JP2004127663A - Abnormality detection device of battery pack - Google Patents

Abnormality detection device of battery pack Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make troubleshooting of the circuit for detecting the abnormality of cells. <P>SOLUTION: In the abnormality detection device, the threshold voltage of the overcharge detection circuits b1-bn for detecting overcharge state of the corresponding cells based on the terminal voltage of the cells s1-sn and the overcharge decision threshold voltage, and the threshold voltage of the overdischarge detection circuits c1-cn for detecting the overdischarge state of the corresponding cells based on the terminal voltage of the cells s1-sn and the overdischarge decision threshold voltage, are changed in the troubleshooting. In other word, by changing the threshold voltage so that a signal of H level or a signal of LL level may be outputted by all means in the overcharge detection circuits b1-bn where the defect is not brought about and in the overdischarge detection circuits c1-cn where the defect is not brought about, the troubleshooting of the overcharge detection circuits b1-bn and the overdischarge detection circuits c1-cn is carried out. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のセルを直列に接続して構成される組電池の異常を検出する装置に関し、特に異常検出回路の故障診断機能を備えた組電池の異常検出装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
複数のセルを直列に接続して構成される組電池の過充電状態や過放電状態などの異常を検出する装置において、組電池の保護回路の故障診断を行う装置が知られている。例えば、特開平11−252809号公報では、組電池の総電圧を検出するとともに個々のセルの電圧を検出し、全てのセル電圧の加算値と組電池の総電圧とを比較することによって、組電池の保護回路の故障診断を行っている。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−252809号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の故障診断方法では、個々のセルの電圧を検出する装置において、ある1つの電圧検出装置がプラス側に、別の1つの電圧検出装置がマイナス側に電圧を誤検出してしまう場合では、セル電圧の加算値において誤差が相殺されて、保護回路の故障が検出されないという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、組電池の過充電状態または過放電状態を検出する装置の故障を確実に検出する組電池の異常検出装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明による組電池の異常検出装置は、充電可能な複数のセルから構成される組電池の異常検出装置であって、複数のセルごとに設けられ、対応するセルの端子電圧と異常判定電圧とに基づいて、対応するセルの異常を検出する異常検出回路と、異常判定電圧の電圧値を変更する判定電圧変更回路と、判定電圧変更回路にて変更された異常判定電圧に基づいて異常検出回路で行われた異常検出結果に基づいて、異常検出回路の故障診断を行う故障診断回路とを備えることにより、上記目的を達成する。
【0007】
【発明の効果】
本発明による組電池の異常検出装置によれば、セルの端子電圧と異常判定電圧とに基づいて対応するセルの異常を検出する異常検出回路の異常判定電圧を変更し、変更後の異常判定電圧に基づいて異常検出回路で行われた異常検出結果に基づいて、異常検出回路の故障診断を行うので、異常検出回路の故障を確実に検出することができる。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明による組電池の異常検出装置の一実施の形態の構成を示す図である。組電池1は、充放電可能なn個のセルs1〜snを直列に接続して構成される。電流バイパス回路a1〜an、過充電検出回路b1〜bn、過放電検出回路c1〜cn、オア回路d1〜dn、アンド回路e1〜en、スイッチ回路f1〜fnは、各セルごとに設けられている。
【0009】
電流バイパス回路a1〜anは、対応するセルの端子電圧が第1の所定電圧V1より上昇して満充電に近い状態になったことを検出して、対応するセルs1〜snに流れる電流の一部をバイパスする回路である。すなわち、各セルによりDOD(放電深度)が異なるので、満充電に近い状態まで充電されたセルに接続された電流バイパス回路の電流バイパス機能を作動させて、セルに流れる充電電流を低下させるとともに、他のセルの充電を継続させることにより、各セル間の容量バラツキを抑制することができる。
【0010】
過充電検出回路b1〜bnは、対応するセルs1〜snの端子電圧が第2の所定電圧V20より上昇して過充電になったことを検出する。また、過放電検出回路c1〜cnは、対応するセルs1〜snの端子電圧が第3の所定電圧V30より下降して過放電になったことを検出する。過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの検出結果は、オア回路d1〜dnおよびアンド回路e1〜enに入力される。
【0011】
オア回路d1〜dnは、過充電検出回路b1〜bnの検出結果と過放電検出回路c1〜cnの検出結果との論理和を算出する。アンド回路e1〜enは、過充電検出回路b1〜bnの検出結果と過放電検出回路c1〜cnの検出結果との論理積を算出する。スイッチ回路f1〜fnは、オア回路d1〜dnの出力とアンド回路e1〜enの出力のうちのいずれか一方を選択する切り換え回路である。スイッチの切り換えは、後述する充放電制御回路13からの信号に基づいて行われ、L(ロー)レベルの信号が入力された時にオア回路d1〜dnの出力を選択し、H(ハイ)レベルの信号が入力された時にアンド回路e1〜enの出力を選択する。スイッチ回路f1〜fnで選択された方の論理演算結果は、オア回路10およびアンド回路11に入力される。
【0012】
オア回路10は、全てのスイッチ回路f1〜fnにて選択された方の論理演算結果の論理和を算出する。アンド回路は、全てのスイッチ回路f1〜fnにて選択された方の論理演算結果の論理積を算出する。スイッチ回路12は、オア回路10の出力とアンド回路11の出力のうちのいずれか一方を選択する切り換え回路である。スイッチの切り換えは、後述する充放電制御回路13からの信号に基づいて行われ、Lレベルの信号が入力された時にオア回路10の出力を選択し、Hレベルの信号が入力された時にアンド回路11の出力を選択する。スイッチ回路f1〜fnで選択された方の論理演算結果は、充放電制御回路13に入力される。
【0013】
充放電制御回路13は、オア回路10またはアンド回路11からの信号に基づいて、組電池1の充放電を制御する。また、充放電制御回路13は、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障診断を行うために、2つの診断信号A,Bを出力する。
【0014】
アンド回路14は、診断信号Bをインバータ15で反転させた信号と診断信号Aとの論理積を算出する。従って、診断信号AがHレベルであり、診断信号BがLレベルの時にHレベルの信号を出力し、診断信号A,Bがそれ以外の組み合わせの場合にはLレベルの信号を出力する。
【0015】
図2は、セルs2に接続される電流バイパス回路a2、過充電検出回路b2および過放電検出回路c2の詳細な構成を示す図である。電流バイパス回路a2は、コンパレータ(電圧比較器)G1と、抵抗R11,R12,R13と、N型MOSトランジスタQ1と、インバータINV1とを備える。コンパレータG1の−端子には、対応するセルs2の端子電圧Vcが印加され、+端子には電源電圧Vccを抵抗R12と抵抗R13とで分割した電圧V1(=Vcc・R13/(R12+R13))が印加される。コンパレータG1の出力端子は、インバータINV1を介してMOSトランジスタQ1のゲート端子と接続されている。MOSトランジスタQ1のソース端子はセルs2の負極と接続され、ドレイン端子は抵抗R11を介してセルs2の正極と接続されている。
【0016】
なお、コンパレータG1は、−端子に印加される端子電圧Vcが+端子に印加される基準となる第1の電圧V1よりも高い場合に、Lレベルの信号を出力する。このとき、MOSトランジスタQ1のゲート端子には、インバータINV1を介してHレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ1がオンして電流バイパス回路a2の電流バイパス機能が作動する。すなわち、第1の所定電圧V1は、セルs1に流れる充電電流をバイパスさせるためのしきい値電圧であり、予め実験等により求めておく。従って、抵抗R12および抵抗R13は、電圧V1を実現できるように設定する必要がある。
【0017】
過充電検出回路b2は、コンパレータG2と、P型MOSトランジスタQ2と、N型MOSトランジスタQ3と、抵抗R21,R22,R23,R24と、インバータINV2,INV3とを備える。セルs2の過充電を検出する際には、充放電制御回路13からともにLレベルの診断信号A,Bが出力される。この場合、P型MOSトランジスタQ2のゲート端子には、インバータINV3を介してHレベルの信号が入力され、N型MOSトランジスタQ2のゲート端子にはLレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ2,Q3は共にオフとなる。従って、コンパレータG2の−端子には、対応するセルs2の端子電圧Vcが印加され、+端子には電源電圧Vccを抵抗R21,22,23,24で分割した電圧V20(=Vcc・(R23+R24)/(R21+R22+R23+R24))が印加される。
【0018】
コンパレータG2は、セルs2の端子電圧Vcが過充電を検出するためのしきい値電圧V20よりも高い場合にLレベルの信号を出力する。コンパレータG2の出力は、インバータINV2を介してオア回路d2およびアンド回路e2に入力される。なお、インバータINV2を介して出力される信号が過充電検出回路b2の出力となる。
【0019】
過放電検出回路c2は、コンパレータG3と、P型MOSトランジスタQ4と、N型MOSトランジスタQ5と、抵抗R31,R32,R33,R34と、インバータINV4とを備える。セルs2の過放電状態を検出する際には、充放電制御回路13からともにLレベルの診断信号A,Bが出力される。この場合、P型MOSトランジスタQ4のゲート端子には、インバータINV4を介してHレベルの信号が入力され、N型MOSトランジスタQ5のゲート端子にはLレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ4,Q5は共にオフとなる。従って、コンパレータG3の−端子には、対応するセルs2の端子電圧Vcが印加され、+端子には電源電圧Vccを抵抗R31,32,33,34で分割した電圧V30(=Vcc・(R33+R34)/(R31+R32+R33+R34))が印加される。
【0020】
コンパレータG3は、セルs2の端子電圧Vcが過放電を検出するためのしきい値電圧V30よりも低い場合にHレベルの信号を出力する。コンパレータG3から出力される信号はそのまま過放電検出回路c2の出力となるので、セルs2の過放電状態が検出された時には、過放電検出回路c2からHレベルの信号が出力される。コンパレータG3の出力は、オア回路d2およびアンド回路e2に入力される。
【0021】
すなわち、セルs2の過充電および過放電を検出する際には、充放電制御回路13からともにLレベルの診断信号A,Bが出力される。このとき、アンド回路14(図1参照)の出力はLレベルとなるので、スイッチ回路f2はオア回路d2からの出力を選択する。従って、過充電検出回路b2にてHレベルの信号が出力される場合(過充電状態)、または、過放電検出回路c2にてHレベルの信号が出力される場合(過放電状態)には、オア回路d2を介してHレベルの信号が出力される。スイッチ回路12は、アンド回路14からのLレベルの信号に基づいて、オア回路10の出力を選択するので、Hレベルの信号が充放電制御回路13に入力される。これにより、充放電制御回路13は、セルs2の過充電または過放電などの異常を検出することができる。
【0022】
なお、上述したしきい値電圧V1,V20,V30の大小関係は、V20>V1>V30となっている。
【0023】
−過充電検出回路および過放電検出回路の故障診断−
本実施の形態における組電池の異常検出装置では、過充電検出回路b1〜bnの過充電判定しきい値電圧V20、および、過放電検出回路c1〜cnの過放電判定しきい値電圧V30を変更することにより、過充電検出回路b1〜bnと過放電検出回路c1〜cnの故障診断を行う。故障診断は、本実施の形態における組電池の異常検出装置の始動時(電源投入時)、セルs1〜snの異常(過充電または過放電)を示す信号が出力されていない時、または、組電池1の充放電がある期間以上休止している時に行われる。
【0024】
過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障診断を行う際には、充放電制御回路13は、一方をHレベル、他方をLレベルとする診断信号A,Bを出力する。初めに診断信号AをHレベルとし、診断信号BをLレベルとした場合の故障診断方法について説明する。
【0025】
≪(A,B)=(H,L)の場合≫
充放電制御回路13からHレベルの診断信号Aが出力されると、過充電検出回路b2内のN型MOSトランジスタQ3のゲート端子にはHレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ3はオンする。ただし、診断信号BはLレベルであるから、MOSトランジスタQ2はオフしたままである。この場合、MOSトランジスタQ3がオンすることにより、コンパレータG2の+端子には、電源電圧Vccを抵抗R21,R22,R23で分割した電圧V21(=Vcc・R23/(R21+R22+R23))が印加される。
【0026】
この電圧V21が過放電検出回路c2の過放電判定しきい値電圧V30より低くなるように、抵抗R21〜R24およびR31〜R34の抵抗値を定めておく。過充電でも過放電でもない通常の状態におけるセルs2の電圧Vcは、過充電判定しきい値電圧V20より低く、過放電判定しきい値電圧V30より高いので、コンパレータG2の−端子に印加される電圧Vcは、+端子に印加される電圧V21より高くなる。従って、コンパレータG2の出力はLレベルとなり、インバータINV2を介して過充電検出回路b2から出力される信号は、Hレベルとなる。
【0027】
次に過放電検出回路c2の動作について説明する。P型MOSトランジスタQ4のゲート端子には、インバータINV4を介してLレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ4はオンする。一方、診断信号BはLレベルなので、MOSトランジスタQ5はオフのままである。この場合、MOSトランジスタQ4がオンすることにより、コンパレータG3の+端子には、電源電圧Vccを抵抗R32,R33,R34で分割した電圧V31(=Vcc・(R33+R34)/(R32+R33+R34))が印加される。
【0028】
この電圧V31が過充電検出回路b2の過充電判定しきい値電圧V20より高くなるように、抵抗R21〜R24およびR31〜R34の抵抗値を定めておく。上述したように、通常の状態におけるセルs2の電圧Vcは、過充電判定しきい値電圧V20より低く、過放電判定しきい値電圧V30より高いので、コンパレータG3の−端子に印加される電圧Vcは、+端子に印加される電圧V31より低くなる。従って、コンパレータG3の出力は、セルs2が過放電状態であることを示すHレベルとなる。
【0029】
診断信号AがHレベル、診断信号BがLレベルの時には、アンド回路14の2つの入力端子にはともにHレベルの信号が入力されるので、出力端子からはHレベルの信号が出力される。従って、スイッチ回路f2は、アンド回路e2の出力を選択する。上述したように、過充電検出回路b2および過放電検出回路c2からは、共にHレベルの信号が出力されるので、アンド回路e2からはHレベルの信号が出力される。
【0030】
スイッチ回路12は、アンド回路14から出力されるHレベルの信号に基づいて、アンド回路11の出力を選択する。上述したように、アンド回路e2からは、Hレベルの信号が出力されるので、アンド回路11の複数の入力端子のうちの1つには、Hレベルの信号が入力される。図2では、セルs2に対応して設けられている過充電検出回路b2および過放電検出回路c2について説明したが、他の過充電検出回路b1,b3〜bnおよび過放電検出回路c1,c3〜cnについても同様の動作が行われる。すなわち、アンド回路11には、アンド回路e1〜enからHレベルの信号がそれぞれ入力されるので、出力端子からはHレベルの信号が出力されて、充放電制御回路13に入力される。
【0031】
このように、過充電検出回路b1〜bnの過充電判定しきい値電圧を、通常のセル異常検出時の過放電判定しきい値電圧V30より低いV21とすることにより、過充電検出回路b1〜bnからは強制的にHレベルの信号(過充電状態)が出力される。また、過放電検出回路c1〜cnの過放電判定しきい値電圧を、通常のセル異常検出時の過充電判定しきい値電圧V20より高いV31とすることにより、過放電検出回路c1〜cnからは強制的にHレベルの信号(過放電状態)が出力される。これにより、上述したように、充放電制御回路13にHレベルの信号が入力される。
【0032】
これに対して、例えば、コンパレータG2の故障などにより、過充電検出回路b2が故障しており、過充電検出回路b2からLレベルの信号(正常状態)が出力される場合には、アンド回路e2の出力はLレベルとなるので、アンド回路11から充放電制御回路13に入力される信号もLレベルとなる。また、例えば、コンパレータG3の故障などにより、過放電検出回路c2が故障しており、過放電検出回路c2からLレベルの信号(正常状態)が出力される場合にも、アンド回路e2の出力はLレベルとなるので、アンド回路11から充放電制御回路13に入力される信号もLレベルとなる。
【0033】
すなわち、充放電制御回路13は、Hレベルの診断信号AとLレベルの診断信号Bとを出力した際に、Hレベルの信号が入力されれば、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnは正常であり、Lレベルの信号が入力された場合には、いずれかの過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnが故障していると判断する。
【0034】
≪(A,B)=(L,H)の場合≫
次に、診断信号AをLレベルとし、診断信号BをHレベルとした場合の故障診断方法について説明する。なお、本実施の形態における組電池の異常検出装置では、初めに(H,L)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力して、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障診断を行った後に、後述する(L,H)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力する。
【0035】
まず、過充電検出回路b2の動作について説明する。充放電制御回路13からHレベルの診断信号Bが出力されると、P型MOSトランジスタQ2のゲート端子にはLレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ2はオンする。一方、診断信号AはLレベルであるから、N型MOSトランジスタQ3はオフとなる。この場合、MOSトランジスタQ2がオン、MOSトランジスタQ3がオフすることにより、コンパレータG2の+端子には、電源電圧Vccを抵抗R22,R23,R24で分割した電圧V22(=Vcc・(R23+R24)/(R22+R23+R24)が印加される。
【0036】
この電圧V22が過充電判定しきい値電圧V20より高くなるように、抵抗R21〜R24の抵抗値を定めておく。過充電でも過放電でもない通常の状態におけるセルs2の電圧Vcは、過充電判定しきい値電圧V20より低く、過放電判定しきい値電圧V30より高いので、コンパレータG2の−端子に印加される電圧Vcは、+端子に印加される電圧V22より低くなる。従って、コンパレータG2の出力はHレベルとなるので、インバータINV2を介して過充電検出回路b2から出力される信号はLレベルとなる。
【0037】
次に過放電検出回路c2の動作について説明する。P型MOSトランジスタQ4のゲート端子には、インバータINV4を介してHレベルの信号が入力されるので、MOSトランジスタQ4はオフする。一方、診断信号BはHレベルなので、N型MOSトランジスタQ5はオンする。この場合、MOSトランジスタQ4がオフ、Q5がオンすることにより、コンパレータG3の+端子には、電源電圧Vccを抵抗R31,R32,R33で分割した電圧V32(=Vcc・R33/(R31+R32+R33))が印加される。
【0038】
この電圧V32が過放電検出回路c2の過放電判定しきい値電圧V30より低くなるように、R31〜R34の抵抗値を定めておく。上述したように、通常の状態におけるセルs2の電圧Vcは、過充電判定しきい値電圧V20より低く、過放電判定しきい値電圧V30より高いので、コンパレータG3の−端子に印加される電圧Vcは、+端子に印加される電圧V32より高くなる。従って、コンパレータG3、すなわち、過放電検出回路c2の出力はLレベルとなる。
【0039】
診断信号AがLレベル、診断信号BがHレベルの時には、アンド回路14の2つの入力端子にはともにLレベルの信号が入力されるので、出力端子からはLレベルの信号が出力される。従って、スイッチ回路f2は、オア回路d2の出力を選択する。上述したように、過充電検出回路b2および過放電検出回路c2からは共にLレベルの信号が出力されるので、オア回路d2からはLレベルの信号が出力される。他の過充電検出回路b1,b3〜bn、過放電検出回路c1,c3〜cn、スイッチ回路f1,f3〜fnの動作についても同じである。このとき、スイッチ回路12は、オア回路10からの出力を選択するので、オア回路10は、複数の入力端子に入力されるLレベルの信号の論理和を算出する。すなわち、オア回路10から充放電制御回路13には、Lレベルの信号が入力される。
【0040】
このように、過充電検出回路b1〜bnの過充電判定しきい値電圧を、通常のセル異常検出時の過充電判定しきい値電圧V20より高いV22とすることにより、過充電検出回路b1〜bnからは強制的にLレベルの信号(正常状態)が出力される。また、過放電検出回路c1〜cnの過放電判定しきい値電圧を、通常のセル異常検出時の過放電判定しきい値電圧V30より低いV32とすることにより、過放電検出回路c1〜cnからは強制的にLレベルの信号(正常状態)が出力される。これにより、上述したように、充放電制御回路13にLレベルの信号が入力される。
【0041】
