JP2003218795A - Optical communication circuit chip and electronic apparatus comprising the chip - Google Patents

Optical communication circuit chip and electronic apparatus comprising the chip

Info

Publication number
JP2003218795A
JP2003218795A JP2002017626A JP2002017626A JP2003218795A JP 2003218795 A JP2003218795 A JP 2003218795A JP 2002017626 A JP2002017626 A JP 2002017626A JP 2002017626 A JP2002017626 A JP 2002017626A JP 2003218795 A JP2003218795 A JP 2003218795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
optical
shutdown
signal
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002017626A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3805688B2 (en
Inventor
Yoshifumi Masuda
佳史 増田
Takayuki Shimizu
隆行 清水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2002017626A priority Critical patent/JP3805688B2/en
Priority to US10/338,723 priority patent/US20030142984A1/en
Priority to TW092100870A priority patent/TWI233696B/en
Priority to CNB03120659XA priority patent/CN1244960C/en
Publication of JP2003218795A publication Critical patent/JP2003218795A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3805688B2 publication Critical patent/JP3805688B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a basic space and a cost for achieving shut-down control to save electricity in a chip of an optical receiving circuit 11 composed of an optical fiber link and communicating by converter a received optical signal into an electrical signal. <P>SOLUTION: In an optical communication circuit chip, a shut-down function is added to a bias circuit 13 for supplying electric power to inner circuits such as a photo diode PD, amplifiers A11, A12, A2 and A3, a comparator CMP and a buffer B, and also a shut-down control circuit 14 for controlling shut-down to the bias circuit 13 in response to a shut down-signal inputted to a shut-down input terminal P14 depending upon whether plugs of optical fibers, etc., are inserted into corresponding jacks or user operations, etc., is provided. Accordingly, for achieving the shut-down control, it is possible to reduce the basic space ant the cost in comparison with the use of an additional regulator IC. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電気信号を光信号
に変換して伝送する光ファイバリンクに用いられる光通
信回路チップと、それを備える電子機器とに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical communication circuit chip used for an optical fiber link that converts an electric signal into an optical signal and transmits the optical signal, and an electronic device including the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】前記光ファイバリンクは、送信側で電気
信号を光信号に変換して伝送し、受信側では受信した光
信号を電気信号に再変換することで、音声信号や映像信
号等の複数チャネルの信号を1本の光ファイバで手軽に
高速伝送できることから、前記光通信回路チップを搭載
したデジタル機器の普及に伴って、近年、一般家庭にも
広く普及してきている。たとえば、DVD(デジタルビ
デオディスク)プレーヤ、デジタル放送のSTB(セッ
トトップボックス)およびCD(コンパクトディスク)
プレーヤから、MD(ミニディスク)プレーヤやアンプ
等への信号伝送などである。また、最近では、パーソナ
ルコンピュータ等のパーソナルな携帯機器に音楽信号を
伝送することも広く普及してきている。さらにまた、前
記光ファイバリンクは、電気的に絶縁が必要な箇所での
信号伝送用としても使用される。
2. Description of the Related Art The above-mentioned optical fiber link converts an electric signal into an optical signal on the transmitting side and transmits the optical signal, and a receiving side reconverts the received optical signal into an electric signal. Since signals of a plurality of channels can be easily transmitted at a high speed by using one optical fiber, it has become widespread in general households in recent years with the spread of digital devices equipped with the optical communication circuit chip. For example, DVD (digital video disc) players, digital broadcast STBs (set top boxes) and CDs (compact discs)
For example, signal transmission from a player to an MD (mini disc) player, an amplifier, or the like. In addition, recently, the transmission of music signals to personal portable devices such as personal computers has become widespread. Furthermore, the optical fiber link is also used for signal transmission in a place where electrical insulation is required.

【0003】一方、前記デジタル機器で、特に携帯可能
な機器では、バッテリ動作時間を左右する消費電力の低
減が常に要求されている。このため、光通信回路には、
従来では、図19に示すような構成が用いられている。
すなわち、図示しない電源から光通信回路1への間には
シャットダウン機能を備えるレギュレータIC2が介在
され、該レギュレータIC2は、シャットダウン入力端
子P1に入力されるシャットダウン信号に応答して、前
記図示しない電源から電源入力端子P2に入力される電
源電圧Vccを、電源出力端子P3から前記光通信回路
1へ出力するか否かを制御する。
On the other hand, in the above digital devices, particularly portable devices, there is always a demand for reduction of power consumption that influences battery operation time. Therefore, in the optical communication circuit,
Conventionally, a configuration as shown in FIG. 19 is used.
That is, a regulator IC2 having a shutdown function is interposed between a power supply (not shown) and the optical communication circuit 1, and the regulator IC2 responds to a shutdown signal input to a shutdown input terminal P1 from the power supply (not shown). It controls whether the power supply voltage Vcc input to the power supply input terminal P2 is output from the power supply output terminal P3 to the optical communication circuit 1.

【0004】これによって、前記光通信回路1の動作が
不要な時には、前記シャットダウン入力端子P1にシャ
ットダウン信号を入力することによって、レギュレータ
IC2の出力をシャットダウンし、低消費電力化を実現
している。
Thus, when the operation of the optical communication circuit 1 is unnecessary, the output of the regulator IC2 is shut down by inputting a shutdown signal to the shutdown input terminal P1 to realize low power consumption.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、専用の
レギュレータIC2を設けると、回路基板のスペースを
占有し、小型化に不利であり、またコスト面でも不利で
ある。
However, when the dedicated regulator IC 2 is provided, it occupies the space of the circuit board, which is disadvantageous in downsizing and is also disadvantageous in terms of cost.

【0006】本発明の目的は、省電力化のためのシャッ
トダウン制御を実現するにあたって、基板スペースやコ
ストを削減することができる光通信回路チップおよびそ
れを備える電子機器を提供することである。
An object of the present invention is to provide an optical communication circuit chip capable of reducing the board space and cost in realizing shutdown control for power saving, and an electronic device including the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の光通信回路チッ
プは、電気信号を光信号に変換して通信する光通信回路
チップにおいて、外部から入力されるシャットダウン信
号に応答して、内部回路への電源供給を遮断するシャッ
トダウン回路を備えることを特徴とする。
The optical communication circuit chip of the present invention is an optical communication circuit chip for converting an electrical signal into an optical signal for communication, and responds to a shutdown signal input from the outside to an internal circuit. It is characterized by comprising a shutdown circuit for shutting off the power supply of.

【0008】上記の構成によれば、受光素子および該受
光素子で受信した信号の増幅や波形整形などの処理を行
う信号処理回路、または発光素子および送信信号を増幅
して該発光素子に与える駆動回路などを備えて構成され
る光通信回路チップにおいて、対応するジャックに光フ
ァイバ等の伝送媒体のプラグが装着されているか否かや
ユーザ操作等に応じて外部の制御回路などから入力され
るシャットダウン信号に応答して、シャットダウン回路
は、前記受光素子や信号処理回路などの内部回路への電
源供給を行うか否かを制御する。
According to the above structure, the light receiving element and the signal processing circuit for performing processing such as amplification and waveform shaping of the signal received by the light receiving element, or the light emitting element and the drive for amplifying and transmitting the transmission signal to the light emitting element In an optical communication circuit chip that is configured with circuits, etc., shutdown input from an external control circuit, etc., depending on whether or not a plug of a transmission medium such as an optical fiber is attached to the corresponding jack and user operation etc. In response to the signal, the shutdown circuit controls whether or not power is supplied to internal circuits such as the light receiving element and the signal processing circuit.

【0009】したがって、省電力化のためのシャットダ
ウン制御を実現するにあたって、光通信回路チップ内に
シャットダウン回路を内蔵することで、別途にレギュレ
ータICを用いる場合に比べて、基板スペースやコスト
を削減することができる。
Therefore, in realizing the shutdown control for power saving, by incorporating the shutdown circuit in the optical communication circuit chip, the board space and the cost are reduced as compared with the case where the regulator IC is separately used. be able to.

【0010】また、本発明の光通信回路チップでは、前
記内部回路への電源供給を行うバイアス回路は、各内部
回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトランジ
スタを備えて構成され、前記シャットダウン回路は、前
記第1のMOSトランジスタのゲートを制御する第2の
MOSトランジスタと、前記シャットダウン信号に応答
して、前記第2のMOSトランジスタを駆動する制御回
路とを備えて構成されることを特徴とする。
Further, in the optical communication circuit chip of the present invention, the bias circuit for supplying power to the internal circuits comprises a first MOS transistor for supplying a constant current to each internal circuit, and the shutdown circuit is provided. The circuit is configured to include a second MOS transistor that controls the gate of the first MOS transistor, and a control circuit that drives the second MOS transistor in response to the shutdown signal. And

【0011】上記の構成によれば、前記受光素子や信号
処理回路などの内部回路への電源供給を行うバイアス回
路において、通常、ダイオード構造となっており、各内
部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のMOSトラン
ジスタを、極性などで区分して、1または複数のその第
1のMOSトランジスタを第2のMOSトランジスタに
よって纏めて駆動する。
According to the above structure, the bias circuit for supplying power to the internal circuits such as the light receiving element and the signal processing circuit usually has a diode structure and supplies a constant current to each internal circuit. The first MOS transistor is divided by polarity and the like, and one or a plurality of the first MOS transistors are collectively driven by the second MOS transistor.

【0012】したがって、前記第1および第2のトラン
ジスタをバイポーラトランジスタで構成した場合は、シ
ャットダウン時にONする側のトランジスタにベース電
流を供給する必要があるのに対して、MOSトランジス
タとすることで、そのような不要な電流が流れることは
なく、より低消費電力化することができる。
Therefore, when the first and second transistors are composed of bipolar transistors, it is necessary to supply the base current to the transistor turned on at the time of shutdown, whereas the MOS transistor is used. Such unnecessary current does not flow, and the power consumption can be further reduced.

