【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はウエット成膜方法および真空蒸着法により形成された有機発光層を有する有機ＥＬ表示体等の有機発光デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機発光デバイス（有機ＥＬ素子）は蛍光性有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子及び正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光、燐光）を利用して発光させる素子である。
【０００３】
この有機発光デバイスの特徴は、１０Ｖ以下の低電圧で１００〜１０００００ｃｄ／ｍ２程度の高輝度の面発光が可能であり、また蛍光物質の種類を選択することにより青色から赤色までの発光が可能なことである。
【０００４】
ここで有機薄膜の形成法は低分子（モノマー）有機ＥＬ材料では真空蒸着法、さらに電極形成についても真空蒸着法で引き続き成膜して、金属製あるいはガラス製の封止缶で素子空間を封止形成することが一般的である。
【０００５】
また高分子（ポリマー）有機ＥＬ材料であれば印刷法あるいはインクジェット法を用いた薄膜形成も行われており、低分子有機ＥＬ材料でもスピン法、印刷法が性能面、コスト面での優位性から薄膜形成プロセス検討が行われている。
【０００６】
ここで有機発光デバイスは電流駆動型の発光素子でであり、高電流発光時において素子が発熱するため各積層膜や素子周囲に酸素や水分があった場合には素子構成材料が酸化促進され、構成材料の変質による発光不良、いわゆるダークスポットが発生、成長してしまうという問題が生じている。そこで各成膜工程および工程間においては素子の大気接触を極力無くし素子膜への酸素や水分付着によるダメージを抑え素子封止まで行う必要がある。
【０００７】
ここで特開平１０−２３３２８３号公報や特開平１０−２４１８５８号公報や特開２０００−１３３４４６号公報においては成膜作業および搬送領域を水分含有量１００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に規定して有機ＥＬ素子を製作することでダークスポットの発生を抑制している。しかしながらダークスポットの発生については素子周囲の酸素量の存在が大きく、水分量の抑制だけでは雰囲気制御が不十分である。また特開平８−７８１５９号公報においては積層した有機ＥＬ素子の外周空間を溶存酸素濃度１ＰＰＭ以下の不活性液体層で封止することで素子膜の酸化を抑制しダークスポットの発生を抑制している。ただし液体層での封止領域の充填は工程上煩雑になりコストアップ要因になる。
【０００８】
【発明が解決しようとしている課題】
そこで本発明の目的は、ウエット成膜方法および真空蒸着法により形成された有機発光層を有する有機ＥＬ表示体等の有機発光デバイスにおいて、コストダウンしかつ寿命の長い高性能の有機発光デバイス製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
よって本発明は、一対の対向電極と前記一対の対向電極の間に設けられる有機層とを有する有機発光デバイスの製造方法であって、
酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の不活性ガス雰囲気下で前記有機層材料を含む液を塗布し成膜する工程を有することを特徴とする有機発光デバイスの製造方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
本発明の有機発光デバイスの構成例を図１に示す。ここでの積層構造体は基板１上にＩＴＯ透明電極による陽電極２、正孔注入および輸送材料３、有機電子輸送性発光層４、電子注入輸送層５、陰電極６を順次積層させる。そしてさらにこの有機積層構造体を密閉する箱形の封止缶７を有している。上記封止缶７はガラス、金属、セラミックス、低透湿性高分子材料等で形成されたものである。また接着剤８についてはＵＶ硬化タイプを使用している。
【００１２】
また本発明の有機発光デバイスの製造方法は、図２に示したような製造装置でウエット成膜用の第１の作業室１０１と真空蒸着での成膜および基板封止作業用の第２の作業室１０２、さらには素子基板を密閉雰囲気のまま移動可能なパスボックス１０３で装置構成されており、すべて酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に制御された空間になっている。ここで素子環境を酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気にすることにより、素子膜形成途中あるいは封止前の素子が酸化劣化してダークスポットが発生する等の品質や寿命に与える影響を防止できる。作業室１０１、１０２およびパスボックス１０３、１０５はアクリルあるいは塩化ビニル製のグローブボックスで製作しており、多少の正圧に耐えられるようにＳＵＳあるいはアルミの枠組みや補強をしてもよい。
【００１３】
ここで不活性ガスは通常窒素ガスが望ましく、窒素純度９９．９９９％程度のガス流量７０Ｌ／分であればウエット成膜用に必要な１ｍ３の作業室は１時間以内に酸素濃度は初期大気状態の１８％から所定の１０００ＰＰＭ以下に到達するので、作業中はこの雰囲気を維持できるだけの微少流量の窒素ガスを流しておけばよい。
【００１４】
ここで、ＩＴＯ透明電極をスパッタリング法で形成した基板に対して、スピンコート法等のウエット成膜で有機薄膜形成すれば、ＩＴＯ膜の膜突起等もカバーし平滑で欠陥の無いさらに密着性の強い有機薄膜が得られるため素子膜の性能向上が期待できる。またウエット成膜方法に関しては高分子材料に限らず低分子材料でもスピンコート法での成膜が使用されるが、素子形成のためには不要部除去（配線部形成）が必要で、拭き取り、テープマスクなど工程が増えるため、印刷法（オフセット印刷）による膜形成も有効である。またウエット成膜法による正孔注入および輸送材料としては、可溶性のフタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、これにかぎられるものではない。
【００１５】
次にウエット成膜した基板をさらに真空蒸着をおこなう作業室へ搬送する必要があり、この時も形成膜面に酸素、水分が付着するのを防止しなくてはならない。ここで作業室１０１から作業室１０２へ移動にはパスボックス１０３を設けてあり、この空間の雰囲気も酸素濃度を１０００ＰＰＭ以下に保持されており、素子基板を雰囲気保持のまま移動可能である。第２の作業室は蒸着用の真空チャンバー１０４を囲い込んだ形のグローブボックス構造で、雰囲気を酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に制御された空間に保持した状態にしておく。さらに素子基板をボックス内の真空チャンバー１０４内にセッティングし、真空引きを行い真空チャンバー内圧力は１×１０―４Ｐａ程度に準備し、その後有機電子輸送性発光層を真空蒸着法で成膜し、最後に陰電極を真空蒸着法で成膜する。
【００１６】
この後チャンバーをリークし積層した素子基板を取り出す際には、第２の作業室雰囲気は依然として酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に制御された空間になっており、この中で封止缶の接着作業を行うことで、一貫環境制御の雰囲気下で作成された有機発光デバイスが完成する。
【００１７】
以上の説明においては第１の作業室１０１と第２の作業室１０２がパスボックス１０３で連結している場合であったが、作業室が完全独立している場合は、素子搬送用に雰囲気保持用の気密ケースを用いて素子をパッキングして搬送することで、酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に制御して素子基板を移動が可能である。
【００１８】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１９】
（実施例１）
この実施例では図２の製造装置を用いた。
【００２０】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板にＩＴＯ透明電極をスパッタ法で形成した。次にＩＰＡを用いて超音波洗浄し、ＩＰＡベーパーにて引き上げて乾燥仕上げをおこなった。（装置図示せず）この後図２の製造装置のパスボックス１０５より基板を投入した。この前処理室１０６は乾燥空気の循環雰囲気になっており、ここでＩＴＯ電極表面をＵＶ／Ｏ３洗浄を行って表面濡れ性を向上一定化する。
【００２１】
次にパスボックス１０３に基板を移動し、窒素ガスを封入パージした後パスボックスの第１の作業室１０１側のドアを開けて基板を移動させる。第１の作業室１０１は事前に窒素ガスパージをしておき、酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の雰囲気に保持されている。ここで正孔注入材料としてトリフェニルアミン６量体（ＴＰＡ−６：分子量１４６１、融点２７７℃、Ｔｇ１５６℃）をスピンコート法によりコーティングした。