これに対して、例えば、コンパレータG2の故障などにより、過充電検出回路b2が故障しており、過充電検出回路b2からHレベルの信号(過充電状態)が出力される場合には、オア回路d2の出力はHレベルとなるので、オア回路10から充放電制御回路13に入力される信号もHレベルとなる。また、例えば、コンパレータG3の故障などにより、過放電検出回路c2が故障しており、過放電検出回路c2からHレベルの信号(過放電状態)が出力される場合にも、オア回路d2の出力はHレベルとなるので、オア回路10から充放電制御回路13に入力される信号もHレベルとなる。
【0042】
すなわち、充放電制御回路13は、Lレベルの診断信号AとHレベルの診断信号Bとを出力した際に、Lレベルの信号が入力されれば、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnは正常であり、Hレベルの信号が入力された場合には、いずれかの過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnが故障していると判断する。
【0043】
図3は、充放電制御回路13から出力される診断信号A,Bの信号レベルの組み合わせと、電流バイパス回路a1〜anで用いられるバイパス電圧V1、過充電検出回路b1〜bnで用いられる過充電判定しきい値電圧V20〜V23、および、過放電検出回路c1〜cnで用いられる過放電判定しきい値電圧V30〜V33の関係をまとめた図である。図3には、診断信号A,Bが共にHレベルの場合のしきい値電圧V23,V33も示しているが、本実施の形態における組電池の異常検出装置では用いない。
【0044】
図4(a)〜図4(c)は、過充電判定しきい値電圧V20〜V23、および、過放電判定しきい値電圧V30〜V33の関係を図示したものである。図4(a)は、通常時の過充電判定しきい値電圧V20と過放電判定しきい値電圧V30を、図4(b)は、診断信号(A,B)が(H,L)の場合の判定しきい値電圧を、図4(c)は、診断信号(A,B)が(L,H)の場合の判定しきい値電圧をそれぞれ示す。なお、図中の●は、各セルの電圧バラツキを示している。
【0045】
以上、一実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、複数のセルs1〜snごとに設けられた過充電検出回路b1〜bnで用いられる過充電判定しきい値電圧、および、過放電検出回路c1〜cnで用いられる過放電判定しきい値電圧を変更することにより、確実に過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障を検出することができる。すなわち、故障診断時に、過充電判定しきい値電圧を通常の過放電判定しきい値電圧V30より低い電圧V21に設定するとともに、過放電判定しきい値電圧を通常の過充電判定しきい値電圧V20より高い電圧V31に設定することにより、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnからは、必ずセルの異常(過充電状態または過放電状態)を示す信号が出力される。逆に、セルの異常を示す信号が出力されなければ、複数の過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnのうちのいずれかが故障していると判断することができる。
【0046】
また、故障診断時に、過充電判定しきい値電圧を通常の過充電判定しきい値電圧V20より高い電圧V22に設定するとともに、過放電判定しきい値電圧を通常の過放電判定しきい値電圧V30より低い電圧V32に設定することにより、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnからは、必ずセルの異常(過充電状態または過放電状態)を示す信号(Hレベル)が出力されない。逆に、セルの異常を示す信号が出力されれば、複数の過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnのうちのいずれかが故障していると判断することができる。
【0047】
本実施の形態における組電池の異常検出装置では、複数の過充電検出回路b1〜bnの出力信号と過放電検出回路c1〜cnの出力信号との論理積を算出するアンド回路e1〜en,11と、論理和を算出するオア回路d1〜dn,10とを備えている。セルの過充電状態および過放電状態を検出する際には、オア回路d1〜dn,10からの出力信号を選択しているが、過充電判定しきい値電圧をV21に設定し、過放電判定しきい値電圧をV31に設定した時は、スイッチ回路f1〜fn,12を用いて、アンド回路e1〜en,11からの出力信号を選択する。これにより、いずれか1つの過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnからLレベルの信号が出力された時は、アンド回路11から充放電制御回路13に入力される信号もLレベルとなるので、確実に過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnの故障を検出することができる。
【0048】
また、過充電判定しきい値電圧をV22に設定し、過放電判定しきい値電圧をV32に設定した時は、スイッチ回路f1〜fn,12を用いて、オア回路d1〜dn,10からの出力信号を選択する。これにより、いずれか1つの過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnからHレベルの信号が出力された時は、オア回路10から充放電制御回路13に入力される信号もHレベルとなるので、確実に過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnの故障を検出することができる。
【0049】
すなわち、本実施の形態における組電池の異常検出装置によれば、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障診断を行うための新たな回路を追加する必要が無く、異常検出回路b1〜bn,c1〜cnの異常判定しきい値を変更することにより、確実に故障診断を行うことができる。
【0050】
上述した一実施の形態における組電池の異常検出装置では、(H,L)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力して、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障診断を行った後に、(L,H)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力して故障診断を行った。これにより、過充電検出回路b1〜bnまたは過放電検出回路c1〜cnの故障診断の精度をさらに高めることができる。
【0051】
また、上述した過充電判定しきい値電圧V21,V22および過放電判定しきい値電圧V31,V32の変更と、アンド回路e1〜en,11からの出力信号とオア回路d1〜dn,10からの出力信号との切り換えを、共通の診断信号A,Bに基づいて行うので、信号線の省線化を図ることができる。
【0052】
過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnの故障診断は、本実施の形態における組電池の異常検出装置の始動時(電源投入時)、セルs1〜snの異常(過充電または過放電)を示す信号が出力されていない時、または、組電池1の充放電がある期間以上休止している時に行われる。これにより、セルの端子電圧が安定している時に故障診断が実施されるので、さらに精度良く故障診断を行うことができる。
【0053】
本発明は、上述した一実施の形態に限定されることはない。例えば、上述した一実施の形態では、(H,L)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力して故障診断を行った後に、(L,H)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力したが、いずれか一方のみでも故障診断を行うことはできる。しかし、(H,L)および(L,H)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力して故障診断を行う場合に比べると、故障診断の精度は低くなる。
【0054】
また、(H,L)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力した場合の過充電判定しきい値電圧V21を通常の過放電判定しきい値電圧V30より低い値とし、過放電判定しきい値電圧V31を通常の過充電判定しきい値電圧V20より高い値としたが、必ずしもこのような関係が保たれることは必要ではない。すなわち、故障診断時の過充電判定しきい値電圧V21の設定により、故障が生じていない過充電検出回路b1〜bnで必ずHレベルの信号(過充電状態)が出力されるとともに、故障診断時の過放電判定しきい値電圧V31の設定により、故障が生じていない過放電検出回路c1〜cnで必ずHレベルの信号(過放電状態)が出力されるように、判定しきい値電圧V21,V31が設定されればよい。
【0055】
同様に、(L,H)の組み合わせの診断信号(A,B)を出力した場合の過放電判定しきい値電圧V22を通常の過充電判定しきい値電圧V20より高い値とし、過放電判定しきい値電圧V32を通常の過放電判定しきい値電圧V30より低い値としたが、必ずしもこのような関係が保たれる必要はない。すなわち、故障診断時の過充電判定しきい値電圧V22の設定により、故障が生じていない過充電検出回路b1〜bnで必ずLレベルの信号(正常状態)が出力されるとともに、故障診断時の過放電判定しきい値電圧V32の設定により、故障が生じていない過放電検出回路c1〜cnで必ずLレベルの信号(正常状態)が出力されるように、判定しきい値電圧V22,V32が設定されればよい。
【0056】
特許請求の範囲の構成要素と一実施の形態の構成要素との対応関係は次の通りである。すなわち、過充電検出回路b1〜bnおよび過放電検出回路c1〜cnが異常検出回路を、充放電制御回路13が判定電圧変更回路および故障診断回路を、オア回路d1〜dn,10が論理和算出回路を、アンド回路e1〜en,11が論理積算出回路をそれぞれ構成する。なお、本発明の特徴的な機能を損なわない限り、各構成要素は上記構成に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態における組電池の異常検出装置の構成を示す図
【図2】電流バイパス回路、過充電検出回路および過放電検出回路の詳細な構成を示す図
【図3】診断信号A,Bと、電流バイパス回路で用いられるしきい値V電圧、過充電検出回路で用いられる過充電判定しきい値電圧、および、過放電検出回路で用いられる過放電判定しきい値電圧との関係を示す図
【図4】図4(a)は、通常時の過充電判定しきい値電圧V20と過放電判定しきい値電圧V30を、図4(b)は、診断信号(A,B)が(H,L)の場合の判定しきい値電圧を、図4(c)は、診断信号(A,B)が(L,H)の場合の判定しきい値電圧をそれぞれ示している。
【符号の説明】
1…組電池、10…オア回路、11…アンド回路、12…スイッチ回路、13…充放電制御回路、14…アンド回路、15…インバータ、s1〜sn…セル、a1〜an…電流バイパス回路、b1〜bn…過充電検出回路、c1〜cn…過放電検出回路、d1〜dn…オア回路、e1〜en…アンド回路、f1〜fn…スイッチ回路、R11,R12,R13,R21,R22,R23,R24,R31,R32,R33,R34…抵抗、G1〜G3…コンパレータ、Q1〜Q5…MOSトランジスタ、INV1〜INV4…インバータ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus for detecting an abnormality in an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series, and particularly to an abnormality detection apparatus for an assembled battery having a failure diagnosis function of an abnormality detection circuit.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art An apparatus that detects an abnormality such as an overcharged state or an overdischarged state of an assembled battery configured by connecting a plurality of cells in series is known that performs failure diagnosis of an assembled battery protection circuit. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-252809, the total voltage of the assembled battery is detected, the voltages of the individual cells are detected, and the sum of all the cell voltages is compared with the total voltage of the assembled battery. Diagnoses the failure of the battery protection circuit.
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-11-252809
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional failure diagnosis method, in a device for detecting the voltage of each cell, one voltage detection device erroneously detects a voltage on the plus side, and another one voltage detection device detects the voltage on the minus side. However, there is a problem that an error is canceled out in the added value of the cell voltage, and a failure of the protection circuit is not detected.
[0005]
An object of the present invention is to provide an assembled battery abnormality detection device that reliably detects a failure of a device that detects an overcharged state or an overdischarged state of the assembled battery.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
An assembled battery abnormality detection device according to the present invention is an assembled battery abnormality detection device composed of a plurality of rechargeable cells, and is provided for each of the plurality of cells. An abnormality detection circuit for detecting an abnormality of the corresponding cell, a determination voltage changing circuit for changing the voltage value of the abnormality determination voltage, and an abnormality detection circuit based on the abnormality determination voltage changed by the determination voltage changing circuit The above-described object is achieved by providing a failure diagnosis circuit that performs failure diagnosis of the abnormality detection circuit based on the abnormality detection result performed in (1).
[0007]
【The invention's effect】
According to the battery pack abnormality detection device of the present invention, the abnormality determination voltage of the abnormality detection circuit that detects the abnormality of the corresponding cell is changed based on the terminal voltage of the cell and the abnormality determination voltage, and the abnormality determination voltage after the change is changed. Based on the abnormality detection result performed by the abnormality detection circuit based on the above, failure diagnosis of the abnormality detection circuit is performed, so that the failure of the abnormality detection circuit can be reliably detected.
[0008]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an embodiment of an assembled battery abnormality detection device according to the present invention. The assembled battery 1 is configured by connecting n cells s1 to sn that can be charged and discharged in series. Current bypass circuits a1 to an, overcharge detection circuits b1 to bn, overdischarge detection circuits c1 to cn, OR circuits d1 to dn, AND circuits e1 to en, and switch circuits f1 to fn are provided for each cell. .
[0009]
The current bypass circuits a1 to an detect that the terminal voltage of the corresponding cell has risen above the first predetermined voltage V1 and are close to full charge, and one of the currents flowing through the corresponding cells s1 to sn This circuit bypasses the unit. That is, since the DOD (depth of discharge) is different for each cell, the current bypass function of the current bypass circuit connected to the cell charged to near full charge is activated, and the charging current flowing through the cell is reduced. By continuing to charge other cells, it is possible to suppress the capacity variation between the cells.
[0010]
The overcharge detection circuits b1 to bn detect that the terminal voltages of the corresponding cells s1 to sn are higher than the second predetermined voltage V20 and are overcharged. Further, the overdischarge detection circuits c1 to cn detect that the terminal voltages of the corresponding cells s1 to sn are lowered from the third predetermined voltage V30 to cause overdischarge. The detection results of the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn are input to the OR circuits d1 to dn and the AND circuits e1 to en.
[0011]
The OR circuits d1 to dn calculate the logical sum of the detection results of the overcharge detection circuits b1 to bn and the detection results of the overdischarge detection circuits c1 to cn. The AND circuits e1 to en calculate the logical product of the detection results of the overcharge detection circuits b1 to bn and the detection results of the overdischarge detection circuits c1 to cn. The switch circuits f1 to fn are switching circuits that select one of the outputs of the OR circuits d1 to dn and the outputs of the AND circuits e1 to en. The switch is switched based on a signal from a charge / discharge control circuit 13 to be described later. When an L (low) level signal is input, the outputs of the OR circuits d1 to dn are selected, and the H (high) level is selected. When the signal is input, the outputs of the AND circuits e1 to en are selected. The logical operation result selected by the switch circuits f1 to fn is input to the OR circuit 10 and the AND circuit 11.
[0012]
The OR circuit 10 calculates the logical sum of the logical operation results selected by all the switch circuits f1 to fn. The AND circuit calculates the logical product of the logical operation results selected by all the switch circuits f1 to fn. The switch circuit 12 is a switching circuit that selects one of the output of the OR circuit 10 and the output of the AND circuit 11. The switch is switched based on a signal from a charge / discharge control circuit 13 to be described later. The output of the OR circuit 10 is selected when an L level signal is input, and an AND circuit when an H level signal is input. 11 outputs are selected. The logical operation result selected by the switch circuits f <b> 1 to fn is input to the charge / discharge control circuit 13.
[0013]
The charge / discharge control circuit 13 controls charge / discharge of the assembled battery 1 based on a signal from the OR circuit 10 or the AND circuit 11. The charge / discharge control circuit 13 outputs two diagnostic signals A and B in order to perform failure diagnosis of the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn.
[0014]
The AND circuit 14 calculates a logical product of a signal obtained by inverting the diagnostic signal B by the inverter 15 and the diagnostic signal A. Therefore, when the diagnostic signal A is at the H level and the diagnostic signal B is at the L level, an H level signal is output, and when the diagnostic signals A and B are in other combinations, an L level signal is output.
[0015]
FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of the current bypass circuit a2, the overcharge detection circuit b2, and the overdischarge detection circuit c2 connected to the cell s2. The current bypass circuit a2 includes a comparator (voltage comparator) G1, resistors R11, R12, and R13, an N-type MOS transistor Q1, and an inverter INV1. A terminal voltage Vc of the corresponding cell s2 is applied to the negative terminal of the comparator G1, and a voltage V1 (= Vcc · R13 / (R12 + R13)) obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistor R12 and the resistor R13 is applied to the positive terminal. Applied. The output terminal of the comparator G1 is connected to the gate terminal of the MOS transistor Q1 via the inverter INV1. The source terminal of the MOS transistor Q1 is connected to the negative electrode of the cell s2, and the drain terminal is connected to the positive electrode of the cell s2 via the resistor R11.
[0016]
Note that the comparator G1 outputs an L level signal when the terminal voltage Vc applied to the − terminal is higher than the first voltage V1 serving as a reference applied to the + terminal. At this time, since an H level signal is input to the gate terminal of the MOS transistor Q1 via the inverter INV1, the MOS transistor Q1 is turned on and the current bypass function of the current bypass circuit a2 is activated. That is, the first predetermined voltage V1 is a threshold voltage for bypassing the charging current flowing through the cell s1, and is obtained in advance through experiments or the like. Therefore, it is necessary to set the resistors R12 and R13 so that the voltage V1 can be realized.
[0017]
The overcharge detection circuit b2 includes a comparator G2, a P-type MOS transistor Q2, an N-type MOS transistor Q3, resistors R21, R22, R23, and R24, and inverters INV2 and INV3. When the overcharge of the cell s2 is detected, the L level diagnostic signals A and B are output from the charge / discharge control circuit 13 together. In this case, an H level signal is input to the gate terminal of the P-type MOS transistor Q2 via the inverter INV3, and an L level signal is input to the gate terminal of the N-type MOS transistor Q2. Therefore, the MOS transistor Q2 , Q3 are both off. Accordingly, the terminal voltage Vc of the corresponding cell s2 is applied to the − terminal of the comparator G2, and the voltage V20 (= Vcc · (R23 + R24) obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistors R21, 22, 23, and 24 is applied to the + terminal. / (R21 + R22 + R23 + R24)) is applied.
[0018]
The comparator G2 outputs an L level signal when the terminal voltage Vc of the cell s2 is higher than the threshold voltage V20 for detecting overcharge. The output of the comparator G2 is input to the OR circuit d2 and the AND circuit e2 via the inverter INV2. Note that a signal output via the inverter INV2 is an output of the overcharge detection circuit b2.
[0019]
The overdischarge detection circuit c2 includes a comparator G3, a P-type MOS transistor Q4, an N-type MOS transistor Q5, resistors R31, R32, R33, and R34, and an inverter INV4. When the overdischarge state of the cell s2 is detected, the L level diagnostic signals A and B are output from the charge / discharge control circuit 13 together. In this case, an H level signal is input to the gate terminal of the P-type MOS transistor Q4 via the inverter INV4, and an L level signal is input to the gate terminal of the N-type MOS transistor Q5. , Q5 are both off. Accordingly, the terminal voltage Vc of the corresponding cell s2 is applied to the negative terminal of the comparator G3, and the voltage V30 (= Vcc · (R33 + R34) obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistors R31, 32, 33, and 34 is applied to the positive terminal. / (R31 + R32 + R33 + R34)) is applied.
[0020]
The comparator G3 outputs an H level signal when the terminal voltage Vc of the cell s2 is lower than the threshold voltage V30 for detecting overdischarge. Since the signal output from the comparator G3 is directly output from the overdischarge detection circuit c2, an H level signal is output from the overdischarge detection circuit c2 when the overdischarge state of the cell s2 is detected. The output of the comparator G3 is input to the OR circuit d2 and the AND circuit e2.
[0021]
That is, when detecting overcharge and overdischarge of the cell s2, the L level diagnostic signals A and B are output from the charge / discharge control circuit 13 together. At this time, since the output of the AND circuit 14 (see FIG. 1) is at the L level, the switch circuit f2 selects the output from the OR circuit d2. Therefore, when an H level signal is output from the overcharge detection circuit b2 (overcharge state), or when an H level signal is output from the overdischarge detection circuit c2 (overdischarge state), An H level signal is output via the OR circuit d2. Since the switch circuit 12 selects the output of the OR circuit 10 based on the L level signal from the AND circuit 14, the H level signal is input to the charge / discharge control circuit 13. Thereby, the charge / discharge control circuit 13 can detect an abnormality such as overcharge or overdischarge of the cell s2.
[0022]
Note that the magnitude relationship between the threshold voltages V1, V20, and V30 described above is V20>V1> V30.
[0023]
-Failure diagnosis of overcharge detection circuit and overdischarge detection circuit-
In the assembled battery abnormality detection device according to the present embodiment, overcharge determination threshold voltage V20 of overcharge detection circuits b1 to bn and overdischarge determination threshold voltage V30 of overdischarge detection circuits c1 to cn are changed. Thus, failure diagnosis of the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn is performed. The failure diagnosis is performed when the battery pack abnormality detection device according to the present embodiment is started (when power is turned on), when a signal indicating abnormality (overcharge or overdischarge) of the cells s1 to sn is not output, or It is performed when charging / discharging of the battery 1 is stopped for a certain period or longer.
[0024]
When performing failure diagnosis of the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn, the charge / discharge control circuit 13 outputs diagnostic signals A and B with one being at the H level and the other being at the L level. . First, a failure diagnosis method when the diagnostic signal A is set to the H level and the diagnostic signal B is set to the L level will be described.
[0025]
<< When (A, B) = (H, L) >>
When the H level diagnostic signal A is output from the charge / discharge control circuit 13, the H level signal is input to the gate terminal of the N-type MOS transistor Q3 in the overcharge detection circuit b2, so that the MOS transistor Q3 is turned on. To do. However, since the diagnostic signal B is at the L level, the MOS transistor Q2 remains off. In this case, when the MOS transistor Q3 is turned on, a voltage V21 (= Vcc · R23 / (R21 + R22 + R23)) obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistors R21, R22, and R23 is applied to the + terminal of the comparator G2.
[0026]
Resistance values of the resistors R21 to R24 and R31 to R34 are determined so that the voltage V21 becomes lower than the overdischarge determination threshold voltage V30 of the overdischarge detection circuit c2. Since the voltage Vc of the cell s2 in a normal state that is neither overcharge nor overdischarge is lower than the overcharge determination threshold voltage V20 and higher than the overdischarge determination threshold voltage V30, it is applied to the negative terminal of the comparator G2. The voltage Vc is higher than the voltage V21 applied to the + terminal. Accordingly, the output of the comparator G2 becomes L level, and the signal output from the overcharge detection circuit b2 via the inverter INV2 becomes H level.
