JP2004133994A

JP2004133994A - 重複して使用できるワンタイムプログラマブル・ロムを具えた不揮発性メモリ

Info

Publication number: JP2004133994A
Application number: JP2002296620A
Authority: JP
Inventors: Ching-Hsiang Hsu; 徐　▲清▼　▲祥▼; Kanken Ko; 黄　幹　權
Original assignee: eMemory Technology Inc
Current assignee: eMemory Technology Inc
Priority date: 2002-10-09
Filing date: 2002-10-09
Publication date: 2004-04-30

Abstract

【課題】ワンタイムプログラマブル・ロムを具え、かつ重複して使用できる不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】ワンタイムプログラマブル・ロムと、不揮発性メモリの上方に設けられる透過カバーと、該透過カバー上に移動自在に設けられる不透過層とによって不揮発性メモリを構成し、該不透過層が該透過カバーを覆う場合、該不透過層によって光線を反射し、該不透過層が該透過カバーから移動すると、光線が該透過カバーを通過して該ワンタイムプログラマブル・ロムに照射されて、該ワンタイムプログラマブル・ロムに保存されたデータをリセットするように構成する。
【選択図】　　図２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は重複して使用できる不揮発性メモリに関し、ディジタルデータを保存に重複して使用できるワンタイムプログラマブル・ロムを具えたに不揮発性メモリに関する。
【０００２】
【従来の技術】
消費性電子製品の発展に伴い、不揮発性記憶媒体によってディジタルデータを保存する電子製品の数も急増している。目下一般のディジタル化データを利用した製品には、ディジタルカメラ、パーソナル・ディジタル・アシスタント（ＰＤＡと称する）、携帯電話機などが挙げられる。これらは、いずれもフラッシュメモリにディジタルデータを保存する。フラッシュメモリは、不揮発性の方式によるデータの保存を電子製品に提供する。例えば、ディジタルカメラはフラッシュメモリをフィルムとし、ディジタルカメラで撮影した画像を保存する。よって、ユーザーはフラッシュメモリカードに無制限に重複して書き込みを行うか、保存したデータの消去を行うことができる。
【０００３】
フラッシュメモリの構造は多くの長所を具えるが、但し、その欠点も存在する、フラッシュメモリの構造と製造工程が複雑で、フラッシュメモリの製造コストがその他記憶媒体に比して高くなることも、フラッシュメモリの欠点である。
【０００４】
また、フラッシュメモリ以外に、繰り返して使用することのできない不揮発性メモリであるワンタイムプログラマブル・ロムを利用してディジタルデータを保存する場合もある。かかるワンタイムプログラマブル・ロムはフラッシュメモリに比して製造工程が単純で、かつ製造コストも低い。
【０００５】
図１に非重複使用型不揮発性メモリ１０の断面図を開示する。図示によれば、非重複使用型不揮発性メモリ１０は、プリント配線ボード１２と、制御回路１４と、ワンタイムプログラマブル・ロム１６を含んでなる。
【０００６】
該制御回路１４はプリント配線ボード１２上に形成され、非重複使用型不揮発性メモリ１０を制御するための操作を実行する。ワンタイムプログラマブル・ロム１６は該プリント配線ボード１２上に形成され、ディジタルデータを保存するために用いられる。
【０００７】
非重複使用型不揮発性メモリ１０は、別途不透過カバー１８をプリント配線ボード１２上に形成し、ワンタイムプログラマブル・ロム１６を保護し、紫外線が照射されることによってワンタイムプログラムブル・ロム１６に保存されたデータがリセットされたり、エラーが発生したりすることを防ぐ。
【０００８】
