JP2004045424A - Mounting structure of pressure detector - Google Patents

Mounting structure of pressure detector Download PDF

Info

Publication number
JP2004045424A
JP2004045424A JP2003330204A JP2003330204A JP2004045424A JP 2004045424 A JP2004045424 A JP 2004045424A JP 2003330204 A JP2003330204 A JP 2003330204A JP 2003330204 A JP2003330204 A JP 2003330204A JP 2004045424 A JP2004045424 A JP 2004045424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
pressure detector
gasket
base
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003330204A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tadahiro Omi
大見 忠弘
Takashi Hirose
廣瀬 隆
Eiji Ideta
出田 英二
Shinichi Ikeda
池田 信一
Ryosuke Doi
土肥 亮介
Koji Nishino
西野 功二
Kazuhiro Yoshikawa
吉川 和博
Satoru Kagatsume
加賀爪 哲
Jun Hirose
廣瀬 潤
Kazuo Fukazawa
深澤 和夫
Hiroshi Koizumi
小泉 浩
Hideki Nagaoka
長岡 秀樹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Fujikin Inc
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Fujikin Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Fujikin Inc filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2003330204A priority Critical patent/JP2004045424A/en
Publication of JP2004045424A publication Critical patent/JP2004045424A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent fluctuation of an output characteristic or a temperature characteristic caused by distortion of a diaphragm by stress when a diaphragm type pressure detector is integrated into a conduit. <P>SOLUTION: In this mounting structure of the pressure detector, the pressure detector formed by fixing integrally a diaphragm base equipped with a diaphragm and a sensor base having a built-in sensor element operated by displacement of the diaphragm is inserted through a gasket into an insertion hole of a fixture body fixed on a pipe conduit or a mechanical device, and the pressure detector is pressed and fixed gastightly by a presser member inserted into the insertion hole from the upper side. In the structure, the presser member abuts on the body part upper face of the diaphragm base and the gasket abuts on the body part lower face thereof respectively, and a shallow groove is formed in a ring shape on the inside position of the abutting part with the presser member on the body part upper face and a shallow groove is formed in a ring shape on the inside position of the abutting part with the gasket on the body part lower face, and distortion generated by pressing by the presser member is absorbed by both shallow grooves. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

 本発明は、主としてセンサーチップ(感圧素子)を利用した圧力検出器の取付け構造の改良に関するものであり、半導体製造設備に於ける強腐食性ガスの供給系等で主に使用されるものである。 The present invention relates to an improvement in a mounting structure of a pressure detector mainly using a sensor chip (pressure-sensitive element), and is mainly used in a strongly corrosive gas supply system in a semiconductor manufacturing facility. is there.

 管路内の流体圧の検出には従前からセンサーチップ(感圧素子)やストレンゲージを利用したダイヤフラム型の圧力検出器が広く利用されている。
 図9及び図10はダイヤフラム型圧力検出器の構造の一例を示すものであり、本件出願人が特開平10−82707号(特許文献1)及び特開平11−211593号(特許文献2)として公開しているものである。即ち、図9及び図10に於いて、1はセンサーベース、2はセンサーチップ(感圧素子)、3はダイヤフラム、4はダイヤフラムベース、5は圧力伝達用媒体(シリコンオイル)、6は封止用ボール、7はリードピン、8は溶接部、10は流体圧であり、流体圧10がダイヤフラム3及び圧力伝達用媒体5を介してセンサーチップ2へ加わると、センサーチップ2を形成する半導体圧力トランスジューサから圧力に比例した電圧信号が、リードピン7を通して外部へ出力される。
For detecting the fluid pressure in a pipeline, a diaphragm-type pressure detector using a sensor chip (pressure-sensitive element) or a strain gauge has been widely used.
9 and 10 show an example of the structure of a diaphragm-type pressure detector, which has been disclosed by the present applicant as JP-A-10-82707 (Patent Document 1) and JP-A-11-212593 (Patent Document 2). Is what you are doing. That is, in FIGS. 9 and 10, 1 is a sensor base, 2 is a sensor chip (pressure sensing element), 3 is a diaphragm, 4 is a diaphragm base, 5 is a pressure transmission medium (silicon oil), and 6 is a seal. Ball, 7 is a lead pin, 8 is a weld, 10 is a fluid pressure, and when the fluid pressure 10 is applied to the sensor chip 2 via the diaphragm 3 and the pressure transmitting medium 5, a semiconductor pressure transducer forming the sensor chip 2 A voltage signal proportional to the pressure is output to the outside through the lead pin 7.

 図11及び図12は、前記図9及び図10に示したダイヤフラム型圧力検出器の管路等への取付け構造の一例を示すものであり、また、図13は図12のA部の拡大断面図である。
 図11乃至図13に於いて、11は取付具本体、12・13は押え部材、14はベアリング、15・16は固定具、17はメタルガスケットであり、押え部材12・13に加えた押圧力により、メタルガスケット17を介してダイヤフラムベース4と取付具本体11との間の気密性が保持されている。
11 and 12 show an example of a structure for attaching the diaphragm type pressure detector shown in FIGS. 9 and 10 to a pipe or the like, and FIG. 13 is an enlarged sectional view of a portion A in FIG. FIG.
11 to 13, reference numeral 11 denotes a fixture body, 12 and 13 denote holding members, 14 denotes bearings, 15 and 16 denote fixtures, and 17 denotes a metal gasket, and a pressing force applied to the pressing members 12 and 13. Thus, the airtightness between the diaphragm base 4 and the fixture main body 11 is maintained via the metal gasket 17.

 前記図9及び図10に示した構造のダイヤフラム型圧力検出器は、管路等へ取付けした状態に於ける所謂デッドスペースを極めて小さくすることができ、ガスの置換性を高める上で好都合なだけでなく、ダイヤフラム3の接ガス面に所望の不働態膜を比較的容易に、しかも斑の無い均一な厚みに形成することができ、優れた実用的効用を奏するものである。
 しかし、当該ダイヤフラム型圧力検出器にも解決すべき問題が多く残されており、その中でも最も大きな問題は、管路等へ取付けした場合におけるダイヤフラム3の応力歪等に起因する測定値の変動の点である。
The diaphragm type pressure detector having the structure shown in FIGS. 9 and 10 can reduce the so-called dead space in a state where it is attached to a pipe or the like, and is advantageous only in improving the gas exchangeability. In addition, a desired passive film can be formed relatively easily on the gas contact surface of the diaphragm 3 to a uniform thickness without unevenness, and excellent practical utility can be achieved.
However, the diaphragm type pressure detector still has many problems to be solved, and the biggest problem is the fluctuation of measured values caused by stress distortion of the diaphragm 3 when the diaphragm type pressure detector is attached to a pipeline or the like. Is a point.

