JP2004111526A - Optical communication module - Google Patents

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JP2004111526A
JP2004111526A JP2002270057A JP2002270057A JP2004111526A JP 2004111526 A JP2004111526 A JP 2004111526A JP 2002270057 A JP2002270057 A JP 2002270057A JP 2002270057 A JP2002270057 A JP 2002270057A JP 2004111526 A JP2004111526 A JP 2004111526A
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Japan
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temperature
wavelength
optical fiber
semiconductor lasers
semiconductor laser
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Withdrawn
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JP2002270057A
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Kenji Matsumoto
松本 研司
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Fujifilm Holdings Corp
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Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical communication module in which high output signal light can be sent from a fiber exit even when an operating temperature of a semiconductor laser which is a signal light source changes. <P>SOLUTION: Laser beams 13 and 14 of signal light emitted from a plurality of semiconductor lasers 11 and 12 on which emitted light wavelengths in a common temperature are mutually different are made incident to one multi-mode optical fiber 18 of which the propagation loss changes in accordance with the wavelength of propagating light, and the laser beams 13 and 14 are commonly modulated by a modulation means 20. Temperatures of the semiconductor lasers 11 and 12 are then detected by a temperature detecting means 22, and a semiconductor laser of which the emitted light wavelength in the detected temperature becomes a wavelength minimizing the propagation loss is selected and driven in the plurality of semiconductor lasers 11 and 12 by a drive switching means 21 which receives a signal S2 indicating the detected temperature from the temperature detecting means 22. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザーから発せられるレーザービームを変調させ、この変調されたレーザービームをマルチモード光ファイバーを介して伝送させる光通信用モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、光通信における光の伝搬路としては、石英ガラスを主材料としたシングルモード光ファイバー、もしくはマルチモード光ファイバーが一般に用いられている。この種の光ファイバーの直径は200μm以下であり、アライメントにおいてもミクロン単位の高精度の位置合わせが必要となっている。そのため、工事現場等の一般環境下におけるファイバー敷設作業は容易ならざるものがあり、これが一段の普及への大きな妨げとなっている。そこで近時、直径の大きなプラスチックファイバーも種々開発されるに至っている。非特許文献1には、この種のプラスチックファイバーの一つが開示されている。
【0003】
他方、光ファイバーを伝搬させる光を発生させる光源としては、小型軽量で直接変調も可能な半導体レーザーが多く適用されている。
【0004】
【非特許文献1】
小池康博、宮田清蔵監修、「プラスチックオプティカルファイバの基礎と実際」、株式会社エヌ・ティー・エス、2000年、p.84−87
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、PMMA(ポリメチルメタクリレート)を基本材料にしたプラスチックファイバーでは、低損失で伝送に適した波長が650nm近傍に限られるため、半導体レーザーを光源に用いる場合は以下の問題が認められる。
【0006】
半導体レーザーの基本的な性質として、動作温度が変化すると発光波長が変化することが良く知られている。具体的にGaAs系半導体レーザでは、動作温度が上昇するにつれて発光波長は0.2nm/℃程度の割合で長波長化する。そして、この発光波長の変化が以下の問題を招く。
【0007】
図8の(a)、(b)はそれぞれ光ファイバー入口、出口での光出力を示すものであるが、室温において光ファイバーの伝搬損失が低い(つまり伝搬効率が高い)波長で発光する半導体レーザーを用いた場合は、それらの図に実線で示す様に、室温下ではファイバー出口における光出力も大きく、良好な通信が可能である。ところが、環境温度は当然季節等に応じて変化し、また半導体レーザーが設置された機器自身の発熱による温度上昇もあるので、半導体レーザーの動作温度は一定ではない。例えば、半導体レーザーの環境動作温度が上昇した場合、発光波長は同図に破線で示すように長波長側に変化する。その結果、光ファイバーを低損失で伝搬できる最適波長から外れ、ファイバー出口で光出力は大幅に低下し、通信が困難となる。
【0008】
上述の理由による光出力の低下を、半導体レーザーの駆動電流を上げて、光出力を増大させることで補う手法も考えられているが、そのようにした場合は、半導体レーザーの寿命が短くなるという問題を招く。
【0009】
また、ペルチェ素子等を用いて半導体レーザーの動作温度を一定に制御することで、発光波長を最適波長に維持することも考えられるが、その場合は温度制御のために多大なコストを要し、それが通信コストを増大させる要因になってしまう。
【0010】
本発明は上記の事情に鑑み、信号光源である半導体レーザーの動作温度が変化しても、ファイバー出口から高出力の信号光を送出することができる光通信用モジュールを提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明による第1の光通信用モジュールは、
伝搬損失が伝搬光の波長に応じて変化する1本のマルチモード光ファイバーと、
このマルチモード光ファイバーに信号光としてのレーザービームを入射させる、共通温度下での発光波長が互いに異なる複数の半導体レーザーと、
前記複数の半導体レーザーからそれぞれ出射するレーザービームを、所定の情報に基づいて互いに共通に変調する変調手段と、
前記半導体レーザーの温度を検出する温度検出手段と、
この温度検出手段から検出温度を示す信号を受けて、前記複数の半導体レーザーの中から、該検出温度下での発光波長が前記伝搬損失を最低にする波長となる半導体レーザーを選んで駆動させる駆動切替手段とからなることを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明による第2の光通信用モジュールは、
伝搬損失が伝搬光の波長に応じて変化する1本のマルチモード光ファイバーと、
このマルチモード光ファイバーに信号光としてのレーザービームを入射させる、共通温度下での発光波長が互いに異なる複数の半導体レーザーと、
前記複数の半導体レーザーからそれぞれ出射するレーザービームを、所定の情報に基づいて互いに共通に変調する変調手段とからなることを特徴とするものである。
【0013】
【発明の効果】
本発明による第1の光通信用モジュールは、共通温度下での発光波長が互いに異なる複数の半導体レーザーを光源として用いるとともに、それらの半導体レーザーの中から、検出温度下での発光波長がマルチモード光ファイバーの伝搬損失を最低にする波長となる半導体レーザーを選んで駆動させるように構成されているので、半導体レーザーの動作温度が変化しても、ファイバー出口から常に高出力の信号光を送出することが可能になる。
【0014】
以下、上記の点について、図面を参照してさらに詳しく説明する。半導体レーザーを一例として2個用い、一方の半導体レーザーAは第1の温度のときマルチモード光ファイバーの伝搬損失を最低にする波長(以下これを「最適波長」という)で発光し、別の半導体レーザーBは、上記第1の温度より高温の第2の温度のとき上記最適波長で発光するものとする。ちなみに、半導体半導体レーザーの発光波長は一般に温度が上昇すると長波長化するので、半導体レーザーA、Bを同じ温度で駆動させると、前者が長波長側で、後者が短波長側で発光することになる。
【0015】
そして前記駆動切替手段は、上記第1の温度と第2の温度との間に設定された所定温度において、駆動させる半導体レーザーの切り替えを行うようにする(勿論ながら、第1の温度近傍では半導体レーザーAを、第2の温度近傍では半導体レーザーBを駆動させる)。具体的により望ましくは、(a)、(b)にそれぞれ光ファイバー入口、出口での光出力を示す図2に表示するように、半導体レーザーA、Bがともに駆動したとき、それらからのレーザービームが互いに同程度の損失で伝搬するようになる温度近傍が切り替え温度として選ばれる。なおこの図2および後述の図3〜5では、半導体レーザーA、Bの光出力を各々A、Bと表示してある。また図3〜5でも図2と同様に、(a)、(b)にそれぞれ光ファイバー入口、出口での光出力を示す。
【0016】
次に、上記構成における動作を説明する。ここでは、動作環境温度が低温から高温へ変化して行く場合について説明する。まず低温領域では、半導体レーザーAが駆動される(図3中の実線)。このとき、発光波長はファイバーの低損失領域にあるので、良好な通信が行われる。なお、仮に半導体レーザーBが発光した場合は、同図に破線で示す発光波長となる。
【0017】
そこから動作環境温度が上昇すると、それに伴って半導体レーザーAの発光波長は長波長側に変化して行く。こうして温度が切り替え温度に到達すると、図4に示すように半導体レーザーBが駆動される。前述した通りこの半導体レーザーBは、元々、切り替え温度より高い温度のとき最適波長で発光するものである。そこで、さらに温度が上昇しても、図5から明らかなように、半導体レーザーAを駆動させた場合よりも強い信号光がファイバー出口から出射するようになり、良好な通信状態が維持される。
【0018】
なお、駆動する半導体レーザーが上記のように切り替えられても、それらの半導体レーザーは所定の情報に基づいて互いに共通に変調されるようになっているから、この切り替えがなされても、通信自体はエラーや途切れを招くことなく正常になされ得る。
【0019】
また、本発明による第2の光通信用モジュールは、上記第1の光通信用モジュールから温度検出手段および駆動切替手段が省かれた形のものである。すなわちこの第2の光通信用モジュールにおいては、最適波長あるいはそれに近い波長の信号光がマルチモード光ファイバーを伝搬するのに加えて、それから外れた波長の信号光も比較的大きな損失の下にマルチモード光ファイバーを伝搬するだけのことであって、この場合も、低温から高温に至る範囲で高強度の信号光をマルチモード光ファイバーから送出可能であるという上述の効果をそのまま得ることができる。
【0020】
以上説明の通り本発明によれば、ペルチェ素子のような高価な部品を使うことなく、低温から高温に至るまで、光ファイバーの損失を低く抑え得る波長の信号光を供給可能となり、良好な通信を維持することができる。そして、このような本発明の光通信用モジュールを用いることで、大口径の光ファイバーによる大容量光通信も可能となる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【0022】
図1は、本発明の第1の実施の形態による光通信用モジュールの概略構成を示すものである。この光通信用モジュールは、第1の半導体レーザー11および第2の半導体レーザー12と、これらの半導体レーザー11および12からそれぞれ発散光として射出された信号光としてのレーザービーム13、14を各々平行光化するコリメーターレンズ15、16と、平行光となったレーザービーム13、14を1点に収束させる集光レンズ17と、これらのレーザービーム13、14の収束位置に入射端18aが位置するように配置されたマルチモード光ファイバー18とを有している。
【0023】
また、1つの変調駆動回路20が出力する変調駆動信号S1が、駆動切替回路21を介して上記半導体レーザー11、12の1つに択一的に入力されるようになっている。そしてこの駆動切替回路21には、半導体レーザー11、12の温度を検出する例えばサーミスタ等からなる温度検出手段22が接続されている。駆動切替回路21はこの温度検出手段22が出力する温度検出信号S2に基づいて、変調駆動信号S1を入力する半導体レーザー11、12を切り替えるように構成されている。
【0024】
したがって、変調駆動信号S1が半導体レーザー11に入力された場合は、この変調駆動信号S1に基づいて変調された信号光としてのレーザービーム13がマルチモード光ファイバー18のコア18bに入射してそこを伝搬し、変調駆動信号S1が半導体レーザー12に入力された場合は、この変調駆動信号S1に基づいて変調された信号光としてのレーザービーム14がマルチモード光ファイバー18のコア18bに入射してそこを伝搬する。
【0025】
ここで上記マルチモード光ファイバー18は、一例としてPMMAを基本材料にしたプラスチックファイバーで、直径1mm、コア径200〜500μm程度、長さ100mのものが使用されている。このマルチモード光ファイバー18の伝搬損失は伝搬光の波長に応じて変化し、伝搬損失が最低となる最適波長は650nmであり、伝搬光波長がこの最適波長から5nmずれると伝搬効率は最適波長時の約40%に、10nmずれると伝搬効率は最適波長時の約15%に低下する。なお、上記プラスチックファイバーとしてはグレーデッドインデックス型のものを使用するのが望ましく、またその直径は一般に800μm程度以上であることが好ましい。
【0026】
本実施の形態では動作環境温度を−20〜80℃の範囲とし、半導体レーザー11は−20℃以上30℃未満の範囲で、また半導体レーザー12は30〜80℃の範囲で動作させる。つまり駆動切替回路21は、温度検出信号S2が示す温度が30℃未満のとき半導体レーザー11を駆動させ、この温度が30℃以上のとき別の半導体レーザー12を駆動させる。
【0027】
これらの半導体レーザー11、12は、共通温度下での発光波長が互いに異なるものであり、具体的に半導体レーザー11の発光波長は−20℃、5℃、30℃においてそれぞれ645nm、650nm、655nmであるのに対し、半導体レーザー12の発光波長は30℃、55℃、80℃においてそれぞれ645nm、650nm、655nmである。なお上記から明らかな通り、半導体レーザー11、12の発光波長の温度特性は共に0.2nm/℃である。
【0028】
以下、この光通信用モジュールの作用について説明する。まず低温側で半導体レーザー11が駆動するとき、動作環境温度が−20℃において発光波長は645nmとなり、マルチモード光ファイバー18の伝搬効率は最適波長時の約40%となる。そこから温度が上昇すると、半導体レーザー11の発光波長は長波長側にシフトして、マルチモード光ファイバー18の損失は漸減(伝搬効率が上昇)し、動作環境温度が5℃で上記発光波長が650nmになると損失が最低となり、ほとんど30℃で発光波長が655nmになると伝搬効率は最適波長時の約40%となる。このようにして、動作環境温度が−20℃以上30℃未満の範囲において、マルチモード光ファイバー18の伝搬効率は最低でも最適波長時の約40%以上に保たれる。
【0029】
一方、動作環境温度が30℃以上になると半導体レーザー12が駆動され、30℃において発光波長は645nmとなり、マルチモード光ファイバー18の伝搬効率は最適波長時の約40%となる。そこから温度が上昇すると、半導体レーザー12の発光波長は長波長側にシフトして、マルチモード光ファイバー18の損失は漸減し、動作環境温度が55℃で発光波長が650nmになると損失が最低となり、80℃で発光波長が655nmになると伝搬効率は最適波長時の約40%となる。このようにして、動作環境温度が30〜80℃の範囲においても、マルチモード光ファイバー18の伝搬効率は最低でも最適波長時の約40%以上に保たれる。
【0030】
以上の通り本実施の形態では、−20〜80℃の動作温度範囲において、マルチモード光ファイバー18の伝搬効率は最低でも最適波長時の約40%以上に保たれる。それに対して、1個の半導体レーザーを用いて−20〜80℃の範囲で動作させた場合には、+/−10nmの波長変化が発生するので、マルチモード光ファイバー18からの光出力は、最悪の場合、最適波長時の15%にまで低下してしまう。そのような状態下では、良好な通信を行うことは困難である。
【0031】
なお、半導体レーザー11、12の駆動をある1つの所定温度で切り替えるようにしておくと、たまたま温度の近傍において動作する場合、頻繁に切り替わりが発生して、通信に支障が生ずる場合もある。そこで、一般的にとられる手法であるが、ヒステリシスを持たせることで、この頻繁な切り替わりを避けることができる。
【0032】
すなわち、第1の温度とそれより若干高い第2の温度を設定し、低温用半導体レーザー11から高温用半導体レーザー12には第2の温度で切り替わり、高温用半導体レーザー12から低温用半導体レーザー11には第1の温度で切り替わるようにする。そのように構成した場合は、一旦低温用半導体レーザー11が動作すれば、第1の温度近傍で温度が変動してもそのまま低温用半導体レーザー11が動作する。そして、第2の温度まで温度が上昇したところで、初めて高温用半導体レーザー12に切り替わる。こうして、一旦高温用半導体レーザー12が動作すれば、第2の温度近傍で温度が変動してもそのまま低温用半導体レーザー12が動作する。
【0033】
また、上述のように2つの半導体レーザー11、12を用いた場合、レーザービーム13、14がマルチモード光ファイバー18に十分に入力し得るかという懸念もあるが、コア径が細い光ファイバーに光を結合する場合とは異なり、コア径の太いプラスチックファイバーにとっては大きな問題ではない。
【0034】
次に、図6を参照して本発明の第2の実施の形態について説明する。なおこの図6において、図1中の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについての説明は特に必要のない限り省略する(以下、同様)。
【0035】
この第2の実施の形態の光通信用モジュールは、図1のものと比べると、駆動切替回路21および温度検出手段22が省かれた点が異なるものである。すなわち本実施の形態では、2つの半導体レーザー11、12が同時に駆動される。図1の装置では、波長が645〜655nmの範囲にあるレーザービーム13あるいは14がマルチモード光ファイバー18を伝搬するのに対し、本実施の形態ではそのようなレーザービームに加えて、波長が645nm以下のレーザービーム14あるいは波長が655nm以上のレーザービーム13もマルチモード光ファイバー18を伝搬するだけのことであって、この場合も、低温から高温に至る範囲で高強度の信号光をマルチモード光ファイバー18から送出可能であるという本発明の効果をそのまま得ることができる。
【0036】
次に、図7を参照して本発明の第3の実施の形態について説明する。この第3の実施の形態の光通信用モジュールは、図1のものと比べると、2つのコリメーターレンズ15、16および集光レンズ17に代わるものとして、1つの集光レンズ30が用いられている点が異なるものである。このような集光レンズ30を用いることにより、光学系の構成を簡素化することができる。
【0037】
以上、2個の半導体レーザーを用いた実施の形態を示したが、本発明で用いられる半導体レーザーの数はこの2個に限られるものではなく、2個以上何個の半導体レーザーが用いられてもよい。
【0038】
また、上記実施の形態では、個別に形成された複数の半導体レーザーが用いられているが、複数の半導体レーザーを同一基板上に作製したものを使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による光通信用モジュールを示す概略構成図
【図2】本発明の光通信用モジュールの作用を説明する説明図
【図3】本発明の光通信用モジュールの作用を説明する説明図
【図4】本発明の光通信用モジュールの作用を説明する説明図
【図5】本発明の光通信用モジュールの作用を説明する説明図
【図6】本発明の第2の実施の形態による光通信用モジュールを示す概略構成図
【図7】本発明の第3の実施の形態による光通信用モジュールを示す概略構成図
【図8】従来の光通信用モジュールにおける問題を説明する説明図
【符号の説明】
11、12  半導体レーザー
13、14  レーザービーム
15、16  コリメーターレンズ
17  集光レンズ
18  マルチモード光ファイバー
20  変調駆動回路
21  駆動切替回路
22  温度検出手段
30  集光レンズ
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical communication module that modulates a laser beam emitted from a semiconductor laser and transmits the modulated laser beam via a multimode optical fiber.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a single-mode optical fiber or a multi-mode optical fiber mainly made of quartz glass has been used as a light propagation path in optical communication. The diameter of this type of optical fiber is 200 μm or less, and high-precision alignment in the order of microns is required for alignment. For this reason, fiber laying work in a general environment such as a construction site is not easy, and this greatly hinders further spread. Recently, various plastic fibers with large diameters have been developed. Non-Patent Document 1 discloses one such plastic fiber.
[0003]
On the other hand, as a light source for generating light propagating through an optical fiber, many semiconductor lasers that are small and light and can be directly modulated are applied.
[0004]
[Non-Patent Document 1]
Supervised by Yasuhiro Koike and Kiyozo Miyata, “Basics and Practice of Plastic Optical Fiber”, NTS Corporation, 2000, p. 84-87
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the case of a plastic fiber using PMMA (polymethylmethacrylate) as a basic material, the wavelength suitable for transmission is limited to around 650 nm, and the following problems are recognized when a semiconductor laser is used as a light source.
[0006]
As a basic property of a semiconductor laser, it is well known that the emission wavelength changes as the operating temperature changes. Specifically, in a GaAs semiconductor laser, the emission wavelength increases at a rate of about 0.2 nm / ° C. as the operating temperature increases. This change in emission wavelength causes the following problems.
[0007]
FIGS. 8A and 8B show the optical output at the optical fiber entrance and exit, respectively, but use a semiconductor laser that emits light at a wavelength at which the propagation loss of the optical fiber is low (that is, the propagation efficiency is high) at room temperature. In such a case, as indicated by a solid line in the drawings, the light output at the fiber exit is large at room temperature, and good communication is possible. However, the operating temperature of the semiconductor laser is not constant because the environmental temperature naturally changes according to the season and the like, and the temperature rises due to the heat generated by the device itself where the semiconductor laser is installed. For example, when the environmental operating temperature of the semiconductor laser rises, the emission wavelength changes to the longer wavelength side as shown by the broken line in the figure. As a result, the optical wavelength deviates from the optimum wavelength that can be propagated with low loss, and the optical output is greatly reduced at the fiber exit, making communication difficult.
[0008]
There is also a method to compensate for the decrease in light output due to the above-mentioned reasons by increasing the drive current of the semiconductor laser and increasing the light output, but in that case, the life of the semiconductor laser is shortened. Cause problems.
[0009]
In addition, by controlling the operating temperature of the semiconductor laser using a Peltier element or the like, it is conceivable to maintain the emission wavelength at the optimum wavelength, but in that case, a large cost is required for temperature control, This becomes a factor that increases the communication cost.
[0010]
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide an optical communication module capable of transmitting high-power signal light from a fiber outlet even when the operating temperature of a semiconductor laser as a signal light source changes. .
[0011]
[Means for Solving the Problems]
A first optical communication module according to the present invention comprises:
One multimode optical fiber whose propagation loss varies with the wavelength of the propagating light;
A plurality of semiconductor lasers having different emission wavelengths under a common temperature, in which a laser beam as signal light is incident on the multimode optical fiber,
Modulating means for commonly modulating the laser beams respectively emitted from the plurality of semiconductor lasers based on predetermined information;
Temperature detecting means for detecting the temperature of the semiconductor laser;
Drive that receives a signal indicating a detection temperature from the temperature detection means and selects and drives a semiconductor laser whose emission wavelength under the detection temperature is a wavelength that minimizes the propagation loss from among the plurality of semiconductor lasers And a switching means.
[0012]
The second optical communication module according to the present invention includes:
One multimode optical fiber whose propagation loss varies with the wavelength of the propagating light;
A plurality of semiconductor lasers having different emission wavelengths under a common temperature, in which a laser beam as signal light is incident on the multimode optical fiber,
The laser beam emitted from each of the plurality of semiconductor lasers comprises modulation means for commonly modulating each of the laser beams based on predetermined information.
[0013]
【The invention's effect】
The first optical communication module according to the present invention uses a plurality of semiconductor lasers having different emission wavelengths under a common temperature as a light source, and the emission wavelength under a detection temperature is a multimode among these semiconductor lasers. Since it is configured to select and drive the semiconductor laser with the wavelength that minimizes the propagation loss of the optical fiber, it always sends out high-power signal light from the fiber outlet even if the operating temperature of the semiconductor laser changes. Is possible.
[0014]
Hereinafter, the above points will be described in more detail with reference to the drawings. Two semiconductor lasers are used as an example, and one semiconductor laser A emits light at a wavelength that minimizes the propagation loss of the multimode optical fiber at the first temperature (hereinafter referred to as “optimum wavelength”), and another semiconductor laser. B emits light at the optimum wavelength at a second temperature higher than the first temperature. Incidentally, since the emission wavelength of a semiconductor semiconductor laser generally becomes longer as the temperature rises, when the semiconductor lasers A and B are driven at the same temperature, the former emits light on the longer wavelength side and the latter emits light on the shorter wavelength side. Become.
[0015]
The drive switching means switches the semiconductor laser to be driven at a predetermined temperature set between the first temperature and the second temperature (of course, the semiconductor is near the first temperature. The laser A is driven near the second temperature to drive the semiconductor laser B). More specifically, desirably, when the semiconductor lasers A and B are both driven, as shown in FIG. 2 showing the optical output at the optical fiber inlet and outlet, respectively, in (a) and (b), the laser beams from them are The vicinity of the temperature at which propagation occurs with the same degree of loss is selected as the switching temperature. In FIG. 2 and FIGS. 3 to 5 described later, the optical outputs of the semiconductor lasers A and B are indicated as A and B, respectively. 3 to 5 also show the optical output at the optical fiber entrance and exit, respectively, as in FIG.
[0016]
Next, the operation in the above configuration will be described. Here, a case where the operating environment temperature changes from a low temperature to a high temperature will be described. First, in the low temperature region, the semiconductor laser A is driven (solid line in FIG. 3). At this time, since the emission wavelength is in the low loss region of the fiber, good communication is performed. If the semiconductor laser B emits light, the emission wavelength indicated by the broken line in FIG.
[0017]
When the operating environment temperature rises from there, the emission wavelength of the semiconductor laser A changes to the longer wavelength side accordingly. When the temperature reaches the switching temperature in this way, the semiconductor laser B is driven as shown in FIG. As described above, the semiconductor laser B originally emits light at an optimum wavelength when the temperature is higher than the switching temperature. Therefore, even if the temperature further rises, as is apparent from FIG. 5, a stronger signal light is emitted from the fiber outlet than when the semiconductor laser A is driven, and a good communication state is maintained.
[0018]
Even if the semiconductor lasers to be driven are switched as described above, the semiconductor lasers are commonly modulated with each other based on predetermined information. Therefore, even if this switching is performed, the communication itself is not performed. It can be done normally without incurring errors or interruptions.
[0019]
The second optical communication module according to the present invention has a configuration in which the temperature detecting means and the drive switching means are omitted from the first optical communication module. In other words, in the second optical communication module, in addition to the signal light having the optimum wavelength or a wavelength close to it propagating through the multimode optical fiber, the signal light having a wavelength other than that is also transmitted in the multimode with a relatively large loss. In this case, the above-described effect that high-intensity signal light can be transmitted from the multimode optical fiber in the range from low temperature to high temperature can be obtained as it is.
[0020]
As described above, according to the present invention, it is possible to supply signal light having a wavelength that can reduce the loss of the optical fiber from a low temperature to a high temperature without using an expensive part such as a Peltier element, and good communication can be performed. Can be maintained. By using such an optical communication module of the present invention, large-capacity optical communication using a large-diameter optical fiber is also possible.
[0021]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[0022]
FIG. 1 shows a schematic configuration of an optical communication module according to a first embodiment of the present invention. This module for optical communication uses a first semiconductor laser 11 and a second semiconductor laser 12 as well as laser beams 13 and 14 as signal lights emitted from these semiconductor lasers 11 and 12 as divergent lights, respectively. The collimator lenses 15 and 16 to be converted, the condensing lens 17 for converging the parallel laser beams 13 and 14 to one point, and the incident end 18a located at the convergence position of the laser beams 13 and 14. And a multi-mode optical fiber 18 disposed in the middle.
[0023]
A modulation drive signal S1 output from one modulation drive circuit 20 is alternatively input to one of the semiconductor lasers 11 and 12 via the drive switching circuit 21. The drive switching circuit 21 is connected to a temperature detecting means 22 comprising, for example, a thermistor for detecting the temperature of the semiconductor lasers 11 and 12. The drive switching circuit 21 is configured to switch the semiconductor lasers 11 and 12 to which the modulation drive signal S1 is input based on the temperature detection signal S2 output from the temperature detection means 22.
[0024]
Therefore, when the modulation drive signal S1 is input to the semiconductor laser 11, the laser beam 13 as signal light modulated based on the modulation drive signal S1 enters the core 18b of the multimode optical fiber 18 and propagates there. When the modulation drive signal S1 is input to the semiconductor laser 12, the laser beam 14 as signal light modulated based on the modulation drive signal S1 enters the core 18b of the multimode optical fiber 18 and propagates there. To do.
[0025]
Here, the multimode optical fiber 18 is, for example, a plastic fiber having PMMA as a basic material, and has a diameter of 1 mm, a core diameter of about 200 to 500 μm, and a length of 100 m. The propagation loss of the multimode optical fiber 18 changes according to the wavelength of the propagation light, and the optimum wavelength at which the propagation loss is minimum is 650 nm. When the propagation light wavelength is shifted by 5 nm from this optimum wavelength, the propagation efficiency is the same as that at the optimum wavelength. If it is shifted by 10 nm to about 40%, the propagation efficiency is reduced to about 15% at the optimum wavelength. In addition, it is desirable to use a graded index type as the plastic fiber, and the diameter is preferably about 800 μm or more in general.
[0026]
In this embodiment, the operating environment temperature is set in the range of -20 to 80 ° C, the semiconductor laser 11 is operated in the range of -20 ° C or higher and lower than 30 ° C, and the semiconductor laser 12 is operated in the range of 30 to 80 ° C. That is, the drive switching circuit 21 drives the semiconductor laser 11 when the temperature indicated by the temperature detection signal S2 is less than 30 ° C., and drives another semiconductor laser 12 when the temperature is 30 ° C. or higher.
[0027]
These semiconductor lasers 11 and 12 have different emission wavelengths at a common temperature. Specifically, the emission wavelengths of the semiconductor laser 11 are 645 nm, 650 nm, and 655 nm at −20 ° C., 5 ° C., and 30 ° C., respectively. In contrast, the emission wavelengths of the semiconductor laser 12 are 645 nm, 650 nm, and 655 nm at 30 ° C., 55 ° C., and 80 ° C., respectively. As apparent from the above, the temperature characteristics of the emission wavelengths of the semiconductor lasers 11 and 12 are both 0.2 nm / ° C.
[0028]
The operation of this optical communication module will be described below. First, when the semiconductor laser 11 is driven on the low temperature side, the emission wavelength is 645 nm when the operating environment temperature is −20 ° C., and the propagation efficiency of the multimode optical fiber 18 is about 40% of the optimum wavelength. As the temperature rises, the emission wavelength of the semiconductor laser 11 shifts to the longer wavelength side, the loss of the multimode optical fiber 18 gradually decreases (the propagation efficiency increases), the operating environment temperature is 5 ° C., and the emission wavelength is 650 nm. Then, the loss becomes the lowest. When the emission wavelength is almost 655 nm at 30 ° C., the propagation efficiency is about 40% of the optimum wavelength. In this way, the propagation efficiency of the multimode optical fiber 18 is kept at about 40% or more of the optimum wavelength at the lowest in the range where the operating environment temperature is −20 ° C. or higher and lower than 30 ° C.
[0029]
On the other hand, when the operating environment temperature is 30 ° C. or higher, the semiconductor laser 12 is driven, the emission wavelength is 645 nm at 30 ° C., and the propagation efficiency of the multimode optical fiber 18 is about 40% at the optimum wavelength. When the temperature rises from there, the emission wavelength of the semiconductor laser 12 shifts to the longer wavelength side, the loss of the multimode optical fiber 18 gradually decreases, and when the operating environment temperature is 55 ° C. and the emission wavelength becomes 650 nm, the loss becomes the lowest, When the emission wavelength is 655 nm at 80 ° C., the propagation efficiency is about 40% of the optimum wavelength. In this way, even when the operating environment temperature is in the range of 30 to 80 ° C., the propagation efficiency of the multimode optical fiber 18 is kept at about 40% or more of the optimum wavelength at the minimum.
[0030]
As described above, in the present embodiment, the propagation efficiency of the multimode optical fiber 18 is kept at about 40% or more at the optimum wavelength at the minimum in the operating temperature range of −20 to 80 ° C. On the other hand, when operating with a single semiconductor laser in the range of −20 to 80 ° C., a wavelength change of +/− 10 nm occurs, so that the optical output from the multimode optical fiber 18 is the worst. In this case, it is reduced to 15% at the optimum wavelength. Under such conditions, it is difficult to perform good communication.
[0031]
Note that if the driving of the semiconductor lasers 11 and 12 is switched at a certain predetermined temperature, if the operation happens to occur near the temperature, the switching frequently occurs, which may hinder communication. Therefore, although this is a commonly used technique, this frequent switching can be avoided by providing hysteresis.
[0032]
That is, a first temperature and a second temperature slightly higher than the first temperature are set, and the low temperature semiconductor laser 11 is switched to the high temperature semiconductor laser 12 at the second temperature, and the high temperature semiconductor laser 12 is switched to the low temperature semiconductor laser 11. Is switched at the first temperature. In such a configuration, once the low temperature semiconductor laser 11 is operated, the low temperature semiconductor laser 11 is operated as it is even if the temperature fluctuates in the vicinity of the first temperature. Then, when the temperature rises to the second temperature, it switches to the high-temperature semiconductor laser 12 for the first time. Thus, once the high temperature semiconductor laser 12 operates, the low temperature semiconductor laser 12 operates as it is even if the temperature fluctuates in the vicinity of the second temperature.
[0033]
In addition, when two semiconductor lasers 11 and 12 are used as described above, there is a concern that the laser beams 13 and 14 can be sufficiently input to the multimode optical fiber 18, but light is coupled to an optical fiber having a small core diameter. Unlike the case, it is not a big problem for plastic fibers with a large core diameter.
[0034]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In FIG. 6, the same elements as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted unless necessary (the same applies hereinafter).
[0035]
The optical communication module of the second embodiment is different from that of FIG. 1 in that the drive switching circuit 21 and the temperature detection means 22 are omitted. That is, in this embodiment, the two semiconductor lasers 11 and 12 are driven simultaneously. In the apparatus of FIG. 1, the laser beam 13 or 14 having a wavelength in the range of 645 to 655 nm propagates through the multimode optical fiber 18, whereas in this embodiment, the wavelength is 645 nm or less in addition to such a laser beam. The laser beam 14 or the laser beam 13 having a wavelength of 655 nm or more also only propagates through the multimode optical fiber 18. In this case as well, high intensity signal light is transmitted from the multimode optical fiber 18 in the range from low temperature to high temperature. The effect of the present invention that it can be sent out can be obtained as it is.
[0036]
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the optical communication module according to the third embodiment, one condensing lens 30 is used as an alternative to the two collimator lenses 15 and 16 and the condensing lens 17 as compared with the one shown in FIG. Is different. By using such a condenser lens 30, the configuration of the optical system can be simplified.
[0037]
Although the embodiment using two semiconductor lasers has been described above, the number of semiconductor lasers used in the present invention is not limited to these two, and how many semiconductor lasers are used by two or more. Also good.
[0038]
In the above embodiment, a plurality of individually formed semiconductor lasers are used. However, a plurality of semiconductor lasers manufactured on the same substrate can also be used.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an optical communication module according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the operation of the optical communication module of the present invention. FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating the operation of the optical communication module of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating the operation of the optical communication module of the present invention. FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an optical communication module according to a second embodiment of the present invention. FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an optical communication module according to a third embodiment of the present invention. Explanatory drawing explaining problems in modules [description of symbols]
11 and 12 Semiconductor lasers 13 and 14 Laser beams 15 and 16 Collimator lens 17 Condensing lens 18 Multimode optical fiber 20 Modulation drive circuit 21 Drive switching circuit 22 Temperature detection means 30 Condensing lens

Claims (2)

伝搬損失が伝搬光の波長に応じて変化する1本のマルチモード光ファイバーと、
このマルチモード光ファイバーに信号光としてのレーザービームを入射させる、共通温度下での発光波長が互いに異なる複数の半導体レーザーと、
前記複数の半導体レーザーからそれぞれ出射するレーザービームを、所定の情報に基づいて互いに共通に変調する変調手段と、
前記半導体レーザーの温度を検出する温度検出手段と、
この温度検出手段から検出温度を示す信号を受けて、前記複数の半導体レーザーの中から、該検出温度下での発光波長が前記伝搬損失を最低にする波長となる半導体レーザーを選んで駆動させる駆動切替手段とからなる光通信用モジュール。
One multimode optical fiber whose propagation loss varies with the wavelength of the propagating light;
A plurality of semiconductor lasers having different emission wavelengths under a common temperature, in which a laser beam as signal light is incident on the multimode optical fiber,
Modulating means for commonly modulating the laser beams respectively emitted from the plurality of semiconductor lasers based on predetermined information;
Temperature detecting means for detecting the temperature of the semiconductor laser;
Drive that receives a signal indicating a detection temperature from the temperature detection means and selects and drives a semiconductor laser whose emission wavelength under the detection temperature is a wavelength that minimizes the propagation loss from among the plurality of semiconductor lasers An optical communication module comprising switching means.
伝搬損失が伝搬光の波長に応じて変化する1本のマルチモード光ファイバーと、
このマルチモード光ファイバーに信号光としてのレーザービームを入射させる、共通温度下での発光波長が互いに異なる複数の半導体レーザーと、
前記複数の半導体レーザーからそれぞれ出射するレーザービームを、所定の情報に基づいて互いに共通に変調する変調手段とからなる光通信用モジュール。
One multimode optical fiber whose propagation loss varies with the wavelength of the propagating light;
A plurality of semiconductor lasers having different emission wavelengths under a common temperature, in which a laser beam as signal light is incident on the multimode optical fiber,
An optical communication module comprising modulation means for commonly modulating laser beams respectively emitted from the plurality of semiconductor lasers based on predetermined information.
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JP2007214430A (en) * 2006-02-10 2007-08-23 Fuji Xerox Co Ltd Multimode optical communication system and multiwavelength surface emitting element

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