JP2004119695A - 投影光学装置及び露光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板ステージを大型化することなくパターンの像面と感光基板の被露光面とを合致させることができる投影光学装置を提供する。
【解決手段】マスクMのパターンの像を感光基板Pに投影する投影光学装置PLは、光学的に接続された少なくとも3つの反射光学部材21、22、23と、3つの反射光学部材21、22、23のそれぞれを駆動する駆動装置41、42、43と、駆動装置41、42、43を制御して、感光基板Pに対するパターンの像の位置を制御する制御装置CONTとを備えている。
【選択図】 図2
【解決手段】マスクMのパターンの像を感光基板Pに投影する投影光学装置PLは、光学的に接続された少なくとも3つの反射光学部材21、22、23と、3つの反射光学部材21、22、23のそれぞれを駆動する駆動装置41、42、43と、駆動装置41、42、43を制御して、感光基板Pに対するパターンの像の位置を制御する制御装置CONTとを備えている。
【選択図】 図2
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、第1面の物体の像を第2面に投影する投影光学装置、及びこの投影光学装置を備えた露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスや液晶表示デバイスを製造する際のフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、パターンが形成されたマスクを支持するマスクステージと、感光基板を支持する基板ステージとを備えており、露光光で照明されたマスクのパターンの像をマスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投影光学系(投影光学装置)を介して感光基板上に投影するものである。近年において、パターンの微細化の要求はますます高まっているため、露光装置としてはより解像力の高いものが要求されている。この要求を満足するためには光源から射出される露光光の波長を短波長化し且つ光学系の開口数(NA)を大きくする必要があるが、露光光の波長が短くなると光の吸収のために実用に耐える光学ガラスが限られる。このため、屈折光学系又は反射屈折光学系で投影光学系を構成することは困難であるので、反射系のみで投影光学系を構成することが、例えば特開平9−211332号公報や特開平10−90602号公報に提案されている。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−211332号公報
【特許文献2】
特開平10−90602号公報
【0004】
ところで、露光装置としては、基板上にマスクのパターン全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターンを連続的に基板上に転写する走査型露光装置との2種類が主に知られているが、いずれの露光装置においても、基板ステージは、並進方向に移動するXYステージと、パターンの像面と感光基板の表面(被露光面)とを合致させるためのZステージ及びレベリングステージとを有している。そして、これらステージにより感光基板のZ軸方向及び傾斜方向の位置調整を行いつつ露光処理が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の露光装置において以下に述べる問題が生じる。
上述した従来の基板ステージは、XYステージ、Zステージ、及びレベリングステージといった複数のステージの組み合わせであり、構造が複雑化し重量も重くなる。そのため、スループット向上のためにステージ移動を高速化すると大きな振動が発生しやすくなり、露光精度に影響を及ぼす。更に、大重量化・複雑化することにより基板ステージを駆動するアクチュエータからの発熱量も大きくなるため、ステージや周囲の各種部材・装置が熱膨張し、これによっても露光精度が悪化する。
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板ステージを大型化したり構造を複雑化したりすることなく、パターンの像面と感光基板の被露光面とを合致させることができる投影光学装置を提供することを第1の目的とする。また、この投影光学装置を用いることによりステージの移動を高速化でき、スループットを向上できる露光装置を提供することを第2の目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図1〜図3に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の投影光学装置(PL)は、第1面(M)の物体の像を第2面(P)に投影する投影光学装置において、光学的に接続された少なくとも3つの反射光学部材(21、22、23)と、3つの反射光学部材(21、22、23)のそれぞれを駆動する駆動装置(41、42、43)と、駆動装置(41、42、43)を制御して、第2面(P)に対する物体の像の位置を制御する制御装置(CONT)とを備えることを特徴とする。
本発明の露光装置(EX)は、マスク(M)のパターンを基板(P)に投影する投影光学装置を備えた露光装置において、投影光学装置は、上記記載の投影光学装置(PL)により構成されていることを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、投影光学装置を構成する少なくとも3つの反射光学部材を駆動することによりこの投影光学装置の像面の位置を調整することができる。したがって、基板ステージに例えばレベリングステージやZステージが無くても像面の傾きやZ方向の位置を調整でき、基板ステージを軽量化できる。そして、基板ステージが軽量化されることにより基板ステージの移動を高速化しても振動の発生が抑えられるので、精度良い露光処理を高スループットで行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の投影光学装置及び露光装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の投影光学装置(投影光学系)を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図、図2は投影光学装置の拡大図である。
【0010】
図1において、露光装置EXは、マスク(レチクル)Mを支持するマスクステージMSTと、感光基板Pを支持する基板ステージPSTと、光源1からの光束を露光光ELに変換しマスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスク(第1面)Mのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている感光基板(第2面)Pに投影する投影光学系(投影光学装置)PLとを備えている。本実施形態において、マスクMは反射型マスク(反射型レチクル)であり、マスクM上には露光光を反射する多層膜からなる反射膜が設けられており、この反射膜は感光基板P上へ転写すべきパターンの形状に応じたパターンとなっている。また、本実施形態において、露光装置EXは、この反射型マスクMに露光光ELを照射し、マスクMに形成されたパターンの一部の像を投影光学系PLを介して感光基板P上に投影しつつ、マスクMと感光基板Pとを投影光学系PLに対して1次元方向(Y軸方向)に同期移動している間に、マスクMのパターンの全体を感光基板P上の複数のショット領域のそれぞれにステップ・アンド・スキャン方式で投影露光する走査型露光装置である。また、本実施形態において、露光光ELには波長5〜15nm程度の軟X線領域の光(EUV光)が用いられる。EUV光は、大気に対する透過率が低いため、EUV光が通過する光路は真空チャンバVCにより覆われて外気より遮断されている。
