JP2004095707A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004095707A5
JP2004095707A5 JP2002252414A JP2002252414A JP2004095707A5 JP 2004095707 A5 JP2004095707 A5 JP 2004095707A5 JP 2002252414 A JP2002252414 A JP 2002252414A JP 2002252414 A JP2002252414 A JP 2002252414A JP 2004095707 A5 JP2004095707 A5 JP 2004095707A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
processing
suction
nozzle
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002252414A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2004095707A (en
JP4079420B2 (en
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2002252414A priority Critical patent/JP4079420B2/en
Priority claimed from JP2002252414A external-priority patent/JP4079420B2/en
Publication of JP2004095707A publication Critical patent/JP2004095707A/en
Publication of JP2004095707A5 publication Critical patent/JP2004095707A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4079420B2 publication Critical patent/JP4079420B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【書類名】 明細書
【発明の名称】 液処理装置及び液処理方法
【特許請求の範囲】
【請求項1】 板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドと、
上記液処理面に一定の間隔を空けて平行に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する2個の処理液供給手段と、
上記2個の処理液供給手段を挟む両側に処理液供給手段と平行に設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処理液吸引手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項2】 板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドと、
上記液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記処理液供給手段を挟む両側にそれぞれ処理液供給手段と平行に複数設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処理液吸引手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項3】 請求項1又は2記載の液処理装置において、
上記処理液供給手段に複数の処理液供給口を設けると共に、処理液吸引手段に上記処理液供給口に対して千鳥状に配列される複数の処理液吸引口を設け、
ノズルヘッドの液処理面を、被処理基板と相対的に平行移動する方向に対し直交する方向に、隣接する上記処理液供給口の間隔以上に揺動可能な揺動手段を更に具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の液処理装置において、
上記ノズルヘッドの液処理面に、処理液吸引手段を挟んで処理液供給手段と対峙する位置に設けられ、被処理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を更に具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項5】 板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドと、
上記液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段と、
上記処理液供給手段を挟む両側に、処理液供給手段と平行に設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液の吸引及び被処理基板表面への洗浄液の供給を選択的に切り換え可能な切換手段を有する複数の吸引兼洗浄手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項6】 請求項5記載の液処理装置において、
上記処理液供給手段と吸引兼洗浄手段との間に平行に設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引可能な処理液吸引手段と、
上記吸引兼洗浄手段を挟んで上記処理液吸引手段と対峙する位置に平行に設けられ、被処理基板の表面に洗浄液を供給可能な洗浄液供給手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項7】 請求項5記載の液処理装置において、
上記複数の吸引兼洗浄手段は、被処理基板の大きさやレジスト膜の種類に応じて予め記憶された情報に応じて選択的に切り換え可能に形成されていることを特徴とする液処理装置。
【請求項8】 板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な第1の液処理面を有する第1のノズルヘッドと、
上記第1の液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する第1の処理液供給手段と、
上記第1の処理液供給手段を挟む両側に第1の処理液供給手段と平行に設けられ、上記第1の処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する第1の処理液吸引手段と、
上記被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な第2の液処理面を有する第2のノズルヘッドと、
上記第2の液処理面に設けられ、上記第2の被処理基板表面に帯状に処理液を供給する第2の処理液供給手段と、
上記第2の処理液供給手段を挟む両側に第2の処理液供給手段と平行に設けられ、上記第1及び第2の処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する第2の処理液吸引手段と、
上記第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドの動作を制御可能な制御手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項9】 請求項記載の液処理装置において、
上記制御手段は、第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドの移動速度を同一に制御可能であると共に、上記第1のノズルヘッドの移動開始時間から、被処理基板の液処理に必要な時間経過後に上記第2のノズルヘッドの移動を開始するように制御可能に形成されることを特徴とする液処理装置。
【請求項10】 請求項8又は9記載の液処理装置において、
上記第1のノズルヘッドは、被処理基板と相対的に平行移動する後方側に液処理の状態を検出する処理状態検出手段を具備し、
上記制御手段は、上記処理状態検出手段の検出情報に基づいて、第2のノズルヘッドの移動開始時期と、第2の処理液供給手段が供給する処理液の供給量と、第2の処理液吸引手段が吸引する処理液の吸引量と、を制御可能に形成されていることを特徴とする液処理装置。
【請求項11】 請求項8ないし10のいずれかに記載の液処理装置において、
上記被処理基板と相対的に平行移動可能であると共に、上記被処理基板の表面に洗浄液を供給可能な洗浄液供給手段を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項12】 請求項11記載の液処理装置において、
上記洗浄液供給手段は、第2のノズルヘッドの移動方向後方側に一体に設けられることを特徴とする液処理装置。
【請求項13】 板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドを用いて現像処理を行う液処理方法であって、
上記液処理面に設けられる処理液供給手段から上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する工程と、
上記処理液供給手段を挟む両側に、処理液供給手段と平行に設けられる複数の吸引兼洗浄手段により、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引する工程及び上記被処理基板へ洗浄液を供給する工程と、を有し、
上記吸引兼洗浄手段による上記処理液の吸引及び洗浄液の供給は、上記被処理基板の大きさやレジスト膜の種類に応じて選択的に切り換えられることによって行われることを特徴とする液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えばレチクル等のフォトマスク用ガラス基板に処理液を供給して処理する液処理装置及び液処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハやLCD用ガラス基板等(以下にウエハ等という)の表面に例えばレジスト液を塗布し、ステッパー等の露光装置を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜を露光し、露光後のウエハ表面に現像液を塗布して現像処理を行うフォトリソグラフィー技術が用いられている。
【0003】
上記露光処理工程においては、例えばステッパー(縮小投影露光装置)等の露光装置が用いられており、レチクル等のフォトマスクに光を照射し、フォトマスクに描画されている回路パターンの原図を縮小してウエハ上に転写している。
【0004】
ところで、このフォトマスクの製造工程においても、上記ウエハ等と同様にフォトリソグラフィ技術が用いられており、レジスト塗布工程、露光処理工程、現像処理工程という一連のプロセス工程を経ているが、フォトマスクはウエハ等に回路パターンを投影するための原図であるため、線幅等のパターン寸法は更に高精度が要求される。
【0005】
ここで、フォトマスクの現像方法には、フォトマスク用のガラス基板をスピンチャック上に吸着保持して低速で回転し、スプレーノズルを用いて現像液をガラス基板上に噴霧状に吐出しながら現像処理を行うスプレー現像という方法がある。
【0006】
また、ガラス基板とスキャンノズルを相対移動させながら、スキャンノズルから供給される現像液をガラス基板上に液盛りし、静止状態で現像処理を行うパドル現像という方法もある。
【0007】
しかしながら、スプレー現像では、現像液と反応して生成された溶解生成物が、回転による遠心力によってガラス基板の辺部や角部に流れるため、この部分で現像液との反応が抑制され、線幅等のパターン寸法が不均一になるという問題があった。
【0008】
また、パドル現像では、溶解生成物が特定の場所に流れるということはなく、スプレー現像のような問題は生じないが、パターンの幾何学的構造やパターン密度の差異により、溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果と呼ばれる現象が生じ、回路パターンが不均一になるという問題があった。
【0009】
そこで、フォトマスクの現像処理においては、図17に示すように、板状のガラス基盤Gと一定の隙間を空けて相対的に平行移動可能な液処理面21を有するノズルヘッド20と、液処理面21に設けられ、ガラス基板G表面に帯状に現像液を供給する現像液供給ノズル22と、液処理面21に現像液供給ノズル22を挟んで平行に設けられ、現像液供給ノズル22から供給された現像液を吸引すると共に、ガラス基板Gの表面に現像液の流れを形成する吸引ノズル23と、ノズルヘッド20の液処理面21に、吸引ノズル23を挟んで現像液供給ノズル22と対向する位置に設けられ、ガラス基板Gの表面にリンス液(洗浄液)を供給するサイドリンスノズル24を具備する現像処理装置91を用いて、溶解生成物を除去しつつ現像処理を行う供給・吸引式方法が知られている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
この現像処理装置91による現像処理の時間tは、現像液の薄膜が形成される現像領域の幅(2個の吸引ノズル23間の幅)をW、スキャンスピードをSとすると、
t=W/S
で決まる。したがって、十分に現像処理の時間tを確保するには、2個の吸引ノズル23同士の幅を大きくするか、スキャンスピードSを小さくする必要がある。
【0011】
しかしながら、2個の吸引ノズル23同士の幅を大きくすると現像液の流れを均一にするのが難しく、均一な現像処理ができないという問題があった。また、スキャンスピードSを小さくすると、現像液の消費量が増大し、コストが掛かるという問題があった。
【0012】
この発明は上記事情に鑑みてなされたもので、現像液の消費量を抑制すると共に、現像液の流れを乱すことなく十分に現像処理の時間を確保して、均一な現像処理が可能な液処理装置及び液処理方法を提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第1の液処理装置は、板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドと、上記液処理面に一定の間隔を空けて平行に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する2個の処理液供給手段と、上記2個の処理液供給手段を挟む両側に処理液供給手段と平行に設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処理液吸引手段と、を具備することを特徴とする(請求項1)。
【0014】
この発明の第2の液処理装置は、板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドと、上記液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段を挟む両側にそれぞれ処理液供給手段と平行に複数設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処理液吸引手段と、を具備することを特徴とする(請求項2)。
【0015】
この発明において、上記処理液供給手段に複数の処理液供給口を設けると共に、処理液吸引手段に上記処理液供給口に対して千鳥状に配列される複数の処理液吸引口を設け、ノズルヘッドの液処理面を、被処理基板と相対的に平行移動する方向に対し直交する方向に、隣接する上記処理液供給口の間隔以上に揺動可能な揺動手段を更に具備する方が好ましい(請求項3)。また、上記ノズルヘッドの液処理面に、処理液吸引手段を挟んで処理液供給手段と対峙する位置に設けられ、被処理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を更に具備する方が好ましい(請求項4)。
【0016】
この発明の第3の液処理装置は、板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドと、上記液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段と、上記処理液供給手段を挟む両側に、処理液供給手段と平行に設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液の吸引及び被処理基板表面への洗浄液の供給を選択的に切り換え可能な切換手段を有する複数の吸引兼洗浄手段と、を具備することを特徴とする(請求項5)。この場合、上記処理液供給手段と吸引兼洗浄手段との間に平行に設けられ、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引可能な処理液吸引手段と、上記吸引兼洗浄手段を挟んで上記処理液吸引手段と対峙する位置に平行に設けられ、被処理基板の表面に洗浄液を供給可能な洗浄液供給手段と、を具備する方が好ましい(請求項6)。また、上記複数の吸引兼洗浄手段を、被処理基板の大きさやレジスト膜の種類に応じて予め記憶された情報に応じて選択的に切り換え可能に形成する方が好ましい(請求項7)。
【0017】
この発明の第4の液処理装置は、板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な第1の液処理面を有する第1のノズルヘッドと、上記第1の液処理面に設けられ、上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する第1の処理液供給手段と、上記第1の処理液供給手段を挟む両側に第1の処理液供給手段と平行に設けられ、上記第1の処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する第1の処理液吸引手段と、上記被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な第2の液処理面を有する第2のノズルヘッドと、上記第2の液処理面に設けられ、上記第2の被処理基板表面に帯状に処理液を供給する第2の処理液供給手段と、上記第2の処理液供給手段を挟む両側に第2の処理液供給手段と平行に設けられ、上記第1及び第2の処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、上記被処理基板の表面に処理液の流れを形成する第2の処理液吸引手段と、上記第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドの動作を制御可能な制御手段と、を具備することを特徴とする(請求項)。
【0018】
この発明において、上記制御手段は、第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドの移動速度を同一に制御すると共に、上記第1のノズルヘッドの移動開始時間から、被処理基板の液処理に必要な時間経過後に上記第2のノズルヘッドの移動を開始するように制御する方が好ましい(請求項)。また、上記第1のノズルヘッドは、被処理基板と相対的に平行移動する後方側に液処理の状態を検出する処理状態検出手段を具備し、上記制御手段は、上記処理状態検出手段の検出情報に基づいて、第2のノズルヘッドの移動開始時期と、第2の処理液供給手段が供給する処理液の供給量と、第2の処理液吸引手段が吸引する処理液の吸引量と、を制御する方が好ましい(請求項10)。また、上記被処理基板と相対的に平行移動可能であると共に、上記被処理基板の表面に洗浄液を供給可能な洗浄液供給手段を具備する方が好ましい(請求項11)。この場合、上記洗浄液供給手段は、単独で設けてもよいが、第2のノズルヘッドの移動方向後方側に一体に設けてもよい(請求項12)。
【0019】
また、この発明の液処理方法は、板状の被処理基板と一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な液処理面を有するノズルヘッドを用いて現像処理を行う液処理方法であって、上記液処理面に設けられる処理液供給手段から上記被処理基板表面に帯状に処理液を供給する工程と、上記処理液供給手段を挟む両側に、処理液供給手段と平行に設けられる複数の吸引兼洗浄手段により、上記処理液供給手段から供給された処理液を吸引する工程及び上記被処理基板へ洗浄液を供給する工程と、を有し、上記吸引兼洗浄手段による上記処理液の吸引及び洗浄液の供給は、上記被処理基板の大きさやレジスト膜の種類に応じて選択的に切り換えられることによって行われることを特徴とする(請求項13)
【0020】
請求項1記載の液処理装置によれば、被処理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段を、液処理面に一定の間隔を空けて2個平行に設けることにより、2個の処理液供給手段の間に一定の液処理領域を確保することができ、処理液の流れを乱すことなく十分に液処理時間を確保することができる。
【0021】
請求項2記載の液処理装置によれば、処理液供給手段を挟む両側にそれぞれ処理液供給手段と平行に複数設けられ、処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処理液吸引手段を設けることにより、液処理領域の幅を大きくしても処理液の流れを均一にすることができる。
【0022】
請求項3記載の液処理装置によれば、処理液供給手段に複数の処理液供給口を設けると共に、処理液吸引手段に処理液供給口に対して千鳥状に配列される複数の処理液吸引口を設け、ノズルヘッドの液処理面を、被処理基板と相対的に平行移動する方向に対し直交する方向に、隣接する処理液供給口の間隔以上に揺動可能な揺動手段を具備することにより、大型の被処理基板を液処理する場合であっても、処理液の供給(吐出・塗布)むらや吸引むらを防止することができる。
【0023】
請求項4記載の液処理装置によれば、被処理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を具備することにより、洗浄液供給手段と処理液吸引手段との間に洗浄液の流れを形成して、処理液が処理液吸引手段より洗浄液供給手段側に漏れるのを防止することができる。したがって、被処理基板上の処理液の幅を一定にすることができ、処理時間を一定にして均一な液処理をすることができる。また、被処理基板上のパーティクル等を除去することもできる。
【0024】
請求項5,6,7,13記載の液処理装置又は液処理方法によれば、処理液供給手段を挟む両側に、処理液供給手段と平行に設けられ、処理液供給手段から供給された処理液の吸引及び被処理基板表面への洗浄液の供給を選択的に切り換え可能な切換手段を有する複数の吸引兼洗浄手段を具備することにより、被処理基板の大きさやレジスト膜の種類に合わせて液処理領域の幅を調節することができると共に、十分に液処理の時間を確保して、液処理をすることができる。
【0025】
請求項記載の液処理装置によれば、処理液供給手段と処理液吸引手段を有する第1及び第2のノズルヘッドを2個並列に具備することにより、それぞれのノズルヘッドによって、溶解生成物を除去しつつ均一な液処理を行うと共に、第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドとの間に一定の液処理領域を確保して、十分に液処理の時間を確保することができる。この場合、制御手段は、第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドの移動速度を同一に制御すると共に、第1のノズルヘッドの移動開始時間から、被処理基板の液処理に必要な時間経過後に第2のノズルヘッドの移動を開始するように制御することにより、液処理領域、液処理時間等を制御することができる(請求項)。
【0026】
請求項10記載の液処理装置によれば、第1のノズルヘッドの移動方向後方側に設けられた処理状態検出手段の検出情報に基づいて、第2のノズルヘッドの移動開始時期と、第2の処理液供給手段が供給する処理液の供給量と、第2の処理液吸引手段が吸引する処理液の吸引量とを制御することにより、更に均一な液処理をすることができる。
【0027】
請求項11,12記載の液処理装置によれば、被処理基板と相対的に平行移動可能であると共に、被処理基板の表面に洗浄液を供給可能な洗浄液供給手段を具備することにより、液処理が終了した後、速やかに洗浄液を供給して処理液を取り除き、液処理を確実に停止することができる。したがって、更に均一な液処理をすることができる。
【0028】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明の液処理装置を、フォトマスク用の被処理基板、例えばレチクル用のガラス基板Gに現像処理を行う現像処理装置に適用した場合について説明する。
【0029】
◎第一実施形態
図1はレジスト液塗布・現像処理システムの一実施形態の概略平面図である。
【0030】
上記処理システムには、中心部に配設されたガラス基板Gの搬送手段例えば搬送アーム2を挟んで複数のガラス基板Gを収容するカセットCの搬入・搬出ユニット3と、その対向する位置に設置される現像処理ユニット4とが配設されている。また、搬送アーム2の左右の対向位置には、ガラス基板Gを加熱又は冷却する熱処理ユニット5と、レジスト塗布処理ユニット6が設置されている。このように構成される塗布・現像処理システムにおいて、搬送アーム2は、水平の360度に回転可能に形成されると共に、水平のX,Y方向に伸縮可能に形成され、かつ、垂直のZ方向に移動可能に形成されている。したがって、搬送アーム2により、カセットC、現像処理ユニット4,熱処理ユニット5及びレジスト塗布処理ユニット6に対してそれぞれガラス基板Gの搬入・搬出を行うことができる。
【0031】
現像処理ユニット4は、図2ないし図5に示すように、搬送アーム2によって搬入されるレジスト液の塗布及び回路パターンの露光が終了したガラス基板Gを、水平状態に吸着保持すると共に水平方向に回転可能な保持手段例えばスピンチャック10と、このスピンチャック10を回転する駆動モータ11と、ガラス基板Gに現像処理を行うこの発明の現像処理装置1と、スピンチャック10に設けられ、現像処理開始前の現像処理装置1が位置する助走ステージ40及びスピンチャック10の側方を包囲する昇降可能なカップ50とで主に構成されている。
【0032】
スピンチャック10は、図4及び図6に示すように、中空回転軸12に連結されており、この中空回転軸12に装着された従動プーリ13と、駆動モータ11の駆動軸11aに装着された駆動プーリ14とに掛け渡されるタイミングベルト15を介して駆動モータ11からの動力が伝達されるようになっている。また、スピンチャック10の載置面の4角領域の4箇所の角部には、ガラス基板Gを僅かな隙間をおいて支持するプロキシミティーピン16が凸接されると共に、ガラス基板Gの角部の隣接する辺を保持する回転規制ピン17が突設されている。また、スピンチャック10の載置面には、ガラス基板Gの下面縁部(パターン形成領域外)を吸着保持する3個の吸着パット18が取り付けられている。これら吸着パット18は、図5に示すように、スピンチャック10の回転中心を挟んで対向する一方の位置に1個と、他方の位置に2個配設されている。なお、吸着パット18は真空ポンプ等の真空装置(図示せず)に接続されている。
【0033】
上記説明では、タイミングベルト15を介して駆動モータ11からの動力を中空回転軸12に伝達する場合について説明したが、中空回転軸12に中空モータを装着して中空回転軸12及びスピンチャック10を回動するようにしてもよい。
【0034】
なお、スピンチャック10の中心部には、裏面洗浄用ノズル19が設けられている。この裏面洗浄用ノズル19は、中空回転軸12との間にベアリング19aを介して取り付けられて回転しないようになっており、中空部12a内に配設された洗浄液供給チューブ19bを介して図示しない洗浄液供給源に接続されている。
【0035】
助走ステージ40は、中心部にガラス基板Gの外形より若干大きな方形孔41を有するドーナツ状の円板部材42と、この円板部材42の上面をスピンチャック10にて保持されたガラス基板Gの表面と同一平面上に位置するようにスピンチャック10の上面の同心円上に適宜間隔をおいて立設される複数の固定ピン43とで構成されている。このように、助走ステージ40を円板部材42にて形成することにより、ガラス基板Gの洗浄及び乾燥時にスピンチャック10を回転しても、乱気流が生じるのを防止することができる。
【0036】
また、図4及び図6に示すように、スピンチャック10の載置部の下方には、スピンチャック10に設けられた貫通孔10aを貫通してガラス基板Gの下面縁部(パターン形成領域外)を支持する昇降可能な3本の支持ピン60が設けられている。これら3本の支持ピン60は、連結板61上に立設されており、連結板61と連結する昇降手段例えばエアシリンダ62の伸縮動作によってスピンチャック10の載置部の上方に出没可能に形成されている。なお、この場合、3本の支持ピン60は、上記吸着パット18と点対称となる位置に設けられている。このように構成される支持ピン60によって上記搬送アーム2との間でガラス基板Gの受け渡しが行われる。すなわち、搬送アーム2がガラス基板Gをスピンチャック10の上方に搬送した状態で、上昇してガラス基板Gの下面縁部を支持してガラス基板Gを受け取り、その後、支持ピン60は下降してガラス基板Gをスピンチャック10の上面に載置した後、スピンチャック10と干渉しない下方位置に待機する。また、処理が済んだ後には、上昇してガラス基板Gをスピンチャック10の上方に突き上げ、搬送アーム2にガラス基板Gを受け渡した後、下降する。
【0037】
カップ50は、図4に示すように、スピンチャック10の外方を包囲する筒状のカップ本体51と、このカップ本体51の上端縁から上方に向かって縮径テーパ状に延在し、上記助走ステージ40の円板部材42の外周縁部に干渉しない範囲で近接する開口52を有する縮径テーパ部53とで構成されており、カップ本体51に取り付けられたブラケット54に連結する移動手段例えばカップ移動用エアシリンダ55の伸縮動作によって図4に示す通常位置と、上方に移動する洗浄・乾燥位置とに切り換わるように構成されている。なお、カップ本体51はカップ移動用エアシリンダ55のロッド55aと平行に配設されるガイドバー56を有しており、このガイドバー56が現像処理装置1の固定部に装着された軸受け部57に摺動自在に嵌挿されている。
【0038】
また、カップ50の下端部には、カップ本体51の外方を包囲する外壁58aを有する有底ドーナツ円筒状の固定カップ58が配設されている。この固定カップ58の底部には廃液管路58bが接続されている。また、スピンチャック10の載置部の下部と固定カップ58の上部との間には、スピンチャック10側から排出される排液すなわち処理液や洗浄液を固定カップ58内に流す内カップ59が配設されている。
【0039】
液処理装置1は、ガラス基板Gと一定の隙間をおいて相対的に平行移動可能な後述する液処理面21を有するノズルヘッド20と、液処理面21に一定の間隔を空けて2個平行(並列)に設けられ、ガラス基板Gに帯状に処理液である現像液を供給(吐出、塗布)する現像液供給ノズル22(処理液供給手段)と、2個の現像液供給ノズル22を挟む両側に現像液供給ノズル22と平行に設けられ、現像液供給ノズル22から供給された現像液を吸引すると共に、ガラス基板Gの表面に現像液の流れを形成する現像液吸引ノズル23(以下に吸引ノズル23という){処理液吸引手段}とが設けられている。
【0040】
また、ノズルヘッド20には、現像液供給ノズル22及び吸引ノズル23を挟んで吸引ノズル23と平行に設けられ、ガラス基板Gの表面に例えば純水等のリンス液(洗浄液)を供給(吐出、塗布)可能なサイドリンスノズル24(洗浄液供給手段)が更に設けられている。
【0041】
ノズルヘッド20は、ガラス基板Gのパターン形成領域の幅と同じかそれ以上の長さに形成されると共に、ガラス基板と一定の隙間例えば50μm〜3mm、より好ましくは50μm〜500μmを空けて相対的に平行移動可能な液処理面21を有する略直方体状に形成されている。
【0042】
2個の現像液供給ノズル22は、図7に示すように、泡抜き等を行うため一旦現像液を収容する共通の収容部25をノズルヘッド20内に有しており、現像液が貯留される現像液タンク70(現像液供給源)から現像液を供給する現像液供給管路71と、収容部25の現像液の泡抜きを行う泡抜き管路(図示せず)とに接続されている。
【0043】
また、現像液供給管路71には、現像液の温度を調節する温度調節機構72(処理液温度調節手段)と、現像液を圧送する図示しない圧送手段例えばポンプと、現像液供給管路内の現像液の流量を検出する現像液流量計130(処理液流量検出手段)とが設けられており、例えば圧縮空気によって開閉を制御されるエアオペレーションバルブ等の開閉弁V1(処理液流量調節手段)によって現像液の流量調節が可能に形成されている。
【0044】
温度調節機構72は、図7に示すように、現像液供給管路71とノズルヘッド20との接続部に設けられ、現像液供給管路71が温度調節管路73内を通るように形成される二重管構造となっている。また、温度調節管路73は、現像液供給管路71内を上方から下方へ流れる現像液に対し、ヒータ17等で温調された液体例えば純水を循環手段例えば循環ポンプ75により温度調節管路73内を下方から上方へ循環するように構成されている。このように構成することにより、現像液の温度を調節することができるので、現像液の粘度及びエッチング速度(処理速度、反応速度)等を一定にすることができ、更に均一な現像処理を行うことができる。
【0045】
また、現像液供給ノズル22は、図8に示すように、現像液供給ノズル22の長手方向に例えば1mmピッチで等間隔に設けられる複数の供給孔26(処理液供給孔)と、これら供給孔26の下部に連通され現像液供給ノズル22の長手方向に設けられる例えば1mm幅のスリット27と、スリット27の下部に連通され現像液をガラス基板Gに供給(吐出、塗布)する拡開テーパ状の現像液供給口28(処理液供給口)と、この現像液供給口28内の長手方向に設けられ、現像液の吐出時のインパクトを低減し、均一に現像液を吐出する整流緩衝棒、例えば円柱状の石英棒29とで構成されている。ここでは、整流緩衝棒を石英棒29にて形成する場合について説明したが、整流緩衝棒は、親水性部材であれば石英以外の例えばセラミックス等で形成することも可能である。
【0046】
現像液供給ノズル22を、このように構成することにより、供給孔26から流出する現像液は、スリット27で合流した後、現像液供給口28の壁面を伝って流れる一方、石英棒29の表面で拡散させることができる。したがって、スリット27で供給孔による現像液の吐出むらを防止し、石英棒29でガラス基板Gに均一に現像液を供給(吐出、塗布)することができ、現像液供給ノズル22と後述する吸引ノズル23との間に、新しい現像液を常時供給しつつ均一な現像液の流れを形成して、溶解生成物を除去しながら均一な現像処理をすることができる。
【0047】
吸引ノズル23は、現像液やリンス液等の現像処理に用いられた処理液(廃液)を吸引するスリット状の吸引口23aが、現像液供給ノズル22の液処理面21の移動方向両側に平行に設けられている。ここで、吸引口23aの長手方向の長さは、現像液供給ノズル22両端からの現像液の染み出しを防ぐため、現像液供給口28の長手方向の長さより長く形成される方が好ましい。また、吸引口23aのスリットは、幅が広過ぎると吸引口23a付近で現像状態が悪くなるため、供給された現像液をサイドリンスノズル24側に漏らさないように吸引できる範囲で可及的に狭く形成される方が好ましい。更に、吸引ノズル23は、現像液供給ノズル22から供給され、現像処理に供された現像液を円滑に吸引し、均一な現像液の流れを形成するため、図7に示すように、吸引口23aを現像液供給口28側に向くように形成する方が好ましい。
【0048】
また、吸引ノズル23は、図7に示すように、吸引管路76を介して、吸引口23aが吸引する現像液やリンス液等の廃液の吸引量を調節可能な減圧機構例えばエジェクタ77と、現像処理装置1の移動方向前方側及び後方側の各吸引口23aそれぞれの吸引量を検出可能な吸引流量計150 (吸引量検出手段)と、吸引管路76の開閉を行い吸引量を調節する、例えば圧縮空気によって開閉を制御されるエアオペレーションバルブ等の開閉弁V2,V3(吸引量調節手段)と、吸引した廃液を気体と液体に分離して回収するトラップタンク78と、このトラップタンク78の圧力を検出可能な圧力センサ79と、トラップタンク78内に回収された廃液を回収する廃液タンク80とで構成される吸引部81に接続されている。この場合、吸引管路76を吸引ノズル23の上端から吸引すると、その部分の直下の吸引口23a付近で現像液の流れが特異になり、現像処理が不均一になる虞があるため、吸引管路76は、ガラス基板Gのパターン形成領域から外れる位置の上端に設けるか、又は、吸引ノズル23の両側端に設ける方が好ましい。
【0049】
なお、上記吸引部81は、エジェクタ77、トラップタンク78及び圧力センサ79を用いる代わりに、吸引口が吸引する廃液の吸引量を調節可能な吸引手段例えば吸引ポンプを用いることも可能である。
【0050】
サイドリンスノズル24は、図7に示すように、吸引ノズル23を挟んで現像液供給ノズル22と対向する位置に平行に設けられており、スリット状のリンス液供給口24aから液処理面21とガラス基板Gとの間に例えば純水等のリンス液を供給可能に形成されている。
【0051】
また、サイドリンスノズル24は、図7に示すように、リンス液供給管路82を介してリンス液供給源例えばリンス液供給タンク83に接続されており、リンス液供給管路82には、現像液供給管路71と同様に、リンス液の温度を調節する温度調節機構84(洗浄液温度調節手段)と、リンス液を圧送する図示しないポンプ等の圧送手段と、リンス液供給管路82内のリンス液の流量を検出するリンス液流量計140(洗浄液流量検出手段)と、圧縮空気等によって開閉制御されるエアオペレーションバルブ等の開閉弁V4(洗浄液流量調節手段)とが設けられている。
【0052】
このように構成することにより、サイドリンスノズル24が供給したリンス液の一部を吸引ノズル23が吸引し、現像液が吸引ノズル23からサイドリンスノズル24側へ広がるのを防止することができるので、ガラス基板G上の現像液の幅を一定にすることができ、現像時間を一定にして均一な現像処理を行うことができる。勿論、ガラス基板G上のパーティクル等を除去することもできる。
【0053】
なお、サイドリンスノズル24は、ノズルヘッド20のスキャン方向の前方側のサイドリンスノズル24から供給されるリンス液は、処理前のガラス基板Gのプリウエットに供され、現像液の塗れ性の向上に寄与する。又、後方のサイドリンスノズル24から供給されるリンス液によって現像の停止が行われるようになっている。なお、サイドリンスノズル24は、ノズルヘッド20と分離して設けることも可能である。
【0054】
上記のように構成されるノズルヘッド20を水平方向(X方向)に移動(スキャン)及び垂直方向(Z方向)に移動するノズル移動手段30は、図3に示すように、スピンチャック10の一側方に配設されるガイドプレート31に設けられる一対の互いに平行な水平ガイドレール32に摺動可能に装着される水平移動台33と、この水平移動台33を水平方向に移動する例えばボールねじ機構にて形成される水平移動機構34と、水平移動台33に対して垂直方向に移動可能に装着される垂直移動基部35の上端からスピンチャック10側に延在し、先端部がノズルヘッド20を保持するアーム36と、アーム36を垂直方向に移動する例えばボールねじ機構にて形成される垂直移動機構37とで構成されている。
【0055】
また、ノズルヘッド20における移動方向(X方向)の一方の端部には、ノズルヘッド20の液処理面21とガラス基板Gとの間隔を検出可能な間隔検出手段例えばレーザ変位計90(図2参照)が取り付けられている。このレーザ変位計90の検出信号が制御手段例えば中央演算処理装置100(以下にCPU100という)に伝達され、CPU100からの制御信号によって垂直移動機構37のモータが駆動して、ノズルヘッド20の液処理面21とガラス基板Gとの間に一定の隙間例えば1mm〜50μmの隙間を精度良く形成することができる。
【0056】
また、現像処理装置1は、垂直移動機構37以外にも、CPU100(制御手段)に電気的に接続されており、現像液流量計130、リンス液流量計140、吸引流量計150、圧力センサ79、レーザ変位計90(間隔検出手段)等の検出信号と、予め記憶された情報とに基づいて、バルブV1,V2,V3,V4、現像処理装置1のスキャンスピード等を制御可能に構成されている。
【0057】
また、ノズル待機位置の外方には、リンスノズル8が配設されている。このリンスノズル8は、図2に示すように、水平方向に正逆回転するモータ8aの駆動軸8bに一端が連結されるアーム8cの先端部に装着されており、モータ8aの駆動によってガラス基板Gの中心部を通る円弧状の軌跡を描いて移動し得るように構成されている。また、リンスノズル8は、図示しない、垂直移動機構によって更に垂直方向にも移動可能に形成されている。なお、リンスノズル8は、図示しないリンス液供給管路を介してリンス液供給源例えばリンス液供給タンク83に接続されている。
【0058】
なお、上記説明では、現像液供給口28及び吸引口23aを帯状に形成する場合について説明したが、必ずしもこのように構成する必要はなく、例えば図9に示すように、現像液供給口141(処理液供給口)及び吸引口142(処理液吸引口)を複数のスリット状に形成し、現像液供給口141と吸引口142とを千鳥状に設けることも可能である。この場合、アーム36にノズルヘッド20をY方向に移動可能な揺動手段、例えばボールねじ機構(図示せず)を設け、ノズルヘッド20を、現像液供給口141の隣り合うスリット間の幅以上の大きさに揺動する方が好ましい。なお、現像液供給口141には、上記と同様に石英棒29(整流緩衝棒)が設けられている(図9参照)。
【0059】
このように構成すれば、大型のLCD基板を現像処理する場合であっても、液処理装置のY方向の現像液の供給(吐出・塗布)むらや吸引むらを防止して、均一な現像処理をすることができる。
【0060】
以下に、上記のように構成される現像処理装置1を用いた現像処理方法について説明する。
【0061】
まず、搬送アーム2により搬入されるガラス基板Gは、現像処理ユニット4の搬入出口部に配設された厚さ検出手段例えばレーザ光の反射を利用して距離を測定するレーザ変位計101によって厚さが検出される。この場合、レーザ変位計101は、図10(a)に示すように、ガラス基板Gの上方から塗布されているCr層102までの距離と、ガラス基板Gの下方からガラス基板Gの裏面までの距離とを測定して比較演算するか、図10(b)に示すように、ガラス基板Gの下方からガラス基板Gの裏面までの距離と、Cr層102までの距離を測定して比較演算することによりガラス基板Gの厚さを検出し、CPU100に記憶させることができる。これにより、100μm程度の誤差があるガラス基板Gの厚さを正確に検出して、後述する現像処理装置1の液処理面21とガラス基板G表面との間の変位情報を更に正確に検出することができる。
【0062】
なお、レーザ変位計101(厚さ検出手段)は、必ずしも現像処理ユニット4の搬入出口に設ける必要はなく、現像処理前の処理ユニット例えば熱処理ユニット5の搬入出口部に配設して、同様にガラス基板Gの厚さを検出して、その検出信号をCPU100に伝達するようにしてもよい。
【0063】
次に、搬送アーム2によってガラス基板Gがスピンチャック10の上方位置に搬送されると、エアシリンダ62(昇降手段)が駆動され、支持ピン60がスピンチャック10に設けられた貫通孔10aを貫通して上方に突出して、ガラス基板Gの下面縁部を支持する。この状態で、搬送アーム2は現像処理ユニット4内から退避してガラス基板Gは支持ピン60に受け渡される。次に、支持ピン60が下降してガラス基板Gをスピンチャック10の載置部上に載置する。この状態で、ガラス基板Gの角部は回転規制ピン17によって保持され、吸着パット18による吸着作用によって吸着保持される。
【0064】
スピンチャック10にガラス基板Gが吸着保持されると、CPU100の制御信号によりノズル移動手段30の水平移動機構34が作動して、ノズルヘッド20をノズル待機位置から助走ステージ40まで移動する。ノズルヘッド20が助走ステージ40に達すると、助走ステージ40に向かって予め所定温度に温調されたリンス液を供給(吐出)しつつノズルヘッド20をガラス基板Gの上方をスキャン(水平移動)させて、ガラス基板Gの表面全体にリンス液を塗布する(プリウェット工程)。これにより、現像液を供給(吐出、塗布)する前に、ガラス基板Gを処理温度に調節することができると共に、現像液のぬれ性を良好にすることができる。
【0065】
プリウエット工程が終了すると、現像処理装置1は、レーザ変位計101により検出されたガラス基板Gの厚さデータに基づいてスキャンし、ガラス基板Gと液処理面21との間隔をレーザ変位計90により検出しながらスキャン開始位置まで戻る。検出された変位情報はCPU100に記憶される。
【0066】
なお、上記説明では、プリウエット工程終了後に変位情報を検出しているが、変位情報の検出方法はこれに限らず、レーザ変位計78を、液処理装置6の進行方向後方側に設けて、プリウエット工程と同時に行うことも可能である。
【0067】
ノズルヘッド20がスキャン開始位置すなわち助走ステージ40と対向する位置に戻った状態において、助走ステージ40に向かって2個の現像液供給ノズル22から現像液が供給(吐出)され、ノズルヘッド20の液処理面21と助走ステージ40との間に液膜が形成、すなわち液処理面21と助走ステージ40との間に現像液が満たされた状態で現像処理に備える。
【0068】
一方、CPU100は、ノズルヘッド20のスキャンスピードを現像時間が確保できる速度に制御すると共に、開閉弁V1,V2,V3,V4の開口度を制御して、液処理面62とガラス基板Gとの間に、一定幅の現像液の薄膜(現像領域)を形成し得るように、現像液及びリンス液(純水)の供給(吐出、塗布)及び吸引を開始する。
【0069】
このように構成することにより、現像液供給ノズル22と吸引ノズル23との間においては、均一な現像液の流れを形成して溶解生成物を除去することができると共に、2個の現像液供給ノズル22の間においては、一定幅の現像液の滞留部を形成して現像領域を大きくすることができるので、十分に現像処理の時間を確保することができる。
【0070】
なお、吸引流量が多すぎると、空気が液処理面に吸引される泡かみが起こり、現像液の流れが妨げられて現像処理を行うことができなくなる。逆に吸引流量が少なすぎると、現像液が液処理面21の外へ流出し(染み出し、溢れ)無駄を生じる。したがって、CPU100は、液処理面21から現像液を流出せず、かつ、吸引ノズル23に空気を吸引(泡噛み)しない所定の値になるように、開閉弁V2,V3を調節して、吸引ノズル23の吸引量を制御する。
【0071】
また、現像液が所定幅以上に広がるのを防止するため、CPU100によって、リンス液の供給(吐出、塗布)及び吸引が、現像液の供給(吐出、塗布)よりも若干早く開始するように制御してもよい。
【0072】
現像処理装置1による現像液及びリンス液の供給(吐出、塗布)及び吸引は、助走ステージ40上のスキャン開始位置から終了まで断続的に実行される。この際、ガラス基板Gと液処理面21との隙間を図示しないレーザ変位計等の間隔検出手段により検出し、その検出信号をCPU100に送り、CPU100において、検出信号と予め記憶された情報とに基づいて、現像液が吸引ノズル23の位置からサイドリンスノズル24側に染み出さず、かつ現像液の流速を高速に保つことができる幅になるように現像処理装置1を垂直移動機構37によって上下させて調整する。なお、現像処理の際、裏面洗浄ノズル19からガラス基板Gの裏面に向かってリンス液を供給(吐出)することにより、ガラス基板Gの裏面に現像液が回り込むのを阻止することができる。
【0073】
現像処理が終了して、ノズルヘッド20がカップ50の外側に退避すると、カップ移動用エアシリンダ55が駆動して、カップ50が上方へ移動する。また、リンスノズル8がガラス基板Gの上方のリンス液供給時にガラス基板Gに衝撃を与えない位置まで移動し、例えば純水等のリンス液をガラス基板G上に供給(吐出)することによりリンス処理を行う。
【0074】
リンス処理が終了すると、モータ11が駆動してスピンチャック10が高速回転例えば2000rpmで回転してガラス基板に付着するリンス液を振り切り乾燥する。ガラス基板G及びスピンチャック10から飛散されるリンス液はカップ50内に受け止められ、固定カップ58の底部に接続する廃液管路58bを介して外部に排出される。
【0075】
乾燥処理が終了して、カップ50が下降した後、エアシリンダ62が作動して支持ピン60を上昇し、スピンチャック10に載置されたガラス基板Gをスピンチャック10の上方へ押し上げる。すると、装置外から現像処理ユニット4内に挿入される搬送アーム2がガラス基板Gの下方に進入し、この状態で、支持ピン60が下降すると、ガラス基板Gは搬送アーム2に受け渡され、搬送アーム2によりガラス基板Gは現像処理ユニット4から外部に搬出されて処理が終了する。
【0076】
◎第二実施形態
この発明の第二実施形態の現像処理装置121は、図11に示すように、現像液供給ノズル122を挟む両側にそれぞれ現像液供給ノズル122と平行に複数の吸引ノズル、例えば内側の吸引ノズル123と外側の吸引ノズル124を現像液供給ノズル122の両側に2個ずつ設けたものである。
【0077】
この場合、吸引ノズル123,124の吸引量は、エアオペレーションバルブ等の開閉弁V5,V6,V7,V8(吸引量調節手段)をCPU100によって制御することにより調節すればよい。
【0078】
なお、内側の吸引ノズル123の吸引流量は、外側の吸引ノズル124の吸引流量より小さくする方が好ましい。
【0079】
このように構成することにより、現像領域の幅Wを大きくしても、現像液供給ノズル122と内側の吸引ノズル123との間の距離や吸引ノズル123と吸引ノズル124との間の距離を狭く形成して、現像液の流れを均一にすることができ、均一な現像処理を行うことができる。
【0080】
また、第一実施形態の現像処理装置1のように、2個の現像液供給ノズル22を設けると共に、2個の現像液供給ノズル22を挟む両側にそれぞれ現像液供給ノズル22と平行に複数の吸引ノズル、例えば、第二実施形態の液処理装置121のように、内側の吸引ノズル123と外側の吸引ノズル124の2個設けることも勿論可能である。
【0081】
なお、第二実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。
【0082】
◎第三実施形態
この発明の第三実施形態の現像処理装置131は、図12に示すように、現像液供給ノズル122を挟む両側に、現像液供給ノズル122と平行に設けられ、現像液供給ノズル122から供給された現像液を吸引可能な吸引ノズル161,165と、吸引ノズル161,165を挟んで現像液供給ノズル122と対峙する位置に平行に設けられ、現像液供給ノズル122から供給された現像液の吸引及びガラス基板G表面へのリンス液(洗浄液)の供給を、レシピに基づいて選択的に切り換え可能な切換手段、例えば三方弁192,193,196,197を有する吸引兼リンスノズル162,163,166,167と、吸引兼リンスノズル162,163,166,167を挟んで吸引ノズル161,165と対峙する位置に平行に設けられ、ガラス基板G表面にリンス液を供給可能なサイドリンスノズル164,168とを具備するものである。
【0083】
この場合、吸引ノズル161,165は、それぞれ吸引管路172に接続されており、吸引する現像液やリンス液等の廃液の吸引量を調節可能な減圧機構、例えばエジェクタ77と、吸引した廃液を気体と液体に分離して回収するトラップタンク78と、このトラップタンク78の圧力を検出可能な圧力センサ79と、トラップタンク78内に回収された廃液を回収する廃液タンク80とで構成される吸引部に接続されている。また、吸引管路172には、エジェクタ77側から順に開閉弁V11,V15と、吸引する現像液やリンス液等の廃液の吸引量を検出可能な吸引流量計150とがそれぞれ接続されている。
【0084】
サイドリンスノズル164,168は、開閉弁V14,V18を有するリンス液供給分岐管路174を介して、後述するリンス液供給管路175に接続されている。
【0085】
吸引兼リンスノズル162,163,166,167は、吸引兼供給管路171を介して三方弁192,193,196,197に接続されている。また、吸引兼供給管路171には、吸引兼リンスノズル162,163,166,167側から順に、吸引する現像液やリンス液等の廃液の吸引量を検出可能な吸引流量計150と、開閉弁V12,V13,V16,V17とが接続されている。
【0086】
三方弁192,193,196,197は、吸引兼供給管路171と、吸引部のエジェクタ77に接続されている吸引管路173と、リンス液供給管路175とに接続されており、吸引管路173とリンス液供給管路175とを選択的に切り換え可能に形成されている。
【0087】
また、リンス液供給管路175は、リンス液の流量を検出するリンス液流量計140(洗浄液流量検出手段)を介して、リンス液供給源例えばリンス液供給タンク83に接続されており、図示しない圧送手段、例えばポンプ等によりリンス液供給タンク83内のリンス液を吸引兼リンスノズル162,163,166,167及びサイドリンスノズル164,168に圧送するように構成されている。
【0088】
また、圧力センサ79、三方弁192,193,196,197、リンス液流量計140、吸引流量計150及び開閉弁V11ないしV18は、それぞれCPU100に電気的に接続されており、予め記憶された情報に基づいて、選択的に吸引ノズル161,165、吸引兼リンスノズル162,163,166,167及びサイドリンスノズル164,168から、所定量の現像液の吸引及びリンス液の供給を行うことができるように制御されている。
【0089】
例えば、図13に示すパターンAのように、吸引ノズル161,165から現像液を吸引し、吸引兼リンスノズル162,166からリンス液を供給する場合には、CPU100は、開閉弁V13,14,V17,V18を閉鎖し、開閉弁V11,V15によって吸引量を調節すると共に、三方弁192,196をリンス液供給管路175側に切り換えて、開閉弁V12,V16によってリンス液の供給量を調節するように制御すればよい。
【0090】
また、CPU100は、ガラス基板Gの大きさに応じて、吸引兼リンスノズル162,166から現像液を吸引し、吸引兼リンスノズル163,167からリンス液を供給するか(パターンB){図12参照}、吸引兼リンスノズル163,167から現像液を吸引し、サイドリンスノズル164,168からリンス液を供給する(パターンC)ように制御することも可能である。
【0091】
このように構成することにより、1台の現像処理装置131によって、ガラス基板Gの大きさやレジスト膜の種類に合わせて現像領域の幅を最小幅W1を基にして調整幅W2の範囲内で調節することができるので、十分に現像処理の時間を確保して、現像処理をすることができる。
【0092】
なお、現像液の吸引は、ノズルヘッド20のスキャンスピード等によって、図13のパターンD,E,Fのように、4個の吸引ノズル及び吸引兼リンスノズルの組み合わせで行うか、または、パターンGのように吸引ノズル及び吸引兼リンスノズルの全てを用いて行ってもよい。また、使用する吸引兼リンスノズルは、ノズルヘッド20のスキャン方向前方側と後方側で対称である必要はなく、ノズルヘッド20のスキャンスピード等によって、パターンGないしパターンMのように前後で異なっていてもよい。
【0093】
また、リンス液の供給を行う吸引兼リンスノズルを、現像液の吸引を行う吸引兼リンスノズルより、外側に選択する組み合わせであれば、パターンAないしパターンM以外の組み合わせも勿論可能である。
【0094】
また、上記説明では、吸引兼リンスノズルを、現像液供給ノズル122と平行にそれぞれ2個ずつ設けた場合について説明したが、吸引兼リンスノズルは、任意の数を設けることができる。
【0095】
また、第一実施形態の現像処理装置1のように、2個の現像液供給ノズル22を設けると共に、2個の現像液供給ノズル22を挟む両側に現像液供給ノズル22と平行にそれぞれ3以上の複数個の吸引兼リンスノズルを設けることも勿論可能である。
【0096】
なお、第三実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。
【0097】
◎第四実施形態
この発明の第四実施形態の現像処理装置200は、図14に示すように、現像液供給ノズルと吸引ノズルを有する第1及び第2のノズルヘッド20A,20Bを2個並列に設けたものである。
【0098】
第1のノズルヘッド20Aは、ガラス基板Gと一定の隙間を空けて相対的に平行移動可能な第1の液処理面21Aを有しており、この第1の液処理面21Aには、ガラス基板G表面に帯状に現像液を供給する第1の現像液供給ノズル22Aと、第1の現像液供給ノズル22Aを挟む両側に第1の現像液供給ノズル22Aと平行に設けられ、第1の現像液供給ノズル22Aから供給された現像液を吸引すると共に、ガラス基板Gの表面に現像液の流れを形成する第1の吸引ノズル23Aとが設けられている。
【0099】
また、第2のノズルヘッド20Bは、第1のノズルヘッド20Aと同様に、ガラス基板Gと一定の隙間を空けて相対的に平行移動可能な第2の液処理面21Bを有しており、この第2の液処理面21Bには、ガラス基板G表面に帯状に現像液を供給する第2の現像液供給ノズル22Bと、第2の現像液供給ノズル22Bを挟む両側に第2の現像液供給ノズル22Bと平行に設けられ、第1及び第2の現像液供給ノズル22A,22Bから供給された現像液を吸引すると共に、ガラス基板Gの表面に現像液の流れを形成する第2の吸引ノズル23Bとが設けられている。
【0100】
第1及び第2の現像液供給ノズル22A,22Bは、第1実施形態の現像処理装置1と同様に、それぞれ現像液供給管路71A,71Bを介して現像液タンク70(現像液供給源)に接続されている。また、現像液供給管路71A,71Bには、現像液供給タンク70側から順に、現像液流量計130A,130Bと、開閉弁V21,V24と温度調節機構72A,72Bとが設けられている。
【0101】
第1及び第2の吸引ノズル23A,23Bは、それぞれ吸引管路76A,76Bを介してエジェクタ77に接続されている。また、吸引管路76A,76Bには、エジェクタ77側から順に開閉弁V22,V23,V25,V26と、吸引流量計150A,150Bが設けられている。
【0102】
また、現像液流量計130A,130B、吸引流量計150A,150B、開閉弁V21,V22,V23,V24,V25,V26は、それぞれCPU100と電気的に接続されており、予め記憶された情報と現像液流量計130A,130B、吸引流量計150A,150Bの検出情報に基づいて、開閉弁V21,V22,V23,V24,V25,V26を調節し、第1及び第2の現像液供給ノズル22A,22Bの現像液の供給タイミング及び供給量、第1及び第2の現像液供給ノズル22A,22Bが吸引する現像液の吸引タイミング及び吸引量を制御可能に形成されている。この場合、CPU100は、少なくとも第1のノズルヘッド20Aと第2のノズルヘッド20Bとの間のガラス基板G表面に、現像液の薄膜が形成されるように第1の吸引ノズル23Aを制御する。
【0103】
また、第1及び第2のノズルヘッド20A,20Bは、図15に示すように、アーム36A,36Bを介して、水平のX方向に移動すると共に、垂直のZ方向に移動可能なノズル移動手段30A,30Bにそれぞれ接続されている。
【0104】
ノズル移動手段30A,30Bは、第1実施形態のノズル移動手段30と同様に、アーム36A,36Bを水平方向(X方向)に移動する例えばボールねじ機構にて形成される水平移動機構34A,34Bと、アーム36A,36Bを垂直方向(Z方向)に移動する例えばボールねじ機構にて形成される垂直移動機構37A,37Bとで構成されており、CPU100と電気的に接続されている。
【0105】
CPU100は、第1のノズルヘッド20Aと第2のノズルヘッド20Bのスキャンスピードが同一になるように、ノズル移動手段30A,30Bを制御すると共に、第1のノズルヘッド20Aがスキャン移動を開始した後、ガラス基板Gの現像処理に必要な時間経過後に第2のノズルヘッド20Bのスキャン移動を開始するように制御すればよい。
【0106】
このように構成すれば、第1のノズルヘッド20Aと第2のノズルヘッド20Bとの間の距離によって現像領域の幅W3を調節することができるので、現像時間を可変にすることができ、現像液の消費量を抑制すると共に、ガラス基板Gの大きさや被処理膜の種類等に応じて、十分な現像処理時間を確保することができる。
【0107】
また、図14に示すように、第1のノズルヘッド20Aのスキャン方向後方側に、現像処理の状態を検出する処理状態検出手段、例えば照射した光の反射強度によりガラス基板G表面の溶解状態を検出可能なCCDカメラ201を設けてもよい。
【0108】
この場合、CPU100は、CCDカメラ201の検出情報に基づいて、ノズル移動手段30A、開閉弁V24,V25,V26を調節し、第2のノズルヘッド20Bの移動開始時期と、第2の現像液供給ノズル22Bが供給する現像液の供給量と、第2の吸引ノズル23Bが吸引する現像液の吸引量とを制御する。
【0109】
このように構成すれば、第1のノズルヘッド20Aによる現像処理の状態に応じて、第2のノズルヘッド20Bによる現像処理を調節することができるので、更に均一な現像処理をすることができる。因みに、第1のノズルヘッド20Aによる第1の現像処理により、例えば80%処理し、第2のノズルヘッド20Bの現像処理により、例えば20%処理する。
【0110】
また、図14に示すように、第2のノズルヘッド20Bのスキャン方向後方側に、ガラス基板Gと相対的に平行移動可能であると共に、ガラス基板Gの表面にリンス液(洗浄液)を供給可能な洗浄液供給手段例えばリンスノズル208と、リンスノズル208が供給するリンス液を吸引可能なリンス液吸引手段例えば吸引ノズル23Cとを有する第3のノズルヘッド20Cを設けてもよい。
【0111】
この場合、第3のノズルヘッド20Cは、図15に示すように、アーム236を介して、水平のX方向に移動すると共に、垂直のZ方向に移動可能なノズル移動手段230に接続されている。
【0112】
ノズル移動手段230は、第1実施形態のノズル移動手段30と同様に、アーム236を水平方向(X方向)に移動する例えばボールねじ機構にて形成される水平移動機構234と、アーム236を垂直方向(Z方向)に移動する例えばボールねじ機構にて形成される垂直移動機構237とで構成されており、CPU100と電気的に接続されている。
【0113】
リンスノズル208は、図14に示すように、リンス液供給管路282を介してリンス液供給源例えばリンス液供給タンク283に接続されている。また、リンス液供給管路282には、リンス液を圧送する図示しないポンプ等の圧送手段と、リンス液供給管路282内のリンス液の流量を検出するリンス液流量計240(洗浄液流量検出手段)と、圧縮空気等によって開閉制御されるエアオペレーションバルブ等の開閉弁V27(洗浄液流量調節手段)とが設けられている。
【0114】
吸引ノズル23Cは、例えばリンスノズル208を挟む両側に平行に設けられ、それぞれ開閉弁V28,V29を有する吸引管路76Cを介してエジェクタ77に接続されている。
【0115】
また、リンス液流量計240と、開閉弁V27,V28,V29とは、CPU100に電気的に接続されている。
【0116】
このように構成することにより、第2のノズルヘッド20Bが処理を終了した後、速やかにリンス液供給ノズル208からリンス液を供給して現像液を取り除き、現像処理を停止することができるので、更に均一な現像処理をすることができる。
【0117】
なお、上記説明では、リンスノズルを単独で設ける場合について説明したが、図16に示すように、リンスノズル209を、第2のノズルヘッド20Bのスキャン方向後方側に一体に設けることも可能である。
【0118】
また、上記説明では、第1及び第2のノズルヘッド20A,20Bのそれぞれにノズル移動手段30A,30Bを設ける場合について説明したが、同一のノズル移動手段30に、現像処理に必要な時間を確保できる距離、換言すれば、現像処理に必要な時間とスキャンスピードの積に相当する距離だけ離して配設することも可能である。
【0119】
このように構成すれば、ノズル移動手段を複数設ける必要がなく、装置を小型化することができる。
【0120】
なお、第四実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には、同一符号を付して説明は省略する。
【0121】
なお、上記実施形態では、被処理基板がフォトマスク用のガラス基板の場合について説明したが、ガラス基板以外に例えばLCD基板や半導体ウエハ等においてもこの発明が適用できることは勿論である。
【0122】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【0123】
1)請求項1記載の液処理装置によれば、被処理基板表面に帯状に処理液を供給する処理液供給手段を、液処理面に一定の間隔を空けて2個平行に設けることにより、2個の処理液供給手段の間に一定の液処理領域を確保することができ、処理液の流れを乱すことなく十分に液処理時間を確保することができるので、均一な液処理をすることができる。
【0124】
2)請求項2記載の液処理装置によれば、処理液供給手段を挟む両側にそれぞれ処理液供給手段と平行に複数設けられ、処理液供給手段から供給された処理液を吸引すると共に、被処理基板の表面に処理液の流れを形成する処理液吸引手段を設けることにより、液処理領域の幅を大きくしても処理液の流れを均一にすることができるので、均一な液処理をすることができる。
【0125】
3)請求項3記載の液処理装置によれば、処理液供給手段に複数の処理液供給口を設けると共に、処理液吸引手段に処理液供給口に対して千鳥状に配列される複数の処理液吸引口を設け、ノズルヘッドの液処理面を、被処理基板と相対的に平行移動する方向に対し直交する方向に、隣接する処理液供給口の間隔以上に揺動可能な揺動手段を具備することにより、大型の被処理基板を液処理する場合であっても、処理液の供給(吐出・塗布)むらや吸引むらを防止することができるので、均一な液処理をすることができる。
【0126】
4)請求項4記載の液処理装置によれば、被処理基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段を具備することにより、洗浄液供給手段と処理液吸引手段との間に洗浄液の流れを形成して、処理液が処理液吸引手段より洗浄液供給手段側に漏れるのを防止することができるので、上記1)〜3)に加えて更に、被処理基板上の処理液の幅を一定にすることができ、処理時間を一定にして均一な液処理をすることができる。また、被処理基板上のパーティクル等を除去することもできる。
【0127】
5)請求項5,6,7,13記載の液処理装置又は液処理方法によれば、処理液供給手段を挟む両側に、処理液供給手段と平行に設けられ、処理液供給手段から供給された処理液の吸引及び被処理基板表面への洗浄液の供給を選択的に切り換え可能な切換手段を有する複数の吸引兼洗浄手段を具備することにより、被処理基板の大きさや被処理膜の種類等に合わせて液処理領域の幅を調節することができると共に、十分に液処理の時間を確保して、液処理をすることができる。したがって、一台の液処理装置によって目的に応じた複数のバリエーションの液処理を行うことができる。
【0128】
6)請求項記載の液処理装置によれば、処理液供給手段と処理液吸引手段を有する第1及び第2のノズルヘッドを2個並列に具備することにより、それぞれのノズルヘッドによって、溶解生成物を除去しつつ均一な液処理を行うと共に、第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドとの間に一定の液処理領域を確保して、十分に液処理の時間を確保することができる。この場合、第1のノズルヘッドと第2のノズルヘッドの移動速度を同一に制御すると共に、第1のノズルヘッドの移動開始時間から、被処理基板の液処理に必要な時間経過後に第2のノズルヘッドの移動を開始するように制御することにより、液処理領域、液処理時間等を制御することができるので、更に均一な液処理をすることができる(請求項)。
【0129】
7)請求項10記載の液処理装置によれば、第1のノズルヘッドの移動方向後方側に設けられた処理状態検出手段の検出情報に基づいて、第2のノズルヘッドの移動開始時期と、第2の処理液供給手段が供給する処理液の供給量と、第2の処理液吸引手段が吸引する処理液の吸引量とを制御することにより、更に均一な液処理をすることができる。
【0130】
8)請求項11,12記載の液処理装置によれば、被処理基板と相対的に平行移動可能であると共に、被処理基板の表面に洗浄液を供給可能な洗浄液供給手段を具備することにより、液処理が終了した後、速やかに洗浄液を供給して処理液を取り除き、液処理を確実に停止することができる。したがって、更に均一な液処理をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】
この発明の液処理装置を適用した液処理システムの一例を示す概略構成図である。
【図2】
この発明の液処理装置を示す概略平面図である。
【図3】
この発明におけるノズルヘッドの移動手段を示す斜視図(a)及び移動手段の垂直移動機構を示す断面図(b)である。
【図4】
現像処理ユニットの概略断面図である。
【図5】
現像処理ユニットの要部を示す平面図である。
【図6】
図5のI−I線に沿う断面図である。
【図7】
この発明の第一実施形態の液処理装置を示す概略断面図である。
【図8】
この発明の液処理装置の要部を示す断面図(a)及び(a)のII−II線に沿う断面図である。
【図9】
この発明における液処理面を示す概略平面図である。
【図10】
厚さ検出手段を示す概略断面図である。
【図11】
この発明の第二実施形態の液処理装置を示す概略断面図である。
【図12】
この発明の第三実施形態の液処理装置を示す概略断面図である。
【図13】
この発明の第三実施形態の液処理装置を用いた液処理パターンを示す説明図である。
【図14】
この発明の第四実施形態の液処理装置を示す概略断面図である。
【図15】
この発明の第四実施形態の液処理装置を示す概略平面図である。
【図16】
この発明の別の第四実施形態の液処理装置を示す概略断面図である。
【図17】
従来の液処理装置を示す概略断面図である。
【符号の説明】
G ガラス基板(被処理基板)
1 現像処理装置(液処理装置)
20 ノズルヘッド
20A 第1のノズルヘッド
20B 第2のノズルヘッド
21 液処理面
21A 第1の液処理面
21B 第2の液処理面
22 現像液供給ノズル(処理液供給手段)
22A 第1の現像液供給ノズル(第1の処理液供給手段)
22B 第2の現像液供給ノズル(第2の処理液供給手段)
23 吸引ノズル(処理液吸引手段)
23A 第1の吸引ノズル(第1の処理液吸引手段)
23B 第2の吸引ノズル(第2の処理液吸引手段)
24 サイドリンスノズル(洗浄手段)
100 CPU(制御手段)
121 現像処理装置(液処理装置)
122 現像液供給ノズル(処理液供給手段)
123,124 吸引ノズル(処理液吸引手段)
131 現像処理装置(液処理装置)
141 現像液供給口(処理液供給口)
142 吸引口(処理液吸引口)
161,162,163,164,165,166,167,168 吸引兼リンスノズル
191,192,193,194,195,196,197,198 三方弁(切換手段)
200 現像処理装置(液処理装置)
201 CCDカメラ(処理状態検出手段)
208,209 リンスノズル(洗浄液供給手段)
      [Document name] statement
Patent application title: Liquid treatment apparatusAnd liquid processing method
[Claim of claim]
    1. A nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap;
  Two processing liquid supply means which are provided in parallel at predetermined intervals on the liquid processing surface and supply the processing liquid in a band shape on the surface of the substrate to be processed;
  The two processing liquid supply units are provided on both sides in parallel with the processing liquid supply unit, and suction the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit and the flow of the processing liquid on the surface of the substrate to be processed. Treatment liquid suction means to be formed;
A liquid processing apparatus comprising:
    2. A nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap,
  Treatment liquid supply means provided on the liquid treatment surface and supplying the treatment liquid in a band shape to the surface of the substrate to be treated;
  A plurality of treatment liquid supply means are provided in parallel with the treatment liquid supply means on both sides of the treatment liquid supply means, to suction the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply means and to form a flow of the treatment liquid on the surface of the substrate Treatment liquid suction means,
A liquid processing apparatus comprising:
    3. The liquid processing apparatus according to claim 1, wherein
  The treatment liquid supply means is provided with a plurality of treatment liquid supply ports, and the treatment liquid suction means is provided with a plurality of treatment liquid suction ports arranged in a staggered manner with respect to the treatment liquid supply port,
  It further comprises rocking means capable of rocking the liquid processing surface of the nozzle head in a direction orthogonal to the direction in which the liquid relative to the substrate to be processed moves in parallel relative to the substrate to be processed. A liquid processing apparatus characterized by
    4. The liquid processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
  The liquid processing surface of the nozzle head is provided at a position facing the processing liquid supply means with the processing liquid suction means interposed therebetween, and the apparatus further comprises a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed. Liquid treatment equipment.
    5. A nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap,
  Treatment liquid supply means provided on the liquid treatment surface and supplying the treatment liquid in a band shape to the surface of the substrate to be treated;
  The processing liquid supply means is provided on both sides of the processing liquid supply means in parallel with the processing liquid supply means, and the suction of the processing liquid supplied from the processing liquid supply means and the supply of the cleaning liquid to the surface of the substrate can be selectively switched. A plurality of suction and cleaning means having switching means;
A liquid processing apparatus comprising:
    6. The liquid processing apparatus according to claim 5,
  A processing liquid suction unit provided in parallel between the processing liquid supply unit and the suction and cleaning unit and capable of suctioning the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit;
  A cleaning liquid supply unit provided parallel to a position facing the processing liquid suction unit with the suction and cleaning unit interposed therebetween, and capable of supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate;
A liquid processing apparatus comprising:
    [7] In the liquid processing apparatus according to claim 5,
  A liquid processing apparatus characterized in that the plurality of suction and cleaning means are selectively switchable according to information stored in advance according to the size of the substrate to be processed and the type of resist film.
    8. A first nozzle head having a first liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap;
  First processing liquid supply means provided on the first liquid processing surface to supply the processing liquid in a band shape to the surface of the substrate to be processed;
  Provided on both sides of the first processing liquid supply unit in parallel with the first processing liquid supply unit, and suctions the processing liquid supplied from the first processing liquid supply unit, and the surface of the substrate to be processed First treatment liquid suction means for forming a flow of treatment liquid on the
  A second nozzle head having a second liquid processing surface relatively movable in parallel with the substrate to be processed with a predetermined gap;
  Second processing liquid supply means provided on the second liquid processing surface and supplying the processing liquid in a band shape to the surface of the second substrate to be processed;
  The treatment liquid supplied from the first and second treatment liquid supply means is provided on both sides of the second treatment liquid supply means in parallel with the second treatment liquid supply means, and suctions the treatment liquid supplied from the first and second treatment liquid supply means. Second processing liquid suction means for forming a flow of processing liquid on the surface of the substrate;
  Control means capable of controlling the operation of the first nozzle head and the second nozzle head;
A liquid processing apparatus comprising:
    9. Claim8In the liquid processing apparatus described above,
  The control means is capable of controlling the moving speeds of the first nozzle head and the second nozzle head in the same manner, and from the movement start time of the first nozzle head, the time required for the liquid processing of the processing substrate A liquid processing apparatus characterized in that it is controllably formed so as to start the movement of the second nozzle head after a lapse.
    10. The claim of the invention8 or 9In the liquid processing apparatus described above,
  The first nozzle head includes processing state detection means for detecting the state of liquid processing on the rear side which moves in parallel with the substrate to be processed,
  The control means is based on the detection information of the processing state detection means, the movement start timing of the second nozzle head, the supply amount of the processing liquid supplied by the second processing liquid supply means, and the second processing liquid What is claimed is: 1. A liquid processing apparatus characterized in that the suction amount of a processing liquid to be suctioned by the suction unit is formed so as to be controllable.
    11. The claim of the invention8 to 10In the liquid processing apparatus according to any one of
  A liquid processing apparatus comprising: a cleaning liquid supply unit capable of parallel movement relative to the processing target substrate and capable of supplying a cleaning liquid to the surface of the processing target substrate.
    12. The claim of the invention11In the liquid processing apparatus described above,
  A liquid processing apparatus characterized in that the cleaning liquid supply means is integrally provided on the rear side in the moving direction of the second nozzle head.
    [13] A liquid processing method for performing development processing using a nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap,
  Supplying a processing solution in a band shape from the processing liquid supply means provided on the liquid processing surface to the surface of the substrate to be processed;
  A step of suctioning the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit by a plurality of suction and cleaning units provided in parallel with the processing liquid supply unit on both sides sandwiching the processing liquid supply unit; Supplying the
  A liquid processing method characterized in that the suction of the processing liquid and the supply of the cleaning liquid by the suction and cleaning means are performed by selectively switching according to the size of the substrate to be processed and the type of resist film.
Detailed Description of the Invention
      [0001]
    Field of the Invention
  The present invention relates to a liquid processing apparatus that supplies a processing liquid to a photomask glass substrate such as a reticle, for example.And liquid processing methodIt is about
      [0002]
    [Prior Art]
  Generally, in the semiconductor device manufacturing process, a resist solution, for example, is coated on the surface of a semiconductor wafer, a glass substrate for LCD, etc. (hereinafter referred to as a wafer), and a circuit pattern is reduced using an exposure device such as a stepper A photolithographic technique is used in which a film is exposed and a developing solution is applied to the exposed wafer surface to perform development.
      [0003]
  In the exposure processing step, an exposure apparatus such as a stepper (reduction projection exposure apparatus) is used, for example, and light is irradiated to a photomask such as a reticle to reduce an original drawing of a circuit pattern drawn on the photomask. Transfer onto the wafer.
      [0004]
  By the way, also in the manufacturing process of this photomask, the photolithography technology is used like the above-mentioned wafer etc., and although it passes through a series of process steps of a resist coating process, an exposure process and a development process, Since this is an original view for projecting a circuit pattern onto a wafer or the like, the pattern dimension such as the line width is required to have higher accuracy.
      [0005]
  Here, in the method of developing a photomask, a glass substrate for a photomask is held by suction on a spin chuck and rotated at a low speed, and a developing nozzle is used to discharge a developer on the glass substrate while developing. There is a method called spray development that performs processing.
      [0006]
  There is also a method called paddle development in which a developer supplied from a scan nozzle is poured onto the glass substrate while the glass substrate and the scan nozzle are relatively moved, and development processing is performed in a stationary state.
      [0007]
  However, in spray development, since the dissolution product generated by reacting with the developer flows to the side or corner of the glass substrate by the centrifugal force due to rotation, the reaction with the developer is suppressed in this portion, and the line There is a problem that the pattern dimensions such as the width become uneven.
      [0008]
  Moreover, in paddle development, the dissolution product does not flow to a specific place, and problems like spray development do not occur. However, the amount of formation of dissolution product is generated due to the difference in the geometric structure of the pattern and the pattern density. And the concentration of the developing solution is locally different to cause a phenomenon called a loading effect in which an etching rate or the like changes, and there is a problem that the circuit pattern becomes uneven.
      [0009]
  Therefore, in the development processing of the photomask, as shown in FIG. 17, the nozzle head 20 having the liquid processing surface 21 relatively movable in parallel with the plate-like glass substrate G with a certain gap, and the liquid processing The developer supply nozzle 22 is provided on the surface 21 and supplies the developer in a strip shape to the surface of the glass substrate G, and is provided parallel to the liquid processing surface 21 with the developer supply nozzle 22 interposed therebetween. The suction nozzle 23 forms a flow of the developer on the surface of the glass substrate G while suctioning the developer, and the liquid processing surface 21 of the nozzle head 20 is opposed to the developer supply nozzle 22 with the suction nozzle 23 interposed therebetween. Using the development processing apparatus 91 provided with the side rinse nozzle 24 that is provided at the same position and supplies the rinse liquid (cleaning liquid) to the surface of the glass substrate G, while performing the development processing while removing the dissolved product. Cormorant supply and suction-type methods are known.
      [0010]
    [Problems to be solved by the invention]
  Assuming that the width of the development area (the width between the two suction nozzles 23) where the thin film of the developer is formed is W, and the scan speed is S, the time t of the development processing by the development processing apparatus 91 is
    t = W / S
It depends on Therefore, in order to secure the time t of the development processing sufficiently, it is necessary to increase the width of the two suction nozzles 23 or to decrease the scan speed S.
      [0011]
  However, when the width of the two suction nozzles 23 is increased, it is difficult to make the flow of the developer uniform, and there is a problem that uniform development processing can not be performed. In addition, when the scan speed S is reduced, the amount of consumption of the developer increases, which causes a problem of cost increase.
      [0012]
  The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and while suppressing the consumption of the developing solution, sufficiently securing the development processing time without disturbing the flow of the developing solution, a liquid capable of uniform developing processing Processing unitAnd liquid processing methodThe purpose is to provide
      [0013]
    [Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the above object, according to a first liquid processing apparatus of the present invention, there is provided a nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate with a predetermined gap, and the liquid Two processing liquid supply means provided in parallel at regular intervals on the processing surface and supplying the processing liquid in strip form to the surface of the substrate to be processed, and processing liquid on both sides sandwiching the two processing liquid supply means And a treatment liquid suction unit provided parallel to the supply unit for suctioning the treatment liquid supplied from the treatment liquid supply unit and forming a flow of the treatment liquid on the surface of the substrate to be treated. (Claim 1).
      [0014]
  A second liquid processing apparatus according to the present invention includes a nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap, and the liquid processing surface is provided on the liquid processing surface. A plurality of processing liquid supply means for supplying the processing liquid in a strip shape on the surface of the processing substrate and both sides of the processing liquid supply means are provided in parallel with the processing liquid supply means. And a processing liquid suction unit configured to form a flow of the processing liquid on the surface of the substrate to be processed while suctioning the liquid.
      [0015]
  In the present invention, the treatment liquid supply means is provided with a plurality of treatment liquid supply ports, and the treatment liquid suction means is provided with a plurality of treatment liquid suction ports arranged in a staggered manner with respect to the treatment liquid supply port. It is preferable to further include a rocking means capable of rocking the liquid-treated surface of the liquid crystal in a direction orthogonal to the direction in which the substrate relatively moves parallel to the substrate to be processed, or more than the interval between the adjacent treatment liquid supply ports Claim 3). Further, it is preferable that the liquid processing surface of the nozzle head further includes a cleaning liquid supply unit which is provided at a position facing the processing liquid supply unit with the processing liquid suction unit interposed therebetween and supplies the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed. (Claim 4).
      [0016]
  A third liquid processing apparatus according to the present invention includes a nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap, and the liquid processing surface is provided on the liquid processing surface. The processing liquid supply means for supplying the processing liquid in a strip shape to the surface of the processing substrate and the processing liquid supply means provided parallel to the processing liquid supply means on both sides sandwiching the processing liquid supply means And a plurality of suction and cleaning means having switching means capable of selectively switching the supply of the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed. In this case, the processing liquid suction unit is provided in parallel between the processing liquid supply unit and the suction and cleaning unit and can suction the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit and the suction and cleaning unit. Preferably, a cleaning solution supply unit is provided in parallel to the position facing the processing solution suction unit and capable of supplying a cleaning solution to the surface of the substrate to be processed (claim 6).Preferably, the plurality of suction and cleaning means are selectively switchable according to information stored in advance according to the size of the substrate to be processed and the type of resist film.
      [0017]
  According to a fourth liquid processing apparatus of the present invention, there is provided a first nozzle head having a first liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap; A first processing liquid supply unit provided on the liquid processing surface and supplying the processing liquid in a band shape to the surface of the substrate to be processed, and a first processing liquid supply unit parallel to the first processing liquid supply unit on both sides sandwiching the first processing liquid supply unit. A first processing liquid suction unit for suctioning the processing liquid supplied from the first processing liquid supply unit and forming a flow of the processing liquid on the surface of the processing target substrate; And a second nozzle head having a second liquid-treated surface relatively movable in parallel with a predetermined gap, and provided on the second liquid-treated surface, and in a strip shape on the surface of the second substrate to be treated Processing solution supplying means for supplying the processing solution to the Is provided in parallel to the second processing liquid supply means, suctions the processing liquid supplied from the first and second processing liquid supply means, and forms a flow of the processing liquid on the surface of the substrate to be processed. A second processing liquid suction unit, and a control unit capable of controlling the operation of the first nozzle head and the second nozzle head are provided.8).
      [0018]
  In the present invention, the control means controls the moving speeds of the first nozzle head and the second nozzle head to be the same, and it is necessary for the liquid processing of the processing substrate from the movement start time of the first nozzle head. It is preferable to control to start the movement of the second nozzle head after a certain time has elapsed (claim9). Further, the first nozzle head comprises processing state detection means for detecting the state of liquid processing on the rear side which moves in parallel with the substrate to be processed, and the control means detects the processing state detection means. Based on the information, the movement start timing of the second nozzle head, the supply amount of the treatment liquid supplied by the second treatment liquid supply unit, and the suction amount of the treatment liquid suctioned by the second treatment liquid suction unit; It is more preferable to control10). In addition, it is preferable to have a cleaning liquid supply unit capable of parallel movement relative to the substrate to be processed and capable of supplying a cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed.11). In this case, the cleaning liquid supply means may be provided alone, or may be integrally provided on the rear side in the moving direction of the second nozzle head (claims)12).
      [0019]
  Further, the liquid processing method of the present invention is a liquid processing method in which development processing is performed using a nozzle head having a liquid processing surface relatively movable in parallel with a plate-like substrate to be processed with a predetermined gap. And a step of supplying the treatment liquid in a band shape to the surface of the substrate from the treatment liquid supply means provided on the liquid treatment surface, and a plurality of treatment liquid supply means provided on both sides in parallel with the treatment liquid supply means. Suctioning the processing liquid supplied from the processing liquid supply means by suction and cleaning means, and supplying a cleaning liquid to the substrate to be processed; suctioning the processing liquid by the suction and cleaning means; The supply of the cleaning solution is performed by selectively switching according to the size of the substrate to be processed and the type of the resist film..
      [0020]
  According to the liquid processing apparatus of the first aspect, two processing liquid supply means for supplying the processing liquid in the form of a band to the surface of the substrate to be processed are provided in parallel two at predetermined intervals on the liquid processing surface. A certain liquid processing area can be secured between the processing liquid supply means, and the liquid processing time can be sufficiently secured without disturbing the flow of the processing liquid.
      [0021]
  According to the liquid processing apparatus of the second aspect, a plurality of processing liquid supply units are provided in parallel on both sides of the processing liquid supply unit in parallel with the processing liquid supply unit, and the processing liquid supplied from the processing liquid supply unit is suctioned. By providing the processing liquid suction means for forming the flow of the processing liquid on the surface of the above, the flow of the processing liquid can be made uniform even if the width of the liquid processing region is increased.
      [0022]
  According to the liquid processing apparatus of the third aspect, the processing liquid supply means is provided with a plurality of processing liquid supply ports, and the processing liquid suction means is provided with a plurality of processing liquid suctions arranged in a staggered manner with respect to the processing liquid supply ports. A nozzle is provided, and the liquid processing surface of the nozzle head is provided with a rocking means capable of rocking in a direction orthogonal to the direction in which the substrate relatively moves relative to the substrate to be processed, beyond the interval between adjacent processing liquid supply ports. As a result, even when processing a large-sized substrate to be processed, it is possible to prevent supply (discharge / application) unevenness and suction unevenness of the processing liquid.
      [0023]
  According to the liquid processing apparatus of the fourth aspect, by providing the cleaning liquid supply means for supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed, the flow of the cleaning liquid is formed between the cleaning liquid supply means and the processing liquid suction means. The processing liquid can be prevented from leaking from the processing liquid suction means to the cleaning liquid supply means. Therefore, the width of the processing liquid on the substrate to be processed can be made constant, and the processing time can be made constant to perform uniform liquid processing. In addition, particles and the like on the target substrate can be removed.
      [0024]
  Claim 5, 6, 7, 13Liquid treatment device describedOr according to the solution treatment methodSwitching provided parallel to the processing liquid supply means on both sides sandwiching the processing liquid supply means, capable of selectively switching between suction of the processing liquid supplied from the processing liquid supply means and supply of the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed By providing a plurality of suction and cleaning means having means, the width of the liquid processing area can be adjusted according to the size of the substrate to be processed and the type of resist film, and the time for liquid processing is sufficiently secured. Solution treatment.
      [0025]
  Claim8According to the liquid processing apparatus described above, by providing two first and second nozzle heads having the processing liquid supply means and the processing liquid suction means in parallel, the product of the dissolution is removed by each nozzle head. While performing uniform liquid processing, it is possible to secure a predetermined liquid processing area between the first nozzle head and the second nozzle head, and to secure sufficient liquid processing time. In this case, the control means controls the moving speeds of the first nozzle head and the second nozzle head to be the same, and the time required for the liquid processing of the substrate to be processed is elapsed from the movement start time of the first nozzle head. By controlling the movement of the second nozzle head later, it is possible to control the liquid processing area, the liquid processing time, and the like.9).
      [0026]
  Claim10According to the liquid processing apparatus described above, the movement start timing of the second nozzle head and the second processing liquid based on the detection information of the processing state detection means provided on the rear side in the movement direction of the first nozzle head. By controlling the supply amount of the treatment liquid supplied by the supply unit and the suction amount of the treatment liquid suctioned by the second treatment liquid suction unit, it is possible to perform a more uniform liquid treatment.
      [0027]
  Claim11,12According to the liquid processing apparatus described above, the liquid processing apparatus is movable in parallel with the substrate to be processed, and after the liquid processing is completed by providing the cleaning liquid supply means capable of supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed, The cleaning solution can be promptly supplied to remove the processing solution, and the solution processing can be reliably stopped. Therefore, uniform liquid processing can be performed.
      [0028]
    BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail based on the drawings. In this embodiment, the liquid processing apparatus of the present invention is applied to a development processing apparatus for performing development processing on a target substrate for a photomask, for example, a glass substrate G for a reticle.
      [0029]
  First embodiment
  FIG. 1 is a schematic plan view of an embodiment of a resist solution application / development processing system.
      [0030]
  In the processing system described above, the transfer means of the glass substrate G disposed at the center portion, for example, the loading / unloading unit 3 of the cassette C accommodating the plurality of glass substrates G with the transfer arm 2 interposed therebetween, and installed at opposing positions The development processing unit 4 is disposed. In addition, a heat treatment unit 5 for heating or cooling the glass substrate G and a resist coating unit 6 are provided at opposite positions on the left and right of the transfer arm 2. In the coating / development processing system configured in this manner, the transport arm 2 is formed so as to be rotatable 360 degrees in the horizontal direction, and formed so as to be extensible and contractible in the horizontal X and Y directions, and in the vertical Z direction It is formed movable. Accordingly, the glass substrate G can be carried in and out of the cassette C, the development processing unit 4, the heat treatment unit 5 and the resist coating unit 6 by the transport arm 2.
      [0031]
  As shown in FIG. 2 to FIG. 5, the development processing unit 4 sucks and holds the glass substrate G on which the application of the resist solution carried in by the transfer arm 2 and the exposure of the circuit pattern have been completed in the horizontal state. A rotating holding means, for example, a spin chuck 10, a drive motor 11 for rotating the spin chuck 10, a development processing apparatus 1 of the present invention for performing development processing on a glass substrate G, and a spin chuck 10 It is mainly configured by an entrance stage 40 where the front development processing apparatus 1 is positioned, and an elevating cup 50 surrounding the side of the spin chuck 10.
      [0032]
  The spin chuck 10, as shown in FIGS. 4 and 6, is connected to the hollow rotary shaft 12, and is mounted on the driven pulley 13 mounted on the hollow rotary shaft 12 and the drive shaft 11a of the drive motor 11. Power from the drive motor 11 is transmitted via the timing belt 15 which is wound around the drive pulley 14. In addition, a proximity pin 16 for supporting the glass substrate G with a slight gap is in convex contact with four corners of the tetragonal region of the mounting surface of the spin chuck 10, and the corners of the glass substrate G A rotation restricting pin 17 holding an adjacent side of the portion is provided in a protruding manner. Further, on the mounting surface of the spin chuck 10, three suction pads 18 for holding the lower surface edge (outside the pattern formation area) of the glass substrate G by suction are attached. As shown in FIG. 5, these suction pads 18 are disposed at one position opposite to each other across the rotation center of the spin chuck 10 and two at the other position. The suction pad 18 is connected to a vacuum device (not shown) such as a vacuum pump.
      [0033]
  In the above description, the case where the power from the drive motor 11 is transmitted to the hollow rotary shaft 12 via the timing belt 15 has been described. However, the hollow rotary shaft 12 and the spin chuck 10 are mounted by mounting the hollow motor on the hollow rotary shaft 12. You may make it rotate.
      [0034]
  A back surface cleaning nozzle 19 is provided at the center of the spin chuck 10. The back surface cleaning nozzle 19 is attached to the hollow rotary shaft 12 via a bearing 19a so as not to rotate, and is not illustrated via a cleaning liquid supply tube 19b disposed in the hollow portion 12a. Connected to the cleaning solution source.
      [0035]
  The approach stage 40 includes a doughnut-shaped disc member 42 having a square hole 41 slightly larger than the outer diameter of the glass substrate G at the center and a glass substrate G having the top face of the disc member 42 held by the spin chuck 10. It comprises a plurality of fixing pins 43 erected appropriately on concentric circles on the upper surface of the spin chuck 10 so as to be positioned on the same plane as the surface. Thus, by forming the approach stage 40 with the disk member 42, it is possible to prevent generation of turbulent air flow even if the spin chuck 10 is rotated at the time of cleaning and drying of the glass substrate G.
      [0036]
  Further, as shown in FIG. 4 and FIG. 6, under the mounting portion of the spin chuck 10, a through hole 10a provided in the spin chuck 10 is penetrated and the lower surface edge of the glass substrate G (outside the pattern formation region ) And three vertically movable support pins 60 are provided. These three support pins 60 are erected on the connection plate 61, and are formed so as to be able to extend and retract above the mounting portion of the spin chuck 10 by the expansion and contraction operation of elevating means connected with the connection plate 61, for example, the air cylinder 62. It is done. In this case, the three support pins 60 are provided at positions symmetrical to the suction pads 18. Delivery of the glass substrate G is performed with the transfer arm 2 by the support pins 60 configured as described above. That is, in a state where the transport arm 2 transports the glass substrate G to the upper side of the spin chuck 10, it ascends to support the lower surface edge of the glass substrate G to receive the glass substrate G, and then the support pin 60 descends After the glass substrate G is placed on the upper surface of the spin chuck 10, the glass substrate G stands by at a lower position not interfering with the spin chuck 10. In addition, after processing is completed, the glass substrate G is lifted to push up the glass substrate G to the upper side of the spin chuck 10, delivered to the transfer arm 2 and then lowered.
      [0037]
  The cup 50, as shown in FIG. 4, extends from the upper end edge of the cup main body 51, which surrounds the spin chuck 10 outward, from the upper end edge of the cup main body 51 in a tapered shape. A moving means, for example, moving means connected to the bracket 54 attached to the cup main body 51, comprising a reduced diameter tapered portion 53 having an opening 52 close to the outer peripheral edge of the disc member 42 of the approach stage 40 without interference. It is configured to switch between the normal position shown in FIG. 4 and the cleaning / drying position moving upward by the expansion and contraction operation of the cup movement air cylinder 55. The cup body 51 has a guide bar 56 disposed parallel to the rod 55 a of the cup moving air cylinder 55, and the bearing portion 57 is mounted on the fixed portion of the developing device 1. Is slidably inserted into the
      [0038]
  Further, at the lower end portion of the cup 50, a bottomed donut cylindrical fixed cup 58 having an outer wall 58a surrounding the outside of the cup body 51 is disposed. A waste liquid line 58 b is connected to the bottom of the fixed cup 58. In addition, an inner cup 59 is provided between the lower portion of the mounting portion of the spin chuck 10 and the upper portion of the fixed cup 58 so that the drainage fluid discharged from the spin chuck 10 side, that is, the treatment liquid or cleaning solution flows into the fixed cup 58. It is set up.
      [0039]
  The liquid processing apparatus 1 includes a nozzle head 20 having a liquid processing surface 21 which can be relatively moved in parallel with a glass substrate G with a predetermined gap, and two liquid processing surfaces 21 at a predetermined interval. Provided in (parallel) and in a band on the glass substrate GIt is a treatment liquidA developer supply nozzle 22 (processing liquid supply means) for supplying (discharging, coating) a developer and a developer supply nozzle provided on both sides of the two developer supply nozzles 22 in parallel with the developer supply nozzle 22 A developer suction nozzle 23 (hereinafter referred to as suction nozzle 23) {treatment liquid suction means} for suctioning the developer supplied from 22 and forming a flow of the developer on the surface of the glass substrate G is provided. .
      [0040]
  Further, the nozzle head 20 is provided parallel to the suction nozzle 23 with the developing solution supply nozzle 22 and the suction nozzle 23 interposed therebetween, and supplies (discharges) a rinse liquid (cleaning liquid) such as pure water to the surface of the glass substrate G. A side rinse nozzle 24 (cleaning liquid supply means) which can be applied is further provided.
      [0041]
  The nozzle head 20 is formed to have a length equal to or longer than the width of the pattern formation region of the glass substrate G, and a relative gap of 50 μm to 3 mm, more preferably 50 μm to 500 μm with the glass substrate. Is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape having a liquid processing surface 21 movable in parallel thereto.
      [0042]
  As shown in FIG. 7, the two developer supply nozzles 22 once have a common storage portion 25 for storing the developer in the nozzle head 20 for defoaming etc., and the developer is stored. Connected to a developer supply pipeline 71 for supplying the developer from the developer tank 70 (developer supply source) and a bubble removal pipeline (not shown) for defoaming the developer in the storage section 25. There is.
      [0043]
  In the developing solution supply pipeline 71, a temperature control mechanism 72 (processing solution temperature adjusting means) for adjusting the temperature of the developing solution, a pumping means (not shown) for pumping the developing solution, for example, a pump, and Developer flow meter 130 (processing liquid flow detection means) for detecting the flow rate of the developing liquid, for example, an open / close valve V1 (processing liquid flow adjustment means such as an air operation valve whose opening / closing is controlled by compressed air ), And the flow rate of the developer can be adjusted.
      [0044]
  As shown in FIG. 7, the temperature control mechanism 72 is provided at the connection between the developer supply pipeline 71 and the nozzle head 20, and the developer supply pipeline 71 is formed to pass through the temperature control pipeline 73. Has a double-pipe structure. Further, the temperature control line 73 is a temperature control line by means of a circulation means, for example, a circulation pump 75, for the liquid, for example, pure water, which is temperature-controlled by the heater 17 etc. for the developer flowing downward from above in the developer supply pipeline 71. It is configured to circulate in the passage 73 from the lower side to the upper side. With this configuration, the temperature of the developing solution can be adjusted, so that the viscosity and the etching rate (processing rate, reaction rate) of the developing solution can be made constant, and further uniform development processing can be performed. be able to.
      [0045]
  Further, as shown in FIG. 8, the developer supply nozzle 22 includes a plurality of supply holes 26 (processing liquid supply holes) provided at equal intervals at, for example, 1 mm pitch in the longitudinal direction of the developer supply nozzle 22, and these supply holes. A slit 27 communicating with the lower part of the H.26 and provided in the longitudinal direction of the developing solution supply nozzle 22, and an expanding taper communicating with the lower part of the slit 27 and supplying (discharging, coating) the developing solution to the glass substrate G A developing solution supply port 28 (processing solution supply port) and a straightening buffer bar provided in the longitudinal direction in the developing solution supply port 28 to reduce the impact when discharging the developing solution and discharge the developing solution uniformly; For example, it is constituted by a cylindrical quartz rod 29. Here, although the case where the rectifying buffer rod is formed by the quartz rod 29 has been described, the rectifying buffer rod may be formed of, for example, ceramics other than quartz if it is a hydrophilic member.
      [0046]
  By configuring the developer supply nozzle 22 in this way, the developer flowing out of the supply hole 26 merges at the slit 27 and then flows along the wall surface of the developer supply port 28 while the surface of the quartz rod 29 Can be diffused. Therefore, uneven discharge of the developing solution by the supply holes can be prevented by the slits 27, and the developing solution can be uniformly supplied (discharged, coated) to the glass substrate G by the quartz rod 29, and the developing solution supply nozzle 22 and suction described later It is possible to form a uniform developer flow while constantly supplying a new developer with the nozzle 23, and to perform uniform development processing while removing the dissolution product.
      [0047]
  The suction nozzle 23 has a slit-like suction port 23 a for sucking the processing liquid (waste liquid) used in the developing process such as a developing solution or a rinse liquid, parallel to both sides of the movement direction of the liquid processing surface 21 of the developing solution supply nozzle 22. Provided in Here, in order to prevent the developer from leaking out from both ends of the developer supply nozzle 22, the length of the suction port 23 a in the longitudinal direction is preferably longer than the length of the developer supply port 28 in the longitudinal direction. Further, if the slit of the suction port 23a is too wide, the developing state becomes worse near the suction port 23a, so that the supplied developer can be sucked as much as possible without leaking to the side rinse nozzle 24 side. It is preferable to form narrowly. Further, the suction nozzle 23 smoothly sucks the developer supplied from the developer supply nozzle 22 and subjected to the developing process to form a uniform flow of the developer, as shown in FIG. It is preferable to form 23 a so as to face the developer supply port 28 side.
      [0048]
  Further, as shown in FIG. 7, the suction nozzle 23 is a pressure reducing mechanism, such as an ejector 77, capable of adjusting the amount of suction of waste liquid such as developer and rinse liquid suctioned by the suction port 23a via a suction pipeline 76; Suction flow meter 150 (suction amount detection means) capable of detecting the suction amount of each suction port 23a on the front side and rear side of the movement direction of the development processing apparatus 1 and opening and closing the suction pipeline 76 to adjust the suction amount For example, on / off valves V2 and V3 (suction amount adjusting means) such as air operation valves whose opening and closing are controlled by compressed air, a trap tank 78 for separating the sucked waste liquid into gas and liquid, and the trap tank 78 The suction unit 81 is connected to a pressure sensor 79 capable of detecting the pressure of the fluid and a waste liquid tank 80 for collecting the waste liquid collected in the trap tank 78. In this case, when the suction channel 76 is suctioned from the upper end of the suction nozzle 23, the flow of the developer becomes unique near the suction port 23a immediately below that portion, and the development processing may become uneven. It is preferable to provide the path 76 at the upper end of the position out of the pattern formation area of the glass substrate G or at both ends of the suction nozzle 23.
      [0049]
  As the suction unit 81, instead of using the ejector 77, the trap tank 78, and the pressure sensor 79, it is possible to use a suction means, such as a suction pump, capable of adjusting the suction amount of the waste fluid suctioned by the suction port.
      [0050]
  As shown in FIG. 7, the side rinse nozzle 24 is provided parallel to the position facing the developing solution supply nozzle 22 with the suction nozzle 23 in between, and the slit-like rinse solution supply port 24 a and the liquid processing surface 21 Between the glass substrate G and the glass substrate G, for example, a rinse liquid such as pure water can be supplied.
      [0051]
  Further, as shown in FIG. 7, the side rinse nozzle 24 is connected to a rinse liquid supply source such as a rinse liquid supply tank 83 via a rinse liquid supply pipeline 82, and the rinse liquid supply pipeline 82 is developed Similar to the liquid supply line 71, a temperature control mechanism 84 (cleaning liquid temperature control means) for adjusting the temperature of the rinse liquid, pumping means such as a pump (not shown) for pumping the rinse liquid, and the inside of the rinse liquid supply pipe 82. A rinse liquid flow meter 140 (washing liquid flow detection means) for detecting the flow rate of the rinse liquid, and an open / close valve V4 (washing liquid flow adjustment means) such as an air operation valve controlled to open / close by compressed air or the like are provided.
      [0052]
  With such a configuration, the suction nozzle 23 can suck a part of the rinse solution supplied by the side rinse nozzle 24 and the developing solution can be prevented from spreading from the suction nozzle 23 to the side rinse nozzle 24 side. The width of the developing solution on the glass substrate G can be made constant, and the developing time can be made constant to perform the uniform developing process. Of course, particles and the like on the glass substrate G can also be removed.
      [0053]
  In the side rinse nozzle 24, the rinse liquid supplied from the side rinse nozzle 24 on the front side in the scanning direction of the nozzle head 20 is used for pre-wetting of the glass substrate G before processing, and the coating property of the developer is improved. Contribute to Further, the development is stopped by the rinse liquid supplied from the rear side rinse nozzle 24. The side rinse nozzle 24 may be provided separately from the nozzle head 20.
      [0054]
  The nozzle moving means 30 for moving (scanning) the nozzle head 20 configured as described above in the horizontal direction (X direction) and moving it in the vertical direction (Z direction) is one of the spin chucks 10 as shown in FIG. A horizontally moving table 33 slidably mounted on a pair of mutually parallel horizontal guide rails 32 provided on laterally disposed guide plates 31 and, for example, a ball screw for horizontally moving the horizontally moving table 33 It extends from the upper end of the horizontal movement mechanism 34 formed by the mechanism and the upper end of the vertical movement base 35 mounted so as to be movable in the vertical direction with respect to the horizontal movement stand 33 to the spin chuck 10 side. And a vertical moving mechanism 37 formed of, for example, a ball screw mechanism for moving the arm 36 in the vertical direction.
      [0055]
  Further, at one end of the nozzle head 20 in the moving direction (X direction), an interval detection means capable of detecting an interval between the liquid processing surface 21 of the nozzle head 20 and the glass substrate G, for example, a laser displacement meter 90 (FIG. Reference is attached. A detection signal of the laser displacement meter 90 is transmitted to a control means, for example, a central processing unit 100 (hereinafter referred to as a CPU 100), and a motor of the vertical movement mechanism 37 is driven by a control signal from the CPU 100. A fixed gap, for example, a gap of 1 mm to 50 μm, can be precisely formed between the surface 21 and the glass substrate G.
      [0056]
  In addition to the vertical movement mechanism 37, the development processing apparatus 1 is electrically connected to the CPU 100 (control means), and the developer flow meter 130, the rinse liquid flow meter 140, the suction flow meter 150, and the pressure sensor 79. The scanning speed of the valves V1, V2, V3, V4 and the development processing apparatus 1 can be controlled based on detection signals from the laser displacement meter 90 (interval detection means) and the like and information stored in advance. There is.
      [0057]
  Further, the rinse nozzle 8 is disposed outside the nozzle standby position. As shown in FIG. 2, the rinse nozzle 8 is mounted on the tip of an arm 8c whose one end is connected to a drive shaft 8b of a motor 8a rotating in the horizontal direction, and the glass substrate is driven by the motor 8a. It is configured to be able to draw an arc-like locus passing through the center of G and move. Further, the rinse nozzle 8 is also formed to be movable in the vertical direction by a vertical movement mechanism (not shown). The rinse nozzle 8 is connected to a rinse liquid supply source such as a rinse liquid supply tank 83 via a rinse liquid supply pipe (not shown).
      [0058]
  In the above description, the case where the developer supply port 28 and the suction port 23a are formed in a band shape has been described, but the configuration is not necessarily required. For example, as shown in FIG. It is also possible to form the processing liquid supply port) and the suction port 142 (processing liquid suction port) in a plurality of slits, and provide the developer liquid supply port 141 and the suction port 142 in a zigzag shape. In this case, the arm 36 is provided with swinging means capable of moving the nozzle head 20 in the Y direction, such as a ball screw mechanism (not shown), and the nozzle head 20 is equal to or greater than the width between adjacent slits of the developer supply port 141. It is preferable to swing to the size of. The developer supply port 141 is provided with a quartz rod 29 (rectifying buffer rod) in the same manner as described above (see FIG. 9).
      [0059]
  With this configuration, even when developing a large LCD substrate, uniform development processing can be prevented by preventing uneven supply and discharge of the developer in the Y direction of the liquid processing apparatus (discharge and application) and uneven suction. You can
      [0060]
  Hereinafter, a development processing method using the development processing apparatus 1 configured as described above will be described.
      [0061]
  First, the glass substrate G carried in by the transport arm 2 is made thick by the thickness detection means disposed at the carry in / out portion of the development processing unit 4, for example, the laser displacement meter 101 which measures the distance using the reflection of laser light. Is detected. In this case, as shown in FIG. 10A, the laser displacement meter 101 has a distance from the upper side of the glass substrate G to the Cr layer 102 and a distance from the lower side of the glass substrate G to the rear surface of the glass substrate G. The distance is measured and the comparison operation is performed, or the distance from the lower side of the glass substrate G to the back surface of the glass substrate G and the distance to the Cr layer 102 are measured and compared as shown in FIG. Thus, the thickness of the glass substrate G can be detected and stored in the CPU 100. Thereby, the thickness of the glass substrate G having an error of about 100 μm is accurately detected, and displacement information between the liquid processing surface 21 of the development processing apparatus 1 described later and the surface of the glass substrate G is more accurately detected. be able to.
      [0062]
  The laser displacement meter 101 (thickness detection means) need not necessarily be provided at the loading / unloading port of the development processing unit 4, and may be disposed at the loading / unloading part of the processing unit before development processing, for example, the heat treatment unit 5 The thickness of the glass substrate G may be detected, and the detection signal may be transmitted to the CPU 100.
      [0063]
  Next, when the glass substrate G is transported by the transport arm 2 to a position above the spin chuck 10, the air cylinder 62 (lifting means) is driven, and the support pin 60 penetrates the through hole 10a provided in the spin chuck 10. It projects upward and supports the lower surface edge of the glass substrate G. In this state, the transfer arm 2 retracts from the inside of the development processing unit 4 and the glass substrate G is delivered to the support pin 60. Next, the support pin 60 is lowered to place the glass substrate G on the placement portion of the spin chuck 10. In this state, the corner portion of the glass substrate G is held by the rotation restricting pin 17 and held by suction by the suction action of the suction pad 18.
      [0064]
  When the glass substrate G is held by suction on the spin chuck 10, the horizontal movement mechanism 34 of the nozzle movement means 30 is operated by the control signal of the CPU 100 to move the nozzle head 20 from the nozzle standby position to the approach stage 40. When the nozzle head 20 reaches the entrance stage 40, the nozzle head 20 is scanned (horizontally moved) above the glass substrate G while supplying (discharging) a rinse liquid, which has been previously adjusted to a predetermined temperature, toward the entrance stage 40. The rinse liquid is applied to the entire surface of the glass substrate G (pre-wet step). Thus, the glass substrate G can be adjusted to the processing temperature before supplying (discharging, coating) the developing solution, and the wettability of the developing solution can be improved.
      [0065]
  When the pre-wetting step is completed, the development processing apparatus 1 scans based on the thickness data of the glass substrate G detected by the laser displacement meter 101, and the distance between the glass substrate G and the liquid processing surface 21 is measured by the laser displacement meter 90. It returns to the scan start position while detecting by. The detected displacement information is stored in the CPU 100.
      [0066]
  In the above description, displacement information is detected after completion of the pre-wetting step. However, the method of detecting displacement information is not limited to this, and a laser displacement meter 78 is provided on the rear side in the traveling direction of the liquid processing apparatus 6, It is also possible to carry out simultaneously with the pre-wet step.
      [0067]
  When the nozzle head 20 returns to the scan start position, ie, the position facing the entrance stage 40, the developer is supplied (discharged) from the two developer supply nozzles 22 toward the entrance stage 40, and the liquid of the nozzle head 20 is discharged. A liquid film is formed between the processing surface 21 and the entrance stage 40, that is, a state in which the developing solution is filled between the liquid processing surface 21 and the entrance stage 40 is prepared for development processing.
      [0068]
  On the other hand, the CPU 100 controls the scan speed of the nozzle head 20 to a speed at which the development time can be secured, and controls the opening degree of the on-off valves V1, V2, V3 and V4. In the meantime, supply (discharge, application) and suction of the developing solution and the rinse solution (pure water) are started so that a thin film (developing area) of the developing solution having a predetermined width can be formed.
      [0069]
  By this configuration, a uniform flow of the developer can be formed between the developer supply nozzle 22 and the suction nozzle 23 to remove the dissolution product, and two developer supply can be performed. Between the nozzles 22, the developing region can be enlarged by forming a stagnant portion of the developing solution having a constant width, so that a sufficient developing processing time can be secured.
      [0070]
  If the suction flow rate is too large, bubbles may be generated so that air is sucked to the liquid processing surface, the flow of the developer is impeded, and the development processing can not be performed. On the other hand, if the suction flow rate is too low, the developer will flow out of the liquid processing surface 21 (smear out, overflow) and cause waste. Therefore, the CPU 100 adjusts the on-off valves V2 and V3 so that the developer does not flow out of the liquid processing surface 21 and does not suck air into the suction nozzle 23 (foaming), and suction is performed. The suction amount of the nozzle 23 is controlled.
      [0071]
  Also, in order to prevent the developing solution from spreading beyond the predetermined width, the CPU 100 controls the supply (discharge, application) and suction of the rinse solution to start slightly earlier than the supply (discharge, application) of the developer. You may
      [0072]
  Supply (discharge, application) and suction of the developer and rinse liquid by the development processing apparatus 1 are intermittently performed from the scan start position on the entrance stage 40 to the end. At this time, the gap between the glass substrate G and the liquid processing surface 21 is detected by an interval detection means such as a laser displacement meter (not shown), the detection signal is sent to the CPU 100, and the CPU 100 detects the detection signal and information stored in advance. Based on the vertical movement mechanism 37, the development processing apparatus 1 is vertically moved to a width such that the developer does not leak out from the position of the suction nozzle 23 to the side rinse nozzle 24 and the flow velocity of the developer can be maintained at high speed. Let me adjust it. In addition, at the time of development processing, supplying (discharging) the rinse liquid from the back surface cleaning nozzle 19 toward the back surface of the glass substrate G can prevent the developer from flowing around the back surface of the glass substrate G.
      [0073]
  When the developing process is completed and the nozzle head 20 retracts to the outside of the cup 50, the cup moving air cylinder 55 is driven to move the cup 50 upward. In addition, the rinse nozzle 8 moves to a position not giving impact to the glass substrate G when the rinse liquid is supplied above the glass substrate G, and supplies (discharges) a rinse liquid such as pure water onto the glass substrate G, for example. Do the processing.
      [0074]
  When the rinse process is completed, the motor 11 is driven to rotate the spin chuck 10 at a high speed, for example, 2000 rpm to shake off and dry the rinse solution adhering to the glass substrate. The rinse liquid splashed from the glass substrate G and the spin chuck 10 is received in the cup 50 and discharged to the outside through the waste liquid line 58 b connected to the bottom of the fixed cup 58.
      [0075]
  After the drying process is completed and the cup 50 is lowered, the air cylinder 62 operates to raise the support pin 60 and push up the glass substrate G placed on the spin chuck 10 above the spin chuck 10. Then, the transfer arm 2 inserted into the development processing unit 4 from outside the apparatus enters below the glass substrate G, and in this state, when the support pin 60 is lowered, the glass substrate G is delivered to the transfer arm 2, The glass substrate G is unloaded from the development processing unit 4 to the outside by the transport arm 2 and the processing is completed.
      [0076]
  第 Second embodiment
  As shown in FIG. 11, the developing processing apparatus 121 according to the second embodiment of the present invention has a plurality of suction nozzles, for example, the inner suction nozzles 123, in parallel with the developer supply nozzle 122 on both sides sandwiching the developer supply nozzle 122. And two outer suction nozzles 124 are provided on both sides of the developing solution supply nozzle 122.
      [0077]
  In this case, the suction amount of the suction nozzles 123 and 124 may be adjusted by controlling the on / off valves V5, V6, V7, V8 (suction amount adjusting means) such as air operation valves by the CPU 100.
      [0078]
  The suction flow rate of the inner suction nozzle 123 is preferably smaller than the suction flow rate of the outer suction nozzle 124.
      [0079]
  By this configuration, even if the width W of the development region is increased, the distance between the developer supply nozzle 122 and the suction nozzle 123 on the inner side and the distance between the suction nozzle 123 and the suction nozzle 124 are narrowed. Thus, the flow of the developer can be made uniform, and a uniform development process can be performed.
      [0080]
  Further, as in the development processing apparatus 1 of the first embodiment, two developer supply nozzles 22 are provided, and a plurality of developer supply nozzles 22 are provided on both sides of the developer supply nozzle 22 in parallel with the developer supply nozzles 22 respectively. Of course, it is also possible to provide two suction nozzles, for example, the inner suction nozzle 123 and the outer suction nozzle 124 as in the liquid processing apparatus 121 of the second embodiment.
      [0081]
  In the second embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, so the same parts are denoted with the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
      [0082]
  第三 Third embodiment
  As shown in FIG. 12, the developing treatment apparatus 131 according to the third embodiment of the present invention is provided on both sides of the developing solution supply nozzle 122 in parallel with the developing solution supply nozzle 122 and supplied from the developing solution supply nozzle 122. The developer is provided parallel to the suction nozzles 161 and 165 capable of suctioning the developer and the position facing the developer supply nozzle 122 with the suction nozzles 161 and 165 interposed therebetween, and suction of the developer supplied from the developer supply nozzle 122 And supply of the rinse liquid (cleaning liquid) to the surface of the glass substrate G can be selectively switched based on a recipe, for example, suction and rinse nozzles 162, 163, 166 having three-way valves 192, 193, 196, 197. , 167 and the suction and rinse nozzles 162, 163, 166, and 167 in parallel to each other at a position facing the suction nozzles 161 and 165. It is one in which the rinsing liquid on the glass substrate G surface comprises a side rinse nozzle 164, 168 and capable of supplying.
      [0083]
  In this case, the suction nozzles 161 and 165 are connected to the suction pipeline 172, respectively, and the pressure reducing mechanism capable of adjusting the suction amount of the waste liquid such as the developer and the rinse liquid to be suctioned Suction including a trap tank 78 that separates and recovers gas and liquid, a pressure sensor 79 that can detect the pressure of the trap tank 78, and a waste liquid tank 80 that collects waste liquid collected in the trap tank 78 Connected to the department. Further, on the suction pipe line 172, on-off valves V11 and V15 and a suction flow meter 150 capable of detecting a suction amount of waste liquid such as a developer and a rinse liquid to be suctioned are sequentially connected from the ejector 77 side.
      [0084]
  The side rinse nozzles 164 and 168 are connected to a rinse liquid supply pipeline 175 described later via a rinse liquid supply branch pipeline 174 having on-off valves V14 and V18.
      [0085]
  The suction and rinse nozzles 162, 163, 166, and 167 are connected to the three-way valves 192, 193, 196, and 197 via a suction and supply line 171. In addition, in the suction and supply pipe line 171, a suction flow meter 150 capable of detecting a suction amount of waste liquid such as a developer and a rinse liquid to be suctioned in order from the suction and rinse nozzle 162, 163, 166, 167 side; The valves V12, V13, V16 and V17 are connected.
      [0086]
  The three-way valve 192, 193, 196, 197 is connected to the suction and supply pipe line 171, the suction pipe line 173 connected to the ejector 77 of the suction unit, and the rinse liquid supply pipe 175. The path 173 and the rinse liquid supply pipe 175 are selectively formed to be switchable.
      [0087]
  Further, the rinse liquid supply pipeline 175 is connected to a rinse liquid supply source such as the rinse liquid supply tank 83 via a rinse liquid flow meter 140 (cleaning liquid flow detection means) for detecting the flow of rinse liquid, and is not shown. The rinse solution in the rinse solution supply tank 83 is pressure-fed to the suction and rinse nozzles 162, 163, 166, 167 and the side rinse nozzles 164, 168 by a pumping means, for example, a pump or the like.
      [0088]
  The pressure sensor 79, the three-way valves 192, 193, 196, 197, the rinse solution flow meter 140, the suction flow meter 150, and the on-off valves V11 to V18 are each electrically connected to the CPU 100, and prestored information It is possible to selectively suction and supply a predetermined amount of developer from the suction nozzles 161 and 165, the suction and rinse nozzles 162, 163, 166 and 167, and the side rinse nozzles 164 and 168 based on the above. As controlled.
      [0089]
  For example, as in the pattern A shown in FIG. 13, in the case where the developing solution is sucked from the suction nozzles 161 and 165 and the rinse liquid is supplied from the suction and rinse nozzles 162 and 166, the CPU 100 controls the on-off valve V 13, 14, V17 and V18 are closed, the suction amount is adjusted by the on-off valves V11 and V15, and the three-way valves 192 and 196 are switched to the rinse liquid supply line 175 side, and the supply amount of rinse liquid is adjusted by the on-off valves V12 and V16. You should control to do.
      [0090]
  Further, according to the size of the glass substrate G, the CPU 100 sucks the developer from the suction and rinse nozzles 162 and 166 and supplies the rinse liquid from the suction and rinse nozzles 163 and 167 (pattern B) {FIG. Reference}, it is also possible to control so that the developing solution is sucked from the suction and rinse nozzles 163 and 167 and the rinse solution is supplied from the side rinse nozzles 164 and 168 (pattern C).
      [0091]
  With this configuration, the width of the development area is adjusted within the range of the adjustment width W2 based on the minimum width W1 in accordance with the size of the glass substrate G and the type of resist film by one development processing apparatus 131. Therefore, the development process can be performed with a sufficient time for the development process.
      [0092]
  As shown in patterns D, E and F of FIG. 13 according to the scan speed of the nozzle head 20, etc., suction of the developer is performed by a combination of four suction nozzles and a suction and rinse nozzle, or pattern G It may be performed using all of the suction nozzle and the suction and rinse nozzle as in FIG. The suction and rinse nozzles used do not have to be symmetrical on the front side and the rear side in the scanning direction of the nozzle head 20, and differ from back to front like patterns G to M depending on the scanning speed of the nozzle head 20 or the like. May be
      [0093]
  In addition, combinations other than the pattern A to the pattern M are also possible, as long as the combination is such that the suction and rinse nozzle for supplying the rinse solution is selected to the outside from the suction and rinse nozzle for sucking the developer.
      [0094]
  Further, in the above description, the case where two suction and rinse nozzles are provided in parallel with the developing solution supply nozzle 122 has been described, but any number of suction and rinse nozzles can be provided.
      [0095]
  Further, as in the developing treatment apparatus 1 of the first embodiment, two developer supply nozzles 22 are provided, and three or more parallel to the developer supply nozzles 22 on both sides sandwiching the two developer supply nozzles 22. Of course, it is also possible to provide a plurality of suction and rinse nozzles.
      [0096]
  In addition, in 3rd embodiment, since the other part is the same as 1st embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to an identical part and description is abbreviate | omitted.
      [0097]
  第 Fourth embodiment
  The development processing apparatus 200 according to the fourth embodiment of the present invention is, as shown in FIG. 14, provided with two first and second nozzle heads 20A and 20B having a developer supply nozzle and a suction nozzle in parallel. is there.
      [0098]
  The first nozzle head 20A has a first liquid treated surface 21A relatively movable in parallel with the glass substrate G with a fixed gap, and the first liquid treated surface 21A is made of glass. A first developing solution supply nozzle 22A for supplying a developing solution in a strip shape to the surface of the substrate G, and a first developing solution supply nozzle 22A provided on both sides of the first developing solution supply nozzle 22A in parallel with the first developing solution supply nozzle A first suction nozzle 23A for suctioning the developer supplied from the developer supply nozzle 22A and forming a flow of the developer on the surface of the glass substrate G is provided.
      [0099]
  Further, like the first nozzle head 20A, the second nozzle head 20B has a second liquid-treated surface 21B which can be relatively moved in parallel with the glass substrate G with a certain gap. On the second liquid processing surface 21B, a second developer supply nozzle 22B for supplying a developer in a strip shape to the surface of the glass substrate G, and a second developer on both sides sandwiching the second developer supply nozzle 22B. A second suction provided parallel to the supply nozzle 22B for suctioning the developer supplied from the first and second developer supply nozzles 22A and 22B and forming a flow of the developer on the surface of the glass substrate G A nozzle 23B is provided.
      [0100]
  The first and second developer supply nozzles 22A and 22B are, similarly to the development processing apparatus 1 of the first embodiment, a developer tank 70 (developer supply source) via developer supply pipelines 71A and 71B, respectively. It is connected to the. Further, in the developing solution supply pipelines 71A and 71B, developing solution flow meters 130A and 130B, on-off valves V21 and V24, and temperature control mechanisms 72A and 72B are provided in this order from the developing solution supply tank 70 side.
      [0101]
  The first and second suction nozzles 23A and 23B are connected to the ejector 77 via suction lines 76A and 76B, respectively. Further, on the suction pipelines 76A and 76B, on-off valves V22, V23, V25 and V26 and suction flow meters 150A and 150B are provided in this order from the ejector 77 side.
      [0102]
  The developer flow meters 130A and 130B, the suction flow meters 150A and 150B, and the on-off valves V21, V22, V23, V24, V25, and V26 are electrically connected to the CPU 100, respectively, and prestored information and development The on-off valves V21, V22, V23, V24, V25 and V26 are adjusted based on the detection information of the liquid flow meters 130A and 130B and the suction flow meters 150A and 150B, and the first and second developer supply nozzles 22A and 22B. The developer supply timing and supply amount, and the suction timing and suction amount of the developer to be suctioned by the first and second developer supply nozzles 22A and 22B can be controlled. In this case, the CPU 100 controls the first suction nozzle 23A such that a thin film of the developer is formed on the surface of the glass substrate G between at least the first nozzle head 20A and the second nozzle head 20B.
      [0103]
  Further, as shown in FIG. 15, the first and second nozzle heads 20A and 20B move in the horizontal X direction via the arms 36A and 36B and can move in the vertical Z direction. It is connected to 30A and 30B respectively.
      [0104]
  The nozzle moving means 30A, 30B, like the nozzle moving means 30 of the first embodiment, horizontally move the arms 36A, 36B in the horizontal direction (X direction). And vertical movement mechanisms 37A and 37B formed of, for example, a ball screw mechanism for moving the arms 36A and 36B in the vertical direction (Z direction), and are electrically connected to the CPU 100.
      [0105]
  The CPU 100 controls the nozzle moving means 30A, 30B so that the scan speeds of the first nozzle head 20A and the second nozzle head 20B become the same, and after the first nozzle head 20A starts scan movement The scanning movement of the second nozzle head 20B may be controlled to start after the time required for the development processing of the glass substrate G has elapsed.
      [0106]
  According to this structure, the width W3 of the development area can be adjusted by the distance between the first nozzle head 20A and the second nozzle head 20B, so that the development time can be varied. While suppressing the consumption of a liquid, according to the magnitude | size of glass substrate G, the kind of to-be-processed film | membrane, etc., sufficient development processing time is securable.
      [0107]
  Further, as shown in FIG. 14, processing state detection means for detecting the state of the development processing, for example, the dissolution state of the surface of the glass substrate G by the reflection intensity of the irradiated light, on the back side of the first nozzle head 20A in the scanning direction. A detectable CCD camera 201 may be provided.
      [0108]
  In this case, the CPU 100 adjusts the nozzle moving means 30A and the on-off valves V24, V25, V26 based on the detection information of the CCD camera 201, and the movement start timing of the second nozzle head 20B and the second developer supply. The supply amount of the developer supplied by the nozzle 22B and the suction amount of the developer suctioned by the second suction nozzle 23B are controlled.
      [0109]
  According to this structure, since the development process by the second nozzle head 20B can be adjusted according to the state of the development process by the first nozzle head 20A, a more uniform development process can be performed. Incidentally, for example, 80% processing is performed by the first development processing by the first nozzle head 20A, and 20% processing is performed by the development processing of the second nozzle head 20B.
      [0110]
  In addition, as shown in FIG. 14, the second nozzle head 20B can be moved in parallel with the glass substrate G in the scanning direction on the rear side, and the rinse liquid (cleaning liquid) can be supplied to the surface of the glass substrate G. A third nozzle head 20C having a cleaning liquid supply means such as a rinse nozzle 208 and a rinse liquid suction means such as a suction nozzle 23C capable of suctioning the rinse liquid supplied by the rinse nozzle 208 may be provided.
      [0111]
  In this case, as shown in FIG. 15, the third nozzle head 20C moves in the horizontal X direction via the arm 236 and is connected to the nozzle moving means 230 movable in the vertical Z direction. .
      [0112]
  Similarly to the nozzle moving means 30 of the first embodiment, the nozzle moving means 230 moves the arm 236 in the horizontal direction (X direction), for example, the horizontal moving mechanism 234 formed of a ball screw mechanism, and the arm 236 vertically. A vertical movement mechanism 237 formed of, for example, a ball screw mechanism which moves in the direction (Z direction) is electrically connected to the CPU 100.
      [0113]
  As shown in FIG. 14, the rinse nozzle 208 is connected to a rinse liquid supply source such as a rinse liquid supply tank 283 via a rinse liquid supply line 282. In addition, a pumping means such as a pump (not shown) for pumping the rinse liquid to the rinse liquid supply pipe 282 and a rinse liquid flow meter 240 for detecting the flow rate of the rinse liquid in the rinse liquid supply pipe 282 And an open / close valve V27 (cleaning liquid flow rate adjusting means) such as an air operation valve which is controlled to open and close by compressed air or the like.
      [0114]
  The suction nozzle 23C is provided, for example, in parallel on both sides sandwiching the rinse nozzle 208, and is connected to the ejector 77 via a suction pipeline 76C having on-off valves V28 and V29, respectively.
      [0115]
  The rinse liquid flow meter 240 and the on-off valves V27, V28, and V29 are electrically connected to the CPU 100.
      [0116]
  With this configuration, after the second nozzle head 20B finishes the processing, the rinse liquid can be supplied quickly from the rinse liquid supply nozzle 208 to remove the developer, and the development processing can be stopped. Further uniform development processing can be performed.
      [0117]
  In the above description, the case where the rinse nozzle is independently provided has been described, but as shown in FIG. 16, the rinse nozzle 209 can be integrally provided on the back side in the scanning direction of the second nozzle head 20B. .
      [0118]
  In the above description, the nozzle moving means 30A and 30B are provided in the first and second nozzle heads 20A and 20B respectively, but the same nozzle moving means 30 secures the time required for the developing process. It is also possible to arrange them at a distance equivalent to the product of the scanning speed and the time required for development processing, in other words, the development processing.
      [0119]
  With this configuration, it is not necessary to provide a plurality of nozzle moving means, and the apparatus can be miniaturized.
      [0120]
  In the fourth embodiment, the other parts are the same as those in the first embodiment, so the same parts are denoted with the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
      [0121]
  In the above embodiment, although the case where the substrate to be processed is a glass substrate for a photomask has been described, it goes without saying that the present invention can be applied to, for example, an LCD substrate or a semiconductor wafer besides a glass substrate.
      [0122]
    【Effect of the invention】
  As described above, according to the present invention, as configured as described above, the following effects can be obtained.
      [0123]
  1) According to the liquid processing apparatus of claim 1, two processing liquid supply means for supplying the processing liquid in a strip shape to the surface of the substrate to be processed are provided parallel to each other at a predetermined interval on the liquid processing surface. A uniform liquid processing area can be secured between the two processing liquid supply means, and a sufficient liquid processing time can be secured without disturbing the flow of the processing liquid, so that uniform liquid processing can be performed. Can.
      [0124]
  2) According to the liquid processing apparatus of the second aspect, a plurality of processing liquid supply means are provided in parallel with the processing liquid supply means on both sides of the processing liquid supply means, and the processing liquid supplied from the treatment liquid supply means is suctioned. By providing the processing liquid suction means for forming the flow of processing liquid on the surface of the processing substrate, the flow of processing liquid can be made uniform even if the width of the liquid processing region is increased, so that uniform liquid processing is performed. be able to.
      [0125]
  3) According to the liquid processing apparatus of the third aspect, the processing liquid supply means is provided with a plurality of processing liquid supply ports, and the processing liquid suction means is provided with a plurality of processings arranged in a zigzag with respect to the processing liquid supply ports. A liquid suction port is provided, and a rocking means capable of rocking the liquid processing surface of the nozzle head in a direction orthogonal to the direction in which the substrate relatively moves parallel to the substrate to be processed is larger than the interval between adjacent processing liquid supply ports. By providing the apparatus, even when processing a large substrate to be processed, it is possible to prevent unevenness in the supply (discharge / application) and suction of the processing liquid, so that uniform liquid processing can be performed. .
      [0126]
  4) According to the liquid processing apparatus of claim 4, by providing the cleaning liquid supply means for supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed, the flow of the cleaning liquid is formed between the cleaning liquid supply means and the processing liquid suction means. Since the processing liquid can be prevented from leaking from the processing liquid suction means to the cleaning liquid supply means, the width of the processing liquid on the substrate to be processed is made constant in addition to the above 1) to 3). It is possible to perform uniform liquid processing with constant processing time. In addition, particles and the like on the target substrate can be removed.
      [0127]
  5) Claims 5 and 6, 7, 13Liquid treatment device describedOr liquid processing methodAccording to the present invention, the processing liquid supply means is provided on both sides in parallel with the processing liquid supply means, and selectively switches between suction of the processing liquid supplied from the processing liquid supply means and supply of the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed. By providing a plurality of suction and cleaning means having possible switching means, it is possible to adjust the width of the liquid treatment area according to the size of the substrate to be treated, the type of the film to be treated, etc. The liquid processing can be performed by securing the time of Therefore, liquid processing of a plurality of variations according to the purpose can be performed by one liquid processing apparatus.
      [0128]
  6) Claims8According to the liquid processing apparatus described above, by providing two first and second nozzle heads having the processing liquid supply means and the processing liquid suction means in parallel, the product of the dissolution is removed by each nozzle head. While performing uniform liquid processing, it is possible to secure a predetermined liquid processing area between the first nozzle head and the second nozzle head, and to secure sufficient liquid processing time. In this case, the moving speeds of the first nozzle head and the second nozzle head are controlled to be the same, and the second nozzle head is moved after the time required for the liquid processing of the substrate to be processed from the movement start time of the first nozzle head. By controlling to start the movement of the nozzle head, it is possible to control the liquid processing area, the liquid processing time, and the like, so that the liquid processing can be performed more uniformly.9).
      [0129]
  7) Claims10According to the liquid processing apparatus described above, the movement start timing of the second nozzle head and the second processing liquid based on the detection information of the processing state detection means provided on the rear side in the movement direction of the first nozzle head. By controlling the supply amount of the treatment liquid supplied by the supply unit and the suction amount of the treatment liquid suctioned by the second treatment liquid suction unit, it is possible to perform a more uniform liquid treatment.
      [0130]
  8) Claims11,12According to the liquid processing apparatus described above, the liquid processing apparatus is movable in parallel with the substrate to be processed, and after the liquid processing is completed by providing the cleaning liquid supply means capable of supplying the cleaning liquid to the surface of the substrate to be processed, The cleaning solution can be promptly supplied to remove the processing solution, and the solution processing can be reliably stopped. Therefore, uniform liquid processing can be performed.
Brief Description of the Drawings
    [Fig. 1]
  It is a schematic block diagram which shows an example of the liquid processing system to which the liquid processing apparatus of this invention is applied.
    [Fig. 2]
  It is a schematic plan view which shows the liquid processing apparatus of this invention.
    [Fig. 3]
  They are a perspective view (a) which shows the movement means of the nozzle head in this invention, and sectional drawing (b) which shows the vertical movement mechanism of a movement means.
    [Fig. 4]
  FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a development processing unit.
    [Fig. 5]
  It is a top view which shows the principal part of a development processing unit.
    [Fig. 6]
  It is sectional drawing in alignment with the II line of FIG.
    [Fig. 7]
  It is a schematic sectional drawing which shows the liquid processing apparatus of 1st embodiment of this invention.
    [Fig. 8]
  It is sectional drawing which follows the II-II line of (a) which shows the principal part of the liquid processing apparatus of this invention, and (a).
    [Fig. 9]
  It is a schematic plan view which shows the liquid processing surface in this invention.
    [Fig. 10]
  It is a schematic sectional drawing which shows thickness detection means.
    [Fig. 11]
  It is a schematic sectional drawing which shows the liquid processing apparatus of 2nd embodiment of this invention.
    [Fig. 12]
  It is a schematic sectional drawing which shows the liquid processing apparatus of 3rd embodiment of this invention.
    [Fig. 13]
  It is explanatory drawing which shows the liquid processing pattern which used the liquid processing apparatus of 3rd embodiment of this invention.
    [Fig. 14]
  It is a schematic sectional drawing which shows the liquid processing apparatus of 4th embodiment of this invention.
    [Fig. 15]
  It is a schematic plan view which shows the liquid processing apparatus of 4th embodiment of this invention.
    [Fig. 16]
  It is a schematic sectional drawing which shows the liquid processing apparatus of another 4th embodiment of this invention.
    [Fig. 17]
  It is a schematic sectional drawing which shows the conventional liquid processing apparatus.
[Description of the code]
  G glass substrate (substrate to be processed)
  1 Development processing equipment (liquid processing equipment)
  20 nozzle head
  20A 1st nozzle head
  20B second nozzle head
  21 liquid processing side
  21A First liquid treated surface
  21B Second liquid treated surface
  22 Developer Supply Nozzle (Process Liquid Supply Unit)
  22A First developer supply nozzle (first processing solution supply means)
  22B Second developer supply nozzle (second processing solution supply means)
  23 Suction nozzle (treatment liquid suction means)
  23A First suction nozzle (first treatment liquid suction means)
  23B Second suction nozzle (second treatment liquid suction means)
  24 Side rinse nozzle (cleaning method)
  100 CPU (control means)
  121 Development processing unit (liquid processing unit)
  122 Developer Supply Nozzle (Process Liquid Supply Unit)
  123, 124 Suction nozzle (treatment liquid suction means)
  131 Development processing unit (liquid processing unit)
  141 Developer Supply Port (Process Liquid Supply Port)
  142 Suction port (treatment liquid suction port)
  161, 162, 163, 164, 165, 166, 167, 168 Suction and rinse nozzle
  191, 192, 193, 194, 195, 196, 197, 198 Three-way valve (switching means)
  200 Development processing device (liquid processing device)
  201 CCD camera (processing state detection means)
  208, 209 rinse nozzle (cleaning solution supply means)

JP2002252414A 2002-08-30 2002-08-30 Liquid processing apparatus and liquid processing method Expired - Fee Related JP4079420B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002252414A JP4079420B2 (en) 2002-08-30 2002-08-30 Liquid processing apparatus and liquid processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002252414A JP4079420B2 (en) 2002-08-30 2002-08-30 Liquid processing apparatus and liquid processing method

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004095707A JP2004095707A (en) 2004-03-25
JP2004095707A5 true JP2004095707A5 (en) 2005-05-26
JP4079420B2 JP4079420B2 (en) 2008-04-23

Family

ID=32058687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002252414A Expired - Fee Related JP4079420B2 (en) 2002-08-30 2002-08-30 Liquid processing apparatus and liquid processing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4079420B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4331024B2 (en) * 2004-03-16 2009-09-16 Okiセミコンダクタ株式会社 Development processing apparatus and development processing method
KR100666357B1 (en) * 2005-09-26 2007-01-11 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP5994315B2 (en) * 2011-03-25 2016-09-21 凸版印刷株式会社 Developing nozzle, paddle developing device and paddle developing method
CN114815528A (en) * 2022-04-18 2022-07-29 成都博腾实达智能科技有限公司 Integrated processing equipment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100375036B1 (en) Coating film forming apparatus for semiconductor processing
KR100558026B1 (en) Treatment device and treatment method
KR100574303B1 (en) Substrate processing apparatus
KR20000012023A (en) Substrate process method and substrate process apparatus
JP3605545B2 (en) Development processing method and development processing apparatus
KR20010062439A (en) Coating film and forming apparatus
JP2001232250A (en) Membrane forming apparatus
KR101067143B1 (en) Coating film forming apparatus and coating film forming method
JPH1116830A (en) Developing device and method and substrate treating device
JP3843200B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3880480B2 (en) Liquid processing equipment
KR102593787B1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium for computer
US20010003966A1 (en) Film forming apparatus
JP2004095707A5 (en)
JP4079420B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP3865669B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP3676263B2 (en) Coating film forming apparatus and coating film forming method
JP2004095705A5 (en)
KR20100059437A (en) Nozzle and apparatus for processing a substrate the same
JPH10340836A (en) Developing apparatus and developing method
JP3599323B2 (en) Substrate processing equipment
JP4014035B2 (en) Liquid processing equipment
JP4030973B2 (en) Development processing equipment
JP3865670B2 (en) Liquid processing equipment
JP3964475B2 (en) Substrate processing method and apparatus