JP2004063716A - 光半導体モジュールおよび波長安定化光源 - Google Patents
光半導体モジュールおよび波長安定化光源 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004063716A JP2004063716A JP2002219190A JP2002219190A JP2004063716A JP 2004063716 A JP2004063716 A JP 2004063716A JP 2002219190 A JP2002219190 A JP 2002219190A JP 2002219190 A JP2002219190 A JP 2002219190A JP 2004063716 A JP2004063716 A JP 2004063716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- output
- wavelength
- temperature sensor
- chip carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】サーミスタを気密パッケージ自体の外気温による変動を測定するように気密パッケージの内部のフィードスルー部に設置することによって、LD出射光の波長を検出する第1のPD素子の出力に気密パッケージのケース温度による変化を補償する補正値を加算させて、パッケージのケース温度に依存しない自動波長制御が行えるようにした。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光半導体モジュールおよび波長安定化光源に関し、例えば、波長分割多重化伝送方式を採用した光伝送装置に適用するのに好適な光半導体モジュールおよび波長安定化光源に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年の光伝送装置において、伝送する情報の大容量化の要求に伴い多様な伝送方式が提唱されている。その中の一つに、異なる光波長を有する多数の光信号を多重化し、一本の光ファイバに伝播させることで伝送容量を増やす波長分割多重化伝送方式がある。
【0003】
しかし、複数の異なる波長の信号光を多重化して同時に伝送するにしても、増幅器で増幅可能な帯域の波長しか使用できないので、多くの信号光を多重化するためには個々の信号光の波長幅を狭く、かつ、各信号光間の波長間隔も狭くすることが課題となる。この課題を克服するためには、狭帯域な信号光の波長を検出して、この波長を高精度に安定化させる技術が必要となっている。
【0004】
この種の従来の光モジュールとして、特開2001−291938号公報に、LD素子の発振波長をモニタし、LD素子の温度を調整することによって波長をロックさせる光モジュールが記載されている。同公報には、前方向および後方向にレーザ光を光信号として出力するLD素子と、LD素子の後方から出力された光信号を受光すると共に透過させる半透明構造の第1のPD素子と、第1のPD素子を透過した光信号が入射し、波長に依存した透過特性を有するエタロンフィルタで成る波長フィルタと、波長フィルタを透過した光信号が受光する第2のPD素子とが、それぞれ直列に配列されて構成された光モジュールが開示されている。この光モジュールでは、第1のPD素子の出力電流と第2のPD素子の出力電流を除算し、その除算結果が波長に応じて増加もしくは現象する特性を有する点を利用してLD素子の発振波長をモニタし、このモニタ結果に応じてLD素子付近の温度制御を行う。また、第1のPD素子の出力電流に基づいてLD素子の出力光の強度をモニタする。
【0005】
図10に従来の波長安定化光源の構成をブロック図にて示す。
図11に従来の波長安定化光源内の光半導体モジュールのパッケージ内を俯瞰する平面図を示す。
前方向および後方向にレーザ光を光信号として出力するLD素子1から出射した前面光1fは光学窓2を通して光ファイバ3に通じ、外部に信号光として取り出される。また背面光1rの一部は、波長フィルタ4を透過して第1のPD素子5に受光され、他の一部は直接第2のPD素子6に受光されるように配置されている。また、第1のPD素子5と第2のPD素子6はPDキャリア14に縦並びに配列して取り付けられている。
【0006】
上記したLD素子1、波長フィルタ4、第1のPD素子5、第2のPD素子6、PDキャリア14およびLD素子1のごく近傍に配置されLD素子1近傍の温度を計測するサーミスタ11は、チップキャリア7の上面に設置されている。チップキャリア7は、このチップキャリア7の温度を調整するサーモクーラ8の上に搭載されており、さらに、チップキャリア7、サーモクーラ8を含め上記した全体が気密パッケージ9の内部に設置されている。
【0007】
以下、動作について説明する。第2のPD素子6はLD素子1の背面出射光を直接受光するので、第2のPD素子6の出力は、LD素子の出射光の強度に比例した出力、すなわち光強度モニタ出力IMとしてAPC(自動光出力制御)回路10に入力され、LD素子駆動電流設定値IM0との差に基づいてLD素子1への駆動電流が調整され、光出力を一定に保つようにフィードバックされる。
【0008】
LD素子1近傍の温度を計測したサーミスタ11の出力電流ITHはATC(自動温度制御)回路12に入力され、温度設定値ITH0との差に基づいて、サーモクーラ8への制御信号IPETが出力される。
【0009】
第1のPD素子5はLD素子1の背面出射光が、波長フィルタ4を透過したものを受光するので、第1のPD素子5の出力は、波長に対して強度が連続的に変化する出力、すなわち、波長モニタ出力IWとしてAWC(自動波長制御)回路13に入力され、波長設定値IW0との差に基づいて、サーモクーラ8への制御信号IPEWが出力される。
【0010】
サーミスタ11の出力ITHと温度Tの関係は広温度範囲に亘って一意であり、広温度範囲での温度検出に適している。しかし、LD素子出射光の波長は温度以外の要因(例えば経時変化等)によりわずかながら変動するため、サーミスタ出力は精密な波長検出手段としては不適であり、それゆえ、ATC回路は波長の粗調手段として使われている。
【0011】
第1のPD素子5の出力IWは、波長フィルタ4を透過した光を受光するためLD素子出射光の波長を直接検出でき、精密な波長検出手段として適している。しかし、使用する波長フィルタとの関係も有り、広波長範囲での波長検出には適さず、それゆえ、AWC回路は波長の微調手段として使われている。