【0011】
ここで、以下の説明において、感光基板Pの表面と平行な方向(水平方向)であってマスクMと感光基板Pとの走査方向(同期移動方向)をY軸方向、感光基板Pの表面と平行な方向であってY軸方向と直交する方向(非走査方向)をX軸方向、X軸及びY軸方向と直交する方向、すなわち感光基板Pの表面と直交する方向をZ軸方向とする。更に、X軸、Y軸、及びZ軸それぞれの軸まわり方向を、θX方向、θY方向、及びθZ方向とする。
【0012】
光源1は、赤外域〜可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半導体レーザ励起によるYAGレーザやエキシマレーザ等を用いることができる。このレーザ光は第1集光光学系2により集光されて位置3に集光する。ノズル4は気体状の物体を位置3に向けて噴出し、この噴出された物体は位置3において高照度のレーザ光を受ける。このとき、噴出された物体がレーザ光のエネルギで高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にEUV光を放出する。この位置3の周囲には、第2集光光学系を構成する楕円鏡5が配置されており、この楕円鏡5は、その第1焦点が位置3とほぼ一致するように位置決めされている。楕円鏡5の内表面には、EUV光を反射するための多層膜が設けられており、ここで反射されたEUV光は、楕円鏡5の第2焦点で一度集光した後、第3集光光学系を構成するコリメート鏡としての放物面鏡6へ向かう。放物面鏡6は、その焦点が楕円鏡5の第2焦点位置とほぼ一致するように位置決めされており、その内表面には、EUV光を反射するための多層膜が設けられている。
【0013】
放物面鏡6から射出されるEUV光は、ほぼコリメートされた状態でオプティカルインテグレータとしての反射型フライアイ光学系7へ向かう。反射型フライアイ光学系7は、複数の反射面を集積した第1の反射素子群7Aと、第1の反射素子群7Aの複数の反射面と対応した複数の反射面を有する第2の反射素子群7Bとで構成されている。これら第1及び第2の反射素子群7A、7Bを構成する複数の反射面上にもEUV光を反射させるための多層膜が設けられている。放物面鏡6からのコリメートされたEUV光は、第1の反射素子群7Aにより波面分割され、各々の反射面からのEUV光が集光されて複数の光源像が形成される。これら複数の光源像が形成される位置の近傍のそれぞれには、第2の反射素子群7Bの複数の反射面が位置決めされており、これら第2の反射素子群7Bの複数の反射面は、実質的にフィールドミラーの機能を果たす。このように、反射型フライアイ光学系7は、放物面鏡6からの略平行光束に基づいて、2次光源としての多数の光源像を形成する。なお、このような反射型フライアイ光学系7については本願出願人による特願平10−47400号に提案されている。
【0014】
本実施形態では、2次光源の形状を制御するために、第2の反射素子群7B近傍には、第1開口絞りとしてのσ絞り8が設けられている。このσ絞り8は、例えば互いに形状が異なる複数の開口部をターレット状に設けたものからなる。そして、σ絞り制御ユニット8Aにより、どの開口部を光路内に配置するのかの制御が行われる。
【0015】
反射型フライアイ光学系7により形成された2次光源からのEUV光は、この2次光源位置の近傍が焦点位置となるように位置決めされたコンデンサミラー9へ向かい、このコンデンサミラー9にて反射集光された後に、光路折り曲げミラー10を介してマスクMに達する。これらコンデンサミラー9及び光路折り曲げミラー10の表面にはEUV光を反射させる多層膜が設けられている。そして、コンデンサミラー9は、2次光源から発するEUV光を集光して、マスクMを均一照明する。なお、本実施形態では、マスクMへ向かう照明光と、このマスクMにて反射されて投影光学系PLへ向かうEUV光との光路分離を空間的に行うために、照明光学系ILは非テレセントリック系であり、且つ投影光学系PLもマスク側非テレセントリックな光学系としている。
【0016】
マスクMを支持するマスクステージMSTは、マスクステージ駆動部MSTDにより少なくともY軸方向に移動可能に設けられており、マスクステージ駆動部MSTDは制御装置CONTにより駆動制御される。また、マスクステージMSTのXY方向における位置はレーザ干渉計11により検出される。レーザ干渉計11の検出結果は制御装置CONTに出力される。
【0017】
感光基板Pを支持する基板ステージPSTは、基板ステージ駆動部PSTDにより少なくともX軸方向及びY軸方向に移動可能に設けられており、基板ステージ駆動部PSTDは制御装置CONTにより駆動制御される。また、基板ステージPSTのXY方向における位置はレーザ干渉計13により検出される。レーザ干渉計13の検出結果は制御装置CONTに出力される。更に、基板ステージPSTに支持されている感光基板Pの表面(被露光面)のZ軸方向における位置は焦点位置検出系(AF検出系)12により検出される。AF検出系12は投光部12Aと受光部12Bとを有しており、投光部12Aから感光基板Pの表面に対して傾斜方向から照射された検出光は、感光基板Pの表面で反射した後、受光部12Bに受光される。受光部12Bの検出信号は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは受光部12Bの検出結果に基づいて感光基板PのZ軸方向における位置を求める。
【0018】
次に、図2を参照しながら、投影光学系PLについて説明する。
図2において、投影光学系(投影光学装置)PLは、屈折光学系20と、第1反射光学部材21と、第2反射光学部材22と、第3反射光学部材23とを備えている。屈折光学系20にはマスク(第1面)Mで反射し、マスクMのパターン情報を含む露光光ELが入射する。また、屈折光学系20は反射光学部材24を有している。第1、第2、及び第3反射光学部材21、22、及び23は光学的に接続されており、第1反射光学部材21は屈折光学系20からの露光光ELを反射し、第2反射光学部材22は第1反射光学部材21からの露光光ELを反射し、第3反射光学部材23は第2反射光学部材22からの露光光ELを反射し感光基板Pに導く。そして、これら3つの反射光学部材21、22、及び23により、感光基板P上にマスクMのパターンの縮小像を形成する反射縮小投影光学系が構成される。
【0019】
第1反射光学部材21は凸面状の反射面を有し、第2反射光学部材22は凹面状の反射面を有し、第3反射光学部材23は凹面状の反射面を有しており、これら3つの反射光学部材21、22、及び23はマスクMと感光基板Pとの間に配置される。第1反射光学部材21の反射面及び第3反射光学部材23の反射面は感光基板P側を向くように配置されており、第2反射光学部材22の反射面はマスクM側を向くように配置されている。
【0020】
そして、第2反射光学部材22が感光基板P側、第3反射光学部材23がマスクM側、第1反射光学部材21が第2反射光学部材22と第3反射光学部材23との間に配置されている。すなわち、第3反射光学部材23の頂点は第1反射光学部材21の頂点よりマスクM側に配置されており、第2反射光学部材22の頂点は第1反射光学部材21の頂点より感光基板P側に配置されている。更に、屈折光学系20の一部を構成する反射光学部材24の頂点は、第2反射光学部材22の頂点より感光基板P側に配置されている。なお、反射光学部材24は凹面状の反射面を有している。ここで、反射光学部材の頂点とは、反射面とその反射面の基準軸とが交差する点であり、反射面の基準軸とは、その反射面の頂点とその反射面の近軸曲率中心とを結ぶ軸を意味する。
【0021】
マスクMで反射した露光光ELは、投影光学系PLを通過して感光基板P上の投影領域内に所定の縮小倍率β(例えば|β|=1/4あるいは1/5など)のもとでマスクMのパターンの縮小像を形成する。なお、投影領域の形状は投影光学系PL内に設けられた不図示の視野絞りにより規定される。
【0022】
投影光学系PLは、3つの反射光学部材21、22、及び23のそれぞれを駆動する駆動装置41、42、及び43を有している。駆動装置41、42、及び43のそれぞれは、例えば圧電素子(ピエゾアクチュエータ)、あるいはボイスコイルモータなどにより構成されている。これら駆動装置41、42、及び43のそれぞれは制御装置CONTにより制御される。
【0023】
駆動装置41は第1反射光学部材21に接続し、この第1反射光学部材21を駆動する。駆動装置41は、制御装置CONTの制御のもとで、第1反射光学部材21を感光基板Pの表面と交差する方向、すなわち、θX方向及びθY方向を含む感光基板Pの表面に対する傾斜方向(図2中、破線参照)に駆動する。
駆動装置42は第2反射光学部材22に接続し、この第2反射光学部材22を駆動する。駆動装置42は、制御装置CONTの制御のもとで、第2反射光学部材21を感光基板Pの表面と平行な方向、すなわち、XY平面方向に駆動する。駆動装置43は第2反射光学部材23に接続し、この第3反射光学部材23を駆動する。駆動装置43は、制御装置CONTの制御のもとで、第3反射光学部材23を感光基板Pの表面と直交する方向、すなわち、Z軸方向に駆動する。
【0024】
そして、制御装置CONTは、駆動装置41、42、及び43を介して反射光学部材21、22、及び23のそれぞれを駆動することにより、感光基板Pに対するパターン像(投影像)の位置を制御することができる。例えば、制御装置CONTは第1反射光学部材21を駆動することにより、パターン像の傾きに関する位置(θX及びθY方向を含む傾斜方向の位置)を制御する。また、制御装置CONTは第3反射光学部材23を駆動することにより、パターン像の感光基板Pの表面と直交する方向の位置(Z軸方向の位置)を制御する。また、制御装置CONTは第2反射光学部材22を駆動することにより、パターン像の感光基板Pの表面と平行な方向の位置(XY平面方向の位置)を制御する。
【0025】
また、投影光学系PLは、反射光学部材21、22、及び23の位置を検出する検出装置61、62、及び63を備えている。この検出装置61、62、及び63はレーザ干渉計及び静電容量センサを含んで構成されており、レーザ干渉計により2つの反射光学部材間の距離を計測し、静電容量センサにより基準部材に対するXY方向への横ずれ量を計測する。検出装置61、62、及び63それぞれの検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは検出装置61、62、及び63の検出結果に基づいて、反射光学部材21、22、及び23の位置、ひいては反射光学部材間どうしの相対位置を求める。
【0026】
図1に戻って、投影光学系PLの近傍には露光光ELとほぼ同じ波長の光を射出できる第2光源31が設けられている。第2光源31から射出された光は、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23で反射されて検出器32に入射する。検出器32は、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23で反射された光のXY平面位置、Z方向の位置、傾きなどを検出し、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23が所望の位置に光を反射することができるかどうかを確認する。すなわち、第2光源31と検出器32とは、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23が駆動された際の光の位置をモニターするモニター装置を構成している。
【0027】
検出器32は、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23を駆動した際の光の位置に誤差がある場合には、その誤差量を制御装置CONTに出力する。制御装置CONTは、この誤差量に基づいて第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23の位置を補正する。
【0028】
第2光源31と検出器32とによる上記モニターは、感光基板Pの交換時やマスクMの交換時などの露光動作とは異なる動作をしているときに実行することができる。また、光源1からの露光光を光学的に送光して第2光源31としてもよい。なお、図面を簡単にするため、図2では第2光源31と検出器32とを省略している。
【0029】
露光処理を行う際には、まず、制御装置CONTは、マスクMに露光光を照射しない状態で感光基板Pを支持した基板ステージPSTを走査し、AF検出系12により感光基板Pの表面の複数点におけるZ軸方向の位置を検出する。制御装置CONTはAF検出系12の検出結果に基づいて、感光基板Pの表面形状データ、すなわち、感光基板PのZ軸方向の位置及び傾斜方向(θX及びθY方向)の位置に関する情報を求める。
【0030】
そして、感光基板Pの表面形状データを求めたら、制御装置CONTは照明光学系ILによりマスクMを露光光ELで照明しつつ、投影光学系PLに対してマスクM及び感光基板Pを、投影光学系PLの縮小倍率により設定される所定の速度比で走査し、感光基板P上の所定のショット領域内にマスクMのパターンを走査露光する。この走査露光中に、制御装置CONTは、前記求めた表面形状データに基づいて、投影光学系PLによるパターンの像面位置と感光基板Pの表面位置とが合致するように、駆動装置41、42、及び43を介して反射光学部材21、22、及び23を駆動しつつ走査露光を行う。これにより、基板ステージPSTをZ軸方向及び傾斜方向に駆動しなくてもパターンの像面と感光基板Pの表面とを合致させることができ、基板ステージPSTのレベリング補正をすることができる。なお、この場合、マスクステージMSTのレベリング補正をすることもできる。
【0031】
また、感光基板Pに対する投影像(パターン像)のXY方向の位置補正をする際、大まかな位置補正は基板ステージPSTの移動で行い、微小な位置補正は反射光学部材の駆動で行ことができる。これにより、基板ステージPSTのうち、XY方向へ移動するXYステージの機構及び制御を複雑化しなくても、パターン像のXY方向における位置補正を精度良く行うことができる。
【0032】
ここで、反射光学部材を駆動する際、制御装置CONTは検出装置61、62、及び63により反射光学部材間の相対位置をモニタしつつ、反射光学部材の駆動を行う。これにより、反射光学部材を所望の相対位置関係にしつつ、パターン像の位置制御を行うことができる。
【0033】
以上説明したように、投影光学系PLを構成する反射光学部材21、22、及び23を駆動することにより、投影光学系PLの像面の位置を調整することができる。したがって、基板ステージPSTに例えばレベリングステージやZステージといった複雑な機構を設けなくても、像面の傾きやZ軸方向の位置を調整できるので、所望の露光精度を維持したまま基板ステージを軽量化できる。そして、基板ステージが軽量化されることにより基板ステージの移動を高速化しても振動の発生が抑えられるので、精度良い露光処理を高スループットで行うことができる。
【0034】
なお、上記実施形態では、AF検出系12の検出結果に基づいて感光基板Pの表面形状データを求めた後、この求めた結果に基づいて反射光学部材それぞれの駆動制御をするように説明したが、AF検出系12により感光基板PのZ軸方向及び傾斜方向(θX及びθY方向)の位置情報を検出しつつ、反射光学部材を駆動するようにしてもよい。この場合、AF検出系12の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは、AF検出系12の検出結果に基づいて、投影光学系PLによるパターンの像面位置と感光基板Pの表面位置とが合致するように、駆動装置41、42、及び43を介して反射光学部材21、22、及び23を駆動しながら基板ステージPSTを走査しつつ、露光処理を行う。
【0035】
なお、上記実施形態では、反射光学部材は3つであるが、4つ以上あってもよい。ここで、反射光学部材が4つ以上ある場合には、この反射光学部材のうち少なくとも3つの反射光学部材を駆動することによってパターン像の位置調整を行うことができる。
【0036】
上記実施形態では、第1反射光学部材21が傾斜方向に駆動され、第2反射光学部材22がXY方向に駆動され、第3反射光学部材23がZ軸方向に駆動されうように説明したが、これに限定されない。例えば、第1反射光学部材21がXY方向に駆動され、第2反射光学部材22がZ軸方向に駆動され、第3反射光学部材23が傾斜方向に駆動されてもよい。更に、各反射光学部材21、22、及び23のそれぞれが、XY方向、Z軸方向、及び傾斜方向にそれぞれ駆動される構成でもよい。
【0037】
本実施形態のように露光光としてEUV光やF2レーザ光等の真空紫外光を用いる場合には、投影光学系PLとしては反射光学系を用いることが好ましい。なお、露光光としてエキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は、投影光学系としては硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料が用いられ、マスクとしては反射型タイプでなくてもよい。
【0038】
本実施形態の露光装置EXとして、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも適用することができる。
【0039】
露光装置EXの用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【0040】
本実施形態の露光装置EXに用いる露光光としては、g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)およびF2 レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV)などであってもよい。
【0041】
基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【0042】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニットとのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。
【0043】
基板ステージPSTの移動により発生する反力は、特開平8−166475号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【0044】
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、特開平8−330224号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【0045】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0046】
半導体デバイスは、図3に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
【0047】
【発明の効果】
投影光学装置を構成する少なくとも3つの反射光学部材を駆動することによりこの投影光学装置の像面の位置を調整できるので、基板ステージを大型化・複雑化することなく投影像と第2面である感光基板の被露光面とを合致させることができる。そして、基板ステージの軽量化が可能となるので、発熱が抑えられるとともに、基板ステージの移動を高速化しても振動の発生が抑えられるので、精度良い露光処理を高スループットで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の投影光学装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】図1における投影光学装置の拡大図である。
【図3】半導体デバイスの製造工程の一例を説明するフローチャート図である。
【符号の説明】
21…第1反射光学部材、 22…第2反射光学部材、
23…第3反射光学部材、 41、42、43…駆動装置、
61、62、63…検出装置、 CONT…制御装置、 EX…露光装置、
M…マスク(第1面)、 MST…マスクステージ、
P…感光基板(第2面)、 PL…投影光学系(投影光学装置)、
PST…基板ステージ
【発明の属する技術分野】
本発明は、第1面の物体の像を第2面に投影する投影光学装置、及びこの投影光学装置を備えた露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスや液晶表示デバイスを製造する際のフォトリソグラフィ工程で使用される露光装置は、パターンが形成されたマスクを支持するマスクステージと、感光基板を支持する基板ステージとを備えており、露光光で照明されたマスクのパターンの像をマスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながら投影光学系(投影光学装置)を介して感光基板上に投影するものである。近年において、パターンの微細化の要求はますます高まっているため、露光装置としてはより解像力の高いものが要求されている。この要求を満足するためには光源から射出される露光光の波長を短波長化し且つ光学系の開口数(NA)を大きくする必要があるが、露光光の波長が短くなると光の吸収のために実用に耐える光学ガラスが限られる。このため、屈折光学系又は反射屈折光学系で投影光学系を構成することは困難であるので、反射系のみで投影光学系を構成することが、例えば特開平9−211332号公報や特開平10−90602号公報に提案されている。
【0003】
【特許文献1】
特開平9−211332号公報
【特許文献2】
特開平10−90602号公報
【0004】
ところで、露光装置としては、基板上にマスクのパターン全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつマスクのパターンを連続的に基板上に転写する走査型露光装置との2種類が主に知られているが、いずれの露光装置においても、基板ステージは、並進方向に移動するXYステージと、パターンの像面と感光基板の表面(被露光面)とを合致させるためのZステージ及びレベリングステージとを有している。そして、これらステージにより感光基板のZ軸方向及び傾斜方向の位置調整を行いつつ露光処理が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した従来の露光装置において以下に述べる問題が生じる。
上述した従来の基板ステージは、XYステージ、Zステージ、及びレベリングステージといった複数のステージの組み合わせであり、構造が複雑化し重量も重くなる。そのため、スループット向上のためにステージ移動を高速化すると大きな振動が発生しやすくなり、露光精度に影響を及ぼす。更に、大重量化・複雑化することにより基板ステージを駆動するアクチュエータからの発熱量も大きくなるため、ステージや周囲の各種部材・装置が熱膨張し、これによっても露光精度が悪化する。
【0006】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基板ステージを大型化したり構造を複雑化したりすることなく、パターンの像面と感光基板の被露光面とを合致させることができる投影光学装置を提供することを第1の目的とする。また、この投影光学装置を用いることによりステージの移動を高速化でき、スループットを向上できる露光装置を提供することを第2の目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため本発明は、実施の形態に示す図1〜図3に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の投影光学装置(PL)は、第1面(M)の物体の像を第2面(P)に投影する投影光学装置において、光学的に接続された少なくとも3つの反射光学部材(21、22、23)と、3つの反射光学部材(21、22、23)のそれぞれを駆動する駆動装置(41、42、43)と、駆動装置(41、42、43)を制御して、第2面(P)に対する物体の像の位置を制御する制御装置(CONT)とを備えることを特徴とする。
本発明の露光装置(EX)は、マスク(M)のパターンを基板(P)に投影する投影光学装置を備えた露光装置において、投影光学装置は、上記記載の投影光学装置(PL)により構成されていることを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、投影光学装置を構成する少なくとも3つの反射光学部材を駆動することによりこの投影光学装置の像面の位置を調整することができる。したがって、基板ステージに例えばレベリングステージやZステージが無くても像面の傾きやZ方向の位置を調整でき、基板ステージを軽量化できる。そして、基板ステージが軽量化されることにより基板ステージの移動を高速化しても振動の発生が抑えられるので、精度良い露光処理を高スループットで行うことができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の投影光学装置及び露光装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の投影光学装置(投影光学系)を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図、図2は投影光学装置の拡大図である。
【0010】
図1において、露光装置EXは、マスク(レチクル)Mを支持するマスクステージMSTと、感光基板Pを支持する基板ステージPSTと、光源1からの光束を露光光ELに変換しマスクステージMSTに支持されているマスクMを露光光ELで照明する照明光学系ILと、露光光ELで照明されたマスク(第1面)Mのパターンの像を基板ステージPSTに支持されている感光基板(第2面)Pに投影する投影光学系(投影光学装置)PLとを備えている。本実施形態において、マスクMは反射型マスク(反射型レチクル)であり、マスクM上には露光光を反射する多層膜からなる反射膜が設けられており、この反射膜は感光基板P上へ転写すべきパターンの形状に応じたパターンとなっている。また、本実施形態において、露光装置EXは、この反射型マスクMに露光光ELを照射し、マスクMに形成されたパターンの一部の像を投影光学系PLを介して感光基板P上に投影しつつ、マスクMと感光基板Pとを投影光学系PLに対して1次元方向(Y軸方向)に同期移動している間に、マスクMのパターンの全体を感光基板P上の複数のショット領域のそれぞれにステップ・アンド・スキャン方式で投影露光する走査型露光装置である。また、本実施形態において、露光光ELには波長5〜15nm程度の軟X線領域の光(EUV光)が用いられる。EUV光は、大気に対する透過率が低いため、EUV光が通過する光路は真空チャンバVCにより覆われて外気より遮断されている。
【0011】
ここで、以下の説明において、感光基板Pの表面と平行な方向(水平方向)であってマスクMと感光基板Pとの走査方向(同期移動方向)をY軸方向、感光基板Pの表面と平行な方向であってY軸方向と直交する方向(非走査方向)をX軸方向、X軸及びY軸方向と直交する方向、すなわち感光基板Pの表面と直交する方向をZ軸方向とする。更に、X軸、Y軸、及びZ軸それぞれの軸まわり方向を、θX方向、θY方向、及びθZ方向とする。
【0012】
光源1は、赤外域〜可視域の波長のレーザ光を供給する機能を有し、例えば半導体レーザ励起によるYAGレーザやエキシマレーザ等を用いることができる。このレーザ光は第1集光光学系2により集光されて位置3に集光する。ノズル4は気体状の物体を位置3に向けて噴出し、この噴出された物体は位置3において高照度のレーザ光を受ける。このとき、噴出された物体がレーザ光のエネルギで高温になり、プラズマ状態に励起され、低ポテンシャル状態へ遷移する際にEUV光を放出する。この位置3の周囲には、第2集光光学系を構成する楕円鏡5が配置されており、この楕円鏡5は、その第1焦点が位置3とほぼ一致するように位置決めされている。楕円鏡5の内表面には、EUV光を反射するための多層膜が設けられており、ここで反射されたEUV光は、楕円鏡5の第2焦点で一度集光した後、第3集光光学系を構成するコリメート鏡としての放物面鏡6へ向かう。放物面鏡6は、その焦点が楕円鏡5の第2焦点位置とほぼ一致するように位置決めされており、その内表面には、EUV光を反射するための多層膜が設けられている。
【0013】
放物面鏡6から射出されるEUV光は、ほぼコリメートされた状態でオプティカルインテグレータとしての反射型フライアイ光学系7へ向かう。反射型フライアイ光学系7は、複数の反射面を集積した第1の反射素子群7Aと、第1の反射素子群7Aの複数の反射面と対応した複数の反射面を有する第2の反射素子群7Bとで構成されている。これら第1及び第2の反射素子群7A、7Bを構成する複数の反射面上にもEUV光を反射させるための多層膜が設けられている。放物面鏡6からのコリメートされたEUV光は、第1の反射素子群7Aにより波面分割され、各々の反射面からのEUV光が集光されて複数の光源像が形成される。これら複数の光源像が形成される位置の近傍のそれぞれには、第2の反射素子群7Bの複数の反射面が位置決めされており、これら第2の反射素子群7Bの複数の反射面は、実質的にフィールドミラーの機能を果たす。このように、反射型フライアイ光学系7は、放物面鏡6からの略平行光束に基づいて、2次光源としての多数の光源像を形成する。なお、このような反射型フライアイ光学系7については本願出願人による特願平10−47400号に提案されている。
【0014】
本実施形態では、2次光源の形状を制御するために、第2の反射素子群7B近傍には、第1開口絞りとしてのσ絞り8が設けられている。このσ絞り8は、例えば互いに形状が異なる複数の開口部をターレット状に設けたものからなる。そして、σ絞り制御ユニット8Aにより、どの開口部を光路内に配置するのかの制御が行われる。
【0015】
反射型フライアイ光学系7により形成された2次光源からのEUV光は、この2次光源位置の近傍が焦点位置となるように位置決めされたコンデンサミラー9へ向かい、このコンデンサミラー9にて反射集光された後に、光路折り曲げミラー10を介してマスクMに達する。これらコンデンサミラー9及び光路折り曲げミラー10の表面にはEUV光を反射させる多層膜が設けられている。そして、コンデンサミラー9は、2次光源から発するEUV光を集光して、マスクMを均一照明する。なお、本実施形態では、マスクMへ向かう照明光と、このマスクMにて反射されて投影光学系PLへ向かうEUV光との光路分離を空間的に行うために、照明光学系ILは非テレセントリック系であり、且つ投影光学系PLもマスク側非テレセントリックな光学系としている。
【0016】
マスクMを支持するマスクステージMSTは、マスクステージ駆動部MSTDにより少なくともY軸方向に移動可能に設けられており、マスクステージ駆動部MSTDは制御装置CONTにより駆動制御される。また、マスクステージMSTのXY方向における位置はレーザ干渉計11により検出される。レーザ干渉計11の検出結果は制御装置CONTに出力される。
【0017】
感光基板Pを支持する基板ステージPSTは、基板ステージ駆動部PSTDにより少なくともX軸方向及びY軸方向に移動可能に設けられており、基板ステージ駆動部PSTDは制御装置CONTにより駆動制御される。また、基板ステージPSTのXY方向における位置はレーザ干渉計13により検出される。レーザ干渉計13の検出結果は制御装置CONTに出力される。更に、基板ステージPSTに支持されている感光基板Pの表面(被露光面)のZ軸方向における位置は焦点位置検出系(AF検出系)12により検出される。AF検出系12は投光部12Aと受光部12Bとを有しており、投光部12Aから感光基板Pの表面に対して傾斜方向から照射された検出光は、感光基板Pの表面で反射した後、受光部12Bに受光される。受光部12Bの検出信号は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは受光部12Bの検出結果に基づいて感光基板PのZ軸方向における位置を求める。
【0018】
次に、図2を参照しながら、投影光学系PLについて説明する。
図2において、投影光学系(投影光学装置)PLは、屈折光学系20と、第1反射光学部材21と、第2反射光学部材22と、第3反射光学部材23とを備えている。屈折光学系20にはマスク(第1面)Mで反射し、マスクMのパターン情報を含む露光光ELが入射する。また、屈折光学系20は反射光学部材24を有している。第1、第2、及び第3反射光学部材21、22、及び23は光学的に接続されており、第1反射光学部材21は屈折光学系20からの露光光ELを反射し、第2反射光学部材22は第1反射光学部材21からの露光光ELを反射し、第3反射光学部材23は第2反射光学部材22からの露光光ELを反射し感光基板Pに導く。そして、これら3つの反射光学部材21、22、及び23により、感光基板P上にマスクMのパターンの縮小像を形成する反射縮小投影光学系が構成される。
【0019】
第1反射光学部材21は凸面状の反射面を有し、第2反射光学部材22は凹面状の反射面を有し、第3反射光学部材23は凹面状の反射面を有しており、これら3つの反射光学部材21、22、及び23はマスクMと感光基板Pとの間に配置される。第1反射光学部材21の反射面及び第3反射光学部材23の反射面は感光基板P側を向くように配置されており、第2反射光学部材22の反射面はマスクM側を向くように配置されている。
【0020】
そして、第2反射光学部材22が感光基板P側、第3反射光学部材23がマスクM側、第1反射光学部材21が第2反射光学部材22と第3反射光学部材23との間に配置されている。すなわち、第3反射光学部材23の頂点は第1反射光学部材21の頂点よりマスクM側に配置されており、第2反射光学部材22の頂点は第1反射光学部材21の頂点より感光基板P側に配置されている。更に、屈折光学系20の一部を構成する反射光学部材24の頂点は、第2反射光学部材22の頂点より感光基板P側に配置されている。なお、反射光学部材24は凹面状の反射面を有している。ここで、反射光学部材の頂点とは、反射面とその反射面の基準軸とが交差する点であり、反射面の基準軸とは、その反射面の頂点とその反射面の近軸曲率中心とを結ぶ軸を意味する。
【0021】
マスクMで反射した露光光ELは、投影光学系PLを通過して感光基板P上の投影領域内に所定の縮小倍率β(例えば|β|=1/4あるいは1/5など)のもとでマスクMのパターンの縮小像を形成する。なお、投影領域の形状は投影光学系PL内に設けられた不図示の視野絞りにより規定される。
【0022】
投影光学系PLは、3つの反射光学部材21、22、及び23のそれぞれを駆動する駆動装置41、42、及び43を有している。駆動装置41、42、及び43のそれぞれは、例えば圧電素子(ピエゾアクチュエータ)、あるいはボイスコイルモータなどにより構成されている。これら駆動装置41、42、及び43のそれぞれは制御装置CONTにより制御される。
【0023】
駆動装置41は第1反射光学部材21に接続し、この第1反射光学部材21を駆動する。駆動装置41は、制御装置CONTの制御のもとで、第1反射光学部材21を感光基板Pの表面と交差する方向、すなわち、θX方向及びθY方向を含む感光基板Pの表面に対する傾斜方向(図2中、破線参照)に駆動する。
駆動装置42は第2反射光学部材22に接続し、この第2反射光学部材22を駆動する。駆動装置42は、制御装置CONTの制御のもとで、第2反射光学部材21を感光基板Pの表面と平行な方向、すなわち、XY平面方向に駆動する。駆動装置43は第2反射光学部材23に接続し、この第3反射光学部材23を駆動する。駆動装置43は、制御装置CONTの制御のもとで、第3反射光学部材23を感光基板Pの表面と直交する方向、すなわち、Z軸方向に駆動する。
【0024】
そして、制御装置CONTは、駆動装置41、42、及び43を介して反射光学部材21、22、及び23のそれぞれを駆動することにより、感光基板Pに対するパターン像(投影像)の位置を制御することができる。例えば、制御装置CONTは第1反射光学部材21を駆動することにより、パターン像の傾きに関する位置(θX及びθY方向を含む傾斜方向の位置)を制御する。また、制御装置CONTは第3反射光学部材23を駆動することにより、パターン像の感光基板Pの表面と直交する方向の位置(Z軸方向の位置)を制御する。また、制御装置CONTは第2反射光学部材22を駆動することにより、パターン像の感光基板Pの表面と平行な方向の位置(XY平面方向の位置)を制御する。
【0025】
また、投影光学系PLは、反射光学部材21、22、及び23の位置を検出する検出装置61、62、及び63を備えている。この検出装置61、62、及び63はレーザ干渉計及び静電容量センサを含んで構成されており、レーザ干渉計により2つの反射光学部材間の距離を計測し、静電容量センサにより基準部材に対するXY方向への横ずれ量を計測する。検出装置61、62、及び63それぞれの検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは検出装置61、62、及び63の検出結果に基づいて、反射光学部材21、22、及び23の位置、ひいては反射光学部材間どうしの相対位置を求める。
【0026】
図1に戻って、投影光学系PLの近傍には露光光ELとほぼ同じ波長の光を射出できる第2光源31が設けられている。第2光源31から射出された光は、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23で反射されて検出器32に入射する。検出器32は、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23で反射された光のXY平面位置、Z方向の位置、傾きなどを検出し、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23が所望の位置に光を反射することができるかどうかを確認する。すなわち、第2光源31と検出器32とは、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23が駆動された際の光の位置をモニターするモニター装置を構成している。
【0027】
検出器32は、第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23を駆動した際の光の位置に誤差がある場合には、その誤差量を制御装置CONTに出力する。制御装置CONTは、この誤差量に基づいて第1反射光学部材21、第2反射光学部材22、第3反射光学部材23の位置を補正する。
【0028】
第2光源31と検出器32とによる上記モニターは、感光基板Pの交換時やマスクMの交換時などの露光動作とは異なる動作をしているときに実行することができる。また、光源1からの露光光を光学的に送光して第2光源31としてもよい。なお、図面を簡単にするため、図2では第2光源31と検出器32とを省略している。
【0029】
露光処理を行う際には、まず、制御装置CONTは、マスクMに露光光を照射しない状態で感光基板Pを支持した基板ステージPSTを走査し、AF検出系12により感光基板Pの表面の複数点におけるZ軸方向の位置を検出する。制御装置CONTはAF検出系12の検出結果に基づいて、感光基板Pの表面形状データ、すなわち、感光基板PのZ軸方向の位置及び傾斜方向(θX及びθY方向)の位置に関する情報を求める。
【0030】
そして、感光基板Pの表面形状データを求めたら、制御装置CONTは照明光学系ILによりマスクMを露光光ELで照明しつつ、投影光学系PLに対してマスクM及び感光基板Pを、投影光学系PLの縮小倍率により設定される所定の速度比で走査し、感光基板P上の所定のショット領域内にマスクMのパターンを走査露光する。この走査露光中に、制御装置CONTは、前記求めた表面形状データに基づいて、投影光学系PLによるパターンの像面位置と感光基板Pの表面位置とが合致するように、駆動装置41、42、及び43を介して反射光学部材21、22、及び23を駆動しつつ走査露光を行う。これにより、基板ステージPSTをZ軸方向及び傾斜方向に駆動しなくてもパターンの像面と感光基板Pの表面とを合致させることができ、基板ステージPSTのレベリング補正をすることができる。なお、この場合、マスクステージMSTのレベリング補正をすることもできる。
【0031】
また、感光基板Pに対する投影像(パターン像)のXY方向の位置補正をする際、大まかな位置補正は基板ステージPSTの移動で行い、微小な位置補正は反射光学部材の駆動で行ことができる。これにより、基板ステージPSTのうち、XY方向へ移動するXYステージの機構及び制御を複雑化しなくても、パターン像のXY方向における位置補正を精度良く行うことができる。
【0032】
ここで、反射光学部材を駆動する際、制御装置CONTは検出装置61、62、及び63により反射光学部材間の相対位置をモニタしつつ、反射光学部材の駆動を行う。これにより、反射光学部材を所望の相対位置関係にしつつ、パターン像の位置制御を行うことができる。
【0033】
以上説明したように、投影光学系PLを構成する反射光学部材21、22、及び23を駆動することにより、投影光学系PLの像面の位置を調整することができる。したがって、基板ステージPSTに例えばレベリングステージやZステージといった複雑な機構を設けなくても、像面の傾きやZ軸方向の位置を調整できるので、所望の露光精度を維持したまま基板ステージを軽量化できる。そして、基板ステージが軽量化されることにより基板ステージの移動を高速化しても振動の発生が抑えられるので、精度良い露光処理を高スループットで行うことができる。
【0034】
なお、上記実施形態では、AF検出系12の検出結果に基づいて感光基板Pの表面形状データを求めた後、この求めた結果に基づいて反射光学部材それぞれの駆動制御をするように説明したが、AF検出系12により感光基板PのZ軸方向及び傾斜方向(θX及びθY方向)の位置情報を検出しつつ、反射光学部材を駆動するようにしてもよい。この場合、AF検出系12の検出結果は制御装置CONTに出力され、制御装置CONTは、AF検出系12の検出結果に基づいて、投影光学系PLによるパターンの像面位置と感光基板Pの表面位置とが合致するように、駆動装置41、42、及び43を介して反射光学部材21、22、及び23を駆動しながら基板ステージPSTを走査しつつ、露光処理を行う。
【0035】
なお、上記実施形態では、反射光学部材は3つであるが、4つ以上あってもよい。ここで、反射光学部材が4つ以上ある場合には、この反射光学部材のうち少なくとも3つの反射光学部材を駆動することによってパターン像の位置調整を行うことができる。
【0036】
上記実施形態では、第1反射光学部材21が傾斜方向に駆動され、第2反射光学部材22がXY方向に駆動され、第3反射光学部材23がZ軸方向に駆動されうように説明したが、これに限定されない。例えば、第1反射光学部材21がXY方向に駆動され、第2反射光学部材22がZ軸方向に駆動され、第3反射光学部材23が傾斜方向に駆動されてもよい。更に、各反射光学部材21、22、及び23のそれぞれが、XY方向、Z軸方向、及び傾斜方向にそれぞれ駆動される構成でもよい。
【0037】
本実施形態のように露光光としてEUV光やF2レーザ光等の真空紫外光を用いる場合には、投影光学系PLとしては反射光学系を用いることが好ましい。なお、露光光としてエキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は、投影光学系としては硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料が用いられ、マスクとしては反射型タイプでなくてもよい。
【0038】
本実施形態の露光装置EXとして、マスクMと基板Pとを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも適用することができる。
【0039】
露光装置EXの用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適当できる。
【0040】
本実施形態の露光装置EXに用いる露光光としては、g線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)等の遠紫外光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)およびF2 レーザ光(波長157nm)等の真空紫外光(VUV)などであってもよい。
【0041】
基板ステージPSTやマスクステージMSTにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【0042】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニット(永久磁石)と電機子ユニットとのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側(ベース)に設ければよい。
【0043】
基板ステージPSTの移動により発生する反力は、特開平8−166475号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【0044】
マスクステージMSTの移動により発生する反力は、特開平8−330224号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【0045】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0046】
半導体デバイスは、図3に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するステップ202、デバイスの基材である基板を製造するステップ203、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検査ステップ206等を経て製造される。
【0047】
【発明の効果】
投影光学装置を構成する少なくとも3つの反射光学部材を駆動することによりこの投影光学装置の像面の位置を調整できるので、基板ステージを大型化・複雑化することなく投影像と第2面である感光基板の被露光面とを合致させることができる。そして、基板ステージの軽量化が可能となるので、発熱が抑えられるとともに、基板ステージの移動を高速化しても振動の発生が抑えられるので、精度良い露光処理を高スループットで行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の投影光学装置を備えた露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図2】図1における投影光学装置の拡大図である。
【図3】半導体デバイスの製造工程の一例を説明するフローチャート図である。
【符号の説明】
21…第1反射光学部材、 22…第2反射光学部材、
23…第3反射光学部材、 41、42、43…駆動装置、
61、62、63…検出装置、 CONT…制御装置、 EX…露光装置、
M…マスク(第1面)、 MST…マスクステージ、
P…感光基板(第2面)、 PL…投影光学系(投影光学装置)、
PST…基板ステージ
Claims (8)
- 第1面の物体の像を第2面に投影する投影光学装置において、光学的に接続された少なくとも3つの反射光学部材と、
前記3つの反射光学部材のそれぞれを駆動する駆動装置と、
前記駆動装置を制御して、前記第2面に対する前記物体の像の位置を制御する制御装置とを備えることを特徴とする投影光学装置。 - 前記制御装置は、前記物体の像の傾きに関する位置を制御することを特徴とする請求項1記載の投影光学装置。
- 前記制御装置は、前記物体の像の前記第2面と直交する方向の位置を制御することを特徴とする請求項1又は2記載の投影光学装置。
- 前記反射光学部材のうちの少なくとも2つの反射光学部材の相対位置を検出する検出装置を備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の投影光学装置。
- 前記反射光学部材は、第1反射光学部材と第2反射光学部材と第3反射光学部材とを有し、
前記駆動装置は、前記第1反射光学部材を前記第2面と交差する方向に駆動し、前記第2反射光学部材を前記第2面と平行な方向に駆動し、前記第3反射光学部材を前記第2面と直交する方向に駆動することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載の投影光学装置。 - マスクのパターンを基板に投影する投影光学装置を備えた露光装置において、
前記投影光学装置は、請求項1〜請求項5のいずれか一項記載の投影光学装置により構成されていることを特徴とする露光装置。 - 前記マスクを支持するマスクステージと、
前記基板を支持する基板ステージとを備え、
前記制御装置は、前記反射光学部材のそれぞれを駆動し、前記マスクステージ及び前記基板ステージのうち少なくともいずれか一方のレベリング補正をすることを特徴とする請求項6記載の露光装置。 - 前記露光装置は、前記マスクと前記基板とを同期移動している間に、前記パターンを前記基板に投影する走査型露光装置であることを特徴とする請求項6又は7記載の露光装置。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7518706B2 (en) | 2004-12-27 | 2009-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, a tilting device method for performing a tilted focus test, and a device manufactured accordingly |
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-
2002
- 2002-09-26 JP JP2002281067A patent/JP2004119695A/ja active Pending
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