JP2004040050A - Semiconductor-device manufacturing method and apparatus - Google Patents

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JP2004040050A
JP2004040050A JP2002198754A JP2002198754A JP2004040050A JP 2004040050 A JP2004040050 A JP 2004040050A JP 2002198754 A JP2002198754 A JP 2002198754A JP 2002198754 A JP2002198754 A JP 2002198754A JP 2004040050 A JP2004040050 A JP 2004040050A
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Japan
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wafer
tape
dicing
heat
solder sheet
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Yasunari Ukita
浮田　康成
Naotake Watanabe
渡邉　尚威
Ikuo Mori
森　郁夫
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain individually divided chips without making any harmful drain of water and without breaking or damaging chips. <P>SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method has a first transcribing process for disposing a wafer 11 subjected to a full-cut dicing in a dicing process to face a heat-resistant tape 13 to transcribe the wafer 11 from a dicing tape 12 to the heat-resistant tape 13; a pressing process for laminating a solder sheet 14 on the wafer 11 transcribed to the heat-resistant tape 13 to compression-bond the solder sheet 14 to the rear surface of the wafer 11 by subjecting the heat-resistant tape 13, the wafer 11, and the solder sheet 14 to a vacuum heating press, and for cutting the solder sheet 14 in response to the chip size of the diced wafer 11; and a second transcribing process for disposing an adhesive tape 15 to face the cut solder sheet 14 to transcribe the joined body of a solder and the wafer 11 from the heat-resistant tape 13 to the adhesive tape 15. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はパワートランジスタ、パワーＩＣに適用される半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体は、例えば、図５に示すような方法で製造される。即ち、ウエハ１の裏面の全面にハンダ２を蒸着し、この蒸着後、ハンダ２の表面にダイシングテープ３をり付ける。ついで、ウエハ１をハーフカットダイシングし、或いは図示しないがハンダ２までフルカットダイシングする。
【０００３】
ウエハ１をハーフカットダイシングした場合には、ダイシングテープ３を矢印方向にエキスバンドしてウエハ１及びハンダ２をクラッキングする。これにより、裏面にハンダ２が蒸着されたウエハ１がチップサイズに個片化されることになる。
【０００４】
ハンダ２までフルカットダイシングした場合は、そのままチップサイズに個片化されることになる。
【０００５】
このようにして得られたチップ１Ａを、図６に示すように加熱されたリードフレーム６上にマウントすると、ウエハチップ裏面のハンダ２が溶融し、ダイボンディングされる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ウエハ部分のみをダイシングし、ハンダ２をダイシングしないハーフカットダイシングを行った場合には、ウエハ１をチップサイズに個片化するためにクラッキングすると、チップが欠けたり、チップの破片がハンダに付着しダイボンディング時にハンダ中に混入するといった不具合があった。
【０００７】
一方、フルカットダイシングにより、ハンダ２までダイシングする場合には、チップが欠けるといったことはないが、ハンダにＰｂが含有されていると、Ｐｂの排水が出されてしまうという問題がある。Ｐｂ排水は有害で環境面で問題があり、Ｐｂ排水を出す場合には排水処理施設が必要となる。
【０００８】
また、蒸着方式でのハンダ供給では、ウエハ裏面へのハンダの供給に時間がかかってしまうという問題がある。
【０００９】
本発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的は、チップを欠損させたり、有害な排水を流すといったことなく、個片化したチップを得ることができ、しかも、ハンダの供給を短時間で行うことができるようにした半導体の製造方法及び製造装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載のものは、ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング工程と、前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写工程と、前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップサイズに応じて前記ハンダシートを裁断するプレス工程と、前記裁断されたハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写工程とを具備する。
【００１１】
請求項２記載のものは、ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける工程と、前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング工程と、前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写工程と、前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップを前記ハンダシートに食い込ませるプレス工程と、前記ハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写工程と、前記粘着テープをエキスパンドすることにより前記ハンダシートをクラッキングしてチップサイズに個片化するクラッキング工程とを具備する。
【００１２】
請求項３に記載のものは、ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける貼付手段と、前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング手段と、前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写手段と、前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップサイズに応じて前記ハンダシートを裁断するプレス手段と、前記裁断されたハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写手段とを具備する。
【００１３】
請求項４記載のものは、ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける貼付手段と、前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング手段と、前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写手段と、前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップを前記ハンダシートに食い込ませるプレス手段と、前記ハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写手段と、前記粘着テープをエキスパンドすることにより前記ハンダシートをクラッキングしてチップサイズに個片化するクラッキング手段とを具備する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示す実施の形態を参照して説明する。
【００１５】
図１は本発明の一実施の形態である半導体の製造装置の構成を示すブロック図である。
【００１６】
図中Ａは、ウエハをダイシングテープに貼り付ける貼付部（貼付手段）で、Ｂはダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング部（ダイシング手段）である。図中Ｃはダイシングされたウエハに耐熱粘着テープを対向させ、このダイシングテープに紫外線（ＵＶ）を照射してダイシングテープから耐熱粘着テープにウエハを転写する第１の転写部（第１の転写手段）である。耐熱粘着テープとしては真空加熱プレスのプレス温度に耐えうるものが使用される。
【００１７】
図中Ｄは、耐熱粘着テープに転写されたウエハにＰｂＳｎハンダシートを位置決めして積層し、これを真空加熱プレス加工するプレス部（プレス手段）である。ここで、ハンダシートはＰｂＳｎ系に限らず、ＳｎＳｂ系、ＳｎＡｇ系、ＳｎＣｕ系等のものであっても良く、その厚さは１０μｍ〜６０μｍのもとする。
【００１８】
図中Ｅは、ウエハのハンダ面に粘着テープを対向させ、この耐熱粘着テープにＵＶを照射することにより、耐熱粘着テープ上のウエハを粘着テープに転写させる第２の転写部（第２の転写手段）である。
【００１９】
図中Ｆは、ウエハを転写した粘着テープをエキスパンドして個片化したチップを製造するエキスパンド部（クラッキング手段）である。
【００２０】
図２はプレス部Ｄを示すものである。
【００２１】
プレス部Ｄは、下型２２と、この下型２２に対向する上型２３とを有し、これら下型２２と上型２３にはそれぞれヒーター（図示しない）が内蔵されている。下型２２と上型２３との間には、ハンダシート１４、ウエハ１１、耐熱テープ１３が積み重ねた状態で位置合せされ、下型２２、上型２３の双方にそれぞれ、順次、クラフト紙２４、ＳＵＳ板２５、ＰＴＦＥ樹脂の緩衝材２６が配置されている。
【００２２】
下型２２と上型２３間に積層されたハンダシート１４、ウエハ１１、耐熱テープ１３は、下型２２と上型２３とにより緩衝材２６を介して積層状態のまま、真空中で、なおかつ、ハンダ融点以下の温度例えば２１０℃で５〜１５分間、加圧（５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ２）されるようになっている。
【００２３】
次に、半導体の製造方法を図３を参照して説明する。
【００２４】
まず、貼付部Ａでウエハ１１をダイシングテープ１２に貼り付ける。ついで、ダイシング部Ｂでウエハ１１をフルカットダイシングする。しかるのち、転写部Ｃでウエハ１１に対し耐熱粘着テープ１３を対向させ、このダイシングテープ１２に紫外線（ＵＶ）を照射してダイシングテープ１２から耐熱粘着テープ１３にウエハ１１を転写する。
【００２５】
ついで、耐熱粘着テープ１３とウエハ１１の上下を逆にしてウエハ１１にＰｂＳｎハンダシート１４を位置決めして積層し、これをプレス部Ｄの下型２２と上型２３との間にセットする。このセット後、下型２２と上型２３が動作されて型締めされ、ハンダシート１４、ウエハ１１、耐熱テープ１３は、緩衝材２６を介して積層状態のまま、真空中で、なおかつ、ハンダ融点以下の温度例えば２１０℃で５〜１５分間、加圧（５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ２）される。
【００２６】
この真空加熱プレスにより、ハンダシート１４がウエハ１１に熱圧着され、また、プレス圧力でハンダシート１４がチップサイズに裁断される。
【００２７】
このようにしてハンダシート１４をチップサイズに裁断したのち、転写部Ｅにおいて、ハンダ面に粘着テープ１５を対向させ、この耐熱粘着テープ１３にＵＶを照射する。これにより、耐熱粘着テープ１３上のウエハ１１が粘着テープ１５に転写される。しかるのち、エキスパンド部Ｆにおいて、ウエハ１１と粘着テープ１５の上下を逆にして粘着テープ１５をエキスパンドする。これにより、裏面にハンダが供給されて個片化したチップが製造されることになる。
【００２８】
この実施の形態によれば、ウエハ１１をフルカットダイシングしたのち、ウエハ１１上にハンダシート１４を積層してこれを真空加熱プレスしてハンダシート１４をチップサイズに裁断するため、従来のようにハンダをフルカットダイシングするものと異なり、有害な排水を出すようなことがなく、排水処理施設が不要となる。
【００２９】
また、ウエハ１１をハーフカットダイシングしてクラッキングした場合のように、チップが欠けたり、チップの破片がハンダに付着してしまうこともない。
【００３０】
さらに、ウエハ１１上にハンダシート１４を積層するだけであるため、ウエハ１１へのハンダの供給時間も短縮化できる。
【００３１】
図４は本発明の第２の実施の形態である製造方法を示すものである。
【００３２】
まず、貼付部Ａでウエハ１１をダイシングテープ１２に貼り付ける。ついで、ダイシング部Ｂでウエハ１１をフルカットダイシングする。しかるのち、転写部Ｃでウエハ１１に対し耐熱粘着テープ１３を対向させ、このダイシングテープ１２に紫外線（ＵＶ）を照射してダイシングテープ１２から耐熱粘着テープ１３にウエハ１１を転写する。
【００３３】
ついで、耐熱粘着テープ１３とウエハ１１の上下を逆にしてウエハ１１にＰｂＳｎハンダシート１４を位置決めして積層し、これをプレス部Ｄの下型２２と上型２３との間にセットする。このセット後、下型２２と上型２３が動作されて型締めされ、ハンダシート１４、ウエハ１１、耐熱テープ１３は、緩衝材２６を介して積層状態のまま、真空中で、なおかつ、ハンダ融点以下の温度例えば２１０℃で５〜１５分間、加圧（５０〜１５０ｋｇ／ｃｍ２）される。この真空加熱プレスにより、ハンダシート１４がウエハ１１に熱圧着され、各チップがハンダシート１４に食い込む。こののち、転写部Ｅにおいて、ウエハ１１のハンダ面に粘着テープ１５を対向させ、耐熱粘着テープ１３にＵＶを照射する。これにより、耐熱粘着テープ１３上のウエハ１１が粘着テープ１５に転写される。しかるのち、エキスパンド部Ｆにおいて、ウエハ１１と粘着テープ１５の上下を逆にして粘着テープ１５をエキスパンドしてハンダシート１４をクラッキングすることによりチップサイズに裁断する。これにより、裏面にハンダが供給されて個片化したチップが製造されることになる。
【００３４】
この実施の形態によれば、ウエハ１１をダイシングしたのち、ウエハ１１上にハンダシート１４を積層してこれを真空加熱プレスしてウエハ１１をハンダシート１４に食い込ませるため、エキスパンドによりハンダシート１４をクラッキングさせても、チップが欠けたり、チップの破片がハンダに付着してしまうこともない。
【００３５】
【発明の効果】
本発明は以上説明したように、ウエハをフルカットダイシングしたのち、ウエハ上にハンダシートを積層してこれを真空加熱プレスしてハンダシートをチップサイズに裁断するため、従来のようにハンダをフルカットダイシングするものと異なり、有害な排水を出すようなことがなく、排水処理施設が不要となる。
【００３６】
また、ウエハをハーフカットダイシングしてエキスパンドによりクラッキングするものと異なり、チップが欠けたり、チップの破片がハンダに付着してしまうこともない。
【００３７】
さらに、ウエハをフルカットダイシングしたのち、ウエハ上にハンダシートを積層してこれを真空加熱プレスしてウエハをハンダシートに食い込ませるため、エキスパンドによりハンダシートをクラッキングさせても、チップが欠けたり、チップの破片がハンダに付着してしまうこともない。
【００３８】
また、ウエハ上にハンダシートを積層するだけであるため、ウエハへのハンダの供給時間も短縮化できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体の製造装置の構成を示すブロック図。
【図２】プレス装置を示す概略的構成図。
【図３】ウエハ裏面へのハンダの第１の供給方法を示す図。
【図４】ウエハ裏面へのハンダの第２の供給方法を示す図。
【図５】従来のウエハ裏面へのハンダの供給方法を示す図。
【図６】パワートランジスタのダイボンディングプロセスを示す図。
【符号の説明】
Ａ…貼付部（貼付手段）
Ｂ…ダイシング部（ダイシング手段）
Ｃ…第１の転写部（第１の転写手段）
Ｄ…プレス部（プレス手段）
Ｅ…第２の転写部（第２の転写手段）
Ｆ…エキスパンド部（クラッキング手段）[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device applied to a power transistor and a power IC.
[0002]
[Prior art]
This type of semiconductor is manufactured, for example, by a method as shown in FIG. That is, solder 2 is vapor-deposited on the entire back surface of the wafer 1, and after this vapor deposition, a dicing tape 3 is attached to the surface of the solder 2. Then, the wafer 1 is subjected to half-cut dicing, or full-cut dicing (not shown) up to the solder 2.
[0003]
When the wafer 1 is subjected to half-cut dicing, the dicing tape 3 is expanded in the direction of the arrow to crack the wafer 1 and the solder 2. As a result, the wafer 1 having the solder 2 deposited on the back surface is singulated into chips.
[0004]
When the full cut dicing is performed up to the solder 2, it is singulated into a chip size as it is.
[0005]
When the chip 1A thus obtained is mounted on a heated lead frame 6 as shown in FIG. 6, the solder 2 on the back surface of the wafer chip is melted and die-bonded.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, when half-cut dicing is performed, in which only the wafer portion is diced and the solder 2 is not diced, if the wafer 1 is cracked to be diced into chips, chips may be chipped or chip fragments may be removed from the solder. There was a problem that it adhered and was mixed into the solder during die bonding.
[0007]
On the other hand, when dicing up to the solder 2 by full-cut dicing, chips are not chipped. However, if Pb is contained in the solder, there is a problem that Pb is drained. Pb wastewater is harmful and environmentally problematic, and a wastewater treatment facility is required when discharging Pb wastewater.
[0008]
Further, in the solder supply by the vapor deposition method, there is a problem that it takes time to supply the solder to the back surface of the wafer.
[0009]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to be able to obtain individualized chips without chipping or harmful drainage, and to supply solder. An object of the present invention is to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor which can be performed in a short time.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problem, the method according to claim 1 includes a step of attaching a wafer on which semiconductor elements are formed to a dicing tape, and a dicing step of performing full cut dicing on the wafer attached to the dicing tape. A first transfer step of causing the full-cut dicing wafer to face a heat-resistant tape, transferring the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape, and laminating a solder sheet on the wafer transferred to the heat-resistant tape; By pressing the heat-resistant tape, the wafer and the solder sheet under vacuum and pressing the solder sheet on the back surface of the wafer, and cutting the solder sheet according to the chip size of the full-cut diced wafer; and Make the adhesive tape face the cut solder sheet, and Comprising the said refractory tape to the adhesive tape and a second transfer step of transferring the wafers and solder assembly.
[0011]
3. The dicing tape according to claim 2, further comprising: a step of attaching a wafer on which a semiconductor element is formed to a dicing tape; a step of performing a full cut dicing of the wafer attached to the dicing tape; A first transfer step of transferring the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape, and laminating a solder sheet on the wafer transferred to the heat-resistant tape, wherein the heat-resistant tape, the wafer, and the solder sheet By pressing the solder sheet on the back surface of the wafer by vacuum heating and pressing, a pressing step of cutting the chips of the wafer that has been fully cut and diced into the solder sheet, an adhesive tape is opposed to the solder sheet, and From the heat-resistant tape to the adhesive tape, A second transfer step of transferring the conjugate Da, said solder sheet cracking by expanding the adhesive tape comprises a cracking step of singulating the chip size.
[0012]
4. The dicing tape according to claim 1, further comprising: a dicing tape for attaching a wafer having semiconductor elements formed thereon; a dicing unit for performing full cut dicing on the wafer attached to the dicing tape; A first transfer means for transferring the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape, and a solder sheet laminated on the wafer transferred to the heat-resistant tape, wherein the heat-resistant tape, the wafer and Pressing means for compressing the solder sheet on the back surface of the wafer by vacuum heating and pressing the solder sheet, and cutting the solder sheet according to the chip size of the wafer which has been fully cut and diced; and the cut solder sheet. With an adhesive tape facing the adhesive tape, ; And a second transfer means for transferring the wafer and solder bonding body from the heat tapes.
[0013]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an attaching means for attaching a wafer on which a semiconductor element is formed to a dicing tape, a dicing means for performing full cut dicing on the wafer attached to the dicing tape, and the full cut dicing. A first transfer unit for causing the wafer to face the heat-resistant tape and transferring the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape; and a solder sheet laminated on the wafer transferred to the heat-resistant tape; By vacuum heating and pressing the sheet, the solder sheet is pressed against the back surface of the wafer, and pressing means for cutting the chips of the wafer that has been fully cut and diced into the solder sheet, and an adhesive tape are opposed to the solder sheet, The heat-resistant tape is attached to the wafer A second transfer means for transferring a solder joint body, and cracking the solder sheet by expanding the adhesive tape comprises a cracking unit for singulating the chip size.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments shown in the drawings.
[0015]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
[0016]
In the figure, A is a sticking section (sticking means) for sticking the wafer to the dicing tape, and B is a dicing section (dicing means) for full-cut dicing of the wafer stuck to the dicing tape. In the drawing, C denotes a first transfer unit (first transfer means) for transferring a wafer from the dicing tape to the heat-resistant adhesive tape by irradiating ultraviolet light (UV) to the dicing tape with the heat-resistant adhesive tape facing the diced wafer. ). A heat-resistant adhesive tape that can withstand the pressing temperature of a vacuum heating press is used.
[0017]
D in the figure is a press section (press means) for positioning and laminating a PbSn solder sheet on the wafer transferred to the heat-resistant adhesive tape, and subjecting the PbSn solder sheet to vacuum heating press working. Here, the solder sheet is not limited to the PbSn type, but may be a SnSb type, SnAg type, SnCu type, or the like, and has a thickness of 10 μm to 60 μm.
[0018]
In the figure, E denotes a second transfer unit (second transfer unit) for transferring the wafer on the heat-resistant adhesive tape to the adhesive tape by irradiating the adhesive tape with the solder surface of the wafer and irradiating the heat-resistant adhesive tape with UV. Means).
[0019]
In the figure, F is an expanding section (cracking means) for manufacturing chips diced by expanding the adhesive tape onto which the wafer has been transferred.
[0020]
FIG. 2 shows the press section D.
[0021]
The press section D has a lower mold 22 and an upper mold 23 facing the lower mold 22. Each of the lower mold 22 and the upper mold 23 has a built-in heater (not shown). Between the lower mold 22 and the upper mold 23, the solder sheet 14, the wafer 11, and the heat-resistant tape 13 are aligned in a stacked state, and the kraft paper 24, A SUS plate 25 and a buffer material 26 made of PTFE resin are arranged.
[0022]
The solder sheet 14, the wafer 11, and the heat-resistant tape 13 laminated between the lower mold 22 and the upper mold 23 are kept in a laminated state by the lower mold 22 and the upper mold 23 via the cushioning material 26, in a vacuum, and Pressure is applied (50 to 150 kg / cm 2 ) at a temperature lower than the solder melting point, for example, at 210 ° C. for 5 to 15 minutes.
[0023]
Next, a method for manufacturing a semiconductor will be described with reference to FIG.
[0024]
First, the wafer 11 is stuck on the dicing tape 12 at the sticking section A. Next, the wafer 11 is subjected to full-cut dicing in the dicing section B. Thereafter, the heat-resistant adhesive tape 13 is opposed to the wafer 11 at the transfer section C, and the dicing tape 12 is irradiated with ultraviolet light (UV) to transfer the wafer 11 from the dicing tape 12 to the heat-resistant adhesive tape 13.
[0025]
Next, the PbSn solder sheet 14 is positioned and laminated on the wafer 11 with the heat-resistant adhesive tape 13 and the wafer 11 turned upside down, and this is set between the lower die 22 and the upper die 23 of the press part D. After this setting, the lower mold 22 and the upper mold 23 are operated to clamp the mold, and the solder sheet 14, the wafer 11, and the heat-resistant tape 13 are stacked in a vacuum with the solder It is pressurized (50 to 150 kg / cm 2 ) at the following temperature, for example, 210 ° C. for 5 to 15 minutes.
[0026]
By this vacuum heating press, the solder sheet 14 is thermocompression-bonded to the wafer 11, and the solder sheet 14 is cut into a chip size by the pressing pressure.
[0027]
After the solder sheet 14 is cut into a chip size in this manner, the adhesive tape 15 is opposed to the solder surface in the transfer section E, and the heat-resistant adhesive tape 13 is irradiated with UV. Thereby, the wafer 11 on the heat-resistant adhesive tape 13 is transferred to the adhesive tape 15. Thereafter, in the expanding section F, the adhesive tape 15 is expanded by turning the wafer 11 and the adhesive tape 15 upside down. As a result, the chip is manufactured by supplying the solder to the back surface and singulated.
[0028]
According to this embodiment, after the wafer 11 is subjected to full cut dicing, the solder sheet 14 is laminated on the wafer 11 and pressed under vacuum to cut the solder sheet 14 into a chip size. Unlike full-cut dicing of solder, no harmful wastewater is discharged, and no wastewater treatment facility is required.
[0029]
Also, unlike the case where the wafer 11 is cracked by half-cut dicing, chips are not chipped and chip fragments do not adhere to solder.
[0030]
Furthermore, since only the solder sheet 14 is laminated on the wafer 11, the time for supplying the solder to the wafer 11 can be shortened.
[0031]
FIG. 4 shows a manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.
[0032]
First, the wafer 11 is stuck on the dicing tape 12 at the sticking section A. Next, the wafer 11 is subjected to full-cut dicing in the dicing section B. Thereafter, the heat-resistant adhesive tape 13 is opposed to the wafer 11 at the transfer section C, and the dicing tape 12 is irradiated with ultraviolet light (UV) to transfer the wafer 11 from the dicing tape 12 to the heat-resistant adhesive tape 13.
[0033]
Next, the PbSn solder sheet 14 is positioned and laminated on the wafer 11 with the heat-resistant adhesive tape 13 and the wafer 11 turned upside down, and this is set between the lower die 22 and the upper die 23 of the press part D. After this setting, the lower mold 22 and the upper mold 23 are operated to clamp the mold, and the solder sheet 14, the wafer 11, and the heat-resistant tape 13 are stacked in a vacuum with the solder It is pressurized (50 to 150 kg / cm 2 ) at the following temperature, for example, 210 ° C. for 5 to 15 minutes. With this vacuum heating press, the solder sheet 14 is thermocompression-bonded to the wafer 11, and each chip bites into the solder sheet 14. Thereafter, in the transfer section E, the adhesive tape 15 is opposed to the solder surface of the wafer 11, and the heat-resistant adhesive tape 13 is irradiated with UV. Thereby, the wafer 11 on the heat-resistant adhesive tape 13 is transferred to the adhesive tape 15. Thereafter, in the expanding section F, the wafer 11 and the adhesive tape 15 are turned upside down, the adhesive tape 15 is expanded, and the solder sheet 14 is cracked to be cut into a chip size. As a result, the chip is manufactured by supplying the solder to the back surface and singulated.
[0034]
According to this embodiment, after dicing the wafer 11, the solder sheet 14 is laminated on the wafer 11 and pressed under vacuum to cause the wafer 11 to bite into the solder sheet 14. Cracking does not cause chips to chip or chip fragments to adhere to solder.
[0035]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, after a wafer is fully cut and diced, a solder sheet is laminated on the wafer, and the solder sheet is vacuum-pressed to cut the solder sheet into a chip size. Unlike cut dicing, no harmful wastewater is discharged, and no wastewater treatment facility is required.
[0036]
Further, unlike a method in which a wafer is half-cut dicing and cracking by expansion, chips are not chipped or chip fragments do not adhere to solder.
[0037]
Furthermore, after the wafer is full-cut diced, a solder sheet is laminated on the wafer, and the wafer is cut into the solder sheet by vacuum heating and pressing, so that even if the solder sheet is cracked by expanding, chips may be missing, No chips are attached to the solder.
[0038]
Further, since only the solder sheet is laminated on the wafer, the effect of reducing the time for supplying the solder to the wafer can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a press device.
FIG. 3 is a diagram showing a first method of supplying solder to the back surface of a wafer.
FIG. 4 is a diagram showing a second method of supplying solder to the back surface of the wafer.
FIG. 5 is a view showing a conventional method for supplying solder to the back surface of a wafer.
FIG. 6 is a diagram showing a die bonding process of the power transistor.
[Explanation of symbols]
A: Sticking part (sticking means)
B ... Dicing section (Dicing means)
C: first transfer unit (first transfer unit)
D ... Press part (press means)
E: second transfer unit (second transfer unit)
F: Expanding section (cracking means)

Claims (4)

ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング工程と、
前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写工程と、
前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップサイズに応じて前記ハンダシートを裁断するプレス工程と、
前記裁断されたハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。Attaching a wafer on which semiconductor elements are formed to a dicing tape;
A dicing step of performing full cut dicing on the wafer attached to the dicing tape,
A first transfer step of causing the full-cut dicing wafer to face a heat-resistant tape, and transferring the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape;
A solder sheet is laminated on the wafer transferred to the heat-resistant tape, and the heat-resistant tape, the wafer and the solder sheet are subjected to vacuum heating and pressing, so that the solder sheet is pressure-bonded to the back surface of the wafer, and a full-cut dicing wafer is cut. A pressing step of cutting the solder sheet according to the chip size,
A second transfer step of causing an adhesive tape to face the cut solder sheet, and transferring a bonded body of a wafer and solder from the heat-resistant tape to the adhesive tape;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける工程と、
前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング工程と、
前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写工程と、
前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップを前記ハンダシートに食い込ませるプレス工程と、
前記ハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写工程と、
前記粘着テープをエキスパンドすることにより前記ハンダシートをクラッキングしてチップサイズに個片化するクラッキング工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。Attaching a wafer on which semiconductor elements are formed to a dicing tape;
A dicing step of performing full cut dicing on the wafer attached to the dicing tape,
A first transfer step of causing the full-cut dicing wafer to face a heat-resistant tape, and transferring the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape;
A solder sheet is laminated on the wafer transferred to the heat-resistant tape, and the heat-resistant tape, the wafer and the solder sheet are subjected to vacuum heating and pressing, so that the solder sheet is pressure-bonded to the back surface of the wafer, and a full-cut dicing wafer is cut. A pressing step of cutting chips into the solder sheet,
A second transfer step of causing a pressure-sensitive adhesive tape to face the solder sheet and transferring a bonded body of a wafer and solder from the heat-resistant tape to the pressure-sensitive adhesive tape;
A cracking step of cracking the solder sheet by expanding the adhesive tape to singulate into chip sizes,
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける貼付手段と、
前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング手段と、
前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写手段と、
前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップサイズに応じて前記ハンダシートを裁断するプレス手段と、
前記裁断されたハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。Sticking means for sticking a wafer on which semiconductor elements are formed on a dicing tape,
Dicing means for full-cut dicing the wafer attached to the dicing tape,
A first transfer unit that causes the full-cut dicing wafer to face a heat-resistant tape, and transfers the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape;
A solder sheet is laminated on the wafer transferred to the heat-resistant tape, and the heat-resistant tape, the wafer and the solder sheet are subjected to vacuum heating and pressing, so that the solder sheet is pressure-bonded to the back surface of the wafer, and a full-cut dicing wafer is cut. Pressing means for cutting the solder sheet according to the chip size,
A second transfer unit that causes an adhesive tape to face the cut solder sheet, and transfers a bonded body of a wafer and solder from the heat-resistant tape to the adhesive tape;
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: ダイシングテープに半導体素子が形成されているウエハを貼り付ける貼付手段と、
前記ダイシングテープに貼り付けられたウエハをフルカットダイシングするダイシング手段と、
前記フルカットダイシングされたウエハを耐熱テープに対向させ、前記ウエハを前記ダイシングテープから前記耐熱テープに転写させる第１の転写手段と、
前記耐熱テープに転写されたウエハにハンダシートを積層し、前記耐熱テープ、ウエハ及びハンダシートを真空加熱プレスすることにより、前記ウエハの裏面にハンダシートを圧着させるとともに、フルカットダイシングされたウエハのチップを前記ハンダシートに食い込ませるプレス手段と、
前記ハンダシートに粘着テープを対向させ、この粘着テープに前記耐熱テープからウエハとハンダの接合体を転写する第２の転写手段と、
前記粘着テープをエキスパンドすることにより前記ハンダシートをクラッキングしてチップサイズに個片化するクラッキング手段と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。Sticking means for sticking a wafer on which semiconductor elements are formed on a dicing tape,
Dicing means for full-cut dicing the wafer attached to the dicing tape,
A first transfer unit that causes the full-cut dicing wafer to face a heat-resistant tape, and transfers the wafer from the dicing tape to the heat-resistant tape;
A solder sheet is laminated on the wafer transferred to the heat-resistant tape, and the heat-resistant tape, the wafer and the solder sheet are subjected to vacuum heating and pressing, so that the solder sheet is pressure-bonded to the back surface of the wafer, and a full-cut dicing wafer is cut. Pressing means for cutting chips into the solder sheet;
A second transfer means for causing an adhesive tape to face the solder sheet, and transferring a bonded body of a wafer and solder from the heat-resistant tape to the adhesive tape;
Cracking means for cracking the solder sheet by expanding the adhesive tape to singulate into chip sizes,
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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