[0027]
Next, the operation of the overdischarge detection circuit c2 will be described. Since the L level signal is input to the gate terminal of the P-type MOS transistor Q4 via the inverter INV4, the MOS transistor Q4 is turned on. On the other hand, since the diagnostic signal B is at the L level, the MOS transistor Q5 remains off. In this case, when the MOS transistor Q4 is turned on, the voltage V31 (= Vcc · (R33 + R34) / (R32 + R33 + R34)) obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistors R32, R33, R34 is applied to the + terminal of the comparator G3. The
[0028]
Resistance values of the resistors R21 to R24 and R31 to R34 are determined so that the voltage V31 becomes higher than the overcharge determination threshold voltage V20 of the overcharge detection circuit b2. As described above, since the voltage Vc of the cell s2 in the normal state is lower than the overcharge determination threshold voltage V20 and higher than the overdischarge determination threshold voltage V30, the voltage Vc applied to the negative terminal of the comparator G3. Becomes lower than the voltage V31 applied to the + terminal. Therefore, the output of the comparator G3 becomes H level indicating that the cell s2 is in an overdischarged state.
[0029]
When the diagnostic signal A is at the H level and the diagnostic signal B is at the L level, an H level signal is input to the two input terminals of the AND circuit 14, so that an H level signal is output from the output terminal. Therefore, the switch circuit f2 selects the output of the AND circuit e2. As described above, since an H level signal is output from both the overcharge detection circuit b2 and the overdischarge detection circuit c2, an H level signal is output from the AND circuit e2.
[0030]
The switch circuit 12 selects the output of the AND circuit 11 based on the H level signal output from the AND circuit 14. As described above, since the H level signal is output from the AND circuit e2, the H level signal is input to one of the plurality of input terminals of the AND circuit 11. In FIG. 2, the overcharge detection circuit b2 and the overdischarge detection circuit c2 provided corresponding to the cell s2 have been described, but the other overcharge detection circuits b1, b3 to bn and overdischarge detection circuits c1, c3 to c3 are described. A similar operation is performed for cn. That is, since the H level signal is input to the AND circuit 11 from the AND circuits e1 to en, the H level signal is output from the output terminal and input to the charge / discharge control circuit 13.
[0031]
Thus, by setting the overcharge determination threshold voltage of the overcharge detection circuits b1 to bn to V21 which is lower than the overdischarge determination threshold voltage V30 at the time of normal cell abnormality detection, the overcharge detection circuits b1 to b1. A signal of H level (overcharge state) is forcibly output from bn. Further, by setting the overdischarge determination threshold voltage of the overdischarge detection circuits c1 to cn to V31 higher than the overcharge determination threshold voltage V20 at the time of normal cell abnormality detection, the overdischarge detection circuits c1 to cn Forcibly outputs an H level signal (overdischarge state). Thereby, as described above, an H level signal is input to the charge / discharge control circuit 13.
[0032]
On the other hand, for example, when the overcharge detection circuit b2 is out of order due to the failure of the comparator G2 and the L-level signal (normal state) is output from the overcharge detection circuit b2, the AND circuit e2 Therefore, the signal input from the AND circuit 11 to the charge / discharge control circuit 13 is also at the L level. Further, for example, when the overdischarge detection circuit c2 is out of order due to a failure of the comparator G3 and the L level signal (normal state) is output from the overdischarge detection circuit c2, the output of the AND circuit e2 is Since it becomes L level, the signal input from the AND circuit 11 to the charge / discharge control circuit 13 also becomes L level.
[0033]
That is, when the H-level signal is input when the charge / discharge control circuit 13 outputs the H-level diagnosis signal A and the L-level diagnosis signal B, the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection are detected. The circuits c1 to cn are normal, and when an L level signal is input, it is determined that any of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn has failed.
[0034]
<< When (A, B) = (L, H) >>
Next, a failure diagnosis method when the diagnostic signal A is at the L level and the diagnostic signal B is at the H level will be described. In the assembled battery abnormality detection device according to the present embodiment, first, a diagnostic signal (A, B) of a combination of (H, L) is output, and overcharge detection circuits b1 to bn and overdischarge detection circuit c1 are output. After the failure diagnosis of .about.cn is performed, a diagnosis signal (A, B) of a combination of (L, H) described later is output.
[0035]
First, the operation of the overcharge detection circuit b2 will be described. When an H level diagnostic signal B is output from the charge / discharge control circuit 13, an L level signal is input to the gate terminal of the P-type MOS transistor Q2, so that the MOS transistor Q2 is turned on. On the other hand, since the diagnostic signal A is at the L level, the N-type MOS transistor Q3 is turned off. In this case, when the MOS transistor Q2 is turned on and the MOS transistor Q3 is turned off, the voltage V22 obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistors R22, R23, and R24 (= Vcc · (R23 + R24) / ( R22 + R23 + R24) is applied.
[0036]
The resistance values of the resistors R21 to R24 are determined so that the voltage V22 is higher than the overcharge determination threshold voltage V20. Since the voltage Vc of the cell s2 in a normal state that is neither overcharge nor overdischarge is lower than the overcharge determination threshold voltage V20 and higher than the overdischarge determination threshold voltage V30, it is applied to the negative terminal of the comparator G2. The voltage Vc is lower than the voltage V22 applied to the + terminal. Accordingly, since the output of the comparator G2 becomes H level, the signal output from the overcharge detection circuit b2 via the inverter INV2 becomes L level.
[0037]
Next, the operation of the overdischarge detection circuit c2 will be described. Since an H level signal is input to the gate terminal of the P-type MOS transistor Q4 via the inverter INV4, the MOS transistor Q4 is turned off. On the other hand, since the diagnostic signal B is at the H level, the N-type MOS transistor Q5 is turned on. In this case, when the MOS transistor Q4 is turned off and Q5 is turned on, the voltage V32 (= Vcc · R33 / (R31 + R32 + R33)) obtained by dividing the power supply voltage Vcc by the resistors R31, R32, and R33 is applied to the + terminal of the comparator G3. Applied.
[0038]
The resistance values of R31 to R34 are determined so that this voltage V32 is lower than the overdischarge determination threshold voltage V30 of the overdischarge detection circuit c2. As described above, since the voltage Vc of the cell s2 in the normal state is lower than the overcharge determination threshold voltage V20 and higher than the overdischarge determination threshold voltage V30, the voltage Vc applied to the negative terminal of the comparator G3. Becomes higher than the voltage V32 applied to the + terminal. Therefore, the output of the comparator G3, that is, the overdischarge detection circuit c2, becomes L level.
[0039]
When the diagnostic signal A is at the L level and the diagnostic signal B is at the H level, the L level signal is input to the two input terminals of the AND circuit 14, and thus the L level signal is output from the output terminal. Accordingly, the switch circuit f2 selects the output of the OR circuit d2. As described above, since an L level signal is output from both the overcharge detection circuit b2 and the overdischarge detection circuit c2, an L level signal is output from the OR circuit d2. The same applies to the operations of the other overcharge detection circuits b1, b3 to bn, overdischarge detection circuits c1, c3 to cn, and switch circuits f1, f3 to fn. At this time, since the switch circuit 12 selects the output from the OR circuit 10, the OR circuit 10 calculates the logical sum of the L level signals input to the plurality of input terminals. That is, an L level signal is input from the OR circuit 10 to the charge / discharge control circuit 13.
[0040]
Thus, by setting the overcharge determination threshold voltage of the overcharge detection circuits b1 to bn to V22 higher than the overcharge determination threshold voltage V20 at the time of normal cell abnormality detection, the overcharge detection circuits b1 to b1. A signal of L level (normal state) is forcibly output from bn. Further, by setting the overdischarge determination threshold voltage of the overdischarge detection circuits c1 to cn to V32 that is lower than the overdischarge determination threshold voltage V30 at the time of normal cell abnormality detection, the overdischarge detection circuits c1 to cn Forcibly outputs an L level signal (normal state). Thereby, as described above, an L level signal is input to the charge / discharge control circuit 13.
[0041]
On the other hand, for example, when the overcharge detection circuit b2 has failed due to a failure of the comparator G2 or the like and an H level signal (overcharge state) is output from the overcharge detection circuit b2, the OR circuit Since the output of d2 becomes H level, the signal input from the OR circuit 10 to the charge / discharge control circuit 13 also becomes H level. Further, for example, when the overdischarge detection circuit c2 fails due to a failure of the comparator G3 or the like and an H level signal (overdischarge state) is output from the overdischarge detection circuit c2, the output of the OR circuit d2 is also output. Becomes H level, the signal inputted from the OR circuit 10 to the charge / discharge control circuit 13 also becomes H level.
[0042]
That is, when the L level signal is input when the charge / discharge control circuit 13 outputs the L level diagnosis signal A and the H level diagnosis signal B, the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection are detected. The circuits c1 to cn are normal, and when an H level signal is input, it is determined that any of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn has failed.
