JP3805688B2 - Optical communication circuit chip and electronic device including the same - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気信号を光信号に変換して伝送する光ファイバリンクに用いられる光通信回路チップと、それを備える電子機器とに関する。
【0002】
【従来の技術】
前記光ファイバリンクは、送信側で電気信号を光信号に変換して伝送し、受信側では受信した光信号を電気信号に再変換することで、音声信号や映像信号等の複数チャネルの信号を1本の光ファイバで手軽に高速伝送できることから、前記光通信回路チップを搭載したデジタル機器の普及に伴って、近年、一般家庭にも広く普及してきている。たとえば、DVD(デジタルビデオディスク)プレーヤ、デジタル放送のSTB(セットトップボックス)およびCD(コンパクトディスク)プレーヤから、MD(ミニディスク)プレーヤやアンプ等への信号伝送などである。また、最近では、パーソナルコンピュータ等のパーソナルな携帯機器に音楽信号を伝送することも広く普及してきている。さらにまた、前記光ファイバリンクは、電気的に絶縁が必要な箇所での信号伝送用としても使用される。
【0003】
一方、前記デジタル機器で、特に携帯可能な機器では、バッテリ動作時間を左右する消費電力の低減が常に要求されている。このため、光通信回路には、従来では、図19に示すような構成が用いられている。すなわち、図示しない電源から光通信回路1への間にはシャットダウン機能を備えるレギュレータIC2が介在され、該レギュレータIC2は、シャットダウン入力端子P1に入力されるシャットダウン信号に応答して、前記図示しない電源から電源入力端子P2に入力される電源電圧Vccを、電源出力端子P3から前記光通信回路1へ出力するか否かを制御する。
【0004】
これによって、前記光通信回路1の動作が不要な時には、前記シャットダウン入力端子P1にシャットダウン信号を入力することによって、レギュレータIC2の出力をシャットダウンし、低消費電力化を実現している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、専用のレギュレータIC2を設けると、回路基板のスペースを占有し、小型化に不利であり、またコスト面でも不利である。
【0006】
本発明の目的は、省電力化のためのシャットダウン制御を実現するにあたって、基板スペースやコストを削減することができる光通信回路チップおよびそれを備える電子機器を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の光通信回路チップは、電気信号を光信号に変換して通信する光通信回路チップにおいて、シャットダウン入力端子と、内部回路と、シャットダウン回路とを備え、前記シャットダウン回路は、外部から前記光通信回路チップのシャットダウン入力端子に入力されるシャットダウン信号に応答して、前記内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン回路を備え、前記内部回路への電源供給を行うバイアス回路は、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジスタを備えて構成され、前記シャットダウン回路は、前記複数の第1のMOSトランジスタを極性によって区分し、それぞれを纏めて制御する第2のMOSトランジスタを備え、前記第2のMOSトランジスタは、前記第1のMOSトランジスタのゲートを制御すると共に、前記シャットダウン回路は、前記シャットダウン信号に応答して、前記第2のMOSトランジスタを駆動する制御回路とを備えて構成されることを特徴とする。
【0008】
上記の構成によれば、受光素子および該受光素子で受信した信号の増幅や波形整形などの処理を行う信号処理回路、または発光素子および送信信号を増幅して該発光素子に与える駆動回路などを備えて構成される光通信回路チップにおいて、対応するジャックに光ファイバ等の伝送媒体のプラグが装着されているか否かやユーザ操作等に応じて外部の制御回路などから入力されるシャットダウン信号に応答して、シャットダウン回路は、前記受光素子や信号処理回路などの内部回路への電源供給を行うか否かを制御する。
【0009】
したがって、省電力化のためのシャットダウン制御を実現するにあたって、光通信回路チップ内にシャットダウン回路を内蔵することで、別途にレギュレータICを用いる場合に比べて、基板スペースやコストを削減することができる。
【0010】
また、本発明の光通信回路チップでは、前記内部回路への電源供給を行うバイアス回路は、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジスタを備えて構成され、前記シャットダウン回路は、前記第1のMOSトランジスタのゲートを制御する第2のMOSトランジスタと、前記シャットダウン信号に応答して、前記第2のMOSトランジスタを駆動する制御回路とを備えて構成されることを特徴とする。
【0011】
上記の構成によれば、前記受光素子や信号処理回路などの内部回路への電源供給を行うバイアス回路において、通常、ダイオード構造となっており、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジスタを、極性などで区分して、1または複数のその第1のMOSトランジスタを第2のMOSトランジスタによって纏めて駆動する。
【0012】
したがって、前記第1および第2のトランジスタをバイポーラトランジスタで構成した場合は、シャットダウン時にONする側のトランジスタにベース電流を供給する必要があるのに対して、MOSトランジスタとすることで、そのような不要な電流が流れることはなく、より低消費電力化することができる。
【0013】
さらにまた、本発明の光通信回路チップは、出力段の回路がMOSトランジスタで構成されることを特徴とする。
【0014】
上記の構成によれば、前記出力段の回路をバイポーラトランジスタで構成した場合、その出力信号の振幅範囲を大きくとるためにオープンコレクタ形式にし、プルアップ抵抗を外付けして、さらに出力信号の応答を速くするためには前記プルアップ抵抗の値を小さくする必要があり、そのためプルアップ抵抗を流れる負荷電流が増加してしまうのに対して、MOSトランジスタで構成することで、前記負荷電流の増大を招くことはなく、充分な応答速度を低消費電力で実現することができる。
【0015】
また、本発明の電子機器は、前記の何れかの光通信回路チップを備えることを特徴とする。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図1〜図11に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0017】
図1は、本発明の実施の一形態の光通信回路チップである光受信回路11の電気的構成を示すブロック図である。この光受信回路11は、フォトダイオードPDを含めて1チップにモノリシック形成されている。この光受信回路11は、大略的に、前記フォトダイオードPDと、ダミー容量CDと、初段アンプA11,A12と、差動アンプA2,A3と、コンパレータCMPと、バッファBと、出力回路12と、バイアス回路13と、シャットダウン回路14とを備えて構成される。
【0018】
前記フォトダイオードPDは対応する初段アンプA11によってバイアスされ、該フォトダイオードPDからの受信した光信号に対応した電流は、初段アンプA11の抵抗R11によって電圧に変換され、該初段アンプA11から低インピーダンスで出力される。また、前記ダミー容量CDは前記フォトダイオードPDの寄生容量に等しく形成され、該ダミー容量CDを流れる電流は、前記初段アンプA11と同様の構成の初段アンプA12および抵抗R12によって電圧に変換され、低インピーダンスで出力される。
【0019】
初段アンプA11,A12からの出力は、結合コンデンサC1,C2によって交流結合されている差動アンプA2のそれぞれの入力に与えられる。前記差動アンプA2のそれぞれの入力にはまた、プルアップ抵抗R21,R22を介して基準電圧Vrefが与えられる。したがって、該差動アンプA2のそれぞれの入力は、前記基準電圧Vrefを中心として、前記初段アンプA11,A12からの出力の交流成分が重畳された値となり、該差動アンプA2は、それらの入力の差分を増幅して、差動の電圧信号で出力する。ここで、初段アンプA11からの出力に現れるフォトダイオードPDを介するGND電位からのノイズは、初段アンプA12からの出力にも同相で現れ、したがってこの差動アンプA2からは、前記ノイズを除去した信号が出力される。
【0020】