 即ち、圧力の検出感度を高めるため、ダイヤフラム3の厚みは0.05〜0.06mm程度の極薄に選定されている。その結果、図11に示すような形態でもって、ダイヤフラムベース4の本体部下面4fへガスケット17の接当面を当てた場合には、固定ボルト15による締込み時にダイヤフラム3に生じる応力歪みが不可避となり、これによってシリコンオイル5を介してセンサー素子2にかかる応力が大きく変化することになる。
 例えば、ダイヤフラム3の厚さ‥0.05〜0.06mm、内径約‥10mmφ、検出圧力‥数Torr〜7kgf/cm2 absの圧力検出器を用いた試験によれば、ダイヤフラム3に加わる圧力PがPS =7kgf/cm2 abs程度の高圧力の場合には、圧力検出器を圧力検出器取付具本体11へ組み付けたときでも、圧力検出器がフリーな状態下にある場合に比較して出力VS (mv)及び温度特性STC(%FS/℃)に大きな差異は見られない。
That is, in order to increase the pressure detection sensitivity, the thickness of the diaphragm 3 is selected to be as thin as about 0.05 to 0.06 mm. As a result, when the contact surface of the gasket 17 is brought into contact with the lower surface 4f of the main body of the diaphragm base 4 in the form shown in FIG. 11, the stress distortion generated in the diaphragm 3 when tightening with the fixing bolt 15 becomes inevitable. Thus, the stress applied to the sensor element 2 via the silicon oil 5 changes greatly.
For example, according to a test using a pressure detector having a thickness of the diaphragm 3 of 0.05 to 0.06 mm, an inner diameter of about 10 mm, and a detection pressure of several Torr to 7 kgf / cm 2 abs, the pressure P applied to the diaphragm 3 there the case of a high pressure of about P S = 7kgf / cm 2 abs, even when assembled with the pressure detector to the pressure detector fixture main body 11, as compared with the case where the pressure detector is under a free state There is no significant difference between the output V S (mv) and the temperature characteristic STC (% FS / ° C.).

 しかし、ダイヤフラム3に加わる圧力Pが低圧、例えば圧力P0 =0kgf/cm2 absのときには、圧力検出器の組み付けにより出力V0 に5.2mv(組み付け前の出力16.66mv、組み付け後の出力21.86mv)以上の大きな変動が表れると共に、温度特性ZTC(%FS/℃)の値も0.162〜0.719のように大きく変動する。即ち、出力の点からは測定値のバラツキが大き過ぎるうえ、温度特性の点でも補償可能な範囲外の大きな変動となり、圧力検出器としての実用化に問題がある。 However, when the pressure P applied to the diaphragm 3 is low, for example, the pressure P 0 = 0 kgf / cm 2 abs, the output V 0 is 5.2 mv (the output before the assembly, the output after the assembly is 16.66 mv) by the assembly of the pressure detector. 21.86 mv) or more, and the value of the temperature characteristic ZTC (% FS / ° C.) also greatly fluctuates as 0.162 to 0.719. That is, from the point of output, the variation of the measured value is too large, and the temperature characteristic also has a large fluctuation outside the range that can be compensated, and there is a problem in practical use as a pressure detector.

 これに対して、ダイヤフラムベース4の外周縁部の形態を図10の如き形態とし、図13に示すように、ダイヤフラムベース4の本体部外周面4dとメタルガスケット17の内周面17dとを非接触の状態として締付け固定した場合には、圧力P0 =0kgf/cm2 absに於ける組み付け前・後の出力変動量△V0 を±約3.5mv以下に引下げることができる。同様に、温度特性ZTC(%FS/℃)の方も0.052〜0.259の範囲内の値となり、現実の管路等へ当該圧力検出器を組み付けても、所定の校正操作により十分実用化に対応することができる。 On the other hand, the outer peripheral edge of the diaphragm base 4 is configured as shown in FIG. 10, and as shown in FIG. 13, the outer peripheral surface 4d of the main body of the diaphragm base 4 and the inner peripheral surface 17d of the metal gasket 17 are not formed. When tightened and fixed as a contact state, the output fluctuation amount ΔV 0 before and after assembling at a pressure P 0 = 0 kgf / cm 2 abs can be reduced to ± 3.5 mv or less. Similarly, the value of the temperature characteristic ZTC (% FS / ° C.) is also in the range of 0.052 to 0.259, and even if the pressure detector is attached to an actual pipeline or the like, it can be sufficiently performed by a predetermined calibration operation. It can respond to practical use.

 尚、図12及び図13の圧力検出器の取付け構造に於いて、組み付け前後の出力変動量△V0 が小さくなるのは、ダイヤフラムベース4に設けた鍔部4aの下面4cと、ダイヤフラムベース4の厚肉(約2mm)の本体部4bの外周面4dとの間にガスケット17が配設されており、且つガスケット17の内周面17dと本体部4bの外周面4dとは非接触の状態となっているため、センサー押え部材13によって下方向の押圧力がセンサーベース1及びダイヤフラムベース4を介してガスケット17にかかっても、ガスケット17の上・下方向の反力は全てダイヤフラムベース4の鍔部4aによって受け止められ、ダイヤフラムベース4の本体部4bに一体的に形成したダイヤフラム3には、締め込み時の歪み応力が殆どかからないからである。 In the pressure detector mounting structure of FIGS. 12 and 13, the output fluctuation amount ΔV 0 before and after assembling is reduced by the lower surface 4 c of the flange 4 a provided on the diaphragm base 4 and the diaphragm base 4. The gasket 17 is disposed between the outer peripheral surface 4d of the thick (about 2 mm) main body 4b, and the inner peripheral surface 17d of the gasket 17 is not in contact with the outer peripheral surface 4d of the main body 4b. Therefore, even if a downward pressing force is applied to the gasket 17 via the sensor base 1 and the diaphragm base 4 by the sensor pressing member 13, all the upward and downward reaction forces of the gasket 17 are applied to the diaphragm base 4. Because the diaphragm 3 received by the flange portion 4a and formed integrally with the main body portion 4b of the diaphragm base 4 hardly receives strain stress at the time of tightening. That.

 しかし、前記圧力検出器の組み付け前後の出力変動量△V0 や温度特性ZTC(%FS/℃)等は小さいほど好都合であり、前記図13の如き構造の組み付けに於いても、未だ出力変動量△V0 が大き過ぎると云う難点がある。
特開平10−82707号公報 特開平11−211593号公報
However, the smaller the output fluctuation ΔV 0 and the temperature characteristic ZTC (% FS / ° C.) before and after assembling the pressure detector, it is more advantageous. Even in the case of assembling the structure as shown in FIG. The disadvantage is that the quantity ΔV 0 is too large.
JP-A-10-82707 Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-211593

 本発明は、前記特開平10−82707号や特開平11−211593号に開示した図9〜図13に示す如き構成のダイヤフラム型圧力検出器を、実際に配管路等へ適用した場合に於ける上述の如き問題、即ち圧力検出器を圧力検出器取付具本体へ組み込みした場合に生ずるダイヤフラムの応力歪みのバラツキにより、出力や温度特性に大きな変動が生じて圧力測定器の測定精度が低下すると云う問題を解決せんとするものであり、圧力検出器取付具本体への圧力検出器の取付け構造に改良を加えることにより、取付具本体へ圧力検出器を固定した場合に於いても、出力や温度特性がフリーの状態下に於ける出力や温度特性と殆んど差異を生せず、しかも流体通路のデッドスペースの増加を招くことなしに圧力検出器を配管路等へ適用できるようにすることを、発明の主たる目的とするものである。 The present invention relates to a case where the diaphragm type pressure detector having the configuration as shown in FIGS. 9 to 13 disclosed in the above-mentioned JP-A-10-82707 and JP-A-11-212593 is actually applied to a pipe line or the like. It is said that the above-mentioned problem, that is, the variation in the stress and strain of the diaphragm caused when the pressure detector is incorporated into the pressure detector mounting body causes large fluctuations in the output and temperature characteristics, thereby lowering the measurement accuracy of the pressure measurement device. In order to solve the problem, by improving the mounting structure of the pressure detector to the pressure detector mounting body, even when the pressure detector is fixed to the mounting body, the output and temperature The pressure detector can be applied to piping, etc., with little difference from the output and temperature characteristics under the free condition, and without increasing the dead space of the fluid passage. That way, it is an primary object of the invention.

 請求項1の発明は、ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベースと、前記ダイヤフラムベースの変位により作動するセンサー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着して成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした取付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、上方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器を気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け構造に於いて、前記ダイヤフラムベース4のダイヤフラム側とは反対側である本体部上面4eに押え部材12を、また、ダイヤフラムベース4のダイヤフラム側である本体部下面4fにガスケット17を夫々接当させると共に、前記本体部上面4eの押え部材12との接当部の内側位置にリング状に浅溝18aを、また、前記本体部下面4fのガスケット17との接当部の内側位置にリング状に浅溝18bを夫々上下方向に対向させて形成し、更に、前記両浅溝18a、18bの溝の深さ寸法を同等にすると共に両浅溝18a、18bの溝の深さ寸法の合計をダイヤフラムベース4の厚み寸法の1/4〜2/3とし、押え部材12による押圧により生じた歪を両浅溝18a、18bにより吸収する構成としたことを、発明の基本構成とするものである。 According to the first aspect of the present invention, a pressure detector formed by combining and fixing a diaphragm base having a diaphragm and a sensor base having a built-in sensor element operated by displacement of the diaphragm base is attached to a pipeline or a mechanical device. A pressure detector mounting structure in which a gasket is inserted into the insertion hole of the mounting body, and the pressure detector is air-tightly pressed and fixed by a holding member inserted into the insertion hole from above. At the same time, the pressing member 12 is brought into contact with the upper surface 4e of the main body portion opposite to the diaphragm side of the diaphragm base 4, and the gasket 17 is brought into contact with the lower surface 4f of the main body portion which is the diaphragm side of the diaphragm base 4, respectively. A shallow groove 18a is formed in a ring shape at a position inside the contact portion of the upper surface 4e of the main body portion with the pressing member 12, and a groove on the lower surface 4f of the main body portion is formed. A shallow groove 18b is formed in a ring shape at a position inside the contact portion with the socket 17 so as to be opposed to each other in the vertical direction. Further, the depth dimensions of the shallow grooves 18a and 18b are made equal and both shallow grooves 18a and 18b are made equal. The sum of the depths of the grooves 18a and 18b is set to 1/4 to 2/3 of the thickness of the diaphragm base 4, and the shallow grooves 18a and 18b absorb the strain caused by the pressing by the pressing member 12. This is the basic configuration of the invention.

 請求項1の発明に於いては、ダイヤフラム4の本体部上面及び下面の内側部分に浅溝18a・18bを対向状に形成し、押え部材12による圧力検出器の締付け固定時に発生する歪力を前記浅溝18a・18bにより吸収する構成としているため、ダイヤフラム3に生ずる応力歪が一層低減されることになり、締付け固定の前・後に於ける測定値の変動量が大幅に減少する。 According to the first aspect of the present invention, the shallow grooves 18a and 18b are formed in opposing shapes on the inner surfaces of the upper surface and the lower surface of the main body of the diaphragm 4, and the strain generated when the pressure detector is tightened and fixed by the pressing member 12 is reduced. Since the structure is configured to absorb the light by the shallow grooves 18a and 18b, the stress distortion generated in the diaphragm 3 is further reduced, and the fluctuation amount of the measured value before and after the fastening is significantly reduced.

 以下、図面に基づいて本発明の各実施形態を説明する。
 図1は本発明の第1実施形態に係る圧力検出器の断面概要図であり、図2は第1実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。
 尚、以下の説明に於いて、前記図9乃至図13に於いて使用した部材と同じ部材には、これと同一の参照番号を使用するものとする。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a pressure detector according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a mounting structure of the pressure detector according to the first embodiment.
In the following description, the same members as those used in FIGS. 9 to 13 are denoted by the same reference numerals.

 図1乃至図2に於いて、1はセンサーベース、2はセンサーチップ、3はダイヤフラム、4はダイヤフラムベース、5は圧力伝達用媒体、7はリードピン、8は溶接部、10は取付具本体、12は押え部材、14はベアリング、15は固定具、17はメタルガスケットである。
 前記センサーベース1はステンレス鋼から厚円盤状に形成されており、下面中央にはチップ収納部1cが形成されており、更にオイル注入孔1d及びリードピン貫挿孔(図示省略)が形成されている。
 また、前記センサーチップ(感圧素子)には、公知の拡散形半導体圧力トランスジューサが使用されている。即ち、センサーチップ2は圧力を受けると変形をするダイヤフラム構造を有しており、これにICと同じ製法で4本の抵抗体が形成されていて、ブリッジ状に接続された4本の抵抗の抵抗値が加圧によって変化することにより、圧力に比例した電圧信号がブリッジの出力端に出力される。
1 and 2, 1 is a sensor base, 2 is a sensor chip, 3 is a diaphragm, 4 is a diaphragm base, 5 is a pressure transmitting medium, 7 is a lead pin, 8 is a welded portion, 10 is a mounting body, 12 is a holding member, 14 is a bearing, 15 is a fixture, and 17 is a metal gasket.
The sensor base 1 is formed in a thick disk shape from stainless steel, a chip storage portion 1c is formed in the center of the lower surface, and an oil injection hole 1d and a lead pin insertion hole (not shown) are formed. .
In addition, a known diffusion type semiconductor pressure transducer is used for the sensor chip (pressure-sensitive element). That is, the sensor chip 2 has a diaphragm structure that deforms when subjected to pressure, in which four resistors are formed by the same manufacturing method as the IC, and four resistors connected in a bridge shape are formed. When the resistance value changes by pressurization, a voltage signal proportional to the pressure is output to the output terminal of the bridge.