【0013】さらにまた、本発明の光通信回路チップ
は、出力段の回路がMOSトランジスタで構成されるこ
とを特徴とする。
Furthermore, the optical communication circuit chip of the present invention is characterized in that the circuit at the output stage is composed of MOS transistors.

【0014】上記の構成によれば、前記出力段の回路を
バイポーラトランジスタで構成した場合、その出力信号
の振幅範囲を大きくとるためにオープンコレクタ形式に
し、プルアップ抵抗を外付けして、さらに出力信号の応
答を速くするためには前記プルアップ抵抗の値を小さく
する必要があり、そのためプルアップ抵抗を流れる負荷
電流が増加してしまうのに対して、MOSトランジスタ
で構成することで、前記負荷電流の増大を招くことはな
く、充分な応答速度を低消費電力で実現することができ
る。
According to the above construction, when the circuit of the output stage is composed of bipolar transistors, it is of an open collector type in order to increase the amplitude range of its output signal, and a pull-up resistor is externally attached to further output. In order to speed up the signal response, it is necessary to reduce the value of the pull-up resistor, which increases the load current flowing through the pull-up resistor. It is possible to realize a sufficient response speed with low power consumption without causing an increase in current.

【0015】また、本発明の電子機器は、前記の何れか
の光通信回路チップを備えることを特徴とする。
The electronic equipment of the present invention is characterized by including any one of the above optical communication circuit chips.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について、
図1〜図11に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Regarding one embodiment of the present invention,
The following is a description based on FIGS. 1 to 11.

【0017】図1は、本発明の実施の一形態の光通信回
路チップである光受信回路11の電気的構成を示すブロ
ック図である。この光受信回路11は、フォトダイオー
ドPDを含めて1チップにモノリシック形成されてい
る。この光受信回路11は、大略的に、前記フォトダイ
オードPDと、ダミー容量CDと、初段アンプA11,
A12と、差動アンプA2,A3と、コンパレータCM
Pと、バッファBと、出力回路12と、バイアス回路1
3と、シャットダウン回路14とを備えて構成される。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an optical receiving circuit 11 which is an optical communication circuit chip according to an embodiment of the present invention. The light receiving circuit 11 is monolithically formed on one chip including the photodiode PD. The light receiving circuit 11 is generally composed of the photodiode PD, a dummy capacitor CD, a first stage amplifier A11,
A12, differential amplifiers A2 and A3, and comparator CM
P, buffer B, output circuit 12, and bias circuit 1
3 and a shutdown circuit 14.

【0018】前記フォトダイオードPDは対応する初段
アンプA11によってバイアスされ、該フォトダイオー
ドPDからの受信した光信号に対応した電流は、初段ア
ンプA11の抵抗R11によって電圧に変換され、該初
段アンプA11から低インピーダンスで出力される。ま
た、前記ダミー容量CDは前記フォトダイオードPDの
寄生容量に等しく形成され、該ダミー容量CDを流れる
電流は、前記初段アンプA11と同様の構成の初段アン
プA12および抵抗R12によって電圧に変換され、低
インピーダンスで出力される。
The photodiode PD is biased by the corresponding first-stage amplifier A11, and the current corresponding to the optical signal received from the photodiode PD is converted into a voltage by the resistor R11 of the first-stage amplifier A11. Output with low impedance. Further, the dummy capacitance CD is formed to be equal to the parasitic capacitance of the photodiode PD, and the current flowing through the dummy capacitance CD is converted into a voltage by a first stage amplifier A12 and a resistor R12 having the same configuration as the first stage amplifier A11, and a low voltage. It is output as impedance.

【0019】初段アンプA11,A12からの出力は、
結合コンデンサC1,C2によって交流結合されている
差動アンプA2のそれぞれの入力に与えられる。前記差
動アンプA2のそれぞれの入力にはまた、プルアップ抵
抗R21,R22を介して基準電圧Vrefが与えられ
る。したがって、該差動アンプA2のそれぞれの入力
は、前記基準電圧Vrefを中心として、前記初段アン
プA11,A12からの出力の交流成分が重畳された値
となり、該差動アンプA2は、それらの入力の差分を増
幅して、差動の電圧信号で出力する。ここで、初段アン
プA11からの出力に現れるフォトダイオードPDを介
するGND電位からのノイズは、初段アンプA12から
の出力にも同相で現れ、したがってこの差動アンプA2
からは、前記ノイズを除去した信号が出力される。
The outputs from the first-stage amplifiers A11 and A12 are
It is given to each input of the differential amplifier A2 which is AC-coupled by the coupling capacitors C1 and C2. The reference voltage Vref is also applied to the respective inputs of the differential amplifier A2 via pull-up resistors R21 and R22. Therefore, each input of the differential amplifier A2 becomes a value obtained by superposing the AC components of the outputs from the first-stage amplifiers A11 and A12 with the reference voltage Vref as the center, and the differential amplifier A2 receives those inputs. The difference is amplified and output as a differential voltage signal. Here, the noise from the GND potential through the photodiode PD, which appears in the output from the first-stage amplifier A11, also appears in the same phase in the output from the first-stage amplifier A12, and therefore this differential amplifier A2
Outputs a signal from which the noise has been removed.

【0020】前記差動アンプA2からの出力は、さらに
差動アンプA3で増幅され、その出力の差動の電圧信号
はコンパレータCMPで相互に比較され、差動で矩形の
信号に整形される。コンパレータCMPからの差動の出
力は、バッファBにおいて単一出力とされて、出力回路
12に入力される。
The output from the differential amplifier A2 is further amplified by the differential amplifier A3, and the differential voltage signals of the outputs are compared with each other by the comparator CMP and shaped into a differential rectangular signal. The differential output from the comparator CMP is converted into a single output in the buffer B and input to the output circuit 12.

【0021】前記出力回路12は、電源入力端子P11
に入力される電源電圧Vccと、接地端子P12に与え
られるGND電位とを電源とし、PMOSトランジスタ
QPとNMOSトランジスタQNとから成るCMOS構
成のプッシュプルアンプであり、出力端子P13への出
力Voutは、前記バッファBからの出力を反転して、
かつ前記電源電圧VccまたはGND電位の何れかとな
る。
The output circuit 12 has a power input terminal P11.
Is a push-pull amplifier having a CMOS configuration, which is composed of a PMOS transistor QP and an NMOS transistor QN, and which uses the power supply voltage Vcc input to the input terminal and the GND potential applied to the ground terminal P12 as power supplies, and the output Vout to the output terminal P13 is Invert the output from buffer B,
Further, it becomes either the power supply voltage Vcc or the GND potential.

【0022】前記初段アンプA11,A12、差動アン
プA2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBに
は、バイアス回路13から電源供給が行われる。そのバ
イアス回路13が電源供給を行うか否かは、外部からシ
ャットダウン入力端子P14に入力されるシャットダウ
ン信号に応答して、シャットダウン回路14によって制
御される。
Power is supplied from the bias circuit 13 to the first-stage amplifiers A11 and A12, the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP and the buffer B. Whether or not the bias circuit 13 supplies power is controlled by the shutdown circuit 14 in response to a shutdown signal externally input to the shutdown input terminal P14.

【0023】図2は、上述のように構成される光受信回
路11において、前記バイアス回路13およびシャット
ダウン回路14の具体的構成を示すブロック図であり、
図1に対応する部分には、同一の参照符号を付して示
す。バイアス回路13は、前記初段アンプA11,A1
2にそれぞれ電源電圧Vccを供給するか否かを制御す
るPMOSトランジスタQ11,Q12と、それらのP
MOSトランジスタQ11,Q12を共通に制御するP
MOSトランジスタQ10と、前記差動アンプA2,A
3、コンパレータCMPおよびバッファBをそれぞれG
ND電位に接続して電源供給を行うか否かを制御するN
MOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5と、それら
のNMOSトランジスタQ2〜Q5を共通に制御するN
MOSトランジスタQ0とを備えて構成される。
FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of the bias circuit 13 and the shutdown circuit 14 in the optical receiving circuit 11 configured as described above.
Parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The bias circuit 13 includes the first-stage amplifiers A11 and A1.
2 and PMOS transistors Q11 and Q12 for controlling whether or not to supply the power supply voltage Vcc to
P for commonly controlling the MOS transistors Q11 and Q12
MOS transistor Q10 and the differential amplifiers A2 and A
3. Comparator CMP and buffer B are set to G
N for controlling whether or not to supply power by connecting to ND potential
N for commonly controlling the MOS transistors Q2, Q3, Q4, Q5 and those NMOS transistors Q2 to Q5
And a MOS transistor Q0.

【0024】前記PMOSトランジスタQ11,Q12
のドレインはそれぞれ初段アンプA11,A12のハイ
レベル側の電源入力に接続され、ソースには共通に電源
電圧Vccが与えられ、ゲートは共通にPMOSトラン
ジスタQ10のドレインに接続される。PMOSトラン
ジスタQ10のソースには電源電圧Vccが与えられ、
ゲートには前記シャットダウン回路14を構成する2段
のインバータINV1,INV2の内、前段側のインバ
ータINV1の出力が与えられる。前記PMOSトラン
ジスタQ10のドレイン、すなわちPMOSトランジス
タQ11,Q12のゲートにはまた、図示しないプルダ
ウン抵抗等を介して、ローレベルのバイアスPBIAS
が与えられる。前記初段アンプA11,A12のローレ
ベル側の電源入力は、共にGND電位に接続される(図
示せず)。
The PMOS transistors Q11 and Q12
Are connected to the high-level power supply inputs of the first-stage amplifiers A11 and A12, the sources are commonly supplied with the power supply voltage Vcc, and the gates are commonly connected to the drain of the PMOS transistor Q10. The power supply voltage Vcc is applied to the source of the PMOS transistor Q10,
Of the two stages of inverters INV1 and INV2 forming the shutdown circuit 14, the output of the preceding stage inverter INV1 is applied to the gate. A low-level bias PBIAS is also applied to the drain of the PMOS transistor Q10, that is, the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12 via a pull-down resistor (not shown).
Is given. The low-level power supply inputs of the first-stage amplifiers A11 and A12 are both connected to the GND potential (not shown).

【0025】前記NMOSトランジスタQ2,Q3,Q
4,Q5のドレインは差動アンプA2,A3、コンパレ
ータCMPおよびバッファBのローレベル側の電源入力
にそれぞれ接続され、ソースは共通にGND電位に接続
され、ゲートは共通にNMOSトランジスタQ0のドレ
インに接続される。NMOSトランジスタQ0のソース
はGND電位に接続され、ゲートには前記シャットダウ
ン回路14の後段側のインバータINV2の出力が与え
られる。前記NMOSトランジスタQ0のドレイン、す
なわちNMOSトランジスタQ2,Q3,Q4,Q5の
ゲートにはまた、図示しないプルアップ抵抗等を介し
て、ハイレベルのバイアスNBIASが与えられる。前
記差動アンプA2,A3、コンパレータCMPおよびバ
ッファBのハイレベル側の電源入力には、共に電源電圧
Vccが与えられる(図示せず)。
The NMOS transistors Q2, Q3, Q
The drains of Q4 and Q5 are respectively connected to the low-level power supply inputs of the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP and the buffer B, the sources are commonly connected to the GND potential, and the gates are commonly connected to the drain of the NMOS transistor Q0. Connected. The source of the NMOS transistor Q0 is connected to the GND potential, and the output of the inverter INV2 on the subsequent stage side of the shutdown circuit 14 is given to the gate. A high level bias NBIAS is also applied to the drain of the NMOS transistor Q0, that is, the gates of the NMOS transistors Q2, Q3, Q4, and Q5 via a pull-up resistor (not shown). A power supply voltage Vcc is applied to the high-level-side power supply inputs of the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP, and the buffer B (not shown).

【0026】したがって、前記シャットダウン信号がロ
ーレベルである間は、インバータINV1の出力がハイ
レベルとなってPMOSトランジスタQ10がOFF
し、これによってPMOSトランジスタQ11,Q12
のゲートがローレベルにバイアスされ、該PMOSトラ
ンジスタQ11,Q12はONし、初段アンプA11,
A12へは所望の定電流が供給される。同様に、前記シ
ャットダウン信号がローレベルであると、インバータI
NV2の出力がローレベルとなってNMOSトランジス
タQ0がOFFし、これによってNMOSトランジスタ
Q2〜Q5のゲートがハイレベルにバイアスされ、該N
MOSトランジスタQ2〜Q5はONし、差動アンプA
2,A3、コンパレータCMPおよびバッファBへは所
望の定電流が供給される。
Therefore, while the shutdown signal is low level, the output of the inverter INV1 is high level and the PMOS transistor Q10 is off.
As a result, the PMOS transistors Q11 and Q12
Is biased to a low level, the PMOS transistors Q11 and Q12 are turned on, and the first stage amplifier A11,
A desired constant current is supplied to A12. Similarly, when the shutdown signal is low level, the inverter I
The output of NV2 becomes low level and the NMOS transistor Q0 is turned off, whereby the gates of the NMOS transistors Q2 to Q5 are biased to high level and the N
The MOS transistors Q2 to Q5 are turned on, and the differential amplifier A
A desired constant current is supplied to 2, A3, the comparator CMP and the buffer B.

【0027】これに対して、前記シャットダウン信号が
ハイレベルになると、インバータINV1の出力がロー
レベルとなってPMOSトランジスタQ10がONし、
これによってPMOSトランジスタQ11,Q12のゲ
ートがハイレベルとなり、該PMOSトランジスタQ1
1,Q12はOFFし、初段アンプA11,A12へ所
望の定電流が供給されない。同様に、前記シャットダウ
ン信号がハイレベルになると、インバータINV2の出
力がハイレベルとなってNMOSトランジスタQ0がO
Nし、これによってNMOSトランジスタQ2〜Q5の
ゲートがローレベルとなり、該NMOSトランジスタQ
2〜Q5はOFFし、差動アンプA2,A3、コンパレ
ータCMPおよびバッファBへ所望の定電流が供給され
ない。
On the other hand, when the shutdown signal goes high, the output of the inverter INV1 goes low and the PMOS transistor Q10 turns on.
As a result, the gates of the PMOS transistors Q11 and Q12 become high level, and the PMOS transistor Q1
1, Q12 is turned off, and the desired constant current is not supplied to the first-stage amplifiers A11, A12. Similarly, when the shutdown signal goes high, the output of the inverter INV2 goes high and the NMOS transistor Q0 is turned on.
N, which causes the gates of the NMOS transistors Q2 to Q5 to go to the low level,
2 to Q5 are turned off, and the desired constant current is not supplied to the differential amplifiers A2 and A3, the comparator CMP and the buffer B.

【0028】こうして、該光受信回路11の動作が不要
なときはシャットダウン信号をハイレベルとすること
で、バイアス回路13をシャットダウンし、それによっ
て各内部回路に供給されていたバイアス電流をシャット
ダウンすることができる。これによって、光受信回路1
1の低消費電力化を図ることができる。たとえば、光受
信回路11の通常動作時の消費電流は、平均で2mAで
あり、シャットダウン時には、最大で1μAである。こ
れによって、たとえば携帯電話の端末に500mAHの
バッテリを搭載した場合に、待受け時間を250時間か
ら300時間に拡大することができる。
In this way, when the operation of the optical receiving circuit 11 is unnecessary, the shutdown signal is set to the high level to shut down the bias circuit 13 and thereby shut down the bias current supplied to each internal circuit. You can As a result, the optical receiver circuit 1
It is possible to reduce the power consumption by 1. For example, the current consumption of the optical receiver circuit 11 during normal operation is 2 mA on average, and at shutdown it is 1 μA at maximum. This makes it possible to extend the standby time from 250 hours to 300 hours when a battery of 500 mAH is mounted on a mobile phone terminal, for example.

【0029】そして、そのような省電力化のためのシャ
ットダウン制御を実現するにあたって、光受信回路11
のチップ内にシャットダウン制御回路14および制御用
のMOSトランジスタQ10,Q0を内蔵することで、
図示しないメインのレギュレータおよび平滑コンデンサ
から直接電源供給を行うことができ、シャットダウン制
御用のレギュレータICおよびその平滑コンデンサを途
中に介在する場合に比べて、たとえば実装面積を16%
削減することができ、コストを削減することができる。
また、動作時の消費電流を、前記シャットダウン制御用
のレギュレータICおよびその平滑コンデンサによる消
費電流がなくなることから、たとえば平均で、12mA
から前記2mAの1/6に削減することができる。この
場合、Vcc=1.5Vとすると、消費電力は3mWで
ある。
In order to realize such a shutdown control for power saving, the optical receiving circuit 11
By incorporating the shutdown control circuit 14 and the control MOS transistors Q10 and Q0 in the chip,
Power can be directly supplied from a main regulator and a smoothing capacitor (not shown), and the mounting area is 16% smaller than that when a shutdown control regulator IC and the smoothing capacitor are provided on the way.
It can be reduced and the cost can be reduced.
Further, the current consumption during operation is, for example, 12 mA on average because the current consumption due to the shutdown control regulator IC and its smoothing capacitor is eliminated.
Can be reduced to 1/6 of the above 2 mA. In this case, if Vcc = 1.5V, the power consumption is 3 mW.

【0030】また、前記バイアス回路13では、通常、
ダイオード構造とされ、各内部回路へそれぞれ定電流を
供給する第1のMOSトランジスタであるMOSトラン
ジスタQ11,Q12;Q2〜Q5を、極性で区分し
て、複数のそのMOSトランジスタQ11,Q12;Q
2〜Q5を、それぞれ第2のMOSトランジスタである
MOSトランジスタQ10,Q0で纏めて制御するの
で、前記トランジスタQ11,Q12;Q2〜Q5をバ
イポーラトランジスタで構成した場合は、シャットダウ
ン時にONする側のトランジスタQ10,Q0にベース
電流を供給する必要があるのに対して、MOSトランジ
スタとすることで、ゲートに電圧を印加するだけでよ
く、そのような不要な電流が流れることはなく、より低
消費電力化することができる。
Further, in the bias circuit 13, normally,
MOS transistors Q11, Q12; Q2 to Q5, which are first MOS transistors having a diode structure and each of which supplies a constant current to each internal circuit, are divided according to polarity, and a plurality of the MOS transistors Q11, Q12;
2 to Q5 are collectively controlled by the second MOS transistors Q10 and Q0, respectively. Therefore, when the transistors Q11 and Q12; Q2 to Q5 are bipolar transistors, they are turned on at the time of shutdown. While it is necessary to supply a base current to Q10 and Q0, by using a MOS transistor, it is only necessary to apply a voltage to the gate, and such an unnecessary current does not flow, resulting in lower power consumption. Can be converted.

【0031】さらにまた、出力回路12をバイポーラト
ランジスタで構成した場合には、その出力Voutの振
幅範囲を大きくとるためにオープンコレクタ形式にし、
プルアップ抵抗を外付けして、さらに出力Voutの応
答を速くするためには、前記バイポーラトランジスタの
寄生容量もしくは負荷容量と前記プルアップ抵抗とのC
R時定数を小さくするために前記プルアップ抵抗の値を
小さくする必要があり、そのためプルアップ抵抗を流れ
る負荷電流が増加してしまうのに対して、MOSトラン
ジスタQP,QNで構成することで、該MOSトランジ
スタの応答はON抵抗によって決定されるので、前記負
荷電流が増大することはなく、充分な応答速度を低消費
電力で実現することができる。
Furthermore, when the output circuit 12 is composed of bipolar transistors, it is of an open collector type in order to increase the amplitude range of the output Vout,
In order to further speed up the response of the output Vout by externally attaching a pull-up resistor, C of the parasitic capacitance or load capacitance of the bipolar transistor and the pull-up resistor is used.
In order to reduce the R time constant, it is necessary to reduce the value of the pull-up resistor, which increases the load current flowing through the pull-up resistor, whereas the MOS transistors QP and QN are used. Since the response of the MOS transistor is determined by the ON resistance, the load current does not increase, and a sufficient response speed can be realized with low power consumption.

【0032】このように本発明では、前記アンプA1
1,A12,A2,A3、コンパレータCMPおよびバ
ッファB等のバイポーラプロセスに、MOSのプロセス
を追加したBiCMOSのプロセスを採用し、前記MO
SトランジスタQ11,Q12,Q10:Q2〜Q5,
Q0を作成している。
As described above, in the present invention, the amplifier A1
1, A12, A2, A3, a comparator CMP, a buffer B, etc., a BiCMOS process in which a MOS process is added to the bipolar process is adopted.
S transistors Q11, Q12, Q10: Q2 to Q5
Creating Q0.

【0033】図3〜図6は、上述のように構成される光
受信回路11のチップを搭載する光電気共用伝送装置2
1の一例を示す図である。図3は平面図であり、図4は
図3の切断面線A−Aから見た断面図であり、図5は前
記光受信回路11のチップを搭載するモジュール22の
正面図である。前記モジュール22は、この光電気共用
伝送装置21において、プラグ23の挿入口24とは反
対側に設けられ、前記光受信回路11のチップがプラグ
23の頭部に対向する。
FIG. 3 to FIG. 6 show an optical / electrical shared transmission device 2 on which the chip of the optical receiving circuit 11 configured as described above is mounted.
It is a figure which shows an example of 1. 3 is a plan view, FIG. 4 is a sectional view taken along the section line AA of FIG. 3, and FIG. 5 is a front view of a module 22 on which the chip of the optical receiving circuit 11 is mounted. In the optical / electrical shared transmission device 21, the module 22 is provided on the side opposite to the insertion port 24 of the plug 23, and the chip of the optical receiving circuit 11 faces the head of the plug 23.

【0034】図6は、前記プラグ23の有無およびその
種別検知の様子を示す図である。プラグ23は、単頭式
の、いわゆるオーディオ用のステレオミニプラグPL1
を基本として作成されている。このプラグPL1では、
頭部PL1aがLチャネルの信号用となっており、それ
に連なる短胴部PL1bがRチャネルの信号用となって
おり、さらにそれに連なる長胴部PL1cがLR共用の
GND用となっており、電線を介してアナログのオーデ
ィオ信号を伝送する。
FIG. 6 is a diagram showing the presence / absence of the plug 23 and its type detection. The plug 23 is a single-headed stereo mini plug PL1 for so-called audio.
It is created based on. With this plug PL1,
The head portion PL1a is for the L channel signal, the short body portion PL1b connected to it is for the R channel signal, and the long body portion PL1c connected to it is for the LR shared GND. To transmit an analog audio signal.

【0035】これに対して、電線を介してデジタルのオ
ーディオ信号を伝送するプラグPL2は、頭部PL2a
が+信号用となっており、それに連なる短胴部PL2b
が−信号用となっており、さらにそれに連なる短胴部P
L2cがGND用となっており、さらにそれに連なる短
胴部PL2dが絶縁となっている。
On the other hand, the plug PL2 for transmitting the digital audio signal via the electric wire is the head PL2a.
Is for + signal, and the short body part PL2b connected to it
Is for signals, and the short body part P connected to it is
L2c is for GND, and the short body part PL2d connected to it is insulated.

【0036】また、光ファイバを介してデジタルのオー
ディオ信号を伝送するプラグPL3は、頭部PL3aが
金属となっており、それに連なる長胴部PL3bが絶縁
となっており、筒状のこれらの内部を光ファイバが連通
しており、その端面が前記頭部PL3aの先端から露出
している。
In the plug PL3 for transmitting a digital audio signal via an optical fiber, the head portion PL3a is made of metal, and the long body portion PL3b connected to the head portion PL3a is insulated. Through the optical fiber, and the end face thereof is exposed from the tip of the head PL3a.

【0037】前記光電気共用伝送装置21は、大略的
に、内部に前記挿入口24を有する筒状の保持体25
と、前記モジュール22とを備えて構成される。前述の
ように、挿入口24の先端にモジュール22が設けら
れ、そのモジュール22には、前記光受信回路11のチ
ップの周縁部から外部に引出される4つの端子26a,
26b,26c,26dが設けられている。そして、前
記チップの各端子P11,P12,P13,P14とこ
れらの端子26a,26b,26c,26dとがボンデ
ィングワイヤ27によってそれぞれ電気的に接続され、
端子26aは電源電圧Vccの入力端子となり、端子2
6bは接地電位GNDの入力端子となり、端子26cは
出力信号Voutの出力端子となり、端子26dはシャ
ットダウン信号の入力端子となる。
The optical / electrical shared transmission device 21 generally has a cylindrical holder 25 having the insertion port 24 therein.
And the module 22. As described above, the module 22 is provided at the tip of the insertion port 24, and the module 22 has four terminals 26a, which are drawn out from the peripheral portion of the chip of the optical receiving circuit 11.
26b, 26c and 26d are provided. The terminals P11, P12, P13, P14 of the chip and these terminals 26a, 26b, 26c, 26d are electrically connected by bonding wires 27, respectively.
The terminal 26a becomes an input terminal of the power supply voltage Vcc, and the terminal 2
6b serves as an input terminal for the ground potential GND, the terminal 26c serves as an output terminal for the output signal Vout, and the terminal 26d serves as an input terminal for a shutdown signal.

【0038】前記モジュール22は、前記光受信回路1
1のチップがGND電位の端子26bに連なるフレーム
26eに搭載された後、各端子26a,26b,26
c,26dと該チップとをワイヤボンディングによって
内部接続の後、透光性樹脂を用いて金型成形することで
作成され、前記各端子26a,26b,26c,26d
が一体成形されている。たとえば、前記光受信回路11
のチップサイズは1.3mm角であり、端子26a,2
6b,26c,26dの端子幅は0.4mmである。
The module 22 includes the optical receiving circuit 1
After the first chip is mounted on the frame 26e connected to the GND potential terminal 26b, the terminals 26a, 26b, 26
The terminals 26a, 26b, 26c and 26d are formed by internally connecting the c and 26d and the chip by wire bonding and then molding with a translucent resin.
Are integrally molded. For example, the optical receiving circuit 11
Has a chip size of 1.3 mm square and has terminals 26a, 2
The terminal width of 6b, 26c, and 26d is 0.4 mm.

【0039】一方、前記保持体25では、前記挿入口2
4の内周面から外部へ、電気接続用の端子28a,28
b,28c,28d,28e,28fが形成されてい
る。端子28a,28b,28cは、オーディオ信号の
伝送用で、前記プラグPL1,PL2に対応し、該プラ
グPL1,PL2が挿入口24内に嵌着されると、端子
28a,28b,28cはそれぞれ各部PL1a,PL
2a;PL1b,PL2b:PL1c,PL2cに電気
的に導通する。
On the other hand, in the holder 25, the insertion port 2
4 from the inner peripheral surface to the outside, terminals 28a, 28 for electrical connection
b, 28c, 28d, 28e and 28f are formed. The terminals 28a, 28b and 28c are for transmitting audio signals and correspond to the plugs PL1 and PL2. When the plugs PL1 and PL2 are fitted into the insertion port 24, the terminals 28a, 28b and 28c are respectively connected to respective parts. PL1a, PL
2a; PL1b, PL2b: electrically connected to PL1c, PL2c.

【0040】これに対して、端子28d,28e,28
fは、プラグ23の挿入の有無およびプラグ23の種別
の判定用の端子であり、この光電気共用伝送装置21の
外部において、端子28dはプルアップ抵抗R1を介し
て基準電圧Vrefに接続され、端子28eはGNDに
接続され、端子28fはプルアップ抵抗R2を介して基
準電圧Vrefに接続される。また、前記端子28c
も、外部においてプルアップ抵抗R3を介して基準電圧
Vrefに接続される。さらにまた、端子28eは可動
接点28gとなっており、前記端子28dに連なる固定
接点28hとスイッチを形成し、プラグ23が装着され
ていると該プラグ23に押圧されて前記可動接点28g
は固定接点28hに接触し、未装着では離反している。
On the other hand, the terminals 28d, 28e, 28
f is a terminal for determining whether or not the plug 23 is inserted and the type of the plug 23, and outside the opto-electric shared transmission device 21, the terminal 28d is connected to the reference voltage Vref via the pull-up resistor R1. The terminal 28e is connected to GND, and the terminal 28f is connected to the reference voltage Vref via the pull-up resistor R2. Also, the terminal 28c
Is also externally connected to the reference voltage Vref via the pull-up resistor R3. Furthermore, the terminal 28e is a movable contact 28g, which forms a switch with a fixed contact 28h connected to the terminal 28d. When the plug 23 is attached, the movable contact 28g is pressed by the plug 23.
Contacts the fixed contact 28h and is separated when not mounted.

【0041】したがって、前記各プルアップ抵抗R1,
R2,R3を介して基準電圧Vrefに接続される各端
子28d,28f,28cの電位をそれぞれV1,V
2,V3とすると、図6で示すように、接点28g,2
8hが導通することで電位V1がローレベル、端子28
f,28cと端子28eとの間が長胴部PL1cで導通
することで電位V2,V3もローレベルの総てローレベ
ルとなると、アナログ電気信号用のプラグPL1が装着
されていると判定することができる。また、接点28
g,28hが導通することで電位V1がローレベル、端
子28fが短胴部PL2dで絶縁されることで電位V2
がハイレベル、端子28cと端子28eとの間が短胴部
PL2cで導通することで電位V3がローレベルとなる
と、デジタル電気信号用のプラグPL2が装着されてい
ると判定することがでる。さらにまた、接点28g,2
8hが導通することで電位V1がローレベル、端子28
f,28cと端子28eとの間が長胴部PL3bで絶縁
されることで電位V2,V3がハイレベルとなると、光
デジタル信号用のプラグPL3が装着されていると判定
することがでる。また、接点28g,28hが遮断する
ことで電位V1がハイレベル、端子28f,28cと端
子28eとの間が開放していることで電位V2,V3も
ハイレベルの総てハイレベルとなると、何れのプラグP
L1〜PL3も装着されていないと判定することがで
る。
Therefore, each of the pull-up resistors R1,
The potentials of the terminals 28d, 28f, 28c connected to the reference voltage Vref via R2, R3 are respectively V1, V
2, V3, as shown in FIG. 6, contact points 28g, 2
The potential V1 is at a low level when 8h is conducted, and the terminal 28
When the potentials V2 and V3 are all low level due to conduction between the f and 28c and the terminal 28e by the long body portion PL1c, it is determined that the plug PL1 for analog electric signal is attached. You can Also, the contact 28
When g and 28h are conducted, the potential V1 is low level, and the terminal 28f is insulated by the short body portion PL2d, so that the potential V2 is
Is high level and the potential V3 becomes low level due to conduction between the terminal 28c and the terminal 28e by the short body portion PL2c, it can be determined that the plug PL2 for digital electric signal is attached. Furthermore, the contacts 28g, 2
The potential V1 is at a low level when 8h is conducted, and the terminal 28
When the potentials V2 and V3 become high level due to the long barrel portion PL3b insulating between f and 28c and the terminal 28e, it can be determined that the plug PL3 for optical digital signal is attached. Further, when the contacts 28g and 28h are cut off, the potential V1 is at a high level, and when the terminals 28f and 28c and the terminal 28e are opened, the potentials V2 and V3 are also at a high level. Plug P
It is possible to determine that L1 to PL3 are not mounted either.

【0042】こうして、電気式アナログ、電気式デジタ
ルおよび光デジタルの何れのプラグPL1〜PL3を使
用しても、それらのプラグPL1〜PL3が装着されて
いるか否かおよび装着されている場合にはその種別を判
定し、何れの信号にも共用可能であることが理解され
る。
In this way, whichever plug PL1 to PL3 of electric analog, electric digital, or optical digital is used, whether or not those plugs PL1 to PL3 are mounted, and when they are mounted It will be appreciated that the type can be determined and shared with any signal.

【0043】ここで、上述の説明では、前記光電気共用
伝送装置21に設けられるモジュール22に搭載される
チップは光受信回路11を例に説明しているけれども、
光送信回路であってもよい。その場合のモジュール32
の例を、図7で示す。前記モジュール32は、発光素子
LEDと、その発光素子LEDを駆動し、前記シャット
ダウン回路を搭載する駆動回路33とを備えて構成され
る。前記発光素子LEDのチップが電源電圧Vccの入
力端子36aに連なるフレーム36eに搭載され、駆動
回路33のチップがGND電位の端子36bに連なるフ
レーム36fに搭載され、前記電源電圧Vccの入力端
子36a、GND電位の端子36b、入力信号Vinの
入力端子36cおよび/またはシャットダウン信号の入
力端子36dと前記チップとがボンディングワイヤ37
によってそれぞれ電気的に接続された後、透光性樹脂を
用いて金型成形される。
In the above description, the optical receiver circuit 11 is used as an example of the chip mounted on the module 22 provided in the optical / electrical shared transmission device 21.
It may be an optical transmission circuit. Module 32 in that case
An example of is shown in FIG. The module 32 is configured to include a light emitting element LED and a drive circuit 33 that drives the light emitting element LED and mounts the shutdown circuit. The chip of the light emitting element LED is mounted on the frame 36e connected to the input terminal 36a of the power supply voltage Vcc, the chip of the drive circuit 33 is mounted on the frame 36f connected to the terminal 36b of the GND potential, and the input terminal 36a of the power supply voltage Vcc, The bonding wire 37 is formed by connecting the GND potential terminal 36b, the input signal Vin input terminal 36c and / or the shutdown signal input terminal 36d to the chip.
After they are electrically connected to each other, they are molded using a translucent resin.

【0044】図8〜図11は、それぞれシャットダウン
制御の態様を示す図である。これらの例では、光電気共
用伝送装置21として、前述の光受信回路11のチップ
を使用しているけれども、上記発光素子LEDと駆動回
路33とのチップであっても同様である。図8〜図10
の例は、前記図6から、光受信回路11へは、光デジタ
ル信号のプラグPL3が装着されることで、前記電位V
1がローレベルであり、かつ電位V3がハイレベルであ
るときにのみ電源供給を行えばよく、残余の場合はシャ
ットダウン動作を行えばよいことに着目した例である。
すなわち、前記電位V1,電位V3を、プラグの挿入有
無検出手段およびプラグの種別検出手段として使用する
ものである。
FIG. 8 to FIG. 11 are diagrams showing the modes of shutdown control. In these examples, the chip of the above-mentioned optical receiving circuit 11 is used as the optical / electrical shared transmission device 21, but the same applies to the chip of the light emitting element LED and the driving circuit 33. 8 to 10
In the example of FIG. 6, from the above-mentioned FIG.
In this example, power is supplied only when 1 is at a low level and the potential V3 is at a high level, and a shutdown operation may be performed at the time of remaining.
That is, the potentials V1 and V3 are used as plug insertion presence / absence detecting means and plug type detecting means.

【0045】図8の例は、光電気共用伝送装置21の外
部に、シャットダウンの要否を判定する制御回路とし
て、簡単な論理回路41を設けた例であり、該論理回路
41は、インバータ42と、OR回路43とで構成され
ている。前記電位V1は、直接OR回路43の一方の入
力に与えられ、OR回路43の他方の入力には、前記電
位V3がインバータ42で反転された後、入力される。
したがって、インバータ43から前記端子26dに与え
られるシャットダウン信号SDは、OR回路43の2つ
の入力が共にローレベル、すなわち前記電位V1がロー
レベルであり、かつ電位V3がハイレベルであるときに
のみローレベルとなり、残余の場合はハイレベルとな
る。
The example of FIG. 8 is an example in which a simple logic circuit 41 is provided outside the optical / electrical shared transmission device 21 as a control circuit for determining the necessity of shutdown. The logic circuit 41 is an inverter 42. And an OR circuit 43. The potential V1 is directly applied to one input of the OR circuit 43, and the other input of the OR circuit 43 is input after the potential V3 is inverted by the inverter 42.
Therefore, the shutdown signal SD supplied from the inverter 43 to the terminal 26d becomes low only when the two inputs of the OR circuit 43 are both low level, that is, the potential V1 is low level and the potential V3 is high level. It becomes a level, and when it remains, it becomes a high level.

【0046】こうして、簡単な論理回路41を付加する
だけで、プラグ23が挿入されており、かつそれが光デ
ジタル信号のプラグPL3である場合にのみ電源供給を
行い、プラグ23が挿入されていない場合、および挿入
されていても電気プラグPL1,PL2である場合は電
源供給を遮断するシャットダウン制御を行うことができ
る。
Thus, only by adding the simple logic circuit 41, the power is supplied only when the plug 23 is inserted and it is the plug PL3 for the optical digital signal, and the plug 23 is not inserted. In this case, and if the plugs are electric plugs PL1 and PL2 even if they are inserted, the shutdown control for cutting off the power supply can be performed.

【0047】また、図9の例は、シャットダウンの要否
を判定する内部判定回路としての機能を有する光受信回
路11aを用いる例である。すなわち、この光受信回路
11a内には、前記論理回路41のような回路がさらに
設けられており、該光受信回路11aには、前記プラグ
の挿入有無検出手段およびプラグの種別検出手段として
の電位V1,電位V3をそれぞれ入力するために、シャ
ットダウン信号の入力端子として、2つの端子26d
1,26d2を備える。
Further, the example of FIG. 9 is an example of using the optical receiving circuit 11a having a function as an internal determination circuit for determining the necessity of shutdown. That is, a circuit such as the logic circuit 41 is further provided in the optical receiving circuit 11a, and the optical receiving circuit 11a has a potential as the plug insertion presence / absence detecting means and the plug type detecting means. Two terminals 26d are provided as input terminals for the shutdown signal in order to input V1 and the potential V3, respectively.
1, 26d2.

【0048】これによって、光電気共用伝送装置21a
の内部での判定によって、適切にシャットダウン制御を
行うことができるとともに、内部で簡単な論理処理で制
御を行うので、外部のマイクロコンピュータ等にソフト
的な負担を与えることなくシャットダウン制御を行うこ
とができる。
As a result, the optical / electrical shared transmission device 21a is provided.
Shutdown control can be performed appropriately by the internal judgment of the system, and because it is controlled by a simple logical process inside, it is possible to perform the shutdown control without giving a software-like burden to an external microcomputer. it can.