加熱乾燥することで厚さ０．０５μｍの正孔注入層が形成された。
【００２２】
次いで基板はパスボックスを通過させて第２の作業室１０２へ移動させるが、ここも事前に窒素ガスパージをしておき、酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の雰囲気に保持されている。第２の作業室１０２内に設置してある真空チャンバー１０４内の基板ホルダー（図示せず）に基板セットし、真空チャンバー内圧力を１×１０―４Ｐａに減圧した。次いで有機電子輸送性発光層として９―ジオクチルフルオレンの５量体（ＤＯＦＬ−５：分子量１９４５、融点２１０℃、Ｔｇ１２３℃）を厚さ０．０５μｍ真空蒸着した。最後に陰電極として厚さ０．１〜０．２μｍのＭｇＡｇ反射電極を真空蒸着した。
【００２３】
この後チャンバーをリークし積層した素子基板を取り出したが、第２の作業室雰囲気は依然として酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に保持されている。ここでＵＶ硬化剤を塗布してＳＵＳ製の封止缶を素子に貼りあわせて、最後にＵＶ照射で完全硬化させ有機発光デバイスを製作した。
【００２４】
（実施例２）
洗浄後に第１の作業室内を酸素濃度１５００ＰＰＭ近傍の不活性ガス雰囲気に制御してスピンコート成膜作業を行い、その後は実施例１と同様に第２の作業室内を酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気に制御して蒸着および封止作業を行い有機発光デバイスを製作した。
【００２５】
（実施例３）
実施例１と同様に洗浄後に第１の作業室内で酸素濃度１０００ＰＰＭ以下の不活性ガス雰囲気下でスピンコート成膜作業を行い、その後は第２の作業室内を酸素濃度１５００ＰＰＭ近傍の不活性ガス雰囲気に制御して蒸着および封止作業を行い有機発光デバイスを製作した。
【００２６】
（比較例１）
洗浄後のスピンコート成膜蒸着および封止作業をすべて大気中で行い有機発光デバイスを製作した。
【００２７】
（比較例２）
洗浄後に第１の作業室内を酸素濃度１５００ＰＰＭ近傍の不活性ガス雰囲気に制御してスピンコート成膜作業を行い、その後は第２の作業室内で酸素濃度１５００ＰＰＭ近傍の不活性ガス雰囲気に制御して蒸着および封止作業を行い有機発光デバイスを製作した。
【００２８】
以上作製した実施例１、２、３、の有機発光デバイスを大気中で直流電圧１０ｍＡ／ｃｍ２で連続駆動させて素子性能の評価を行った。その結果を表１に示す。なおダークスポットの発生状態についての評価は、◎は３０００時間経過しても直径１００μｍ以上のダークスポットは発生せず良好であった。○は２０００時間経過まで直径１００μｍ以上のダークスポットは発生しなかった。△は１０００時間経過まで直径１００μｍ以上のダークスポットは発生しなかった。×は初期状態から微少ダークスポットが観察され、さらに７００時間で直径１００μｍ以上のダークスポットに成長し素子性能耐久が非常に悪かった。
【００２９】
【表１】
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によればダークスポットの発生抑制された長寿命の有機発光デバイスが容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機発光デバイスの構成例を示す垂直断面図である。
【図２】本発明の有機発光デバイスの製造に用いられる製造装置であり製造方法を説明するための説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 陽電極
３ 正孔注入および輸送材料
４ 有機電子輸送性発光層
５ 電子注入輸送層
６ 陰電極
７ 封止缶
８ 接着剤
１０１ 第１作業室
１０２ 第２作業室
１０３ 第１パスボックス
１０４ 真空チャンバー
１０５ 第２パスボックス
１０６ 前処理室[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing an organic light emitting device such as an organic EL display having an organic light emitting layer formed by a wet film forming method and a vacuum evaporation method.
[0002]
[Prior art]
An organic light emitting device (organic EL element) has a configuration in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between a cathode and an anode, and is excited by injecting electrons and holes into the thin film and recombining them. This is an element that generates electrons (excitons) and emits light by utilizing light emission (fluorescence and phosphorescence) when the excitons are deactivated.
[0003]
The feature of this organic light emitting device is that it can emit high-intensity surface light of about 100 to 100000 cd / m 2 at a low voltage of 10 V or less, and can emit light from blue to red by selecting the type of fluorescent substance. That is what.
[0004]
Here, the organic thin film is formed by a vacuum evaporation method for a low molecular (monomer) organic EL material, and a vacuum evaporation method for forming an electrode, and the element space is sealed with a metal or glass sealing can. It is common to form a stop.
[0005]
In addition, thin film formation using a printing method or an ink-jet method is also performed for a high molecular weight (organic) organic EL material, and even for a low molecular weight organic EL material, the spin method and the printing method are superior in terms of performance and cost. A thin film formation process is being studied.
[0006]
Here, the organic light-emitting device is a current-driven light-emitting device, and the device generates heat when emitting high current, so that when there is oxygen or moisture around each of the laminated films or the device, the oxidation of the device constituent material is promoted, There is a problem in that light emission failure, that is, a so-called dark spot is generated and grows due to deterioration of constituent materials. Therefore, it is necessary to minimize the contact of the element with the atmosphere between the film forming steps and between the steps to minimize damage to the element film due to the adhesion of oxygen and moisture, and to perform element sealing.
[0007]
Here, in JP-A-10-233283, JP-A-10-241858 and JP-A-2000-133446, the organic EL is defined by defining the film forming operation and the transport region in an inert gas atmosphere having a water content of 100 PPM or less. By producing the element, the generation of dark spots is suppressed. However, regarding the generation of dark spots, the amount of oxygen around the element is largely present, and control of the atmosphere is insufficient only by suppressing the amount of moisture. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-78159, the peripheral space of a stacked organic EL element is sealed with an inert liquid layer having a dissolved oxygen concentration of 1 PPM or less, thereby suppressing oxidation of the element film and suppressing generation of dark spots. I have. However, filling the sealing region with the liquid layer complicates the process and increases the cost.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a high-performance organic light-emitting device having a long life and a low cost in an organic light-emitting device such as an organic EL display having an organic light-emitting layer formed by a wet film forming method and a vacuum evaporation method. Is to provide.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
Therefore, the present invention is a method for manufacturing an organic light-emitting device having a pair of counter electrodes and an organic layer provided between the pair of counter electrodes,
A method for manufacturing an organic light-emitting device, comprising a step of applying a liquid containing the organic layer material under an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 ppm or less to form a film.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0011]
FIG. 1 shows a configuration example of the organic light emitting device of the present invention. In this laminated structure, a positive electrode 2, a hole injecting and transporting material 3, an organic electron transporting light emitting layer 4, an electron injecting and transporting layer 5, and a negative electrode 6 are sequentially laminated on a substrate 1 by using an ITO transparent electrode. Further, a box-shaped sealing can 7 for sealing the organic laminated structure is provided. The sealing can 7 is made of glass, metal, ceramics, a low moisture permeable polymer material, or the like. The adhesive 8 is of a UV curing type.
[0012]
The method for manufacturing an organic light-emitting device according to the present invention includes a first work chamber 101 for wet film formation and a second work chamber for vacuum deposition and substrate sealing work in a manufacturing apparatus as shown in FIG. The apparatus is composed of a work chamber 102 and a pass box 103 in which the element substrate can be moved in a sealed atmosphere, all of which are spaces controlled under an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less. Here, by setting the element environment to an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less, it is possible to prevent influences on quality and life, such as generation of dark spots due to oxidation deterioration of the element during element film formation or before sealing. . The work chambers 101 and 102 and the pass boxes 103 and 105 are made of glove boxes made of acrylic or vinyl chloride, and may be made of SUS or aluminum so as to withstand some positive pressure or reinforced.
[0013]
Here, the inert gas is usually desirably nitrogen gas, and if the gas flow rate is 70 L / min with a nitrogen purity of about 99.999%, the 1 m 3 working chamber required for wet film formation has an oxygen concentration within one hour within the initial atmosphere. Since 18% of the state reaches a predetermined value of 1000 PPM or less, it is sufficient to flow a nitrogen gas at a very small flow rate capable of maintaining this atmosphere during the operation.
[0014]
Here, if an organic thin film is formed on a substrate on which an ITO transparent electrode is formed by a sputtering method by wet film formation such as a spin coating method, the film protrusions of the ITO film are covered, and the adhesion is smooth and defect-free. Since a strong organic thin film can be obtained, improvement in the performance of the element film can be expected. Regarding the wet film forming method, spin coating is used not only for the polymer material but also for the low molecular material, but it is necessary to remove unnecessary portions (wiring portion formation) for element formation. Since the number of processes such as a tape mask increases, it is also effective to form a film by a printing method (offset printing). As a hole injecting and transporting material by a wet film formation method, a soluble phthalocyanine compound, a triarylamine compound, a conductive polymer, a perylene compound, an Eu complex, or the like can be used, but is not limited thereto.
[0015]
Next, the substrate on which the wet film has been formed needs to be further transferred to a work chamber where vacuum deposition is performed. At this time, it is necessary to prevent oxygen and moisture from adhering to the surface of the formed film. Here, a pass box 103 is provided for moving from the work chamber 101 to the work chamber 102, and the atmosphere in this space is also maintained at an oxygen concentration of 1000 PPM or less, and the element substrate can be moved while maintaining the atmosphere. The second working chamber has a glove box structure surrounding the vacuum chamber 104 for vapor deposition, and the atmosphere is kept in a controlled space of an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less. Further, the element substrate is set in the vacuum chamber 104 in the box, and the chamber is evacuated to prepare a pressure in the vacuum chamber of about 1 × 10 −4 Pa. Thereafter, an organic electron transporting light emitting layer is formed by a vacuum evaporation method. Finally, a negative electrode is formed by a vacuum deposition method.
[0016]
Thereafter, when the chamber is leaked and the stacked element substrate is taken out, the atmosphere in the second working chamber is still a space controlled to an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less. By performing the bonding operation, an organic light-emitting device manufactured under an atmosphere of consistent environmental control is completed.
[0017]
In the above description, the first working chamber 101 and the second working chamber 102 are connected by the pass box 103. However, when the working chambers are completely independent, the atmosphere is maintained for transporting the elements. By packing and transporting the device using a hermetic case, the device substrate can be moved while controlling the atmosphere to an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less.
[0018]
【Example】
Hereinafter, specific examples of the present invention will be shown, and the present invention will be described in more detail.
[0019]
(Example 1)
In this embodiment, the manufacturing apparatus shown in FIG. 2 was used.
[0020]
An ITO transparent electrode was formed on a glass substrate having a thickness of 0.7 mm by a sputtering method. Next, the substrate was subjected to ultrasonic cleaning using IPA, pulled up with IPA vapor, and dried and finished. (Apparatus not shown) Thereafter, a substrate was loaded from the pass box 105 of the manufacturing apparatus of FIG. The pretreatment chamber 106 has a circulating atmosphere of dry air. Here, the surface of the ITO electrode is subjected to UV / O3 cleaning to improve and maintain the surface wettability.
[0021]
Next, the substrate is moved to the pass box 103, and after purging with nitrogen gas, the door on the first work chamber 101 side of the pass box is opened to move the substrate. The first working chamber 101 is purged with nitrogen gas in advance, and is kept in an atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less. Here, triphenylamine hexamer (TPA-6: molecular weight 1461, melting point 277 ° C., Tg 156 ° C.) was coated by a spin coating method as a hole injection material.
By heating and drying, a hole injection layer having a thickness of 0.05 μm was formed.
[0022]
Next, the substrate is passed through the pass box and moved to the second working chamber 102, which is also purged with nitrogen gas in advance and kept in an atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less. The substrate was set on a substrate holder (not shown) in a vacuum chamber 104 installed in the second working chamber 102, and the pressure in the vacuum chamber was reduced to 1 × 10 −4 Pa. Next, a pentamer of 9-dioctylfluorene (DOFL-5: molecular weight: 1945, melting point: 210 ° C., Tg: 123 ° C.) as an organic electron transporting light emitting layer was vacuum-deposited with a thickness of 0.05 μm. Finally, a MgAg reflective electrode having a thickness of 0.1 to 0.2 μm was vacuum-deposited as a negative electrode.
[0023]
Thereafter, the chamber was leaked, and the stacked element substrates were taken out. However, the atmosphere in the second working chamber was still maintained in an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less. Here, a UV curing agent was applied, a SUS sealing can was attached to the element, and finally, the element was completely cured by UV irradiation to produce an organic light emitting device.
[0024]
(Example 2)
After the cleaning, the first working chamber is controlled to an inert gas atmosphere near an oxygen concentration of 1500 PPM to perform a spin coating film forming operation. Thereafter, as in the first embodiment, the second working chamber is inerted with an oxygen concentration of 1000 PPM or less. An organic light emitting device was manufactured by performing vapor deposition and sealing operations under control of a gas atmosphere.
[0025]
(Example 3)
After the cleaning, spin coating is performed in an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of 1000 PPM or less in a first working chamber after cleaning as in Example 1. Thereafter, an inert gas atmosphere having an oxygen concentration of about 1500 PPM is formed in a second working chamber. The organic light-emitting device was manufactured by performing the vapor deposition and sealing operations under the control described above.
[0026]
(Comparative Example 1)
After the washing, spin coating film deposition and sealing were all performed in the air to produce an organic light emitting device.
[0027]
(Comparative Example 2)
After the cleaning, the first working chamber is controlled to an inert gas atmosphere near an oxygen concentration of 1500 PPM to perform spin coating film forming work, and thereafter, the second working chamber is controlled to an inert gas atmosphere near an oxygen concentration of 1500 PPM. An organic light-emitting device was manufactured by performing vapor deposition and sealing operations.
[0028]
The organic light-emitting devices of Examples 1, 2, and 3 manufactured as described above were continuously driven at a direct current voltage of 10 mA / cm 2 in the atmosphere to evaluate element performance. Table 1 shows the results. In addition, the evaluation of the state of occurrence of dark spots was good because no dark spots having a diameter of 100 μm or more were generated even after 3000 hours. In the case of ス ポ ッ ト, no dark spot having a diameter of 100 μm or more was generated until 2000 hours. Δ indicates that no dark spot having a diameter of 100 μm or more was generated until 1000 hours. In the case of ×, a minute dark spot was observed from the initial state, and further grown to a dark spot having a diameter of 100 μm or more in 700 hours, and the element performance durability was extremely poor.
[0029]
[Table 1]
[0030]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a long-life organic light-emitting device in which the generation of dark spots is suppressed can be easily manufactured.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a vertical sectional view showing a configuration example of an organic light emitting device of the present invention.
FIG. 2 is a diagram illustrating a manufacturing apparatus used for manufacturing the organic light emitting device of the present invention and illustrating a manufacturing method.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Positive electrode 3 Hole injection and transport material 4 Organic electron transporting light emitting layer 5 Electron injection transport layer 6 Negative electrode 7 Sealing can 8 Adhesive 101 First working room 102 Second working room 103 First pass box 104 Vacuum chamber 105 Second pass box 106 Pretreatment chamber