 前記ダイヤフラム3はダイヤフラムベース4と一体的に形成されており、ステンレス鋼を用いて厚さ約50μm、内径約10mmφに形成されている。当該ダイヤフラム3の厚さは検出器の検出圧力範囲に応じて適宜に変るものであり、数torrから7kgf/cm2 の絶対圧力値の測定を目的とする本実施形態の圧力検出器では、φ=10mmのダイヤフラム3の厚さを50μm程度とするのが望ましい。
 尚、ダイヤフラム3をダイヤフラムベース4と別に形成し、両者を溶接により一体化することも可能である。
 また、当該ダイヤフラム3の接ガス面には、公知の方法により所謂不働態膜の形成処理が施されており、接ガス面の外表層部には厚さ約200Åの略100%酸化クロムから成る不働態膜又は厚さ約1000〜3000Åの弗化不働態膜若しくは厚さ約200Åの主としてアルミニウム酸化物とクロム酸化物の混合酸化不働態膜が形成されている。
The diaphragm 3 is formed integrally with the diaphragm base 4 and is formed using stainless steel to a thickness of about 50 μm and an inner diameter of about 10 mmφ. The thickness of the diaphragm 3 is appropriately changed according to the detection pressure range of the detector. In the pressure detector of the present embodiment for measuring an absolute pressure value of several torr to 7 kgf / cm 2 , φ It is desirable to set the thickness of the diaphragm 3 of about 10 mm to about 50 μm.
In addition, it is also possible to form the diaphragm 3 separately from the diaphragm base 4 and integrate them by welding.
The gas contact surface of the diaphragm 3 is subjected to a so-called passivation film forming process by a known method, and the outer surface of the gas contact surface is made of approximately 100% chromium oxide having a thickness of about 200 °. A passivation film or a fluoridation passivation film having a thickness of about 1000 to 3000 ° or a mixed oxidation passivation film mainly composed of aluminum oxide and chromium oxide having a thickness of about 200 ° is formed.

 前記圧力伝達用媒体であるシリコンオイル5はダイヤフラム3に加わった圧力10をセンサーチップ2へ伝達する。尚、ここでは温度膨張係数や圧縮係数が小さく且つ化学的にも安定したシリコンオイルが使用されている。
 前記封止用ボール6は、オイル注入孔1d内のシリコンオイル5を密封するためのものであり、ここでは軸受鋼のボール6が使用されている。
 上記ダイヤフラム型圧力検出器の構成そのものは公知であるため、ここではその詳細な説明は省略する。
The silicone oil 5 serving as the pressure transmitting medium transmits the pressure 10 applied to the diaphragm 3 to the sensor chip 2. Here, a silicone oil having a small temperature expansion coefficient and a small compression coefficient and being chemically stable is used.
The sealing ball 6 is for sealing the silicone oil 5 in the oil injection hole 1d, and here, a ball 6 made of bearing steel is used.
Since the configuration of the diaphragm type pressure detector itself is known, a detailed description thereof is omitted here.

 本発明で使用するダイヤフラム型圧に於いては、図1に示すように、ダイヤフラムベース4の本体部4bの上面4eと下面4fとに所謂歪み逃し用の浅溝18a、18bがリング状に形成されている。
 即ち、当該浅溝18a、18bは、押え部材12及びメタルガスケット17の接当部分よりも内側位置に夫々リング状に形成されている。また、両浅溝18a,18bの断面形状はV字形(逆V形)又はU字形(逆U字形)に、またその深さは、ダイヤフラムベース4の厚みが1.5〜2.5mmの場合、約0.3〜0.5mmに選定されている。
In the diaphragm type pressure used in the present invention, as shown in FIG. 1, shallow grooves 18a and 18b for so-called strain relief are formed in a ring shape on the upper surface 4e and the lower surface 4f of the main body 4b of the diaphragm base 4. Have been.
That is, the shallow grooves 18a and 18b are formed in a ring shape at positions inside the contact portions of the pressing member 12 and the metal gasket 17, respectively. The cross-sectional shape of both shallow grooves 18a and 18b is V-shaped (inverted V-shaped) or U-shaped (inverted U-shaped), and the depth thereof is when the thickness of the diaphragm base 4 is 1.5 to 2.5 mm. , About 0.3 to 0.5 mm.

 尚、両浅溝18a,18bの深さ寸法は、図1及び図2に示すようにほぼ同じ深さ寸法で上下方向に対向状に形成されているが、両浅溝18a,18bは必ずしも同じ深さ寸法である必要は無い。同様に、両浅溝18a,18bは必ずしも一直線上に形成されている必要はなく、両者の形成位置が図1及び図2の位置より左右方向へ相互に若干ずれていても良いことは勿論である。
 また、ダイヤフラムベース4の厚み寸法が1.5mmのとき、溝の深さ寸法を0.3mmとすると、溝の深さ寸法の合計がダイヤフラムベース4の厚さ寸法に占める割合は0.3×2/1.5=2/5となり、溝の深さ寸法が0.5mmであれば0.5×2/1.5=2/3となる。
 同様にダイヤフラムベース4の厚み寸法が2.5mmのときには、上記各値は0.3×
2/2.5≒1/4及び0.5×2/2.5=2/5となる。
 即ち、溝の深さ寸法の合計が、ダイヤフラムベース4の厚さ寸法の約1/4〜2/3を占める深さ寸法であれば、後述するようにダイヤフラムにかかる応力は十分に吸収され、しかもダイヤフラムベース4は、必要な機械的強度を保持できることになる。
The depths of the shallow grooves 18a and 18b are substantially the same as shown in FIGS. 1 and 2, and are formed to be vertically opposed to each other, but the two shallow grooves 18a and 18b are not necessarily the same. It need not be a depth dimension. Similarly, the shallow grooves 18a and 18b do not necessarily have to be formed on a straight line, and the formation positions of both may be slightly shifted in the left-right direction from the positions shown in FIGS. is there.
When the thickness of the diaphragm base 4 is 1.5 mm and the depth of the groove is 0.3 mm, the ratio of the total depth of the groove to the thickness of the diaphragm base 4 is 0.3 × 2 / 1.5 = 2/5, and 0.5 × 2 / 1.5 = 2/3 if the depth of the groove is 0.5 mm.
Similarly, when the thickness of the diaphragm base 4 is 2.5 mm, the above values are 0.3 ×
2 / 2.5 ≒ 1/4 and 0.5 × 2 / 2.5 = 2/5.
That is, if the total depth of the grooves is a depth occupying about 1/4 to 2/3 of the thickness of the diaphragm base 4, the stress applied to the diaphragm is sufficiently absorbed as described later, In addition, the diaphragm base 4 can maintain necessary mechanical strength.

 図2に於いて、固定具15が締め込まれると、押え部材12及びメタルガスケット17を介してダイヤフラムベース4の本体部4bの外側部分に上・下方向の圧縮力(上・下方向の反力)が掛かる。万一、固定具15の締め込み時に、このダイヤフラムベース4の本体部4bにかかる上・下方向の圧縮力が原因となって、ダイヤフラム3に歪力(例えば、上・下方向の圧縮力の分力が生じて、これがダイヤフラム3に掛ったような場合)が加わる場合でも、前記ダイヤフラムベース4の本体部上面4e及び本体部下面4fに対向状に設けた浅溝18a、18bによりこの部分Pの肉厚が薄くなっているため、歪力による変位は前記薄肉部Pの近傍に於いて吸収される。これにより、歪力が直接にダイヤフラム3へ伝達されなくなり、結果としてダイヤフラム3に歪みが生ずるのが防止されることになる。 In FIG. 2, when the fixing device 15 is tightened, an upward / downward compressive force (upward / downward reaction) is applied to the outer portion of the main body 4 b of the diaphragm base 4 via the holding member 12 and the metal gasket 17. Force). In the event that the fixing device 15 is tightened, the upward / downward compressive force applied to the main body portion 4b of the diaphragm base 4 causes a strain force (for example, an upward / downward compressive force) on the diaphragm 3. Even when a component force is generated and applied to the diaphragm 3), this portion P is formed by the shallow grooves 18a and 18b provided in the main body upper surface 4e and the main body lower surface 4f of the diaphragm base 4 so as to face each other. Is thin, the displacement due to the strain force is absorbed in the vicinity of the thin portion P. As a result, the distortion force is not directly transmitted to the diaphragm 3, and as a result, distortion of the diaphragm 3 is prevented.

 図3及び図4は、本発明に関連する発明の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図及びその取付構造を示す部分拡大断面図である。
 当該実施形態に於いては、センサーベース1とダイヤフラムベース4の上方部に夫々鍔部1aと鍔部4aとが形成されており、両鍔部1a、4aを対向せしめた状態でその外周部が溶接8されている。
 又、前記ダイヤフラムベース4は、リング状の本体部4bと鍔部4aとから形成されており、鍔部4aの下面4cが、第4図に示すようにガスケット17の上部接当面17aと当接するシール面になっている。従って、鍔部4aの下面4cは高精度な平滑面に仕上げられている。
3 and 4 are a schematic cross-sectional view of a pressure detector according to an embodiment of the present invention related to the present invention, and a partially enlarged cross-sectional view showing a mounting structure thereof.
In this embodiment, a flange portion 1a and a flange portion 4a are formed above the sensor base 1 and the diaphragm base 4, respectively, and the outer peripheral portions are formed in a state where the both flange portions 1a and 4a face each other. Welded 8.
The diaphragm base 4 is formed of a ring-shaped main body 4b and a flange 4a, and the lower surface 4c of the flange 4a contacts the upper contact surface 17a of the gasket 17 as shown in FIG. It has a sealing surface. Therefore, the lower surface 4c of the flange 4a is finished to a highly accurate smooth surface.

 更に、本実施形態に於いては、ダイヤフラムベース4の直径が13mmφ、ダイヤフラム受圧面の直径11mmφ、ダイヤフラム3の厚さ0.06mm、不働態膜が厚さ約200Åの酸化クロム皮膜、全厚さ4mm、リードピン7本(内1本はアース極)に夫々選定されており、入力回路(図示省略)へはDC1.5mAが印加され、センサー素子(センサーチップ)に加わる圧力が変化することにより、センサーチップより形成した4ケの抵抗値が変わり、出力端子間の出力電圧Vが変化する。 Further, in the present embodiment, the diameter of the diaphragm base 4 is 13 mmφ, the diameter of the diaphragm pressure receiving surface is 11 mmφ, the thickness of the diaphragm 3 is 0.06 mm, the passive film is a chromium oxide film having a thickness of about 200 mm, and the total thickness is 4 mm and 7 lead pins (one of them is a ground electrode) are selected, and 1.5 mA DC is applied to an input circuit (not shown), and the pressure applied to the sensor element (sensor chip) changes. The four resistance values formed from the sensor chip change, and the output voltage V between the output terminals changes.

 本実施形態で用いる圧力検出器に於いては、図3に示すようにセンサーベース1の鍔部上面1bの内側寄り位置と、ダイヤフラムベース4の鍔部下面4cの内側寄り位置に夫々浅溝18c、18dが形成されており、前者の浅溝18cの断面形状は皿形に、また後者の浅溝18dは逆U字形(又は逆V字形)に形成されている。 In the pressure detector used in the present embodiment, as shown in FIG. 3, shallow grooves 18c are respectively provided at a position closer to the inside of the upper surface 1b of the flange portion of the sensor base 1 and a position closer to the inside of the lower surface 4c of the flange portion of the diaphragm base 4. , 18d are formed, the cross-sectional shape of the former shallow groove 18c is formed in a dish shape, and the latter shallow groove 18d is formed in an inverted U-shaped (or inverted V-shaped).

 この実施形態に於いては、図4に示すように、ステンレス製の取付具本体11の挿着孔11a内へメタルガスケット17及び圧力検出器を挿入し、固定具16により押え部材13を介してセンサーベース1の鍔部上面1bを押圧することにより、メタルガスケット17を介して圧力検出器が気密状に取り付けされる。 In this embodiment, as shown in FIG. 4, a metal gasket 17 and a pressure detector are inserted into an insertion hole 11 a of a stainless-steel mounting body 11, and the fixing tool 16 interposes a pressing member 13. By pressing the flange upper surface 1 b of the sensor base 1, the pressure detector is airtightly attached via the metal gasket 17.

