JP2004111368A - カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイ - Google Patents
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Abstract
【課題】カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイを提供する。
【解決手段】ナノチューブ電界放出ディスプレイは、ナノチューブ電界放出セル、アクティブ装置、コンデンサを備える。ナノチューブ電界放出セルは、陰極、ゲート、陽極、からなり、陰極は電界放出用のナノチューブを備える。アクティブ装置は第1電極、第2電極、および制御電極からなり、第2電極はナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。コンデンサはナノチューブ電界放出セルのゲートと電圧源間に結合され、ゲート電圧を保存し、ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御する。
【選択図】図5
【解決手段】ナノチューブ電界放出ディスプレイは、ナノチューブ電界放出セル、アクティブ装置、コンデンサを備える。ナノチューブ電界放出セルは、陰極、ゲート、陽極、からなり、陰極は電界放出用のナノチューブを備える。アクティブ装置は第1電極、第2電極、および制御電極からなり、第2電極はナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。コンデンサはナノチューブ電界放出セルのゲートと電圧源間に結合され、ゲート電圧を保存し、ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御する。
【選択図】図5
Description
本発明は、カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイ(Carbon nanotube field emission display、CNT−FED)に関するもので、特に、カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイに適用されるアクティブ制御に関するものである。
カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイは、一種のマトリクス駆動のFEDである。各画素中の陰極は、電子発射源(electron emission source)のナノチューブ層を有する下基板で、陽極は、電子吸引の透明電極を有する上基板である。陰極は、電子を加速し、蛍光体に衝突させて、発光させる。FEDの画素の配置は、画像を表示する。カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイは、たとえば特許文献1の装置のように2つの電極、すなわち陽極と陰極、あるいは、たとえば特許文献2の装置のように3つの電極、すなわち陰極、陽極、ゲートにより実行される高電圧装置である。カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイの長所は、高電圧、低電流で、高発光を達成することである。よって、液晶ディスプレイの軽量、薄型の特性に加えて、カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイは、陰極線管(cathode ray tube、CRT)ディスプレイの高発光特性を有し、カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイを、競争力を具備した平面ディスプレイにする。三極構造のカーボンナノチューブ電界放出ディスプレイの発光メカニズムは以下で示される。蛍光体は陽極に設置され、先端放電(point discharge)の電子発光源であるCNTは、陰極上に設置される。ゲートは、陽極と陰極間に配置され、高電圧領域により、CNTの先端から、電子を引き抜き、電子を加速して陰極に衝突させ、発光させる。これにより、三極構造のカーボンナノチューブ電界放出ディスプレイの動作電圧は減少する。
公知のカーボンナノチューブ電界放出ディスプレイの制御方法は、アクティブ(active)、あるいはパッシブ(passive)制御である。パッシブ制御は2つ、あるいは3つの電極構造に分けられる。図1は、二極構造のカーボンナノチューブ電界放出ディスプレイを示す図であり、CNT7、陰極6、陽極8、からなる。動作モード下で、陽極8は、陰極6で電界放出を誘発する高電圧を提供し、電子が陽極8に衝突して、燐光を発する。パッシブ制御において、各画素は、スキャンにより瞬間的に発光し、陽極8で高電圧を提供する時間は、パルス幅変調(pulse width modulation、PWM)信号により制御されて、グレイレベル(gray level、階調)を調整する。カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイは、短時間で、瞬間発光を提供して、要求される平均発光が、フレーム期間で達成されなければならない。図1の動作は、カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイの寿命を短縮させ、また、高い制御電圧を必要とする。図2は、三極構造のカーボンナノチューブ電界放出ディスプレイを示す図であり、CNT7、陰極6、陽極8、ゲート9、からなる。通常のオンモード下で、陽極8は高電圧を提供して、電子を陰極6から引き抜き、ゲート9は電圧を減少し、電子を引き抜いて、低制御電圧を達成する。ゲート9はまた、負電圧を提供し、カーボンナノチューブ電界放出ディスプレイをオフにする。ゲート9は電子の数を制限するのに用いられ、陽極8での燐光とグレイレベルを制御する。しかし、図2の動作は、やはり、PWM信号により制御し、一時的な視覚を達成するため、同様に、寿命を短縮してしまう。
図3は、TFTのようなアクティブ装置T1を備える二極構造のCNT−FED、およびCNT7、陰極6、陽極8、からなる二極構造のCNT−FEDに適用されるアクティブ制御の構造を示す図である。図4は、図3の等価回路を示す図である。動作モード下で、スキャンライン25は電圧を提供して、アクティブ装置T1をオンにし、データライン27は、アクティブ装置T1により、陰極に電気的に結合されて電界放出を制御し、陽極8で燐光を誘発する。スキャンライン25が電圧を提供して、アクティブ装置T1をオフにすることにより、陽極で燐光を消す。グレイレベルの調整は、発光時間を制御することにより達成される。図3の構造は、低制御電圧、高アノード電圧の長所を具備するが、高瞬間発光と寿命の短縮という欠点が残る。
高制御電圧、高瞬間発光および短寿命という欠点を改善するため、アクティブ制御、低制御電圧、制御電圧保存、グレイレベル保存、高発光、消耗電力節約という長所を具備するような、アクティブ装置、コンデンサ、および三極CNT−FEDの結合が必要である。本発明のCNT−FEDは、多様な工程に適用される新規の制御方式である。
本発明は、ナノチューブ電界放出ディスプレイのアクティブ制御方法を提供することを目的とする。
本発明は、ナノチューブ電界放出ディスプレイであって、電界放出用のナノチューブを備える陰極、ゲート、および陽極からなるナノチューブ電界放出セルと、第1電極、前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートに結合される第2電極、および制御電極を有するアクティブ装置と、前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートと電圧源との間に結合され、ゲート電圧を保存して、前記ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御するコンデンサと、からなることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
さらに、前記アクティブ装置の前記第1電極に結合されたデータラインと、前記アクティブ装置の前記制御電極に結合されたスキャンラインと、を備え、前記スキャンラインがスキャン信号を受信する時、前記アクティブ装置はオンで、データは前記データラインにより前記コンデンサに入力され、前記スキャン信号の機能が無効である時、前記アクティブ装置はオフで、前記コンデンサは前記データを保存することを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
さらに、スキャンライン、データライン、ナノチューブ電界放出セル、アクティブ装置、コンデンサ、を備え、前記ナノチューブ電界放出セル、前記アクティブ装置、および前記コンデンサは、スキャンラインとデータラインの交差点に設置され、前記スキャンラインはアクティブ装置の制御電極に結合され、前記データラインは前記アクティブ装置の前記第1電極に結合され、アクティブ装置の前記第2電極とコンデンサは、ナノチューブ電界放出セルのゲートに結合されることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
フレームのスキャン期間において、スキャン信号は対応するスキャンラインに入力され、対応するアクティブ装置はオンになり、データは対応するデータラインとアクティブ装置により、対応するコンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに入力され、前記スキャン信号の機能が無効である時、アクティブ装置はオフで、コンデンサは前記データを保存することを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
前記アクティブ装置は、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることが好ましい。
前記コンデンサは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることが好ましい。
前記ナノチューブ電界放出セルは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることが好ましい。
本発明は、ナノチューブ電界放出ディスプレイであって、電界放出用のナノチューブを備える陰極、ゲート、および陽極からなるナノチューブ電界放出セルと、第1電極、および前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートに結合される第2電極を有する第1ダイオードと、前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートに結合される第1電極、および第2電極を有する第2ダイオードと、前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートとスキャンラインとの間に結合され、ゲート電圧を保存して、前記ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御するコンデンサと、からなることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
前記第1ダイオードの前記第1電極は陽極で、前記第1ダイオードの前記第2電極は陰極で、前記第2ダイオードの前記第1電極は陽極で、前記第2ダイオードの前記第2電極は陰極であることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
前記第1ダイオードの前記第1電極は陰極で、前記第1ダイオードの前記第2電極は陽極で、前記第2ダイオードの前記第1電極は陰極で、前記第2ダイオードの前記第2電極は陽極であることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
さらに、前記第1ダイオードの前記第1電極に結合された第1データラインと、前記第2ダイオードの前記第2電極に結合された第2データラインと、前記コンデンサに結合されたスキャンラインと、を備え、前記第1データラインが制御電圧を受信し、前記スキャンラインがスキャン信号を受信する時、前記第1ダイオードはオンで、前記第2データラインは第1バイアス電圧を受信し、前記第2ダイオードはオフで、前記制御電圧は前記第1データラインと前記第1ダイオードにより、前記コンデンサに入力され、前記スキャン信号の機能が無効の時、前記第1および第2ダイオードはオフで、前記コンデンサはデータを保存し、前記第2データラインが第2バイアス電圧を受信する時、前記第2ダイオードはオンで、前記コンデンサの前記制御電圧は消去されることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
さらに、スキャンライン、第1データライン、第2データライン、ナノチューブ電界放出セル、第1ダイオード、第2ダイオード、コンデンサ、を備え、前記ナノチューブ電界放出セル、第1ダイオード、第2ダイオード、および前記コンデンサは全て、スキャンラインと第1データラインの交差点に設置され、前記スキャンラインは対応するコンデンサに結合され、前記第1データラインは前記第1ダイオードの前記第1電極に結合され、前記第2データラインは前記第2ダイオードの前記第2電極に結合され、前記第1ダイオードの前記第1電極と前記第2ダイオードの前記第2電極は、コンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに結合されることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
フレームのスキャン期間において、スキャン信号は対応するスキャンラインに入力され、前記対応する第2データラインは第1バイアス電圧を受信し、第2ダイオードはオフになり、データは対応するデータラインと第1ダイオードにより、対応するコンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに入力され、前記スキャン信号の機能が無効である時、前記第1ダイオードはオンで、コンデンサは前記データを保存し、他のフレームのリセット期間、前記対応する第2データラインは、第2バイアス電圧を受信し、第2ダイオードはオフで、コンデンサに保存された前記データは消去されることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイに関する。
前記第1および第2ダイオードは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることが好ましい。
前記コンデンサは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることが好ましい。
前記ナノチューブ電界放出セルは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることが好ましい。
アクティブ制御、低制御電圧、制御電圧保存、グレイレベル保存、高発光、消耗電力節約が達成される。
上述の目的を達成するため、本発明は、アクティブ装置とコンデンサを備えるナノチューブ電界放出セルを提供する。ナノチューブ電界放出セルは、陰極、ゲート、陽極を含む。陰極は、電界放出用のナノチューブを備える。アクティブ装置は、第1電極、第2電極、制御電極からなる。第2電極は、ナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。コンデンサは、ナノチューブ電界放出セルのゲートと電圧源との間に結合され、ゲート電圧を保存して、ナノチューブ電界放出セルの明るさおよびグレイレベルを制御する。
アクティブ装置により、本発明は、アクティブ制御マトリクスを開示する。アクティブ制御マトリクスは、スキャンライン、データライン、アクティブ装置からなる。ナノチューブ電界放出セル、アクティブ装置、コンデンサは、スキャンラインとデータラインの交差点に設置される。スキャンラインは、アクティブ装置の制御電極に結合される。データラインはアクティブ装置の第1電極に結合される。アクティブ装置の第2電極とコンデンサは、ナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。
アクティブ制御を実現するために、2つのダイオードとコンデンサを備えるナノチューブ電界放出セルを提供する。第1ダイオードは、第1電極と第2電極とを備え、第2電極は、ナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。第2ダイオードは第1電極と第2電極とを備え、第1電極は、ナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。
コンデンサは、ナノチューブ電界放出セルのゲートとスキャンライン間に結合され、ゲート電圧を保存し、ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御する。
上述のアクティブ装置、第1ダイオード、第2ダイオードにより、本発明は、もう一つのアクティブ制御マトリクスを開示する。アクティブ制御マトリクスは、スキャンライン、第1データライン、第2データライン、ナノチューブ電界放出セル、第1ダイオード、第2ダイオード、コンデンサ、からなる。ナノチューブ電界放出セル、第1ダイオード、第2ダイオード、コンデンサは、スキャンラインと第1データラインとの交差点に設置される。スキャンラインは、対応するコンデンサに結合される。第1データラインは第1ダイオードの第1電極に結合される。第2データラインは第2ダイオードの第2電極に結合される。第1ダイオードの第1電極と第2ダイオードの第2電極は、コンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに結合される。
上述した本発明の目的、特徴、および長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ましい実施の形態を挙げ、図を参照しながらさらに詳しく説明する。
実施の形態1
図5は、実施の形態1のアクティブ制御CNT−FEDを示す図である。アクティブ制御CNT−FEDは、アクティブ装置T1と、コンデンサC1と、陰極6、ゲート9、陽極8からなる三極CNT−FED100、を備える。動作方法は以下のとおりである。
図5は、実施の形態1のアクティブ制御CNT−FEDを示す図である。アクティブ制御CNT−FEDは、アクティブ装置T1と、コンデンサC1と、陰極6、ゲート9、陽極8からなる三極CNT−FED100、を備える。動作方法は以下のとおりである。
1.陽極8は高電圧を入力する。陰極6は接地する。CNT−FED100は、特殊な動作モード下で「通常のオン(normally on)」状態である。
2.スキャン期間において、スキャン信号はスキャンライン25に入力され、アクティブ装置T1がオンになり、データラインはゲート9に結合されて制御電圧を提供し、これにより、陰極6での電界放出、明るさ、グレイレベルを制御する。コンデンサC1はゲート9の制御電圧を保存する。
3.次のスキャン期間において、スキャンライン25は電圧が入力され、アクティブ装置T1がオフになる。データライン27は、ゲート9から隔絶される。コンデンサC1は前フレームからの制御電圧を維持し、明るさとグレイレベルを維持する。
4.工程2および3が繰り返される。CNT−FED100は、データを書き込み、明るさとグレイレベルを維持する。
ゲート9は、正電圧、あるいは負電圧が入力される。正電圧を入力した時、ゲート9は電子を吸引して、陰極6に電子を発光させ、CNT−FED100は、通常の動作モードの「通常のオフ」状態に属する。つまり、スキャンラインがアクティブの時だけオンになる。負電圧を入力した時、CNT−FED100は、特殊な動作モード下で「通常のオン」状態に属する。つまり、スキャンラインがアクティブの時だけオフになる。ゲート9により、グレイレベルが調整され、制御電圧は減少する。
図3および図4の、二極のCNT−FEDの公知のアクティブ制御と比較すると、実施の形態1のCNT−FED100は、コンデンサにより制御電圧を保存して、設定されたフレーム時間で、グレイレベルと明るさを維持することができる。高い瞬間発光は必要とされない。これにより、CNT−FEDの寿命は長くなる。公知のパッシブ制御方法と比較すると、本発明のCNT−FEDは、節電、高歩留まり率、長寿命、大基板上への製造が可能、等の長所を具備する。
図6は、実施の形態1のCNT−FEDのアクティブ制御マトリクスを示す図である。図6で示されるように、アクティブ制御マトリクスは、スキャンラインSL1〜SLN、データラインDL1〜DLM、スキャンラインSL1〜SLNとデータラインDL1〜DLMの交差点に設置されたアクティブ装置T1、およびCNT−FED、からなる。動作工程は、以下のとおりである。第1スキャン期間において、スキャンラインSL1は、第1行のアクティブ装置をオンにし、データラインDL1〜DLMは、第1行のアクティブ装置の制御電圧を、第1行のコンデンサに入力する。第1行のCNT−FED100の制御電圧は、第1行のコンデンサに保存される。次のスキャン期間において、スキャンラインは非アクティブで、第1行のコンデンサは、制御電圧が再書き込みされる時の次のフレーム期間まで、第1行のCNT−FEDの明るさを維持する。スキャンラインSL2〜SLNは前述の工程を繰り返し、これにより、全フレームのデータは完全に書き込まれる。
図7は、実施の形態1の断面図である。製造工程は以下のとおりである。アクティブ装置T1のゲート3、コンデンサC1の電極4、三極CNT−FEDの陰極6が、まず形成される。CNT7は、陰極6上、その後、誘電層10に形成される。誘電層10の厚さは、様々なアプリケーションにあわせ調節される。誘電層10は、アクティブ装置T1、コンデンサC1、CNT−FED100に適用される。アクティブ装置T1のソース1およびドレイン2、CNT−FED100のゲート2および9が形成される。アクティブ装置T1の半導体層5が形成される。下基板が完成する。燐光体11が上基板8に設置される。上基板8と下基板が組み合わされ、封装され、真空にされ、アクティブ制御でグレイレベルの調整が可能なCNT−FEDが完成する。アクティブ装置T1は、ボトムゲート、トップゲート、およびトレンチゲートにより形成される。
実施の形態2
図8は、実施の形態2のアクティブ制御CNT−FEDを示す図である。アクティブ制御CNT−FEDは、ダイオードD1と、ダイオードD2と、コンデンサC1と、陰極6、ゲート9、陽極8からなる三極CNT−FED100、からなる。動作方法は、以下のとおりである。
図8は、実施の形態2のアクティブ制御CNT−FEDを示す図である。アクティブ制御CNT−FEDは、ダイオードD1と、ダイオードD2と、コンデンサC1と、陰極6、ゲート9、陽極8からなる三極CNT−FED100、からなる。動作方法は、以下のとおりである。
1.図9(a)で示されるように、スキャン期間において、負電圧スキャン信号がVバイアス(V-bias)に入力され、第1データラインDL1は制御電圧を入力して、ダイオードD1をオンにする。制御ゲート電圧9は、陰極6で電界放出を制御して、明るさとグレイレベルの調節を達成する。第2データラインRL1は、第1バイアス電圧として正電圧を入力し、これにより、ダイオードD2は逆電圧(reverse-voltage)である。コンデンサC1は制御ゲート電圧9を保存する。
2.図9(b)で示されるように、次のスキャン期間において、Vバイアス(V-bias)30は接地電位に結合され、ダイオードD1およびD2は逆電圧である。コンデンサC1は、前のスキャン期間の制御電圧を維持し、CNT−FED100は発光およびグレイレベルを維持する。
3.図9(c)で示されるように、第2データラインRL1は第2バイアス電圧として負電圧を入力し、ダイオードD2は順方向バイアス(forward-biased)である。コンデンサC1は放電される。制御ゲート電圧9は消去される。
4.工程1〜3が繰り返される。CNT−FED100は、データの書き込みと明るさおよびグレイレベルの維持が達成される。
図10は、実施の形態2のCNT−FEDのアクティブ制御マトリクスを示す図である。図10で示されるように、アクティブ制御マトリクスは、第1データラインDL1〜DLM、第2データラインRL1〜RLN、スキャンラインSL1〜SLN、CNT−FED、コンデンサC1、および第1データラインDL1〜DLMと第2データラインRL1〜RLNの交差点に設置されたダイオードD1、D2、からなる。動作工程は以下のとおりである。第1スキャン期間において、スキャンラインSL1は負電圧を入力し、第2データラインRL1は第1バイアス電圧、正電圧を入力し、第1列のダイオードD1をオンにし、ダイオードD2をオフにする。データラインDL1〜DLMは、ダイオードD1を通じて、制御電圧を第1列のコンデンサに入力する。第1列の三極CNT−FED100の制御電圧は、第1列のコンデンサに保存される。次のスキャン期間において、第1スキャンラインSL1は接地電位にあり、第1列のダイオードD1はオフになり、第1列の制御電圧は第1列のコンデンサに保存され、よって、第1列の三極CNT−FED100の明るさとグレイレベルは、制御電圧が再書き込みされる時の次のフレーム時間まで維持される。スキャンラインSL2〜SLNは前の工程を繰り返し、全フレームのデータは完全に書き込まれる。
図11は、実施の形態2の断面図である。製造工程は以下のとおりである。コンデンサC1の電極板4が、まず形成され、三極CNT−FED100の陰極6、誘電層10がその後、形成される。誘電層10の厚さは、様々なアプリケーションにあわせ調整される。誘電層10はコンデンサC1、三極CNT−FED100に適用される。ダイオードD1およびD2のP型半導体層13および18が連続して形成される。ダイオードD1およびD2のN型半導体層14および17が連続して形成される。続いて、ダイオードD1およびD2の電極12、15、16、19が形成される。燐光体11は上基板8に設置される。上基板8と下基板が組み立てられ、封装され、真空にされ、アクティブ制御でグレイレベルの調整が可能なCNT−FEDが完成する。ダイオードD1、D2は、ボトムゲート、トップゲート、およびトレンチゲートにより形成される。
実施の形態3
図12は、実施の形態3のアクティブ制御CNT−FEDを示す図である。アクティブ制御CNT−FEDは、ダイオードD1と、ダイオードD2と、コンデンサC1と、陰極6、ゲート9、陽極8からなる三極CNT−FED100、からなる。動作方法は、以下のとおりである。
図12は、実施の形態3のアクティブ制御CNT−FEDを示す図である。アクティブ制御CNT−FEDは、ダイオードD1と、ダイオードD2と、コンデンサC1と、陰極6、ゲート9、陽極8からなる三極CNT−FED100、からなる。動作方法は、以下のとおりである。
1.図13(a)で示されるように、スキャン期間において、正電圧スキャン信号がVバイアス(V-bias)30に入力され、第1データラインDL1は制御電圧を入力して、ダイオードD1をオンにする。制御ゲート電圧9は、陰極6で電界放出を制御して、明るさとグレイレベルの調節を達成する。第2データラインRL1は、第1バイアス電圧、負電圧を入力し、これにより、ダイオードD2は逆電圧である。コンデンサC1は制御ゲート電圧9を保存する。
2.図13(b)で示されるように、次のスキャン期間において、Vバイアス30は接地電位に結合され、ダイオードD1およびD2は逆電圧である。コンデンサC1は、前のスキャン期間の制御電圧を維持し、CNT−FED100は発光およびグレイレベルを維持する。
3.図13(c)で示されるように、第2データラインRL1は第2バイアス電圧、正電圧を入力し、ダイオードD2は順方向バイアスである。コンデンサC1は放電される。制御ゲート電圧9は消去される。
4.工程1〜3が繰り返される。CNT−FED100は、データの書き込みと明るさおよびグレイレベルの維持が達成される。
図14は、実施の形態2のCNT−FEDのアクティブ制御マトリクスを示す図である。図14で示されるように、アクティブ制御マトリクスは、第1データラインDL1〜DLM、第2データラインRL1〜RLN、スキャンラインSL1〜SLN、CNT−FED、コンデンサC1、および第1データラインDL1〜DLMと第2データラインRL1〜RLNの交差点に設置されたダイオードD1、D2、からなる。動作工程は以下のとおりである。第1スキャン期間において、スキャンラインSL1は正電圧を入力し、第2データラインRL1は第1バイアス電圧として負電圧を入力し、第1列のダイオードD1をオンにし、ダイオードD2をオフにする。データラインDL1〜DLMは、ダイオードD1を通じて、制御電圧を第1列のコンデンサに入力する。第1列の三極CNT−FED100の制御電圧は、第1列のコンデンサに保存される。次のスキャン期間において、第1スキャンラインSL1は接地電位にあり、第1列のダイオードD1はオフになり、第1列の制御電圧は第1列のコンデンサに保存され、よって、第1列の三極CNT−FED100の明るさとグレイレベルは、制御電圧が再書き込みされる時の次のフレーム時間まで維持される。スキャンラインSL2〜SLNは前の工程を繰り返し、全フレームのデータは完全に書き込まれる。
本発明では好ましい実施例を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
1 ソース
2 ドレイン
3 ゲート
4 電極板
5 半導体層
6 陰極
7 CNT
8 陽極
9 ゲート
10 誘電層
11 燐光体
12、15、16、19 二極体電極
13、18 P型半導体層
14、17 N型半導体層
25 スキャンライン
27 データライン
2 ドレイン
3 ゲート
4 電極板
5 半導体層
6 陰極
7 CNT
8 陽極
9 ゲート
10 誘電層
11 燐光体
12、15、16、19 二極体電極
13、18 P型半導体層
14、17 N型半導体層
25 スキャンライン
27 データライン
Claims (16)
- ナノチューブ電界放出ディスプレイであって、
電界放出用のナノチューブを備える陰極、ゲート、および陽極からなるナノチューブ電界放出セルと、
第1電極、前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートに結合される第2電極、および制御電極を有するアクティブ装置と、
前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートと電圧源との間に結合され、ゲート電圧を保存して、前記ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御するコンデンサと、
からなることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイ。 - さらに、
前記アクティブ装置の前記第1電極に結合されたデータラインと、
前記アクティブ装置の前記制御電極に結合されたスキャンラインと、
を備え、前記スキャンラインがスキャン信号を受信する時、前記アクティブ装置はオンで、データは前記データラインにより前記コンデンサに入力され、前記スキャン信号の機能が無効である時、前記アクティブ装置はオフで、前記コンデンサは前記データを保存することを特徴とする請求項1記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。 - さらに、スキャンライン、データライン、ナノチューブ電界放出セル、アクティブ装置、コンデンサ、を備え、前記ナノチューブ電界放出セル、前記アクティブ装置、および前記コンデンサは、スキャンラインとデータラインの交差点に設置され、前記スキャンラインはアクティブ装置の制御電極に結合され、前記データラインは前記アクティブ装置の前記第1電極に結合され、アクティブ装置の前記第2電極とコンデンサは、ナノチューブ電界放出セルのゲートに結合されることを特徴とする請求項1記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- フレームのスキャン期間において、スキャン信号は対応するスキャンラインに入力され、対応するアクティブ装置はオンになり、データは対応するデータラインとアクティブ装置により、対応するコンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに入力され、前記スキャン信号の機能が無効である時、アクティブ装置はオフで、コンデンサは前記データを保存することを特徴とする請求項3記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記アクティブ装置は、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることを特徴とする請求項1記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記コンデンサは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることを特徴とする請求項1記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記ナノチューブ電界放出セルは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることを特徴とする請求項1記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- ナノチューブ電界放出ディスプレイであって、
電界放出用のナノチューブを備える陰極、ゲート、および陽極からなるナノチューブ電界放出セルと、
第1電極、および前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートに結合される第2電極を有する第1ダイオードと、
前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートに結合される第1電極、および第2電極を有する第2ダイオードと、
前記ナノチューブ電界放出セルの前記ゲートとスキャンラインとの間に結合され、ゲート電圧を保存して、前記ナノチューブ電界放出セルの明るさとグレイレベルを制御するコンデンサと、
からなることを特徴とするナノチューブ電界放出ディスプレイ。 - 前記第1ダイオードの前記第1電極は陽極で、前記第1ダイオードの前記第2電極は陰極で、前記第2ダイオードの前記第1電極は陽極で、前記第2ダイオードの前記第2電極は陰極であることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記第1ダイオードの前記第1電極は陰極で、前記第1ダイオードの前記第2電極は陽極で、前記第2ダイオードの前記第1電極は陰極で、前記第2ダイオードの前記第2電極は陽極であることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- さらに、
前記第1ダイオードの前記第1電極に結合された第1データラインと、
前記第2ダイオードの前記第2電極に結合された第2データラインと、
前記コンデンサに結合されたスキャンラインと、を備え、
前記第1データラインが制御電圧を受信し、前記スキャンラインがスキャン信号を受信する時、前記第1ダイオードはオンで、前記第2データラインは第1バイアス電圧を受信し、前記第2ダイオードはオフで、前記制御電圧は前記第1データラインと前記第1ダイオードにより、前記コンデンサに入力され、前記スキャン信号の機能が無効の時、前記第1および第2ダイオードはオフで、前記コンデンサはデータを保存し、前記第2データラインが第2バイアス電圧を受信する時、前記第2ダイオードはオンで、前記コンデンサの前記制御電圧は消去されることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。 - さらに、スキャンライン、第1データライン、第2データライン、ナノチューブ電界放出セル、第1ダイオード、第2ダイオード、コンデンサ、を備え、前記ナノチューブ電界放出セル、第1ダイオード、第2ダイオード、および前記コンデンサは全て、スキャンラインと第1データラインの交差点に設置され、前記スキャンラインは対応するコンデンサに結合され、前記第1データラインは前記第1ダイオードの前記第1電極に結合され、前記第2データラインは前記第2ダイオードの前記第2電極に結合され、前記第1ダイオードの前記第1電極と前記第2ダイオードの前記第2電極は、コンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに結合されることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- フレームのスキャン期間において、スキャン信号は対応するスキャンラインに入力され、前記対応する第2データラインは第1バイアス電圧を受信し、第2ダイオードはオフになり、データは対応するデータラインと第1ダイオードにより、対応するコンデンサとナノチューブ電界放出セルのゲートに入力され、前記スキャン信号の機能が無効である時、前記第1ダイオードはオンで、コンデンサは前記データを保存し、他のフレームのリセット期間、前記対応する第2データラインは、第2バイアス電圧を受信し、第2ダイオードはオフで、コンデンサに保存された前記データは消去されることを特徴とする請求項12記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記第1および第2ダイオードは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記コンデンサは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
- 前記ナノチューブ電界放出セルは、薄膜、厚膜、あるいは集積回路工程により形成されることを特徴とする請求項8記載のナノチューブ電界放出ディスプレイ。
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