[0043]
FIG. 3 shows a combination of signal levels of the diagnostic signals A and B output from the charge / discharge control circuit 13, a bypass voltage V1 used in the current bypass circuits a1 to an, and an overcharge used in the overcharge detection circuits b1 to bn. It is the figure which put together the relationship of determination threshold voltage V20-V23 and the overdischarge determination threshold voltage V30-V33 used with overdischarge detection circuit c1-cn. FIG. 3 also shows threshold voltages V23 and V33 when the diagnostic signals A and B are both at the H level, but they are not used in the assembled battery abnormality detection device in the present embodiment.
[0044]
FIGS. 4A to 4C illustrate the relationship between the overcharge determination threshold voltages V20 to V23 and the overdischarge determination threshold voltages V30 to V33. 4A shows the overcharge determination threshold voltage V20 and the overdischarge determination threshold voltage V30 in the normal state, and FIG. 4B shows that the diagnostic signals (A, B) are (H, L). FIG. 4C shows the determination threshold voltage when the diagnostic signal (A, B) is (L, H). In the figure, ● represents the voltage variation of each cell.
[0045]
As described above, according to the battery pack abnormality detection device in the embodiment, the overcharge determination threshold voltage used in the overcharge detection circuits b1 to bn provided for each of the plurality of cells s1 to sn, and the overdischarge By changing the overdischarge determination threshold voltage used in the detection circuits c1 to cn, failures in the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn can be reliably detected. That is, at the time of failure diagnosis, the overcharge determination threshold voltage is set to a voltage V21 lower than the normal overdischarge determination threshold voltage V30, and the overdischarge determination threshold voltage is set to the normal overcharge determination threshold voltage. By setting the voltage V31 higher than V20, the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn always output signals indicating cell abnormalities (overcharge state or overdischarge state). On the other hand, if a signal indicating a cell abnormality is not output, it can be determined that one of the plurality of overcharge detection circuits b1 to bn and overdischarge detection circuits c1 to cn has failed.
[0046]
At the time of failure diagnosis, the overcharge determination threshold voltage is set to a voltage V22 higher than the normal overcharge determination threshold voltage V20, and the overdischarge determination threshold voltage is set to the normal overdischarge determination threshold voltage. By setting the voltage V32 lower than V30, the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn always give a signal (H level) indicating a cell abnormality (overcharge state or overdischarge state). Not output. Conversely, if a signal indicating a cell abnormality is output, it can be determined that one of the plurality of overcharge detection circuits b1 to bn and overdischarge detection circuits c1 to cn has failed.
[0047]
In the battery pack abnormality detection device according to the present embodiment, AND circuits e1 to en, 11 for calculating the logical product of the output signals of the plurality of overcharge detection circuits b1 to bn and the output signals of the overdischarge detection circuits c1 to cn. And OR circuits d1 to dn, 10 for calculating a logical sum. When detecting the overcharge state and overdischarge state of the cell, the output signals from the OR circuits d1 to dn, 10 are selected, but the overcharge determination threshold voltage is set to V21, and the overdischarge determination is performed. When the threshold voltage is set to V31, the output signals from the AND circuits e1 to en and 11 are selected using the switch circuits f1 to fn and 12. Accordingly, when an L level signal is output from any one of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn, the signal input from the AND circuit 11 to the charge / discharge control circuit 13 is also L. Therefore, the failure of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn can be reliably detected.
[0048]
When the overcharge determination threshold voltage is set to V22 and the overdischarge determination threshold voltage is set to V32, the switch circuits f1 to fn and 12 are used to output from the OR circuits d1 to dn and 10. Select the output signal. Accordingly, when an H level signal is output from any one of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn, the signal input from the OR circuit 10 to the charge / discharge control circuit 13 is also H. Therefore, the failure of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn can be reliably detected.
[0049]
That is, according to the battery pack abnormality detection device of the present embodiment, there is no need to add a new circuit for performing failure diagnosis of the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn. By changing the abnormality determination threshold values of the detection circuits b1 to bn and c1 to cn, failure diagnosis can be performed reliably.
[0050]
In the assembled battery abnormality detection device according to the embodiment described above, a diagnostic signal (A, B) of a combination of (H, L) is output, and the overcharge detection circuits b1 to bn and overdischarge detection circuits c1 to cn are output. After performing the failure diagnosis, a diagnosis signal (A, B) of a combination of (L, H) is output to perform the failure diagnosis. Thereby, the accuracy of failure diagnosis of the overcharge detection circuits b1 to bn or the overdischarge detection circuits c1 to cn can be further increased.
[0051]
The overcharge determination threshold voltages V21 and V22 and the overdischarge determination threshold voltages V31 and V32 are changed, the output signals from the AND circuits e1 to en and 11 and the OR circuits d1 to dn and 10 are output. Since switching to the output signal is performed based on the common diagnostic signals A and B, the signal lines can be saved.
[0052]
The failure diagnosis of the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn is performed when the assembled battery abnormality detection device according to the present embodiment is started (when the power is turned on), and abnormalities of the cells s1 to sn (overcharge or This is performed when a signal indicating overdischarge) is not output, or when charging / discharging of the assembled battery 1 is stopped for a certain period or longer. Thereby, the failure diagnosis is performed when the terminal voltage of the cell is stable, so that the failure diagnosis can be performed with higher accuracy.
[0053]
The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, in the above-described embodiment, after the diagnosis signal (A, B) of the combination (H, L) is output and the failure diagnosis is performed, the diagnosis signal (A, B) of the combination (L, H) is performed. ) Is output, but failure diagnosis can be performed with only one of them. However, the accuracy of the failure diagnosis is lower than that when a diagnosis signal (A, B) of a combination of (H, L) and (L, H) is output to perform the failure diagnosis.
[0054]
Further, the overcharge determination threshold voltage V21 when the diagnostic signal (A, B) of the combination of (H, L) is output is set to a value lower than the normal overdischarge determination threshold voltage V30, and overdischarge determination is performed. Although the threshold voltage V31 is set to a value higher than the normal overcharge determination threshold voltage V20, it is not always necessary to maintain such a relationship. That is, by setting the overcharge determination threshold voltage V21 at the time of failure diagnosis, an H level signal (overcharge state) is always output from the overcharge detection circuits b1 to bn where no failure has occurred, and at the time of failure diagnosis. By setting the overdischarge determination threshold voltage V31, the determination threshold voltages V21, V21, V so that an H level signal (overdischarge state) is always output from the overdischarge detection circuits c1 to cn in which no failure has occurred. V31 may be set.
[0055]
Similarly, the overdischarge determination threshold voltage V22 when the diagnostic signal (A, B) of the combination of (L, H) is output is set to a value higher than the normal overcharge determination threshold voltage V20, and overdischarge determination is performed. Although the threshold voltage V32 is set to a value lower than the normal overdischarge determination threshold voltage V30, such a relationship is not necessarily maintained. That is, by setting the overcharge determination threshold voltage V22 at the time of failure diagnosis, an L level signal (normal state) is always output from the overcharge detection circuits b1 to bn where no failure has occurred, and at the time of failure diagnosis. By setting the overdischarge determination threshold voltage V32, the determination threshold voltages V22 and V32 are set so that an L level signal (normal state) is always output from the overdischarge detection circuits c1 to cn in which no failure has occurred. It only has to be set.
[0056]
The correspondence between the constituent elements of the claims and the constituent elements of the embodiment is as follows. That is, the overcharge detection circuits b1 to bn and the overdischarge detection circuits c1 to cn calculate the abnormality detection circuit, the charge / discharge control circuit 13 calculates the determination voltage change circuit and the failure diagnosis circuit, and the OR circuits d1 to dn and 10 calculate the logical sum. In the circuit, AND circuits e1 to en, 11 constitute a logical product calculation circuit. In addition, as long as the characteristic function of this invention is not impaired, each component is not limited to the said structure.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an assembled battery abnormality detection device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a diagram showing a detailed configuration of a current bypass circuit, an overcharge detection circuit, and an overdischarge detection circuit.
FIG. 3 shows diagnostic signals A and B, a threshold V voltage used in a current bypass circuit, an overcharge determination threshold voltage used in an overcharge detection circuit, and an overdischarge determination used in an overdischarge detection circuit. Diagram showing relationship with threshold voltage
FIG. 4A shows normal overcharge determination threshold voltage V20 and overdischarge determination threshold voltage V30, and FIG. 4B shows diagnosis signals (A, B) of (H , L), and FIG. 4C shows the determination threshold voltages when the diagnostic signals (A, B) are (L, H).
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Battery pack, 10 ... OR circuit, 11 ... AND circuit, 12 ... Switch circuit, 13 ... Charge / discharge control circuit, 14 ... AND circuit, 15 ... Inverter, s1-sn ... Cell, a1-an ... Current bypass circuit, b1 to bn... overcharge detection circuit, c1 to cn... overdischarge detection circuit, d1 to dn... OR circuit, e1 to en. , R24, R31, R32, R33, R34 ... resistors, G1 to G3 ... comparators, Q1 to Q5 ... MOS transistors, INV1 to INV4 ... inverters

Claims (10)

充電可能な複数のセルから構成される組電池の異常検出装置において、
前記複数のセルごとに設けられ、対応するセルの端子電圧と異常判定電圧とに基づいて、前記対応するセルの異常を検出する異常検出回路と、
前記異常判定電圧の電圧値を変更する判定電圧変更回路と、
前記判定電圧変更回路にて変更された異常判定電圧に基づいて前記異常検出回路で行われた異常検出結果に基づいて、前記異常検出回路の故障診断を行う故障診断回路とを備えることを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the battery pack abnormality detection device composed of a plurality of rechargeable cells,
An abnormality detection circuit that is provided for each of the plurality of cells and detects an abnormality of the corresponding cell based on a terminal voltage and an abnormality determination voltage of the corresponding cell;
A determination voltage changing circuit for changing a voltage value of the abnormality determination voltage;
A failure diagnosis circuit that performs failure diagnosis of the abnormality detection circuit based on an abnormality detection result performed by the abnormality detection circuit based on the abnormality determination voltage changed by the determination voltage change circuit; An abnormality detection device for an assembled battery.
請求項1に記載の組電池の異常検出装置において、
前記異常検出回路は、前記対応するセルの端子電圧が第1の過充電判定電圧以上になると前記対応するセルの過充電状態を検出する過充電検出回路と、前記対応するセルの端子電圧が第1の過放電判定電圧以下になると前記対応するセルの過放電状態を検出する過放電検出回路とを備え、
前記判定電圧変更回路は、前記第1の過充電判定電圧および前記第1の過放電判定電圧の電圧値を変更し、
前記故障診断回路は、前記判定電圧変更回路にて変更された第2の過充電判定電圧に基づいて前記過充電検出回路にて行われた過充電判定結果と、前記判定電圧変更回路にて変更された第2の過放電判定電圧に基づいて前記過放電検出回路にて行われた過放電判定結果とに基づいて、前記過充電検出回路および前記過放電検出回路の故障診断を行うことを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 1,
The abnormality detection circuit includes an overcharge detection circuit that detects an overcharge state of the corresponding cell when a terminal voltage of the corresponding cell becomes equal to or higher than a first overcharge determination voltage, and the terminal voltage of the corresponding cell An overdischarge detection circuit that detects an overdischarge state of the corresponding cell when the overdischarge determination voltage is 1 or less,
The determination voltage changing circuit changes voltage values of the first overcharge determination voltage and the first overdischarge determination voltage,
The failure diagnosis circuit is changed in the overcharge determination result performed in the overcharge detection circuit based on the second overcharge determination voltage changed in the determination voltage change circuit, and changed in the determination voltage change circuit. A failure diagnosis of the overcharge detection circuit and the overdischarge detection circuit is performed based on an overdischarge determination result performed by the overdischarge detection circuit based on the second overdischarge determination voltage. An assembled battery abnormality detection device.
請求項2に記載の組電池の異常検出装置において、
前記判定電圧変更回路は、前記第2の過充電判定電圧を前記第1の過放電判定電圧より低くなるように設定することを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 2,
The determination voltage changing circuit sets the second overcharge determination voltage to be lower than the first overdischarge determination voltage.
請求項2または3に記載の組電池の異常検出装置において、
前記判定電圧変更回路は、前記第2の過放電判定電圧を前記第1の過充電判定電圧より高くなるように設定することを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 2 or 3,
The determination voltage changing circuit sets the second overdischarge determination voltage to be higher than the first overcharge determination voltage.
請求項3または4に記載の組電池の異常検出装置において、
前記複数の過充電検出回路の出力信号と前記複数の過放電検出回路の出力信号との論理和を算出する論理和算出回路と、
前記複数の過充電検出回路の出力信号と前記複数の過放電検出回路の出力信号との論理積を算出する論理積算出回路と、
前記論理和算出回路の出力と前記論理積算出回路の出力とを切り換える切り換え回路とをさらに備え、
前記切り換え回路は、前記複数のセルの過充電状態および過放電状態を検出する際には前記論理和算出回路の出力を選択し、前記過充電検出回路および前記過放電検出回路の故障診断を行う際には前記論理積算出回路の出力を選択することを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 3 or 4,
A logical sum calculation circuit for calculating a logical sum of output signals of the plurality of overcharge detection circuits and output signals of the plurality of overdischarge detection circuits;
A logical product calculation circuit for calculating a logical product of the output signals of the plurality of overcharge detection circuits and the output signals of the plurality of overdischarge detection circuits;
A switching circuit for switching between the output of the logical sum calculation circuit and the output of the logical product calculation circuit,
The switching circuit selects an output of the logical sum calculation circuit when detecting an overcharge state and an overdischarge state of the plurality of cells, and performs a fault diagnosis of the overcharge detection circuit and the overdischarge detection circuit. In this case, an abnormality detection apparatus for an assembled battery, wherein the output of the logical product calculation circuit is selected.
請求項2に記載の組電池の異常検出装置において、
前記判定電圧変更回路は、前記第2の過充電判定電圧を前記第1の過充電判定電圧より高くなるように設定することを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 2,
The determination voltage change circuit sets the second overcharge determination voltage to be higher than the first overcharge determination voltage.
請求項2または6に記載の組電池の異常検出装置において、
前記判定電圧変更回路は、前記第2の過放電判定電圧を前記第1の過放電判定電圧より低くなるように設定することを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 2 or 6,
The determination voltage changing circuit sets the second overdischarge determination voltage to be lower than the first overdischarge determination voltage.
請求項6または7に記載の組電池の異常検出装置において、
前記複数の過充電検出回路の出力信号と前記複数の過放電検出回路の出力信号との論理和を算出する論理和算出回路と、
前記複数の過充電検出回路の出力信号と前記複数の過放電検出回路の出力信号との論理積を算出する論理積算出回路と、
前記論理和算出回路の出力と前記論理積算出回路の出力とを切り換える切り換え回路とをさらに備え、
前記切り換え回路は、前記過充電検出回路および前記過放電検出回路の故障診断を行う際には前記論理和算出回路の出力を選択することを特徴とする組電池の異常検出装置。
The assembled battery abnormality detection device according to claim 6 or 7,
A logical sum calculation circuit for calculating a logical sum of output signals of the plurality of overcharge detection circuits and output signals of the plurality of overdischarge detection circuits;
A logical product calculation circuit for calculating a logical product of the output signals of the plurality of overcharge detection circuits and the output signals of the plurality of overdischarge detection circuits;
A switching circuit for switching between the output of the logical sum calculation circuit and the output of the logical product calculation circuit,
The battery pack abnormality detection device, wherein the switching circuit selects an output of the logical sum calculation circuit when performing fault diagnosis of the overcharge detection circuit and the overdischarge detection circuit.
請求項5または8に記載の組電池の異常検出装置において、
前記判定電圧変更回路による判定電圧の変更と、前記切り換え回路による切り換えとを共通の信号に基づいて行うことを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the assembled battery abnormality detection device according to claim 5 or 8,
A battery pack abnormality detection device, wherein the determination voltage change by the determination voltage change circuit and the switching by the switching circuit are performed based on a common signal.
請求項1〜9のいずれかに記載の組電池の異常検出装置において、
前記故障診断回路による故障診断は、前記組電池の異常検出装置の始動時、前記複数のセルの異常を示す信号が出力されていない時、および、前記組電池の充放電が所定期間以上休止している時のうちのいずれかであることを特徴とする組電池の異常検出装置。
In the abnormality detection apparatus of the assembled battery in any one of Claims 1-9,
The failure diagnosis by the failure diagnosis circuit is performed when the assembled battery abnormality detection device is started, when a signal indicating abnormality of the plurality of cells is not output, and charging / discharging of the assembled battery is suspended for a predetermined period or more. An abnormality detection device for a battery pack, wherein
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