 取付具本体11の上部中央には円筒形の検出器挿着孔11aが形成されており、また、この挿着孔11aの底部は第1段部19と第2段部20の2段に亘って縮径されており、第1段部19の周壁面19aが押え部材13のガイド面となっている。また、第2段部20の周壁面20aは、ガスケット17の外周面17cに、水平面19bはガスケット17の下部接当面17bに夫々接しており、周壁面20aと水平面20bによりガスケット17の嵌合部が形成されている。
 尚、第2段部20の水平面20bの内側部分はテーパー部21に形成されており、また挿入孔11aの底面の中央には、流体通路22が穿設されている。
A cylindrical detector insertion hole 11a is formed in the upper center of the mounting body 11, and the bottom of the insertion hole 11a extends over two steps of a first step 19 and a second step 20. The peripheral wall surface 19 a of the first step portion 19 serves as a guide surface for the pressing member 13. Further, the peripheral wall surface 20a of the second step portion 20 is in contact with the outer peripheral surface 17c of the gasket 17, the horizontal plane 19b is in contact with the lower contact surface 17b of the gasket 17, and the peripheral wall surface 20a and the horizontal plane 20b are in engagement with each other. Is formed.
The inside of the horizontal surface 20b of the second step portion 20 is formed in a tapered portion 21, and a fluid passage 22 is formed in the center of the bottom surface of the insertion hole 11a.

 前記ガスケット17はリング状を呈しており、そのシート部の断面形状は矩形の四隅部を面取りした横長の四角形に形成されている。
 当該ガスケット17の内周面17dは前記ダイヤフラムベース4の本体部4bの外周面4dと非接触の状態となっている。また、ガスケット17の上部接当面17aはダイヤフラムベース4の鍔部4aの下面4cへ接当している。更に、ガスケット17の外周面17cは第2段部20の周壁面20aへ接触した状態となっている。即ち、ダイヤフラムベース4の鍔部下面4cと第2段部20の周壁面20aと水平面20bとでガスケット17の嵌合部が形成されており、検出器挿着孔11aの第2段部20の周壁面20aと鍔部本体部の外周面4dとの間隔長さは、ガスケット17の横幅長さとほぼ同じか、又は僅かに大きな長さに設定されている。
The gasket 17 has a ring shape, and the cross-sectional shape of the sheet portion is formed in a horizontally long rectangle with four chamfered rectangular corners.
The inner peripheral surface 17d of the gasket 17 is not in contact with the outer peripheral surface 4d of the main body 4b of the diaphragm base 4. The upper contact surface 17a of the gasket 17 contacts the lower surface 4c of the flange 4a of the diaphragm base 4. Further, the outer peripheral surface 17c of the gasket 17 is in contact with the peripheral wall surface 20a of the second step portion 20. That is, the fitting portion of the gasket 17 is formed by the flange lower surface 4c of the diaphragm base 4, the peripheral wall surface 20a of the second step portion 20, and the horizontal surface 20b, and the second step portion 20 of the detector insertion hole 11a is formed. The distance between the peripheral wall surface 20a and the outer peripheral surface 4d of the flange main body is set to be substantially the same as or slightly larger than the lateral width of the gasket 17.

 尚、図4に於いては、ガスケット17は外径14.7mmφ、内径13.0mm、シート部の横幅1.5mm、シート部の厚さ(高さ)0.9mm、シート部の接当面17a・17bの横幅0.8mmに夫々形成されており、またガスケット17の材質としてはSUS316L−P(wメルト)が使用されている。 In FIG. 4, the gasket 17 has an outer diameter of 14.7 mm, an inner diameter of 13.0 mm, a width of the sheet portion of 1.5 mm, a thickness (height) of the sheet portion of 0.9 mm, and a contact surface 17a of the sheet portion. -Each of the gaskets 17 is formed of SUS316L-P (w melt) as the material of the gasket 17.

 前記浅溝18c・18dの作用は図2に示した第1実施例の場合と同様であり、押え部材13を介して加えられた上・下方向の圧縮力(反力)によって生ずる歪力を両浅溝18c・18d及び両者の間の薄肉部Pで吸収することにより、ダイヤフラム3へ直接に歪力が加わるのが防止される。 The action of the shallow grooves 18c and 18d is the same as that of the first embodiment shown in FIG. 2, and the strain force generated by the upward / downward compressive force (reaction force) applied via the pressing member 13 is reduced. Absorption by the shallow grooves 18c and 18d and the thin portion P between them prevents direct application of strain to the diaphragm 3.

 図5及び図6は、本発明に関連する発明の他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図及び取付構造を示す部分拡大断面図である。
 当該実施形態に於いては、ダイヤフラム3とダイヤフラムベース4とが別個に形成されており、溶接部23を設けることにより両者が一体化されている。
 また、当該実施形態に於いては、ダイヤフラムベース4の下面側にシール面4gが、ダイヤフラム3より下方位置まで突出せしめた状態(即ち、ダイヤフラムベース4の本体部下面4fより下方へ突出せしめた状態)で形成されており、この突出せしめたシール面4gより上方のダイヤフラム取付レベルとほぼ水平な高さ位置に、断面U字形(又はV字形)の浅溝18g・18hが対向状に形成されている。
 更に、センサーベース1の鍔部上面1bの内側寄り及びダイヤフラムベース4の本体部下面4fの中間位置には夫々断面U字形(又はV字形)の浅溝18e・18fが形成されている。
5 and 6 are a schematic cross-sectional view and a partially enlarged cross-sectional view showing a mounting structure of a pressure detector according to another embodiment of the present invention related to the present invention.
In this embodiment, the diaphragm 3 and the diaphragm base 4 are separately formed, and the two are integrated by providing a welded portion 23.
Further, in the present embodiment, a state in which the sealing surface 4g protrudes to a position below the diaphragm 3 on the lower surface side of the diaphragm base 4 (that is, a state in which the sealing surface 4g protrudes below the lower surface 4f of the main body portion of the diaphragm base 4). ), And shallow grooves 18g and 18h having a U-shaped (or V-shaped) cross section are formed facing each other at a height level substantially horizontal to the diaphragm mounting level above the projecting sealing surface 4g. I have.
Further, shallow grooves 18e and 18f each having a U-shaped (or V-shaped) cross section are formed near the inner side of the upper surface 1b of the flange portion of the sensor base 1 and at an intermediate position between the lower surface 4f of the main body portion of the diaphragm base 4.

 当該実施形態に於いては、前記浅溝18e・18fによっても、押え部材13を介してダイヤフラムベース4にかかる上・下方向の押圧力によって生ずる歪力が吸収され、固定具16の締め込み時にダイヤフラム3に直接かかる歪力の影響がより少なくなる。 In the present embodiment, the shallow grooves 18e and 18f also absorb the strain generated by the upward / downward pressing force applied to the diaphragm base 4 via the pressing member 13, and when the fixing tool 16 is tightened. The effect of the strain force directly applied to the diaphragm 3 is further reduced.

 図7及び図8は、本発明に関連する発明の更に他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図と要部を示す部分拡大断面図である。
 当該実施形態に係る圧力検出器の構造並びにその取付構造は、前記図5及び図6に示した実施形態の場合と基本的に同一であるが、円盤状のセンサーベース1の鍔部1aの外周部分24及びダイヤフラムベース4の外周部分25(図7及び図8の点線の外側部分)が、硬化処理を施した高硬度な部分に形成されている。
7 and 8 are a schematic cross-sectional view and a partially enlarged cross-sectional view illustrating a main part of a pressure detector according to still another embodiment of the present invention related to the present invention.
The structure of the pressure detector according to this embodiment and the mounting structure thereof are basically the same as those of the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, but the outer periphery of the flange 1a of the disc-shaped sensor base 1. The part 24 and the outer peripheral part 25 of the diaphragm base 4 (the part outside the dotted line in FIGS. 7 and 8) are formed as hardened parts having high hardness.

 センサーベース1及びダイヤフラムベース4の外側部分を高硬度の材質とすることにより、押え部材13による締め込み時に上・下方向に加わる圧縮力によって生ずる半径方向の歪力そのものがより小さくなると共に、浅溝18e〜18fによって歪力が吸収されるため、ダイヤフラム3の歪みそのものが一層抑制されることになる。
 尚、硬化部分24・25を形成した構成は、前記図3及び図4に示した圧力検出器にも適用できることは勿論である。
Since the outer portions of the sensor base 1 and the diaphragm base 4 are made of a material of high hardness, the radial strain force itself caused by the compressive force applied upward and downward when tightened by the pressing member 13 becomes smaller, Since the strain force is absorbed by the grooves 18e to 18f, the distortion itself of the diaphragm 3 is further suppressed.
The configuration in which the cured portions 24 and 25 are formed can be applied to the pressure detector shown in FIGS. 3 and 4 as a matter of course.

 前記図3及び図4の実施形態に係る圧力検出器及びその取付構造を用いた試験によれば、圧力P0 =0kgf/cm2 ・absに於ける組み付け前後の出力変動量△V0 が約±1.0mv以下となり、従前の場合よりも約60〜70%程度出力変動量△V0 を減少させることができる。
 同様に、図5及び図6の実施形態の場合には、前記出力変動量△V0 が約±1.0mv以下に減少させることができる。
 また、図7及び図8の実施形態の場合には、上記第3実施形態の場合よりもより一層出力変動量△V0 を減少させ得ることが判明している。
According to the test using the pressure detector and the mounting structure according to the embodiment of FIGS. 3 and 4, the output fluctuation amount ΔV 0 before and after the assembly at the pressure P 0 = 0 kgf / cm 2 · abs is about It becomes ± 1.0 mv or less, and the output fluctuation amount ΔV 0 can be reduced by about 60 to 70% as compared with the conventional case.
Similarly, in the case of the embodiments of FIGS. 5 and 6, the output fluctuation amount ΔV 0 can be reduced to about ± 1.0 mv or less.
In addition, it has been found that the output fluctuation amount ΔV 0 can be further reduced in the case of the embodiment of FIGS. 7 and 8 than in the case of the third embodiment.

本発明の第1実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the pressure detector according to the first embodiment of the present invention. 第1実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。It is a partial expanded sectional view showing the mounting structure of the pressure detector concerning a 1st embodiment. 本発明に関連する発明の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。1 is a schematic cross-sectional view of a pressure detector according to an embodiment of the present invention related to the present invention. 図3の実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a mounting structure of a pressure detector according to the embodiment of FIG. 3. 本発明に関連する発明の他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a pressure detector according to another embodiment of the present invention related to the present invention. 図5の実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。FIG. 6 is a partially enlarged sectional view showing a mounting structure of the pressure detector according to the embodiment of FIG. 5. 本発明に関連する発明の更に他の実施形態に係る圧力検出器の断面概要図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a pressure detector according to still another embodiment of the present invention related to the present invention. 図7の実施形態に係る圧力検出器の取付構造を示す部分拡大断面図である。FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a mounting structure of the pressure detector according to the embodiment of FIG. 7. 従前の圧力検出器の構造の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing an example of the structure of the conventional pressure detector. 従前の圧力検出器の構造の他の例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other example of the structure of the conventional pressure detector. 従前の図9に係る圧力検出器の取付け構造を示す縦断面図である。FIG. 10 is a longitudinal sectional view showing a mounting structure of the conventional pressure detector according to FIG. 9. 従前の図10に係る圧力検出器の取付け構造を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the mounting structure of the conventional pressure detector shown in FIG. 図12のA部の拡大断面図である。It is an expanded sectional view of the A section of FIG.

符号の説明Explanation of reference numerals

 1はセンサーベース、1aは鍔部、1bは鍔部上面、1cはチップ収納部、1dはオイル注入孔、2はセンサーチップ、3はダイヤフラム、4はダイヤフラムベース、4aは鍔部、4bは本体部、4cは鍔部下面、4dは本体部外周面、4eは本体部上面、4fは本体部下面、4gはシール面、5は圧力伝達用媒体、6は封止用ボール、7はリードピン、8は溶接部、10は流体圧、11は取付具本体、11aは挿着孔、12・13は押え部材、14はベアリング、15は固定具、17はメタルガスケット、17aは上部接当面、17bは下部接当面、17cはガスケット外周面、17dはガスケット内周面、18a・18bは浅溝、18c・18dは浅溝、18e・18fは浅溝、18g・18hは浅溝、19は第1段部、20は第2段部、21はテーパー部、22は流体通路、23は溶接部、24は硬化部分(センサーベース)、25は硬化部分(ダイヤフラムベース)。 1 is a sensor base, 1a is a flange portion, 1b is a flange upper surface, 1c is a chip storage portion, 1d is an oil injection hole, 2 is a sensor chip, 3 is a diaphragm, 4 is a diaphragm base, 4a is a flange portion, and 4b is a main body. , 4c is a flange lower surface, 4d is a main body outer peripheral surface, 4e is a main body upper surface, 4f is a main body lower surface, 4g is a sealing surface, 5 is a pressure transmitting medium, 6 is a sealing ball, 7 is a lead pin, 8 is a welded part, 10 is a fluid pressure, 11 is a fixture body, 11a is an insertion hole, 12 and 13 are holding members, 14 is a bearing, 15 is a fixture, 17 is a metal gasket, 17a is an upper contact surface, 17b Is a lower contact surface, 17c is a gasket outer peripheral surface, 17d is a gasket inner peripheral surface, 18a and 18b are shallow grooves, 18c and 18d are shallow grooves, 18e and 18f are shallow grooves, 18g and 18h are shallow grooves, and 19 is a first groove. Step, 20 is the second step , 21 taper portion, 22 the fluid passage, 23 weld 24 cured portion (sensor-based), 25 cured portion (diaphragm base).

Claims (1)

 ダイヤフラムを備えたダイヤフラムベースと、前記ダイヤフラムベースの変位により作動するセンサー素子を内蔵したセンサーベースとを組み合せ固着して成る圧力検出器を、配管路や機械装置に取付けした取付具本体の挿着孔内へガスケットを介設して挿着し、上方より挿着孔内へ挿入した押え部材により圧力検出器を気密状に押圧固定するようにした圧力検出器の取付け構造に於いて、前記ダイヤフラムベース(4)のダイヤフラム側とは反対側である本体部上面(4e)に押え部材(12)を、また、ダイヤフラムベース(4)のダイヤフラム側である本体部下面(4f)にガスケット(17)を夫々接当させると共に、前記本体部上面(4e)の押え部材(12)との接当部の内側位置にリング状に浅溝(18a)を、また、前記本体部下面(4f)のガスケット(17)との接当部の内側位置にリング状に浅溝(18b)を夫々上下方向に対向させて形成し、更に、前記両浅溝(18a)、(18b)の溝の深さ寸法を同等にすると共に両浅溝(18a)、(18b)の溝の深さ寸法の合計をダイヤフラムベース(4)の厚み寸法の1/4〜2/3とし、押え部材(12)による押圧により生じた歪を両浅溝(18a)、(18b)により吸収する構成としたことを特徴とする圧力検出器の取付け構造。 A pressure detector formed by combining and fixing a diaphragm base having a diaphragm and a sensor base having a built-in sensor element actuated by the displacement of the diaphragm base, and an insertion hole of a fixture main body attached to a pipeline or a mechanical device. In the pressure detector mounting structure, the pressure detector is airtightly pressed and fixed by a pressing member inserted into the insertion hole from above with a gasket interposed therebetween. A holding member (12) is provided on the upper surface (4e) of the main body portion opposite to the diaphragm side of (4), and a gasket (17) is provided on a lower surface (4f) of the main body portion on the diaphragm side of the diaphragm base (4). Each of them is brought into contact with each other, and a shallow groove (18a) is formed in a ring shape at a position inside the contact portion of the main body upper surface (4e) with the pressing member (12). A shallow groove (18b) is formed in a ring shape at a position inside the contact portion with the gasket (17) on the lower surface (4f) of the body part so as to be opposed to each other in the vertical direction, and the shallow grooves (18a), ( The depth of the groove of 18b) is made equal, and the total depth of the grooves of both shallow grooves (18a) and (18b) is 1/4 to 2/3 of the thickness of the diaphragm base (4); A structure for mounting a pressure detector, wherein a strain generated by pressing by a holding member (12) is absorbed by both shallow grooves (18a) and (18b).
JP2003330204A 2003-09-22 2003-09-22 Mounting structure of pressure detector Pending JP2004045424A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003330204A JP2004045424A (en) 2003-09-22 2003-09-22 Mounting structure of pressure detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003330204A JP2004045424A (en) 2003-09-22 2003-09-22 Mounting structure of pressure detector

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22236799A Division JP3494594B2 (en) 1999-08-05 1999-08-05 Pressure detector mounting structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004045424A true JP2004045424A (en) 2004-02-12

Family

ID=31712752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003330204A Pending JP2004045424A (en) 2003-09-22 2003-09-22 Mounting structure of pressure detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004045424A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108375428A (en) * 2018-01-04 2018-08-07 南京沃天科技有限公司 A kind of pressure sensor for fixing absolute pressure chip using no plastic structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358731U (en) * 1986-10-06 1988-04-19
JPH0363834U (en) * 1989-10-24 1991-06-21
JPH1082707A (en) * 1996-09-10 1998-03-31 Tadahiro Omi Pressure detector
JPH10300611A (en) * 1997-04-28 1998-11-13 Yamatake:Kk Pressure detector
JP2001050835A (en) * 1999-08-05 2001-02-23 Tadahiro Omi Fixing structure of pressure detector

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6358731U (en) * 1986-10-06 1988-04-19
JPH0363834U (en) * 1989-10-24 1991-06-21
JPH1082707A (en) * 1996-09-10 1998-03-31 Tadahiro Omi Pressure detector
JPH10300611A (en) * 1997-04-28 1998-11-13 Yamatake:Kk Pressure detector
JP2001050835A (en) * 1999-08-05 2001-02-23 Tadahiro Omi Fixing structure of pressure detector

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108375428A (en) * 2018-01-04 2018-08-07 南京沃天科技有限公司 A kind of pressure sensor for fixing absolute pressure chip using no plastic structure
CN108375428B (en) * 2018-01-04 2020-08-28 南京沃天科技有限公司 Pressure sensor adopting adhesive-free structure to fix absolute pressure chip

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100401576B1 (en) Pressure detector mounting structure
KR100258678B1 (en) Pressure detector
JP3502807B2 (en) Pressure sensor
JP5926858B2 (en) Pressure detector mounting structure
KR102552452B1 (en) A hermetic pressure sensor
KR20210034084A (en) Pressure sensor
US20090293628A1 (en) Pressure-sensor apparatus
JP3370593B2 (en) Mounting structure of pressure sensor
JP2014517316A (en) Pressure sensor device for detecting the pressure of a fluid medium in a measurement chamber
JP2004045424A (en) Mounting structure of pressure detector
US20090212899A1 (en) Low Pressure Transducer Using Beam and Diaphragm
JP3158354B2 (en) Pressure detector
JP3220346B2 (en) Pressure sensor and method of manufacturing the same
JP3158353B2 (en) Pressure detector
JP3900351B2 (en) Differential pressure measuring device
JP2004109134A (en) Sensor
JPH0654270B2 (en) Pressure measuring instrument
JP2001215159A (en) Semiconductor pressure sensor
JPH1137874A (en) Pressure detector
JPH0353139A (en) Pressure cell for differential pressure transmitter
JP2003322575A (en) Pressure sensor
JP2009168718A (en) Pressure sensor
JPH07113711A (en) Differential pressure measuring device
JP2006126214A (en) Differential pressure/pressure transmitter

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051202

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060120

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060222