【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、速硬化性および耐湿性に優れ、半導体装置の製造に際するチップマウントや各種電子部品類等の接着に好適に使用できる導電性ペーストに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造に際し、金属薄板（リードフレーム）上の所定部分にＩＣやＬＳＩ等の半導体チップを接続する工程は、半導体装置の経時的な信頼性に大きな影響を与える重要な工程である。
【０００３】
従来、上記接続方法として、半田等の低融点合金を用いたろう付けによる接続方法や、銀粉末を配合したエポキシ樹脂からなる導電性ペーストを用いた接続方法等が採られてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、半田等の低融点合金を用いたろう付けによる接続方法は、半田や半田ボールが飛散して電極等に付着し、腐食断線の原因となる可能性があった。また、導電性ペーストを用いた接続方法は、シリコンチップにＡｕ−Ｓｉの共晶合金を生成させる共晶法と比較して信頼性に欠けるという問題があった。すなわち、導電性ペーストを用いた接続は、半田等の低融点合金を用いたろう付け等による接続と比較して耐熱性に優れるが、反面、電極の腐食等を促進し断線不良の原因となる場合があり、信頼性はＡｕ−Ｓｉの共晶法に比べて劣っていた。また、導電性ペーストは熱硬化性樹脂であるため、その硬化に時間を要するという問題もあった。
【０００５】
さらに、上記導電性ペーストを短時間で硬化させた場合には、導電性ペーストより形成された接着層に空隙が発生するという問題があった。また、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の大型化に伴って、アッセンブリ工程や実装工程中の熱履歴により、チップクラックやパッケージクラックが発生するという問題もあった。
【０００６】
本発明は上記従来の問題に鑑みてなされたもので、速硬化性を示すとともに耐湿性に優れ、硬化後の空隙の発生と熱収縮が抑制された導電性ペーストを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性ペーストは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）オキセタン樹脂、（Ｃ）カチオン重合系硬化剤および（Ｄ）導電性粉末を配合してなることを特長とする。前記（Ｂ）オキセタン樹脂の配合量が、前記（Ａ）エポキシ樹脂 １００重量部に対して、５〜１００重量部であればより好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の導電性ペーストは、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）オキセタン樹脂、（Ｃ）カチオン重合系硬化剤および（Ｄ）導電性粉末を配合してなることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明における（Ａ）エポキシ樹脂としては、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する樹脂であれば、いかなるものでも使用することができる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂が挙げられ、これらの樹脂は単独で、または２種以上混合して使用することができる。なお、反応性希釈剤または可塑剤を併用することもできる。
【００１０】
本発明における（Ｂ）オキセタン樹脂はエポキシ基より炭素数が１つ多い４員環の環状エーテル化合物であり、下式１のような構造を有するものである。
【００１１】
【化１】
【００１２】
このような構造を有するものとしては、例えば東亜合成株式会社製のＯＸＴ−１０１（３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、粘度２２．４ｍＰａ・ｓ［２５℃］、下式２）、ＯＸＴ−１２１（ｎ＝１〜３（ｎ＝１ ８０〜８５重量％、ｎ＝２ １０〜１５重量％、ｎ＝３ ５重量％未満）、粘度１５０±３０ｍＰａ・ｓ［２５℃］、下式３）、ＯＸＴ−２１１（３−エチル−３−（フェノキシメチル）オキセタン、粘度１３．８ｍＰａ・ｓ［２５℃］、下式４）、ＯＸＴ−２２１（ジ〔１−エチル（３−オキセタニル）〕メチルエーテル、粘度１２．８ｍＰａ・ｓ［２５℃］、下式５）、ＯＸＴ−２１２（３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、粘度５．０ｍＰａ・ｓ［２５℃］、下式６）が挙げられる。これらのオキセタン樹脂は、単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。
【００１３】
【化２】
【００１４】
【化３】
【００１５】
【化４】
【００１６】
【化５】
【００１７】
【化６】
【００１８】
（Ｂ）オキセタン樹脂の配合割合は特に限定されるものではないが、（Ａ）エポキシ樹脂 １００重量部に対して、５〜１００重量部であれば好ましい。（Ｂ）オキセタン樹脂の配合割合が５重量部未満では、得られる導電性ペーストの速硬化性が不十分となり、反対に１００重量部を越える場合には、硬化物が脆くなり接着強度が低下する。
【００１９】
本発明における（Ｃ）カチオン重合系硬化剤としてはオニウム塩の型をしたものが使用できる。このようなものの中でも特にスルホニウム塩が好ましく用いられ、このようなものとしては例えば下式７、下式８に示されるものが挙げられる。（Ｃ）カチオン重合系硬化剤の配合割合は、（Ａ）エポキシ樹脂 １００重量部に対して、０．３〜５重量部であれば好ましい。
【００２０】
【化７】
（式中、ＸはＣＨ３、ＮＯ２、Ｈまたはハロゲンを示し、ＭはＳｂ、ＡｓまたはＰを示す。
【００２１】
【化８】
（式中、Ｒ１、Ｒ２はアルキル基、ハロゲンまたはＨを示し、Ｒ３はエーテルまたはエステルを示し、Ａ−はＳｂＦ５ −、ＡｓＦ６ −、ＰＦ６ −またはＣＨ３Ｓ０４ −を示す）
【００２２】
本発明における（Ｄ）導電性粉末としては、例えば銀粉、ニッケル粉、Ｃｕ粉等が挙げられる。特に、不純物が低く平均粒径が３０μｍ以下の微粉末の使用が好ましい。また、配合量は特に限定されるものではないが、（Ａ）エポキシ樹脂
１００重量部に対して、１００〜１００００重量部であれば好ましい。
【００２３】
また、本発明において、例えば導電性ペーストの粘度を調整するための溶剤、エポキシ基の開環重合に対する反応性を備えた希釈剤、消泡剤、カップリング剤およびその他各種の添加剤を必要に応じて配合することができる。
【００２４】
溶剤としては、酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジアセトンアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、γ−ブチルラクトン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジドン等を挙げることができ、これらは単独で使用してもよいし、２種以上混合して使用してもよい。
【００２５】
希釈剤としては、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、ジグリシジルエーテル、（ポリ）エチレングリコールグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル等を挙げることができ、これらは単独で使用してもよいし、２種以上混合して使用してもよい。
【００２６】
カップリング剤としては、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシランやγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランを挙げることができる。
【００２７】
本発明に用いる導電性ペーストは、上記した各成分を十分混合した後、さらに、ディスパース、ニーダー、または３本ロールミル等により混練処理を行い、その後脱泡することにより容易に得ることができる。
【００２８】
このようにして製造した導電性ペーストをシリンジに充填し、ディスペンサを用いて基板上に吐出し、硬化により半導体チップを接合したあと、ワイヤボンディングを行い樹脂封止材で封止して樹脂封止型の化合物半導体装置を製造することができる。なお、導電性ペーストを硬化するにあたっては、通常１２０℃〜２００℃、１０秒〜１２０秒の加熱を施すことにより実施される。
【００２９】
【実施例】
以下に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【００３０】
（実施例１）
以下の化合物を用い、これらを十分に混合した後、さらに３本ロールで混練してエポキシ樹脂をベースとした導電性ペーストを作製した。
ビスフェノールＦグリシジルエーテル（油化シェルエホ゜キシ社製：ＹＬ９８３Ｕ）：４０重量部
脂環式エポキシ樹脂（タ゛イセル化学工業製：セロキサイト゛２０８１）：４０重量部
オキセタン樹脂（東亜合成株式会社：ＯＸＴ−１０１）：２０重量部
カチオン重合系硬化剤（三新化学工業製：ＳＩ−８０Ｌ ［式８］）：２重量部
銀粉末（鱗片状、平均粒径４μｍ）：４００重量部
希釈剤（フェニルク゛リシシ゛ルエーテル）：１０重量部
【００３１】
（実施例２）
以下の化合物を用い、これらを十分に混合した後、さらに３本ロールで混練してエポキシ樹脂をベースとした導電性ペーストを作製した。
ビスフェノールＦグリシジルエーテル（油化シェルエホ゜キシ社製：ＹＬ９８３Ｕ）：４０重量部
脂環式エポキシ樹脂（タ゛イセル化学工業製：セロキサイト゛２０８１）：４０重量部
オキセタン樹脂（東亜合成株式会社：０ＸＴ−２１１）：２０重量部
カチオン系硬化促進剤（三新化学工業製：ＳＩ−８０Ｌ ［式８］）：２重量部
銀粉末（鱗片状、平均粒径４μｍ）：４００部
希釈剤（フェニルク゛リシシ゛ルエーテル）：１０重量部
【００３２】
（比較例１）
以下の化合物を用い、これらを十分に混合した後、さらに３本ロールで混練してエポキシ樹脂をベースとした導電性ペーストを作製した。
ビスフェノールＦグリシジルエーテル（油化シェルエホ゜キシ社製：ＹＬ９８３Ｕ）：１００重量部
イミダゾール（四国化成工業株式会社：２ＰＨＺ）：４重量部
ジシアンジアミド：４重量部
銀粉末（鱗片状、平均粒径４μｍ）：４００重量部
希釈剤（フェニルク゛リシシ゛ルエーテル）：１０重量部
【００３３】
（比較例２）
以下の化合物を用い、これらを十分に混合した後、さらに３本ロールで混練してエポキシ樹脂をベースとした導電性ペーストを作製した。
ビスフェノールＦグリシジルエーテル（油化シェルエホ゜キシ社製：ＹＬ９８３Ｕ）：６０部
脂環式エポキシ樹脂（タ゛イセル化学工業：セロキサイト゛２０８１）：４０重量部
カチオン系硬化促進剤（三新化学工業製：ＳＩ−８０Ｌ）：２部
銀粉末（鱗片状、平均粒径４μｍ）：４００部
希釈剤（フェニルク゛リシシ゛ルエーテル）：１０部
【００３４】
次いで、実施例１、２および比較例１、２により得られた各導電性ペーストの粘度、チクソ性を測定した。また、各導電性ペーストにおいて半導体チップと金属薄板（リードフレーム）とを接着硬化させ、チップ接着強度、チップ反り量、空隙の発生の有無およびポットライフについて特性試験を行った。評価は以下の条件下で実行した。
【００３５】
・粘度
ＥＨＤ粘度計 ０．５ｍｉｎ−１
・チクソ性
ＥＨＤ粘度計 ０．５／５（ｍｉｎ−１／ｍｉｎ−１）
・チップ接着強度
硬化温度：１８０℃即破壊強度
測定方法：ダイシェア強度
チップ：２ｍｍ口
基板：Ｃｕベアフレーム
・チップ反り量
４×１２ｍｍ□ Ｃｕ／Ａｇメッキ
・空隙の発生の有無
Ｃｕベアフレームに８ｍｍ□ガラスチップを接着させボイドの有無を観察した。
・ポットライフ
粘度が１０％以上増加した時間を測定。
【００３６】
【表１】
【００３７】
表１から明らかなように、実施例１、２および比較例１、２において、銀粉末の添加量を同じ比率としたが、粘度は実施例の方が低く、作業性（拡がり性）が向上していた。チップ接着強度は、実施例の方が比較例に比べ短時問で高い接着強度が得られており、硬化時間の短縮が可能であった。チップ反り量に関しても、実施例は若干、低応力化されていた。空隙の有無に関しても問題なく、ポットライフも十分に延長されていた。
【００３８】
以上の実施例より、本発明ではエポキシ樹脂およびオキセタン樹脂の組み合わせを用い、かつカチオン重合系硬化剤を用いることにより、拡がり性、速硬化性等の点で優れた導電性ペーストを得られることが確認された。
【００３９】
【発明の効果】
本発明の導電性ペーストにおいては、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）オキセタン樹脂、（Ｃ）カチオン重合系硬化剤および（Ｄ）導電性粉末を配合することにより、導電性ペーストの拡がり性、速硬化性等を向上させることができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a conductive paste having excellent fast-curing properties and moisture resistance, and which can be suitably used for bonding chip mounts and various electronic components in manufacturing semiconductor devices.
[0002]
[Prior art]
In manufacturing a semiconductor device, a process of connecting a semiconductor chip such as an IC or an LSI to a predetermined portion on a thin metal plate (lead frame) is an important process that greatly affects the reliability over time of the semiconductor device.
[0003]
Conventionally, as the connection method, a connection method by brazing using a low melting point alloy such as solder, a connection method using a conductive paste made of an epoxy resin mixed with silver powder, and the like have been adopted.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the connection method by brazing using a low melting point alloy such as solder, there is a possibility that the solder or the solder ball scatters and adheres to the electrode or the like, which may cause corrosion disconnection. Further, the connection method using the conductive paste has a problem that the reliability is lower than the eutectic method in which a eutectic alloy of Au-Si is formed on a silicon chip. That is, the connection using the conductive paste is superior in heat resistance as compared with the connection by brazing using a low melting point alloy such as solder, but on the other hand, it promotes the corrosion of the electrode and causes disconnection failure. And the reliability was inferior to that of the Au-Si eutectic method. In addition, since the conductive paste is a thermosetting resin, there is a problem that it takes time to cure the conductive paste.
[0005]
Further, when the conductive paste is cured in a short time, there is a problem that voids are generated in the adhesive layer formed from the conductive paste. In addition, as semiconductor devices such as ICs and LSIs have become larger, there has been a problem that chip cracks and package cracks occur due to heat history during an assembly process and a mounting process.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and has as its object to provide a conductive paste that exhibits fast curing properties, has excellent moisture resistance, and suppresses the generation of voids and heat shrinkage after curing. .
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The conductive paste of the present invention is characterized by comprising (A) an epoxy resin, (B) an oxetane resin, (C) a cationic polymerization type curing agent, and (D) a conductive powder. It is more preferable that the blending amount of the oxetane resin (B) is 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin (A).
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The conductive paste of the present invention is characterized by comprising (A) an epoxy resin, (B) an oxetane resin, (C) a cationic polymerization curing agent, and (D) a conductive powder.
[0009]
As the epoxy resin (A) in the present invention, any resin can be used as long as it has two or more epoxy groups in one molecule. For example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, polyfunctional type epoxy resin, and alicyclic epoxy resin can be mentioned. A mixture of more than one species can be used. In addition, a reactive diluent or a plasticizer can be used in combination.
[0010]
The oxetane resin (B) in the present invention is a four-membered cyclic ether compound having one more carbon atom than the epoxy group, and has a structure represented by the following formula 1.
[0011]
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As those having such a structure, for example, OXT-101 (3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, viscosity 22.4 mPa · s [25 ° C., the following formula 2) manufactured by Toagosei Co., Ltd., OXT-121 (N = 1 to 3 (n = 1 80 to 85% by weight, n = 210 to 15% by weight, n = less than 35% by weight), viscosity 150 ± 30 mPa · s [25 ° C., the following formula 3), OXT-211 (3-ethyl-3- (phenoxymethyl) oxetane, viscosity 13.8 mPa · s [25 ° C.], the following formula 4), OXT-221 (di [1-ethyl (3-oxetanyl)] methyl ether; Viscosity 12.8 mPa · s [25 ° C], the following formula 5), OXT-212 (3-ethyl-3- (2-ethylhexyloxymethyl) oxetane, viscosity 5.0 mPa · s [25 ° C], the following formula 6 ). These oxetane resins may be used alone or as a mixture of two or more.
[0013]
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The mixing ratio of the (B) oxetane resin is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the (A) epoxy resin. (B) When the mixing ratio of the oxetane resin is less than 5 parts by weight, the obtained conductive paste has insufficient fast-curing property, and when it exceeds 100 parts by weight, the cured product becomes brittle and the adhesive strength is reduced. .
[0019]
As the (C) cationic polymerization type curing agent in the present invention, an onium salt type curing agent can be used. Among these, a sulfonium salt is particularly preferably used. Examples of such a salt include those represented by the following formulas 7 and 8. The mixing ratio of the (C) cationic polymerization type curing agent is preferably 0.3 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (A) epoxy resin.
[0020]
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[0021]
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(Wherein, R 1, R 2 represents an alkyl group, a halogen or H, R 3 represents an ether or ester, A - is SbF 5 -, AsF 6 -, PF 6 - shows the - or CH 3 S0 4 )
[0022]
Examples of the (D) conductive powder in the present invention include silver powder, nickel powder, Cu powder and the like. In particular, it is preferable to use a fine powder having a low impurity and an average particle diameter of 30 μm or less. The amount is not particularly limited, but is preferably 100 to 10,000 parts by weight based on 100 parts by weight of the epoxy resin (A).
[0023]
Further, in the present invention, for example, a solvent for adjusting the viscosity of the conductive paste, a diluent having reactivity to ring-opening polymerization of the epoxy group, an antifoaming agent, a coupling agent and other various additives are required. It can be blended accordingly.
[0024]
Examples of the solvent include cellosolve acetate, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, butyl cellosolve acetate, butyl carbitol acetate, diethylene glycol dimethyl ether, diacetone alcohol, N-methylpyrrolidone, dimethylformamide, γ-butyl lactone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
[0025]
As the diluent, n-butyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, 2-ethylhexyl glycidyl ether, styrene oxide, phenyl glycidyl ether, cresyl glycidyl ether, p-sec-butyl phenyl glycidyl ether, glycidyl methacrylate, t-butyl phenyl glycidyl Ether, diglycidyl ether, (poly) ethylene glycol glycidyl ether, (poly) propylene glycol glycidyl ether, butanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether, and the like. These may be used alone or as a mixture of two or more.
[0026]
Examples of the coupling agent include γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane and γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane.
[0027]
The conductive paste used in the present invention can be easily obtained by sufficiently mixing the above-mentioned components, further kneading with a disperse, kneader, or a three-roll mill, and then defoaming.
[0028]
A syringe is filled with the conductive paste manufactured in this manner, discharged onto a substrate using a dispenser, and after bonding the semiconductor chip by curing, wire bonding is performed, and sealing is performed with a resin sealing material. Type compound semiconductor device can be manufactured. In addition, when hardening a conductive paste, it is normally implemented by heating at 120 ° C. to 200 ° C. for 10 seconds to 120 seconds.
[0029]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
[0030]
(Example 1)
After the following compounds were sufficiently mixed and kneaded with three rolls, a conductive paste based on an epoxy resin was prepared.
Bisphenol F glycidyl ether (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd .: YL983U): 40 parts by weight alicyclic epoxy resin (manufactured by Taisel Chemical Industries: celloxite 2081): 40 parts by weight oxetane resin (TOA Gosei Co., Ltd .: OXT-101): 20 Parts by weight cationic polymerization type curing agent (manufactured by Sanshin Chemical Industries: SI-80L [Formula 8]): 2 parts by weight silver powder (scale, average particle size 4 μm): 400 parts by weight diluent (phenyl glycidyl ether): 10 Parts by weight [0031]
(Example 2)
After the following compounds were sufficiently mixed and kneaded with three rolls, a conductive paste based on an epoxy resin was prepared.
Bisphenol F glycidyl ether (manufactured by Yuka Shell Ethoxy Co., Ltd .: YL983U): 40 parts by weight alicyclic epoxy resin (manufactured by Taisel Chemical Industries: celloxite 2081): 40 parts by weight oxetane resin (Toa Gosei Co., Ltd .: 0XT-211): 20 Parts by weight Cationic curing accelerator (manufactured by Sanshin Chemical Industries: SI-80L [Formula 8]): 2 parts by weight Silver powder (flaky, average particle size 4 μm): 400 parts Diluent (phenyl glycidyl ether): 10 parts by weight Department [0032]
(Comparative Example 1)
After the following compounds were sufficiently mixed and kneaded with three rolls, a conductive paste based on an epoxy resin was prepared.
Bisphenol F glycidyl ether (manufactured by Yuka Shell Ethoxy Co., Ltd .: YL983U): 100 parts by weight imidazole (Shikoku Chemicals Co., Ltd .: 2PHZ): 4 parts by weight dicyandiamide: 4 parts by weight silver powder (flaky, average particle size 4 μm): 400 Parts by weight diluent (phenyl glycidyl ether): 10 parts by weight
(Comparative Example 2)
After the following compounds were sufficiently mixed and kneaded with three rolls, a conductive paste based on an epoxy resin was prepared.
Bisphenol F glycidyl ether (Yu9833U manufactured by Yuka Shell Ethoxy Co., Ltd.): 60 parts Alicyclic epoxy resin (Taisel Chemical Industry: Celloxite 2081): 40 parts by weight Cationic curing accelerator (Sanshin Chemical Industry: SI-80L) : 2 parts Silver powder (flaky, average particle size 4 μm): 400 parts Diluent (phenyl glycidyl ether): 10 parts
Next, the viscosity and thixotropy of each conductive paste obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 were measured. In each conductive paste, a semiconductor chip and a thin metal plate (lead frame) were bonded and cured, and a characteristic test was performed on chip bonding strength, chip warpage, presence / absence of voids, and pot life. The evaluation was performed under the following conditions.
[0035]
・ Viscosity EHD viscometer 0.5 min -1
・ Thixotropic EHD viscometer 0.5 / 5 (min -1 / min -1 )
・ Chip adhesion strength curing temperature: 180 ° C Immediate destruction strength measurement method: Die shear strength chip: 2mm mouth substrate: Cu bare frame ・ Chip warpage 4 × 12mm □ Cu / Ag plating ・ Presence of voids 8mm □ on Cu bare frame The glass chip was adhered and the presence or absence of voids was observed.
-Measure the time when the pot life viscosity increased by 10% or more.
[0036]
[Table 1]
[0037]
As is clear from Table 1, in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2, the same amount of silver powder was added, but the viscosity was lower in the examples, and workability (spreadability) was improved. Was. As for the chip adhesive strength, higher adhesive strength was obtained in a shorter time in the example than in the comparative example, and the curing time could be shortened. As for the amount of chip warpage, the example was slightly reduced in stress. There was no problem with the presence or absence of voids, and the pot life was sufficiently extended.
[0038]
From the above examples, in the present invention, by using a combination of an epoxy resin and an oxetane resin, and by using a cationic polymerization-based curing agent, it is possible to obtain a conductive paste that is excellent in terms of spreadability, rapid curability, and the like. confirmed.
[0039]
【The invention's effect】
In the conductive paste of the present invention, (A) an epoxy resin, (B) an oxetane resin, (C) a cationic polymerization curing agent, and (D) a conductive powder are blended, so that the spreadability and the speed of the conductive paste can be improved. Curability and the like can be improved.