JP2004103618A - Yagロッド及びyagレーザ発振装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】YAGロッドにおける、YAGレーザの反射、あるはポンピング光源からの励起光の反射の少なくとも一方をより低減することで、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGロッド及びYAGレーザ発振装置を提供する。
【解決手段】YAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面20a、あるいはYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方における少なくとも一部の面に、超微細錐形20bを2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射面を形成する。または、超微細錐形20bを2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射部材を、YAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいはYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方の少なくとも一部の面に張り付ける。
【選択図】 図4
【解決手段】YAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面20a、あるいはYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方における少なくとも一部の面に、超微細錐形20bを2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射面を形成する。または、超微細錐形20bを2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射部材を、YAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいはYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方の少なくとも一部の面に張り付ける。
【選択図】 図4
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、YAGレーザの発振源として用いるYAGロッド、及びYAGロッドを用いてYAGレーザを出力するYAGレーザ発振装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、YAGロッドを用いたYAGレーザ発振装置が金属加工等に利用されている。
YAGレーザ発振装置では、YAGロッドにポンピング光源(半導体レーザあるいは励起ランプ等)から励起光を照射し、照射された励起光のエネルギーの一部がYAGロッド内でレーザ光に変換される。
YAGロッドは直径10mm程度、長さが150mm程度の円筒状の形状をしており、内部で変換されたレーザ光は、YAGロッドの軸方向に進行する。このレーザ光を出力として取り出すために、YAGロッドの両端面と向い合せてミラーを配置している。そして、一方のミラーはレーザ光を全反射させて再びYAGロッドに戻し、他方のミラーはレーザ光の一部を通過させて出力として取り出し、残りのレーザ光を反射させて再びYAGロッドに戻している。
【0003】
従来のYAGロッド20について、図7(A)〜(C)を用いて説明する。YAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面ではYAGレーザが入出射するので、YAGレーザの反射を抑制するARコート20z(Anti Reflection コーティング)が施されている(図7(A))。例えば、ARコート20zの厚さ(t1)は、レーザ光の波長(λ)の1/4の厚さである。このため、図7(B)に示すように、入射されたレーザ光がARコート20zの表面で反射した「ARコート表面反射レーザ光」と、入射されたレーザ光がYAGロッド表面で反射した「YAGロッド表面反射レーザ光」とが、位相差により互いに相殺する(図7(B)では説明のために各「光軸」をずらして記載しているが、実際には各「光軸」は同一である)。つまり、ARコート表面、及びYAGロッド表面ではYAGレーザの反射が実際には発生しているが、発生した反射レーザ光を相殺させることで、反射レーザ光を実質的には無くしている。
【0004】
このARコート20zは、レーザ光の入射角(図7(C)における角度「θ」)がゼロの場合は、図7(B)に示すように、「ARコート表面反射レーザ光」と、「YAGロッド表面反射レーザ光」とを同一光軸上で、その位相差により互いに相殺する。しかし、入射角「θ」がゼロでない場合は、図7(C)に示すように、「ARコート表面反射レーザ光」の「光軸」と、「YAGロッド表面反射レーザ光」の「光軸」がずれ、且つ双方の位相差も相殺可能な位相差になることはほとんどない。このため、ARコート20zを有効に利用できないので、ポンピング光源からの入射角「θ」がゼロとは限らないYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面は、「スリ面(スリガラス状表面)」とすることで、ポンピング光源(半導体レーザあるいは励起ランプ等)から照射される励起光の反射を抑制している。
【0005】
なお、上記に説明した、YAGロッドの「両端面へのARコート」、及びYAGロッドの「側面のスリ面」は、従来より一般的に行われているので、あえて先行技術文献を記載しない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来のYAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面に施されているARコート20zは、発生させたYAGレーザの反射を極力少なくしているが、実際にはYAGレーザの反射は発生している。YAGロッド20の両端面における、YAGレーザの反射を更に少なくすれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
また、従来のYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面に施されている「スリ面」は、ポンピング光源からの励起光の反射を少なくしているが、実際には励起光の反射は発生している。YAGロッド20の側面における、ポンピング光源から照射される励起光の反射を更に少なくすれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、YAGロッドにおける、YAGレーザの反射、あるはポンピング光源からの励起光の反射の少なくとも一方をより低減することで、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGロッド及びYAGレーザ発振装置を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、本発明の第1発明は、請求項1に記載されたとおりのYAGロッドである。
請求項1に記載のYAGロッドでは、軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいは軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方における少なくとも一部の面に、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射面を形成する。
この無反射面は、実際に反射された光を相殺するのでなく、実際に反射する光をARコートよりも更に少なくするので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。特に、YAGロッドの側面では、従来の「スリ面」より非常に反射率を小さくすることができるので、YAGレーザのエネルギー効率を効果的に向上させることができる。
【0008】
また、本発明の第2発明は、請求項2に記載されたとおりのYAGロッドである。
請求項2に記載のYAGロッドでは、YAGロッドの表面に無反射面を形成する請求項1に対して、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射部材をYAGロッドとは別の部材に形成し、YAGロッドの軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいは軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方の少なくとも一部の面に張り付ける。
このため、より容易にYAGロッドの表面に無反射面を備えることができる。これにより、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。特に、YAGロッドの側面では、従来の「スリ面」より非常に反射率を小さくすることができるので、YAGレーザのエネルギー効率を効果的に向上させることができる。
【0009】
また、本発明の第3発明は、請求項3に記載されたとおりのYAGレーザ発振装置である。
請求項3に記載のYAGレーザ発振装置を用いれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGレーザ発振装置を容易に実現することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。図1は、本発明のYAGロッド20を用いたYAGレーザ発振装置10を、レーザ加工装置に適用した一実施の形態の概略構成図を示している。
●[全体構成(図1)]
図1に示すレーザ加工装置は、YAGレーザ発振装置10と、加工位置制御装置30とで構成されている。
YAGレーザ発振装置10は、YAGレーザの発振源としてのYAGロッド20を内部に有しており、制御手段15によって制御され、YAGレーザを出力する。出力されたYAGレーザは、光ファイバ14等に入射され、当該光ファイバ14から出射される際、出射部16にて光学レンズ等で集光され、被加工部材40に照射される。
加工位置制御装置30は、制御手段35によって制御され、YAGレーザの出射部16を任意の位置に移動可能である。
【0011】
●[YAGロッドへの励起光の照射(図2)]
次に図2を用いて、YAGロッド20に励起光を照射する概要について説明する。YAGロッド20は、ポンピング光源(半導体レーザ、励起ランプ等)から励起光を照射されてエネルギーを注入され、YAGロッド20の軸方向に進行するYAGレーザを出力する。本実施の形態では、ポンピング光源として半導体レーザアレイ21を用いている。
図2(A)は、YAGロッド20の軸方向にほぼ垂直な3方向に各々半導体レーザアレイ21を配置し、当該3方向から半導体レーザ光を照射する例を示している。ここで、YAGロッド20の軸方向は、図中に示すz軸の方向であり、このz軸の方向にYAGレーザが出力される。
【0012】
また、図2(B)は、YAGロッド20をz軸の方向から見た詳細図である。
図2に示すように、YAGロッド20の軸方向(z軸方向)に対してほぼ垂直な3方向に、半導体レーザアレイ21を配置し、より多くの励起光(この場合、半導体レーザ光)を、YAGロッド20に照射する。このとき、半導体レーザアレイ21から照射される半導体レーザ光は、所定の方向に拡散しながら進行するので、光学レンズ22(この場合、z軸方向を軸とするシリンドリカルレンズ等)を用いて、拡散を抑制させながらYAGロッド20に照射する。また、YAGロッド20の側面は反射鏡23で囲まれており、照射された半導体レーザ光の反射光が外部に漏れることを抑制し、再度YAGロッド20に照射される構造を有している。
【0013】
●[YAGロッドの端面におけるYAGレーザの反射(図3)]
YAGロッド20から出力されるYAGレーザは、YAGロッドの軸方向にほぼ垂直な両端面と向い合せて配置した2枚のミラー(全反射ミラー24、出力ミラー25)を用いてYAGレーザ出力として取り出される(図3)。当該2枚のミラー(全反射ミラー24、出力ミラー25)は、YAGロッドの軸方向にほぼ垂直(YAGレーザの進行方向に対して垂直)に配置され、且つその間隔はYAGレーザの波長(λ)に基づいて設定される。
また、全反射ミラー24は入射されたYAGレーザをほぼ全反射するミラーであり、YAGロッド20の一方の端面から出射されたYAGレーザを、再度YAGロッド20の当該一方の端面に戻す。出力ミラー25は入射されたYAGレーザの一部を通過させて残りのYAGレーザを反射するハーフミラーであり、YAGロッド20の他方の端面から出射されたYAGレーザの一部を通過させて、残りのYAGレーザを再度YAGロッド20の当該他方の端面に戻す。
出力ミラー25から取り出されたYAGレーザ出力は、光ファイバ等に入射され、加工位置制御装置30により、被加工部材40の所定の位置に照射される。
【0014】
このとき、YAGレーザが入出射するYAGロッド20の両端面では、従来のARコート(Anti Reflection コーティング)では、図7の説明のように、実際にはYAGレーザの反射が発生している。
そこで、図4に示すように、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べた無反射面をYAGロッド20の端面に形成し、YAGレーザの反射を、従来のARコートよりも更に少なくする。
【0015】
●[YAGロッドの端面への無反射面の形成(図4)]
YAGロッド20の両端面に形成する無反射面は、超微細錐形20b(円錐、多角錐等)を2次元配列状に複数立ち並べた構造を有している(図4)。超微細錐形20bの軸方向はYAGロッド20の軸方向とほぼ平行である。この超微細錐形20bのピッチ(隣り合う錐形の中心の間隔)「p1」は、数百nm[ナノメートル]程度(例えば約150nm)であり、高さ「h1」も数百nm程度(例えば約350nm)である。この寸法は、YAGレーザ光の波長等に合わせて適切な値に設定される。
【0016】
例えば、(p1、h1、錐形形状)を、(150nm、350nm、円錐形)とした場合と、(200nm、370nm、円錐形状)とした場合の実験例について説明する。どちらの場合も、可視光領域を含む波長1000nm以下の光において、全体的(実験では200nm〜1000nmの波長の光)に反射率を非常に低く抑えることができた。また、ピッチ「p1」が150nmの方が、ピッチ「p1」が200nmの方よりも、反射率が小さいことを実験にて確認した。また、特定の波長(この実験では、波長400nm)においては、非常に低い反射率(0.5%以下)であることを確認できた。
また、入射角に対する反射率の特性においても、入射角が0°〜60°程度において、反射率を数%以下に抑制できることを確認できた(この実験例は、YAGロッドの側面に超微細錐形を備えた場合に有効である)。
【0017】
なお、この無反射面は、YAGロッド20の端面全体に形成することなく、少なくともYAGレーザが実際に入出射される部分のみに形成するようにしてもよい。また、YAGロッド20の表面に形成することなく、他の部材(シート状部材等)に無反射面を形成して、YAGロッド20の端面に張り付けるようにしてもよい。
【0018】
この無反射面は、電子線描画によるパターニングにより形成が可能であり、汎用の電子線描画装置にて形成が可能である。また、超微細錐形20bのテーパを形成するには、例えば半導体加工プロセスで用いるFAB(Fast Atom Beam)加工装置でエッチングすることにより、滑らかなテーパ断面形状を形成することができる。
上記のように形成された無反射面は、実際に反射されたYAGレーザを相殺するのでなく、実際に反射されるYAGレーザを、従来のARコートよりも更に少なくするので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
【0019】
●[YAGロッドの側面における励起光の反射(図5)]
YAGロッド20の側面に照射される励起光は、図2(B)に示すように、YAGロッド側面の曲面に対して、所定の幅を有する励起光(この場合、半導体レーザ)が照射されるので、励起光の入射角がゼロとならない部分が多い。このため、従来のYAGロッド20の側面には、ARコートを有効に使用することができず、「スリ面(スリガラス状の表面)」が形成されている。つまり、従来のYAGロッド20の側面においては、ARコートよりも大きな反射率で励起光が反射される(図5)。
そこで、図6に示すように、超微細錐形20dを2次元配列状に複数立ち並べた無反射面をYAGロッド20の側面に形成し、励起光の反射を従来のスリ面よりも更に少なくする。
【0020】
●[YAGロッドの側面への無反射面の形成(図6)]
YAGロッド20の側面に形成する無反射面は、図4と同様に、超微細錐形20d(円錐、多角錐等)を2次元配列状に複数立ち並べた構造を有している(図6)。超微細錐形20dの軸方向はYAGロッド20の軸(z軸)にほぼ垂直である。この超微細錐形20dのピッチ「p2」及び高さ「h2」の寸法は、励起光(この場合、半導体レーザ)の波長等に合わせて適切な値に設定される。
なお、この無反射面は、YAGロッド20の側面全体に形成することなく、少なくとも励起光が実際に照射される部分のみに形成するようにしてもよい。また、YAGロッド20の表面に形成することなく、他の部材(シート状部材等)に無反射面を形成して、YAGロッド20の側面に張り付けるようにしてもよい。
また、超微細錐形20dのピッチ「p2」及び高さ「h2」の寸法及びその無反射特性は、既に説明した内容と同様であるので、省略する。
【0021】
この無反射面は、既に説明したように、電子線描画によるパターニングにより形成が可能であり、汎用の電子線描画装置にて形成が可能である。また、既に説明したように、超微細錐形20dのテーパを形成するには、例えば半導体加工プロセスで用いるFABでエッチングすることにより、滑らかなテーパ断面形状を形成することができる。
上記のように形成された無反射面は、実際に反射される励起光を、従来のスリ面よりも更に少なくするので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
【0022】
本発明のYAGロッド及びYAGレーザ発振装置は、本実施の形態で説明した構成、形状、配置等に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。
本発明のYAGロッド及びYAGレーザ発振装置は、レーザ加工装置等、レーザ光を用いた種々の装置に適用することが可能である。
本実施の形態で説明した超微細錐形20b、20dの形状、寸法、材質は種々のものを用いることが可能である。
本実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるものではない。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1または2に記載のYAGロッドを用いれば、YAGロッドにおける、YAGレーザの反射、あるはポンピング光源からの励起光の反射の少なくとも一方をより低減することができるので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
また、請求項3に記載のYAGレーザ発振装置を用いれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGレーザ発振装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のYAGロッド20を用いたYAGレーザ発振装置10を、レーザ加工装置に適用した一実施の形態の概略構成図である。
【図2】YAGロッド20に励起光を照射する概要について説明する図である。
【図3】YAGロッド20と全反射ミラー24と出力ミラー25との配置と、YAGレーザの反射を説明する図である。
【図4】本発明の、超微細錐形20bを2次元配列状に複数立ち並べた無反射面を端面に形成したYAGロッド20の例を説明する図である。
【図5】YAGロッド20と半導体レーザアレイ21(ポンピング光源)との配置と、半導体レーザ(励起光)の反射を説明する図である。
【図6】本発明の、超微細錐形20dを2次元配列状に複数立ち並べた無反射面を側面に形成したYAGロッド20の例を説明する図である。
【図7】従来のARコートを施したYAGロッド、及びARコートの原理について説明する図である。
【符号の説明】
10 YAGレーザ発振装置
20 YAGロッド
20a YAGロッド端面
20c YAGロッド側面
20b、20d 超微細錐形
21 半導体レーザアレイ(ポンピング光源)
24 全反射ミラー
25 出力ミラー
【発明の属する技術分野】
本発明は、YAGレーザの発振源として用いるYAGロッド、及びYAGロッドを用いてYAGレーザを出力するYAGレーザ発振装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、YAGロッドを用いたYAGレーザ発振装置が金属加工等に利用されている。
YAGレーザ発振装置では、YAGロッドにポンピング光源(半導体レーザあるいは励起ランプ等)から励起光を照射し、照射された励起光のエネルギーの一部がYAGロッド内でレーザ光に変換される。
YAGロッドは直径10mm程度、長さが150mm程度の円筒状の形状をしており、内部で変換されたレーザ光は、YAGロッドの軸方向に進行する。このレーザ光を出力として取り出すために、YAGロッドの両端面と向い合せてミラーを配置している。そして、一方のミラーはレーザ光を全反射させて再びYAGロッドに戻し、他方のミラーはレーザ光の一部を通過させて出力として取り出し、残りのレーザ光を反射させて再びYAGロッドに戻している。
【0003】
従来のYAGロッド20について、図7(A)〜(C)を用いて説明する。YAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面ではYAGレーザが入出射するので、YAGレーザの反射を抑制するARコート20z(Anti Reflection コーティング)が施されている(図7(A))。例えば、ARコート20zの厚さ(t1)は、レーザ光の波長(λ)の1/4の厚さである。このため、図7(B)に示すように、入射されたレーザ光がARコート20zの表面で反射した「ARコート表面反射レーザ光」と、入射されたレーザ光がYAGロッド表面で反射した「YAGロッド表面反射レーザ光」とが、位相差により互いに相殺する(図7(B)では説明のために各「光軸」をずらして記載しているが、実際には各「光軸」は同一である)。つまり、ARコート表面、及びYAGロッド表面ではYAGレーザの反射が実際には発生しているが、発生した反射レーザ光を相殺させることで、反射レーザ光を実質的には無くしている。
【0004】
このARコート20zは、レーザ光の入射角(図7(C)における角度「θ」)がゼロの場合は、図7(B)に示すように、「ARコート表面反射レーザ光」と、「YAGロッド表面反射レーザ光」とを同一光軸上で、その位相差により互いに相殺する。しかし、入射角「θ」がゼロでない場合は、図7(C)に示すように、「ARコート表面反射レーザ光」の「光軸」と、「YAGロッド表面反射レーザ光」の「光軸」がずれ、且つ双方の位相差も相殺可能な位相差になることはほとんどない。このため、ARコート20zを有効に利用できないので、ポンピング光源からの入射角「θ」がゼロとは限らないYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面は、「スリ面(スリガラス状表面)」とすることで、ポンピング光源(半導体レーザあるいは励起ランプ等)から照射される励起光の反射を抑制している。
【0005】
なお、上記に説明した、YAGロッドの「両端面へのARコート」、及びYAGロッドの「側面のスリ面」は、従来より一般的に行われているので、あえて先行技術文献を記載しない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来のYAGロッド20の軸方向に対してほぼ垂直な両端面に施されているARコート20zは、発生させたYAGレーザの反射を極力少なくしているが、実際にはYAGレーザの反射は発生している。YAGロッド20の両端面における、YAGレーザの反射を更に少なくすれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
また、従来のYAGロッド20の軸方向に対してほぼ平行な側面に施されている「スリ面」は、ポンピング光源からの励起光の反射を少なくしているが、実際には励起光の反射は発生している。YAGロッド20の側面における、ポンピング光源から照射される励起光の反射を更に少なくすれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
本発明は、このような点に鑑みて創案されたものであり、YAGロッドにおける、YAGレーザの反射、あるはポンピング光源からの励起光の反射の少なくとも一方をより低減することで、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGロッド及びYAGレーザ発振装置を提供することを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための手段として、本発明の第1発明は、請求項1に記載されたとおりのYAGロッドである。
請求項1に記載のYAGロッドでは、軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいは軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方における少なくとも一部の面に、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射面を形成する。
この無反射面は、実際に反射された光を相殺するのでなく、実際に反射する光をARコートよりも更に少なくするので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。特に、YAGロッドの側面では、従来の「スリ面」より非常に反射率を小さくすることができるので、YAGレーザのエネルギー効率を効果的に向上させることができる。
【0008】
また、本発明の第2発明は、請求項2に記載されたとおりのYAGロッドである。
請求項2に記載のYAGロッドでは、YAGロッドの表面に無反射面を形成する請求項1に対して、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射部材をYAGロッドとは別の部材に形成し、YAGロッドの軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいは軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方の少なくとも一部の面に張り付ける。
このため、より容易にYAGロッドの表面に無反射面を備えることができる。これにより、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。特に、YAGロッドの側面では、従来の「スリ面」より非常に反射率を小さくすることができるので、YAGレーザのエネルギー効率を効果的に向上させることができる。
【0009】
また、本発明の第3発明は、請求項3に記載されたとおりのYAGレーザ発振装置である。
請求項3に記載のYAGレーザ発振装置を用いれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGレーザ発振装置を容易に実現することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。図1は、本発明のYAGロッド20を用いたYAGレーザ発振装置10を、レーザ加工装置に適用した一実施の形態の概略構成図を示している。
●[全体構成(図1)]
図1に示すレーザ加工装置は、YAGレーザ発振装置10と、加工位置制御装置30とで構成されている。
YAGレーザ発振装置10は、YAGレーザの発振源としてのYAGロッド20を内部に有しており、制御手段15によって制御され、YAGレーザを出力する。出力されたYAGレーザは、光ファイバ14等に入射され、当該光ファイバ14から出射される際、出射部16にて光学レンズ等で集光され、被加工部材40に照射される。
加工位置制御装置30は、制御手段35によって制御され、YAGレーザの出射部16を任意の位置に移動可能である。
【0011】
●[YAGロッドへの励起光の照射(図2)]
次に図2を用いて、YAGロッド20に励起光を照射する概要について説明する。YAGロッド20は、ポンピング光源(半導体レーザ、励起ランプ等)から励起光を照射されてエネルギーを注入され、YAGロッド20の軸方向に進行するYAGレーザを出力する。本実施の形態では、ポンピング光源として半導体レーザアレイ21を用いている。
図2(A)は、YAGロッド20の軸方向にほぼ垂直な3方向に各々半導体レーザアレイ21を配置し、当該3方向から半導体レーザ光を照射する例を示している。ここで、YAGロッド20の軸方向は、図中に示すz軸の方向であり、このz軸の方向にYAGレーザが出力される。
【0012】
また、図2(B)は、YAGロッド20をz軸の方向から見た詳細図である。
図2に示すように、YAGロッド20の軸方向(z軸方向)に対してほぼ垂直な3方向に、半導体レーザアレイ21を配置し、より多くの励起光(この場合、半導体レーザ光)を、YAGロッド20に照射する。このとき、半導体レーザアレイ21から照射される半導体レーザ光は、所定の方向に拡散しながら進行するので、光学レンズ22(この場合、z軸方向を軸とするシリンドリカルレンズ等)を用いて、拡散を抑制させながらYAGロッド20に照射する。また、YAGロッド20の側面は反射鏡23で囲まれており、照射された半導体レーザ光の反射光が外部に漏れることを抑制し、再度YAGロッド20に照射される構造を有している。
【0013】
●[YAGロッドの端面におけるYAGレーザの反射(図3)]
YAGロッド20から出力されるYAGレーザは、YAGロッドの軸方向にほぼ垂直な両端面と向い合せて配置した2枚のミラー(全反射ミラー24、出力ミラー25)を用いてYAGレーザ出力として取り出される(図3)。当該2枚のミラー(全反射ミラー24、出力ミラー25)は、YAGロッドの軸方向にほぼ垂直(YAGレーザの進行方向に対して垂直)に配置され、且つその間隔はYAGレーザの波長(λ)に基づいて設定される。
また、全反射ミラー24は入射されたYAGレーザをほぼ全反射するミラーであり、YAGロッド20の一方の端面から出射されたYAGレーザを、再度YAGロッド20の当該一方の端面に戻す。出力ミラー25は入射されたYAGレーザの一部を通過させて残りのYAGレーザを反射するハーフミラーであり、YAGロッド20の他方の端面から出射されたYAGレーザの一部を通過させて、残りのYAGレーザを再度YAGロッド20の当該他方の端面に戻す。
出力ミラー25から取り出されたYAGレーザ出力は、光ファイバ等に入射され、加工位置制御装置30により、被加工部材40の所定の位置に照射される。
【0014】
このとき、YAGレーザが入出射するYAGロッド20の両端面では、従来のARコート(Anti Reflection コーティング)では、図7の説明のように、実際にはYAGレーザの反射が発生している。
そこで、図4に示すように、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べた無反射面をYAGロッド20の端面に形成し、YAGレーザの反射を、従来のARコートよりも更に少なくする。
【0015】
●[YAGロッドの端面への無反射面の形成(図4)]
YAGロッド20の両端面に形成する無反射面は、超微細錐形20b(円錐、多角錐等)を2次元配列状に複数立ち並べた構造を有している(図4)。超微細錐形20bの軸方向はYAGロッド20の軸方向とほぼ平行である。この超微細錐形20bのピッチ(隣り合う錐形の中心の間隔)「p1」は、数百nm[ナノメートル]程度(例えば約150nm)であり、高さ「h1」も数百nm程度(例えば約350nm)である。この寸法は、YAGレーザ光の波長等に合わせて適切な値に設定される。
【0016】
例えば、(p1、h1、錐形形状)を、(150nm、350nm、円錐形)とした場合と、(200nm、370nm、円錐形状)とした場合の実験例について説明する。どちらの場合も、可視光領域を含む波長1000nm以下の光において、全体的(実験では200nm〜1000nmの波長の光)に反射率を非常に低く抑えることができた。また、ピッチ「p1」が150nmの方が、ピッチ「p1」が200nmの方よりも、反射率が小さいことを実験にて確認した。また、特定の波長(この実験では、波長400nm)においては、非常に低い反射率(0.5%以下)であることを確認できた。
また、入射角に対する反射率の特性においても、入射角が0°〜60°程度において、反射率を数%以下に抑制できることを確認できた(この実験例は、YAGロッドの側面に超微細錐形を備えた場合に有効である)。
【0017】
なお、この無反射面は、YAGロッド20の端面全体に形成することなく、少なくともYAGレーザが実際に入出射される部分のみに形成するようにしてもよい。また、YAGロッド20の表面に形成することなく、他の部材(シート状部材等)に無反射面を形成して、YAGロッド20の端面に張り付けるようにしてもよい。
【0018】
この無反射面は、電子線描画によるパターニングにより形成が可能であり、汎用の電子線描画装置にて形成が可能である。また、超微細錐形20bのテーパを形成するには、例えば半導体加工プロセスで用いるFAB(Fast Atom Beam)加工装置でエッチングすることにより、滑らかなテーパ断面形状を形成することができる。
上記のように形成された無反射面は、実際に反射されたYAGレーザを相殺するのでなく、実際に反射されるYAGレーザを、従来のARコートよりも更に少なくするので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
【0019】
●[YAGロッドの側面における励起光の反射(図5)]
YAGロッド20の側面に照射される励起光は、図2(B)に示すように、YAGロッド側面の曲面に対して、所定の幅を有する励起光(この場合、半導体レーザ)が照射されるので、励起光の入射角がゼロとならない部分が多い。このため、従来のYAGロッド20の側面には、ARコートを有効に使用することができず、「スリ面(スリガラス状の表面)」が形成されている。つまり、従来のYAGロッド20の側面においては、ARコートよりも大きな反射率で励起光が反射される(図5)。
そこで、図6に示すように、超微細錐形20dを2次元配列状に複数立ち並べた無反射面をYAGロッド20の側面に形成し、励起光の反射を従来のスリ面よりも更に少なくする。
【0020】
●[YAGロッドの側面への無反射面の形成(図6)]
YAGロッド20の側面に形成する無反射面は、図4と同様に、超微細錐形20d(円錐、多角錐等)を2次元配列状に複数立ち並べた構造を有している(図6)。超微細錐形20dの軸方向はYAGロッド20の軸(z軸)にほぼ垂直である。この超微細錐形20dのピッチ「p2」及び高さ「h2」の寸法は、励起光(この場合、半導体レーザ)の波長等に合わせて適切な値に設定される。
なお、この無反射面は、YAGロッド20の側面全体に形成することなく、少なくとも励起光が実際に照射される部分のみに形成するようにしてもよい。また、YAGロッド20の表面に形成することなく、他の部材(シート状部材等)に無反射面を形成して、YAGロッド20の側面に張り付けるようにしてもよい。
また、超微細錐形20dのピッチ「p2」及び高さ「h2」の寸法及びその無反射特性は、既に説明した内容と同様であるので、省略する。
【0021】
この無反射面は、既に説明したように、電子線描画によるパターニングにより形成が可能であり、汎用の電子線描画装置にて形成が可能である。また、既に説明したように、超微細錐形20dのテーパを形成するには、例えば半導体加工プロセスで用いるFABでエッチングすることにより、滑らかなテーパ断面形状を形成することができる。
上記のように形成された無反射面は、実際に反射される励起光を、従来のスリ面よりも更に少なくするので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
【0022】
本発明のYAGロッド及びYAGレーザ発振装置は、本実施の形態で説明した構成、形状、配置等に限定されず、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更、追加、削除が可能である。
本発明のYAGロッド及びYAGレーザ発振装置は、レーザ加工装置等、レーザ光を用いた種々の装置に適用することが可能である。
本実施の形態で説明した超微細錐形20b、20dの形状、寸法、材質は種々のものを用いることが可能である。
本実施の形態の説明に用いた数値は一例であり、この数値に限定されるものではない。
【0023】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1または2に記載のYAGロッドを用いれば、YAGロッドにおける、YAGレーザの反射、あるはポンピング光源からの励起光の反射の少なくとも一方をより低減することができるので、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができる。
また、請求項3に記載のYAGレーザ発振装置を用いれば、YAGレーザのエネルギー効率を更に向上させることができるYAGレーザ発振装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のYAGロッド20を用いたYAGレーザ発振装置10を、レーザ加工装置に適用した一実施の形態の概略構成図である。
【図2】YAGロッド20に励起光を照射する概要について説明する図である。
【図3】YAGロッド20と全反射ミラー24と出力ミラー25との配置と、YAGレーザの反射を説明する図である。
【図4】本発明の、超微細錐形20bを2次元配列状に複数立ち並べた無反射面を端面に形成したYAGロッド20の例を説明する図である。
【図5】YAGロッド20と半導体レーザアレイ21(ポンピング光源)との配置と、半導体レーザ(励起光)の反射を説明する図である。
【図6】本発明の、超微細錐形20dを2次元配列状に複数立ち並べた無反射面を側面に形成したYAGロッド20の例を説明する図である。
【図7】従来のARコートを施したYAGロッド、及びARコートの原理について説明する図である。
【符号の説明】
10 YAGレーザ発振装置
20 YAGロッド
20a YAGロッド端面
20c YAGロッド側面
20b、20d 超微細錐形
21 半導体レーザアレイ(ポンピング光源)
24 全反射ミラー
25 出力ミラー
Claims (3)
- YAGレーザの発振源として用いる、柱状の形状を有するYAGロッドであって、
軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいは軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方における少なくとも一部の面に、超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射面を形成する、
ことを特徴とするYAGロッド。 - YAGレーザの発振源として用いる、柱状の形状を有するYAGロッドであって、
超微細な錐形を2次元配列状に複数立ち並べて光をほぼ無反射する無反射部材を、軸方向に対してほぼ垂直な両端面、あるいは軸方向に対してほぼ平行な側面の少なくとも一方の少なくとも一部の面に張り付ける、
ことを特徴とするYAGロッド。 - YAGレーザの発振源として用いるYAGロッドと、YAGレーザを励起する半導体レーザまたはランプと、YAGロッドの一方の端面から出力されるYAGレーザを全反射する全反射ミラーと、YAGロッドの他方の端面から出力されるYAGレーザの一部をYAGレーザ出力として通過させて残りを反射する出力ミラーとを備え、
請求項1または2に記載のYAGロッドを用いてYAGレーザ出力を得る、
ことを特徴とするYAGレーザ発振装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002259295A JP2004103618A (ja) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | Yagロッド及びyagレーザ発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002259295A JP2004103618A (ja) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | Yagロッド及びyagレーザ発振装置 |
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---|---|
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ID=32260361
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2004103618A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010123819A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Shimadzu Corp | レーザ媒質 |
-
2002
- 2002-09-04 JP JP2002259295A patent/JP2004103618A/ja active Pending
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