JP2004135102A - バンドパスフィルタ - Google Patents
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Abstract
【課題】周辺回路を含めた全体の面積が少なくできるバンドパスフィルタを構成する。
【解決手段】第一のマイクロストリップ導体１１を形成した第一の基板１０と、第二のマイクロストリップ導体２１を形成した第二の基板２０と、第一の基板１０上に取り付けられ、第一のマイクロストリップ導体１１を覆うシールドケース１８とを備え、第二の基板２０を第二のマイクロストリップ導体２１が第一の基板１０に対向すると共に第一のマイクロストリップ導体１１とは上下方向で重ならない状態で天板部１８ａの内面に取り付け、第一のマイクロストリップ導体１１と第二のマイクロストリップ導体２１とを結合させた。
【選択図】 図１
【解決手段】第一のマイクロストリップ導体１１を形成した第一の基板１０と、第二のマイクロストリップ導体２１を形成した第二の基板２０と、第一の基板１０上に取り付けられ、第一のマイクロストリップ導体１１を覆うシールドケース１８とを備え、第二の基板２０を第二のマイクロストリップ導体２１が第一の基板１０に対向すると共に第一のマイクロストリップ導体１１とは上下方向で重ならない状態で天板部１８ａの内面に取り付け、第一のマイクロストリップ導体１１と第二のマイクロストリップ導体２１とを結合させた。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロストリップ導体によって構成したバンドパスフィルタに関し、さらに詳しくは三角形状のマイクロストリップ導体を用いたバンドパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、三角形状のマイクロストリップ導体を用いたバンドパスフィルタ（シンバル型バンドパスフィルタと呼ばれる場合もある）が研究されている。
図４はこのようなシンバル型のバンドパスフィルタの従来の構成を示す分解斜視図であり、基板３０の上面に二つの三角形状のマイクロストリップ導体３１、３２が形成される。第一のマイクロストリップ導体３１と第二のマイクロストリップ導体３２とは同じ大きさの二等辺三角形状をなし、各一辺（底辺とする）が平行に対向して配置される。その間隔や大きさによって通過中心周波数や帯域幅及び損失やスカート特性等が決定される。例えば、通過中心周波数を２５ＧＨｚとする場合は底辺の長さＷが約４．７７ｍｍ、間隔Ｇが０．１５ｍｍ、底辺とそれに対向する頂点までの高さＫが０．６ｍｍとなる。また、基板３１の厚さＨは０．２５ｍｍである。
【０００３】
基板３０上には第一のマイクロストリップ導体３１の底辺の対向する頂点に接続された第一の導体線路３３が形成される。第二のマイクロストリップ導体３２の底辺に対向する頂点には増幅器３４の入力端（又は出力端）が接続される。増幅器３４の出力端（又は入力端）に接続された第二の導体線路３５が形成される。基板３０の裏面には接地導体（図示せず）が形成される。各導体線路３３、３５は例えば５０オームの特性インピーダンスを有する。これらの導体線路３４、３５は一方が信号入力用となり、他方が信号出力用となる（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ ＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ、ＶＯＬ．５０．ＮＯ．５ ＭＡＹ ２００２ Ｐ．１４３１−１４３２
【０００５】
また、基板３０上には第一のマイクロストリップ導体３１と第二のマイクロストリップ導体３２の両側に沿って帯状導体３６、３７が形成されている。帯状導体３６、３７は導通孔（図示せず）等の手段によって基板３０の裏面の接地導体に接続される。第一のマイクロストリップ導体３１と第二のマイクロストリップ導体３２とはシールドケース３８によって覆われる。シールドケース３８はコの字状をなし、その脚部３８ａ、３８ｂがそれぞれ帯状導体３６、３７に半田接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成では、底辺に対向する各頂点がバンドパスフィルタの実質的な入力端及び出力端となるが、入力端と出力端との間隔は約１．３５ｍｍ程になる。さらに、バンドパスフィルタには増幅器等の周辺回路が接続されるため、周辺回路を含めた全体の面積が大きくなる。
【０００７】
本発明は、周辺回路を含めた全体の面積が少なくできるバンドパスフィルタを構成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する手段として、一方の面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第一の基板と、一方の面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第二の基板と、天板部と側板部とを有し前記側板部が前記第一の基板上に取り付けられ、前記第一のマイクロストリップ導体を覆うシールドケースとを備え、前記第二の基板を前記第二のマイクロストリップ導体が前記第一の基板に対向すると共に前記第一のマイクロストリップ導体とは上下方向で重ならない状態で前記天板部の内面に取り付け、前記第一のマイクロストリップ導体と前記第二のマイクロストリップ導体とを結合させた。
【０００９】
また、前記第二のマイクロストリップ導体の一辺を前記第一のマイクロストリップ導体の一辺のほぼ真上で平行となるように位置させた。
【００１０】
また、前記第二の基板に対向する前記第一の基板上の領域に増幅器を構成し、前記第二のマイクロストリップ導体の前記一辺に対向する頂点を前記増幅器の入力端又は出力端に接続した。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１乃至図３に従って本発明のバンドパスフィルタを説明する。図１は分解斜視図、図２は要部断面図、図３は二つのマイクロストリップ導体の位置関係をしめす平面図である。
【００１２】
図１乃至図３において、第一の基板１０の上面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体１１が形成される。第一のマイクロストリップ導体１１は二等辺三角形状をなし、その一辺（底辺とする）の長さＷは約４．７７ｍｍ、底辺に対向する頂点と底辺との距離（高さ）Ｋは約０．６ｍｍである。第一の基板１０上には第一のマイクロストリップ導体１１の底辺側に増幅器等の周辺回路１２が構成される。また、第一のマイクロストリップ導体１１の底辺に対向する頂点は第一の導体線路１３に接続され、周辺回路１２の出力端（又は入力端）が第二の導体線路１４に接続される。第一の導体線路１３と第二の導体線路１４とは互いに離間する方向に延在し、一方が信号入力用、他方が信号出力用となる。
【００１３】
また、第一の基板１０上には第一のマイクロストリップ導体１１と周辺回路１２の並び方向に沿ってのれらの両側にそれぞれ帯状導体１５、１６が形成される。第一の基板１０の下面全体には接地導体１７が形成され、帯状導体１５、１６は導通孔（スルーホール）等の手段（図示せず）によって接地導体１７に接続されている。
【００１４】
第一の基板１０には第一のマイクロストリップ導体１１と周辺回路１２を覆うためのシールドケース１８が取り付けらる。シールドケース１８は天板部１７ａと天板部から折り曲げられた二つの側板部１８ｂ、１８ｃとを有してコの字状に形成され、側板部１８ｂ、１８ｃがそれぞれ帯状導体１５、１６に半田接続される。
【００１５】
シールドケース１８における天板部１８ａの内側の１／２の領域に第二の基板２０が取り付けられる。第二の基板２０はその下面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体２１が形成され、上面には接地導体２２が形成されている。そして、第二の基板２０はその接地導体２２が天板部に面接触する状態で取り付けられる。第二のマイクロストリップ導体２１は第一のマイクロストリップ導体と同じ形状、同じ大きさを有し、その一辺（底辺）が二つの側板部１８ｂ、１８ｃの面に平行となっている。
【００１６】
また、シールドケース１８が第一の基板１０に取り付けられた状態では第一のマイクロストリップ導体１１と第二のマイクロストリップ導体２１とは上下方向で重ならず、第二のマイクロストリップ導体２１は周辺回路１２の上方に位置する。そして、その底辺が第一のマイクロストリップ導体１１の底辺に対向し、図３に示すように平面上の位置関係では第一のマイクロストリップ導体１１の底辺と第二のマイクロストリップ導体２１の底辺とが同一線上に位置する。また、第一の基板１０と第二の基板２０との高さ方向の間隔Ｇはおよそ０．１５ｍｍである。
そして、第二のマイクロストリップ導体の頂点がボンデングワイヤ等のリード線２３によって周辺回路１２の入力端（又は出力端）に接続される
【００１７】
以上の構成によれば、第一のマイクロストリップ導体１１と第二のマイクロストリップ導体２１とは各底辺側で結合し、中心周波数が２５ＧＨｚのバンドパスフィルタを構成する。
そして、第二の基板２０の下側に位置した第一の基板１０に周辺回路１２を構成するので周辺回路１２を含めた全体の面積が小さくなる。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、第一のマイクロストリップ導体を形成した第一の基板と、第二のマイクロストリップ導体を形成した第二の基板と、第一の基板上に取り付けられ、第一のマイクロストリップ導体を覆うシールドケースとを備え、第二の基板を第二のマイクロストリップ導体が第一の基板に対向すると共に第一のマイクロストリップ導体とは上下方向で重ならない状態で天板部の内面に取り付け、第一のマイクロストリップ導体と第二のマイクロストリップ導体とを結合させることで、第一の基板上には第二のマイクロストリップ導体に対向する位置に周辺回路を構成することができるので、周辺回路を含めたバンドパスフィルタを小型にできる。
【００１９】
また、第二のマイクロストリップ導体の一辺を第一のマイクロストリップ導体の一辺のほぼ真上で平行となるように位置させたので、第一のマイクロストリップ導体と第二のマイクロストリップ導体との結合を十分に密にすろことができる。
【００２０】