【0012】
サーモクーラ8によるLD素子1の温度制御は、ATC/AWC回路を併用して行われる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
従来の波長安定化光源は、上記のように構成され動作するので、環境温度の変化により気密パッケージとチップキャリアとの間で温度差が生じると、気密パッケージとチップキャリアの相対位置関係が変化し、さらにチップキャリア上での温度分布から各部品の相対位置関係もズレを生じるため、波長モニタ出力特性が変動し、本来の目標値であるIW0で微調を行っても目的の波長λ0からずれてしまうことがある。
【0014】
本発明は、上記の問題を解決するためのもので、温度センサで外気に近い個所の温度を計測することで、環境温度の変化による波長モニタ特性の変化を補償して、LD素子の発振波長の安定度を高めることを目的としている。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る波長安定化光源は、光半導体モジュールと、該光半導体モジュールの動作を制御する制御回路群とを備え、前記光半導体モジュールが、前面及び背面に光を放出するLD素子と、該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2の温度センサを備え、前記制御回路群が、前記第2のPD素子の出力を使ってLD素子の光出力を一定に制御するAPC回路と、前記第1の温度センサの出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するATC回路と、前記第1のPD素子の出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するAWC回路と、前記第2の温度センサの出力により、前記第1のPD素子の出力を補正する補正値を出力する波長モニタ出力補正回路とを備えているものである。
【0016】
また、前記波長モニタ出力補正回路は、前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する逆特性を予め保持しており、前記第2の温度センサの出力を入力して、前記逆特性から生成した前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する補正値を出力するものであってもよい。
【0017】
本発明に係る光半導体モジュールは、前面及び背面に光を放出するLD素子と、該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2の温度センサとを有するものである。
【0018】
また、前記第2の温度センサが、前記気密パッケージの内側のフィードスルー部に配置されていてもよい。
【0019】
本発明に係る波長安定化光源は、光半導体モジュールと、該光半導体モジュールの動作を制御する制御回路群とを備え、前記光半導体モジュールが、前面及び背面に光を放出するLD素子と、該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2および第3の温度センサを備え、前記制御回路群が、前記第2のPD素子の出力を使ってLD素子の光出力を一定に制御するAPC回路と、前記第1の温度センサの出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するATC回路と、前記第1のPD素子の出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するAWC回路と、前記第2および第3の温度センサの出力により、前記第1のPD素子の出力を補正する補正値を出力する波長モニタ出力補正回路とを備えているものである。
【0020】
また、前記波長モニタ出力補正回路は、前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する逆特性を予め保持しており、前記第2および第3の温度センサの出力を入力し、その平均値もしくは、それぞれに重み付けを加えた計算値を元に、前記逆特性から生成した前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する補正値を出力するものであってもよい。
【0021】
本発明に係る光半導体モジュールは、前面及び背面に光を放出するLD素子と、該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2および第3の温度センサを有するものである。
【0022】
また、前記第2の温度センサが、前記気密パッケージの一方の内側のフィードスルー部に配置され、前記第3の温度センサが、前記気密パッケージの他方の内側のフィードスルー部に配置されていてもよい。
【0023】
本発明に係る波長安定化光源は、光半導体モジュールと、該光半導体モジュールの動作を制御する制御回路群とを備え、前記光半導体モジュールが、前面及び背面に光を放出するLD素子と、該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージとを備え、前記制御回路群が、前記第2のPD素子の出力を使ってLD素子の光出力を一定に制御するAPC回路と、前記第1の温度センサの出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するATC回路と、前記第1のPD素子の出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するAWC回路と、各制御回路を搭載する回路基板上に設けられモジュール周囲の環境温度を検出する第2の温度センサと、前記第2の温度センサの出力により、前記第1のPD素子の出力を補正する補正値を出力する波長モニタ出力補正回路とを備えているものである。
【0024】
また、前記波長モニタ出力補正回路は、前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する逆特性を予め保持しており、前記第2の温度センサの出力を入力して、前記逆特性から生成した前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する補正値を出力するものであってもよい。
【0025】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態1.
