JP2004135188A - Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same - Google Patents

Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same Download PDF

Info

Publication number
JP2004135188A
JP2004135188A JP2002299574A JP2002299574A JP2004135188A JP 2004135188 A JP2004135188 A JP 2004135188A JP 2002299574 A JP2002299574 A JP 2002299574A JP 2002299574 A JP2002299574 A JP 2002299574A JP 2004135188 A JP2004135188 A JP 2004135188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
shutdown
circuit
optical
receiving circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002299574A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshifumi Masuda
増田 佳史
Takeshi Murata
村田 武士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2002299574A priority Critical patent/JP2004135188A/en
Publication of JP2004135188A publication Critical patent/JP2004135188A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a substrate space and the costs and to achieve further power saving until an optical signal is actually received after an operating state is instructed in the case of realizing shutdown control for power saving in digital equipment having an optical receiving circuit. <P>SOLUTION: The optical receiving circuit is provided with a signal detection means 15 which detects reception of the optical signal in a photodiode PD and a control means 16 which performs the shutdown control on the basis of a shutdown signal to be inputted from the outside via a terminal P14 and output of the signal detection means 15. The control means 16 performs control for switching a state from a shutdown state to the operating state when the signal detection means 15 detects the reception of the optical signal in the photodiode PD when the shutdown signal is the one which instructs the operating state. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気信号を光信号に変換して伝送する光ファイバリンクに用いられる光受信回路、およびそれを備えた電子機器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
光ファイバリンクは、送信側で電気信号を光信号に変換して伝送し、受信側では受信した光信号を電気信号に再変換することで、音声信号や映像信号等の信号を1本の光ファイバで手軽に高速伝送できる。近年、デジタル機器の普及に伴って、一般家庭にも光ファイバリンクが広く普及してきている。
【0003】
例えば、DVD(デジタルビデオディスク)プレーヤ、デジタル放送のSTB(セットトップボックス)およびCD(コンパクトディスク)プレーヤから、MD(ミニディスク)プレーヤやアンプ等への信号伝送などに光ファイバリンクが使用される。また、最近では、パーソナルコンピュータ等のパーソナルな携帯機器に光ファイバリンクを用いて音楽信号を伝送することも広く普及してきている。さらにまた、光ファイバリンクは、電気的に絶縁が必要な箇所での信号伝送用としても使用される。
【0004】
一方、デジタル機器において、特に携帯可能な機器では、バッテリ動作時間を左右する消費電力の低減が常に要求されている。このため、光通信回路では、従来、図6に示すような構成が用いられている。すなわち、図6に示す構成では、図示しない電源から光通信回路101への間にシャットダウン機能を備えるレギュレータIC102が介在されている。レギュレータIC102は、シャットダウン入力端子P111に入力されるシャットダウン信号に応答して、電源から電源入力端子P112に入力される電源電圧Vccを、電源出力端子P113から前記光通信回路101へ出力するか否かを制御する。
【0005】
これによって、光通信回路101の動作が不要な時には、シャットダウン入力端子P111にシャットダウン信号を入力することによって、レギュレータIC102の出力をシャットダウンし、低消費電力化を実現している。
【0006】
なお、上述の従来技術に関して、文献公知発明に係る先行技術文献はない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の構成では、専用のレギュレータICを設けることによって回路基板のスペースが占有され、光通信回路を備えたデジタル機器において、小型化またはコスト面で不利となるといった問題が生じる。
【0008】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、光受信回路を備えたデジタル機器における省電力化のためのシャットダウン制御を実現するにあたって、基板スペースやコストを削減することができる光受信回路およびそれを備えた電子機器を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明の光受信回路は、上記の課題を解決するために、光信号を電気信号に変換する変換手段を備えた光受信回路において、内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン手段と、上記変換手段における光信号の受信を検知する信号検知手段と、外部から入力されるシャットダウン信号と上記信号検知手段の出力とに基づいて、上記シャットダウン手段を制御する制御手段とを備えており、上記制御手段は、上記シャットダウン信号がシャットダウン手段の動作状態を指示するものである場合に、上記信号検知手段が上記変換手段における光信号の受信を検知した時に、上記シャットダウン手段をシャットダウン状態から動作状態に切り替える制御を行うことを特徴としている。
【0010】
上記の構成によれば、シャットダウン手段の動作状態を指示するシャットダウン信号が入力されたとしても、上記信号検知手段が上記変換手段における光信号の受信を検知するまでは、すなわち、相手機器からの光信号が入力されるまでは、上記制御手段はシャットダウン手段のシャットダウン状態を維持するよう制御する。
【0011】
これにより、シャットダウン信号がシャットダウン手段の動作状態を指示した後であっても、実際に相手機器からの光信号が入力されるまでは本光受信回路は動作状態に移行せず、相手機器からの光信号の入力が無い間の内部回路でのバイアス電流等を抑制でき、より一層の省電力化を図ることができる。
【0012】
また、上記光受信回路においては、上記変換手段はフォトダイオードであり、上記信号検知手段は、シャットダウン状態時に上記フォトダイオードが光信号を受信すると、該フォトダイオードの開放電圧を検知して検知信号を出力する構成とすることができる。
【0013】
上記の構成によれば、フォトダイオードの開放電圧を検知するため、信号検出のためのフォトダイオードを別途用意する必要がなく、回路の小型化に有利となる。
【0014】
また、上記光受信回路においては、上記信号検知手段は、MOSトランジスタ及び抵抗からなる構成とすることができる。
【0015】
上記の構成によれば、信号検知手段にMOSトランジスタ、抵抗を使用することにより簡単な構成で上記回路を容易に構成可能となる。
【0016】
また、上記光受信回路においては、上記制御手段は、上記シャットダウン信号と上記信号検知手段の出力とを入力とするアンド回路と、上記アンド回路の出力を保持するラッチ回路とを含む構成とすることができる。
【0017】
また、上記光受信回路においては、該光受信回路はモノリシック集積回路上に構成された構成とすることができる。
【0018】
上記構成によれば、上記光受信回路を備えた電子機器において、小型化および省スペース化に有利となる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について図1ないし図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0020】
省電力化のためのシャットダウン制御を実現するにあたって、基板スペースやコストを削減することができる光通信回路として、本願発明者らは、特願2002−17626号を出願している。最初に、この特願2002−17626号における光通信回路の構成について図2ないし図4を参照して説明する。
【0021】
図2は、特願2002−17626号における光受信回路11の電気的構成を示すブロック図である。この光受信回路11は、フォトダイオードPDを含めて1チップ上にモノリシック形成されている。光受信回路11は、大略的に、フォトダイオードPDと、ダミー容量CDと、初段アンプA11,A12と、差動アンプA2,A3と、コンパレータCMPと、バッファBと、出力回路12と、バイアス回路13と、シャットダウン回路14とを備えて構成されている。
【0022】
フォトダイオードPDは、対応する初段アンプA11によってバイアスされ、受信した光信号に対応する電流を出力する。フォトダイオードPDから出力された電流は初段アンプA11の抵抗R11によって電圧に変換され、該初段アンプA11から低インピーダンスで出力される。
【0023】
また、ダミー容量CDはフォトダイオードPDの寄生容量に等しく形成されている。ダミー容量CDを流れる電流は、初段アンプA11と同様の構成の初段アンプA12および抵抗R12によって電圧に変換され、低インピーダンスで出力される。
【0024】
初段アンプA11,A12からの出力は、結合コンデンサC1,C2によって交流結合されている差動アンプA2のそれぞれの入力に与えられる。また、差動アンプA2のそれぞれの入力にはプルアップ抵抗R21,R22を介して基準電圧Vrefが与えられる。
【0025】
したがって、差動アンプA2のそれぞれの入力は、基準電圧Vrefを中心として、初段アンプA11,A12からの出力の交流成分が重畳された値となる。差動アンプA2は、それらの入力の差分を増幅して、差動の電圧信号で出力する。ここで、初段アンプA11からの出力に現れるフォトダイオードPDを介するGND電位からのノイズは、初段アンプA12からの出力にも同相で現れる。したがって、差動アンプA2からは前記ノイズを除去した信号が出力される。
【0026】
差動アンプA2からの出力は、さらに差動アンプA3で増幅され、その出力の差動の電圧信号はコンパレータCMPで相互に比較され、差動で矩形の信号に整形される。コンパレータCMPからの差動の出力は、バッファBにおいて単一出力とされて、出力回路12に入力される。
【0027】
出力回路12は、電源入力端子P11に入力される電源電圧Vccと、接地端子P12に与えられるGND電位とを電源とし、PMOSトランジスタQPとNMOSトランジスタQNとから成るCMOS構成のプッシュプルアンプである。出力回路12からの出力は、バッファBからの出力を反転して、かつ前記電源電圧VccまたはGND電位の何れかとなる。また、出力回路12からの出力は、出力端子P13における出力Voutとなる。
【0028】
初段アンプA11,A12、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBには、バイアス回路13から電源供給が行われる。また、バイアス回路13からの電源供給は、シャットダウン回路14によって制御される。シャットダウン回路14は、外部からシャットダウン入力端子P14に入力されるシャットダウン信号に応答して、バイアス回路13からの電源供給を制御する。
【0029】
図3は、上述のように構成される光受信回路11において、バイアス回路13およびシャットダウン回路14の具体的構成を示すブロック図であり、図2に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。
【0030】
バイアス回路13は、初段アンプA11,A12への電圧供給を制御するトランジスタQ10〜Q12と、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBへの電圧供給を制御するトランジスタQ1〜Q5とを備えて構成されている。
【0031】
PMOSトランジスタQ11,Q12は初段アンプA11,A12にそれぞれ電源電圧Vccを供給するか否かを制御する。PMOSトランジスタQ10は、PMOSトランジスタQ11,Q12のON/OFFを共通に制御する。NMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5は、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBをそれぞれGND電位に接続して電源供給を行うか否かを制御する。NMOSトランジスタQ1は、それらのNMOSトランジスタQ2〜Q5のON/OFFを共通に制御する
PMOSトランジスタQ11,Q12のドレインは、それぞれ初段アンプA11,A12のハイレベル側の電源入力に接続され、ソースには共通に電源電圧Vccが与えられ、ゲートは共通にPMOSトランジスタQ10のドレインに接続される。PMOSトランジスタQ10のソースには電源電圧Vccが与えられ、ゲートにはシャットダウン回路14を構成する2段のインバータINV1,INV2の内、前段側のインバータINV1の出力が与えられる。
【0032】
PMOSトランジスタQ10のドレイン、すなわちPMOSトランジスタQ11,Q12のゲートには、図示しないプルダウン抵抗等を介して、ローレベルのバイアスPbiasが与えられる。初段アンプA11,A12のローレベル側の電源入力は、共にGND電位に接続される(図示せず)。
【0033】
NMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5のドレインは差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBのローレベル側の電源入力にそれぞれ接続され、ソースは共通にGND電位に接続され、ゲートは共通にNMOSトランジスタQ1のドレインに接続される。NMOSトランジスタQ1のソースはGND電位に接続され、ゲートには前記シャットダウン回路14の後段側のインバータINV2の出力が与えられる。
【0034】
NMOSトランジスタQ1のドレイン、すなわちNMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5のゲートには、図示しないプルアップ抵抗等を介して、ハイレベルのバイアスNbiasが与えられる。差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBのハイレベル側の電源入力には、共に電源電圧Vccが与えられる(図示せず)。
【0035】
したがって、シャットダウン入力端子P14に入力されるシャットダウン信号がローレベルである間は、インバータINV1の出力がハイレベル、インバータINV2の出力がローレベルとなって、PMOSトランジスタQ10およびNMOSトランジスタQ1が共にOFFする。
【0036】
PMOSトランジスタQ10がOFFすることによってPMOSトランジスタQ11,Q12のゲートがローレベルにバイアスされ、該PMOSトランジスタQ11,Q12はONし、初段アンプA11,A12へは所望の定電流が供給される。
【0037】
同様に、NMOSトランジスタQ1がOFFすることによってNMOSトランジスタQ2〜Q5のゲートがハイレベルにバイアスされ、該NMOSトランジスタQ2〜Q5はONし、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBへは所望の定電流が供給される。
【0038】
これに対して、シャットダウン信号がハイレベルになると、インバータINV1の出力がローレベル、インバータINV2の出力がハイレベルとなって、PMOSトランジスタQ10およびNMOSトランジスタQ1が共にONする。
【0039】
PMOSトランジスタQ10がONすることによってPMOSトランジスタQ11,Q12のゲートがハイレベルとなり、該PMOSトランジスタQ11,Q12はOFFし、初段アンプA11,A12へ所望の定電流が供給されない。
【0040】
同様に、NMOSトランジスタQ1がONすることによってNMOSトランジスタQ2〜Q5のゲートがローレベルにバイアスされ、該NMOSトランジスタQ2〜Q5はOFFし、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBへ所望の定電流が供給されない。
【0041】
こうして、光受信回路11の動作が不要なときはシャットダウン信号をハイレベルとすることで、バイアス回路13をシャットダウンし、それによって各内部回路に供給されていたバイアス電流をシャットダウンすることができる。これによって、光受信回路11の低消費電力化を図ることができる。
【0042】
しかしながら、上記構成の光受信回路11は、シャットダウン信号がローレベルとなっている期間で、フォトダイオードPDにおいて光信号の受信が無い状態では本回路内部にバイアス電流が流れた状態が連続する。これを、図4を参照して説明する。尚、図4において、初段アンプA11はトランジスタとして備えられており、また、シャットダウン手段13aは初段アンプA11の電圧制御にかかる部分を抜き出したものである。
【0043】
図4においては、PMOSトランジスタQ11のゲートはPbias電圧でバイアスされており、PMOSトランジスタQ10がOFFの時はPMOSトランジスタQ11から初段アンプであるトランジスタA11へ所望のバイアス電流が供給される(動作状態)。PMOSトランジスタQ10がONの時は、PMOSトランジスタQ11からトランジスタA11へ電流は供給されない(シャットダウン状態)。
【0044】
シャットダウン状態においては、シャットダウン入力端子P14にハイレベル信号が入力されている。このときインバータINV1の出力はローレベルであり、PMOSトランジスタQ10がONになる。これによりPMOSトランジスタQ11がOFFとなり、トランジスタA11へのバイアス電流が供給されず、シャットダウン状態を実現する。
【0045】
動作状態においては、シャットダウン入力端子P14にローレベル信号が入力されている。このときインバータINV1の出力はハイレベルであり、PMOSトランジスタQ10がOFFになる。これによりPMOSトランジスタQ11がONとなり、トランジスタA11へ所望のバイアス電流が供給され、動作状態となる
上記光受信回路11を備えた電子機器において、該光受信回路11がシャットダウン状態から動作状態(相手の機器からの信号を受信する状態)にする場合、シャットダウン入力端子P14にローレベルの信号が入力される。そして、光受信回路11を備えた電子機器とファイバケーブルで接続された相手機器からの光信号が入力されるまでは、動作状態となった本電子機器において、光受信回路11内部にバイアス電流が流れた状態で保持されることになる。
【0046】
このため、本電子機器と接続された相手機器から信号が全く出ていなかったり、これらの機器間でファイバケーブルが正常に接続されていなかったりした場合、光受信回路11内部にバイアス電流が流れた状態が連続し、その間無駄な電力を消費することになる。
【0047】
本発明は、シャットダウン機能を備えた光受信回路において、動作状態におけるバイアス電流による電力消費を抑制し、さらなる省電力化を図ることを特徴とするものである。この特徴点について、図1および図5を参照して説明する。尚、図1および図5において、図2〜4で示した構成に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。
【0048】
図5は、フォトダイオードPDへのバイアス電流を供給するための機構を概略的に表したブロック図である。図5においては、上述した図4の構成に加えて、さらに信号検知手段15および制御手段16が付加された構成となっている。
【0049】
信号検知手段15はフォトダイオードPDのカソードおよびアノードに接続され、相手機器からの光信号が入力したことを検知する。制御手段16は、信号検知手段15の出力と、シャットダウン入力端子P14からの入力に基づき、シャットダウン手段13aを制御する。
【0050】
すなわち、図4の構成においては、シャットダウン手段13aは、シャットダウン入力端子P14からのシャットダウン信号によってシャットダウン状態および動作状態の切替えがされていたが、図5の構成では、シャットダウン入力端子P14からのシャットダウン信号のみでなく、信号検知手段15の出力によってもシャットダウン手段13aの切替えが制御される。
【0051】
具体的には、制御手段16は、シャットダウン入力端子P14からのシャットダウン信号がハイレベルからローレベルに切り替わったのみではシャットダウン手段13aをシャットダウン状態から動作状態に切り替えず、さらに、信号検知手段15によって光信号の受信が検知された時点でシャットダウン手段13aをシャットダウン状態から動作状態に切り替える。これにより、相手の機器からの光信号が入力されるまではシャットダウン手段13aにおけるシャットダウン状態を保持することができ、より一層の省電力化が可能となる。
【0052】
さらに、信号検知手段15、制御手段16、およびシャットダウン手段13aを含む光受信回路の具体的構成を図1を参照して説明する。尚、図1の光受信回路1において、図3の光受信回路11と同様の構成については、同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。
【0053】
信号検知手段15はNMOSトランジスタQ31と抵抗R31とで構成され、制御手段16はインバータINV3、AND回路16a、ラッチ回路16bで構成されている。また、図5におけるシャットダウン手段13aには、バイアス回路13におけるPMOSトランジスタQ10およびQ11が相当する。
以下、図1における回路動作を説明する。
【0054】
信号検知手段15においては、NMOSトランジスタQ31のゲートはフォトダイオードPDのアノードに、ソースはフォトダイオードPDのカソードに接続されている。
【0055】
シャットダウン手段13a内のPMOSトランジスタQ11からのバイアス電流Ibiasが流れていない状態で、フォトダイオードPDに光信号が入力されると、該フォトダイオードPDのカソード電圧には開放電圧が発生する。その電圧は−0.5ボルト程度である。
【0056】
この時、NMOSトランジスタQ31のゲート・ソース間には順方向電圧が印加され、これによりNMOSトランジスタQ31がONし、図1内にA点で示す信号検知手段15の出力がローレベルとなる。
【0057】
図1における光受信回路1を含む電子機器がシャットダウン状態から動作状態へ復帰しようとして、シャットダウン入力端子P14にローレベルのシャットダウン信号が入力された場合、該シャットダウン信号はインバータINV1によってハイレベルに反転される。インバータINV1によって反転されたシャットダウン信号は、制御手段16のAND回路16aおよびラッチ回路16bを介してPMOSトランジスタQ10のゲートに入力される。
【0058】
しかし、シャットダウン入力端子P14にローレベルのシャットダウン信号が入力された場合であっても、相手機器からの光信号が入力されるまでの間は信号検知手段15の出力はハイレベルを保持する。この間、インバータINV3の出力はローレベルであり、AND回路16aの出力はローレベルを保持するため、シャットダウン手段13a内のPMOSトランジスタQ10がON、PMOSトランジスタQ11がOFFを維持し、光受信回路1はシャットダウン状態を維持することになる。
【0059】
ここで、相手機器からの光信号が入力されると、上述したように、信号検知手段15のNMOSトランジスタQ31がONし、信号検知手段15の出力(A点)はローレベルとなる。これに伴って、インバータINV3の出力がハイレベルとなり、AND回路16aの他端子にハイレベルのシャットダウン信号が入力されていれば、AND回路16aの出力がハイレベルとなる。
【0060】
これにより、シャットダウン手段13a内のPMOSトランジスタQ10がOFF、Q11がONし、初段アンプであるトランジスタA11にバイアス電流が流れ、光受信回路1は動作状態となる。
【0061】
制御手段16内のラッチ回路16bは、信号検知手段15の出力がハイレベルからローレベルになりAND回路16aの出力がハイレベルとなった後、信号検知手段15の出力がローレベルからハイレベルとなって、シャットダウン手段13aが再びシャットダウン状態になるのを防ぐために必要なものである。
【0062】
また、上記構成の光受信回路1をモノリシック集積回路内に構成することにより、該光受信回路1を備えた電子機器において、小型化および省スペース化に有利となる。
【0063】
また、本実施の形態に係る光通信回路においてはシャットダウン手段、信号検知手段、および制御手段の構成にMOSトランジスタを使用することにより、低電源電圧で駆動した場合にバイポーラトランジスタで構成した回路でみられる飽和等の問題が生じないため、より低電源電圧での動作が可能となる。
【0064】
【発明の効果】
本発明の光受信回路は、以上のように、内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン手段と、上記変換手段における光信号の受信を検知する信号検知手段と、外部から入力されるシャットダウン信号と上記信号検知手段の出力とに基づいて、上記シャットダウン手段を制御する制御手段とを備えており、上記制御手段は、上記シャットダウン信号がシャットダウン手段の動作状態を指示するものである場合に、上記信号検知手段が上記変換手段における光信号の受信を検知した時に、上記シャットダウン手段をシャットダウン状態から動作状態に切り替える制御を行う構成である。
【0065】
それゆえ、シャットダウン手段の動作状態を指示するシャットダウン信号が入力されたとしても、上記信号検知手段が上記変換手段における光信号の受信を検知するまでは、上記制御手段によってシャットダウン状態が維持される。これにより、シャットダウン信号がシャットダウン手段の動作状態を指示した後であっても、相手機器からの光信号の入力が無い間は、その内部回路でのバイアス電流等を抑制でき、より一層の省電力化を図ることができるという効果を奏する。
【0066】
また、上記光受信回路においては、上記変換手段はフォトダイオードであり、上記信号検知手段は、シャットダウン状態時に上記フォトダイオードが光信号を受信すると、該フォトダイオードの開放電圧を検知して検知信号を出力する構成とすることができる。
【0067】
それゆえ、フォトダイオードの開放電圧を検知するため、信号検出のためのフォトダイオードを別途用意する必要がなく、回路の小型化に有利となるといった効果を奏する。
【0068】
また、上記光受信回路においては、上記信号検知手段は、MOSトランジスタ及び抵抗からなる構成とすることができる。
【0069】
それゆえ、信号検知手段にMOSトランジスタ、抵抗を使用することにより簡単な構成で上記回路を容易に構成可能になるといった効果を奏する。
【0070】
また、上記光受信回路においては、上記制御手段は、上記シャットダウン信号と上記信号検知手段の出力とを入力とするアンド回路と、上記アンド回路の出力を保持するラッチ回路とを含む構成とすることができる。
【0071】
また、上記光受信回路においては、該光受信回路はモノリシック集積回路上に構成された構成とすることができる。
【0072】
それゆえ、上記光受信回路を備えた電子機器において、小型化および省スペース化に有利となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態を示すものであり、光受信回路の電気的構成を示す回路図である。
【図2】本発明の先願にあたる特願2002−17626号における光受信回路の電気的構成を示す回路ブロック図である。
【図3】特願2002−17626号における光受信回路の電気的構成を示す回路図である。
【図4】特願2002−17626号における光受信回路の初段アンプ部付近の具体的構成を示す回路図である。
【図5】本発明に係る光受信回路の初段アンプ部付近の概略構成を示す回路ブロック図である。
【図6】従来の光受信装置の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1  光受信回路
13  バイアス回路
13a シャットダウン手段
15  信号検知手段
16  制御手段
16a AND回路
16b ラッチ回路
PD  フォトダイオード(変換手段)
Q31 NMOSトランジスタ(信号検知手段におけるMOSトランジスタ)
R31 抵抗(信号検知手段における抵抗)
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical receiver circuit used for an optical fiber link that converts an electric signal into an optical signal and transmits the optical signal, and an electronic apparatus including the same.
[0002]
[Prior art]
The optical fiber link converts a signal such as an audio signal or a video signal into one optical signal by converting an electric signal into an optical signal on a transmitting side and transmitting the signal, and converting a received optical signal into an electric signal on a receiving side. Easy high-speed transmission over fiber. In recent years, with the spread of digital devices, optical fiber links have become widespread even in ordinary households.
[0003]
For example, an optical fiber link is used for signal transmission from a DVD (digital video disc) player, a digital broadcast STB (set top box) and a CD (compact disc) player to an MD (mini disc) player, an amplifier, and the like. . Recently, transmission of music signals to personal portable devices such as personal computers using optical fiber links has also become widespread. Furthermore, the optical fiber link is also used for signal transmission in a place where electrical insulation is required.
[0004]
On the other hand, in digital devices, especially in portable devices, reduction of power consumption which affects battery operation time is always required. For this reason, the configuration as shown in FIG. 6 is conventionally used in the optical communication circuit. That is, in the configuration shown in FIG. 6, a regulator IC 102 having a shutdown function is interposed between a power supply (not shown) and the optical communication circuit 101. The regulator IC 102 responds to a shutdown signal input to the shutdown input terminal P111 to output a power supply voltage Vcc input from the power supply to the power input terminal P112 from the power output terminal P113 to the optical communication circuit 101. Control.
[0005]
Thus, when the operation of the optical communication circuit 101 is unnecessary, a shutdown signal is input to the shutdown input terminal P111 to shut down the output of the regulator IC 102, thereby realizing low power consumption.
[0006]
There is no prior art document relating to the above-mentioned prior art related to the invention known in the literature.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the above-described conventional configuration, the provision of the dedicated regulator IC occupies a space on the circuit board, and there is a problem in that a digital device having an optical communication circuit is disadvantageous in terms of miniaturization or cost.
[0008]
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to reduce board space and cost in implementing shutdown control for power saving in a digital device having an optical receiving circuit. It is an object of the present invention to provide an optical receiving circuit capable of performing the above-described operations and an electronic apparatus including the same.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-mentioned problems, an optical receiving circuit according to the present invention includes, in an optical receiving circuit provided with a converting unit that converts an optical signal into an electric signal, a shutdown unit that shuts off power supply to an internal circuit; Signal detection means for detecting reception of an optical signal in the means, and control means for controlling the shutdown means based on a shutdown signal input from outside and an output of the signal detection means, wherein the control means Controlling the switching of the shutdown unit from the shutdown state to the operation state when the signal detection unit detects the reception of the optical signal by the conversion unit when the shutdown signal indicates the operation state of the shutdown unit; It is characterized by performing.
[0010]
According to the above configuration, even if a shutdown signal instructing the operation state of the shutdown unit is input, until the signal detection unit detects the reception of the optical signal by the conversion unit, that is, the light from the partner device is detected. Until the signal is input, the control means controls the shutdown means to maintain the shutdown state.
[0011]
Thereby, even after the shutdown signal indicates the operation state of the shutdown means, the optical receiving circuit does not shift to the operation state until the optical signal is actually input from the partner device, and the optical receiver circuit does not receive the signal from the partner device. It is possible to suppress a bias current or the like in an internal circuit while there is no input of an optical signal, and to further reduce power consumption.
[0012]
In the light receiving circuit, the conversion unit is a photodiode, and the signal detection unit detects an open voltage of the photodiode when the photodiode receives an optical signal in a shutdown state, and outputs a detection signal. It can be configured to output.
[0013]
According to the above configuration, since the open-circuit voltage of the photodiode is detected, it is not necessary to separately prepare a photodiode for detecting a signal, which is advantageous for downsizing the circuit.
[0014]
Further, in the above-mentioned optical receiving circuit, the above-mentioned signal detecting means may be configured to include a MOS transistor and a resistor.
[0015]
According to the above configuration, the use of a MOS transistor and a resistor for the signal detection means makes it possible to easily configure the circuit with a simple configuration.
[0016]
Further, in the optical receiving circuit, the control unit includes an AND circuit that receives the shutdown signal and the output of the signal detection unit, and a latch circuit that holds an output of the AND circuit. Can be.
[0017]
Further, in the above-described optical receiving circuit, the optical receiving circuit may be configured to be configured on a monolithic integrated circuit.
[0018]
According to the above configuration, in the electronic device provided with the optical receiving circuit, it is advantageous for miniaturization and space saving.
[0019]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0020]
The present inventors have filed Japanese Patent Application No. 2002-17626 as an optical communication circuit that can reduce board space and cost when implementing shutdown control for power saving. First, the configuration of the optical communication circuit in Japanese Patent Application No. 2002-17626 will be described with reference to FIGS.
[0021]
FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of the optical receiving circuit 11 in Japanese Patent Application No. 2002-17626. The light receiving circuit 11 is monolithically formed on one chip including the photodiode PD. The light receiving circuit 11 generally includes a photodiode PD, a dummy capacitor CD, first-stage amplifiers A11 and A12, differential amplifiers A2 and A3, a comparator CMP, a buffer B, an output circuit 12, and a bias circuit. 13 and a shutdown circuit 14.
[0022]
The photodiode PD is biased by the corresponding first-stage amplifier A11 and outputs a current corresponding to the received optical signal. The current output from the photodiode PD is converted into a voltage by the resistor R11 of the first-stage amplifier A11, and is output from the first-stage amplifier A11 with low impedance.
[0023]
The dummy capacitance CD is formed to be equal to the parasitic capacitance of the photodiode PD. The current flowing through the dummy capacitor CD is converted into a voltage by the first-stage amplifier A12 and the resistor R12 having the same configuration as the first-stage amplifier A11, and is output with low impedance.
[0024]
Outputs from the first-stage amplifiers A11 and A12 are supplied to respective inputs of a differential amplifier A2 that is AC-coupled by coupling capacitors C1 and C2. Further, a reference voltage Vref is applied to each input of the differential amplifier A2 via pull-up resistors R21 and R22.
[0025]
Therefore, each input of the differential amplifier A2 has a value in which the AC components of the outputs from the first-stage amplifiers A11 and A12 are superimposed around the reference voltage Vref. The differential amplifier A2 amplifies the difference between those inputs and outputs the result as a differential voltage signal. Here, noise from the GND potential via the photodiode PD that appears in the output from the first-stage amplifier A11 also appears in the same phase in the output from the first-stage amplifier A12. Therefore, a signal from which the noise has been removed is output from the differential amplifier A2.
[0026]
The output from the differential amplifier A2 is further amplified by the differential amplifier A3, and the output differential voltage signals are compared with each other by the comparator CMP to be shaped into a differential rectangular signal. The differential output from the comparator CMP is made a single output in the buffer B and input to the output circuit 12.
[0027]
The output circuit 12 is a push-pull amplifier of a CMOS configuration using a power supply voltage Vcc input to a power input terminal P11 and a GND potential applied to a ground terminal P12 as power sources and including a PMOS transistor QP and an NMOS transistor QN. The output from the output circuit 12 inverts the output from the buffer B and becomes either the power supply voltage Vcc or the GND potential. Further, the output from the output circuit 12 becomes the output Vout at the output terminal P13.
[0028]
Power is supplied from the bias circuit 13 to the first-stage amplifiers A11 and A12, the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B. The power supply from the bias circuit 13 is controlled by the shutdown circuit 14. The shutdown circuit 14 controls power supply from the bias circuit 13 in response to a shutdown signal externally input to the shutdown input terminal P14.
[0029]
FIG. 3 is a block diagram showing a specific configuration of the bias circuit 13 and the shutdown circuit 14 in the optical receiving circuit 11 configured as described above. Parts corresponding to FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. Shown.
[0030]
The bias circuit 13 includes transistors Q10 to Q12 for controlling voltage supply to the first-stage amplifiers A11 and A12, and transistors Q1 to Q5 for controlling voltage supply to the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP and the buffer B. It is configured.
[0031]
The PMOS transistors Q11 and Q12 control whether to supply the power supply voltage Vcc to the first-stage amplifiers A11 and A12, respectively. The PMOS transistor Q10 controls ON / OFF of the PMOS transistors Q11 and Q12 in common. The NMOS transistors Q2, Q3, Q4, and Q5 control whether or not to supply power by connecting the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B to the GND potential, respectively. The NMOS transistor Q1 controls ON / OFF of the NMOS transistors Q2 to Q5 in common.
The drains of the PMOS transistors Q11 and Q12 are respectively connected to the high-level power supply inputs of the first-stage amplifiers A11 and A12, the sources are commonly supplied with the power supply voltage Vcc, and the gates are commonly connected to the drain of the PMOS transistor Q10. You. The source of the PMOS transistor Q10 is supplied with the power supply voltage Vcc, and the gate thereof is supplied with the output of the preceding inverter INV1 of the two-stage inverters INV1 and INV2 constituting the shutdown circuit 14.
[0032]
A low-level bias Pbias is applied to the drain of the PMOS transistor Q10, that is, the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12, via a not-shown pull-down resistor or the like. Both low-level power inputs of the first-stage amplifiers A11 and A12 are connected to the GND potential (not shown).
[0033]
The drains of the NMOS transistors Q2, Q3, Q4, and Q5 are respectively connected to the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the low-level power supply input of the buffer B, the sources are commonly connected to the GND potential, and the gates are commonly used. Connected to the drain of NMOS transistor Q1. The source of the NMOS transistor Q1 is connected to the GND potential, and the gate thereof is supplied with the output of the inverter INV2 at the subsequent stage of the shutdown circuit 14.
[0034]
A high-level bias Nbias is applied to the drain of the NMOS transistor Q1, that is, the gates of the NMOS transistors Q2, Q3, Q4, and Q5 via a pull-up resistor (not shown). A power supply voltage Vcc is applied to the high-level power supply inputs of the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B (not shown).
[0035]
Therefore, while the shutdown signal input to the shutdown input terminal P14 is at the low level, the output of the inverter INV1 is at the high level, the output of the inverter INV2 is at the low level, and both the PMOS transistor Q10 and the NMOS transistor Q1 are turned off. .
[0036]
When the PMOS transistor Q10 is turned off, the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12 are biased to a low level, the PMOS transistors Q11 and Q12 are turned on, and a desired constant current is supplied to the first-stage amplifiers A11 and A12.
[0037]
Similarly, when the NMOS transistor Q1 turns off, the gates of the NMOS transistors Q2 to Q5 are biased to a high level, the NMOS transistors Q2 to Q5 turn on, and the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP and the buffer B Is supplied.
[0038]
On the other hand, when the shutdown signal goes high, the output of the inverter INV1 goes low and the output of the inverter INV2 goes high, turning on both the PMOS transistor Q10 and the NMOS transistor Q1.
[0039]
When the PMOS transistor Q10 is turned on, the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12 go high, the PMOS transistors Q11 and Q12 are turned off, and a desired constant current is not supplied to the first-stage amplifiers A11 and A12.
[0040]
Similarly, when the NMOS transistor Q1 is turned on, the gates of the NMOS transistors Q2 to Q5 are biased to a low level, the NMOS transistors Q2 to Q5 are turned off, and a desired signal is supplied to the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP and the buffer B. No constant current is supplied.
[0041]
Thus, when the operation of the optical receiving circuit 11 is unnecessary, the shutdown signal is set to the high level, whereby the bias circuit 13 is shut down, whereby the bias current supplied to each internal circuit can be shut down. Thus, power consumption of the optical receiving circuit 11 can be reduced.
[0042]
However, in the optical receiving circuit 11 having the above-described configuration, the state in which the bias current flows inside the circuit continues while the shutdown signal is at the low level and the photodiode PD does not receive the optical signal. This will be described with reference to FIG. In FIG. 4, the first-stage amplifier A11 is provided as a transistor, and the shutdown means 13a is obtained by extracting a portion related to the voltage control of the first-stage amplifier A11.
[0043]
In FIG. 4, the gate of the PMOS transistor Q11 is biased by the Pbias voltage, and when the PMOS transistor Q10 is OFF, a desired bias current is supplied from the PMOS transistor Q11 to the transistor A11 as the first-stage amplifier (operation state). . When the PMOS transistor Q10 is ON, no current is supplied from the PMOS transistor Q11 to the transistor A11 (shutdown state).
[0044]
In the shutdown state, a high-level signal is input to the shutdown input terminal P14. At this time, the output of the inverter INV1 is at a low level, and the PMOS transistor Q10 is turned on. As a result, the PMOS transistor Q11 is turned off, no bias current is supplied to the transistor A11, and a shutdown state is realized.
[0045]
In the operation state, a low level signal is input to the shutdown input terminal P14. At this time, the output of the inverter INV1 is at the high level, and the PMOS transistor Q10 is turned off. As a result, the PMOS transistor Q11 turns ON, a desired bias current is supplied to the transistor A11, and the transistor A11 enters an operating state.
In the electronic device including the light receiving circuit 11, when the light receiving circuit 11 is changed from the shutdown state to the operating state (a state in which a signal from a partner device is received), a low-level signal is input to the shutdown input terminal P14. Is done. Until an optical signal is input from an external device connected to the electronic device including the optical receiving circuit 11 by a fiber cable, a bias current is generated inside the optical receiving circuit 11 in the electronic device in the operating state. It will be kept in the flowing state.
[0046]
For this reason, if no signal is output from the partner device connected to the electronic device, or if the fiber cable is not properly connected between these devices, a bias current flows inside the optical receiving circuit 11. The states are continuous, and wasteful power is consumed during that time.
[0047]
The present invention is characterized in that in a light receiving circuit having a shutdown function, power consumption due to a bias current in an operating state is suppressed, and further power saving is achieved. This feature will be described with reference to FIGS. 1 and 5, parts corresponding to the configurations shown in FIGS. 2 to 4 are denoted by the same reference numerals.
[0048]
FIG. 5 is a block diagram schematically showing a mechanism for supplying a bias current to the photodiode PD. FIG. 5 shows a configuration in which a signal detection unit 15 and a control unit 16 are added to the configuration of FIG. 4 described above.
[0049]
The signal detection unit 15 is connected to the cathode and the anode of the photodiode PD, and detects that an optical signal has been input from a partner device. The control unit 16 controls the shutdown unit 13a based on the output of the signal detection unit 15 and the input from the shutdown input terminal P14.
[0050]
That is, in the configuration of FIG. 4, the shutdown unit 13a switches between the shutdown state and the operation state by the shutdown signal from the shutdown input terminal P14. However, in the configuration of FIG. 5, the shutdown unit 13a performs the shutdown signal from the shutdown input terminal P14. In addition, the switching of the shutdown unit 13a is controlled by the output of the signal detection unit 15 as well.
[0051]
Specifically, the control unit 16 does not switch the shutdown unit 13a from the shutdown state to the operation state only when the shutdown signal from the shutdown input terminal P14 switches from the high level to the low level. When the reception of the signal is detected, the shutdown unit 13a is switched from the shutdown state to the operation state. As a result, the shutdown state of the shutdown unit 13a can be maintained until an optical signal is input from the partner device, and further power saving can be achieved.
[0052]
Further, a specific configuration of the optical receiving circuit including the signal detecting unit 15, the control unit 16, and the shutdown unit 13a will be described with reference to FIG. In the optical receiving circuit 1 of FIG. 1, the same components as those of the optical receiving circuit 11 of FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the detailed description thereof will be omitted.
[0053]
The signal detecting means 15 includes an NMOS transistor Q31 and a resistor R31, and the control means 16 includes an inverter INV3, an AND circuit 16a, and a latch circuit 16b. Further, the PMOS means Q10 and Q11 in the bias circuit 13 correspond to the shutdown means 13a in FIG.
Hereinafter, the circuit operation in FIG. 1 will be described.
[0054]
In the signal detecting means 15, the gate of the NMOS transistor Q31 is connected to the anode of the photodiode PD, and the source is connected to the cathode of the photodiode PD.
[0055]
When an optical signal is input to the photodiode PD in a state where the bias current Ibias from the PMOS transistor Q11 in the shutdown unit 13a is not flowing, an open voltage is generated in the cathode voltage of the photodiode PD. Its voltage is on the order of -0.5 volts.
[0056]
At this time, a forward voltage is applied between the gate and the source of the NMOS transistor Q31, whereby the NMOS transistor Q31 is turned on, and the output of the signal detection means 15 indicated by a point A in FIG.
[0057]
When the electronic device including the optical receiving circuit 1 in FIG. 1 attempts to return from the shutdown state to the operation state and a low-level shutdown signal is input to the shutdown input terminal P14, the shutdown signal is inverted to a high level by the inverter INV1. You. The shutdown signal inverted by the inverter INV1 is input to the gate of the PMOS transistor Q10 via the AND circuit 16a and the latch circuit 16b of the control unit 16.
[0058]
However, even when a low-level shutdown signal is input to the shutdown input terminal P14, the output of the signal detection unit 15 maintains a high level until an optical signal is input from the partner device. During this time, the output of the inverter INV3 is at the low level, and the output of the AND circuit 16a is kept at the low level. Therefore, the PMOS transistor Q10 in the shutdown means 13a is kept on, the PMOS transistor Q11 is kept off, and the light receiving circuit 1 is The shutdown state will be maintained.
[0059]
Here, when an optical signal is input from the partner device, as described above, the NMOS transistor Q31 of the signal detection unit 15 is turned on, and the output (point A) of the signal detection unit 15 becomes low level. Accordingly, the output of the inverter INV3 goes high, and if a high-level shutdown signal is input to the other terminal of the AND circuit 16a, the output of the AND circuit 16a goes high.
[0060]
As a result, the PMOS transistor Q10 in the shutdown means 13a is turned off and the transistor Q11 is turned on, a bias current flows through the transistor A11 which is the first-stage amplifier, and the light receiving circuit 1 is activated.
[0061]
The latch circuit 16b in the control means 16 changes the output of the signal detection means 15 from the low level to the high level after the output of the signal detection means 15 changes from the high level to the low level and the output of the AND circuit 16a changes to the high level. This is necessary to prevent the shutdown means 13a from again entering the shutdown state.
[0062]
Further, by configuring the optical receiving circuit 1 having the above-described configuration in a monolithic integrated circuit, it is advantageous for downsizing and space saving in an electronic device including the optical receiving circuit 1.
[0063]
Further, in the optical communication circuit according to the present embodiment, by using MOS transistors for the configuration of the shutdown means, the signal detection means, and the control means, only the circuit composed of bipolar transistors when driven by a low power supply voltage can be used. Therefore, operation at a lower power supply voltage becomes possible.
[0064]
【The invention's effect】
As described above, the light receiving circuit of the present invention includes a shutdown unit that shuts off power supply to an internal circuit, a signal detection unit that detects reception of an optical signal in the conversion unit, and a shutdown signal that is input from the outside. Control means for controlling the shutdown means based on the output of the signal detection means, wherein the control means outputs the signal when the shutdown signal indicates an operation state of the shutdown means. When the detecting means detects the reception of the optical signal by the converting means, control is performed to switch the shutdown means from the shutdown state to the operating state.
[0065]
Therefore, even if a shutdown signal instructing the operation state of the shutdown unit is input, the shutdown state is maintained by the control unit until the signal detection unit detects the reception of the optical signal by the conversion unit. As a result, even after the shutdown signal indicates the operation state of the shutdown unit, the bias current and the like in the internal circuit can be suppressed while no optical signal is input from the partner device, and further power saving can be achieved. This has the effect of realizing the effect.
[0066]
In the light receiving circuit, the conversion unit is a photodiode, and the signal detection unit detects an open voltage of the photodiode when the photodiode receives an optical signal in a shutdown state, and outputs a detection signal. It can be configured to output.
[0067]
Therefore, since the open-circuit voltage of the photodiode is detected, it is not necessary to separately prepare a photodiode for detecting a signal, which is advantageous in reducing the size of the circuit.
[0068]
Further, in the above-mentioned optical receiving circuit, the above-mentioned signal detecting means may be configured to include a MOS transistor and a resistor.
[0069]
Therefore, the use of a MOS transistor and a resistor for the signal detection means has an effect that the circuit can be easily configured with a simple configuration.
[0070]
Further, in the optical receiving circuit, the control unit includes an AND circuit that receives the shutdown signal and the output of the signal detection unit, and a latch circuit that holds an output of the AND circuit. Can be.
[0071]
Further, in the above-described optical receiving circuit, the optical receiving circuit may be configured to be configured on a monolithic integrated circuit.
[0072]
Therefore, in the electronic device provided with the light receiving circuit, there is an effect that it is advantageous for miniaturization and space saving.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 illustrates one embodiment of the present invention, and is a circuit diagram illustrating an electrical configuration of an optical receiving circuit.
FIG. 2 is a circuit block diagram showing an electrical configuration of an optical receiving circuit in Japanese Patent Application No. 2002-17626, which is a prior application of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing an electrical configuration of an optical receiving circuit in Japanese Patent Application No. 2002-17626.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific configuration in the vicinity of a first-stage amplifier section of an optical receiving circuit in Japanese Patent Application No. 2002-17626.
FIG. 5 is a circuit block diagram illustrating a schematic configuration in the vicinity of a first-stage amplifier section of the optical receiving circuit according to the present invention.
FIG. 6 is a block diagram illustrating a configuration of a conventional optical receiving device.
[Explanation of symbols]
1 Optical receiving circuit
13 Bias circuit
13a Shutdown means
15 Signal detection means
16 control means
16a AND circuit
16b latch circuit
PD photodiode (conversion means)
Q31 NMOS transistor (MOS transistor in signal detection means)
R31 resistance (resistance in signal detection means)

Claims (6)

光信号を電気信号に変換する変換手段を備えた光受信回路において、
内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン手段と、
上記変換手段における光信号の受信を検知する信号検知手段と、
外部から入力されるシャットダウン信号と上記信号検知手段の出力とに基づいて、上記シャットダウン手段を制御する制御手段とを備えており、
上記制御手段は、上記シャットダウン信号がシャットダウン手段の動作状態を指示するものである場合に、上記信号検知手段が上記変換手段における光信号の受信を検知した時に、上記シャットダウン手段をシャットダウン状態から動作状態に切り替える制御を行うことを特徴とする光受信回路。
In an optical receiving circuit including a conversion unit that converts an optical signal into an electric signal,
Shutdown means for cutting off power supply to the internal circuit;
Signal detection means for detecting reception of the optical signal in the conversion means,
Control means for controlling the shutdown means based on an externally input shutdown signal and an output of the signal detection means,
The control means, when the shutdown signal indicates the operation state of the shutdown means, when the signal detection means detects the reception of the optical signal in the conversion means, the control means changes the shutdown means from the shutdown state to the operation state. An optical receiving circuit for performing control for switching to the optical receiving circuit.
上記変換手段はフォトダイオードであり、
上記信号検知手段は、シャットダウン状態時に上記フォトダイオードが光信号を受信すると、該フォトダイオードの開放電圧を検知して検知信号を出力することを特徴とする請求項1に記載の光受信回路。
The conversion means is a photodiode,
2. The light receiving circuit according to claim 1, wherein the signal detecting means detects an open circuit voltage of the photodiode and outputs a detection signal when the photodiode receives an optical signal in a shutdown state.
上記信号検知手段は、MOSトランジスタ及び抵抗からなることを特徴とする請求項2に記載の光受信回路。3. The optical receiving circuit according to claim 2, wherein said signal detecting means comprises a MOS transistor and a resistor. 上記制御手段は、上記シャットダウン信号と上記信号検知手段の出力とを入力とするアンド回路と、上記アンド回路の出力を保持するラッチ回路とを含むことを特徴とする請求項1に記載の光受信回路。2. The optical receiver according to claim 1, wherein the control unit includes an AND circuit that receives the shutdown signal and an output of the signal detection unit as inputs, and a latch circuit that holds an output of the AND circuit. circuit. モノリシック集積回路上に構成されたものであることを特徴とする請求項1ないし4の何れかに記載の光受信回路。5. The optical receiving circuit according to claim 1, wherein the optical receiving circuit is configured on a monolithic integrated circuit. 請求項1ないし5の何れかに記載の光受信回路を備えたことを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the optical receiving circuit according to claim 1.
JP2002299574A 2002-10-11 2002-10-11 Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same Withdrawn JP2004135188A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002299574A JP2004135188A (en) 2002-10-11 2002-10-11 Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002299574A JP2004135188A (en) 2002-10-11 2002-10-11 Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004135188A true JP2004135188A (en) 2004-04-30

Family

ID=32288667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002299574A Withdrawn JP2004135188A (en) 2002-10-11 2002-10-11 Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004135188A (en)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008126755A1 (en) 2007-04-05 2008-10-23 Omron Corporation Optical transmission module and electronic device
JP2009025839A (en) * 2008-10-24 2009-02-05 Hitachi Cable Ltd Photoelectric complex wiring component and electronic apparatus using same
JP2009033378A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Panasonic Corp Optical receiver
JP2011530949A (en) * 2008-08-13 2011-12-22 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Multi-IF / RAT layer restriction reporting
JP2012074794A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Yazaki Corp Signal transmission device
US8508396B2 (en) 2008-07-23 2013-08-13 Omron Corporation Signal processing device, signal processing method, reception device, transmission/reception device, communication module, and electronic device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008126755A1 (en) 2007-04-05 2008-10-23 Omron Corporation Optical transmission module and electronic device
JPWO2008126755A1 (en) * 2007-04-05 2010-07-22 オムロン株式会社 Optical transmission module and electronic device
JP2009033378A (en) * 2007-07-26 2009-02-12 Panasonic Corp Optical receiver
US8508396B2 (en) 2008-07-23 2013-08-13 Omron Corporation Signal processing device, signal processing method, reception device, transmission/reception device, communication module, and electronic device
JP2011530949A (en) * 2008-08-13 2011-12-22 テレフオンアクチーボラゲット エル エム エリクソン(パブル) Multi-IF / RAT layer restriction reporting
JP2009025839A (en) * 2008-10-24 2009-02-05 Hitachi Cable Ltd Photoelectric complex wiring component and electronic apparatus using same
JP4659082B2 (en) * 2008-10-24 2011-03-30 日立電線株式会社 Opto-electric composite wiring component and electronic device using the same
JP2012074794A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Yazaki Corp Signal transmission device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI411231B (en) Hybrid on-chip regulator for limited output high voltage
US7268623B2 (en) Low voltage differential signal driver circuit and method for controlling the same
US7391269B2 (en) Amplifying circuit
JPH11261400A (en) Power consumption suppressing circuit
US6741130B2 (en) High-speed output transconductance amplifier capable of operating at different voltage levels
JP2004135188A (en) Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same
US8558581B2 (en) Analog rail-to-rail comparator with hysteresis
US5721500A (en) Efficient CMOS amplifier with increased transconductance
JP2008035560A (en) High-frequency switching circuit
US7019578B2 (en) Input circuit
US5880637A (en) Low-power operational amplifier having fast setting time and high voltage gain suitable for use in sampled data systems
RU2468509C2 (en) Controlled input receiving device for low-power high-speed interface
US6686794B1 (en) Differential charge pump
WO2004086456A3 (en) Low power implementation for input signals of integrated circuits
EP1133055A2 (en) Receiver with switched current feedback for controlled hysteresis
CN110896338B (en) Clock transmission module and network transmission method
JP2011061289A (en) Input buffer circuit
JP2003229748A (en) Analog switch circuit
JP3805688B2 (en) Optical communication circuit chip and electronic device including the same
JP2006173889A (en) Level shift circuit
US20030190899A1 (en) Receiving section of a telephone
JP2005130173A (en) Optical receiving circuit and electronic apparatus provided with the same
KR101433027B1 (en) Splitter
US6590431B1 (en) Maintaining substantially constant trans-conductance without substantially changing power consumption
JP2005354279A (en) Semiconductor switch circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060110