また、第二の基板に対向する第一の基板上の領域に増幅器を構成し、第二のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を増幅器の入力端又は出力端に接続したので、増幅器と一体となったバンドパスフィルタを構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図２】本発明のバンドパスフィルタの要部断面図である。
【図３】本発明のバンドパスフィルタにおける第一のマイクロストリップ導体と第二のマイクロストリップ導体との平面上に位置関係を示す図である。
【図４】従来のバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【符号の説明】
１０ 第一の基板
１１ 第一のマイクロストリップ導体
１２ 周辺回路
１３ 第一の導体線路
１４ 第二の導体線路
１５、１６ 帯状導体
１７ 接地導体
１８ シールドケース
１８ａ 天板部
１８ｂ、１８ｃ 側板部
２０ 第二の基板
２１ 第二のマイクロストリップ導体
２２ 接地導体
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロストリップ導体によって構成したバンドパスフィルタに関し、さらに詳しくは三角形状のマイクロストリップ導体を用いたバンドパスフィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、三角形状のマイクロストリップ導体を用いたバンドパスフィルタ（シンバル型バンドパスフィルタと呼ばれる場合もある）が研究されている。
図４はこのようなシンバル型のバンドパスフィルタの従来の構成を示す分解斜視図であり、基板３０の上面に二つの三角形状のマイクロストリップ導体３１、３２が形成される。第一のマイクロストリップ導体３１と第二のマイクロストリップ導体３２とは同じ大きさの二等辺三角形状をなし、各一辺（底辺とする）が平行に対向して配置される。その間隔や大きさによって通過中心周波数や帯域幅及び損失やスカート特性等が決定される。例えば、通過中心周波数を２５ＧＨｚとする場合は底辺の長さＷが約４．７７ｍｍ、間隔Ｇが０．１５ｍｍ、底辺とそれに対向する頂点までの高さＫが０．６ｍｍとなる。また、基板３１の厚さＨは０．２５ｍｍである。
【０００３】
基板３０上には第一のマイクロストリップ導体３１の底辺の対向する頂点に接続された第一の導体線路３３が形成される。第二のマイクロストリップ導体３２の底辺に対向する頂点には増幅器３４の入力端（又は出力端）が接続される。増幅器３４の出力端（又は入力端）に接続された第二の導体線路３５が形成される。基板３０の裏面には接地導体（図示せず）が形成される。各導体線路３３、３５は例えば５０オームの特性インピーダンスを有する。これらの導体線路３４、３５は一方が信号入力用となり、他方が信号出力用となる（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
【非特許文献１】
ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＩＣＲＯＷＡＶＥ ＴＨＥＯＲＹ ＡＮＤ ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＳ、ＶＯＬ．５０．ＮＯ．５ ＭＡＹ ２００２ Ｐ．１４３１−１４３２
【０００５】
また、基板３０上には第一のマイクロストリップ導体３１と第二のマイクロストリップ導体３２の両側に沿って帯状導体３６、３７が形成されている。帯状導体３６、３７は導通孔（図示せず）等の手段によって基板３０の裏面の接地導体に接続される。第一のマイクロストリップ導体３１と第二のマイクロストリップ導体３２とはシールドケース３８によって覆われる。シールドケース３８はコの字状をなし、その脚部３８ａ、３８ｂがそれぞれ帯状導体３６、３７に半田接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成では、底辺に対向する各頂点がバンドパスフィルタの実質的な入力端及び出力端となるが、入力端と出力端との間隔は約１．３５ｍｍ程になる。さらに、バンドパスフィルタには増幅器等の周辺回路が接続されるため、周辺回路を含めた全体の面積が大きくなる。
【０００７】
本発明は、周辺回路を含めた全体の面積が少なくできるバンドパスフィルタを構成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する手段として、一方の面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第一の基板と、一方の面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第二の基板と、天板部と側板部とを有し前記側板部が前記第一の基板上に取り付けられ、前記第一のマイクロストリップ導体を覆うシールドケースとを備え、前記第二の基板を前記第二のマイクロストリップ導体が前記第一の基板に対向すると共に前記第一のマイクロストリップ導体とは上下方向で重ならない状態で前記天板部の内面に取り付け、前記第一のマイクロストリップ導体と前記第二のマイクロストリップ導体とを結合させた。
【０００９】
また、前記第二のマイクロストリップ導体の一辺を前記第一のマイクロストリップ導体の一辺のほぼ真上で平行となるように位置させた。
【００１０】
また、前記第二の基板に対向する前記第一の基板上の領域に増幅器を構成し、前記第二のマイクロストリップ導体の前記一辺に対向する頂点を前記増幅器の入力端又は出力端に接続した。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１乃至図３に従って本発明のバンドパスフィルタを説明する。図１は分解斜視図、図２は要部断面図、図３は二つのマイクロストリップ導体の位置関係をしめす平面図である。
【００１２】
図１乃至図３において、第一の基板１０の上面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体１１が形成される。第一のマイクロストリップ導体１１は二等辺三角形状をなし、その一辺（底辺とする）の長さＷは約４．７７ｍｍ、底辺に対向する頂点と底辺との距離（高さ）Ｋは約０．６ｍｍである。第一の基板１０上には第一のマイクロストリップ導体１１の底辺側に増幅器等の周辺回路１２が構成される。また、第一のマイクロストリップ導体１１の底辺に対向する頂点は第一の導体線路１３に接続され、周辺回路１２の出力端（又は入力端）が第二の導体線路１４に接続される。第一の導体線路１３と第二の導体線路１４とは互いに離間する方向に延在し、一方が信号入力用、他方が信号出力用となる。
【００１３】
また、第一の基板１０上には第一のマイクロストリップ導体１１と周辺回路１２の並び方向に沿ってのれらの両側にそれぞれ帯状導体１５、１６が形成される。第一の基板１０の下面全体には接地導体１７が形成され、帯状導体１５、１６は導通孔（スルーホール）等の手段（図示せず）によって接地導体１７に接続されている。
【００１４】
第一の基板１０には第一のマイクロストリップ導体１１と周辺回路１２を覆うためのシールドケース１８が取り付けらる。シールドケース１８は天板部１７ａと天板部から折り曲げられた二つの側板部１８ｂ、１８ｃとを有してコの字状に形成され、側板部１８ｂ、１８ｃがそれぞれ帯状導体１５、１６に半田接続される。
【００１５】
シールドケース１８における天板部１８ａの内側の１／２の領域に第二の基板２０が取り付けられる。第二の基板２０はその下面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体２１が形成され、上面には接地導体２２が形成されている。そして、第二の基板２０はその接地導体２２が天板部に面接触する状態で取り付けられる。第二のマイクロストリップ導体２１は第一のマイクロストリップ導体と同じ形状、同じ大きさを有し、その一辺（底辺）が二つの側板部１８ｂ、１８ｃの面に平行となっている。
【００１６】
また、シールドケース１８が第一の基板１０に取り付けられた状態では第一のマイクロストリップ導体１１と第二のマイクロストリップ導体２１とは上下方向で重ならず、第二のマイクロストリップ導体２１は周辺回路１２の上方に位置する。そして、その底辺が第一のマイクロストリップ導体１１の底辺に対向し、図３に示すように平面上の位置関係では第一のマイクロストリップ導体１１の底辺と第二のマイクロストリップ導体２１の底辺とが同一線上に位置する。また、第一の基板１０と第二の基板２０との高さ方向の間隔Ｇはおよそ０．１５ｍｍである。
そして、第二のマイクロストリップ導体の頂点がボンデングワイヤ等のリード線２３によって周辺回路１２の入力端（又は出力端）に接続される
【００１７】
以上の構成によれば、第一のマイクロストリップ導体１１と第二のマイクロストリップ導体２１とは各底辺側で結合し、中心周波数が２５ＧＨｚのバンドパスフィルタを構成する。
そして、第二の基板２０の下側に位置した第一の基板１０に周辺回路１２を構成するので周辺回路１２を含めた全体の面積が小さくなる。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、第一のマイクロストリップ導体を形成した第一の基板と、第二のマイクロストリップ導体を形成した第二の基板と、第一の基板上に取り付けられ、第一のマイクロストリップ導体を覆うシールドケースとを備え、第二の基板を第二のマイクロストリップ導体が第一の基板に対向すると共に第一のマイクロストリップ導体とは上下方向で重ならない状態で天板部の内面に取り付け、第一のマイクロストリップ導体と第二のマイクロストリップ導体とを結合させることで、第一の基板上には第二のマイクロストリップ導体に対向する位置に周辺回路を構成することができるので、周辺回路を含めたバンドパスフィルタを小型にできる。
【００１９】
また、第二のマイクロストリップ導体の一辺を第一のマイクロストリップ導体の一辺のほぼ真上で平行となるように位置させたので、第一のマイクロストリップ導体と第二のマイクロストリップ導体との結合を十分に密にすろことができる。
【００２０】
また、第二の基板に対向する第一の基板上の領域に増幅器を構成し、第二のマイクロストリップ導体の一辺に対向する頂点を増幅器の入力端又は出力端に接続したので、増幅器と一体となったバンドパスフィルタを構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【図２】本発明のバンドパスフィルタの要部断面図である。