図1に本実施の形態1に係る波長安定化光源の構成をブロック図にて示す。
図2に本実施の形態1に係る波長安定化光源の光半導体モジュールのパッケージ内を俯瞰する平面図を示す。なお図中、従来例である図10、11と同一または相当部分は同一符号を付す。以降の図面においても同様である。図1において、この発明の実施の形態1に係る波長安定化光源は、LD素子1から出射した前面光1fを光学窓2を通して光ファイバ3へ導いて外部に信号光として取り出すと共に、背面光1rの一部は、波長フィルタ4を透過して第1のPD素子5に受光され、他の一部は直接第2のPD素子6に受光される。
【0026】
LD素子1、波長フィルタ4、第1のPD素子5、第2のPD素子6およびLD素子1の近傍に配置されLD素子1近傍の温度を計測する第1のサーミスタ11は、チップキャリア7の上面に設置されている。チップキャリア7は、このチップキャリア7の温度を調整するサーモクーラ8の上に搭載されており、さらに、チップキャリア7、サーモクーラ8を含め上記した全体が気密パッケージ9の内部に設置されている。
第2のサーミスタ21は、気密パッケージ9自体の環境温度による変動を測定するため、気密パッケージ9の内部のフィードスルー部に設置されている。
【0027】
第2のPD素子6はLD素子1の背面出射光を直接受光するので、第2のPD素子6の出力は、LD素子の出射光の強度に比例した出力、すなわち光強度モニタ出力IMとしてAPC(自動光出力制御)回路10に入力され、LD素子駆動電流設定値IM0との差に基づいてLD素子1にフィードバックされる。
【0028】
LD素子1近傍の温度を計測した第1のサーミスタ11の出力電流ITH1はATC(自動温度制御)回路12に入力され、温度設定値ITH0との差に基づいて、サーモクーラ8への制御信号IPETが出力される。
【0029】
第1のPD素子5はLD素子1の背面出射光が、波長フィルタ4を透過したものを受光するので、第1のPD素子5の出力は、波長に対して強度が連続的に変化する出力、すなわち、波長モニタ出力IWとしてAWC(自動波長制御)回路13に入力される。
【0030】
気密パッケージ9のケース温度TCを測定した第2のサーミスタ21の出力電流ITH2は、IW補正回路22に入力される。図3は、気密パッケージ9のケース温度TCが25℃、50℃、75℃の時の、第1のPD素子5の出力IWとLD素子1の発振波長λの関係を示すグラフである。ケース温度が高くなるほど出力IWは低下し、目的の波長λ0を得る電流値が変化している。
【0031】
図4は、IW補正回路22における補正値IW´の算出方法を説明する図である。ここで縦軸を図3のデータからのIWの変化量ΔIW(=IW−IW0)とし、横軸に第2のサーミスタ21の出力ITH2としてケース温度TCが25℃、50℃、75℃の時のI25、I50、I75の値との交点をプロットする。この点を結ぶことによって図4中の破線で表されるIWとITH2の相関が得られる。この破線データから縦軸IW=0の線に対して対称な関数を生成する。これがパッケージ温度変化によるIWへの補正値IW´を得る関数となる。よって、IW補正回路22からは、当該時点の気密パッケージ温度におけるIW´の値を出力して、第1のPD素子の出力IWに加算されてからAWC回路13に入力され、波長設定値IW0との差に基づいて、サーモクーラ8への制御信号IPEWが出力される。
【0032】
このようにして、第1のPD素子の出力IWに気密パッケージのケース温度による変化を補償する補正値IW´を加算することによってケース温度に依存しないAWC制御が行えるので、LD素子1の発振波長をλ0に精密に制御することができる。
【0033】
発明の実施の形態2.
図5に本実施の形態2に係る波長安定化光源の構成をブロック図にて示す。
図5において、この発明の実施の形態2に係る波長安定化光源は、LD素子1から出射した前面光1fを光学窓2を通して光ファイバ3へ導いて外部に信号光として取り出すと共に、背面光1rの一部は、波長フィルタ4を透過して第1のPD素子5に受光され、他の一部は直接第2のPD素子6に受光される。
【0034】
LD素子1、波長フィルタ4、第1のPD素子5、第2のPD素子6およびLD素子1の近傍に配置され、LD素子1近傍の温度を計測する第1のサーミスタ11は、チップキャリア7の上面に設置されている。チップキャリア7は、このチップキャリア7の温度を調整するサーモクーラ8の上に搭載されており、さらに、チップキャリア7、サーモクーラ8を含め上記した全体が気密パッケージ9の内部に設置されている。
【0035】
図6に本実施の形態2に係る波長安定化光源内の光半導体モジュールのパッケージ内を俯瞰し、さらに回路基板との接続状況を説明する平面図を示す。
図6に示すように、光半導体モジュール100はモジュール外部の回路基板16に接続されている。
【0036】
また、モジュール内部において、第1のサーミスタ11がLD素子1の近傍に、第2のサーミスタは一方の側面のフィードスルー内部に、第3のサーミスタが他方の側面のフィードスルー内部に配置されている。
【0037】
通常、波長安定化光源では光半導体モジュールに入力される高周波デジタル信号の増幅および波形整形を行うドライバIC16が使用されている。ドライバIC16は回路基板17上にあり、高周波特性の関係上モジュールの高周波信号入力ピン18の直近に設置されるのが一般的である。そして、橋渡し用マイクロストリップライン基板19を使用してモジュール内部に接続される。
【0038】
高周波用途に使われるため、一般的にドライバICは発熱量が大きく、上述したように高周波を減衰させないようモジュール近傍に設置されるため、モジュール内部の光学部品がこのドライバICの発生する熱の流入による影響を受けやすくなっている。
【0039】
図7は、図6における部品配置においてドライバICの発熱により流入する熱量を概念的に示したものである。光学部品の両側でドライバICに近い第2のサーミスタ21がドライバICの熱の影響により実際に光学部品が配置されている場所(図7では波長フィルタと記載)の温度より高い温度測定値を出力し、ドライバICより遠い第3のサーミスタ31が実際に光学部品が配置されている場所の温度より低い温度測定値を出力するという温度の傾斜があって、ケース温度が必ずしも環境温度を代表していないという事態が起きている。
【0040】
そこで、第2のサーミスタ21が出力する温度測定値と第3のサーミスタ31が出力する温度測定値とから、実際に光学部品が配置されている場所の環境温度を推定し、その推定した温度に相対する補正値IW´をIW補正回路22から出力して、第1のPD素子5の出力IWに加算してからAWC回路13に入力し、波長設定値IW0との差に基づいて、サーモクーラ8への制御信号IPEWが出力されるようにする。
【0041】
温度の推定方法は、実際に光学部品が配置されている場所の温度が、第2のサーミスタ21が出力する温度測定値と第3のサーミスタ31が出力する温度測定値との間にあることから、ICドライバ17から第2のサーミスタ21、第3のサーミスタ31の設置位置を設計時点で調整しておくことにより、単純に第2のサーミスタ21、第3のサーミスタ31の出力値の平均値を取ればよいことにしてもよく、また、第2のサーミスタ21、第3のサーミスタ31のそれぞれの出力値に重み付けをかけた計算値としてもよい。また、IW補正回路22における補正値IW´算出の方法は実施の形態1に準じているので、ここでの記述は省略する。
【0042】
このようにパッケージ自体に温度の傾斜があっても、二つのサーミスタを使用することで光学部品の配置されている個所の環境温度を推定し、その推定した温度に対応する補正値IW´をIW補正回路22から出力して、第1のPD素子5の出力IWに加算することによって、環境温度およびドライバICの発熱による影響に依存しないAWC制御が行えるので、LD素子1の発振波長をλ0により精密に制御することができる。
【0043】
発明の実施の形態3.
図8に本実施の形態3に係る波長安定化光源の構成をブロック図にて示す。
図8において、この発明の実施の形態3に係る波長安定化光源は、LD素子1から出射した前面光1fを光学窓2を通して光ファイバ3へ導いて外部に信号光として取り出すと共に、背面光1rの一部は、波長フィルタ4を透過して第1のPD素子5に受光され、他の一部は直接第2のPD素子6に受光される。
【0044】
LD素子1、波長フィルタ4、第1のPD素子5、第2のPD素子6およびLD素子1の近傍に配置され、LD素子1近傍の温度を計測する第1のサーミスタ11は、チップキャリア7の上面に設置されている。チップキャリア7は、このチップキャリア7の温度を調整するサーモクーラ8の上に搭載されており、さらに、チップキャリア7、サーモクーラ8を含め上記した全体が気密パッケージ9の内部に設置されている。
【0045】
図9に本実施の形態3に係る波長安定化光源内の光半導体モジュールのパッケージ内を俯瞰し、さらに回路基板との接続状況を説明する平面図を示す。
図9に示すように、光半導体モジュール100はモジュール外部の回路基板16に接続されている。第2のサーミスタ21は、モジュール外部の回路基板16上に設置されている。
【0046】
本実施の形態3は、実施の形態1において、第2のサーミスタ21を気密パッケージ9に設置しているのに対し、光半導体モジュール100の外部の回路基板16に設置するようにしたもので、外気いわゆる環境温度の計測をこの第2のサーミスタ21で行うものである。IW補正回路22における補正値IW´算出の方法は実施の形態1に準じているので、ここでの記述は省略する。
【0047】
この実施の形態によれば、第2のサーミスタを光半導体モジュールの外部に設置するようにしたので、従来の光半導体モジュールを使用している波長安定化光源においても、回路基板における追加で外気温度に依存しないAWC制御を簡単に実現することができ、LD素子1の発振波長をλ0に精密に制御することができる。
【0048】
【発明の効果】
本発明に係る光半導体モジュールおよび波長安定化光源は、第2のサーミスタを気密パッケージ自体の外気温による変動を測定するように気密パッケージの内部のフィードスルー部に設置することによって、第1のPD素子の出力に気密パッケージのケース温度による変化を補償する補正値を加算させてケース温度に依存しないAWC制御が行えるので、LD素子1の発振波長をλ0に精密に制御することができる。
【0049】
本発明に係る光半導体モジュールおよび波長安定化光源は、第2のサーミスタを一方の側面のフィードスルー内部に、第3のサーミスタを他方の側面のフィードスルー内部に配置することにより、モジュール近傍に配置されたドライバICの発熱による温度傾斜を利用してモジュール内の光学部品が配置されている個所の温度を推定して、その推定した温度に相対する補正値を加算させてケース温度に依存しないAWC制御が行えるので、LD素子1の発振波長をλ0に精密に制御することができる。
【0050】
本発明に係る波長安定化光源は、第2のサーミスタをモジュール外部の回路基板上に設置して環境温度の計測をすることにより、環境温度による変化を補償する補正値を加算させてケース温度に依存しないAWC制御が行えるので、LD素子1の発振波長をλ0に精密に制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1に係る波長安定化光源の構成を示すブロック図。
【図2】本実施の形態1に係る波長安定化光源のパッケージ内を俯瞰する平面図。
【図3】第1のPD素子5の出力IWとLD素子1の発振波長λの関係を示すグラフ。
【図4】IW補正回路22における補正値IW´の算出方法を説明する図。
【図5】本発明の実施の形態2に係る波長安定化光源の構成を示すブロック図。
【図6】本実施の形態2に係る波長安定化光源のパッケージ内を俯瞰し、さらに外部回路基板との接続状況を説明する平面図。
【図7】ドライバICの発熱により流入する熱量を概念的に示した図。
【図8】本発明の実施の形態3に係る波長安定化光源の構成を示すブロック図。
【図9】本実施の形態3に係る波長安定化光源のパッケージ内を俯瞰し、さらに外部回路基板との接続状況を説明する平面図。
【図10】従来の波長安定化光源の構成を示すブロック図。
【図11】従来の波長安定化光源のパッケージ内を俯瞰する平面図。
【符号の説明】
1 レーザダイオード(LD素子)、 2 光学窓、 3 光ファイバ、4 波長フィルタ、 5 第1のフォトダイオード(PD素子)、
6 第2のフォトダイオード(PD素子)、 7 チップキャリア、
8 サーモクーラ、 9 気密パッケージ、
10 APC回路、 11 第1のサーミスタ、
12 ATC回路、 13 AWC回路、
14 PDキャリア、 15 フィードスルー、
16 ドライバIC、 17 高周波信号入力ピン、
18 マイクロストリップライン基板、
19 回路基板
21 第2のサーミスタ、 22 IW補正回路、
31 第3のサーミスタ。
Claims (10)
- 光半導体モジュールと、該光半導体モジュールの動作を制御する制御回路群とを備え、
前記光半導体モジュールが、
前面及び背面に光を放出するレーザダイオード(LD)素子と、
該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、
前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のフォトダイオード(PD)素子と、
前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、
前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、
該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、
前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、
前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2の温度センサを備え、
前記制御回路群が、
前記第2のPD素子の出力を使ってLD素子の光出力を一定に制御するAPC(Auto Power Control)回路と、
前記第1の温度センサの出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するATC(Auto Temperature Control)回路と、
前記第1のPD素子の出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するAWC(Auto Wavelength Control)回路と、
前記第2の温度センサの出力により、前記第1のPD素子の出力を補正する補正値を出力する波長モニタ出力補正回路と、
を備えていることを特徴とする波長安定化光源。 - 前記波長モニタ出力補正回路は、前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する逆特性を予め保持しており、前記第2の温度センサの出力を入力して、前記逆特性から生成した前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する補正値を出力するものであることを特徴とする請求項1記載の波長安定化光源。
- 前面及び背面に光を放出するLD素子と、
該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、