前記差動アンプA2からの出力は、さらに差動アンプA3で増幅され、その出力の差動の電圧信号はコンパレータCMPで相互に比較され、差動で矩形の信号に整形される。コンパレータCMPからの差動の出力は、バッファBにおいて単一出力とされて、出力回路12に入力される。
【0021】
前記出力回路12は、電源入力端子P11に入力される電源電圧Vccと、接地端子P12に与えられるGND電位とを電源とし、PMOSトランジスタQPとNMOSトランジスタQNとから成るCMOS構成のプッシュプルアンプであり、出力端子P13への出力Voutは、前記バッファBからの出力を反転して、かつ前記電源電圧VccまたはGND電位の何れかとなる。
【0022】
前記初段アンプA11,A12、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBには、バイアス回路13から電源供給が行われる。そのバイアス回路13が電源供給を行うか否かは、外部からシャットダウン入力端子P14に入力されるシャットダウン信号に応答して、シャットダウン回路14によって制御される。
【0023】
図2は、上述のように構成される光受信回路11において、前記バイアス回路13およびシャットダウン回路14の具体的構成を示すブロック図であり、図1に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。バイアス回路13は、前記初段アンプA11,A12にそれぞれ電源電圧Vccを供給するか否かを制御するPMOSトランジスタQ11,Q12と、それらのPMOSトランジスタQ11,Q12を共通に制御するPMOSトランジスタQ10と、前記差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBをそれぞれGND電位に接続して電源供給を行うか否かを制御するNMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5と、それらのNMOSトランジスタQ2〜Q5を共通に制御するNMOSトランジスタQ0とを備えて構成される。
【0024】
前記PMOSトランジスタQ11,Q12のドレインはそれぞれ初段アンプA11,A12のハイレベル側の電源入力に接続され、ソースには共通に電源電圧Vccが与えられ、ゲートは共通にPMOSトランジスタQ10のドレインに接続される。PMOSトランジスタQ10のソースには電源電圧Vccが与えられ、ゲートには前記シャットダウン回路14を構成する2段のインバータINV1,INV2の内、前段側のインバータINV1の出力が与えられる。前記PMOSトランジスタQ10のドレイン、すなわちPMOSトランジスタQ11,Q12のゲートにはまた、図示しないプルダウン抵抗等を介して、ローレベルのバイアスPBIASが与えられる。前記初段アンプA11,A12のローレベル側の電源入力は、共にGND電位に接続される(図示せず)。
【0025】
前記NMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5のドレインは差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBのローレベル側の電源入力にそれぞれ接続され、ソースは共通にGND電位に接続され、ゲートは共通にNMOSトランジスタQ0のドレインに接続される。NMOSトランジスタQ0のソースはGND電位に接続され、ゲートには前記シャットダウン回路14の後段側のインバータINV2の出力が与えられる。前記NMOSトランジスタQ0のドレイン、すなわちNMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5のゲートにはまた、図示しないプルアップ抵抗等を介して、ハイレベルのバイアスNBIASが与えられる。前記差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBのハイレベル側の電源入力には、共に電源電圧Vccが与えられる(図示せず)。
【0026】
したがって、前記シャットダウン信号がローレベルである間は、インバータINV1の出力がハイレベルとなってPMOSトランジスタQ10がOFFし、これによってPMOSトランジスタQ11,Q12のゲートがローレベルにバイアスされ、該PMOSトランジスタQ11,Q12はONし、初段アンプA11,A12へは所望の定電流が供給される。同様に、前記シャットダウン信号がローレベルであると、インバータINV2の出力がローレベルとなってNMOSトランジスタQ0がOFFし、これによってNMOSトランジスタQ2〜Q5のゲートがハイレベルにバイアスされ、該NMOSトランジスタQ2〜Q5はONし、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBへは所望の定電流が供給される。
【0027】
これに対して、前記シャットダウン信号がハイレベルになると、インバータINV1の出力がローレベルとなってPMOSトランジスタQ10がONし、これによってPMOSトランジスタQ11,Q12のゲートがハイレベルとなり、該PMOSトランジスタQ11,Q12はOFFし、初段アンプA11,A12へ所望の定電流が供給されない。同様に、前記シャットダウン信号がハイレベルになると、インバータINV2の出力がハイレベルとなってNMOSトランジスタQ0がONし、これによってNMOSトランジスタQ2〜Q5のゲートがローレベルとなり、該NMOSトランジスタQ2〜Q5はOFFし、差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBへ所望の定電流が供給されない。
【0028】
こうして、該光受信回路11の動作が不要なときはシャットダウン信号をハイレベルとすることで、バイアス回路13をシャットダウンし、それによって各内部回路に供給されていたバイアス電流をシャットダウンすることができる。これによって、光受信回路11の低消費電力化を図ることができる。たとえば、光受信回路11の通常動作時の消費電流は、平均で2mAであり、シャットダウン時には、最大で1μAである。これによって、たとえば携帯電話の端末に500mAHのバッテリを搭載した場合に、待受け時間を250時間から300時間に拡大することができる。
【0029】
そして、そのような省電力化のためのシャットダウン制御を実現するにあたって、光受信回路11のチップ内にシャットダウン制御回路14および制御用のMOSトランジスタQ10,Q0を内蔵することで、図示しないメインのレギュレータおよび平滑コンデンサから直接電源供給を行うことができ、シャットダウン制御用のレギュレータICおよびその平滑コンデンサを途中に介在する場合に比べて、たとえば実装面積を16%削減することができ、コストを削減することができる。また、動作時の消費電流を、前記シャットダウン制御用のレギュレータICおよびその平滑コンデンサによる消費電流がなくなることから、たとえば平均で、12mAから前記2mAの1/6に削減することができる。この場合、Vcc=1.5Vとすると、消費電力は3mWである。
【0030】
また、前記バイアス回路13では、通常、ダイオード構造とされ、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジスタであるMOSトランジスタQ11,Q12;Q2〜Q5を、極性で区分して、複数のそのMOSトランジスタQ11,Q12;Q2〜Q5を、それぞれ第2のMOSトランジスタであるMOSトランジスタQ10,Q0で纏めて制御するので、前記トランジスタQ11,Q12;Q2〜Q5をバイポーラトランジスタで構成した場合は、シャットダウン時にONする側のトランジスタQ10,Q0にベース電流を供給する必要があるのに対して、MOSトランジスタとすることで、ゲートに電圧を印加するだけでよく、そのような不要な電流が流れることはなく、より低消費電力化することができる。
【0031】
さらにまた、出力回路12をバイポーラトランジスタで構成した場合には、その出力Voutの振幅範囲を大きくとるためにオープンコレクタ形式にし、プルアップ抵抗を外付けして、さらに出力Voutの応答を速くするためには、前記バイポーラトランジスタの寄生容量もしくは負荷容量と前記プルアップ抵抗とのCR時定数を小さくするために前記プルアップ抵抗の値を小さくする必要があり、そのためプルアップ抵抗を流れる負荷電流が増加してしまうのに対して、MOSトランジスタQP,QNで構成することで、該MOSトランジスタの応答はON抵抗によって決定されるので、前記負荷電流が増大することはなく、充分な応答速度を低消費電力で実現することができる。
【0032】
このように本発明では、前記アンプA11,A12,A2,A3、コンパレータCMPおよびバッファB等のバイポーラプロセスに、MOSのプロセスを追加したBiCMOSのプロセスを採用し、前記MOSトランジスタQ11,Q12,Q10:Q2〜Q5,Q0を作成している。
【0033】
