JP2003229748A - Analog switch circuit - Google Patents

Analog switch circuit

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JP2003229748A
JP2003229748A JP2002026567A JP2002026567A JP2003229748A JP 2003229748 A JP2003229748 A JP 2003229748A JP 2002026567 A JP2002026567 A JP 2002026567A JP 2002026567 A JP2002026567 A JP 2002026567A JP 2003229748 A JP2003229748 A JP 2003229748A
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JP
Japan
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potential
type transistor
gate
analog switch
inverter
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Pending
Application number
JP2002026567A
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Japanese (ja)
Inventor
Masato Maede
正人 前出
Masaya Hirose
雅也 廣瀬
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To surely suppress flowing of an excessive current in an element from an input side in an analog switching circuit. <P>SOLUTION: A well potential NW of a PMOS P1 of the analog switch 10 is controlled by a well potential control circuit 30. The circuit 30 is provided with a PMOS P2 and an NMOS N2, wherein mutual gates and mutual drains are connected, and a well potential NW is supplied form the drains. The P2 receives an input AIN of the analog switch by its source, a source and a gate of the N2 are connected, and the source receives a power source potential VDD of the analog switching circuit. When the power source VDD is off, the well potential NW is supplied from the input AIN, and potential difference is not caused between the input AIN and the well. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSIに用いられ
るアナログスイッチ回路に関する技術に属する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a technique relating to an analog switch circuit used in an LSI.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSI技術において、あらゆる素
子をワンチップ化する、いわゆるシステムオンチップと
いわれる技術が主流になってきている。そして、アナロ
グ回路もLSIに組み込まれる傾向にあり、アナログス
イッチは、いまやどんなLSIにも含まれているといっ
ても過言ではない。
2. Description of the Related Art Recently, in LSI technology, a so-called system-on-chip technology has become mainstream in which all elements are integrated into one chip. Also, analog circuits tend to be incorporated in LSIs, and it is no exaggeration to say that analog switches are now included in any LSI.

【0003】図11はアナログスイッチの構成の一例を
示す概略図である。並列に接続された極性の異なるMO
SトランジスタP1,N1のゲート電位が電位PG,N
Gによってコントロールされており、ON状態のとき、
入力側AINから入力されたアナログ信号が出力側AO
UTに伝達される。
FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of the configuration of an analog switch. MOs with different polarities connected in parallel
The gate potentials of the S transistors P1 and N1 are the potentials PG and N.
It is controlled by G and is in the ON state,
The analog signal input from the input side AIN is the output side AO
Transmitted to the UT.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】最近の携帯電話などの
モバイル機器において、低消費電力化が重要なニーズと
なってきている。今後、さらなる低消費電力化が必要に
なったとき、システム上の複数のLSI、またはLSI
内の機能ブロックのいくつかを電源カットするような構
成をとる可能性がある。このような機能を実現するため
には、アナログスイッチが必須となる。
In recent mobile devices such as mobile phones, low power consumption has become an important need. In the future, when further power consumption reduction is required, multiple LSIs on the system or LSI
There is a possibility that some of the functional blocks inside will be cut off. An analog switch is indispensable to realize such a function.

【0005】ところが、従来のアナログスイッチでは、
電位差に起因して寄生ダイオードを介して電流が流れ、
不要な電力消費や、誤動作、あるいは素子破壊を起こす
可能性がある、という問題があった。
However, in the conventional analog switch,
Current flows through the parasitic diode due to the potential difference,
There is a problem that unnecessary power consumption, malfunction, or element destruction may occur.

【0006】例えば図11の構成において、入力AIN
に電源電圧以上の電圧が印加された場合や、自己のLS
Iの電源がOFFしている状態で入力AINに電圧が印
加された場合に、入力AINとPMOSP1の基板(ウ
ェル)との間に形成される寄生ダイオードPDを介し
て、大きな電流CRが入力AINから電源VDDに流れ
るおそれおがある。この電流CRによって、素子の破壊
やシステムの誤動作が生じたり、不要な電力が消費され
たりすることになる。
For example, in the configuration of FIG. 11, the input AIN
When a voltage higher than the power supply voltage is applied to the
When a voltage is applied to the input AIN while the power source of I is off, a large current CR is applied to the input AIN via the parasitic diode PD formed between the input AIN and the substrate (well) of the PMOS P1. Might flow from the power supply to the power supply VDD. This current CR causes destruction of elements, malfunction of the system, and unnecessary power consumption.

【0007】このような問題のために、従来では、アナ
ログスイッチを別部品として構成したり、一部の機能ブ
ロックの電源カットを断念したりしていた。
Due to such a problem, in the past, the analog switch was constructed as a separate component, or the power supply to some functional blocks was cut off.

【0008】前記の問題に鑑み、本発明は、アナログス
イッチ回路において、入力側から素子内に過大な電流が
流れることを、確実に抑制することを課題とする。
In view of the above problems, it is an object of the present invention to reliably prevent an excessive current from flowing from the input side into the element in an analog switch circuit.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項1の発明が講じた解決手段は、アナログス
イッチ回路として、並列に接続された第1のP型トラン
ジスタおよび第1のN型トランジスタを有するアナログ
スイッチと、コントロール信号に応じて、前記アナログ
スイッチをオンオフ制御するゲート制御回路と、前記第
1のP型トランジスタのウェル電位を、前記アナログス
イッチの入力を用いて制御するウェル電位制御回路とを
備えたものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the solving means taken by the invention of claim 1 is, as an analog switch circuit, a first P-type transistor and a first P-type transistor connected in parallel. An analog switch having an N-type transistor, a gate control circuit that controls ON / OFF of the analog switch according to a control signal, and a well that controls the well potential of the first P-type transistor using the input of the analog switch. And a potential control circuit.

【0010】請求項1の発明によると、アナログスイッ
チの第1のP型トランジスタのウェル電位が、ウェル電
位制御回路によって、アナログスイッチの入力を用いて
制御される。このため、アナログスイッチの入力と第1
のP型トランジスタのウェルとの間に、電位差が生じな
いように制御することができる。したがって、入力側か
ら過大な電流が流れ込むことを未然に防ぐことができ
る。
According to the invention of claim 1, the well potential of the first P-type transistor of the analog switch is controlled by the well potential control circuit using the input of the analog switch. Therefore, the analog switch input and the first
It is possible to control so that no potential difference is generated between the well of the P-type transistor and the well. Therefore, it is possible to prevent an excessive current from flowing from the input side.

【0011】そして、請求項2の発明では、前記請求項
1のアナログスイッチ回路におけるウェル電位制御回路
は、ゲート同士およびドレイン同士が接続された第2の
P型トランジスタおよび第2のN型トランジスタを備
え、そのドレインから前記第1のP型トランジスタのウ
ェル電位を供給するものであり、前記第2のP型トラン
ジスタはソースに前記アナログスイッチの入力電位を受
け、前記第2のN型トランジスタは、ソースとゲートと
が接続されており、かつ、ソースに当該アナログスイッ
チ回路の電源電位を受けるものとする。
Further, in the invention of claim 2, the well potential control circuit in the analog switch circuit of claim 1 includes a second P-type transistor and a second N-type transistor whose gates and drains are connected to each other. A well potential of the first P-type transistor is supplied from its drain, the second P-type transistor receives the input potential of the analog switch at its source, and the second N-type transistor is The source and the gate are connected to each other, and the source receives the power supply potential of the analog switch circuit.

【0012】また、請求項3の発明では、前記請求項1
のアナログスイッチ回路におけるウェル電位制御回路
は、ゲート同士およびドレイン同士が接続された第2の
N型トランジスタおよび第2のP型トランジスタを備
え、そのドレインから前記第1のP型トランジスタのウ
ェル電位を供給するものであり、前記第2のN型トラン
ジスタはソースとゲートとが接続されており、かつ、ソ
ースに前記アナログスイッチの入力電位を受け、前記第
2のP型トランジスタはソースに当該アナログスイッチ
回路の電源電位を受けるものとする。
According to the invention of claim 3, said claim 1
The well potential control circuit in the analog switch circuit includes a second N-type transistor and a second P-type transistor whose gates are connected to each other and drains are connected to each other, and the well potential control circuit supplies the well potential of the first P-type transistor from its drain. The second N-type transistor has a source and a gate connected to each other, the source receives the input potential of the analog switch, and the second P-type transistor has the source connected to the analog switch. It shall receive the power supply potential of the circuit.

【0013】請求項2または請求項3の発明によると、
アナログスイッチ回路の電源がOFFのとき、アナログ
スイッチの入力から、第2のP型トランジスタまたは第
2のN型トランジスタを介して、第1のP型トランジス
タのウェル電位が供給される。このため、アナログスイ
ッチの入力と第1のP型トランジスタのウェルとの間
に、電位差が生じないように制御することができる。
According to the invention of claim 2 or 3,
When the power supply of the analog switch circuit is OFF, the well potential of the first P-type transistor is supplied from the input of the analog switch via the second P-type transistor or the second N-type transistor. Therefore, it is possible to control so that no potential difference is generated between the input of the analog switch and the well of the first P-type transistor.

【0014】また、請求項4の発明では、前記請求項1
のアナログスイッチ回路におけるゲート制御回路は、前
記コントロール信号を入力とし、前記ウェル電位を電源
電位とする第1のインバータと、前記第1のインバータ
の出力を入力とする第2のインバータと、当該アナログ
スイッチ回路の電源電位を入力とし、前記ウェル電位を
電源電位とする第3のインバータと、ソースに当該アナ
ログスイッチ回路の電源電位を受けるとともにゲートに
前記第3のインバータの出力を受ける第2のP型トラン
ジスタと、ソースが前記第2のP型トランジスタのドレ
インと接続され、かつ、ゲートに前記第2のインバータ
の出力を受けるとともにドレインが前記第1のインバー
タの出力線と接続された第3のP型トランジスタとを備
え、前記第1のインバータの出力線から前記第1のP型
トランジスタのゲート電位を供給するものとする。
In the invention of claim 4, the invention according to claim 1
The gate control circuit in the analog switch circuit of (1) has a first inverter that receives the control signal as an input and the well potential as a power supply potential, a second inverter that receives the output of the first inverter, and the analog circuit. A third inverter that receives the power supply potential of the switch circuit and uses the well potential as the power supply potential, and a second P-source that receives the power supply potential of the analog switch circuit and a gate that receives the output of the third inverter. Type transistor and a source, the source of which is connected to the drain of the second P-type transistor, the gate of which receives the output of the second inverter and the drain of which is connected to the output line of the first inverter. A P-type transistor, and a gate of the first P-type transistor from the output line of the first inverter. It is assumed that the supply bets potential.

【0015】また、請求項5の発明では、前記請求項1
のアナログスイッチ回路におけるゲート制御回路は、前
記コントロール信号およびストップ信号を入力とし、前
記ウェル電位を電源電位とする第1のナンドゲートと、
前記第1のナンドゲートの出力を入力とするインバータ
と、当該アナログスイッチ回路の電源電位および前記ス
トップ信号を入力とし、前記ウェル電位を電源電位とす
る第2のナンドゲートと、ソースに当該アナログスイッ
チ回路の電源電位を受けるとともにゲートに前記第2の
ナンドゲートの出力を受ける第2のP型トランジスタ
と、ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと
接続され、かつ、ゲートに前記インバータの出力を受け
るとともにドレインが前記第1のナンドゲートの出力線
と接続された第3のP型トランジスタとを備え、前記第
1のナンドゲートの出力線から前記第1のP型トランジ
スタのゲート電位を供給するものとする。
According to the invention of claim 5, said claim 1
A gate control circuit in the analog switch circuit, wherein a first NAND gate having the control signal and the stop signal as an input and having the well potential as a power supply potential;
An inverter that receives the output of the first NAND gate, a second NAND gate that receives the power supply potential of the analog switch circuit and the stop signal and receives the well potential as the power supply potential, and a source of the analog switch circuit. A second P-type transistor that receives a power supply potential and a gate that receives the output of the second NAND gate, a source connected to the drain of the second P-type transistor, and a gate that receives the output of the inverter A drain is provided with a third P-type transistor connected to the output line of the first NAND gate, and the gate potential of the first P-type transistor is supplied from the output line of the first NAND gate.

【0016】また、請求項6の発明では、前記請求項1
のアナログスイッチ回路におけるゲート制御回路は、前
記コントロール信号を入力とし、前記ウェル電位を電源
電位とするレベルシフタと、前記レベルシフタの出力を
入力とする第1のインバータと、当該アナログスイッチ
回路の電源電位を入力とし、前記ウェル電位を電源電位
とする第2のインバータと、ソースに当該アナログスイ
ッチ回路の電源電位を受けるとともにゲートに前記第2
のインバータの出力を受ける第2のP型トランジスタ
と、ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと
接続され、かつ、ゲートに前記第1のインバータの出力
を受けるとともにドレインが前記レベルシフタの出力線
と接続された第3のP型トランジスタとを備え、前記レ
ベルシフタの出力線から前記第1のP型トランジスタの
ゲート電位を供給するものであり、前記レベルシフタ
は、前記コントロール信号が中間電位であるとき、この
中間電位を前記ウェル電位にレベルアップして出力する
ものとする。
According to the invention of claim 6, the invention according to claim 1
The gate control circuit in the analog switch circuit of (1) receives the control signal as an input, a level shifter having the well potential as a power supply potential, a first inverter having an output of the level shifter as an input, and a power supply potential of the analog switch circuit. A second inverter that receives the power supply potential of the analog switch circuit at its source and has its second gate at its gate
Second P-type transistor for receiving the output of the inverter, a source connected to the drain of the second P-type transistor, a gate for receiving the output of the first inverter, and a drain for the output line of the level shifter. And a third P-type transistor connected to the level shifter for supplying the gate potential of the first P-type transistor from the output line of the level shifter, wherein the level shifter has an intermediate potential when the control signal is at an intermediate potential. , The intermediate potential is raised to the well potential and output.

【0017】また、請求項7の発明では、前記請求項1
のアナログスイッチ回路におけるゲート制御回路は、前
記コントロール信号およびストップ信号を入力とし、前
記ウェル電位を電源電位とするレベルシフタと、前記レ
ベルシフタの出力を入力とするインバータと、当該アナ
ログスイッチ回路の電源電位および前記ストップ信号を
入力とし、前記ウェル電位を電源電位とするナンドゲー
トと、ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を
受けるとともにゲートに前記ナンドゲートの出力を受け
る第2のP型トランジスタと、ソースが前記第2のP型
トランジスタのドレインと接続され、かつ、ゲートに前
記インバータの出力を受けるとともにドレインが前記レ
ベルシフタの出力線と接続された第3のP型トランジス
タとを備え、前記レベルシフタの出力線から前記第1の
P型トランジスタのゲート電位を供給するものであり、
前記レベルシフタは、前記コントロール信号が中間電位
であるとき、この中間電位を前記ウェル電位にレベルア
ップして出力するものであり、かつ、前記ストップ信号
が負の論理レベルであるとき、出力を固定するものとす
る。
According to the invention of claim 7, said claim 1
The gate control circuit in the analog switch circuit of, a level shifter having the control signal and the stop signal as an input and having the well potential as a power supply potential, an inverter having an output of the level shifter as an input, and a power supply potential of the analog switch circuit. A NAND gate having the stop signal as an input and having the well potential as a power source potential, a second P-type transistor having a source receiving the power source potential of the analog switch circuit and having a gate receiving an output of the NAND gate, and a source having the second A second P-type transistor connected to the drain of the second P-type transistor, the gate of which receives the output of the inverter and the drain of which is connected to the output line of the level shifter; First P-type transistor It is intended to supply a gate potential,
The level shifter raises the intermediate potential to the well potential and outputs the intermediate potential when the control signal has an intermediate potential, and fixes the output when the stop signal has a negative logic level. I shall.

【0018】また、請求項8の発明では、前記請求項1
のアナログスイッチ回路におけるアナログスイッチは、
前記第1のP型トランジスタと直列に接続された第2の
P型トランジスタを備えたものとする。
According to the invention of claim 8, said claim 1
The analog switch in the analog switch circuit of
A second P-type transistor connected in series with the first P-type transistor is provided.

【0019】また、請求項9の発明が講じた解決手段
は、アナログスイッチ回路として、並列に接続された第
1のP型トランジスタおよび第1のN型トランジスタを
有するアナログスイッチと、コントロール信号に応じて
前記アナログスイッチをオンオフ制御するゲート制御回
路とを備え、前記ゲート制御回路は、前記コントロール
信号を入力とし、前記第1のP型トランジスタのウェル
電位を電源電位とする第1のインバータと、前記第1の
インバータの出力を入力とする第2のインバータと、当
該アナログスイッチ回路の電源電位を入力とし、前記ウ
ェル電位を電源電位とする第3のインバータと、ソース
に当該アナログスイッチ回路の電源電位を受けるととも
にゲートに前記第3のインバータの出力を受ける第2の
P型トランジスタと、ソースが前記第2のP型トランジ
スタのドレインと接続され、かつ、ゲートに前記第2の
インバータの出力を受けるとともにドレインが前記第1
のインバータの出力線と接続された第3のP型トランジ
スタとを備え、前記第1のインバータの出力線から前記
第1のP型トランジスタのゲート電位を供給するもので
ある。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a means for solving an analog switch circuit, comprising an analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel and a control signal. A gate control circuit for ON / OFF controlling the analog switch, wherein the gate control circuit receives the control signal as an input, and uses a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential; A second inverter having an output of the first inverter as an input, a third inverter having a power supply potential of the analog switch circuit as an input and having the well potential as a power supply potential, and a power supply potential of the analog switch circuit as a source. A second P-type transistor for receiving the output of the third inverter at its gate Source connected to the drain of said second P-type transistor, and the drain with receiving the output of said second inverter gate the first
And a third P-type transistor connected to the output line of the first inverter, and the gate potential of the first P-type transistor is supplied from the output line of the first inverter.

【0020】また、請求項10の発明が講じた解決手段
は、アナログスイッチ回路として、並列に接続された第
1のP型トランジスタおよび第1のN型トランジスタを
有するアナログスイッチと、コントロール信号に応じて
前記アナログスイッチをオンオフ制御するゲート制御回
路とを備え、前記ゲート制御回路は、前記コントロール
信号およびストップ信号を入力とし、前記第1のP型ト
ランジスタのウェル電位を電源電位とする第1のナンド
ゲートと、前記第1のナンドゲートの出力を入力とする
インバータと、当該アナログスイッチ回路の電源電位お
よび前記ストップ信号を入力とし、前記ウェル電位を電
源電位とする第2のナンドゲートと、ソースに当該アナ
ログスイッチ回路の電源電位を受けるとともにゲートに
前記第2のナンドゲートの出力を受ける第2のP型トラ
ンジスタと、ソースが前記第2のP型トランジスタのド
レインと接続され、かつ、ゲートに前記インバータの出
力を受けるとともに、ドレインが前記第1のナンドゲー
トの出力線と接続された第3のP型トランジスタとを備
え、前記第1のナンドゲートの出力線から前記第1のP
型トランジスタのゲート電位を供給するものである。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a solution according to an analog switch circuit having an analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel, and a control signal. And a gate control circuit for controlling the on / off of the analog switch, wherein the gate control circuit receives the control signal and the stop signal as input and uses the well potential of the first P-type transistor as a power supply potential. An inverter that receives the output of the first NAND gate, a second NAND gate that receives the power supply potential of the analog switch circuit and the stop signal as input, and the well potential is the power supply potential, and the source of the analog switch. The second NAND is applied to the gate while receiving the power supply potential of the circuit. A second P-type transistor for receiving the output of the inverter, a source connected to the drain of the second P-type transistor, a gate for receiving the output of the inverter, and a drain for the output of the first NAND gate. A third P-type transistor connected to the first line, and a third P-type transistor connected to the line from the output line of the first NAND gate to the first P-type transistor.
The gate potential of the type transistor is supplied.

【0021】また、請求項11の発明が講じた解決手段
は、アナログスイッチ回路として、並列に接続された第
1のP型トランジスタおよび第1のN型トランジスタを
有するアナログスイッチと、コントロール信号に応じて
前記アナログスイッチをオンオフ制御するゲート制御回
路とを備え、前記ゲート制御回路は、前記コントロール
信号を入力とし、前記第1のP型トランジスタのウェル
電位を電源電位とするレベルシフタと、前記レベルシフ
タの出力を入力とする第1のインバータと、当該アナロ
グスイッチ回路の電源電位を入力とし、前記ウェル電位
を電源電位とする第2のインバータと、ソースに当該ア
ナログスイッチ回路の電源電位を受けるとともにゲート
に前記第2のインバータの出力を受ける第2のP型トラ
ンジスタと、ソースが前記第2のP型トランジスタのド
レインと接続され、かつ、ゲートに前記第1のインバー
タの出力を受けるとともにドレインが前記レベルシフタ
の出力線と接続された第3のP型トランジスタとを備
え、前記レベルシフタの出力線から前記第1のP型トラ
ンジスタのゲート電位を供給するものであり、前記レベ
ルシフタは、前記コントロール信号が中間電位であると
き、この中間電位を前記ウェル電位にレベルアップして
出力するものである。
According to the eleventh aspect of the present invention, there is provided a solution according to an analog switch circuit, which has an analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel and a control signal. And a gate control circuit for ON / OFF controlling the analog switch. The gate control circuit receives the control signal as an input, a level shifter having a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential, and an output of the level shifter. , A second inverter having the power supply potential of the analog switch circuit as an input and having the well potential as a power supply potential, the source receives the power supply potential of the analog switch circuit, and the gate has A second P-type transistor for receiving the output of the second inverter, and a saw A third P-type transistor having a gate connected to the drain of the second P-type transistor, a gate receiving the output of the first inverter, and a drain connected to the output line of the level shifter, The gate potential of the first P-type transistor is supplied from the output line of the level shifter, and the level shifter raises and outputs the intermediate potential to the well potential when the control signal is the intermediate potential. It is a thing.

【0022】また、請求項12の発明が講じた解決手段
は、アナログスイッチ回路として、並列に接続された第
1のP型トランジスタおよび第1のN型トランジスタを
有するアナログスイッチと、コントロール信号に応じて
前記アナログスイッチをオンオフ制御するゲート制御回
路とを備え、前記ゲート制御回路は、前記コントロール
信号およびストップ信号を入力とし、前記第1のP型ト
ランジスタのウェル電位を電源電位とするレベルシフタ
と、前記レベルシフタの出力を入力とするインバータ
と、当該アナログスイッチ回路の電源電位および前記ス
トップ信号を入力とし、前記ウェル電位を電源電位とす
るナンドゲートと、ソースに当該アナログスイッチ回路
の電源電位を受けるとともにゲートに前記ナンドゲート
の出力を受ける第2のP型トランジスタと、ソースが前
記第2のP型トランジスタのドレインと接続され、か
つ、ゲートに前記インバータの出力を受けるとともに、
ドレインが前記レベルシフタの出力線と接続された第3
のP型トランジスタとを備え、前記レベルシフタの出力
線から前記第1のP型トランジスタのゲート電位を供給
するものであり、前記レベルシフタは、前記コントロー
ル信号が中間電位であるとき、この中間電位を前記ウェ
ル電位にレベルアップして出力するものであり、かつ、
前記ストップ信号が負の論理レベルであるとき、出力を
固定するものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a means for solving an analog switch circuit, comprising an analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel and a control signal. And a gate control circuit for controlling on / off of the analog switch, wherein the gate control circuit receives the control signal and the stop signal as an input, and a level shifter for setting a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential, and An inverter having the output of the level shifter as an input, a NAND gate having the power supply potential of the analog switch circuit and the stop signal as an input and having the well potential as the power supply potential, and a source receiving the power supply potential of the analog switch circuit and a gate. Second receiving the output of the NAND gate And P-type transistor, a source connected to the drain of said second P-type transistor, and, along with receiving the output of the inverter gate,
A third drain whose drain is connected to the output line of the level shifter.
And a gate potential of the first P-type transistor from the output line of the level shifter, and the level shifter outputs the intermediate potential when the control signal is the intermediate potential. The level is raised to the well potential and output, and
The output is fixed when the stop signal has a negative logic level.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0024】なお、以下の説明では、PchMOSトラ
ンジスタのことを「PMOS」と、NchMOSトラン
ジスタのことを「NMOS」と、それぞれ略記する。ま
た、例えばPMOSP1のことを、単に「P1」と記す
場合もある。また、電圧レベルのHIGHレベルのこと
を「“H”」と、LOWレベルのことを「“L”」と、
それぞれ略記する。
In the following description, the PchMOS transistor is abbreviated as "PMOS" and the NchMOS transistor is abbreviated as "NMOS". Further, for example, the PMOS P1 may be simply referred to as “P1”. Further, the HIGH level of the voltage level is "" H "", and the low level is "" L "".
Each is abbreviated.