前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、
前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、
前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、
該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、
前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、
前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2の温度センサとを有することを特徴とする光半導体モジュール。 - 前記第2の温度センサが、前記気密パッケージの内側のフィードスルー部に配置されていることを特徴とする請求項3記載の光半導体モジュール。
- 光半導体モジュールと、該光半導体モジュールの動作を制御する制御回路群とを備え、
前記光半導体モジュールが、
前面及び背面に光を放出するLD素子と、
該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、
前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、
前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、
前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、
該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、
前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、
前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2および第3の温度センサを備え、
前記制御回路群が、
前記第2のPD素子の出力を使ってLD素子の光出力を一定に制御するAPC回路と、
前記第1の温度センサの出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するATC回路と、
前記第1のPD素子の出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するAWC回路と、
前記第2および第3の温度センサの出力により、前記第1のPD素子の出力を補正する補正値を出力する波長モニタ出力補正回路とを備えていることを特徴とする波長安定化光源。 - 前記波長モニタ出力補正回路は、前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する逆特性を予め保持しており、前記第2および第3の温度センサの出力を入力し、その平均値もしくは、それぞれに重み付けを加えた計算値を元に、前記逆特性から生成した前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する補正値を出力するものであることを特徴とする請求項5記載の波長安定化光源。
- 前面及び背面に光を放出するLD素子と、
該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、
前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、
前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、
前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、
該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、
前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、
前記気密パッケージに取りつけられ、該気密パッケージの温度を計測する第2および第3の温度センサを有することを特徴とする光半導体モジュール。 - 前記第2の温度センサが、前記気密パッケージの一方の内側のフィードスルー部に配置され、前記第3の温度センサが、前記気密パッケージの他方の内側のフィードスルー部に配置されていることを特徴とする請求項7記載の光半導体モジュール。
- 光半導体モジュールと、該光半導体モジュールの動作を制御する制御回路群とを備え、
前記光半導体モジュールが、
前面及び背面に光を放出するLD素子と、
該LD素子近傍に配置され、LD素子の温度を計測する第1の温度センサと、
前記LD素子が出射する光を受光する第1および第2のPD素子と、
前記LD素子と前記第1のPD素子との間に設置され、光の波長に対して連続的に強度を変化させる波長フィルタと、
前記LD素子、第1の温度センサ、第1のPD素子、第2のPD素子、波長フィルタを実装するチップキャリアと、
該チップキャリアの温度を一定に保つサーモクーラと、
前記チップキャリア、サーモクーラを収納する気密パッケージと、
を備え、
前記制御回路群が、
前記第2のPD素子の出力を使ってLD素子の光出力を一定に制御するAPC回路と、
前記第1の温度センサの出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するATC回路と、
前記第1のPD素子の出力を使って前記サーモクーラを動作させLD素子の温度を制御するAWC回路と
各制御回路を搭載する回路基板上に設けられモジュール周囲の環境温度を検出する第2の温度センサと、
前記第2の温度センサの出力により、前記第1のPD素子の出力を補正する補正値を出力する波長モニタ出力補正回路とを備えていることを特徴とする波長安定化光源。 - 前記波長モニタ出力補正回路は、前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する逆特性を予め保持しており、前記第2の温度センサの出力を入力して、前記逆特性から生成した前記第1のPD素子の出力の温度による出力変化に対する補正値を出力するものであることを特徴とする請求項9記載の波長安定化光源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002219190A JP2004063716A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 光半導体モジュールおよび波長安定化光源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002219190A JP2004063716A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 光半導体モジュールおよび波長安定化光源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004063716A true JP2004063716A (ja) | 2004-02-26 |
Family
ID=31940152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002219190A Pending JP2004063716A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 光半導体モジュールおよび波長安定化光源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004063716A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235683A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Anritsu Corp | 光モジュールの温度安定化装置 |
JP2011228537A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ光源装置 |
US9651431B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of estimating surface temperature of semiconductor device including the same |
-
2002
- 2002-07-29 JP JP2002219190A patent/JP2004063716A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235683A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Anritsu Corp | 光モジュールの温度安定化装置 |
JP2011228537A (ja) * | 2010-04-21 | 2011-11-10 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ光源装置 |
US9651431B2 (en) | 2013-03-04 | 2017-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package and method of estimating surface temperature of semiconductor device including the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6922423B2 (en) | Control system for a semiconductor laser | |
EP1564915B1 (en) | Low relative intensity noise fiber grating type laser diode | |
EP0961371B1 (en) | Optoelectronic module containing at least one optoelectronic component and temperature stabilising method | |
US20060159141A1 (en) | Optical transmitting module operable in wide temperature range | |
US6856633B2 (en) | Optical module, transmitter and WDM transmitting device | |
US20090251684A1 (en) | Optical transmission module, wavelength monitor, and wavelength drift detection method | |
JPH11238946A (ja) | レーザ・モジュールおよびその波長および光パワーを同時に安定化させる方法 | |
US7106978B2 (en) | Optical module, optical transmission apparatus, WDM optical transmission device, and method for stabilizing laser wavelength | |
US7738517B2 (en) | Small form factor transmitter optical subassembly (TOSA) having functionality for controlling the temperature, and methods of making and using the TOSA | |
US6822986B2 (en) | Method of controlling a wavelength of a semiconductor laser, optical module, optical transmitter, WDM optical transmission apparatus, and method of controlling a wavelength of an optical module | |
US6522459B1 (en) | Temperature control and monitoring of optical detector components in an optical communication system | |
US20030053169A1 (en) | Optical transmitter, WDM optical transmission device and optical module | |
JP4090209B2 (ja) | 光波長安定回路、光送信器および光伝送システム | |
JP4336091B2 (ja) | 光モジュール、光送信器及びwdm光送信装置 | |
US6965622B1 (en) | Wavelength locking scheme and algorithm for ultra-high density WDM system | |
JP2004063716A (ja) | 光半導体モジュールおよび波長安定化光源 | |
JP2004079989A (ja) | 光モジュール | |
US20030067949A1 (en) | Optical module, transmitter and WDM transmitting device | |
JP4712658B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
EP1324442A2 (en) | Optical semiconductor module | |
JP2005085815A (ja) | 波長安定化装置 | |
JP2830794B2 (ja) | 光送信回路 | |
JP2005032968A (ja) | 光送信モジュール | |
JP2006005042A (ja) | 光送信器および光送信方法 | |
FI105627B (fi) | Aallonpituuden stabilointi WDM-järjestelmän lähettimessä |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040712 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20080617 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080808 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20090407 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |