregularities formed on a surface thereof;
A pixel electrode provided on the organic planarization film and connected to the drain electrode by a contact hole formed in the organic planarization film;
Terminals provided on the organic planarizing film and electrically connected to the gate wiring or the source wiring by contact holes formed in the organic planarizing film are arranged around an image display section of the transparent insulating substrate. In the TFT array substrate provided with a terminal region where connection between each terminal and an external terminal is performed,
The TFT array substrate, wherein the organic planarization film is removed in a region from a peripheral portion of the substrate in the terminal region to the image display unit side. 透明絶縁性基板上に複数本形成されたゲート電極を備えたゲート配線と、
前記ゲート配線と交差する複数本のソース電極を備えたソース配線と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して設けられた半導体層と、
前記半導体層に接続された前記ソース電極およびドレイン電極よりなるＴＦＴと、前記透明絶縁性基板上に設けられ、前記ＴＦＴに起因する段差を無くすと共に、表面に凹凸が形成された有機平坦化膜と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ドレイン電極とに接続された画素電極と、
前記有機平坦化膜上に設けられ、前記有機平坦化膜に形成されたコンタクトホールにより前記ゲート配線又は前記ソース配線と電気的に接続された端子が前記透明絶縁性基板の画像表示部周辺に配列され、前記各端子と外部端子との接続が行われる端子領域を備えたＴＦＴアレイ基板において、
前記有機平坦化膜は、第１の有機平坦化膜と、前記第１の有機平坦化膜上に形成された第２の有機平坦化膜からなり、前記第２の有機平坦化膜が、前記端子領域における基板周縁部から前記画像表示部側にかけての領域で除去されていることを特徴とするＴＦＴアレイ基板。A gate wiring including a plurality of gate electrodes formed on a transparent insulating substrate,
A source wiring including a plurality of source electrodes crossing the gate wiring;
A semiconductor layer provided on the gate electrode via a gate insulating film,
A TFT comprising the source electrode and the drain electrode connected to the semiconductor layer; and an organic planarization film provided on the transparent insulating substrate, eliminating steps caused by the TFT, and having irregularities formed on the surface. ,
A pixel electrode provided on the organic planarization film and connected to the drain electrode by a contact hole formed in the organic planarization film;
Terminals provided on the organic planarizing film and electrically connected to the gate wiring or the source wiring by contact holes formed in the organic planarizing film are arranged around an image display section of the transparent insulating substrate. In the TFT array substrate provided with a terminal region where connection between each terminal and an external terminal is performed,
The organic planarization film includes a first organic planarization film, and a second organic planarization film formed on the first organic planarization film, wherein the second organic planarization film is A TFT array substrate, wherein the TFT array substrate is removed in a region from a peripheral portion of the substrate to a side of the image display portion in a terminal region. 前記第１の有機平坦化膜が、前記端子領域における基板周縁部から前記画像表示部側にかけての領域で除去されていることを特徴とする請求項２記載のＴＦＴアレイ基板。3. The TFT array substrate according to claim 2, wherein the first organic planarization film is removed in a region from a peripheral portion of the substrate in the terminal region to the image display unit side. 前記画素電極が透明画素電極であり、反射膜が１画素内において透過表示領域を除く、前記有機平坦化膜または前記透明画素電極上に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。4. The pixel electrode according to claim 1, wherein the pixel electrode is a transparent pixel electrode, and a reflective film is formed on the organic planarizing film or the transparent pixel electrode except for a transmissive display area in one pixel. Or a TFT array substrate according to any one of the above. 前記画素電極が反射膜であることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。4. The TFT array substrate according to claim 1, wherein said pixel electrode is a reflection film. 前記有機平坦化膜は、前記端子領域における基板周縁部から画像表示部側にかけて少なくとも５０μｍの領域で除去されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。4. The TFT array substrate according to claim 1, wherein the organic planarization film is removed in a region of at least 50 μm from a peripheral portion of the terminal region to an image display unit in the terminal region. 5. 前記有機平坦化膜は、基板周縁部から画像表示部側にかけてフィルムキャリアが形成される部分を含む領域で除去されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載のＴＦＴアレイ基板。4. The TFT array substrate according to claim 1, wherein the organic planarizing film is removed from a region including a portion where a film carrier is formed from a peripheral portion of the substrate to an image display portion. 前記有機平坦化膜は、フィルムキャリアと端子領域との重なり部分のうち、基板周縁部から画像表示部側にかけて除去されていることを特徴とする請求項１、２、３または７記載のＴＦＴアレイ基板。8. The TFT array according to claim 1, wherein the organic planarizing film is removed from a peripheral portion of the substrate to an image display portion side in an overlapping portion between the film carrier and the terminal region. substrate. 請求項４記載のＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向電極基板との間隙に液晶が配置されていることを特徴とする半透過型液晶表示装置。A transflective liquid crystal display device, wherein a liquid crystal is arranged in a gap between the TFT array substrate according to claim 4 and a counter electrode substrate having a transparent electrode. 請求項５記載のＴＦＴアレイ基板と、透明電極を有する対向基板との間隙に液晶が挟持されていることを特徴とする反射型液晶表示装置。6. A reflection type liquid crystal display device, wherein a liquid crystal is sandwiched in a gap between the TFT array substrate according to claim 5 and a counter substrate having a transparent electrode. 絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、前記ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、
第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記半導体層と前記オーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、
第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、前記ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、前記ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、前記ソース電極および前記ドレイン電極に覆われていない前記オーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、
第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における前記有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、前記絶縁性基板表面にまで貫通する透過表示領域、前記ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、前記第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、前記第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、前記有機平坦化膜をマスクとして、前記コンタクト領域の前記第２の絶縁膜、前記透過表示領域の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜、前記ゲート端子領域の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜、前記ソース端子領域の前記第２の絶縁膜、並びに前記有機平坦化膜除去部の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、
透明導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記透明導電性薄膜をパターニングして、少なくとも透過表示領域に透明画素電極を形成する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記金属膜をパターニングして、一画素内における透過表示領域以外に反射膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。After forming a first conductive film on an insulating substrate, the first conductive film is patterned by photolithography to form a gate wiring, a first display lead-out wiring which is a part of the gate wiring. And forming a gate electrode of the TFT;
After forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer, patterning the semiconductor layer and the ohmic contact layer by photolithography in an island shape;
After forming a second conductive film, the second conductive film is patterned by photolithography to form a source wiring, a second display lead-out wiring which is a part of the source electrode, and a source electrode of the TFT. Forming a drain electrode, and further etching and removing the ohmic contact layer not covered with the source electrode and the drain electrode,
After forming the second insulating film, a photosensitive organic substance is applied, and an organic flattening film is formed by an exposure process, a developing process, and a baking process, and irregularities are formed on the surface of the organic flattening film in the reflective display area. A transmissive display area penetrating up to the surface of the insulating substrate; a contact area penetrating up to the surface of the drain electrode; a gate terminal area penetrating up to the surface of the first display wiring; and a surface of the second display wiring. A source terminal region that penetrates through the first region, and an organic planarization film removed portion in the terminal region. The second insulating film in the contact region and the first region in the transmissive display region are formed using the organic planarization film as a mask. Insulating film and the second insulating film, the first insulating film and the second insulating film in the gate terminal region, the second insulating film in the source terminal region, A step of etching away said first insulating film and the second insulating film of the planarization film removal unit,
Patterning the transparent conductive thin film by a photolithography method after forming a transparent conductive film, forming a transparent pixel electrode in at least a transmissive display region, and forming a metal film by a photolithography method Patterning the metal film, forming a reflective film other than the transmissive display area in one pixel,
A method for manufacturing a TFT array substrate, comprising: 絶縁性基板上に第１の導電性膜を成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記第１の導電性膜をパターニングしてゲート配線、前記ゲート配線の一部である第１の表示引き出し配線およびＴＦＴのゲート電極を形成する工程と、
第１の絶縁膜と半導体層とオーミックコンタクト層とを成膜したのちに、フォトリソグラフィ法で前記半導体層と前記オーミックコンタクト層とを、島状にパターニングする工程と、
第２の導電性膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記第２の導電性膜をパターニングしてソース配線、前記ソース電極の一部である第２の表示引き出し配線、前記ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極を形成し、さらに、前記ソース電極および前記ドレイン電極に覆われていない前記オーミックコンタクト層をエッチング除去する工程と、
第２の絶縁膜を成膜したのちに、感光性有機物を塗布し、露光処理、現像処理および焼成処理で有機平坦化膜を、反射表示領域における前記有機平坦化膜の表面には凹凸を形成し、前記ドレイン電極表面にまで貫通するコンタクト領域、前記第１の表示引き出し配線表面にまで貫通するゲート端子領域、前記第２の表示引き出し配線表面にまで貫通するソース端子領域、および端子領域における有機平坦化膜除去部を形成し、前記有機平坦化膜をマスクとして、前記コンタクト領域の前記第２の絶縁膜、前記ゲート端子領域の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜、前記ソース端子領域の前記第２の絶縁膜、並びに前記有機平坦化膜除去部の前記第１の絶縁膜および前記第２の絶縁膜をエッチング除去する工程と、金属膜を成膜したのちにフォトリソグラフィ法で前記金属膜をパターニングして、反射膜を形成する工程と、
を少なくとも含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板の製造方法。After forming a first conductive film on an insulating substrate, the first conductive film is patterned by photolithography to form a gate wiring, a first display lead-out wiring which is a part of the gate wiring. And forming a gate electrode of the TFT;
After forming a first insulating film, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer, patterning the semiconductor layer and the ohmic contact layer by photolithography in an island shape;
After forming a second conductive film, the second conductive film is patterned by photolithography to form a source wiring, a second display lead-out wiring which is a part of the source electrode, and a source electrode of the TFT. Forming a drain electrode, and further etching and removing the ohmic contact layer not covered with the source electrode and the drain electrode,
After forming the second insulating film, a photosensitive organic substance is applied, and an organic flattening film is formed by an exposure process, a developing process, and a baking process, and irregularities are formed on the surface of the organic flattening film in the reflective display area. A contact region penetrating to the surface of the drain electrode, a gate terminal region penetrating to the surface of the first display extraction wiring, a source terminal region extending to a surface of the second display extraction wiring, and Forming a planarization film removal portion, using the organic planarization film as a mask, the second insulation film in the contact region, the first insulation film and the second insulation film in the gate terminal region, and the source A step of etching and removing the second insulating film in the terminal region and the first and second insulating films in the organic planarization film removing portion; and after forming a metal film. Patterning the metal film by photolithography, forming a reflective film,
A method for manufacturing a TFT array substrate, comprising:
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