【図３】本発明のバンドパスフィルタにおける第一のマイクロストリップ導体と第二のマイクロストリップ導体との平面上に位置関係を示す図である。
【図４】従来のバンドパスフィルタの分解斜視図である。
【符号の説明】
１０ 第一の基板
１１ 第一のマイクロストリップ導体
１２ 周辺回路
１３ 第一の導体線路
１４ 第二の導体線路
１５、１６ 帯状導体
１７ 接地導体
１８ シールドケース
１８ａ 天板部
１８ｂ、１８ｃ 側板部
２０ 第二の基板
２１ 第二のマイクロストリップ導体
２２ 接地導体
Claims (3)
- 一方の面に三角形状の第一のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第一の基板と、一方の面に三角形状の第二のマイクロストリップ導体を形成すると共に、他方の面に接地導体を形成した第二の基板と、天板部と側板部とを有し前記側板部が前記第一の基板上に取り付けられ、前記第一のマイクロストリップ導体を覆うシールドケースとを備え、前記第二の基板を前記第二のマイクロストリップ導体が前記第一の基板に対向すると共に前記第一のマイクロストリップ導体とは上下方向で重ならない状態で前記天板部の内面に取り付け、前記第一のマイクロストリップ導体と前記第二のマイクロストリップ導体とを結合させたことを特徴とするバンドパスフィルタ。
- 前記第二のマイクロストリップ導体の一辺を前記第一のマイクロストリップ導体の一辺のほぼ真上で平行となるように位置させたことを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
- 前記第二の基板に対向する前記第一の基板上の領域に増幅器を構成し、前記第二のマイクロストリップ導体の前記一辺に対向する頂点を前記増幅器の入力端又は出力端に接続したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002298099A JP2004135102A (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | バンドパスフィルタ |
| EP20030255937 EP1408577A1 (en) | 2002-10-10 | 2003-09-23 | Band-pass filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002298099A JP2004135102A (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | バンドパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004135102A true JP2004135102A (ja) | 2004-04-30 |
| JP2004135102A5 JP2004135102A5 (ja) | 2005-10-20 |
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ID=32025574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002298099A Withdrawn JP2004135102A (ja) | 2002-10-10 | 2002-10-10 | バンドパスフィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1408577A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004135102A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4210881A (en) * | 1978-11-09 | 1980-07-01 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Millimeter wave microstrip triplexer |
| EP0917234B1 (en) * | 1993-08-24 | 2003-01-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated dielectric filter |
-
2002
- 2002-10-10 JP JP2002298099A patent/JP2004135102A/ja not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-09-23 EP EP20030255937 patent/EP1408577A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1408577A1 (en) | 2004-04-14 |
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