但し、非重複使用型不揮発性メモリ１０は、不透過カバー１８を形成するため、ワンタイムプログラマブル・ロム１６に保存されたデータをリセットし、重複して使用することができない。このため、非重複使用型不揮発性メモリ１０のワンタイムプログラマブル・ロム１６の保存空間がすべてディジタルデータお保存に使用されると、継続してデータを保存するには新たな非重複使用型不揮発性メモリ１０に取り替なければならない。故に、非重複使用型不揮発性メモリ１０の価格は決して高くないが、その重複して使用できない特性が使用者にとって不便になり、消費量を増加させることになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、ワンタイムプログラマブル・ロムを具え、かつ重複して使用できる不揮発性メモリを提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は従来の技術に見られる欠点に鑑み鋭意研究を重ねた結果、ワンタイムプログラマブル・ロムと、不揮発性メモリの上方に設けられる透過カバーと、該透過カバー上に移動自在に設けられる不透過層とによって不揮発性メモリを構成し、該不透過層が該透過カバーを覆う場合、該不透過層によって光線を反射し、該不透過層が該透過カバーから移動すると、光線が該透過カバーを通過して該ワンタイムプログラマブル・ロムに照射されて、該ワンタイムプログラマブル・ロムに保存されたデータをリセットするように構成した構造によって課題が解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本発明を完成させた。
【００１１】
即ち、上述のとおり透過カバー上に不透過層を移動自在に設け、該不透過層を移動させ、該透過カバー上に紫外線を照射してワンタイムプログラマブル・ロムに保存したデータをリセットできるように構成することによって、本発明の課題を解決する不揮発性メモリが得られる。
【００１２】
以下、この発明について具体的に説明する。
【００１３】
請求項１に記載する不揮発性メモリは、重複して使用できる不揮発性メモリであって、ワンタイムプログラマブル・ロム（ＯＴＰＲＯＭ）と、該不揮発性メモリの上方に設けられる透過カバーと、該透過カバー上に移動自在に設けられる不透過層とを含んでなり、
該不透過層が該透過カバーを覆う場合、該不透過層によって光線を反射し、該不透過層が該透過カバーから移動すると、光線が該透過カバーを通過して該ワンタイムプログラマブル・ロムに照射されて、該ワンタイムプログラマブル・ロムに保存されたデータをリセットする。
【００１４】
請求項２に記載する不揮発性メモリは、請求項１における不揮発性メモリがプリント配線ボードに形成される。
【００１５】
請求項３に記載する不揮発性メモリは、請求項１における不揮発性メモリに伝送されるデータを制御するメモリ制御回路をさらに具える。
【００１６】
請求項４に記載するワンタイムプログラマブル・ロムは、請求項３におけるメモリ制御回路が、該メモリ制御回路と外部電子デバイスとの間のインタフェースを制御するインタフェース制御回路に電気的に接続する。
【００１７】
請求項５に記載するワンタイムプログラマブル・ロムは、請求項４におけるインタフェース制御回路が、インタフェースに電気的に接続し、該インタフェースが例えばコンパクトフラッシュ（登録商標）カードインタフェースか、スマートメディアカードインタフェースか、マルチメディアカードインタフェースか、セキュアディジタルカードインタフェースか、もしくはメモリスティックカードインタフェースである。
【００１８】
請求項６に記載する不揮発性メモリは、請求項４におけるインタフェース制御回路が、コンパクトフラッシュ（登録商標）カードインタフェースか、スマートメディアカードインタフェースか、マルチメディアカードインタフェースか、セキュアディジタルカードインタフェースか、もしくはメモリスティックカードインタフェースのインタフェース規格を支える。
【００１９】
請求項７に記載する不揮発性メモリは、請求項４における揮発性メモリが、該メモリ制御回路と、該インタフェース制御回路とに電気的に接続し、プログラムとデータを処理するプロセッサをさらに具える。
【００２０】
請求項８に記載する不揮発性メモリは、請求項７における不揮発性メモリが、該プロセッサと該メモリ制御回路と該インタフェース制御回路とに電気的に接続し、システムコードを該プロセッサに提供するプログラムメモリをさらに具える。
【００２１】
請求項９に記載する不揮発性メモリは、請求項１における透過カバーを通過して該ワンタイムプログラマブル・ロムに保存されたデータをリセットする光線が紫外線である。
【００２２】
【発明の実施の形態】
この発明は、ワンタイムプログラムブル・ロムを具え、かつ重複して使用できる不揮発性メモリを提供するものであって、ワンタイムプログラマブル・ロムと、透過カバーと、該透過カバー上に移動自在に設けられる不透過層とを含んでなる。
【００２３】
かかる不揮発性メモリの構造と特徴を詳述するために、具体的な実施例を挙げ、図示を参照にして以下に説明する。
【００２４】
【実施例】
図２は、この発明による不揮発性メモリ３０の断面図である。図示によれば、該不揮発性メモリ３０は重複して使用できるタイプであって、プリント配線ボード３２と、制御回路３４と、ソリッド・ステート・ワンタイムプログラマブル・ロム３６とを具えてなる。
【００２５】
制御回路３４はプリント配線ボード３２上に形成され、不揮発性メモリ３０の操作を制御する。ソリッド・ステート・ワンタイムプログラマブル・ロム３６も、該プリント配線ボード３２上に形成され、不揮発性メモリ３０に入力されるディジタルデータを保存する。不揮発性メモリ３０は、別途該プリント配線ボード３２上に形成され、制御回路３４とワンタイムプログラマブル・ロム３６が埃などで汚染されることのないように保護を与える透過カバー３８具える。
【００２６】
ワンタイムプログラマブル・ロム３６は、紫外線の照射を受けると内部に保存されるディジタルデータがリセットされる。よって、ワンタイムプログラマブル・ロム３６の紫外線に対する露光を適宜に制御するために、該透過カバー３８上に不透過層４０を移動自在に設ける。該不透過層４０を移動自在に設けるため、不揮発性メモリ３０は重複して使用できる機能を具える。
【００２７】
不揮発性メモリ３０を通常に操作する場合、不透過層４０は透過カバー３８の上方に固定され、透過カバー３８を覆った状態に在る。よって、ワンタイムプログラマブル・ロム３６が紫外線の照射を受けて、保存されたデータがリセットされないように保護を与えることができる。不揮発性メモリ３０を重複して使用するために、ワンタイムプログラマブル・ロム３６に保存されたデータをリセットする場合は、不透過層４０を透過カバー３８上から移動させると、紫外線がワンタイムプログラマブル・ロム３６に照射され、保存されたデータがリセットされる。リセットが完成した後、不透過層４０が再び透過カバー３８の上方に固定される。よって、使用者は不揮発性メモリ２０に保存されたデータリセットの動作を正確に行うことができ、不揮発性メモリ３０は重複して使用できる特性を具えることになる。
【００２８】
この発明の重複して使用できる不揮発性メモリ３０について、さらに詳述するために、図３を参考にして説明する。図３は図２に開示する不揮発性メモリ３０の構造を表わすブロック図である。図示によれば、不揮発性メモリ３０を形成するプリント配線ボード３２には、制御回路３４と、ワンタイムプログラマブル・ロム３６以外に、別途インタフェース６２が形成される。
【００２９】
不揮発性メモリ３０は外部の電子デバイス（図示しない）に電気的に接続し、該電子デバイスの伝送するディジタルデータを保存する。また、不揮発性メモリ３０は外部の電子デバイスと不揮発性メモリ３０とのインタフェースを制御するインタフェース制御回路５２と、不揮発性メモリ３０のプログラムを保存するプログラムメモリ５４と、及び該電子デバイスから伝送されるデータ保存するワンタイムプログラマブル・ロム３６とを具える。
【００３０】
別途、不揮発性メモリ３０は、メモリ制御回路５８とプロセッサ６０とを具え、メモリ制御回路５８はインタフェース制御回路５２とワンタイムプログラマブル・ロム３６との間に電気的に接続され、インタフェース回路５２からワンタイムプログラマブル・ロム３６に伝送されるディジタルデータを制御する。プロセッサ６０は、不揮発性メモリ３０の操作を制御する。不揮発性メモリ３０は電子デバイスと互換性を有するインタフェース６２を具え、電子デバイスから伝送されるディジタル信号を受信する。また、インタフェース６２複数の金線６４を具えて、インタフェース制御回路に電気的に接続して、同一インタフェースを使用する電子デバイスの伝送する電子信号を受信する。不揮発性メモリ３０は、例えばコンパクトフラッシュ（登録商標）カードインタフェース、スマートメディアカードインタフェース、マルチメディアカードインタフェース、セキュアディジタルカードインタフェース、もしくはメモリスティックカードインタフェースなど、各種のメモリインタフェースに幅広く応用することができる。
【００３１】
不揮発性メモリ３０の操作を詳述するために不揮発性メモリ３０の書き込み、読み取り、及びデータのリセットについてその操作の過程を以下に説明する。不透過層４０は、透過カバー３８の上方に固定された状態で設けられる。不揮発性メモリ３０は、例えば不揮発性メモリ３０をサポートできる電子インタフェースを具えるディジタルカメラなどのデバイス本体に挿設される。該デバイス本体は、ディジタルデータを不揮発性メモリ３０のワンタイム−プログラマブルロム３６に書き込む。
【００３２】
ディジタルデータの不揮発性メモリ３０のワンタイム−プログラマブルロム３６に対する書き込みが完了すると、電子デバイス内に挿設される。該電子デバイスは、例えばパーソナル・ディジタル・アシスタント（ＰＤＡ）、ノートブックタイプのコンピュータ、パーソナルコンピュータ、もしくは音楽などを再生する音声再生装置である。例えば不揮発性メモリ３０にＭＰ３などのオーディオ・データが含まれていた場合、該オーディオ・データは音声再生装置によって再生される。仮に不揮発性メモリ３０にディジタル映像データが含まれていた場合、該デジタル映像データはパーソナルコンピュータ、ノートブックタイプのコンピュータ、もしくはパーソナル・ディジタル・アシスタントに表示される。同様に不揮発性メモリ３０は、画像プリント装置に挿入されてもよい。この場合、不揮発性メモリ３０に保存されたディジタル画像データを直接プリントアウトすることができる。
【００３３】
最後にワンタイム−プログラマブルロム３６内に保存されたデータが全て読み取られると、不透過層４０は、透過カバー３８から移動し、不揮発性メモリ３０内に保存されたデータがリセットされる。
【００３４】
図４に不揮発性メモリ３０に用いるデータリセット手段１００を開示する。データリセット手段１００は、複数のスロット１０２を有し、スロット１０２は、例えばコンパクトフラッシュ（登録商標）カード、スマートメディアカード、マルチメディアカード、セキュアディジタルカード、もしくはメモリスティックカードなどの異なる使用のメモリカードに合わせて形成する。不揮発性メモリ３０は、該スロット１０２に挿入してリセットを実行する。またデータリセット手段１００は、外部の直流電源に接続して直流電力をデータリセット手段１００に提供するための直流電流入力ソケット１１２を具える。データリセット手段１００上に設けたスタートボタン１０６を押すとデータリセット手段１００は、データリセットのステップを開始する。即ちデータリセット手段１００内の紫外光線１０４の照射によって不揮発性メモリ３０のワンタイム−プログラマブルロム３６内に保存したデータがリセットされる。データリセット手段１００には、操作の状態を表示する表示ランプ１０８１１０が設けられる。例えば表示ランプ１０８が点灯している状態において、データリセットのステップが進行中であることを表示し、表示ランプ１０８が消えて表示ランプ１１０が点灯するとデータリセットのステップが完成したことを表わす。表示ランプ１０８１１０の色について、実施例においては表示ランプ１０８を赤色にし、リセットのステップが進行中であることを表わし、表示ランプ１１０を緑色にし、リセットのステップが完了したことを表わす。
【００３５】
最後に緑色の表示ランプが点灯し、即ち不揮発性メモリ３０内のデータがリセットされると不透過層４０は、再度透過カバー３８上を覆って固定された状態となる。よって不揮発性メモリ３０は、再度重複して使用することが出来る。
【００３６】
以上は、この発明の好ましい実施例であって、この発明の実施の範囲を限定するものではない。よって、当業者のなし得る修正、もしくは変更であって、この発明の精神の下においてなされ、この発明に対して均等の効果を有するものは、いずれもこの発明の特許請求の範囲の範囲に属するものとする。
【００３７】
【発明の効果】
この発明による不揮発性メモリは、ワンタイムプログラマブル・ロムを具え、かつ該透過カバーと、該透過カバー上に移動自在に設けられる不透過層とを具え、保存したデータをリセットすることができる。よって、フラッシュメモリに比して製造工程が単純で、かつ製造コストも低いワンタイムプログラマブル・ロムの特性と、保存したデータをリセットして、重複して使用できる特性とを具える。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の非重複使用型不揮発性メモリの断面図である。
【図２】この発明による重複して使用できる不揮発性メモリの断面図である。
【図３】図２に開示する不揮発性メモリの構造を表わすブロック図である。
【図４】この発明における不揮発性メモリのデータリセット手段の説明図である。
【符号の説明】
１０　　　　　　　　　　非重複使用型不揮発性メモリ
１２　　　　　　　　　　プリント配線ボード
１４　　　　　　　　　　制御回路
１６　　　　　　　　　　ワンタイムプログラマブル・ロム
１８　　　　　　　　　　不透過カバー
３０　　　　　　　　　　不揮発性メモリ
３２　　　　　　　　　　プリント配線ボード
３４　　　　　　　　　　制御回路
３６　　　　　　　　　　ワンタイムプログラマブル・ロム
３８　　　　　　　　　　透過カバー
４０　　　　　　　　　　不透過層
５２　　　　　　　　　　インタフェース制御回路
５４　　　　　　　　　　プログラムメモリ
５８　　　　　　　　　　メモリ制御回路
６０　　　　　　　　　　プロセッサ
６２　　　　　　　　　　インタフェース
６４　　　　　　　　　　金線
１００　　　　　　　　　データリセット手段
１０２　　　　　　　　　スロット
１０４　　　　　　　　　紫外光線
１０６　　　　　　　　　スタートボタン
１０８、１１０　　　　　表示ランプ
１１２　　　　　　　　　直流電流入力ソケット

Claims

重複して使用できる不揮発性メモリであって、ワンタイムプログラマブル・ロム（ＯＴＰＲＯＭ）と、該不揮発性メモリの上方に設けられる透過カバーと、該透過カバー上に移動自在に設けられる不透過層とを含んでなり、
該不透過層が該透過カバーを覆う場合、該不透過層によって光線を反射し、該不透過層が該透過カバーから移動すると、光線が該透過カバーを通過して該ワンタイムプログラマブル・ロムに照射されて、該ワンタイムプログラマブル・ロムに保存されたデータをリセットすることを特徴とする不揮発性メモリ。
前記不揮発性メモリがプリント配線ボードに形成されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ。
前記不揮発性メモリは、該不揮発性メモリに伝送されるデータを制御するメモリ制御回路をさらに具えることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ。
前記メモリ制御回路は、該メモリ制御回路と外部電子デバイスとの間のインタフェースを制御するインタフェース制御回路に電気的に接続することを特徴とする請求項３に記載の不揮発性エメモリ。
前記インタフェース制御回路が、インタフェースに電気的に接続し、該インタフェースが例えばコンパクトフラッシュ（登録商標）カードインタフェースか、スマートメディアカードインタフェースか、マルチメディアカードインタフェースか、セキュアディジタルカードインタフェースか、もしくはメモリスティックカードインタフェースであることを特徴とする請求項４に記載の不揮発性メモリ。
前記インタフェース制御回路が、コンパクトフラッシュ（登録商標）カードインタフェースか、スマートメディアカードインタフェースか、マルチメディアカードインタフェースか、セキュアディジタルカードインタフェースか、もしくはメモリスティックカードインタフェースのインタフェース規格を支えることを特徴とする請求項４に記載の不揮発性メモリ。
前記不揮発性メモリは、該メモリ制御回路と、該インタフェース制御回路とに電気的に接続し、プログラムとデータを処理するプロセッサをさらに具えることを特徴とする請求項４に記載の不揮発性メモリ。
前記不揮発性メモリは、該プロセッサと該メモリ制御回路と該インタフェース制御回路とに電気的に接続し、システムコードを該プロセッサに提供するプログラムメモリをさらに具えることを特徴とする請求項７に記載の不揮発性メモリ。
前記透過カバーを通過して該ワンタイムプログラマブル・ロムに保存されたデータをリセットする光線が紫外線であることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリ。