JP2004085296A - 半導体加速度センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板からなり錘部3を梁部4で吊り下げ支持してなる枠状の加速度センサチップ2と、錘部3とはギャップを設けた状態で対向するとともに、錘部3との対向面が少なくとも平坦であるストッパ(上部ストッパ5a、下部ストッパ5b)とを備えた半導体加速度センサにおいて、錘部3には、ストッパとの対向面に少なくとも1つの突起部7を形成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば自動車、航空機及び家電製品に用いられる半導体加速度センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の半導体加速度センサとしては、例えば、特開2000−338124号公報に記載のものを挙げることができる。
【0003】
この半導体加速度センサは、シリコンからなり略中央に錘部を梁部で吊り下げ支持してなる枠状の加速度センサチップと、この錘部と各ギャップを設けた状態で対向するとともに、陽極接合を用いて加速度センサチップの所望の位置に連結支持された平板状の上部ガラスストッパ及び下部ガラスストッパとを備えている。なお、加速度センサチップの梁部には、錘部の動きを検出する感応抵抗を備えている。
【0004】
ここで、上述の各ギャップは、上部ガラスストッパ及び下部ガラスストッパに凹部を設けることで形成されており、上部ガラスストッパ及び下部ガラスストッパ側に凸部であるストッパが設けられて、錘部衝突位置の調整を行っている。これらの上述の各ギャップにより、可動部である錘部と上部ガラスストッパ及び下部ガラスストッパとの衝突を防止するようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述のような半導体加速度センサにおいては、上部ガラスストッパ及び下部ガラスストッパ側に凸部を設けているが、上部ガラスストッパ及び下部ガラスストッパと加速度センサチップとを例えば陽極接合し位置合わせの際に、配置位置ずれが生じることがあり、凸部を加速度センサチップの所望の衝突位置に精度良く、安定して配置できない可能性があるので、位置合わせずれがない場合に比べて強度低減が起こる可能性があった。
【0006】
本発明は上記問題点を改善するためになされたものであり、耐衝撃性を向上させることができる半導体加速度センサを提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の半導体加速度センサは、図1にその一例を示すように、半導体基板からなり錘部3を梁部4で吊り下げ支持してなる枠状の加速度センサチップ2と、錘部3とはギャップを設けた状態で対向するとともに、錘部3との対向面が少なくとも平坦であるストッパ(図1においては上部ストッパ5a、下部ストッパ5b)とを備えた半導体加速度センサにおいて、錘部3には、ストッパとの対向面に少なくとも1つの突起部7を形成したことを特徴とするものである。
【0008】
また、請求項2に記載の半導体加速度センサは、図6にその一例を示すように、請求項1に記載の発明において、錘部3と突起部7とを一体形成したことを特徴とするものである。
【0009】
また、請求項3に記載の半導体加速度センサは、請求項1又は請求項2に記載の発明において、突起部7の錘部3の吊り下げ支持の先端側である先端部7aを、錘部3の重心位置よりも吊り下げ支持の先端側に形成したことを特徴とするものである。
【0010】
【発明の実施の形態】
本発明の第1実施形態を図1乃至図5に基づいて説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図であり、図2は、梁部4に発生する応力を算出したシミュレーション結果を示すグラフである。また、図3及び図4は各々、半導体加速度センサの製造方法を示す第1及び第2説明図であり、図5は、錘部3を示す説明図である。
【0011】
第1実施形態における半導体加速度センサは、例えばSOI(siliconon insulator)ウエハ1といった半導体基板からなり、開口部6を有しこの開口部6内に配置した錘部3とこの錘部3を吊り下げるように片持ち支持する梁部4とを有してなる枠状の加速度センサチップ2と、加速度センサチップ2の錘部3とは所望のギャップを設けた状態で対向するとともに、錘部3との対向面が少なくとも平坦であり、少なくとも錘部3を覆う上部ストッパ5a、下部ストッパ5bと、錘部3の上下面に上部ストッパ5a、下部ストッパ5bとの間に設けた突起部7とを備えている。なお、上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bは、例えばガラスで構成されている。
【0012】
ここで、第1実施形態においては、突起部7は、錘部3の上下両面に設けているが、錘部3の上下面のうち、少なくとも1面側に設けられていればよい。
【0013】
