JP2004087541A - 高出力光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】非線形現象を抑制してピークパワーを高めた出力光を得ることができる高出力光源装置を提供する。
【解決手段】電気パルス信号を発生するパルス発生器２と、電気パルス信号を光パルスに変換するレーザダイオード３と、第１，第２のエルビウムドープファイバ増幅器５，７を備える高出力パルス光源において、１．５５μｍであったレーザダイオード３の発振波長を、１．５３μｍとし、第１，第２のエルビウムドープファイバ増幅器５，７のエルビウムドープファイバの長さを短くし、これによって、非線形現象を抑制するようにしている。
【選択図】 図１
【解決手段】電気パルス信号を発生するパルス発生器２と、電気パルス信号を光パルスに変換するレーザダイオード３と、第１，第２のエルビウムドープファイバ増幅器５，７を備える高出力パルス光源において、１．５５μｍであったレーザダイオード３の発振波長を、１．５３μｍとし、第１，第２のエルビウムドープファイバ増幅器５，７のエルビウムドープファイバの長さを短くし、これによって、非線形現象を抑制するようにしている。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高出力のパルス光などを発生する高出力光源装置に関し、更に詳しくは、例えば、光学部品のスクリーニング、金属の微細熱加工やレーザ測距などに好適な高出力光源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は、高出力パルス光を発生する従来の高出力パルス光源の概略構成図である。
【０００３】
このパルス光源は、パルス発生器２で発生した矩形の電気パルス信号が、発振波長１．５５μｍのレーザダイオード３’によって矩形の光パルスに変換され、偏波コントローラ４を介して第１のエルビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）５’に入力されて増幅され、増幅パルス光として出力される。第１のエルビウムドープファイバ増幅器５’からの増幅パルス光は、バンドパスフィルタ６でＡＳＥ（雑音）が除去されて第２のエルビウムドープファイバ増幅器７’に入力されて増幅され、数ｋｗ程度の比較的高いピークパワーを有するパルス光が出力される。なお、８はコネクタである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような高出力パルス光源では、第１のエルビウムドープファイバ増幅器からの増幅パルス光のピークパワーが高くなると、第２のエルビウムドープファイバ増幅器のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）のコアのパワー密度が高くなってラマン散乱等の非線形現象を生じ、エネルギーが分散されてピークパワーが上がらないという難点がある。
【０００５】
本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、非線形現象を抑制してピークパワーを高めた出力光を得ることができる高出力光源装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【０００７】
すなわち、本発明の高出力光源装置は、電気信号を発生する信号発生器と、前記電気信号に基づいて、レーザ光を生成する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光を増幅する希土類元素ドープファイバ増幅器とを備え、前記半導体レーザの発振波長が、前記希土類元素ドープファイバの複数の利得帯域の一つに利得帯域に対応する波長である高出力光源装置において、前記半導体レーザの発振波長を、前記一つの利得帯域とは別の利得帯域に対応する波長としている。
【０００８】
本発明によると、半導体レーザの発振波長を、希土類元素ドープファイバ増幅器の複数の利得帯域の或る利得帯域に対応する波長から別の利得帯域に対応する波長に変更するので、希土類元素ドープファイバ増幅器の単位長さ当たりの利得が大きい発振波長とすることにより、希土類元素ドープファイバ増幅器の希土類元素ドープファイバの長さを短くすることができ、これによって、非線形現象を抑制して出力光のピークパワーを高めることができる。
【０００９】
本発明の高出力光源装置は、電気信号を発生する信号発生器と、前記電気信号に基づいて、レーザ光を生成する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光を増幅するエルビウムドープファイバ増幅器とを備え、前記半導体レーザの発振波長が、１．５５μｍである高出力光源装置において、前記半導体レーザの発振波長を、１．５３μｍにしたものである。
【００１０】
本発明によると、１．５５μｍであった半導体レーザの発振波長を、エルビウムドープファイバ増幅器の利得ピークである１．５３μｍにしたので、エルビウムドープファイバの長さを、従来よりも短くすることができ、これによって、非線形現象を抑制して出力光のピークパワーを高めることができる。