【0049】さらにまた、図10の例は、光電気共用伝
送装置21の外部に、シャットダウンの要否を判定する
制御回路44を設ける例であり、その制御回路44とし
ては、デジタル信号処理のために設けられているマイク
ロコンピュータまたはデジタルシグナルプロセッサ(D
SP)を兼用することができる。前記制御回路44に
は、前記プラグの挿入有無検出手段およびプラグの種別
検出手段としての電位V1,電位V3が入力され、これ
に対応して前記光受信回路11の端子26dにシャット
ダウン信号SDを出力する。
Furthermore, the example of FIG. 10 is an example in which a control circuit 44 for deciding the necessity of shutdown is provided outside the optical / electrical shared transmission device 21, and the control circuit 44 is for digital signal processing. Microcomputer or digital signal processor (D
SP) can also be used. The control circuit 44 receives the potentials V1 and V3 as the plug insertion presence / absence detecting means and the plug type detecting means, and outputs a shutdown signal SD to the terminal 26d of the optical receiving circuit 11 in response to the potentials V1 and V3. To do.

【0050】これによって、前記論理回路41のような
専用の回路を別途に設けることなくシャットダウン制御
を行うことができる。また、プラグの挿入の有無および
種別の判定の後、所定の遅延時間経過後にシャットダウ
ンを解除するなどの制御が可能になる。
Thus, the shutdown control can be performed without separately providing a dedicated circuit such as the logic circuit 41. In addition, it is possible to perform control such as canceling the shutdown after a lapse of a predetermined delay time after determining whether or not the plug is inserted and the type.

【0051】また、図11の例は、前記図10の例と同
様に、外部に設けられているデジタル信号処理のための
マイクロコンピュータまたはDSPを兼用した制御回路
45を用いるとともに、その制御回路45がキー操作回
路46への操作に応答してシャットダウンの要否を判定
し、制御を行う例である。
Further, in the example of FIG. 11, as in the example of FIG. 10, a control circuit 45 which also serves as a microcomputer or a DSP for digital signal processing provided outside is used, and the control circuit 45 thereof is also used. Is an example of determining whether or not shutdown is necessary in response to an operation on the key operation circuit 46 and performing control.

【0052】これによって、たとえば携帯電話の端末
に、デジタルオーディオ機器からオーディオデータをダ
ウンロードする場合のように、録音状態としてから光受
信回路11に電源供給を行うような制御を実現でき、機
器の動作状態に応じたシャットダウン制御を行うことが
できる。なお、前記制御回路45に前記電位V1,電位
V3を入力して、前記外部操作と、挿入検知および種別
検知の結果とを合わせて、より詳細にシャットダウン制
御を行うようにしてもよいことは言うまでもない。
As a result, it is possible to realize control such that power is supplied to the optical receiving circuit 11 after a recording state, as in the case of downloading audio data from a digital audio device to a mobile phone terminal, for example, and operation of the device. Shutdown control can be performed according to the state. It is needless to say that the potential V1 and the potential V3 may be input to the control circuit 45 to perform the shutdown control in more detail by combining the external operation and the results of the insertion detection and the type detection. Yes.

【0053】本発明の実施の他の形態について、図12
および図13に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。
FIG. 12 shows another embodiment of the present invention.
It will be described below with reference to FIG.

【0054】図12は前述の光受信回路11を搭載する
本発明の実施の他の形態の光伝送装置51の正面図であ
り、図13はその側面図である。図12および図13に
おいて、前述の図3〜図5に対応する部分には同一の参
照符号を付して、その説明を省略する。この光伝送装置
51はディジタル・オーディオインターフェース規格R
C−5720Bに準拠する角型の光伝送装置であり、光
受信回路11を収納保持する保持体52には略角型の挿
入口53が形成されており、前記光受信回路11はこの
挿入口53の後部に配置される。前記角型の挿入口53
において相互に対向する一対の内周面(図12および図
13では上面および下面)には、導電性の接触片54,
55が臨んでおり、これらの接触片54,55は保持体
52外周面(図12および図13では下面)から外部に
延びる端子54a,55aにそれぞれ連通している。前
記挿入口53の内周面にはまた、装着されたプラグ56
を保持するための弾発力を発生する一対のばね部53a
が設けられている。
FIG. 12 is a front view of an optical transmission device 51 of another embodiment of the present invention in which the above-mentioned optical receiving circuit 11 is mounted, and FIG. 13 is a side view thereof. 12 and 13, parts corresponding to those in FIGS. 3 to 5 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. This optical transmission device 51 is a digital audio interface standard R
A rectangular optical transmission device conforming to C-5720B, in which a holding body 52 for accommodating and holding the optical receiving circuit 11 is formed with a substantially rectangular insertion port 53, and the optical receiving circuit 11 is provided with this insertion port. It is located at the rear of 53. The rectangular insertion port 53
At the pair of inner peripheral surfaces (upper surface and lower surface in FIGS. 12 and 13) facing each other, conductive contact pieces 54,
55, and these contact pieces 54, 55 communicate with terminals 54a, 55a extending from the outer peripheral surface of the holding body 52 (the lower surface in FIGS. 12 and 13) to the outside, respectively. The plug 56 mounted on the inner peripheral surface of the insertion port 53 is also mounted.
Pair of spring portions 53a for generating elastic force for holding
Is provided.

【0055】これに対応して、プラグ56には、前記挿
入口53に嵌着する略角型の挿入筒部57が形成されて
おり、その挿入筒部57内には光ファイバ58が保持さ
れている。前記角型の挿入筒部57において一対の外周
面(図12および図13では上面および下面)には、板
ばね状の導電性の接触片59a,59bが臨んでおり、
これらの接触片59a.59bはプラグ56内で短絡片
59によって相互に短絡されている。
Correspondingly, the plug 56 is formed with a substantially rectangular insertion tube portion 57 which is fitted in the insertion port 53, and an optical fiber 58 is held in the insertion tube portion 57. ing. The pair of outer peripheral surfaces (the upper surface and the lower surface in FIGS. 12 and 13) of the square-shaped insertion tube portion 57 face the leaf spring-shaped conductive contact pieces 59a and 59b.
These contact pieces 59a. 59b are short-circuited to each other by a short-circuit piece 59 in the plug 56.

【0056】したがって、プラグ56が挿入口53に装
着されると、光ファイバ58の端面がフォトダイオード
PDの受光面に臨むとともに、接触片54,55間が接
触片59a,59bおよび短絡片59によって相互に短
絡される。したがって、たとえば端子54aをプルアッ
プ抵抗等で前記電源電圧Vccにプルアップしておき、
端子55aをGND電位としておくことで、端子54a
の電位から装着検知を行い、前述のシャットダウン制御
を行うことができる。
Therefore, when the plug 56 is attached to the insertion port 53, the end surface of the optical fiber 58 faces the light receiving surface of the photodiode PD, and the contact pieces 54, 55 are contacted by the contact pieces 59a, 59b and the short-circuit piece 59. Shorted to each other. Therefore, for example, the terminal 54a is pulled up to the power supply voltage Vcc by a pull-up resistor or the like,
By setting the terminal 55a to the GND potential, the terminal 54a
It is possible to detect the attachment from the potential of and to perform the shutdown control described above.

【0057】本発明の実施のさらに他の形態について、
図14〜図17に基づいて説明すれば、以下のとおりで
ある。
With respect to still another embodiment of the present invention,
The following is a description based on FIGS. 14 to 17.

【0058】図14は前述の光受信回路11を搭載する
本発明の実施のさらに他の形態の光伝送装置61の正面
図であり、図15はその側面図であり、図16は図14
の切断面線B−Bから見た断面図であり、図17は図1
5の切断面線C−Cから見た断面図であり、図18は図
16にプラグ69を装着した状態を示す断面図である。
この光伝送装置61は、前述の光伝送装置51に類似
し、対応する部分には同一の参照符号を付して、その説
明を省略する。注目すべきは、この光伝送装置61で
は、前記挿入口53にシャッタ63が設けられているこ
とである。
FIG. 14 is a front view of an optical transmission device 61 according to still another embodiment of the present invention in which the above-described optical receiving circuit 11 is mounted, FIG. 15 is a side view thereof, and FIG. 16 is FIG.
17 is a cross-sectional view as seen from the section line B-B of FIG.
5 is a sectional view taken along the line C-C of FIG. 5, and FIG. 18 is a sectional view showing a state in which the plug 69 is mounted in FIG. 16.
This optical transmission device 61 is similar to the above-described optical transmission device 51, and corresponding parts are designated by the same reference numerals and description thereof is omitted. It should be noted that in this optical transmission device 61, a shutter 63 is provided at the insertion port 53.

【0059】これに対応して、保持体62には、前記シ
ャッタ63の一端を鉛直軸線回りに揺動自在に支持する
上下一対のピン64が設けられるとともに、そのシャッ
タ63を内方側から外方側へ付勢するばね65が設けら
れる。また、前記保持体62は、前記ばね65のシャッ
タ63を押圧する一端65bに対応するの一部の内壁6
6が、導電性樹脂で形成され、または金属端子で形成さ
れている。前記ばね65および内壁66は外部まで延び
て形成され、端子65a,66aとなっている。
Correspondingly, the holding body 62 is provided with a pair of upper and lower pins 64 for supporting one end of the shutter 63 so as to be swingable about the vertical axis, and the shutter 63 from the inside to the outside. A spring 65 that urges toward one side is provided. Further, the holding body 62 has a part of the inner wall 6 corresponding to one end 65b of the spring 65 that presses the shutter 63.
6 is formed of a conductive resin or a metal terminal. The spring 65 and the inner wall 66 are formed to extend to the outside and serve as terminals 65a and 66a.

【0060】したがって、前記ばね65と内壁66と
は、プラグ69の装着の有無に対応してON/OFFす
るスイッチを構成する。すなわち、プラグ69が装着さ
れておらず、シャッタ63が閉じている状態では、ばね
65の一端65bは内壁66から離反しており、これに
よって端子65a,66a間が遮断する。これに対し
て、プラグ69が装着されると、シャッタ63が開放
し、ばね65の一端65bは内壁66に接触し、これに
よって端子65a,66a間が導通する。こうして、シ
ャッタ63の開閉状態からプラグ69の装着の有無を検
知することができる。
Therefore, the spring 65 and the inner wall 66 constitute a switch which is turned on / off depending on whether the plug 69 is attached or not. That is, in the state where the plug 69 is not attached and the shutter 63 is closed, the one end 65b of the spring 65 is separated from the inner wall 66, thereby disconnecting the terminals 65a and 66a. On the other hand, when the plug 69 is attached, the shutter 63 is opened, and the one end 65b of the spring 65 contacts the inner wall 66, whereby the terminals 65a and 66a are electrically connected. In this way, whether or not the plug 69 is attached can be detected from the opened / closed state of the shutter 63.

【0061】これによって、前記接触片54,55のよ
うな装着検知のために専用の金属端子を設ける必要はな
い。なお、シャッタ63自身を導電性樹脂製または金属
製にするとともに外部端子に接続し、このシャッタ63
と内壁66とが導通しているか否かから装着検知を行っ
てもよい。
As a result, it is not necessary to provide a dedicated metal terminal for detecting attachment such as the contact pieces 54 and 55. The shutter 63 itself is made of conductive resin or metal and is connected to an external terminal.
The attachment detection may be performed based on whether or not the inner wall 66 and the inner wall 66 are electrically connected to each other.

【0062】上述の本発明の光受信回路11のチップな
らびに発光素子LEDおよび駆動回路33のチップ、さ
らにそれらを搭載する伝送装置21,51,61は、少
なくとも光信号の通信を行う電子機器、特に省電力化の
要望の強い携帯型の機器において、回路部のチップ面積
を殆ど増大させることなくシャットダウン制御を実現す
ることができ、好適である。
The above-described chip of the optical receiving circuit 11 of the present invention, the chip of the light emitting element LED and the driving circuit 33, and the transmission devices 21, 51 and 61 equipped with them are at least electronic devices for communicating optical signals, in particular. In a portable device with strong demand for power saving, shutdown control can be realized without increasing the chip area of the circuit portion, which is preferable.

【0063】[0063]

【発明の効果】本発明の光通信回路チップは、以上のよ
うに、電気信号を光信号に変換して通信する光通信回路
チップにおいて、対応するジャックに光ファイバ等の伝
送媒体のプラグが装着されているか否かやユーザ操作等
に応じて外部から入力されるシャットダウン信号に応答
して、内部回路への電源供給を遮断するシャットダウン
回路を内蔵する。
As described above, in the optical communication circuit chip of the present invention, a plug of a transmission medium such as an optical fiber is attached to the corresponding jack in the optical communication circuit chip for converting an electric signal into an optical signal for communication. A shutdown circuit that shuts off the power supply to the internal circuit in response to a shutdown signal input from the outside according to whether or not it is being operated, a user operation, or the like is incorporated.

【0064】それゆえ、別途にレギュレータICを用い
る場合に比べて、基板スペースやコストを削減すること
ができる。
Therefore, as compared with the case where a regulator IC is separately used, the board space and the cost can be reduced.

【0065】また、本発明の光通信回路チップは、以上
のように、前記内部回路への電源供給を行うバイアス回
路を、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1のM
OSトランジスタを備えて構成し、前記シャットダウン
回路を、前記第1のMOSトランジスタのゲートを制御
する第2のMOSトランジスタと、前記シャットダウン
信号に応答して、前記第2のMOSトランジスタを駆動
する制御回路とを備えて構成する。
In the optical communication circuit chip of the present invention, as described above, the bias circuit for supplying power to the internal circuits is supplied to the first M circuit for supplying a constant current to each internal circuit.
A second MOS transistor configured to include an OS transistor, the shutdown circuit controlling a gate of the first MOS transistor, and a control circuit driving the second MOS transistor in response to the shutdown signal. And is configured.

【0066】それゆえ、前記第1および第2のトランジ
スタをバイポーラトランジスタで構成した場合は、シャ
ットダウン時にONする側のトランジスタにベース電流
を供給する必要があるのに対して、MOSトランジスタ
とすることで、そのような不要な電流が流れることはな
く、より低消費電力化することができる。
Therefore, when the first and second transistors are composed of bipolar transistors, it is necessary to supply the base current to the transistor turned on at the time of shutdown, whereas the MOS transistor is used. Moreover, such an unnecessary current does not flow, and the power consumption can be further reduced.

【0067】さらにまた、本発明の光通信回路チップ
は、以上のように、出力段の回路をMOSトランジスタ
で構成する。
Furthermore, in the optical communication circuit chip of the present invention, the circuit of the output stage is composed of MOS transistors as described above.

【0068】それゆえ、前記出力段の回路をバイポーラ
トランジスタで構成した場合、その出力信号の振幅範囲
を大きくとるためにオープンコレクタ形式にし、プルア
ップ抵抗を外付けして、さらに出力信号の応答を速くす
るためには前記プルアップ抵抗の値を小さくする必要が
あり、そのためプルアップ抵抗を流れる負荷電流が増加
してしまうのに対して、MOSトランジスタで構成する
ことで、前記負荷電流の増大を招くことはなく、充分な
応答速度を低消費電力で実現することができる。
Therefore, when the circuit of the output stage is composed of bipolar transistors, the open-collector type is adopted in order to widen the amplitude range of the output signal, a pull-up resistor is externally attached, and the response of the output signal is further increased. In order to increase the speed, it is necessary to reduce the value of the pull-up resistor. Therefore, the load current flowing through the pull-up resistor increases, whereas the MOS transistor is used to increase the load current. It is possible to realize a sufficient response speed with low power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施の一形態の光通信回路チップであ
る光受信回路の電気的構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an electrical configuration of an optical receiving circuit that is an optical communication circuit chip according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1で示す光受信回路におけるバイアス回路お
よびシャットダウン回路の具体的構成を示すブロック図
である。
FIG. 2 is a block diagram showing a specific configuration of a bias circuit and a shutdown circuit in the optical receiving circuit shown in FIG.

【図3】図1および図2で示す光受信回路のチップを搭
載する光電気共用伝送装置の一例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing an example of an optical / electrical shared transmission device equipped with a chip of the optical receiving circuit shown in FIGS. 1 and 2.

【図4】図3の切断面線A−Aから見た断面図である。4 is a cross-sectional view taken along the section line AA of FIG.

【図5】前記光受信回路のチップを搭載するモジュール
の正面図である。
FIG. 5 is a front view of a module on which the chip of the optical receiving circuit is mounted.

【図6】プラグの装着およびその種別検知の様子を示す
図である。
FIG. 6 is a diagram showing how a plug is attached and its type is detected.

【図7】前記光通信回路チップの例として送信モジュー
ルの場合の例を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing an example of a transmission module as an example of the optical communication circuit chip.

【図8】シャットダウン制御の一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of shutdown control.

【図9】シャットダウン制御の他の例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing another example of shutdown control.

【図10】シャットダウン制御のさらに他の例を示す図
である。
FIG. 10 is a diagram showing still another example of shutdown control.

【図11】シャットダウン制御の他の例を示す図であ
る。
FIG. 11 is a diagram showing another example of shutdown control.

【図12】前述の光受信回路を搭載する本発明の実施の
他の形態の光伝送装置の正面図である。
FIG. 12 is a front view of an optical transmission device according to another embodiment of the present invention, which is equipped with the optical receiving circuit described above.

【図13】図12の側面図である。FIG. 13 is a side view of FIG.

【図14】前述の光受信回路を搭載する本発明の実施の
さらに他の形態の光伝送装置の正面図である。
FIG. 14 is a front view of an optical transmission device according to still another embodiment of the present invention, which is equipped with the above-described optical receiving circuit.

【図15】図14の側面図である。FIG. 15 is a side view of FIG.

【図16】図15の切断面線B−Bから見た断面図であ
る。
16 is a cross-sectional view taken along the section line BB of FIG.

【図17】図14の切断面線C−Cから見た断面図であ
る。
FIG. 17 is a sectional view taken along the line C-C in FIG.

【図18】図16にプラグを装着した状態を示す断面図
である。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing a state in which the plug is attached to FIG. 16.

【図19】従来のシャットダウン制御を示すブロック図
である。
FIG. 19 is a block diagram showing conventional shutdown control.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 光受信回路 11a 光受信回路(内部判定回路) 12 出力回路 13 バイアス回路 14 シャットダウン回路 21,21a 光電気共用伝送装置 22,32 モジュール 23,56,69 プラグ 24,53 挿入口 25,52,62 保持体 26a,26b,26c,26d;36a,36b,3
6c,36d 端子 26d1,26d2 端子 27,37 ボンディングワイヤ 28a,28b,28c,28d,28e,28f
端子 28g,28h 接点(挿入有無検出手段、種別検出
手段) 33 駆動回路 41 論理回路 42 インバータ 43 OR回路 44,45 制御回路 46 キー操作回路 51,61 光伝送装置 53a ばね部 54,55 接触片(第2の金属端子) 54a,55a 端子 56 短絡片 57 挿入筒部 58 光ファイバ 59a,59b 接触片(第1の金属端子) 63 シャッタ 65 ばね(スイッチ) 65a,66a 端子 66 内壁(スイッチ) A11,A12 初段アンプ A2,A3 差動アンプ B バッファ C1,C2 結合コンデンサ CD ダミー容量 CMP コンパレータ INV1,INV2 インバータ LED 発光素子 P11 電源入力端子 P12 接地端子 P13 出力端子 P14 シャットダウン入力端子 PD フォトダイオード PL1 電気式アナログプラグ PL2 電気式デジタルプラグ PL3 光式デジタルプラグ PL1a;PL2a;PL3a 頭部 PL1b;PL2b,PL2c 短胴部 PL1c 長胴部 PL2d 短胴部 PL3b 長胴部 Q0 NMOSトランジスタ(第2のMOSトランジ
スタ) Q2,Q3,Q4,Q5 NMOSトランジスタ(第1
のMOSトランジスタ) Q10 PMOSトランジスタ(第2のMOSトランジ
スタ) Q11,Q12 PMOSトランジスタ(第1のMO
Sトランジスタ) QP PMOSトランジスタ QN NMOSトランジスタ R1,R2,R3 プルアップ抵抗(挿入有無検出手
段、種別検出手段) R11,R12 抵抗 R21,R22 プルアップ抵抗
11 Optical Receiver Circuit 11a Optical Receiver Circuit (Internal Judgment Circuit) 12 Output Circuit 13 Bias Circuit 14 Shutdown Circuit 21, 21a Photoelectric Common Transmission Device 22, 32 Module 23, 56, 69 Plug 24, 53 Insertion Port 25, 52, 62 Holders 26a, 26b, 26c, 26d; 36a, 36b, 3
6c, 36d terminals 26d1, 26d2 terminals 27, 37 bonding wires 28a, 28b, 28c, 28d, 28e, 28f
Terminals 28g, 28h Contact points (insertion presence / absence detection means, type detection means) 33 Drive circuit 41 Logic circuit 42 Inverter 43 OR circuit 44, 45 Control circuit 46 Key operation circuit 51, 61 Optical transmission device 53a Spring portion 54, 55 Contact piece ( Second metal terminal) 54a, 55a terminal 56 Short-circuit piece 57 Inserting tube portion 58 Optical fiber 59a, 59b Contact piece (first metal terminal) 63 Shutter 65 Spring (switch) 65a, 66a Terminal 66 Inner wall (switch) A11, A12 First stage amplifier A2, A3 Differential amplifier B Buffer C1, C2 Coupling capacitor CD Dummy capacitance CMP Comparator INV1, INV2 Inverter LED Light emitting element P11 Power input terminal P12 Ground terminal P13 Output terminal P14 Shutdown input terminal PD Photodiode PL1 Electrical analog plug L2 electric digital plug PL3 optical digital plug PL1a; PL2a; PL3a head PL1b; PL2b, PL2c short trunk PL1c long trunk PL2d short trunk PL3b long trunk Q0 NMOS transistor (second MOS transistor) Q2, Q3 , Q4, Q5 NMOS transistors (first
MOS transistor) Q10 PMOS transistor (second MOS transistor) Q11, Q12 PMOS transistor (first MO transistor)
S transistor) QP PMOS transistor QN NMOS transistor R1, R2, R3 pull-up resistance (insertion presence / absence detection means, type detection means) R11, R12 resistance R21, R22 pull-up resistance

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 10/26 10/28 Fターム(参考) 5F049 MA01 NA17 NA19 NB01 RA07 RA08 UA13 5K002 AA01 AA03 EA04 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H04B 10/26 10/28 F term (reference) 5F049 MA01 NA17 NA19 NB01 RA07 RA08 UA13 5K002 AA01 AA03 EA04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電気信号を光信号に変換して通信する光通
信回路チップにおいて、 外部から入力されるシャットダウン信号に応答して、内
部回路への電源供給を遮断するシャットダウン回路を備
えることを特徴とする光通信回路チップ。
1. An optical communication circuit chip for converting an electric signal into an optical signal for communication, comprising a shutdown circuit for cutting off power supply to an internal circuit in response to a shutdown signal inputted from the outside. Optical communication circuit chip.
【請求項2】前記内部回路への電源供給を行うバイアス
回路は、各内部回路へそれぞれ定電流を供給する第1の
MOSトランジスタを備えて構成され、 前記シャットダウン回路は、 前記第1のMOSトランジスタのゲートを制御する第2
のMOSトランジスタと、 前記シャットダウン信号に応答して、前記第2のMOS
トランジスタを駆動する制御回路とを備えて構成される
ことを特徴とする請求項1記載の光通信回路チップ。
2. A bias circuit for supplying power to the internal circuit comprises a first MOS transistor for supplying a constant current to each internal circuit, and the shutdown circuit comprises the first MOS transistor. Second to control the gate of the
And a second MOS transistor in response to the shutdown signal.
The optical communication circuit chip according to claim 1, comprising a control circuit for driving a transistor.
【請求項3】出力段の回路がMOSトランジスタで構成
されることを特徴とする請求項1または2記載の光通信
回路チップ。
3. The optical communication circuit chip according to claim 1, wherein the output stage circuit is composed of a MOS transistor.
【請求項4】前記請求項1〜3の何れかに記載の光通信
回路チップを備えることを特徴とする電子機器。
4. An electronic device comprising the optical communication circuit chip according to claim 1. Description:
JP2002017626A 2002-01-25 2002-01-25 Optical communication circuit chip and electronic device including the same Expired - Fee Related JP3805688B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002017626A JP3805688B2 (en) 2002-01-25 2002-01-25 Optical communication circuit chip and electronic device including the same
US10/338,723 US20030142984A1 (en) 2002-01-25 2003-01-09 Optical communication circuit chip, optical/electrical common transmission apparatus, optical transmission apparatus, and electric apparatus using same
TW092100870A TWI233696B (en) 2002-01-25 2003-01-16 Optical communication circuit chip, optical/electrical common transmission apparatus, optical transmission apparatus, and electric apparatus using same
CNB03120659XA CN1244960C (en) 2002-01-25 2003-01-24 Optical communication circuit ship, optical-electrical sheared transmission device and optical sending device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002017626A JP3805688B2 (en) 2002-01-25 2002-01-25 Optical communication circuit chip and electronic device including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003218795A true JP2003218795A (en) 2003-07-31
JP3805688B2 JP3805688B2 (en) 2006-08-02

Family

ID=27653248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002017626A Expired - Fee Related JP3805688B2 (en) 2002-01-25 2002-01-25 Optical communication circuit chip and electronic device including the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3805688B2 (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009165101A (en) * 2007-12-11 2009-07-23 Nec Electronics Corp Optical receiver and amplifier and photocoupler using the same
JP2012074794A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Yazaki Corp Signal transmission device
US8467828B2 (en) 2007-01-05 2013-06-18 Apple Inc. Audio I O headset plug and plug detection circuitry
JP2021019303A (en) * 2019-07-22 2021-02-15 シャープ株式会社 Signal receiver

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8467828B2 (en) 2007-01-05 2013-06-18 Apple Inc. Audio I O headset plug and plug detection circuitry
US9301045B2 (en) 2007-01-05 2016-03-29 Apple Inc. Audio I O headset plug and plug detection circuitry
US9838780B2 (en) 2007-01-05 2017-12-05 Apple Inc. Audio I O headset plug and plug detection circuitry
US10659874B2 (en) 2007-01-05 2020-05-19 Apple Inc. Audio I O headset plug and plug detection circuitry
JP2009165101A (en) * 2007-12-11 2009-07-23 Nec Electronics Corp Optical receiver and amplifier and photocoupler using the same
JP2012074794A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Yazaki Corp Signal transmission device
JP2021019303A (en) * 2019-07-22 2021-02-15 シャープ株式会社 Signal receiver
JP7344033B2 (en) 2019-07-22 2023-09-13 シャープ株式会社 signal receiving device

Also Published As

Publication number Publication date
JP3805688B2 (en) 2006-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3098461B2 (en) Digital receiver circuit
CN108093329B (en) Peripheral type detection circuit and mobile terminal based on shared interface
US7519185B2 (en) Earphone detection circuit
JP3805689B2 (en) Photoelectric transmission device, optical transmission device, and electronic equipment using the same
TWI233696B (en) Optical communication circuit chip, optical/electrical common transmission apparatus, optical transmission apparatus, and electric apparatus using same
TWI269541B (en) Optical receiver
US10205280B2 (en) Connector and electronic device with the connector
JP3805688B2 (en) Optical communication circuit chip and electronic device including the same
KR100466098B1 (en) Audio port/USB port integrated sound source reproduction device and its signal transaction Method
CN111182417A (en) Audio interface adaptation circuit, data line and audio equipment
JP2004135188A (en) Optical receiving circuit and electronic apparatus having the same
JP3675742B2 (en) Information processing apparatus having digital signal output terminal and audio signal output apparatus
US7734265B2 (en) Audio muting circuit and audio muting method
US7194097B2 (en) Audio control device
WO2004098077A1 (en) Apparatus for detecting a module
US7120260B2 (en) Jack circuit and portable type electronic apparatus and telephone set using the same
CN1166083A (en) Automatic prevention of inadvertent operation of electronic devices
EP1463373B1 (en) Earphone detection circuit
US5942995A (en) Return-to-zero receiver
JP3878884B2 (en) Jack circuit, portable electronic device and telephone using the same
JP2005130173A (en) Optical receiving circuit and electronic apparatus provided with the same
KR100247177B1 (en) A speaker-operating circuit for preventing output distortion of voice signal
JP2000032339A (en) Signal switching circuit
KR100819270B1 (en) Earmicrophone apparatus for supplying power to a mobile terminal and the mobile terminal
JP2000078091A (en) Optical receiving circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040728

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060327

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20060327

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060509

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060510

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100519

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110519

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120519

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130519

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140519

Year of fee payment: 8

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees