JP2003323149A - 可調式グレイレベルのアクティブマトリクス電流源制御のｆｅｄ - Google Patents
可調式グレイレベルのアクティブマトリクス電流源制御のｆｅｄInfo
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
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- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 可調式グレイレベルのアクティブマトリクス
電流源制御のFEDを提供する。 【解決手段】 本発明のFEDは、アクティブデバイスを
用いて電圧制御信号を出力電流に転換し、コンデンサに
より電圧制御信号を記録及び維持することにより、低制
御電圧のアクティブ電流源駆動のFEDを形成し、グレイ
レベルと輝度を調整及び維持が達成される。アクティブ
デバイスとコンデンサにより、輝度を一定に保ち、これ
により、FEDが低電圧、低輝度の下、高瞬間輝度を達成
し、高い平均輝度を生じると同時に、高電圧時に生じる
アーク電流の問題を解決する。この他、電流源により、
FEDを流れる電流を制御するため、真空状態により生じ
る大きいアーク電流は、固定電流源により圧制されて、
電流を一定値に保持し、アーク電流が生じるのを防ぎ、
歩留まり率を向上する。
電流源制御のFEDを提供する。 【解決手段】 本発明のFEDは、アクティブデバイスを
用いて電圧制御信号を出力電流に転換し、コンデンサに
より電圧制御信号を記録及び維持することにより、低制
御電圧のアクティブ電流源駆動のFEDを形成し、グレイ
レベルと輝度を調整及び維持が達成される。アクティブ
デバイスとコンデンサにより、輝度を一定に保ち、これ
により、FEDが低電圧、低輝度の下、高瞬間輝度を達成
し、高い平均輝度を生じると同時に、高電圧時に生じる
アーク電流の問題を解決する。この他、電流源により、
FEDを流れる電流を制御するため、真空状態により生じ
る大きいアーク電流は、固定電流源により圧制されて、
電流を一定値に保持し、アーク電流が生じるのを防ぎ、
歩留まり率を向上する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、可調式グレイレベ
ルのアクティブマトリクス電流源制御のFED（field em
ission display）に関するもので、アクティブデバイ
スを用いて電圧制御信号を出力電流に転換し、コンデン
サにより電圧制御信号を記録及び維持することにより、
FEDのグレイレベルと輝度の調整と維持が達成される。
ルのアクティブマトリクス電流源制御のFED（field em
ission display）に関するもので、アクティブデバイ
スを用いて電圧制御信号を出力電流に転換し、コンデン
サにより電圧制御信号を記録及び維持することにより、
FEDのグレイレベルと輝度の調整と維持が達成される。
【０００２】
【従来の技術】図１は、一般のダイオードFEDを示す図
である。図１で示されるように、ダイオードFEDはアノ
ード１１により提供される高電圧で操作し、カソード１
２の電子エミッタ１３、例えば、CNT等から直接電子
を、アノード板上の燐光粉に発射して、FEDを発光させ
る。これは受動制御であるため、PWM技術により、アノ
ードから提供される操作時間を制御して、グレイレベル
を調節しなければならない。更に、電子は短い発射時間
内に高瞬間輝度を提供して、フレームタイム内で所望の
グレイレベルを達成しなければならない。しかし、この
ような方式は素子寿命を短縮し、且つ、高い制御電圧
（アノード電圧）が必要である。
である。図１で示されるように、ダイオードFEDはアノ
ード１１により提供される高電圧で操作し、カソード１
２の電子エミッタ１３、例えば、CNT等から直接電子
を、アノード板上の燐光粉に発射して、FEDを発光させ
る。これは受動制御であるため、PWM技術により、アノ
ードから提供される操作時間を制御して、グレイレベル
を調節しなければならない。更に、電子は短い発射時間
内に高瞬間輝度を提供して、フレームタイム内で所望の
グレイレベルを達成しなければならない。しかし、この
ような方式は素子寿命を短縮し、且つ、高い制御電圧
（アノード電圧）が必要である。
【０００３】図２は、一般のトライオードFEDを示す図
である。図２で示されるように、トライオードFEDはア
ノード２１により提供される高電圧で操作する。しか
し、ダイオードFEDとは異なり、ゲート２４により、カ
ソード２２の電子エミッタ２３から引き出した電子が必
要な電圧を低下させて、制御電圧（アノード電圧）を低
くする。現在、ゲート電子が使用する正電圧制御方式
は、FEDを制御する功能を欠き、また、PWMにより、制御
信号を与えて、アノード板２１上の燐光粉（図示せず）
を発光させ、高輝度を人の視覚に残留させて（普通は１
／１２〜１／１６秒）、FEDのグレイレベルを制御す
る。同様に、この方式はFEDの寿命を短縮し、FEDの信頼
性を低下させる。
である。図２で示されるように、トライオードFEDはア
ノード２１により提供される高電圧で操作する。しか
し、ダイオードFEDとは異なり、ゲート２４により、カ
ソード２２の電子エミッタ２３から引き出した電子が必
要な電圧を低下させて、制御電圧（アノード電圧）を低
くする。現在、ゲート電子が使用する正電圧制御方式
は、FEDを制御する功能を欠き、また、PWMにより、制御
信号を与えて、アノード板２１上の燐光粉（図示せず）
を発光させ、高輝度を人の視覚に残留させて（普通は１
／１２〜１／１６秒）、FEDのグレイレベルを制御す
る。同様に、この方式はFEDの寿命を短縮し、FEDの信頼
性を低下させる。
【０００４】図３は一般的なアクティブ制御のダイオー
ドFEDを示す図である。図３で示されるように、FEDはア
クティブデバイス３１及びダイオードFED３２からな
る。アクティブデバイス３１はゲート３１１、ソース３
１２、ドレイン３１３を備えるトランジスタである。ダ
イオードFED３２のエミッタ３２３はCNTである。図３で
示されるように、半導体技術がトランジスタ製造におい
て発展する過程で、CVD技術によりCNTをドレイン３１３
上で発展させ、ディスプレイ３２のカソード３２２を形
成する。これにより、トランジスタ３１はFED全体の電
流を制御し、CNTは電子を発射する。このような分担方
式は、PWMなしでもアクティブ制御が達成できるだけで
なく、CNT内の電流が安定しない問題も解決される。
ドFEDを示す図である。図３で示されるように、FEDはア
クティブデバイス３１及びダイオードFED３２からな
る。アクティブデバイス３１はゲート３１１、ソース３
１２、ドレイン３１３を備えるトランジスタである。ダ
イオードFED３２のエミッタ３２３はCNTである。図３で
示されるように、半導体技術がトランジスタ製造におい
て発展する過程で、CVD技術によりCNTをドレイン３１３
上で発展させ、ディスプレイ３２のカソード３２２を形
成する。これにより、トランジスタ３１はFED全体の電
流を制御し、CNTは電子を発射する。このような分担方
式は、PWMなしでもアクティブ制御が達成できるだけで
なく、CNT内の電流が安定しない問題も解決される。
【０００５】図４は、図３の等価回路を示す図である。
図４で示されるように、アクティブデバイス（ゲートト
ランジスタ３１）は、等価回路のスキャンライン４１上
の電圧Vgを制御することにより、ON／OFFを切り替え、
データライン４２上の電圧信号VdをダイオードFEDのカ
ソード３２２に入力して、ダイオードFEDが発射する電
子ビームを制御し、燐光粉を発光させる。また、スキャ
ンライン４１上の電圧Vgを制御して、アクティブデバイ
スをOFFにし、FEDを発光させない。これにより、ON／OF
F時間（発光時間）を制御することにより、所望のグレ
イレベルが達成される。この構造は低制御電圧、高アノ
ード電圧という長所を備える。しかし、スキャンライン
４１がアクティブデバイスをOFFにする時、ダイオードF
EDはOFFになり、その期間、グレイレベルデータは安定
せず、グレイレベルデータの制御能力に影響を与える。
図４で示されるように、アクティブデバイス（ゲートト
ランジスタ３１）は、等価回路のスキャンライン４１上
の電圧Vgを制御することにより、ON／OFFを切り替え、
データライン４２上の電圧信号VdをダイオードFEDのカ
ソード３２２に入力して、ダイオードFEDが発射する電
子ビームを制御し、燐光粉を発光させる。また、スキャ
ンライン４１上の電圧Vgを制御して、アクティブデバイ
スをOFFにし、FEDを発光させない。これにより、ON／OF
F時間（発光時間）を制御することにより、所望のグレ
イレベルが達成される。この構造は低制御電圧、高アノ
ード電圧という長所を備える。しかし、スキャンライン
４１がアクティブデバイスをOFFにする時、ダイオードF
EDはOFFになり、その期間、グレイレベルデータは安定
せず、グレイレベルデータの制御能力に影響を与える。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は可調式グレイ
レベルのアクティブマトリクス電流源制御のFEDを提供
することを目的とし、アクティブデバイスを用いて、電
圧制御信号を出力電流に転換し、コンデンサにより、電
圧制御信号を記録及び維持することにより、グレイレベ
ル及び輝度の調整と維持を達成する。
レベルのアクティブマトリクス電流源制御のFEDを提供
することを目的とし、アクティブデバイスを用いて、電
圧制御信号を出力電流に転換し、コンデンサにより、電
圧制御信号を記録及び維持することにより、グレイレベ
ル及び輝度の調整と維持を達成する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は可調式グレイレ
ベルのアクティブマトリクス電流源制御のFEDを提供
し、電圧制御信号を記録及び維持して、自動的に所望の
グレイレベルと輝度を制御する。可調FEDは２つのアク
ティブデバイスとコンデンサからなる。コンデンサは接
地に接続された一端と、２つのアクティブデバイスの接
続点に接続されたもう一端とを備えている。接続点はア
クティブデバイスのドレインをもう一つのアクティブデ
バイスのゲートに接続することにより形成される。これ
により、データライン信号はアクティブデバイスによ
り、もう一つのアクティブデバイスを制御し、FEDを駆
動して、アクティブデバイスがOFFの時、コンデンサに
より、もう一つのアクティブデバイスを作動状態に維持
する。よって、自動的にFEDグレイレベルの信頼性を制
御及び調整することができる。
ベルのアクティブマトリクス電流源制御のFEDを提供
し、電圧制御信号を記録及び維持して、自動的に所望の
グレイレベルと輝度を制御する。可調FEDは２つのアク
ティブデバイスとコンデンサからなる。コンデンサは接
地に接続された一端と、２つのアクティブデバイスの接
続点に接続されたもう一端とを備えている。接続点はア
クティブデバイスのドレインをもう一つのアクティブデ
バイスのゲートに接続することにより形成される。これ
により、データライン信号はアクティブデバイスによ
り、もう一つのアクティブデバイスを制御し、FEDを駆
動して、アクティブデバイスがOFFの時、コンデンサに
より、もう一つのアクティブデバイスを作動状態に維持
する。よって、自動的にFEDグレイレベルの信頼性を制
御及び調整することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】上述した本発明の目的、特徴、及
び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳し
く説明する。
び長所をいっそう明瞭にするため、以下に本発明の好ま
しい実施の形態を挙げ、図を参照にしながらさらに詳し
く説明する。
【０００９】以下、同様の機能を有する素子は、同じ符
号で示される。
号で示される。
【００１０】図５は、本発明による可調式グレイレベル
のアクティブマトリクス電流源制御のFEDを示す図であ
る。図５において、FEDは、第一アクティブデバイス５
１と、第二アクティブデバイス及びFEDの一部からなる
領域５２と、コンデンサ５３と、を備える。図５で示さ
れるように、第一アクティブデバイス５１はデータライ
ンに接続されたソース５１１と、第一アクティブデバイ
スのON／OFFを制御するゲート５１２と、第二アクティ
ブデバイスのゲート５２１に接続されるドレイン５１３
と、からなる。FEDは第二アクティブデバイスのソース
５２２に接続されるカソード５２３と、カソード５２３
上で発展するCNT５２４と、アノード５２５とを備え
る。このような構造は、薄膜、厚膜、IC或いは上述を組
み合わせた工程等、公知の工程により、基板５０上で、
アクティブデバイス（５１、５３、５２１、５２２の部
分）を完成させる。続いて、CVDにより、FED（５２３、
５２４、５２５の部分）を完成させる。前記公知の薄膜
及びIC工程は一般的に、クラッディング、フォトリソグ
ラフィ及びエッチング等である。公知の厚膜工程は、基
本的に、スクリーン印刷、焼成等である。
のアクティブマトリクス電流源制御のFEDを示す図であ
る。図５において、FEDは、第一アクティブデバイス５
１と、第二アクティブデバイス及びFEDの一部からなる
領域５２と、コンデンサ５３と、を備える。図５で示さ
れるように、第一アクティブデバイス５１はデータライ
ンに接続されたソース５１１と、第一アクティブデバイ
スのON／OFFを制御するゲート５１２と、第二アクティ
ブデバイスのゲート５２１に接続されるドレイン５１３
と、からなる。FEDは第二アクティブデバイスのソース
５２２に接続されるカソード５２３と、カソード５２３
上で発展するCNT５２４と、アノード５２５とを備え
る。このような構造は、薄膜、厚膜、IC或いは上述を組
み合わせた工程等、公知の工程により、基板５０上で、
アクティブデバイス（５１、５３、５２１、５２２の部
分）を完成させる。続いて、CVDにより、FED（５２３、
５２４、５２５の部分）を完成させる。前記公知の薄膜
及びIC工程は一般的に、クラッディング、フォトリソグ
ラフィ及びエッチング等である。公知の厚膜工程は、基
本的に、スクリーン印刷、焼成等である。
【００１１】図６は本発明による図５の等価回路を示す
図である。図６において、デバイスM１、M２とCsは、そ
れぞれ、図５中の５１、５２及び５３を表している。図
６で示されるように、スキャンライン信号SL信号がゲー
トG１により、M１を切り替える時、データラインDL信号
はデバイスM１のソースSとドレインDにより、デバイスM
２のゲートに送られ、デバイスM２がONになる。デバイ
スM２はONになり、M２を流れる電流は、M２のドレインA
に接続されているFET CFETにCNT５２４から電子ビーム
を発射させる。この電子ビームはアノード板５２５の表
面にコートされている燐光粉を励磁してFEDを発光させ
る。FEDの輝度は電流の振幅により決定される。電流の
大きさは、DL信号により決定される。よって、DL入力信
号の調整はFEDのグレイレベルを自動的に制御すること
が出来る。また、M１（ドレインD）とM２（ゲートG２）
の接続点に接続されたコンデンサCsは、入力信号を記録
することが出来る。SL信号が入力されてデバイスM１をO
FFにする時、コンデンサCsはM２に放電し始め、ゲートG
２により、デバイスM２の輝度を安定させる（安定した
グレイレベルを保つ）。CFEDはトライオードFEDに置換
することができる。
図である。図６において、デバイスM１、M２とCsは、そ
れぞれ、図５中の５１、５２及び５３を表している。図
６で示されるように、スキャンライン信号SL信号がゲー
トG１により、M１を切り替える時、データラインDL信号
はデバイスM１のソースSとドレインDにより、デバイスM
２のゲートに送られ、デバイスM２がONになる。デバイ
スM２はONになり、M２を流れる電流は、M２のドレインA
に接続されているFET CFETにCNT５２４から電子ビーム
を発射させる。この電子ビームはアノード板５２５の表
面にコートされている燐光粉を励磁してFEDを発光させ
る。FEDの輝度は電流の振幅により決定される。電流の
大きさは、DL信号により決定される。よって、DL入力信
号の調整はFEDのグレイレベルを自動的に制御すること
が出来る。また、M１（ドレインD）とM２（ゲートG２）
の接続点に接続されたコンデンサCsは、入力信号を記録
することが出来る。SL信号が入力されてデバイスM１をO
FFにする時、コンデンサCsはM２に放電し始め、ゲートG
２により、デバイスM２の輝度を安定させる（安定した
グレイレベルを保つ）。CFEDはトライオードFEDに置換
することができる。
【００１２】図７は、本発明によるもう一つの可調式グ
レイレベルのアクティブマトリクス電流源制御のFEDを
示す図である。図７において、追加されたゲート７２１
はカソード５２５とアノード５２３との間にある。図７
で示されるように、定電圧がゲート７２１に加えられ、
ゲート７２１を通過する電子を加速し、よって、ダイオ
ードFEDと比較すると、同様の輝度が必要とされる条件
下、電子エミッタ５２４から引き出された電子が必要と
する電流を減少する。残りの工程は、図５と完全に同じ
で、グレイレベルは自動的に制御される。定電圧値はゲ
ート７２１とカソード５２５との間の距離と３〜５V／
μmの電圧密度の乗数により決定される。つまり、定電
圧は、ゲートとカソードの間の距離に伴って変化する。
一般に、定電圧は数十から数百ボルトの範囲内である。
レイレベルのアクティブマトリクス電流源制御のFEDを
示す図である。図７において、追加されたゲート７２１
はカソード５２５とアノード５２３との間にある。図７
で示されるように、定電圧がゲート７２１に加えられ、
ゲート７２１を通過する電子を加速し、よって、ダイオ
ードFEDと比較すると、同様の輝度が必要とされる条件
下、電子エミッタ５２４から引き出された電子が必要と
する電流を減少する。残りの工程は、図５と完全に同じ
で、グレイレベルは自動的に制御される。定電圧値はゲ
ート７２１とカソード５２５との間の距離と３〜５V／
μmの電圧密度の乗数により決定される。つまり、定電
圧は、ゲートとカソードの間の距離に伴って変化する。
一般に、定電圧は数十から数百ボルトの範囲内である。
【００１３】前述のように、データラインの電流信号に
よるFEDの制御は、非理想的な真空状態により生じる大
きいアーク電流を、定値電流源の圧制により消去して、
歩留まり率を向上する。
よるFEDの制御は、非理想的な真空状態により生じる大
きいアーク電流を、定値電流源の圧制により消去して、
歩留まり率を向上する。
【００１４】図８は、本発明によるアプリケーションの
例を示す図である。図８においてこのアプリケーション
の例は、図５又は図７の構造をMxNアレイとなるユニッ
トとするものである。MxNアレイは記号U１１−UMNを備
えるMxN素子からなり、各素子は画素を表す。MとNの値
はディスプレイの大きさによって決まる。例えば、よく
見られる１０２４X７６８表示画面を例とすると、M＝１
０２４、N＝７６８である。図８で示されるように、第
一フレームタイム／スキャン数において、第一フレーム
／スキャンラインSL１の全ての素子U１１−UM１のアク
ティブデバイス（図５或いは図７）を駆動して、データ
ラインDL１−DLMのデータ信号を素子U１１−UM１のコン
デンサ（図５或いは図７）に記録する。これにより、そ
れぞれ対応する画素は、異なるデータ信号電圧が異なる
ため、異なるグレイレベルを表す。その後、スキャンラ
インSL１を停止する。この時、グレイレベルが安定する
ようにコンデンサに放電させ、信号入力時の輝度をもう
一つのデータライン信号の入力まで、維持する。上述の
ように、続いて、スキャンラインSL２−SLNをONにし
て、フレームの書き込みと表示操作を完成する。よっ
て、各フレーム時間内に繰り返されるフレーム書き込み
と表示操作において、自動的に制御され、FEDのグレイ
レベルを調整する。
例を示す図である。図８においてこのアプリケーション
の例は、図５又は図７の構造をMxNアレイとなるユニッ
トとするものである。MxNアレイは記号U１１−UMNを備
えるMxN素子からなり、各素子は画素を表す。MとNの値
はディスプレイの大きさによって決まる。例えば、よく
見られる１０２４X７６８表示画面を例とすると、M＝１
０２４、N＝７６８である。図８で示されるように、第
一フレームタイム／スキャン数において、第一フレーム
／スキャンラインSL１の全ての素子U１１−UM１のアク
ティブデバイス（図５或いは図７）を駆動して、データ
ラインDL１−DLMのデータ信号を素子U１１−UM１のコン
デンサ（図５或いは図７）に記録する。これにより、そ
れぞれ対応する画素は、異なるデータ信号電圧が異なる
ため、異なるグレイレベルを表す。その後、スキャンラ
インSL１を停止する。この時、グレイレベルが安定する
ようにコンデンサに放電させ、信号入力時の輝度をもう
一つのデータライン信号の入力まで、維持する。上述の
ように、続いて、スキャンラインSL２−SLNをONにし
て、フレームの書き込みと表示操作を完成する。よっ
て、各フレーム時間内に繰り返されるフレーム書き込み
と表示操作において、自動的に制御され、FEDのグレイ
レベルを調整する。
【００１５】本発明では好ましい実施例を前述の通り開
示したが、これらは決して本発明に限定するものではな
く、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と
領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えること
ができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で
指定した内容を基準とする。
示したが、これらは決して本発明に限定するものではな
く、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と
領域を脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えること
ができ、従って本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で
指定した内容を基準とする。
【００１６】
【発明の効果】アクティブマトリクス電流制御グレイレ
ベル調整可能FEDが達成される。
ベル調整可能FEDが達成される。
【図１】一般のダイオードFEDを示す図である。
【図２】一般のトライオードFEDを示す図である
【図３】一般的なアクティブ制御のダイオードFEDを示
す図である。
す図である。
【図４】図３の等価回路を示す図である。
【図５】本発明による可調式グレイレベルのアクティブ
マトリクス電流源制御のFEDを示す図である。
マトリクス電流源制御のFEDを示す図である。
【図６】本発明による図５の等価回路を示す図である。
【図７】本発明によるもう一つの可調式グレイレベルの
アクティブマトリクス電流源制御のFEDを示す図であ
る。
アクティブマトリクス電流源制御のFEDを示す図であ
る。
【図８】本発明によるアプリケーションの例を示す図で
ある。
ある。
５２５ アノード
５２３ カソード
５２４ エミッタ
５１２、５２１、G１、G２、７２１ ゲート
５１ アクティブデバイス
CFED ダイオードFED
SL、SL1〜SLN スキャンライン
５０ 基板
５２ FED＋アクティブデバイス
５３ コンデンサ素子
５２２ ソース或いはゲート
５１１、S ソース
５１３、D ドレイン
M１、M２ トランジスタ
Cs コンデンサ
U１１−UM１ ユニット構造
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６７０Ｊ ５Ｃ１２７
Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｂ
29/04 29/04
29/96 29/96
31/12 31/12 Ｃ
(72)発明者 李 鈞道
台湾新竹市▲なん▼雅街187巷66−１号２
褸
Ｆターム(参考） 5C031 DD17 DD19
5C032 AA01 AA07
5C036 EE02 EE19 EF01 EF06 EF09
EG48 EH04
5C080 AA08 AA18 BB05 DD03 DD08
DD29 EE29 FF11 HH17 JJ03
JJ06
5C094 AA53 AA54 BA03 BA32 DB04
EA10 FB19
5C127 AA01 BA13 BA15 BB07 EE02
EE04
Claims (4)
- 【請求項１】 外部のスキャンラインに接続され、ON／
OFF機能を制御する第一ゲートと、外部データラインに
接続され、グレイレベル信号を提供するソースと、ドレ
インと、からなる第一アクティブデバイスと、 前記第一アクティブデバイスの前記ドレインに接続さ
れ、前記グレイレベル信号を受信する第二ゲートと、FE
Dに接続され、前記グレイレベル信号を提供する一端と
からなる第二アクティブデバイスと、 前記第二ゲートに接続された一端と、接地に接続された
もう一端と、からなり、前記第一アクティブデバイスが
ONの時、前記グレイレベル信号を記録し、前記第一アク
ティブデバイスがOFFの時、放電して前記第二アクティ
ブデバイスをON状態に維持し、FEDに提供する前記グレ
イレベル信号の大きさを維持するコンデンサとからなる
ことを特徴とする可調式グレイレベルのアクティブマト
リクス電流源制御のFED。 - 【請求項２】 前記FEDは、 電子ビームを発射するCNTエミッタを備えるカソード
と、 前記電子ビームを加速するゲートと、 前記CNTエミッタから前記電子ビームを引き出すアノー
ドと、を備えることを特徴とする請求項１に記載の可調
式グレイレベルのアクティブマトリクス電流源制御のFE
D。 - 【請求項３】 可調式グレイレベルのアクティブマトリ
クス電流源制御のFEDの形成方法であって、 外部のスキャンラインに接続され、ON／OFF機能を制御
する第一ゲートと、外部データラインに接続され、グレ
イレベル信号を受信するソースと、ドレインと、からな
る第一アクティブデバイス及び前記アクティブデバイス
の前記ドレインに接続され、前記グレイレベル信号を受
信する第二ゲートと、FEDに接続され、前記グレイレベ
ル信号を提供する一端とからなる第二アクティブデバイ
スとを形成する工程と、 前記第二ゲートに接続された一端と、接地に接続された
もう一端と、からなるコンデンサを形成する工程と、 前記第二アクティブデバイスの前記ドレインに接続され
たFEDを形成する工程とからなることを特徴とする可調
式グレイレベルのアクティブマトリクス電流源制御のFE
Dの形成方法。 - 【請求項４】 前記FEDを形成する工程は、CNTを備える
カソードと、定電圧を備えるゲートと、所望のグレイレ
ベル信号を表示するアノードの形成を含み、前記外部デ
ータラインにより提供される電流の振幅により、前記CN
Tエミッタから電子ビームを発射して、前記ゲートの定
電圧により加速して、前記グレイレベル信号を表示する
ことを特徴とする請求項３に記載の可調式グレイレベル
のアクティブマトリクス電流源制御のFEDの形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW091109214 | 2002-05-03 | ||
| TW091109214A TW587394B (en) | 2002-05-03 | 2002-05-03 | Active matrix current source controlled gray level tunable FED |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003323149A true JP2003323149A (ja) | 2003-11-14 |
Family
ID=29268324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030205768A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003323149A (ja) |
| TW (1) | TW587394B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100651624B1 (ko) | 2005-11-10 | 2006-12-01 | 한국전자통신연구원 | 액티브-매트릭스 전계 방출 디스플레이 |
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2002
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-
2003
- 2003-04-14 US US10/412,275 patent/US20030205768A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100651624B1 (ko) | 2005-11-10 | 2006-12-01 | 한국전자통신연구원 | 액티브-매트릭스 전계 방출 디스플레이 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030205768A1 (en) | 2003-11-06 |
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|
| A602 | Written permission of extension of time |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060509 |