【００１１】
本発明の一実施態様においては、前記電気信号がパルス状であり、前記半導体レーザは、パルス光を生成するものである。
【００１２】
本発明によると、非線形現象を抑制してピークパワーを高めた高出力のパルス光を出力することができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施態様においては、前記エルビウムドープファイバ増幅器が、二つのエルビウムドープファイバ増幅器からなり、両エルビウムドープファイバ増幅器の間に、バンドパスフィルタを設けている。
【００１４】
本発明によると、第１のエルビウムドープファイバ増幅器で増幅された増幅パルスが、第２のエルビウムドープファイバ増幅器で増幅される際の非線形現象が抑制されてピークパワーを高めた出力光を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面によって本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一つの実施の形態に係る高出力光源装置の全体構成を示す図である。
【００１７】
この実施の形態の高出力光源装置１は、パルス発生器２で発生した矩形の電気パルス信号が、レーザダイオード３によって矩形の光パルスに変換され、偏波コントローラ４を介して第１のエルビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）５に入力されて増幅されて増幅パルス光として出力される。第１のエルビウムドープファイバ増幅器５からの増幅パルス光は、バンドパスフィルタ６でＡＳＥ（雑音）が除去されて第２のエルビウムドープファイバ増幅器７に入力されて増幅され、数ｋｗ程度の比較的高いピークパワーを有するパルス光が、コネクタ８を介して出力される。
【００１８】
この実施の形態では、非線形現象を抑制してピークパワーを高めるために、従来１．５５μｍであったレーザダイオード３の発振波長を、エルビウムドープファイバの利得ピークのある１．５３μｍとしている。
【００１９】
エルビウムドープファイバは、１．５４μｍから１．５６μｍにかけて比較的平坦な利得スペクトルを有しており、これに対応して、従来では、レーザダイオード３の発振波長は、１．５５μｍとされていたのであるが、この実施の形態では、エルビウムドープファイバの１．５３μｍの利得ピークに対応してレーザダイオード３の発振波長を、１．５３μｍとしている。
【００２０】
エルビウムドープファイバ増幅器のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）は、１．５５μｍに比べて、１．５３μｍの方が、単位長さ当たりの増幅利得が大きいので、レーザダイオード３の発振波長を、１．５３μｍにすることにより、エルビウムドープファイバ増幅器５，７のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）の長さを短くすることができる。
【００２１】
以下に、この実施の形態と上述の従来例との比較結果を示す。
【００２２】
図３は、レーザダイオードの発振波長を１．５３μｍとした実施の形態および発振波長が１．５５μｍである従来例におけるＥＤＦ長に対する利得の変化をそれぞれ示している。
【００２３】
この図３に示されるように、発振波長が１．５３μｍの実施の形態は、発振波長が１．５５μｍの従来例に比べて、短いファイバ長で高い利得が得られることが分かる。したがって、発振波長が１．５３μｍの実施の形態では、ファイバ長を従来例に比べて短くすることによる非線形現象の抑制が可能となる。また、得られる利得の最大値も、発振波長が１．５３μｍの実施の形態の方が、大きくなっており、発振波長が１．５５μｍの従来例に比べて、高出力化を図ることができる。
【００２４】
このようにエルビウムドープファイバ増幅器５，７のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）の長さを、従来例に比べて短くできるので、ラマン散乱等の非線形現象を抑制することができ、これによって、出力パルス光のピークパワーを高めることが可能となる。
【００２５】
以上のように出力パルス光のピークパワーを高めることができるので、例えば、光学部品のスクリーニングの際に、ダメージの発生を加速できることになり、スクリーニングに要する時間を短くすることができる。
【００２６】
（その他の実施の形態）
上述の実施の形態では、パルス光源に適用したけれども、本発明は、パルス光源に限らず、連続光を出力するＣＷ光源に適用してもよい。
【００２７】
上述のの実施の形態では、エルビウムドープファイバ増幅器は、２段の構成であったけれども、本発明は、２段に限るものではなく、１段あるいは３段以上の構成であってもよい。
【００２８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、従来、１．５５μｍであった半導体レーザの発振波長を、１．５３μｍにしたので、単位長さ当たりの利得が大きくなってエルビウムドープファイバ増幅器のエルビウムドープファイバの長さを短くすることができ、これによって、ラマン散乱等の非線形現象を抑制して出力光のピークパワーを高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態に係る高出力光源装置の構成図である。
【図２】従来例の構成図である。
【図３】実施の形態と従来例のＥＤＦ長に対する利得の変化を示す図である。
【符号の説明】
１ 高出力光源装置
２ パルス発生器
３ レーザダイオード
５，５’ 第１のエルビウムドープファイバ増幅器
７，７’ 第２のエルビウムドープファイバ増幅器
【発明の属する技術分野】
本発明は、高出力のパルス光などを発生する高出力光源装置に関し、更に詳しくは、例えば、光学部品のスクリーニング、金属の微細熱加工やレーザ測距などに好適な高出力光源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２は、高出力パルス光を発生する従来の高出力パルス光源の概略構成図である。
【０００３】
このパルス光源は、パルス発生器２で発生した矩形の電気パルス信号が、発振波長１．５５μｍのレーザダイオード３’によって矩形の光パルスに変換され、偏波コントローラ４を介して第１のエルビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）５’に入力されて増幅され、増幅パルス光として出力される。第１のエルビウムドープファイバ増幅器５’からの増幅パルス光は、バンドパスフィルタ６でＡＳＥ（雑音）が除去されて第２のエルビウムドープファイバ増幅器７’に入力されて増幅され、数ｋｗ程度の比較的高いピークパワーを有するパルス光が出力される。なお、８はコネクタである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような高出力パルス光源では、第１のエルビウムドープファイバ増幅器からの増幅パルス光のピークパワーが高くなると、第２のエルビウムドープファイバ増幅器のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）のコアのパワー密度が高くなってラマン散乱等の非線形現象を生じ、エネルギーが分散されてピークパワーが上がらないという難点がある。
【０００５】
本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、非線形現象を抑制してピークパワーを高めた出力光を得ることができる高出力光源装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【０００７】
すなわち、本発明の高出力光源装置は、電気信号を発生する信号発生器と、前記電気信号に基づいて、レーザ光を生成する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光を増幅する希土類元素ドープファイバ増幅器とを備え、前記半導体レーザの発振波長が、前記希土類元素ドープファイバの複数の利得帯域の一つに利得帯域に対応する波長である高出力光源装置において、前記半導体レーザの発振波長を、前記一つの利得帯域とは別の利得帯域に対応する波長としている。
【０００８】
本発明によると、半導体レーザの発振波長を、希土類元素ドープファイバ増幅器の複数の利得帯域の或る利得帯域に対応する波長から別の利得帯域に対応する波長に変更するので、希土類元素ドープファイバ増幅器の単位長さ当たりの利得が大きい発振波長とすることにより、希土類元素ドープファイバ増幅器の希土類元素ドープファイバの長さを短くすることができ、これによって、非線形現象を抑制して出力光のピークパワーを高めることができる。
【０００９】
本発明の高出力光源装置は、電気信号を発生する信号発生器と、前記電気信号に基づいて、レーザ光を生成する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光を増幅するエルビウムドープファイバ増幅器とを備え、前記半導体レーザの発振波長が、１．５５μｍである高出力光源装置において、前記半導体レーザの発振波長を、１．５３μｍにしたものである。
【００１０】
本発明によると、１．５５μｍであった半導体レーザの発振波長を、エルビウムドープファイバ増幅器の利得ピークである１．５３μｍにしたので、エルビウムドープファイバの長さを、従来よりも短くすることができ、これによって、非線形現象を抑制して出力光のピークパワーを高めることができる。
【００１１】
本発明の一実施態様においては、前記電気信号がパルス状であり、前記半導体レーザは、パルス光を生成するものである。
【００１２】
本発明によると、非線形現象を抑制してピークパワーを高めた高出力のパルス光を出力することができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施態様においては、前記エルビウムドープファイバ増幅器が、二つのエルビウムドープファイバ増幅器からなり、両エルビウムドープファイバ増幅器の間に、バンドパスフィルタを設けている。
【００１４】
本発明によると、第１のエルビウムドープファイバ増幅器で増幅された増幅パルスが、第２のエルビウムドープファイバ増幅器で増幅される際の非線形現象が抑制されてピークパワーを高めた出力光を得ることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面によって本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一つの実施の形態に係る高出力光源装置の全体構成を示す図である。
【００１７】
この実施の形態の高出力光源装置１は、パルス発生器２で発生した矩形の電気パルス信号が、レーザダイオード３によって矩形の光パルスに変換され、偏波コントローラ４を介して第１のエルビウムドープファイバ増幅器（ＥＤＦＡ）５に入力されて増幅されて増幅パルス光として出力される。第１のエルビウムドープファイバ増幅器５からの増幅パルス光は、バンドパスフィルタ６でＡＳＥ（雑音）が除去されて第２のエルビウムドープファイバ増幅器７に入力されて増幅され、数ｋｗ程度の比較的高いピークパワーを有するパルス光が、コネクタ８を介して出力される。
【００１８】
この実施の形態では、非線形現象を抑制してピークパワーを高めるために、従来１．５５μｍであったレーザダイオード３の発振波長を、エルビウムドープファイバの利得ピークのある１．５３μｍとしている。
【００１９】
エルビウムドープファイバは、１．５４μｍから１．５６μｍにかけて比較的平坦な利得スペクトルを有しており、これに対応して、従来では、レーザダイオード３の発振波長は、１．５５μｍとされていたのであるが、この実施の形態では、エルビウムドープファイバの１．５３μｍの利得ピークに対応してレーザダイオード３の発振波長を、１．５３μｍとしている。
【００２０】
エルビウムドープファイバ増幅器のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）は、１．５５μｍに比べて、１．５３μｍの方が、単位長さ当たりの増幅利得が大きいので、レーザダイオード３の発振波長を、１．５３μｍにすることにより、エルビウムドープファイバ増幅器５，７のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）の長さを短くすることができる。
【００２１】
以下に、この実施の形態と上述の従来例との比較結果を示す。
【００２２】
図３は、レーザダイオードの発振波長を１．５３μｍとした実施の形態および発振波長が１．５５μｍである従来例におけるＥＤＦ長に対する利得の変化をそれぞれ示している。
【００２３】
この図３に示されるように、発振波長が１．５３μｍの実施の形態は、発振波長が１．５５μｍの従来例に比べて、短いファイバ長で高い利得が得られることが分かる。したがって、発振波長が１．５３μｍの実施の形態では、ファイバ長を従来例に比べて短くすることによる非線形現象の抑制が可能となる。また、得られる利得の最大値も、発振波長が１．５３μｍの実施の形態の方が、大きくなっており、発振波長が１．５５μｍの従来例に比べて、高出力化を図ることができる。
【００２４】
このようにエルビウムドープファイバ増幅器５，７のエルビウムドープファイバ（ＥＤＦ）の長さを、従来例に比べて短くできるので、ラマン散乱等の非線形現象を抑制することができ、これによって、出力パルス光のピークパワーを高めることが可能となる。
【００２５】
以上のように出力パルス光のピークパワーを高めることができるので、例えば、光学部品のスクリーニングの際に、ダメージの発生を加速できることになり、スクリーニングに要する時間を短くすることができる。
【００２６】
（その他の実施の形態）
上述の実施の形態では、パルス光源に適用したけれども、本発明は、パルス光源に限らず、連続光を出力するＣＷ光源に適用してもよい。
【００２７】
上述のの実施の形態では、エルビウムドープファイバ増幅器は、２段の構成であったけれども、本発明は、２段に限るものではなく、１段あるいは３段以上の構成であってもよい。
【００２８】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、従来、１．５５μｍであった半導体レーザの発振波長を、１．５３μｍにしたので、単位長さ当たりの利得が大きくなってエルビウムドープファイバ増幅器のエルビウムドープファイバの長さを短くすることができ、これによって、ラマン散乱等の非線形現象を抑制して出力光のピークパワーを高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態に係る高出力光源装置の構成図である。
【図２】従来例の構成図である。
【図３】実施の形態と従来例のＥＤＦ長に対する利得の変化を示す図である。
【符号の説明】
１ 高出力光源装置
２ パルス発生器
３ レーザダイオード
５，５’ 第１のエルビウムドープファイバ増幅器
７，７’ 第２のエルビウムドープファイバ増幅器
Claims (4)
- 電気信号を発生する信号発生器と、前記電気信号に基づいて、レーザ光を生成する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光を増幅する希土類元素ドープファイバ増幅器とを備え、前記半導体レーザの発振波長が、前記希土類元素ドープファイバの複数の利得帯域の一つに利得帯域に対応する波長である高出力光源装置において、
前記半導体レーザの発振波長を、前記一つの利得帯域とは別の利得帯域に対応する波長としたことを特徴とする高出力光源装置。 - 電気信号を発生する信号発生器と、前記電気信号に基づいて、レーザ光を生成する半導体レーザと、前記半導体レーザからのレーザ光を増幅するエルビウムドープファイバ増幅器とを備え、前記半導体レーザの発振波長が、１．５５μｍである高出力光源装置において、
前記半導体レーザの発振波長を、１．５３μｍにしたことを特徴とする高出力光源装置。 - 前記電気信号がパルス状であり、前記半導体レーザは、パルス光を生成するものである請求項１または２記載の高出力光源装置。
- 前記エルビウムドープファイバ増幅器が、二つのエルビウムドープファイバ増幅器からなり、両エルビウムドープファイバ増幅器の間に、バンドパスフィルタを設けた請求項１〜３のいずれかに記載の高出力光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002242847A JP2004087541A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 高出力光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002242847A JP2004087541A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 高出力光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004087541A true JP2004087541A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32051769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002242847A Pending JP2004087541A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 高出力光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004087541A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104393473A (zh) * | 2014-08-20 | 2015-03-04 | 广东高聚激光有限公司 | 高增益全光纤激光放大器及高增益激光放大方法 |
| CN106329891A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-01-11 | 珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司 | 触发晶闸管的脉冲调制电路及方法 |
| CN110661164A (zh) * | 2019-08-23 | 2020-01-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种提升拉曼光阈值的光纤激光器 |
-
2002
- 2002-08-23 JP JP2002242847A patent/JP2004087541A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104393473A (zh) * | 2014-08-20 | 2015-03-04 | 广东高聚激光有限公司 | 高增益全光纤激光放大器及高增益激光放大方法 |
| CN106329891A (zh) * | 2016-09-18 | 2017-01-11 | 珠海格力节能环保制冷技术研究中心有限公司 | 触发晶闸管的脉冲调制电路及方法 |
| CN106329891B (zh) * | 2016-09-18 | 2019-08-30 | 珠海格力电器股份有限公司 | 触发晶闸管的脉冲调制电路及方法 |
| CN110661164A (zh) * | 2019-08-23 | 2020-01-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 一种提升拉曼光阈值的光纤激光器 |
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