ここで、第1実施形態においては、図1に示すように、突起部7の錘部3の吊り下げ支持の先端側である先端部7aは、錘部3の重心位置(図示せず)よりも錘部3の吊り下げ支持の先端側(Y軸方向)であるようにする。なお、錘部3の重心位置は、錘部3が図5(a)のようにY軸方向に対称形である場合には、厚み方向(X軸方向)の中点でかつY軸方向の幅の中点に位置する。なお、図5においては、錘部3は、簡略のため図1に示すようにその構成を詳細には記載していない。
【0014】
第1実施形態においては、突起部7の先端部7aが、錘部3の重心位置よりも錘部3の吊り下げ支持の先端側(Y軸方向)となるように設定することで、梁部4に発生する応力が効率的に低減できる。
【0015】
なお、突起部7は、錘部3と上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bとが衝突する際のストッパとして用いるが、突起部7のX軸方向の厚み及びY軸方向の幅は、錘部3が加速度を受けた際に動く距離や、錘部3と上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bとのギャップから決定される値であり、所望の値に設定可能である。
【0016】
図2は、梁部4に発生する応力の低減効果のシミュレーションを示す一例であり、図5(a)に示すように、錘部3の重心を通過するX軸箇所でのY軸方向の幅aと、錘部3の先端から突起部7の先端部7aまでの距離bとの比、つまりb/aを横軸として、梁部4に発生する応力を縦軸としたグラフである。図2に示すように、梁部4に発生する応力は、b/aは、0<b/a≦0.5の範囲に設定することで、梁部4に発生する応力が効果的に低減できる。
【0017】
なお、b/a>0.5とすると、梁部4に発生する応力が増加する傾向となり、また、0<b/a≦0.5での同じ応力を発生する突起部7の位置と比べて、後述する例えば金属膜厚のような突起部7の厚みを厚くする必要が生じるため、好ましくは0<b/a≦0.5の範囲でb/aを設定する。ここで、b/aは、図2に示すように、例えば、0.2≦b/a≦0.5に設定することで、梁部4に発生する応力が約16〜約32%低減できる。
【0018】
なお、加速度センサチップ2は、例えば、図1に示すように、2つのシリコン層1a、1cの間に、酸化膜層である中間酸化膜1bとして例えばシリコン酸化膜を挟み込んでなるn型のSOIウエハ1を含んでなり、SOIウエハ1には、熱酸化により酸化膜8が形成されており、上下面の各酸化膜8には、窒化膜9を備えている。
【0019】
以下に、第1実施形態における半導体加速度センサの製造方法を図1、図3、図4に基づいて説明する。まず、図3(a)に示すように、n型のSOIウエハ1の上下に、熱酸化によって酸化膜8を形成する。
【0020】
次に、例えばフォトリソ工程、エッチング工程により所望の箇所への窓開け(図示せず)、p型不純物注入、拡散工程を繰り返すことにより、歪みゲージとして利用する感応抵抗10と、配線として利用する拡散配線抵抗11とを形成する。
【0021】
次に、図3(b)に示すように、例えば減圧CVD法により窒化膜9を形成し、フォトリソ工程、エッチング工程等により所望の箇所に電極パッドコンタクト用窓開けを行い、スパッタリング法により電極パッドとして用いる例えばAl−Si金属膜12を成膜した後、フォトリソ工程、エッチング工程等により所望の配線パターンを形成する。
【0022】
次に、図3(c)に示すように、フォトリソ工程等により錘部3の上下面の所望の箇所以外をレジスト(図示せず)でカバーし電解メッキ法等により突起部7である例えばCu金属膜を成膜後、レジスト除去する。
【0023】
その後、図4(a)に示すように、例えば、フォトリソ工程、エッチング工程により錘部3に相当する箇所下面の所望の箇所に窓開けを行い、DRIE(ディープ リアクティブ イオン エッチング)によりシリコン層1aを中間酸化膜1bが露出するまでエッチング除去する。なお、通常のRIEは、対象厚みが数千オングストロームであるが、DRIEは、ドライで深く掘るための手法であり、対象厚みが数十μm〜数百μmである。
【0024】
次に、図4(b)に示すように、フォトリソ工程、エッチング工程等により錘部3に相当する箇所上面の所望の箇所に窓開けを行い、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロゲン)等のアルカリ溶液を用いて、シリコンの異方性ウェットエッチング及びHF系溶液による中間酸化膜1bのエッチング除去を行うことで、錘部3を吊り下げるように片持ち支持する梁部4を形成する。
【0025】
そして最後に、図1に示すように、例えば400℃程度の高温下で、ガラスである上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bそれぞれを加速度センサチップ2の上下面に陽極接合する。なお、この陽極接合は、上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bを陰極とし、加速度センサチップ2を陽極として、例えば600Vの高電圧の直流電圧を印加することで行う。
【0026】
かかる半導体加速度センサにおいては、錘部3には、上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bとの対向面に突起部7を形成することで、梁部4に発生する応力を低減させることができるので、半導体加速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【0027】
また、突起部7の先端部7aが、錘部3の重心位置よりも錘部3の吊り下げ支持の先端側(Y軸方向)となるように設定し、突起部7を錘部3の上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bとの対向面に配置することで、梁部4に発生する応力が効率的に低減できる。
【0028】
ここで、第1実施形態においては、図5(a)に示すように錘部3の先端から突起部7の先端部7aまでの距離をbとしているが、図5(b)に示すように、例えば錘部3がY軸方向に対称形のテーパー状である場合には、錘部3の厚み方向(X軸方向)の中点での長さを錘部3の長さaと定義し、錘部3の厚み方向(X軸方向)中点の位置を起点とし、その起点から突起部7の先端部7aまでの距離をbと定義してもよい。
【0029】
次に、錘部3と突起部7とを一体形成した実施形態を、本発明の第2実施形態として図6乃至図8に基づいて説明する。図6は、本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図であり、図7及び図8は各々、半導体加速度センサの製造方法を示す第1及び第2説明図である。なお、第1実施形態との同一箇所には同一符号を付して、共通部分の説明は省略する。
【0030】
第2実施形態においては、半導体加速度センサは、図6に示すように、例えばSOI(silicon on insulator)ウエハ1といった半導体基板からなり、開口部6を有しこの開口部6内に配置した錘部3とこの錘部3を吊り下げるように片持ち支持する梁部4とを有してなる枠状の加速度センサチップ2と、加速度センサチップ2の錘部3とは所望のギャップを設けた状態で対向するとともに、錘部3との対向面が少なくとも平坦であり、少なくとも錘部3を覆う上部ストッパ5a、下部ストッパ5bと、下部ストッパ5bに向う錘部3の下部側に錘部3と一体形成した突起部7とを備えている。
【0031】
ここで、図6に示すように、突起部7の先端部7aは、錘部3の重心位置よりも錘部3の吊り下げ支持の先端側(Y軸方向)であるようにする。第2実施形態においても、突起部7の先端部7aが、錘部3の重心位置よりも錘部3の吊り下げ側の先端側(Y軸方向)になるように設定することで、梁部4に発生する応力が低減できる。
【0032】
以下に、第2実施形態における半導体加速度センサの製造方法を図6乃至図8に基づいて説明する。まず、n型のSOIウエハ1の上下に、熱酸化によって酸化膜8を形成する。
【0033】
次に、図7(a)に示すように、例えばフォトリソ工程、エッチング工程により、錘部3に相当する箇所の下面に所望の窓開けを行い、KOH、TMAH等のアルカリ溶液を用いて異方性のウエットエッチングを行い、SOIウエハ1の掘込みを行うことで、図6に示したストッパとして用いる突起部7に相当する箇所を形成する。
【0034】
なお、突起部7に相当する箇所の形成のためのSOIウエハ1の堀込み深さの最小値は、錘部3上下方向に加速度が印加された際に、錘部3の先端より先に突起部7が下部ストッパ5bと衝突するのに必要な最小の深さで、最大値は必要な可動域を確保できる最大の深さとである。
【0035】
そして、図7(b)、(c)に示す工程は、図3(a)、(b)に示す工程と同様にして、例えば、窒化膜9と、感応抵抗10と、拡散配線抵抗11と、Al−Si金属膜12と、所望の配線パターンとを形成する。
【0036】
そして、図8(a)に示すように、フォトリソ工程、エッチング工程により錘部3に相当する箇所の所望の箇所に窓開けを行い、DRIEによりSOIウエハ1を中間酸化膜1bが露出するまでエッチング除去する。次に、図8(b)に示すように、フォトリソ工程、エッチング工程により錘部3に相当する箇所の上面の所望の箇所に窓開けを行い、TMAH等のアルカリ溶液を用いた異方性ウェットエッチング及びHF系溶液による中間酸化膜1bのエッチング除去を行うことで、錘部3を吊り下げるように片持ち支持する梁部4を形成する。
【0037】
なお、この錘部3の上面をエッチングする際に、錘部3の先端部もエッチングすることで、錘部3の上面にストッパ用の段差部13を形成するが、この段差部13は、錘部3と上部ストッパ5aとが衝突する際のストッパとして用いる。
【0038】
そして最後に、図6に示すように、ガラスである上部ストッパ5a及び下部ストッパ5bそれぞれを加速度センサチップ2の上下面に陽極接合し、錘部3の下面側に突起部7を錘部3と一体形成した半導体加速度センサを形成する。
【0039】
かかる半導体加速度センサにおいては、下部ストッパ5bとの対向面に錘部3と一体化して突起部7を形成することで、梁部4に発生する応力を低減させることができるので、半導体加速度センサの耐衝撃性を向上させることができる。
【0040】
また、錘部3と突起部7とを一体形成することで、シリコンと熱膨張係数が大きく異なるものを錘部3に形成する必要が無いので、より良好な温度特性を備えた半導体加速度センサを提供することができる。また、錘部3と突起部7とを一体形成することで、例えば金属膜を錘部3に形成する工程を削減することができる。
【0041】
【発明の効果】
上記のように本願の請求項1に係る発明の半導体加速度センサにあっては、半導体基板からなり錘部を梁部で吊り下げ支持してなる枠状の加速度センサチップと、錘部とはギャップを設けた状態で対向するとともに、錘部との対向面が少なくとも平坦であるストッパとを備えた半導体加速度センサにおいて、錘部には、ストッパとの対向面に少なくとも1つの突起部を形成することで、錘部を吊り下げ支持する梁部に発生する応力を低減させることができるので、半導体加速度センサの耐衝撃性を向上させることができるという効果を奏する。
【0042】
また、請求項2に係る発明の半導体加速度センサにあっては、請求項1に記載の発明において、錘部と突起部とを一体形成したことで、錘部と突起部との熱膨張係数が等しいので、良好な温度特性を備えた半導体加速度センサを提供することができるという効果を奏する。
【0043】
また、請求項3に係る発明の半導体加速度センサにあっては、請求項1又は請求項2に記載の発明において、突起部の錘部の吊り下げ支持の先端側である先端部を、錘部の重心位置よりも吊り下げ支持の先端側に形成することで、梁部に発生する応力を効率的に低減させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係る梁部に発生する応力を算出したシミュレーション結果を示すグラフである。
【図3】本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサの製造方法を示す第1説明図である。
【図4】本発明の第1実施形態に係る半導体加速度センサの製造方法を示す第2説明図である。
【図5】本発明の第1実施形態に係る錘部を示す説明図である。
【図6】本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサを示す断面図である。
【図7】本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサの製造方法を示す第1説明図である。
【図8】本発明の第2実施形態に係る半導体加速度センサの製造方法を示す第2説明図である。
【符号の説明】
1 SOIウエハ
1a、1c シリコン層
1b 中間酸化膜
2 加速度センサチップ
3 錘部
4 梁部
5a 上部ストッパ
5b 下部ストッパ
6 開口部
7 突起部
7a 先端部
8 酸化膜
9 窒化膜
10 感応抵抗
11 拡散配線抵抗
12 金属膜
13 段差部
Claims (3)
- 半導体基板からなり錘部を梁部で吊り下げ支持してなる枠状の加速度センサチップと、前記錘部とはギャップを設けた状態で対向するとともに、前記錘部との対向面が少なくとも平坦であるストッパとを備えた半導体加速度センサにおいて、
前記錘部には、前記ストッパとの対向面に少なくとも1つの突起部を形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 前記錘部と前記突起部とを一体形成した請求項1に記載の半導体加速度センサ。
- 前記突起部の前記錘部の吊り下げ支持の先端側である先端部を、前記錘部の重心位置よりも前記吊り下げ支持の先端側に形成した請求項1又は請求項2に記載の半導体加速度センサ。
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JP2002244865A JP2004085296A (ja) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | 半導体加速度センサ |
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JP (1) | JP2004085296A (ja) |
Cited By (3)
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KR100627217B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-09-25 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 관성 센서 |
JP2007033355A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Ricoh Co Ltd | 半導体センサの製造方法及び半導体センサ |
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2002
- 2002-08-26 JP JP2002244865A patent/JP2004085296A/ja active Pending
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