図3〜図6は、上述のように構成される光受信回路11のチップを搭載する光電気共用伝送装置21の一例を示す図である。図3は平面図であり、図4は図3の切断面線A−Aから見た断面図であり、図5は前記光受信回路11のチップを搭載するモジュール22の正面図である。前記モジュール22は、この光電気共用伝送装置21において、プラグ23の挿入口24とは反対側に設けられ、前記光受信回路11のチップがプラグ23の頭部に対向する。
【0034】
図6は、前記プラグ23の有無およびその種別検知の様子を示す図である。プラグ23は、単頭式の、いわゆるオーディオ用のステレオミニプラグPL1を基本として作成されている。このプラグPL1では、頭部PL1aがLチャネルの信号用となっており、それに連なる短胴部PL1bがRチャネルの信号用となっており、さらにそれに連なる長胴部PL1cがLR共用のGND用となっており、電線を介してアナログのオーディオ信号を伝送する。
【0035】
これに対して、電線を介してデジタルのオーディオ信号を伝送するプラグPL2は、頭部PL2aが+信号用となっており、それに連なる短胴部PL2bが−信号用となっており、さらにそれに連なる短胴部PL2cがGND用となっており、さらにそれに連なる短胴部PL2dが絶縁となっている。
【0036】
また、光ファイバを介してデジタルのオーディオ信号を伝送するプラグPL3は、頭部PL3aが金属となっており、それに連なる長胴部PL3bが絶縁となっており、筒状のこれらの内部を光ファイバが連通しており、その端面が前記頭部PL3aの先端から露出している。
【0037】
前記光電気共用伝送装置21は、大略的に、内部に前記挿入口24を有する筒状の保持体25と、前記モジュール22とを備えて構成される。前述のように、挿入口24の先端にモジュール22が設けられ、そのモジュール22には、前記光受信回路11のチップの周縁部から外部に引出される4つの端子26a,26b,26c,26dが設けられている。そして、前記チップの各端子P11,P12,P13,P14とこれらの端子26a,26b,26c,26dとがボンディングワイヤ27によってそれぞれ電気的に接続され、端子26aは電源電圧Vccの入力端子となり、端子26bは接地電位GNDの入力端子となり、端子26cは出力信号Voutの出力端子となり、端子26dはシャットダウン信号の入力端子となる。
【0038】
前記モジュール22は、前記光受信回路11のチップがGND電位の端子26bに連なるフレーム26eに搭載された後、各端子26a,26b,26c,26dと該チップとをワイヤボンディングによって内部接続の後、透光性樹脂を用いて金型成形することで作成され、前記各端子26a,26b,26c,26dが一体成形されている。たとえば、前記光受信回路11のチップサイズは1.3mm角であり、端子26a,26b,26c,26dの端子幅は0.4mmである。
【0039】
一方、前記保持体25では、前記挿入口24の内周面から外部へ、電気接続用の端子28a,28b,28c,28d,28e,28fが形成されている。端子28a,28b,28cは、オーディオ信号の伝送用で、前記プラグPL1,PL2に対応し、該プラグPL1,PL2が挿入口24内に嵌着されると、端子28a,28b,28cはそれぞれ各部PL1a,PL2a;PL1b,PL2b:PL1c,PL2cに電気的に導通する。
【0040】
これに対して、端子28d,28e,28fは、プラグ23の挿入の有無およびプラグ23の種別の判定用の端子であり、この光電気共用伝送装置21の外部において、端子28dはプルアップ抵抗R1を介して基準電圧Vrefに接続され、端子28eはGNDに接続され、端子28fはプルアップ抵抗R2を介して基準電圧Vrefに接続される。また、前記端子28cも、外部においてプルアップ抵抗R3を介して基準電圧Vrefに接続される。さらにまた、端子28eは可動接点28gとなっており、前記端子28dに連なる固定接点28hとスイッチを形成し、プラグ23が装着されていると該プラグ23に押圧されて前記可動接点28gは固定接点28hに接触し、未装着では離反している。
【0041】
したがって、前記各プルアップ抵抗R1,R2,R3を介して基準電圧Vrefに接続される各端子28d,28f,28cの電位をそれぞれV1,V2,V3とすると、図6で示すように、接点28g,28hが導通することで電位V1がローレベル、端子28f,28cと端子28eとの間が長胴部PL1cで導通することで電位V2,V3もローレベルの総てローレベルとなると、アナログ電気信号用のプラグPL1が装着されていると判定することができる。また、接点28g,28hが導通することで電位V1がローレベル、端子28fが短胴部PL2dで絶縁されることで電位V2がハイレベル、端子28cと端子28eとの間が短胴部PL2cで導通することで電位V3がローレベルとなると、デジタル電気信号用のプラグPL2が装着されていると判定することがでる。さらにまた、接点28g,28hが導通することで電位V1がローレベル、端子28f,28cと端子28eとの間が長胴部PL3bで絶縁されることで電位V2,V3がハイレベルとなると、光デジタル信号用のプラグPL3が装着されていると判定することがでる。また、接点28g,28hが遮断することで電位V1がハイレベル、端子28f,28cと端子28eとの間が開放していることで電位V2,V3もハイレベルの総てハイレベルとなると、何れのプラグPL1〜PL3も装着されていないと判定することがでる。
【0042】
こうして、電気式アナログ、電気式デジタルおよび光デジタルの何れのプラグPL1〜PL3を使用しても、それらのプラグPL1〜PL3が装着されているか否かおよび装着されている場合にはその種別を判定し、何れの信号にも共用可能であることが理解される。
【0043】
ここで、上述の説明では、前記光電気共用伝送装置21に設けられるモジュール22に搭載されるチップは光受信回路11を例に説明しているけれども、光送信回路であってもよい。その場合のモジュール32の例を、図7で示す。前記モジュール32は、発光素子LEDと、その発光素子LEDを駆動し、前記シャットダウン回路を搭載する駆動回路33とを備えて構成される。前記発光素子LEDのチップが電源電圧Vccの入力端子36aに連なるフレーム36eに搭載され、駆動回路33のチップがGND電位の端子36bに連なるフレーム36fに搭載され、前記電源電圧Vccの入力端子36a、GND電位の端子36b、入力信号Vinの入力端子36cおよび/またはシャットダウン信号の入力端子36dと前記チップとがボンディングワイヤ37によってそれぞれ電気的に接続された後、透光性樹脂を用いて金型成形される。
【0044】
図8〜図11は、それぞれシャットダウン制御の態様を示す図である。これらの例では、光電気共用伝送装置21として、前述の光受信回路11のチップを使用しているけれども、上記発光素子LEDと駆動回路33とのチップであっても同様である。図8〜図10の例は、前記図6から、光受信回路11へは、光デジタル信号のプラグPL3が装着されることで、前記電位V1がローレベルであり、かつ電位V3がハイレベルであるときにのみ電源供給を行えばよく、残余の場合はシャットダウン動作を行えばよいことに着目した例である。すなわち、前記電位V1,電位V3を、プラグの挿入有無検出手段およびプラグの種別検出手段として使用するものである。
【0045】
図8の例は、光電気共用伝送装置21の外部に、シャットダウンの要否を判定する制御回路として、簡単な論理回路41を設けた例であり、該論理回路41は、インバータ42と、OR回路43とで構成されている。前記電位V1は、直接OR回路43の一方の入力に与えられ、OR回路43の他方の入力には、前記電位V3がインバータ42で反転された後、入力される。したがって、インバータ43から前記端子26dに与えられるシャットダウン信号SDは、OR回路43の2つの入力が共にローレベル、すなわち前記電位V1がローレベルであり、かつ電位V3がハイレベルであるときにのみローレベルとなり、残余の場合はハイレベルとなる。
【0046】
こうして、簡単な論理回路41を付加するだけで、プラグ23が挿入されており、かつそれが光デジタル信号のプラグPL3である場合にのみ電源供給を行い、プラグ23が挿入されていない場合、および挿入されていても電気プラグPL1,PL2である場合は電源供給を遮断するシャットダウン制御を行うことができる。
【0047】
また、図9の例は、シャットダウンの要否を判定する内部判定回路としての機能を有する光受信回路11aを用いる例である。すなわち、この光受信回路11a内には、前記論理回路41のような回路がさらに設けられており、該光受信回路11aには、前記プラグの挿入有無検出手段およびプラグの種別検出手段としての電位V1,電位V3をそれぞれ入力するために、シャットダウン信号の入力端子として、2つの端子26d1,26d2を備える。
【0048】
これによって、光電気共用伝送装置21aの内部での判定によって、適切にシャットダウン制御を行うことができるとともに、内部で簡単な論理処理で制御を行うので、外部のマイクロコンピュータ等にソフト的な負担を与えることなくシャットダウン制御を行うことができる。
【0049】
さらにまた、図10の例は、光電気共用伝送装置21の外部に、シャットダウンの要否を判定する制御回路44を設ける例であり、その制御回路44としては、デジタル信号処理のために設けられているマイクロコンピュータまたはデジタルシグナルプロセッサ(DSP)を兼用することができる。前記制御回路44には、前記プラグの挿入有無検出手段およびプラグの種別検出手段としての電位V1,電位V3が入力され、これに対応して前記光受信回路11の端子26dにシャットダウン信号SDを出力する。
【0050】
これによって、前記論理回路41のような専用の回路を別途に設けることなくシャットダウン制御を行うことができる。また、プラグの挿入の有無および種別の判定の後、所定の遅延時間経過後にシャットダウンを解除するなどの制御が可能になる。
【0051】
また、図11の例は、前記図10の例と同様に、外部に設けられているデジタル信号処理のためのマイクロコンピュータまたはDSPを兼用した制御回路45を用いるとともに、その制御回路45がキー操作回路46への操作に応答してシャットダウンの要否を判定し、制御を行う例である。
【0052】
これによって、たとえば携帯電話の端末に、デジタルオーディオ機器からオーディオデータをダウンロードする場合のように、録音状態としてから光受信回路11に電源供給を行うような制御を実現でき、機器の動作状態に応じたシャットダウン制御を行うことができる。なお、前記制御回路45に前記電位V1,電位V3を入力して、前記外部操作と、挿入検知および種別検知の結果とを合わせて、より詳細にシャットダウン制御を行うようにしてもよいことは言うまでもない。
【0053】
本発明の実施の他の形態について、図12および図13に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0054】
図12は前述の光受信回路11を搭載する本発明の実施の他の形態の光伝送装置51の正面図であり、図13はその側面図である。図12および図13において、前述の図3〜図5に対応する部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略する。この光伝送装置51はディジタル・オーディオインターフェース規格RC−5720Bに準拠する角型の光伝送装置であり、光受信回路11を収納保持する保持体52には略角型の挿入口53が形成されており、前記光受信回路11はこの挿入口53の後部に配置される。前記角型の挿入口53において相互に対向する一対の内周面(図12および図13では上面および下面)には、導電性の接触片54,55が臨んでおり、これらの接触片54,55は保持体52外周面(図12および図13では下面)から外部に延びる端子54a,55aにそれぞれ連通している。前記挿入口53の内周面にはまた、装着されたプラグ56を保持するための弾発力を発生する一対のばね部53aが設けられている。
【0055】
これに対応して、プラグ56には、前記挿入口53に嵌着する略角型の挿入筒部57が形成されており、その挿入筒部57内には光ファイバ58が保持されている。前記角型の挿入筒部57において一対の外周面(図12および図13では上面および下面)には、板ばね状の導電性の接触片59a,59bが臨んでおり、これらの接触片59a.59bはプラグ56内で短絡片59によって相互に短絡されている。
【0056】
したがって、プラグ56が挿入口53に装着されると、光ファイバ58の端面がフォトダイオードPDの受光面に臨むとともに、接触片54,55間が接触片59a,59bおよび短絡片59によって相互に短絡される。したがって、たとえば端子54aをプルアップ抵抗等で前記電源電圧Vccにプルアップしておき、端子55aをGND電位としておくことで、端子54aの電位から装着検知を行い、前述のシャットダウン制御を行うことができる。
【0057】
本発明の実施のさらに他の形態について、図14〜図17に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
【0058】
図14は前述の光受信回路11を搭載する本発明の実施のさらに他の形態の光伝送装置61の正面図であり、図15はその側面図であり、図16は図14の切断面線B−Bから見た断面図であり、図17は図15の切断面線C−Cから見た断面図であり、図18は図16にプラグ69を装着した状態を示す断面図である。この光伝送装置61は、前述の光伝送装置51に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して、その説明を省略する。注目すべきは、この光伝送装置61では、前記挿入口53にシャッタ63が設けられていることである。
【0059】
これに対応して、保持体62には、前記シャッタ63の一端を鉛直軸線回りに揺動自在に支持する上下一対のピン64が設けられるとともに、そのシャッタ63を内方側から外方側へ付勢するばね65が設けられる。また、前記保持体62は、前記ばね65のシャッタ63を押圧する一端65bに対応するの一部の内壁66が、導電性樹脂で形成され、または金属端子で形成されている。前記ばね65および内壁66は外部まで延びて形成され、端子65a,66aとなっている。
【0060】
したがって、前記ばね65と内壁66とは、プラグ69の装着の有無に対応してON/OFFするスイッチを構成する。すなわち、プラグ69が装着されておらず、シャッタ63が閉じている状態では、ばね65の一端65bは内壁66から離反しており、これによって端子65a,66a間が遮断する。これに対して、プラグ69が装着されると、シャッタ63が開放し、ばね65の一端65bは内壁66に接触し、これによって端子65a,66a間が導通する。こうして、シャッタ63の開閉状態からプラグ69の装着の有無を検知することができる。
【0061】
これによって、前記接触片54,55のような装着検知のために専用の金属端子を設ける必要はない。なお、シャッタ63自身を導電性樹脂製または金属製にするとともに外部端子に接続し、このシャッタ63と内壁66とが導通しているか否かから装着検知を行ってもよい。
【0062】
上述の本発明の光受信回路11のチップならびに発光素子LEDおよび駆動回路33のチップ、さらにそれらを搭載する伝送装置21,51,61は、少なくとも光信号の通信を行う電子機器、特に省電力化の要望の強い携帯型の機器において、回路部のチップ面積を殆ど増大させることなくシャットダウン制御を実現することができ、好適である。
【0063】
【発明の効果】
本発明の光通信回路チップは、以上のように、電気信号を光信号に変換して通信する光通信回路チップにおいて、対応するジャックに光ファイバ等の伝送媒体のプラグが装着されているか否かやユーザ操作等に応じて外部から入力されるシャットダウン信号に応答して、内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン回路を内蔵する。
【0064】
それゆえ、別途にレギュレータICを用いる場合に比べて、基板スペースやコストを削減することができる。
【0065】
また、本発明の光通信回路チップは、以上のように、前記内部回路への電源供給を行うバイアス回路を、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジスタを備えて構成し、前記シャットダウン回路を、前記第1のMOSトランジスタのゲートを制御する第2のMOSトランジスタと、前記シャットダウン信号に応答して、前記第2のMOSトランジスタを駆動する制御回路とを備えて構成する。
【0066】
それゆえ、前記第1および第2のトランジスタをバイポーラトランジスタで構成した場合は、シャットダウン時にONする側のトランジスタにベース電流を供給する必要があるのに対して、MOSトランジスタとすることで、そのような不要な電流が流れることはなく、より低消費電力化することができる。
【0067】
さらにまた、本発明の光通信回路チップは、以上のように、出力段の回路をMOSトランジスタで構成する。
【0068】
それゆえ、前記出力段の回路をバイポーラトランジスタで構成した場合、その出力信号の振幅範囲を大きくとるためにオープンコレクタ形式にし、プルアップ抵抗を外付けして、さらに出力信号の応答を速くするためには前記プルアップ抵抗の値を小さくする必要があり、そのためプルアップ抵抗を流れる負荷電流が増加してしまうのに対して、MOSトランジスタで構成することで、前記負荷電流の増大を招くことはなく、充分な応答速度を低消費電力で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の一形態の光通信回路チップである光受信回路の電気的構成を示すブロック図である。
【図2】図1で示す光受信回路におけるバイアス回路およびシャットダウン回路の具体的構成を示すブロック図である。
【図3】図1および図2で示す光受信回路のチップを搭載する光電気共用伝送装置の一例を示す平面図である。
【図4】図3の切断面線A−Aから見た断面図である。
【図5】前記光受信回路のチップを搭載するモジュールの正面図である。
【図6】プラグの装着およびその種別検知の様子を示す図である。
【図7】前記光通信回路チップの例として送信モジュールの場合の例を示す図である。
【図8】シャットダウン制御の一例を示す図である。
【図9】シャットダウン制御の他の例を示す図である。
【図10】シャットダウン制御のさらに他の例を示す図である。
【図11】シャットダウン制御の他の例を示す図である。
【図12】前述の光受信回路を搭載する本発明の実施の他の形態の光伝送装置の正面図である。
【図13】図12の側面図である。
【図14】前述の光受信回路を搭載する本発明の実施のさらに他の形態の光伝送装置の正面図である。
【図15】図14の側面図である。
【図16】図15の切断面線B−Bから見た断面図である。
【図17】図14の切断面線C−Cから見た断面図である。
【図18】図16にプラグを装着した状態を示す断面図である。
【図19】従来のシャットダウン制御を示すブロック図である。
【符号の説明】
11 光受信回路
11a 光受信回路(内部判定回路)
12 出力回路
13 バイアス回路
14 シャットダウン回路
21,21a 光電気共用伝送装置
22,32 モジュール
23,56,69 プラグ
24,53 挿入口
25,52,62 保持体
26a,26b,26c,26d;36a,36b,36c,36d 端子
26d1,26d2 端子
27,37 ボンディングワイヤ
28a,28b,28c,28d,28e,28f 端子
28g,28h 接点(挿入有無検出手段、種別検出手段)
33 駆動回路
41 論理回路
42 インバータ
43 OR回路
44,45 制御回路
46 キー操作回路
51,61 光伝送装置
53a ばね部
54,55 接触片(第2の金属端子)
54a,55a 端子
56 短絡片
57 挿入筒部
58 光ファイバ
59a,59b 接触片(第1の金属端子)
63 シャッタ
65 ばね(スイッチ)
65a,66a 端子
66 内壁(スイッチ)
A11,A12 初段アンプ
A2,A3 差動アンプ
B バッファ
C1,C2 結合コンデンサ
CD ダミー容量
CMP コンパレータ
INV1,INV2 インバータ
LED 発光素子
P11 電源入力端子
P12 接地端子
P13 出力端子
P14 シャットダウン入力端子
PD フォトダイオード
PL1 電気式アナログプラグ
PL2 電気式デジタルプラグ
PL3 光式デジタルプラグ
PL1a;PL2a;PL3a 頭部
PL1b;PL2b,PL2c 短胴部
PL1c 長胴部
PL2d 短胴部
PL3b 長胴部
Q0 NMOSトランジスタ(第2のMOSトランジスタ)
Q2,Q3,Q4,Q5 NMOSトランジスタ(第1のMOSトランジスタ)
Q10 PMOSトランジスタ(第2のMOSトランジスタ)
Q11,Q12 PMOSトランジスタ(第1のMOSトランジスタ)
QP PMOSトランジスタ
QN NMOSトランジスタ
R1,R2,R3 プルアップ抵抗(挿入有無検出手段、種別検出手段)
R11,R12 抵抗
R21,R22 プルアップ抵抗[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical communication circuit chip used for an optical fiber link that converts an electrical signal into an optical signal and transmits the optical signal, and an electronic device including the optical communication circuit chip.
[0002]
[Prior art]
The optical fiber link converts an electrical signal into an optical signal on the transmitting side and transmits the optical signal, and the receiving side reconverts the received optical signal into an electrical signal, so that a multi-channel signal such as an audio signal or a video signal can be obtained. Since high-speed transmission can be easily performed with a single optical fiber, in recent years, with the spread of digital equipment equipped with the optical communication circuit chip, it has become widespread in general households. For example, signal transmission from a DVD (digital video disc) player, a digital broadcast STB (set top box) and a CD (compact disc) player to an MD (mini disc) player, an amplifier, or the like. Recently, transmission of music signals to personal portable devices such as personal computers has also become widespread. Furthermore, the optical fiber link is also used for signal transmission at a place where electrical insulation is required.
[0003]
On the other hand, in the digital devices, especially portable devices, reduction of power consumption that affects battery operating time is always required. For this reason, the configuration shown in FIG. 19 is conventionally used for the optical communication circuit. That is, a regulator IC 2 having a shutdown function is interposed between a power supply (not shown) and the
[0004]
As a result, when the operation of the
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the dedicated regulator IC 2 is provided, it occupies the space of the circuit board, which is disadvantageous for downsizing and disadvantageous in terms of cost.
[0006]
An object of the present invention is to provide an optical communication circuit chip capable of reducing board space and cost and an electronic device including the same in realizing shutdown control for power saving.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The optical communication circuit chip of the present invention is an optical communication circuit chip that converts an electrical signal into an optical signal for communication. A shutdown input terminal, an internal circuit, and a shutdown circuit, wherein the shutdown circuit includes: From outside To the shutdown input terminal of the optical communication circuit chip In response to the input shutdown signal, Said A shutdown circuit is provided to cut off the power supply to the internal circuit. The bias circuit that supplies power to the internal circuit includes a first MOS transistor that supplies a constant current to each internal circuit, and the shutdown circuit includes the plurality of first MOS transistors. A second MOS transistor is provided which is divided according to polarity and controls each of them together. The second MOS transistor controls the gate of the first MOS transistor, and the shutdown circuit responds to the shutdown signal. And a control circuit for driving the second MOS transistor. It is characterized by that.
[0008]
According to the above configuration, the light receiving element and the signal processing circuit that performs processing such as amplification and waveform shaping of the signal received by the light receiving element, or the light emitting element and the drive circuit that amplifies the transmission signal and applies the signal to the light emitting element are provided. In response to a shutdown signal input from an external control circuit, etc., depending on whether a plug of a transmission medium such as an optical fiber is attached to the corresponding jack or a user operation, etc. The shutdown circuit controls whether to supply power to the internal circuits such as the light receiving element and the signal processing circuit.
[0009]
Therefore, when realizing the shutdown control for power saving, by incorporating the shutdown circuit in the optical communication circuit chip, it is possible to reduce the board space and cost as compared with the case where a separate regulator IC is used. .
[0010]
In the optical communication circuit chip of the present invention, the bias circuit that supplies power to the internal circuit includes a first MOS transistor that supplies a constant current to each internal circuit, and the shutdown circuit includes: The second MOS transistor for controlling the gate of the first MOS transistor and a control circuit for driving the second MOS transistor in response to the shutdown signal.
[0011]
According to the above configuration, the bias circuit that supplies power to the internal circuits such as the light receiving element and the signal processing circuit normally has a diode structure, and the first current that supplies a constant current to each internal circuit. The MOS transistors are divided by polarity or the like, and one or a plurality of the first MOS transistors are collectively driven by the second MOS transistor.
[0012]
Therefore, when the first and second transistors are configured as bipolar transistors, it is necessary to supply a base current to the transistor that is turned on at the time of shutdown. Unnecessary current does not flow and power consumption can be further reduced.
[0013]
Furthermore, the optical communication circuit chip of the present invention is characterized in that the circuit of the output stage is composed of a MOS transistor.
[0014]
According to the above configuration, when the circuit of the output stage is configured with a bipolar transistor, the output signal response is made with an open collector type in order to increase the amplitude range of the output signal, with an external pull-up resistor. In order to increase the load current, it is necessary to reduce the value of the pull-up resistor. For this reason, the load current flowing through the pull-up resistor increases. Therefore, a sufficient response speed can be achieved with low power consumption.
[0015]
An electronic apparatus according to the present invention includes any one of the above-described optical communication circuit chips.
[0016]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
[0017]
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an
[0018]
The photodiode PD is biased by the corresponding first-stage amplifier A11, and the current corresponding to the optical signal received from the photodiode PD is converted into a voltage by the resistor R11 of the first-stage amplifier A11. Is output. The dummy capacitor CD is formed to be equal to the parasitic capacitance of the photodiode PD, and the current flowing through the dummy capacitor CD is converted into a voltage by the first-stage amplifier A12 and the resistor R12 having the same configuration as the first-stage amplifier A11. Output with impedance.
[0019]
Outputs from the first stage amplifiers A11 and A12 are given to respective inputs of the differential amplifier A2 that is AC-coupled by the coupling capacitors C1 and C2. A reference voltage Vref is applied to each input of the differential amplifier A2 via pull-up resistors R21 and R22. Accordingly, each input of the differential amplifier A2 has a value in which the AC component of the output from the first stage amplifiers A11 and A12 is superimposed with the reference voltage Vref as the center, and the differential amplifier A2 And a differential voltage signal is output. Here, the noise from the GND potential via the photodiode PD that appears in the output from the first-stage amplifier A11 also appears in the same phase in the output from the first-stage amplifier A12. Therefore, the signal from which the noise has been removed is output from the differential amplifier A2. Is output.
[0020]
The output from the differential amplifier A2 is further amplified by the differential amplifier A3, and the differential voltage signal of the output is compared with each other by the comparator CMP and shaped into a rectangular signal differentially. The differential output from the comparator CMP is a single output in the buffer B and is input to the
[0021]
The
[0022]
The first stage amplifiers A11 and A12, the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B are supplied with power from the
[0023]
FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of the
[0024]
The drains of the PMOS transistors Q11 and Q12 are connected to the high-level power supply inputs of the first stage amplifiers A11 and A12, respectively, the power supply voltage Vcc is commonly applied to the sources, and the gates are commonly connected to the drain of the PMOS transistor Q10. The The source of the PMOS transistor Q10 is supplied with the power supply voltage Vcc, and the gate thereof is supplied with the output of the inverter INV1 on the previous stage among the two stages of inverters INV1 and INV2 constituting the
[0025]
The drains of the NMOS transistors Q2, Q3, Q4, and Q5 are connected to the power inputs on the low level side of the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B, respectively, the sources are commonly connected to the GND potential, and the gates are commonly used. Are connected to the drain of the NMOS transistor Q0. The source of the NMOS transistor Q0 is connected to the GND potential, and the output of the inverter INV2 on the rear stage side of the
[0026]
Accordingly, while the shutdown signal is at the low level, the output of the inverter INV1 is at the high level and the PMOS transistor Q10 is turned off, whereby the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12 are biased to the low level, and the PMOS transistor Q11 , Q12 are turned ON, and a desired constant current is supplied to the first stage amplifiers A11, A12. Similarly, when the shutdown signal is at a low level, the output of the inverter INV2 is at a low level and the NMOS transistor Q0 is turned OFF, whereby the gates of the NMOS transistors Q2 to Q5 are biased to a high level, and the NMOS transistor Q2 ... Q5 is turned ON, and a desired constant current is supplied to the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B.
[0027]
On the other hand, when the shutdown signal becomes a high level, the output of the inverter INV1 becomes a low level and the PMOS transistor Q10 is turned on, whereby the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12 become the high level, and the PMOS transistors Q11, Q11, Q12 is turned OFF, and a desired constant current is not supplied to the first stage amplifiers A11 and A12. Similarly, when the shutdown signal becomes high level, the output of the inverter INV2 becomes high level and the NMOS transistor Q0 is turned on, whereby the gates of the NMOS transistors Q2 to Q5 become low level, and the NMOS transistors Q2 to Q5 The desired constant current is not supplied to the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B.
[0028]
Thus, when the operation of the
[0029]
In order to realize such shutdown control for power saving, the
[0030]
Further, the
[0031]
Furthermore, in the case where the
[0032]
Thus, in the present invention, a BiCMOS process in which a MOS process is added to the bipolar processes such as the amplifiers A11, A12, A2, A3, the comparator CMP, and the buffer B is adopted, and the MOS transistors Q11, Q12, Q10: Q2 to Q5 and Q0 are created.
[0033]
3-6 is a figure which shows an example of the optical /
[0034]
FIG. 6 is a diagram showing the presence / absence of the
[0035]
On the other hand, in the plug PL2 that transmits a digital audio signal through an electric wire, the head PL2a is for a + signal, the short body portion PL2b that is connected to the head PL2a is for a-signal, and is further connected to it. The short body part PL2c is for GND, and the short body part PL2d connected thereto is insulated.
[0036]
Further, the plug PL3 for transmitting a digital audio signal through an optical fiber has a head PL3a made of metal, and a long body portion PL3b connected to the plug PL3 is insulated, so that the inside of these cylindrical optical fibers is optical fiber. Are communicated, and the end face is exposed from the tip of the head PL3a.
[0037]
The optical /
[0038]
After the chip of the
[0039]
On the other hand, in the holding
[0040]
On the other hand, the
[0041]
Therefore, if the potentials of the
[0042]
In this way, whether any of the electrical analog, electrical digital, and optical digital plugs PL1 to PL3 is used, whether or not the plugs PL1 to PL3 are installed is determined. However, it can be understood that any signal can be shared.
[0043]
Here, in the above description, the chip mounted on the
[0044]
8 to 11 are diagrams each showing a mode of shutdown control. In these examples, the chip of the
[0045]
The example of FIG. 8 is an example in which a
[0046]
Thus, only by adding a
[0047]
Further, the example of FIG. 9 is an example in which the
[0048]
As a result, the shutdown control can be appropriately performed by the internal determination of the optical /
[0049]
Furthermore, the example of FIG. 10 is an example in which a
[0050]
Thus, shutdown control can be performed without providing a dedicated circuit such as the
[0051]
The example of FIG. 11 uses a
[0052]
As a result, for example, when audio data is downloaded from a digital audio device to a mobile phone terminal, it is possible to realize a control in which power is supplied to the optical receiving
[0053]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIG. 12 and FIG.
[0054]
FIG. 12 is a front view of an
[0055]
Correspondingly, the
[0056]
Therefore, when the
[0057]
The following will describe still another embodiment of the present invention with reference to FIGS.
[0058]
14 is a front view of an
[0059]
Correspondingly, the holding
[0060]
Therefore, the
[0061]
Accordingly, it is not necessary to provide a dedicated metal terminal for mounting detection such as the
[0062]
The chip of the
[0063]
【The invention's effect】
As described above, the optical communication circuit chip of the present invention is an optical communication circuit chip that converts electrical signals into optical signals for communication, and whether or not a plug of a transmission medium such as an optical fiber is attached to a corresponding jack. In response to a shutdown signal input from the outside in response to a user operation or the like, a shutdown circuit that cuts off the power supply to the internal circuit is incorporated.
[0064]
Therefore, the board space and cost can be reduced as compared with the case where a separate regulator IC is used.
[0065]
Further, as described above, the optical communication circuit chip of the present invention comprises a bias circuit that supplies power to the internal circuit, including a first MOS transistor that supplies a constant current to each internal circuit. The shutdown circuit includes a second MOS transistor that controls the gate of the first MOS transistor, and a control circuit that drives the second MOS transistor in response to the shutdown signal.
[0066]
Therefore, when the first and second transistors are bipolar transistors, it is necessary to supply a base current to the transistor that is turned on at the time of shutdown. Unnecessary current does not flow and power consumption can be further reduced.
[0067]
Furthermore, in the optical communication circuit chip of the present invention, the circuit of the output stage is composed of MOS transistors as described above.
[0068]
Therefore, when the circuit of the output stage is composed of bipolar transistors, in order to increase the amplitude range of the output signal, it is made an open collector type, an external pull-up resistor is added, and the response of the output signal is further accelerated. However, it is necessary to reduce the value of the pull-up resistor, so that the load current flowing through the pull-up resistor is increased. On the other hand, the MOS transistor is used to increase the load current. And a sufficient response speed can be achieved with low power consumption.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an optical receiver circuit which is an optical communication circuit chip according to an embodiment of the present invention.
2 is a block diagram showing a specific configuration of a bias circuit and a shutdown circuit in the optical receiver circuit shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 3 is a plan view showing an example of an optical / electrical transmission apparatus on which the chip of the optical receiver circuit shown in FIGS. 1 and 2 is mounted.
4 is a cross-sectional view taken along section line AA of FIG.
FIG. 5 is a front view of a module on which the chip of the optical receiver circuit is mounted.
FIG. 6 is a diagram showing how a plug is attached and its type is detected.
FIG. 7 is a diagram illustrating an example of a transmission module as an example of the optical communication circuit chip.
FIG. 8 is a diagram illustrating an example of shutdown control.
FIG. 9 is a diagram illustrating another example of shutdown control.
FIG. 10 is a diagram illustrating still another example of shutdown control.
FIG. 11 is a diagram illustrating another example of shutdown control.
FIG. 12 is a front view of an optical transmission apparatus according to another embodiment of the present invention on which the above-described optical receiver circuit is mounted.
13 is a side view of FIG.
FIG. 14 is a front view of an optical transmission apparatus according to still another embodiment of the present invention on which the above-described optical receiver circuit is mounted.
15 is a side view of FIG.
16 is a cross-sectional view taken along section line BB in FIG.
17 is a cross-sectional view taken along the section line CC in FIG.
18 is a cross-sectional view showing a state where the plug is attached to FIG.
FIG. 19 is a block diagram showing conventional shutdown control.
[Explanation of symbols]
11 Optical receiver circuit
11a Optical receiver circuit (internal determination circuit)
12 Output circuit
13 Bias circuit
14 Shutdown circuit
21, 21a Opto-electric shared transmission device
22,32 modules
23, 56, 69 plug
24, 53 insertion slot
25, 52, 62 holder
26a, 26b, 26c, 26d; 36a, 36b, 36c, 36d terminals
26d1, 26d2 terminal
27,37 Bonding wire
28a, 28b, 28c, 28d, 28e, 28f terminals
28g, 28h contact (insertion presence detection means, type detection means)
33 Drive circuit
41 logic circuit
42 Inverter
43 OR circuit
44, 45 Control circuit
46 Key operation circuit
51, 61 Optical transmission equipment
53a Spring part
54,55 Contact piece (second metal terminal)
54a, 55a terminals
56 Shorting piece
57 Insertion tube
58 optical fiber
59a, 59b Contact piece (first metal terminal)
63 Shutter
65 Spring (switch)
65a, 66a terminals
66 Inner wall (switch)
A11, A12 First stage amplifier
A2, A3 differential amplifier
B buffer
C1, C2 coupling capacitor
CD dummy capacity
CMP comparator
INV1, INV2 inverter
LED light emitting element
P11 Power input terminal
P12 Ground terminal
P13 output terminal
P14 Shutdown input terminal
PD photodiode
PL1 Electric analog plug
PL2 Electric digital plug
PL3 optical digital plug
PL1a; PL2a; PL3a Head
PL1b; PL2b, PL2c Short trunk
PL1c Long torso
PL2d short body
PL3b long torso
Q0 NMOS transistor (second MOS transistor)
Q2, Q3, Q4, Q5 NMOS transistor (first MOS transistor)
Q10 PMOS transistor (second MOS transistor)
Q11, Q12 PMOS transistor (first MOS transistor)
QP PMOS transistor
QN NMOS transistor
R1, R2, R3 pull-up resistors (insertion detection means, type detection means)
R11, R12 resistance
R21, R22 Pull-up resistors
Claims (3)
シャットダウン入力端子と、内部回路と、シャットダウン回路とを備え、
前記シャットダウン回路は、外部から前記光通信回路チップのシャットダウン入力端子に入力されるシャットダウン信号に応答して、前記内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン回路を備え、
前記内部回路への電源供給を行うバイアス回路は、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジスタを備えて構成され、
前記シャットダウン回路は、
前記複数の第1のMOSトランジスタを極性によって区分し、それぞれを纏めて制御する第2のMOSトランジスタを備え、
前記第2のMOSトランジスタは、前記第1のMOSトランジスタのゲートを制御すると共に、
前記シャットダウン回路は、前記シャットダウン信号に応答して、前記第2のMOSトランジスタを駆動する制御回路とを備えて構成されることを特徴とする光通信回路チップ。In an optical communication circuit chip that converts electrical signals into optical signals for communication,
A shutdown input terminal, an internal circuit, and a shutdown circuit are provided.
The shutdown circuit is responsive to a shutdown signal externally input to the shutdown input terminal of said optical communication circuit chip, e Bei shutdown circuit to cut off the power supply to the internal circuit,
The bias circuit that supplies power to the internal circuit includes a first MOS transistor that supplies a constant current to each internal circuit.
The shutdown circuit is
The plurality of first MOS transistors are divided according to polarity, and each of the first MOS transistors includes a second MOS transistor that collectively controls,
The second MOS transistor controls the gate of the first MOS transistor,
An optical communication circuit chip , wherein the shutdown circuit includes a control circuit that drives the second MOS transistor in response to the shutdown signal .
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