【0025】(第1の実施形態)図1は本発明の第1の
実施形態に係るアナログスイッチ回路の構成を示す回路
図である。図1において、10は並列に接続された第1
のP型トランジスタとしてのPMOSP1および第1の
N型トランジスタとしてのNMOSN1を有し、AIN
を入力、AOUTを出力とするアナログスイッチ、20
はコントロール信号CNTに応じてアナログスイッチ1
0をオンオフ制御するゲート制御回路、30はアナログ
スイッチ10のPMOSP1のウェル電位NWをアナロ
グスイッチ10の入力AINを用いて制御するウェル電
位制御回路である。なおアナログスイッチ10のNMO
SN1のウェルはグランドに接続されている。
(First Embodiment) FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 10 is the first connected in parallel
Has a PMOS P1 as a P-type transistor and an NMOS N1 as a first N-type transistor,
, An analog switch that inputs AOUT and outputs AOUT, 20
Is an analog switch 1 according to the control signal CNT.
Reference numeral 30 denotes a gate control circuit that controls 0 to turn on and off, and 30 denotes a well potential control circuit that controls the well potential NW of the PMOS P1 of the analog switch 10 using the input AIN of the analog switch 10. The NMO of the analog switch 10
The well of SN1 is connected to ground.

【0026】ゲート制御回路20はインバータINV
1,INV2を有し、入力されたコントロール信号CN
Tの電位に応じて、アナログスイッチ10のP1,N1
のゲート電位PG,NGを制御する。
The gate control circuit 20 is an inverter INV.
Input control signal CN having 1 and INV2
Depending on the potential of T, P1 and N1 of the analog switch 10
Control the gate potentials PG and NG of.

【0027】ウェル電位制御回路30はゲート同士、お
よびドレイン同士が接続された第2のP型トランジスタ
としてのPMOSP2および第2のN型トランジスタと
してのNMOSN2を備えており、そのドレインからア
ナログスイッチ10のPMOSP1のウェル電位NWを
供給する。PMOSP2はソースにアナログスイッチ1
0の入力電位AINを受ける一方、NMOSN2はソー
スとゲートが接続されており、かつ、ソースにアナログ
スイッチ回路の電源電位VDDを受ける。
The well potential control circuit 30 has a PMOS P2 as a second P-type transistor and a NMOS N2 as a second N-type transistor whose gates and drains are connected to each other. The well potential NW of the PMOS P1 is supplied. The analog switch 1 is at the source of the PMOSP2
While the input potential AIN of 0 is received, the source and the gate of the NMOS N2 are connected, and the source receives the power supply potential VDD of the analog switch circuit.

【0028】図1のアナログスイッチ回路の動作につい
て説明する。
The operation of the analog switch circuit of FIG. 1 will be described.

【0029】コントロール信号CNTとして“H”が入
力されたとき、アナログスイッチ10はONし、アナロ
グ信号である入力AINは出力AOUTとして伝達され
る。このとき、P1のウェル電位NWは、ウェル電位制
御回路30においてP2がOFF状態でありN2がON
状態であるので、電源VDDから与えられる。
When "H" is input as the control signal CNT, the analog switch 10 is turned on, and the analog signal input AIN is transmitted as the output AOUT. At this time, the well potential NW of P1 in the well potential control circuit 30 is such that P2 is OFF and N2 is ON.
Since it is in the state, it is supplied from the power supply VDD.

【0030】一方、コントロール信号CNTとして
“L”が入力されたとき、アナログスイッチ10はOF
Fする。この場合において、通常状態のとき、すなわ
ち、アナログスイッチ回路自体の電源がONであり、か
つ、入力AINが電源電位VDD以下のときは、ウェル
電位制御回路30においてP2がOFF状態でありN2
がON状態であるので、P1のウェル電位NWは電源V
DDから与えられる。これに対して、スタンバイ状態の
とき、すなわち、電源VDDがOFFのとき、または電
源VDDがONであっても入力AINが電源電位VDD
を越えるときは、ウェル電位制御回路30においてP2
がON状態になりN2がOFF状態になるので、P1の
ウェル電位NWは、入力AINから与えられる。
On the other hand, when "L" is input as the control signal CNT, the analog switch 10 is OF
F In this case, in the normal state, that is, when the power source of the analog switch circuit itself is ON and the input AIN is equal to or lower than the power source potential VDD, P2 in the well potential control circuit 30 is OFF state and N2.
Is in the ON state, the well potential NW of P1 is the power source V
Given by DD. On the other hand, in the standby state, that is, when the power supply VDD is OFF, or even when the power supply VDD is ON, the input AIN is at the power supply potential VDD.
Well potential control circuit 30, P2
Turns on and N2 turns off, so the well potential NW of P1 is given from the input AIN.

【0031】このように本実施形態によると、P1のウ
ェル電位NWが、通常状態では、ダイオードとなるN2
を介して電源電位VDDまで引き上げられ、スタンバイ
状態では、P2を介して入力電位AINまで引き上げら
れる。したがって、リーク電流が、P1のソースとウェ
ルとの間に形成される寄生ダイオードPDを介して入力
AINから電源VDDに流れ込むことを、防ぐことがで
きる。
As described above, according to this embodiment, the well potential NW of P1 becomes a diode N2 in a normal state.
Is raised to the power supply potential VDD via P2, and is raised to the input potential AIN via P2 in the standby state. Therefore, it is possible to prevent a leak current from flowing from the input AIN to the power supply VDD via the parasitic diode PD formed between the source of P1 and the well.

【0032】(第2の実施形態)図2は本発明の第2の
実施形態に係るアナログスイッチ回路の構成を示す回路
図である。図2において、図1と共通の構成要素につい
ては図1と同一の符号を付しており、ここではその詳細
な説明を省略する。
(Second Embodiment) FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a second embodiment of the present invention. 2, constituent elements common to FIG. 1 are assigned the same reference numerals as those in FIG. 1, and detailed description thereof will be omitted here.

【0033】図2では、アナログスイッチ10のPMO
SP1のウェル電位NWは、第2のN型トランジスタと
してのNMOSN3と第2のP型トランジスタとしての
PMOSP3とを有するウェル電位制御回路30Aによ
って制御されている。NMOSN3とPMOSP3とは
ゲート同士およびドレイン同士が接続されており、その
ドレインからP1のウェル電位NWを供給する。NMO
SN3はソースとゲートが接続されており、かつ、ソー
スにアナログスイッチ10の入力電位AINを受ける一
方、PMOSP3はソースにアナログスイッチ回路の電
源電位VDDを受ける。
In FIG. 2, the PMO of the analog switch 10 is
The well potential NW of SP1 is controlled by a well potential control circuit 30A having an NMOS N3 as a second N-type transistor and a PMOS P3 as a second P-type transistor. Gates and drains of the NMOS N3 and the PMOS P3 are connected to each other, and the well potential NW of P1 is supplied from the drain. NMO
The source and gate of SN3 are connected, and the source receives the input potential AIN of the analog switch 10, while the PMOS P3 receives the power supply potential VDD of the analog switch circuit at the source.

【0034】図2のアナログスイッチ回路の動作につい
て説明する。
The operation of the analog switch circuit of FIG. 2 will be described.

【0035】コントロール信号CNTとして“H”が入
力されたとき、アナログスイッチ10はONし、入力A
INは出力AOUTとして伝達される。このとき、P1
のウェル電位NWは、入力AINが“H”のときは、ウ
ェル電位制御回路30AにおいてN3がON状態であり
P3がOFF状態であるので入力AINから与えられる
一方、入力AINが“L”のときは、ウェル電位制御回
路30AにおいてN3がOFF状態でありP3がON状
態であるので電源VDDから与えられる。
When "H" is input as the control signal CNT, the analog switch 10 is turned on and the input A
IN is transmitted as the output AOUT. At this time, P1
When the input AIN is "H", the well potential NW is given from the input AIN because N3 is ON and P3 is OFF in the well potential control circuit 30A, while the input AIN is "L". Is supplied from the power supply VDD because N3 is in the OFF state and P3 is in the ON state in the well potential control circuit 30A.

【0036】一方、コントロール信号CNTとして
“L”が入力されたとき、アナログスイッチ10はOF
Fする。この場合において、通常状態のときは、P1の
ウェル電位NWは、入力AINが“H”のときは、ウェ
ル電位制御回路30AにおいてN3がON状態でありP
3がOFF状態であるので入力AINから与えられる一
方、入力AINが“L”のときは、ウェル電位制御回路
30AにおいてN3がOFF状態でありP3がON状態
であるので電源VDDから与えられる。これに対して、
スタンバイ状態のときは、ウェル電位制御回路30Aに
おいてN3がON状態でありP3がOFF状態であるの
で、P1のウェル電位NWは入力AINから与えられ
る。
On the other hand, when "L" is input as the control signal CNT, the analog switch 10 is OF
F In this case, in the normal state, the well potential NW of P1 is P3 when the input AIN is "H" and N3 is in the ON state in the well potential control circuit 30A.
Since 3 is in the OFF state, it is supplied from the input AIN, while when the input AIN is "L", N3 is in the OFF state and P3 is in the ON state in the well potential control circuit 30A, so that it is supplied from the power supply VDD. On the contrary,
In the standby state, N3 is on and P3 is off in the well potential control circuit 30A, so the well potential NW of P1 is given from the input AIN.

【0037】このように本実施形態によると、P1のウ
ェル電位NWが、通常状態では、入力AINが“H”の
ときは入力電位AINまで、“L”のときは電源電位V
DDまで引き上げられ、スタンバイ状態のときは、入力
電位AINまで引き上げられる。したがって、リーク電
流が、P1のソースとウェルとの間に形成される寄生ダ
イオードPDを介して入力AINから電源VDDに流れ
込むことを、防ぐことができる。
As described above, according to this embodiment, in the normal state, the well potential NW of P1 is up to the input potential AIN when the input AIN is "H", and when the input AIN is "L", the power source potential VW.
It is pulled up to DD, and in the standby state, it is pulled up to the input potential AIN. Therefore, it is possible to prevent a leak current from flowing from the input AIN to the power supply VDD via the parasitic diode PD formed between the source of P1 and the well.

【0038】なお、第1の実施形態では、入力AINが
“L”のときは、ウェル電位NWは電源電位VDDから
N2の閾値電圧分だけ落ちた電位になるが、本実施形態
では、通常状態で入力AINが“L”のとき、P3がO
N状態となって電源VDDからP1のウェル電位NWが
与えられるので、ウェル電位NWが電源電位VDDから
閾値電圧分だけ落ちることはない。
In the first embodiment, when the input AIN is "L", the well potential NW is a potential dropped from the power supply potential VDD by the threshold voltage of N2, but in the present embodiment, it is in the normal state. When input AIN is “L”, P3 is O
Since the well potential NW of P1 is applied from the power supply VDD in the N state, the well potential NW does not drop from the power supply potential VDD by the threshold voltage.

【0039】なお、図2の回路ではP1に寄生ダイオー
ドPDがあるため、ウェル電位制御回路30Aにおいて
N3を省いても、アナログスイッチ回路として本実施形
態と同様に動作する。
Since the circuit of FIG. 2 has the parasitic diode PD at P1, even if N3 is omitted in the well potential control circuit 30A, it operates as an analog switch circuit in the same manner as this embodiment.

【0040】(第3の実施形態)図3は本発明の第3の
実施形態に係るアナログスイッチ回路の構成を示す回路
図である。図3において、図1と共通の構成要素につい
ては図1と同一の符号を付しており、ここではその詳細
な説明を省略する。図3では、P1のウェル電位NWを
制御するウェル電位制御回路30Bが、第1の実施形態
に係るウェル電位制御回路30と第2の実施形態に係る
ウェル電位制御回路30Aとを組み合わせて構成されて
いる。
(Third Embodiment) FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a third embodiment of the present invention. 3, constituent elements common to FIG. 1 are assigned the same reference numerals as those in FIG. 1, and detailed description thereof will be omitted here. In FIG. 3, a well potential control circuit 30B that controls the well potential NW of P1 is configured by combining the well potential control circuit 30 according to the first embodiment and the well potential control circuit 30A according to the second embodiment. ing.

【0041】図3のアナログスイッチ回路の動作につい
て説明する。
The operation of the analog switch circuit of FIG. 3 will be described.

【0042】コントロール信号CNTとして“H”が入
力されたとき、アナログスイッチ10はONし、入力A
INは出力AOUTとして伝達される。このとき、P1
のウェル電位NWは、入力AINが“H”のときは、ウ
ェル電位制御回路30BにおいてN3,N2がON状態
でありP2,P3がOFF状態であるので入力AINと
電源VDDから与えられる一方、入力AINが“L”の
ときは、ウェル電位制御回路30BにおいてP3,N2
がON状態でありP2,N3がOFF状態であるので電
源VDDから与えられる。
When "H" is input as the control signal CNT, the analog switch 10 is turned on and input A
IN is transmitted as the output AOUT. At this time, P1
When the input AIN is “H”, the well potential NW is given from the input AIN and the power supply VDD while N3 and N2 are in the ON state and P2 and P3 are in the OFF state in the well potential control circuit 30B. When AIN is "L", P3 and N2 in the well potential control circuit 30B
Is on and P2 and N3 are off, so that power is supplied from the power supply VDD.

【0043】一方、コントロール信号CNTとして
“L”が入力されたとき、アナログスイッチ10はOF
Fする。この場合において、通常状態では、P1のウェ
ル電位NWは、入力AINが“H”のときは、ウェル電
位制御回路30BにおいてN3,N2がON状態であり
P2,P3がOFF状態であるので入力AINと電源V
DDから与えられる一方、入力AINが“L”のとき
は、ウェル電位制御回路30BにおいてP3,N2がO
N状態でありP2,N3がOFF状態であるので電源V
DDから与えられる。これに対して、スタンバイ状態の
ときは、ウェル電位制御回路30BにおいてN3,P2
がON状態でありP3,N2がOFF状態であるので、
P1のウェル電位NWは入力AINから与えられる。
On the other hand, when "L" is input as the control signal CNT, the analog switch 10 turns off.
F In this case, in the normal state, when the input AIN is “H”, the well potential NW of P1 is the input AIN because N3 and N2 are in the ON state and P2 and P3 are in the OFF state in the well potential control circuit 30B. And power V
On the other hand, when the input AIN is “L” while being given from DD, P3 and N2 are O in the well potential control circuit 30B.
Since it is in the N state and P2 and N3 are in the OFF state, the power source V
Given by DD. On the other hand, in the standby state, the well potential control circuit 30B has N3, P2
Is ON and P3 and N2 are OFF,
The well potential NW of P1 is given from the input AIN.

【0044】このように本実施形態によっても、第1ま
たは第2の実施形態と同様に、リーク電流が、P1のソ
ースとウェルとの間に形成される寄生ダイオードPDを
介して入力AINから電源VDDに流れ込むことを、防
ぐことができる。
As described above, also in this embodiment, as in the first or second embodiment, the leak current is supplied from the input AIN via the parasitic diode PD formed between the source of P1 and the well. It can be prevented from flowing into VDD.

【0045】また、本実施形態でも、第2の実施形態と
同様に、通常状態で入力AINが“L”のとき、P3が
ON状態となって電源VDDからP1のウェル電位NW
が与えられるので、ウェル電位NWが電源電位VDDか
ら閾値電圧分だけ落ちることはない。さらに、通常状態
で入力AINが“H”のとき、ウェル電位NWは電源V
DDと入力AINの両方から与えられるので、より安定
した動作を行うことができる。
Also in the present embodiment, similarly to the second embodiment, when the input AIN is "L" in the normal state, P3 is turned on and the well potential NW of the power supply VDD to P1.
Is given, the well potential NW does not drop from the power supply potential VDD by the threshold voltage. Further, when the input AIN is “H” in the normal state, the well potential NW is
Since it is given from both DD and input AIN, more stable operation can be performed.

【0046】なお、図3の回路でもP1に寄生ダイオー
ドPDがあるため、ウェル電位制御回路30Bにおいて
N3を省いても、アナログスイッチ回路として本実施形
態と同様に動作する。
Since the circuit of FIG. 3 also has the parasitic diode PD in P1, even if N3 is omitted in the well potential control circuit 30B, it operates as an analog switch circuit in the same manner as this embodiment.

【0047】(第4の実施形態)アナログスイッチの出
力側がHi−Z(ハイインピーダンス)でない場合に
は、出力端からリーク電流が流れ出す、という問題が生
じる可能性がある。例えば図4(a)に示すような電源
VDDとグランドとの間に直列接続された抵抗からなる
回路や、図4(b)に示すような他のアナログスイッチ
が、アナログスイッチの出力AOUTに接続された場合
には、アナログスイッチがOFFのとき、確実にOFF
状態にならないと、出力AOUTから外部にリーク電流
が流れ出してしまう。
(Fourth Embodiment) If the output side of the analog switch is not Hi-Z (high impedance), there is a possibility that a leak current may flow out from the output end. For example, a circuit composed of a resistor connected in series between the power supply VDD and the ground as shown in FIG. 4A or another analog switch as shown in FIG. 4B is connected to the output AOUT of the analog switch. If the analog switch is turned off,
If the state does not occur, a leak current will flow out from the output AOUT.

【0048】したがって、このような問題を回避するた
めには、アナログスイッチがOFFのとき、確実にOF
F状態になるように、トランジスタのゲート電位を制御
しなければならない。
Therefore, in order to avoid such a problem, when the analog switch is OFF, the OF is surely performed.
The gate potential of the transistor must be controlled so that the F state is reached.

【0049】そこで本実施形態では、P1のウェル電位
NWを用いてアナログスイッチのゲート電位PG,NG
を制御するものとする。ただし、ウェル電位制御回路と
して第1の実施形態で示した構成を用いると、通常状態
のときウェル電位NWは電源電位VDDから閾値電圧分
落ちるので、ウェル電位NWをそのままゲート電位PG
として用いた場合、アナログスイッチがOFFであるに
もかかわらず、入力AINから出力AOUTに余分な電
流が流れ、電力を無駄に消費することになる。したがっ
て、アナログスイッチのゲート制御においては、この点
を考慮する必要がある。
Therefore, in this embodiment, the gate potentials PG and NG of the analog switch are used by using the well potential NW of P1.
Shall be controlled. However, when the configuration shown in the first embodiment is used as the well potential control circuit, the well potential NW drops from the power supply potential VDD by the threshold voltage in the normal state, so that the well potential NW is kept as it is as the gate potential PG.
When used as, the extra current flows from the input AIN to the output AOUT even though the analog switch is OFF, and power is wasted. Therefore, it is necessary to consider this point in the gate control of the analog switch.

【0050】図5は本発明の第4の実施形態に係るアナ
ログスイッチ回路の構成を示す回路図である。図5にお
いて、図1と共通の構成要素には図1と同一の符号を付
しており、ここではその詳細な説明を省略する。図5の
構成では、P1のウェル電位NWは第1の実施形態に係
るウェル電位制御回路30によって制御されるので、P
1のゲートには、ウェル電位NWを閾値電圧分上げてか
ら入力するようにしている。
FIG. 5 is a circuit diagram showing the configuration of the analog switch circuit according to the fourth embodiment of the present invention. 5, constituent elements common to FIG. 1 are assigned the same reference numerals as those in FIG. 1, and detailed description thereof will be omitted here. In the configuration of FIG. 5, the well potential NW of P1 is controlled by the well potential control circuit 30 according to the first embodiment, so P
The well potential NW is input to the first gate after raising the well potential NW by the threshold voltage.

【0051】ゲート制御回路40は、PMOSP4およ
びNMOSN4によって構成され、コントロール信号C
NTを入力とし、P1のウェル電位NWを電源電位とす
る第1のインバータ41と、PMOSP5およびNMO
SN5によって構成され、第1のインバータ41の出力
を入力とする第2のインバータ42と、アナログスイッ
チ回路の電源電位VDDを入力とし、ウェル電位NWを
電源電位とする第3のインバータ43と、電源VDDと
第1のインバータ41の出力線との間に直列に接続され
た第2のP型トランジスタとしてのPMOSP7および
第3のP型トランジスタとしてのPMOSP8とを備え
ている。第2のインバータ42の出力はPMOSP8の
ゲートに与えられ、第3のインバータ43の出力はPM
OSP7のゲートに与えられている。
The gate control circuit 40 is composed of a PMOS P4 and an NMOS N4, and has a control signal C
A first inverter 41 having NT as an input and a well potential NW of P1 as a power supply potential, and PMOS P5 and NMO
A second inverter 42 configured by SN5 and having the output of the first inverter 41 as an input; a third inverter 43 having the power supply potential VDD of the analog switch circuit as an input and having a well potential NW as a power supply potential; It has a PMOS P7 as a second P-type transistor and a PMOS P8 as a third P-type transistor connected in series between VDD and the output line of the first inverter 41. The output of the second inverter 42 is given to the gate of the PMOS P8, and the output of the third inverter 43 is PM.
It is given to the gate of OSP7.

【0052】なお、PMOSのウェルはP5を除きすべ
てウェル電位NWに接続されている。P5の基板は電源
VDDに接続されている。
All the PMOS wells except P5 are connected to the well potential NW. The substrate of P5 is connected to the power supply VDD.

【0053】図5のアナログスイッチ回路の動作につい
て説明する。
The operation of the analog switch circuit of FIG. 5 will be described.

【0054】通常状態において、コントロール信号CN
Tが“H”のとき、アナログスイッチ10はONにな
り、入力AINは出力AOUTとして伝達される。この
場合、第1のインバータ41はグランド電位を出力する
ので、アナログスイッチ10のP1にはゲート電位PG
として“L”が与えられる。第2のインバータ42は第
1のインバータ41の出力すなわち“L”が入力される
ので、その出力は“H”になる。また、第3のインバー
タ43はグランド電位を出力する。このため、PMOS
P7はゲートに“L”が入力されるのでON状態になる
一方、PMOSP8はゲートに“H”が入力されるので
OFF状態になる。
In the normal state, the control signal CN
When T is "H", the analog switch 10 is turned on and the input AIN is transmitted as the output AOUT. In this case, since the first inverter 41 outputs the ground potential, the gate potential PG is applied to P1 of the analog switch 10.
Is given as "L". The output of the first inverter 41, that is, "L", is input to the second inverter 42, so that the output thereof becomes "H". Further, the third inverter 43 outputs the ground potential. Therefore, the PMOS
P7 is turned on because "L" is input to the gate, while PMOS P8 is turned off because "H" is input to the gate.

【0055】一方、通常状態において、コントロール信
号CNTが“L”のとき、アナログスイッチ10のN1
にはゲート電位NGとして直接“L”が与えられ、N1
はOFFする。また、第1のインバータ41はウェル電
位NWを出力する。第2のインバータ42の出力は入力
がウェル電位NWであるので“L”になる。また、第3
のインバータ43はグランド電位を出力する。このた
め、PMOSP7,P8はともにON状態になるので、
アナログスイッチ10のP1のゲート電位PGは電源電
位VDDと等しくなる。
On the other hand, in the normal state, when the control signal CNT is "L", N1 of the analog switch 10 is
Is directly supplied with “L” as the gate potential NG, and N1
Turns off. The first inverter 41 also outputs the well potential NW. The output of the second inverter 42 becomes "L" because the input is the well potential NW. Also, the third
The inverter 43 of outputs the ground potential. For this reason, both PMOS P7 and P8 are turned on.
The gate potential PG of P1 of the analog switch 10 becomes equal to the power supply potential VDD.

【0056】これに対して、スタンバイ状態のときは、
コントロール信号CNTは“L”であり、第1のインバ
ータ41から出力されるウェル電位NWが第2のインバ
ータ42に入力され、その出力は“L”になる。一方、
第3のインバータ43はウェル電位NWを出力する。こ
のため、PMOSP8はON状態になる一方、PMOS
P7はOFF状態になる。したがって、P1にはゲート
電位PGとしてウェル電位NWが与えられる。
On the other hand, in the standby state,
The control signal CNT is “L”, the well potential NW output from the first inverter 41 is input to the second inverter 42, and the output becomes “L”. on the other hand,
The third inverter 43 outputs the well potential NW. Therefore, the PMOSP8 is turned on, while the PMOSP8 is turned on.
P7 is turned off. Therefore, the well potential NW is applied to P1 as the gate potential PG.

【0057】このように本実施形態によると、通常状態
でコントロール信号CNTが“L”のとき、ウェル電位
NWは、入力AINが“L”のときには電源電位VDD
から閾値電圧分落ちるが、第2のインバータ42を帰還
することによって、P1のゲート電位PGを閾値電圧分
上げて電源電位VDDと同じ電位にすることができる。
これにより、P1を確実にOFFにすることができる。
また、通常状態でAINが“H”のときやスタンバイ状
態のときは、ウェル電位NWが閾値電圧分落ちることは
ないので、P1は確実にOFFする。
As described above, according to this embodiment, when the control signal CNT is "L" in the normal state, the well potential NW is the power supply potential VDD when the input AIN is "L".
However, by feeding back the second inverter 42, the gate potential PG of P1 can be raised by the threshold voltage to the same potential as the power supply potential VDD.
As a result, P1 can be reliably turned off.
Further, when AIN is "H" in the normal state or in the standby state, the well potential NW does not drop by the threshold voltage, so P1 is surely turned off.

【0058】したがって、出力AOUTに図4のような
回路が接続された場合であっても、入力AINから出力
AOUTへ余分なリーク電流が流れることはない。もち
ろん、ウェル電位制御回路30によって、リーク電流が
寄生ダイオードを介して入力AINから電源VDDに流
れ込むことを防ぐことができる。なお、ウェル電位制御
回路30の代わりに、第2または第3の実施形態に係る
ウェル電位制御回路や、他の構成の回路を設けてもよ
い。
Therefore, even if the circuit as shown in FIG. 4 is connected to the output AOUT, an extra leak current does not flow from the input AIN to the output AOUT. Of course, the well potential control circuit 30 can prevent a leak current from flowing from the input AIN to the power supply VDD via the parasitic diode. Instead of the well potential control circuit 30, the well potential control circuit according to the second or third embodiment or a circuit having another configuration may be provided.

【0059】(第5の実施形態)図6は本発明の第5の
実施形態に係るアナログスイッチ回路の構成を示す回路
図である。図6において、図5と共通の構成要素には図
5と同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明
を省略する。図6では、ゲートとソースが電源VDDに
接続され、ドレインがコントロール信号CNTの入力線
に接続されたPMOSP9と、ゲートとソースが電源V
DDに接続され、ドレインが第2のインバータ42の出
力線に接続されたPMOSP10とが、図5の構成に付
加されている。
(Fifth Embodiment) FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a fifth embodiment of the present invention. 6, constituent elements common to FIG. 5 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 5, and detailed description thereof will be omitted here. In FIG. 6, the gate and the source are connected to the power supply VDD, the drain is connected to the input line of the control signal CNT, and the gate and the source are the power supply V.
A PMOS P10 connected to DD and having a drain connected to the output line of the second inverter 42 is added to the configuration of FIG.

【0060】アナログスイッチ回路を実際に構成する場
合、コントロール信号CNTは1個か2個のインバータ
を介してから第1のインバータ41に入力される。この
とき、図5のような回路では、スタンバイ時に電源電圧
VDDが0Vであっても、コントロール信号CNTの電
位が寄生容量によって持ち上がる可能性がある。この場
合でも、PMOSに寄生ダイオードがあるため、コント
ロール信号CNTの電位は寄生ダイオードのビルトイン
電圧以上にはならない。ところが、寄生ダイオードのビ
ルトイン電圧は製造プロセス上管理されていないため
に、コントロール信号CNTの電位は不定になり(〜0
V)、第1のインバータ41において貫通電流が流れる
おそれがある。また、第2のインバータ42にも電源V
DDからグランドに貫通電流が流れる。さらには、アナ
ログスイッチ10のP1,N1がONしてしまい、入力
AINから出力AOUTに電流が流れる。
When actually configuring the analog switch circuit, the control signal CNT is input to the first inverter 41 via one or two inverters. At this time, in the circuit as shown in FIG. 5, the potential of the control signal CNT may rise due to the parasitic capacitance even when the power supply voltage VDD is 0 V in standby. Even in this case, since the PMOS has a parasitic diode, the potential of the control signal CNT does not exceed the built-in voltage of the parasitic diode. However, since the built-in voltage of the parasitic diode is not controlled in the manufacturing process, the potential of the control signal CNT becomes indefinite (~ 0.
V), a through current may flow in the first inverter 41. In addition, the power source V is also supplied to the second inverter 42.
A through current flows from DD to the ground. Furthermore, P1 and N1 of the analog switch 10 are turned on, and a current flows from the input AIN to the output AOUT.

【0061】そこで、電源電位VDDが0Vのときに、
コントロール信号CNTの電位をほぼ0Vにする必要が
ある。図6の回路は、このような観点から、製造上の制
御管理を容易に行える工夫をこらしたものである。
Therefore, when the power supply potential VDD is 0V,
It is necessary to set the potential of the control signal CNT to approximately 0V. From such a point of view, the circuit of FIG. 6 is devised so that control management in manufacturing can be easily performed.

【0062】図6の回路では、スタンバイ状態におい
て、電源電圧VDDが0Vのとき、コントロール信号C
NTの電位とPMOSP8のゲート電位を0Vに近づけ
る、または管理可能にできる。このため、アナログスイ
ッチ10を確実にOFFにでき、また、N4がOFF状
態になることによって第1のインバータ41への貫通電
流を防ぐことができ、P5がOFF状態になることによ
って第2のインバータ42への貫通電流も防ぐことがで
きる。また、電源電圧VDDが“H”のときは、何の影
響も及ぼされず、通常状態時の回路動作は第4の実施形
態と同様である。
In the circuit of FIG. 6, in the standby state, when the power supply voltage VDD is 0V, the control signal C
The potential of NT and the gate potential of PMOS P8 can be brought close to 0V or can be controlled. Therefore, the analog switch 10 can be surely turned off, a through current to the first inverter 41 can be prevented by turning off N4, and the second inverter can be turned off by turning off P5. A through current to 42 can also be prevented. Further, when the power supply voltage VDD is “H”, no influence is exerted, and the circuit operation in the normal state is the same as that of the fourth embodiment.

【0063】(第6の実施形態)上述の第5の実施形態
では、PMOSP9,P10を挿入することによって、
コントロール信号CNTの電位を積極的に0Vに近づけ
た。ただし、図6の回路では、電源電位VDDが中間電
位、例えばVDD×0.5やVDD×0.3になったと
き、コントロール信号CNT自体が中間電位になり、P
MOSP2,P4〜P8、NMOSN2,N4〜N6が
すべてON状態になるので、入力AINから出力AOU
T、入力AINからグランド、電源VDDからグランド
へ貫通電流が流れることになる。
(Sixth Embodiment) In the above fifth embodiment, by inserting the PMOSs P9 and P10,
The potential of the control signal CNT was positively brought close to 0V. However, in the circuit of FIG. 6, when the power supply potential VDD becomes the intermediate potential, for example, VDD × 0.5 or VDD × 0.3, the control signal CNT itself becomes the intermediate potential and P
Since the MOSP2, P4 to P8 and the NMOS N2 and N4 to N6 are all turned on, the input AIN to the output AOU
Through current flows from T, the input AIN to the ground, and from the power supply VDD to the ground.

【0064】そこで本実施形態では、システム上でスタ
ンバイ信号などの制御信号がもらえる余地があるときに
は、その信号をストップ信号STOPとして用いて、入
力AINまたは電源VDDからグランドへのあらゆる貫
通電流パスを、切るようにする。
Therefore, in the present embodiment, when there is room for receiving a control signal such as a standby signal on the system, the signal is used as a stop signal STOP, and any through current path from the input AIN or the power supply VDD to the ground is Try to cut it.

【0065】図7は本発明の第6の実施形態に係るアナ
ログスイッチ回路の構成を示す回路図である。図7にお
いて、図5と共通の構成要素には図5と同一の符号を付
しており、ここではその詳細な説明を省略する。
FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of the analog switch circuit according to the sixth embodiment of the present invention. 7, constituent elements common to FIG. 5 are assigned the same reference numerals as those in FIG. 5, and detailed description thereof will be omitted here.

【0066】図7に示すゲート制御回路50では、図5
に示すゲート電位制御回路40に対して、PMOSP1
1,P12およびNMOSN7,N8が付加されてい
る。P11はPMOSP4と並列に設けられており、N
7はNMOSN4と直列に設けられている。またP12
はPMOSP6と並列に設けられており、N8はNMO
SN6と直列に設けられている。そしてP11,P12
およびN7,N8の各ゲートには、ストップ信号STO
Pが与えられる。
The gate control circuit 50 shown in FIG.
For the gate potential control circuit 40 shown in FIG.
1, P12 and NMOS N7, N8 are added. P11 is provided in parallel with PMOS P4, and N
7 is provided in series with the NMOS N4. Also P12
Is provided in parallel with PMOS P6, and N8 is NMO.
It is provided in series with SN6. And P11, P12
And a stop signal STO is applied to each gate of N7 and N8.
P is given.

【0067】P4,P11,N4,N7によって、コン
トロール信号CNTおよびストップ信号STOPを入力
とし、ウェル電位NWを電源電位とする第1のナンドゲ
ート51が構成されている。第1のナンドゲート51の
出力線からP1のゲート電位PGが供給される。またP
6,P12,N6,N8によって、アナログスイッチ回
路の電源電位VDDおよびストップ信号STOPを入力
とし、ウェル電位NWを電源電位とする第2のナンドゲ
ート53が構成されている。その出力信号はP7のゲー
トに入力される。
P4, P11, N4 and N7 form a first NAND gate 51 which receives the control signal CNT and the stop signal STOP and uses the well potential NW as the power source potential. The gate potential PG of P1 is supplied from the output line of the first NAND gate 51. Also P
6, P12, N6 and N8 form a second NAND gate 53 which receives the power supply potential VDD of the analog switch circuit and the stop signal STOP and uses the well potential NW as the power supply potential. The output signal is input to the gate of P7.

【0068】さらに、P5のソースにはウェル電位NW
が与えられており、N1のゲート信号NGはインバータ
52から供給されている。なお、PMOSの基板はすべ
てウェル電位NWが供給されている。
Further, the well potential NW is applied to the source of P5.
And the gate signal NG of N1 is supplied from the inverter 52. The well potential NW is supplied to all the PMOS substrates.

【0069】図7のアナログスイッチ回路の動作につい
て説明する。
The operation of the analog switch circuit of FIG. 7 will be described.

【0070】ストップ信号STOPが“H”のとき、通
常状態およびスタンバイ状態では、第4の実施形態と同
様の動作を行う。したがって、スタンバイ状態で電源電
圧VDDが0Vにならないとき、第1のナンドゲート5
1、インバータ52、第2のナンドゲート53へ入力A
INまたは電源VDDから貫通電流が流れ込む。また、
電源電位VDDが中間電位であるときも、貫通電流が流
れる。
When the stop signal STOP is "H", the same operation as in the fourth embodiment is performed in the normal state and the standby state. Therefore, when the power supply voltage VDD does not become 0V in the standby state, the first NAND gate 5
1, input to the inverter 52, the second NAND gate 53
A through current flows from IN or the power supply VDD. Also,
A through current also flows when the power supply potential VDD is an intermediate potential.

【0071】一方、ストップ信号STOPが“L”のと
き、第1のナンドゲート51においてN7がOFF状態
となりP11がON状態になるので常にウェル電位NW
が出力され、P1はゲート電位PGとしてウェル電位N
Wを受ける。また、インバータ52は第1のナンドゲー
ト51の出力すなわちウェル電位NWを受けるため、常
にグランド電位を出力する。このため、N1はゲート電
位NGとしてグランド電位を受け、常にOFF状態にな
る。また、第2のナンドゲート53においてN8もOF
F状態になる。この状態では、ウェル電位NWは常に入
力AIN以上の電位になるので、P1もOFF状態とな
り、アナログスイッチ10は確実にOFFする。すなわ
ち、コントロール信号CNTとして中間電位を含めてい
かなる電位が入力されても、アナログスイッチ10は常
にOFF状態になり、かつ、どのトランジスタにも貫通
電流は流れない。
On the other hand, when the stop signal STOP is "L", N7 is turned off and P11 is turned on in the first NAND gate 51, so that the well potential NW is always maintained.
Is output and P1 is a well potential N as a gate potential PG.
Receive W. Further, since the inverter 52 receives the output of the first NAND gate 51, that is, the well potential NW, it always outputs the ground potential. Therefore, N1 receives the ground potential as the gate potential NG and is always in the OFF state. In addition, N8 is also OF in the second NAND gate 53.
It becomes the F state. In this state, the well potential NW is always equal to or higher than the input AIN, so that P1 is also in the OFF state and the analog switch 10 is surely turned OFF. That is, even if any potential including the intermediate potential is input as the control signal CNT, the analog switch 10 is always in the OFF state, and the through current does not flow in any transistor.

【0072】したがって、システム上でスタンバイ信号
などの制御信号が確保できる場合には、ストップ信号S
TOPとして“L”を入力することによって、電源電位
VDDとコントロール信号CNTが中間電位のときであ
っても、どのトランジスタにも貫通電流は流れない。す
なわち、ストップ信号STOPを用いることによって、
リーク電流のない安定したアナログスイッチを実現でき
る。
Therefore, when a control signal such as a standby signal can be secured on the system, the stop signal S
By inputting "L" as TOP, a through current does not flow in any transistor even when the power supply potential VDD and the control signal CNT are at an intermediate potential. That is, by using the stop signal STOP,
A stable analog switch with no leakage current can be realized.

【0073】なお、ウェル電位制御回路30の代わり
に、第2または第3の実施形態に係るウェル電位制御回
路や、他の構成の回路を設けてもよい。
Instead of the well potential control circuit 30, a well potential control circuit according to the second or third embodiment or a circuit having another structure may be provided.

【0074】(第7の実施形態)上述の第6の実施形態
では、ストップ信号STOPが“H”のときは、先に説
明したような貫通電流が流れる。もし、システム上スタ
ンバイ信号などの制御信号が確保できない場合には、こ
の貫通電流を、ストップ信号STOPを用いずになんら
かの手段によって抑えなければならない。そこで本実施
形態では、スタンバイ状態で、電源電圧VDDが0Vで
ない場合や、コントロール信号CNTが中間電位の場合
に、貫通電流が流れないようにするものである。
(Seventh Embodiment) In the above-described sixth embodiment, when the stop signal STOP is "H", the through current as described above flows. If a control signal such as a standby signal cannot be secured on the system, this through current must be suppressed by some means without using the stop signal STOP. Therefore, in the present embodiment, the through current is prevented from flowing in the standby state when the power supply voltage VDD is not 0 V or when the control signal CNT is the intermediate potential.

【0075】図8は本発明の第7の実施形態に係るアナ
ログスイッチ回路の構成を示す回路図である。図8にお
いて、図5と共通の構成要素には図5と同一の符号を付
しており、ここではその詳細な説明を省略する。
FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of the analog switch circuit according to the seventh embodiment of the present invention. 8, constituent elements common to FIG. 5 are assigned the same reference numerals as those in FIG. 5, and detailed description thereof will be omitted here.

【0076】図8に示すゲート制御回路60では、図5
に示すゲート電位制御回路40に対して、PMOSP1
3およびNMOSN9,N10,N11が付加されてい
る。P13およびN9は直列に接続され、P4,N4と
並列に設けられている。そして、そのゲートはともにP
1のゲートに接続されており、互いに接続された端はP
4のゲートに接続されている。またN10,N11は直
列に接続され、コントロール信号CNTの入力線とP4
のゲートとの間に設けられており、N10のゲートには
ウェル電位NWが、N11のゲートには電源電位VDD
がそれぞれ与えられる。
In the gate control circuit 60 shown in FIG.
For the gate potential control circuit 40 shown in FIG.
3 and NMOSs N9, N10 and N11 are added. P13 and N9 are connected in series and are provided in parallel with P4 and N4. And both gates are P
Connected to the gate of 1 and the ends connected to each other are P
4 gates. Further, N10 and N11 are connected in series and connected to the input line of the control signal CNT and P4.
, The well potential NW is applied to the gate of N10 and the power supply potential VDD is applied to the gate of N11.
Are given respectively.

【0077】P4,P13,N4,N9,N10,N1
1によって、コントロール信号CNTを入力とし、ウェ
ル電位NWを電源電位とするレベルシフタ61が構成さ
れている。このレベルシフタ61は、コントロール信号
CNTが中間電位であるとき、この中間電位をウェル電
位NWにレベルアップして出力する。
P4, P13, N4, N9, N10, N1
1 constitutes a level shifter 61 which receives the control signal CNT as an input and uses the well potential NW as a power source potential. When the control signal CNT has the intermediate potential, the level shifter 61 raises the intermediate potential to the well potential NW and outputs it.

【0078】また、P5のソースは第6の実施形態と同
様にウェル電位NWが与えられている。P5,N5によ
って第1のインバータ62が構成されている。さらに、
P6とN6の間に抵抗R1が挿入されており、P6,N
6,および抵抗R1によって第2のインバータ63が構
成されている。
The source of P5 is given the well potential NW as in the sixth embodiment. A first inverter 62 is formed by P5 and N5. further,
A resistor R1 is inserted between P6 and N6,
6, and the resistor R1 form a second inverter 63.

【0079】図8のアナログスイッチ回路の動作につい
て説明する。
The operation of the analog switch circuit of FIG. 8 will be described.

【0080】通常状態においてコントロール信号CNT
が“H”のとき、レベルシフタ61においてN4がON
し、またその一方で、N9がOFFするとともにP13
がONするので、P4のゲート電位はウェル電位NWに
相当する電位すなわち“H”になり、P4はOFFす
る。このため、P1のゲート電位PGはグランド電位に
なり、P1はON状態になる。またレベルシフタ61の
出力すなわちゲート電位PGがグランド電位であるの
で、第1のインバータ62の出力はウェル電位NWに相
当する電位すなわち“H”になる。これにより、N1の
ゲート電位NGはウェル電位NWになるので、N1はO
N状態になる。またP8はゲートに“H”が入力される
のでOFFする。一方、第2のインバータ63の出力は
グランド電位になるので、P7はゲートに“L”が与え
られONする。このとき、アナログスイッチ10はON
状態なので入力AINから出力AOUTに電流が流れる
が、その他のトランジスタには貫通電流は流れない。
In the normal state, the control signal CNT
Is "H", N4 is ON in the level shifter 61
On the other hand, N9 turns off and P13
Is turned on, the gate potential of P4 becomes a potential corresponding to the well potential NW, that is, "H", and P4 is turned off. Therefore, the gate potential PG of P1 becomes the ground potential, and P1 is turned on. Further, since the output of the level shifter 61, that is, the gate potential PG is the ground potential, the output of the first inverter 62 becomes a potential corresponding to the well potential NW, that is, "H". As a result, the gate potential NG of N1 becomes the well potential NW, so that N1 becomes O
It becomes N state. Further, P8 is turned off because "H" is input to the gate. On the other hand, since the output of the second inverter 63 is at the ground potential, P7 is given "L" to the gate and turned on. At this time, the analog switch 10 is ON
Because of the state, a current flows from the input AIN to the output AOUT, but no through current flows in other transistors.

【0081】一方、通常状態においてコントロール信号
CNTが“L”のとき、レベルシフタ61においてN4
がOFFし、またN10,N11はONするのでP4は
ゲートに“L”が入力されるのでONする。このためP
1のゲート電位PGはウェル電位NWすなわち“H”に
なり、P1はOFF状態になる。N9はON、P13は
OFFし、第1のインバータ62の出力はグランド電位
になる。このためN1はゲート電位NGがグランド電位
になるためOFF状態になる。またP8はONする。一
方、第2のインバータ63の出力はグランド電位になる
ので、P7はゲートに“L”が与えられONする。P
7,P8がONするので、電源電位VDDがP1のゲー
ト電位PGに帰還され、P1は確実にOFFする。この
とき、貫通電流は入力AINから出力AOUTにも、ま
た、入力AIN若しくは電源VDDからグランドにも流
れない。
On the other hand, in the normal state, when the control signal CNT is "L", the level shifter 61 outputs N4.
Turns off, and N10 and N11 turn on, so P4 turns on because "L" is input to the gate. Therefore, P
The gate potential PG of 1 becomes the well potential NW, that is, "H", and P1 is turned off. N9 is turned on, P13 is turned off, and the output of the first inverter 62 becomes the ground potential. Therefore, the gate potential NG of N1 becomes the ground potential, so that N1 is turned off. Also, P8 is turned on. On the other hand, since the output of the second inverter 63 is at the ground potential, P7 is given "L" to the gate and turned on. P
Since 7, P8 are turned on, the power supply potential VDD is fed back to the gate potential PG of P1, and P1 is surely turned off. At this time, a through current does not flow from the input AIN to the output AOUT, or from the input AIN or the power supply VDD to the ground.

【0082】またスタンバイ時は、コントロール信号C
NTおよび電源電位VDDが0Vになり、レベルシフタ
61においてN4はOFFし、N11はOFFし、N9
はONし、P13はOFFし、P4のゲート電位はグラ
ンド電位となりP4はONし、P1のゲート電位PGは
入力AINから与えられるウェル電位NWとなり、P1
はOFF状態となる。第1のインバータ62の出力はグ
ランド電位になり、N1はゲート電位NGがグランド電
位になるためOFFする。またP8はONする。一方、
第2のインバータ63の出力はウェル電位NWとなり、
P7はOFFする。したがって、貫通電流は入力AIN
から出力AOUTにも、また入力AIN若しくは電源V
DDからグランドにも流れない。
In the standby mode, the control signal C
NT and the power supply potential VDD become 0V, and in the level shifter 61, N4 is turned off, N11 is turned off, and N9.
Turns on, P13 turns off, the gate potential of P4 becomes the ground potential, P4 turns on, the gate potential PG of P1 becomes the well potential NW given from the input AIN, and P1
Is turned off. The output of the first inverter 62 becomes the ground potential, and N1 is turned off because the gate potential NG becomes the ground potential. Also, P8 is turned on. on the other hand,
The output of the second inverter 63 becomes the well potential NW,
P7 is turned off. Therefore, the shoot-through current is the input AIN
From the output AOUT to the input AIN or the power supply V
It doesn't flow from DD to the ground.

【0083】コントロール信号CNTおよび電源電位V
DDがともに中間電位のとき、レベルシフタ61におい
てN10,N11,N4,P4はONし、P13はON
し、最終的にはP4のゲート電位はウェル電位NWにな
りP4はOFFする。よってゲート電位PGは0Vにな
り、P1はON状態になる。第1のインバータ62の出
力はウェル電位NWに相当する電位になり、N1はゲー
ト電位NGがウェル電位NWと等しくなりON状態にな
る。P8はOFFする。ところが、第2のインバータ6
3においてN6,P6はONしてしまい、P7のゲート
電位は中間電位となりP7はONする。
Control signal CNT and power supply potential V
When both DD are at the intermediate potential, N10, N11, N4 and P4 are turned on and P13 is turned on in the level shifter 61.
Finally, the gate potential of P4 becomes the well potential NW and P4 is turned off. Therefore, the gate potential PG becomes 0V and P1 is turned on. The output of the first inverter 62 becomes a potential corresponding to the well potential NW, and the gate potential NG of N1 becomes equal to the well potential NW and the N1 is turned on. P8 turns off. However, the second inverter 6
In 3, N6 and P6 are turned on, the gate potential of P7 becomes an intermediate potential, and P7 is turned on.

【0084】この場合、第2のインバータ63ではP6
とN6を介して、VDD、AINからグランドに貫通電
流が流れてしまう。抵抗R1はこの貫通電流を抑制する
ために、P6とN6との間に挿入されている。抵抗R1
の抵抗値を変えることによって、貫通電流のピーク値を
制御することが可能になる。他のトランジスタには貫通
電流は流れることはない。このとき、アナログスイッチ
10はONしているため、入力AINから出力AOUT
には電流が流れる。
In this case, in the second inverter 63, P6
A through current flows from VDD and AIN to the ground through N6 and N6. The resistor R1 is inserted between P6 and N6 in order to suppress this through current. Resistance R1
It is possible to control the peak value of the through current by changing the resistance value of. No through current flows through the other transistors. At this time, since the analog switch 10 is ON, the input AIN changes to the output AOUT.
An electric current flows through.

【0085】このように本実施形態によると、貫通電流
は、コントロール信号CNTと電源電位VDDが中間電
位のときに、第2のインバータ63を介して流れるのみ
であり、それ以外の場合には貫通電流は一切流れない。
したがって、第6の実施形態で示したようなストップ信
号を用いなくても、リーク電流の面からみて安定したア
ナログスイッチを実現することができる。
As described above, according to the present embodiment, the through current only flows through the second inverter 63 when the control signal CNT and the power supply potential VDD are at the intermediate potential, and in the other cases, the through current flows. No current flows.
Therefore, it is possible to realize a stable analog switch in terms of leakage current without using the stop signal as shown in the sixth embodiment.

【0086】なお、ウェル電位制御回路30の代わり
に、第2または第3の実施形態に係るウェル電位制御回
路や、他の構成の回路を設けてもよい。
Instead of the well potential control circuit 30, a well potential control circuit according to the second or third embodiment or a circuit having another structure may be provided.

【0087】(第8の実施形態)図9は本発明の第8の
実施形態に係るアナログスイッチ回路の構成を示す回路
図である。図9の構成では、ゲート制御回路70が、図
7に示す第6の実施形態に係るゲート制御回路50と図
8に示す第7の実施形態に係るゲート制御回路60とを
組み合わせて構成されている。71はストップ信号ST
OPを受けるように構成されたレベルシフタ、72はイ
ンバータ、73は抵抗R1が挿入されたナンドゲートで
ある。また、図3に示す第3の実施形態に係るウェル電
位制御回路30Bが設けられている。
(Eighth Embodiment) FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to an eighth embodiment of the present invention. In the configuration of FIG. 9, the gate control circuit 70 is configured by combining the gate control circuit 50 according to the sixth embodiment shown in FIG. 7 and the gate control circuit 60 according to the seventh embodiment shown in FIG. There is. 71 is a stop signal ST
A level shifter configured to receive OP, 72 is an inverter, and 73 is a NAND gate in which a resistor R1 is inserted. Further, a well potential control circuit 30B according to the third embodiment shown in FIG. 3 is provided.

【0088】レベルシフタ71は図7に示すナンドゲー
ト51と図8に示すレベルシフタ61とが組み合わされ
て構成されており、さらに、P4のゲートとN9のドレ
インとの間に設けられ、ゲートにストップ信号STOP
を受けるNMOSN12が追加されている。ストップ信
号STOPが0Vであり、コントロール信号CNTと電
源電位VDDが中間電位であるとき、P1のゲート電位
PGは入力AINから与えられるウェル電位NWにな
り、このためN9がONし、CNT端子からN9を通っ
てグランドに電流が流れる。N12はこの電流のパスを
切るために挿入されている。
The level shifter 71 is configured by combining the NAND gate 51 shown in FIG. 7 and the level shifter 61 shown in FIG. 8, and is provided between the gate of P4 and the drain of N9, and has a stop signal STOP at its gate.
An NMOS N12 for receiving the signal is added. When the stop signal STOP is 0V and the control signal CNT and the power supply potential VDD are intermediate potentials, the gate potential PG of P1 becomes the well potential NW given from the input AIN, so that N9 turns on and the CNT terminal outputs N9. An electric current flows through it to the ground. N12 is inserted to cut this current path.

【0089】ストップ信号STOPが“H”のときは、
上述の第7の実施形態と同様の動作を行う。コントロー
ル信号CNTと電源電位VDDが中間電位であるとき、
ナンドゲート73に貫通電流が流れるが、抵抗R1によ
ってその電流のピーク値を制御できる。一方、ストップ
信号STOPが“L”のときは、コントロール信号CN
Tの電位にかかわらず、レベルシフタ71においてP1
1がON、N7がOFFするのでP1のゲート電位PG
はウェル電位NWに相当する電位になる。また、インバ
ータ72、ナンドゲート73、P7,P8の状態は第6
の実施形態のと同様である。
When the stop signal STOP is "H",
The same operation as in the seventh embodiment described above is performed. When the control signal CNT and the power supply potential VDD are intermediate potentials,
A through current flows through the NAND gate 73, and the peak value of the current can be controlled by the resistor R1. On the other hand, when the stop signal STOP is "L", the control signal CN
P1 in the level shifter 71 regardless of the potential of T
1 is ON and N7 is OFF, so the gate potential PG of P1
Becomes a potential corresponding to the well potential NW. The states of the inverter 72, the NAND gate 73, P7, and P8 are the sixth.
The same as in the embodiment.

【0090】このように本実施形態によると、ストップ
信号STOPが0Vのときは、電源電位VDDとコント
ロール信号CNTが中間電位であるときも含めあらゆる
場合において、貫通電流や、入力AINから出力AOU
Tへの電流は流れることはない。また、ストップ信号S
TOPが“H”のときは、コントロール信号CNTと電
源電位VDDが中間電位であるときに、ナンドゲート7
3を介してVDDとAINからグランドに貫通電流が流
れるのみである。したがって、リーク電流の面からみて
きわめて安定したアナログスイッチを実現することがで
きる。
As described above, according to the present embodiment, when the stop signal STOP is 0 V, the through current or the output AOU from the input AIN is output in all cases including the power supply potential VDD and the control signal CNT being the intermediate potential.
No current flows to T. Also, the stop signal S
When TOP is “H”, when the control signal CNT and the power supply potential VDD are intermediate potentials, the NAND gate 7
Only a through current flows from VDD and AIN to the ground via the line 3. Therefore, it is possible to realize an extremely stable analog switch in terms of leakage current.

【0091】(第9の実施形態)図10は本発明の第9
の実施形態に係るアナログスイッチ回路の構成を示す回
路図である。図10の構成では、アナログスイッチ10
Aが、PMOSP1と直列に接続された第2のP型トラ
ンジスタとしてのPMOSP1’を備えており、このP
MOSP1’のウェル電位を制御するためのウェル電位
制御回路30aが設けられている。A1,A2はP1、
P1’のゲート電位をそれぞれのウェル電位を用いて制
御するゲート制御回路である。
(Ninth Embodiment) FIG. 10 shows a ninth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to the exemplary embodiment. In the configuration of FIG. 10, the analog switch 10
A includes a PMOSP1 ′ as a second P-type transistor connected in series with the PMOSP1.
A well potential control circuit 30a for controlling the well potential of the MOSP1 'is provided. A1 and A2 are P1,
It is a gate control circuit that controls the gate potential of P1 ′ by using each well potential.

【0092】出力AOUT側が電源VDDおよび入力A
INよりも高い電圧になる場合、すなわち、図4のよう
な回路が出力AOUTに接続され、かつ、その電源が当
該アナログスイッチ回路の電源VDDとは別個の電源で
ある場合には、入力AINと出力AOUTとの間に電流
が流れる可能性がある。本実施形態は、この電流を防ぐ
ためになされたものである。
Output AOUT side is power supply VDD and input A
When the voltage becomes higher than IN, that is, when the circuit as shown in FIG. 4 is connected to the output AOUT and the power supply is a power supply different from the power supply VDD of the analog switch circuit, the input AIN and A current may flow between the output AOUT and the output AOUT. The present embodiment is made to prevent this current.

【0093】すなわち、アナログスイッチ10Aにおい
て2個のPMOSP1,P1’を直列に接続することに
よって、アナログスイッチ10Aの入力AINおよび出
力AOUTのいずれの側からも電流が流れ込まないよう
にすることができる。
That is, by connecting the two PMOSs P1 and P1 'in series in the analog switch 10A, it is possible to prevent current from flowing from either side of the input AIN and the output AOUT of the analog switch 10A.

【0094】なお、図10では、ウェル電位制御回路は
第1の実施形態で示した構成としたが、第2または第3
の実施形態で示した回路を用いてもよい。また、ゲート
制御回路A1,A2も、第4〜第8の実施形態のいずれ
の回路を用いてもよい。
In FIG. 10, the well potential control circuit has the configuration shown in the first embodiment, but the second or third well potential control circuit is shown.
The circuit shown in the embodiment may be used. Further, as the gate control circuits A1 and A2, any circuit of the fourth to eighth embodiments may be used.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上のように本発明によると、電源電圧
以上の電圧が入力側に印加された場合や、電源がOFF
状態で入力側に電圧が印加された場合であっても、PM
OSの寄生ダイオードを介して流れるリーク電流を防ぐ
ことができる。また、リーク電流の観点からみて安定し
たアナログスイッチ回路を実現できる。
As described above, according to the present invention, when a voltage higher than the power source voltage is applied to the input side or the power source is turned off.
Even if voltage is applied to the input side in the state, PM
It is possible to prevent a leakage current flowing through the OS parasitic diode. Moreover, a stable analog switch circuit can be realized from the viewpoint of leakage current.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図4】アナログスイッチの出力側に接続される回路の
構成例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a circuit connected to an output side of an analog switch.

【図5】本発明の第4の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第6の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第7の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a seventh embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第8の実施形態に係るアナログスイッ
チ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to an eighth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第9の実施形態に係るアナログスイ
ッチ回路の構成を示す回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a configuration of an analog switch circuit according to a ninth embodiment of the present invention.

【図11】従来のアナログスイッチ回路の問題を説明す
る回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram illustrating a problem of a conventional analog switch circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,10A アナログスイッチ 20,40,40A,50,60,70 ゲート制御回
路 30,30a,30A,30B ウェル電位制御回路 41 第1のインバータ 42 第2のインバータ 43 第3のインバータ 51 第1のナンドゲート 52 インバータ 53 第2のナンドゲート 61 レベルシフタ 62 第1のインバータ 63 第2のインバータ 71 レベルシフタ 72 インバータ 73 ナンドゲート P1 PMOS(第1のP型トランジスタ) N1 NMOS(第1のN型トランジスタ) P2 PMOS(第2のP型トランジスタ) N2 NMOS(第2のN型トランジスタ) P3 PMOS(第2のP型トランジスタ) N3 NMOS(第2のN型トランジスタ) P7 PMOS(第2のP型トランジスタ) P8 PMOS(第3のP型トランジスタ) P1’ PMOS(第2のP型トランジスタ) AIN アナログスイッチの入力 VDD アナログスイッチ回路の電源 PG PMOSP1のゲート電位 NW PMOSP1のウェル電位 CNT コントロール信号 STOP ストップ信号
10, 10A Analog switch 20, 40, 40A, 50, 60, 70 Gate control circuit 30, 30a, 30A, 30B Well potential control circuit 41 First inverter 42 Second inverter 43 Third inverter 51 First NAND gate 52 inverter 53 second NAND gate 61 level shifter 62 first inverter 63 second inverter 71 level shifter 72 inverter 73 NAND gate P1 PMOS (first P-type transistor) N1 NMOS (first N-type transistor) P2 PMOS (second) P-type transistor) N2 NMOS (second N-type transistor) P3 PMOS (second P-type transistor) N3 NMOS (second N-type transistor) P7 PMOS (second P-type transistor) P8 PMOS (third) P-type transistor P1 'PMOS (second P-type transistor) AIN gate potential NW PMOSP1 power PG PMOSP1 input VDD analog switch circuit of the analog switch well potential CNT control signal STOP STOP signal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F038 BG06 BG10 DF01 DF17 EZ20 5J055 AX28 BX17 CX24 CX27 DX22 DX65 DX73 EX07 EY21 EY29 EZ00 EZ07 EZ12 EZ20 EZ25 FX37 GX01 GX02    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F term (reference) 5F038 BG06 BG10 DF01 DF17 EZ20                 5J055 AX28 BX17 CX24 CX27 DX22                       DX65 DX73 EX07 EY21 EY29                       EZ00 EZ07 EZ12 EZ20 EZ25                       FX37 GX01 GX02

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 並列に接続された第1のP型トランジス
タおよび第1のN型トランジスタを有するアナログスイ
ッチと、 コントロール信号に応じて、前記アナログスイッチをオ
ンオフ制御するゲート制御回路と、 前記第1のP型トランジスタのウェル電位を、前記アナ
ログスイッチの入力を用いて、制御するウェル電位制御
回路とを備えたことを特徴とするアナログスイッチ回
路。
1. An analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel, a gate control circuit for ON / OFF controlling the analog switch according to a control signal, and the first switch. And a well potential control circuit for controlling the well potential of the P-type transistor using the input of the analog switch.
【請求項2】 請求項1において、 前記ウェル電位制御回路は、 ゲート同士、およびドレイン同士が接続された第2のP
型トランジスタおよび第2のN型トランジスタを備え、
そのドレインから前記第1のP型トランジスタのウェル
電位を供給するものであり、 前記第2のP型トランジスタは、ソースに前記アナログ
スイッチの入力電位を受け、 前記第2のN型トランジスタは、ソースとゲートとが接
続されており、かつ、ソースに当該アナログスイッチ回
路の電源電位を受けることを特徴とするアナログスイッ
チ回路。
2. The well potential control circuit according to claim 1, wherein the second P having the gates connected to each other and the drains connected to each other is connected to each other.
Type transistor and a second N-type transistor,
The drain supplies the well potential of the first P-type transistor, the second P-type transistor receives the input potential of the analog switch at the source, and the second N-type transistor is the source. An analog switch circuit in which a gate and a gate are connected to each other and a source receives a power supply potential of the analog switch circuit.
【請求項3】 請求項1において、 前記ウェル電位制御回路は、 ゲート同士、およびドレイン同士が接続された第2のN
型トランジスタおよび第2のP型トランジスタを備え、
そのドレインから前記第1のP型トランジスタのウェル
電位を供給するものであり、 前記第2のN型トランジスタは、ソースとゲートとが接
続されており、かつ、ソースに前記アナログスイッチの
入力電位を受け、 前記第2のP型トランジスタは、ソースに当該アナログ
スイッチ回路の電源電位を受けることを特徴とするアナ
ログスイッチ回路。
3. The second well N according to claim 1, wherein the well potential control circuit is configured such that:
Type transistor and a second P-type transistor,
The drain supplies the well potential of the first P-type transistor, the second N-type transistor has a source and a gate connected to each other, and the source receives the input potential of the analog switch. In the analog switch circuit, the second P-type transistor receives the power supply potential of the analog switch circuit at its source.
【請求項4】 請求項1において、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号を入力とし、前記ウェル電位を電
源電位とする第1のインバータと、 前記第1のインバータの出力を入力とする第2のインバ
ータと、 当該アナログスイッチ回路の電源電位を入力とし、前記
ウェル電位を電源電位とする第3のインバータと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記第3のインバータの出力を受け
る第2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記第2のインバータの出力を受
けるとともに、ドレインが前記第1のインバータの出力
線と接続された第3のP型トランジスタとを備え、 前記第1のインバータの出力線から、前記第1のP型ト
ランジスタのゲート電位を供給するものであることを特
徴とするアナログスイッチ回路。
4. The gate control circuit according to claim 1, wherein the gate control circuit receives the control signal as an input, and a first inverter that receives the well potential as a power supply potential, and a second inverter that receives an output of the first inverter as an input. Inverter, and a third inverter that receives the power supply potential of the analog switch circuit as an input and uses the well potential as the power supply potential, a source that receives the power supply potential of the analog switch circuit, and a gate of the third inverter. A second P-type transistor receiving an output, a source connected to the drain of the second P-type transistor, a gate receiving the output of the second inverter, and a drain having an output of the first inverter. A third P-type transistor connected to a line, the output line of the first inverter from the first P-type Analog switch circuit which is characterized in that supplies a gate potential of the transistor.
【請求項5】 請求項1において、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号およびストップ信号を入力とし、
前記ウェル電位を電源電位とする第1のナンドゲート
と、 前記第1のナンドゲートの出力を入力とするインバータ
と、 当該アナログスイッチ回路の電源電位および前記ストッ
プ信号を入力とし、前記ウェル電位を電源電位とする第
2のナンドゲートと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記第2のナンドゲートの出力を受
ける第2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記インバータの出力を受けると
ともに、ドレインが前記第1のナンドゲートの出力線と
接続された第3のP型トランジスタとを備え、 前記第1のナンドゲートの出力線から、前記第1のP型
トランジスタのゲート電位を供給するものであることを
特徴とするアナログスイッチ回路。
5. The gate control circuit according to claim 1, wherein the control signal and the stop signal are input.
A first NAND gate having the well potential as a power supply potential, an inverter having an output of the first NAND gate as an input, a power supply potential of the analog switch circuit and the stop signal as inputs, and the well potential as a power supply potential A second NAND gate, a second P-type transistor whose source receives the power supply potential of the analog switch circuit and a gate which receives the output of the second NAND gate, and a source whose drain is the drain of the second P-type transistor. A third P-type transistor having a gate connected to the output line of the first NAND gate and a gate connected to the output line of the first NAND gate, and a drain connected to the output line of the first NAND gate. An analog circuit, which supplies the gate potential of the first P-type transistor. Gusuitchi circuit.
【請求項6】 請求項1において、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号を入力とし、前記ウェル電位を電
源電位とするレベルシフタと、 前記レベルシフタの出力を入力とする第1のインバータ
と、 当該アナログスイッチ回路の電源電位を入力とし、前記
ウェル電位を電源電位とする第2のインバータと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記第2のインバータの出力を受け
る第2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記第1のインバータの出力を受
けるとともに、ドレインが前記レベルシフタの出力線と
接続された第3のP型トランジスタとを備え、 前記レベルシフタの出力線から、前記第1のP型トラン
ジスタのゲート電位を供給するものであり、 前記レベルシフタは、前記コントロール信号が中間電位
であるとき、この中間電位を前記ウェル電位にレベルア
ップして出力することを特徴とするアナログスイッチ回
路。
6. The gate control circuit according to claim 1, wherein the gate control circuit receives the control signal as an input, a level shifter having the well potential as a power supply potential, a first inverter having an output of the level shifter as an input, and the analog circuit. A second inverter that receives the power supply potential of the switch circuit and uses the well potential as the power supply potential, and a second inverter that receives the power supply potential of the analog switch circuit at its source and receives the output of the second inverter at its gate. A P-type transistor and a third P-type transistor whose source is connected to the drain of the second P-type transistor and whose gate receives the output of the first inverter and whose drain is connected to the output line of the level shifter. A transistor of the first P-type transistor from the output line of the level shifter. Is intended to supply a preparative potential, said level shifter, the control when the signal is an intermediate potential, the analog switch circuit and outputting an intermediate potential level up to the well potential.
【請求項7】 請求項1において、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号、およびストップ信号を入力と
し、前記ウェル電位を電源電位とするレベルシフタと、 前記レベルシフタの出力を入力とするインバータと、 当該アナログスイッチ回路の電源電位および前記ストッ
プ信号を入力とし、前記ウェル電位を電源電位とするナ
ンドゲートと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記ナンドゲートの出力を受ける第
2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記インバータの出力を受けると
ともに、ドレインが前記レベルシフタの出力線と接続さ
れた第3のP型トランジスタとを備え、 前記レベルシフタの出力線から、前記第1のP型トラン
ジスタのゲート電位を供給するものであり、 前記レベルシフタは、 前記コントロール信号が中間電位であるとき、この中間
電位を前記ウェル電位にレベルアップして出力するもの
であり、かつ、前記ストップ信号が負の論理レベルであ
るとき、出力を固定するものであることを特徴とするア
ナログスイッチ回路。
7. The level control circuit according to claim 1, wherein the gate control circuit receives the control signal and the stop signal as input, and the level shifter receives the well potential as a power supply potential, and an inverter receives the output of the level shifter as input. A NAND gate that receives the power supply potential of the analog switch circuit and the stop signal as input and uses the well potential as the power supply potential, and a second P that receives the power supply potential of the analog switch circuit at its source and the output of the NAND gate at its gate Type transistor and a third P-type transistor whose source is connected to the drain of the second P-type transistor and whose gate receives the output of the inverter and whose drain is connected to the output line of the level shifter. From the output line of the level shifter, the first The level shifter supplies a gate potential of a P-type transistor, and when the control signal is an intermediate potential, the level shifter raises the intermediate potential to the well potential and outputs the well potential, and the stop signal. An analog switch circuit characterized in that the output is fixed when is a negative logic level.
【請求項8】 請求項1において、 前記アナログスイッチは、 前記第1のP型トランジスタと直列に接続された第2の
P型トランジスタを備えたものであることを特徴とする
アナログスイッチ回路。
8. The analog switch circuit according to claim 1, wherein the analog switch includes a second P-type transistor connected in series with the first P-type transistor.
【請求項9】 並列に接続された第1のP型トランジス
タおよび第1のN型トランジスタを有するアナログスイ
ッチと、 コントロール信号に応じて、前記アナログスイッチをオ
ンオフ制御するゲート制御回路とを備え、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号を入力とし、前記第1のP型トラ
ンジスタのウェル電位を電源電位とする第1のインバー
タと、 前記第1のインバータの出力を入力とする第2のインバ
ータと、 当該アナログスイッチ回路の電源電位を入力とし、前記
ウェル電位を電源電位とする第3のインバータと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記第3のインバータの出力を受け
る第2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記第2のインバータの出力を受
けるとともに、ドレインが前記第1のインバータの出力
線と接続された第3のP型トランジスタとを備え、 前記第1のインバータの出力線から、前記第1のP型ト
ランジスタのゲート電位を供給するものであることを特
徴とするアナログスイッチ回路。
9. An analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel, and a gate control circuit for controlling ON / OFF of the analog switch according to a control signal, A gate control circuit, a first inverter having the control signal as an input and having a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential; and a second inverter having an output of the first inverter as an input, A third inverter having a power supply potential of the analog switch circuit as an input and having the well potential as a power supply potential; a third inverter having a source receiving the power supply potential of the analog switch circuit and a gate receiving an output of the third inverter; A second P-type transistor and a source connected to the drain of the second P-type transistor, And a third P-type transistor having a gate receiving the output of the second inverter and a drain connected to the output line of the first inverter, the output line of the first inverter from the output line of the first inverter. An analog switch circuit for supplying the gate potential of a first P-type transistor.
【請求項10】 並列に接続された第1のP型トランジ
スタおよび第1のN型トランジスタを有するアナログス
イッチと、 コントロール信号に応じて、前記アナログスイッチをオ
ンオフ制御するゲート制御回路とを備え、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号およびストップ信号を入力とし、
前記第1のP型トランジスタのウェル電位を電源電位と
する第1のナンドゲートと、 前記第1のナンドゲートの出力を入力とするインバータ
と、 当該アナログスイッチ回路の電源電位および前記ストッ
プ信号を入力とし、前記ウェル電位を電源電位とする第
2のナンドゲートと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記第2のナンドゲートの出力を受
ける第2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記インバータの出力を受けると
ともに、ドレインが前記第1のナンドゲートの出力線と
接続された第3のP型トランジスタとを備え、 前記第1のナンドゲートの出力線から、前記第1のP型
トランジスタのゲート電位を供給するものであることを
特徴とするアナログスイッチ回路。
10. An analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel, and a gate control circuit for controlling ON / OFF of the analog switch according to a control signal, The gate control circuit receives the control signal and the stop signal as input,
A first NAND gate having a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential; an inverter having an output of the first NAND gate as an input; and a power supply potential of the analog switch circuit and the stop signal as inputs, A second NAND gate having the well potential as a power source potential, a second P-type transistor having a source receiving the power source potential of the analog switch circuit and a gate receiving an output of the second NAND gate, and a source being the first A second P-type transistor connected to the drain of the second P-type transistor, the gate of which receives the output of the inverter, and the drain of which is connected to the output line of the first NAND gate; The gate potential of the first P-type transistor is supplied from the output line of the NAND gate of Analog switch circuit according to claim Rukoto.
【請求項11】 並列に接続された第1のP型トランジ
スタおよび第1のN型トランジスタを有するアナログス
イッチと、 コントロール信号に応じて、前記アナログスイッチをオ
ンオフ制御するゲート制御回路とを備え、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号を入力とし、前記第1のP型トラ
ンジスタのウェル電位 を電源電位とするレベルシフタと、前記レベルシフタの
出力を入力とする第1のインバータと、 当該アナログスイッチ回路の電源電位を入力とし、前記
ウェル電位を電源電位とする第2のインバータと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記第2のインバータの出力を受け
る第2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記第1のインバータの出力を受
けるとともに、ドレインが前記レベルシフタの出力線と
接続された第3のP型トランジスタとを備え、 前記レベルシフタの出力線から、前記第1のP型トラン
ジスタのゲート電位を供給するものであり、 前記レベルシフタは、前記コントロール信号が中間電位
であるとき、この中間電位を前記ウェル電位にレベルア
ップして出力することを特徴とするアナログスイッチ回
路。
11. An analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel, and a gate control circuit for controlling ON / OFF of the analog switch according to a control signal, A gate control circuit receives the control signal as an input, a level shifter having a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential, a first inverter having an output of the level shifter as an input, and a power supply of the analog switch circuit. A second inverter having a potential as an input and having the well potential as a power source potential; and a second P-type transistor having a source receiving the power source potential of the analog switch circuit and a gate receiving an output of the second inverter. , The source is connected to the drain of the second P-type transistor, and A third P-type transistor whose drain receives the output of the first inverter and is connected to the output line of the level shifter, and the output line of the level shifter connects the first P-type transistor An analog switch circuit for supplying a gate potential, wherein the level shifter raises and outputs the intermediate potential to the well potential when the control signal is at the intermediate potential.
【請求項12】 並列に接続された第1のP型トランジ
スタおよび第1のN型トランジスタを有するアナログス
イッチと、 コントロール信号に応じて、前記アナログスイッチをオ
ンオフ制御するゲート制御回路とを備え、 前記ゲート制御回路は、 前記コントロール信号、およびストップ信号を入力と
し、前記第1のP型トランジスタのウェル電位を電源電
位とするレベルシフタと、 前記レベルシフタの出力を入力とするインバータと、 当該アナログスイッチ回路の電源電位および前記ストッ
プ信号を入力とし、前記ウェル電位を電源電位とするナ
ンドゲートと、 ソースに当該アナログスイッチ回路の電源電位を受ける
とともに、ゲートに前記ナンドゲートの出力を受ける第
2のP型トランジスタと、 ソースが前記第2のP型トランジスタのドレインと接続
され、かつ、ゲートに前記インバータの出力を受けると
ともに、ドレインが前記レベルシフタの出力線と接続さ
れた第3のP型トランジスタとを備え、 前記レベルシフタの出力線から、前記第1のP型トラン
ジスタのゲート電位を供給するものであり、 前記レベルシフタは、 前記コントロール信号が中間電位であるとき、この中間
電位を前記ウェル電位にレベルアップして出力するもの
であり、かつ、前記ストップ信号が負の論理レベルであ
るとき、出力を固定するものであることを特徴とするア
ナログスイッチ回路。
12. An analog switch having a first P-type transistor and a first N-type transistor connected in parallel, and a gate control circuit for ON / OFF controlling the analog switch according to a control signal, The gate control circuit receives the control signal and the stop signal as an input, a level shifter having a well potential of the first P-type transistor as a power supply potential, an inverter having an output of the level shifter as an input, and an analog switch circuit. A NAND gate having a power supply potential and the stop signal as an input and having the well potential as a power supply potential; and a second P-type transistor having a source receiving the power supply potential of the analog switch circuit and a gate receiving the output of the NAND gate, The source is the second P-type transistor A third P-type transistor connected to the drain and having the gate receiving the output of the inverter and having the drain connected to the output line of the level shifter; The level shifter supplies the gate potential of a well-type transistor, and when the control signal is an intermediate potential, the level shifter raises the intermediate potential to the well potential and outputs the well potential, and the stop signal is An analog switch circuit characterized in that it fixes the output when it is at a negative logic level.
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