JP2004039429A - 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 - Google Patents
導電路又は電極、およびそれらの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004039429A JP2004039429A JP2002194522A JP2002194522A JP2004039429A JP 2004039429 A JP2004039429 A JP 2004039429A JP 2002194522 A JP2002194522 A JP 2002194522A JP 2002194522 A JP2002194522 A JP 2002194522A JP 2004039429 A JP2004039429 A JP 2004039429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive path
- forming
- electrode
- metal fine
- particle dispersion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】支持体上にレジスト像を形成した後、レジスト像の除去液に不溶性または非分散性の金属微粒子分散層を塗設し、レジスト像を除去して金属微粒子分散層をパターニングした後、加熱して金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。
【選択図】 なし
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は導電路又は電極の形成方法に関し、特に金属微粒子分散物を用いて、半導体素子に用いられ導電路又は電極の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子は有機薄膜トランジスタに用いられる導電路や電極の新しい形成方法が提案されてきている。例えば、WO 01/47043、同00/79617、特開平11−274671号等にインクジェットによりダイレクトに導電路や電極を形成する技術が開示されているが、製造効率が低く、量産には不向きなものであった。これらにおいては、薄膜を形成した後に通常のエッチング処理によりパターン化する方法が記載されているものの、レジスト形成、エッチング処理といった煩雑な処理が必要となり、製造効率がよいとは言えず、又エッチング条件が変動した際に残存した金属微粒子成分がリーク電流を引き起こす問題が発生する。
【0003】
又、特開2000−239853には金属微粒子の分散物をスクリーン印刷により形成する方法が記載されているが、スクリーン印刷を含む方法では、解像度が低く、位置精度の高いパターニングは難しいものであった。
【0004】
簡便で、解像度が高く、位置精度の高い、製造効率の高い導電路や電極の作製方法の提供が強く望まれていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
即ち、本発明の目的は、簡便で、製造効率が高く、解像度や位置精度の高い導電路や電極の形成方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題は下記の構成により解決された。
【0007】
(1)支持体上にレジスト像を形成した後、レジスト像の除去液に不溶性または非分散性の金属微粒子分散層を塗設し、レジスト像を除去して金属微粒子分散層をパターニングした後、加熱して金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。
【0008】
(2)レジスト像がフォトレジストにより形成されることを特徴とする(1)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0009】
(3)フォトレジストがレーザ感光性であることを特徴とする(1)又は(2)記載の導電路又は電極の形成方法。
【0010】
(4)フォトレジストがポジ型であることを特徴とする(1)〜(3)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0011】
(5)フォトレジストが赤外レーザ感光性であることを特徴とする(1)〜(4)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0012】
(6)金属微粒子分散層が水又はアルコールに対して分散性を有することを特徴とする(1)〜(5)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0013】
(7)金属微粒子分散層中の金属微粒子が50nm以下であることを特徴とする(1)〜(6)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0014】
(8)レジスト層に有機溶剤を用いて除去することを特徴とする(1)〜(7)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0015】
(9)レジスト層に有機溶剤を用いて除去した後、加熱することを特徴とする(1)〜(8)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
【0016】
(10)前記(1)〜(9)の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法により形成されたことを特徴とする導電路又は電極。
【0017】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図をもって説明する。
【0018】
図1は、レジスト像を用いて金属微粒子分散層をパターニングする方法を示す。
【0019】
図1(a)は、リフトオフ法を示す図であり、支持体1上にレジスト像3を形成し、その上に金属微粒子分散層2を塗布した後、レジスト像を除去することにより、レジスト像部分の金属微粒子分散層も同時に除去され、パターニングされた金属微粒子分散層5が残存する。
【0020】
図1(b)は、スキージ法を示す図であり、同図(a)と同様に支持体1上にレジスト像3を形成し、その上に金属微粒子分散層2を塗布した後、スキーザー(ブレード又はスキージロールなど)によりレジスト像部分の過剰の金属微粒子分散物を除去して支持体の露出部分にパターニングされた金属微粒子分散層を形成し、乾燥後、レジスト像を除去することにより、パターニングされた金属微粒子分散層5が残存する。
【0021】
その後加熱処理することにより、金属微粒子分散層5中の金属微粒子は熱融着され、パターニングされた導電路又は電極となる。図1(a)、(b)において、レジスト像を除去する前に加熱処理して金属微粒子を熱融着させることもできる。
【0022】
支持体上にレジスト像を形成する方法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法、アブレーション法、フォトレジスト法等種々の方法を用いることができるが、最も簡便なのは、フォトレジスト法である。
【0023】
以下に、フォトレジスト法について詳しく説明するが、本発明はフォトレジスト法に限定されるものではない。
【0024】
フォトレジスト層としては、ポジ型、ネガ型の公知の材料を用いることができるが、レーザ感光性の材料を用いることが好ましい。このようなフォトレジスト材料として、(1)特開平11−271969号、特開2001−117219、特開平11−311859号、特開平11−352691号のような色素増感型の光重合感光材料、(2)特開平9−179292号、米国特許第5,340,699号、特開平10−90885号、特開2000−321780、同2001−154374のような赤外線レーザに感光性を有するネガ型感光材料、(3)特開平9−171254号、同5−115144号、同10−87733号、同9−43847号、同10−268512号、同11−194504号、同11−223936号、同11−84657号、同11−174681号、同7−285275号、特開2000−56452、WO97/39894、同98/42507のような赤外線レーザに感光性を有するポジ型感光材料等が挙げられる。工程が暗所に限定されない点で、好ましいのは(2)と(3)であり、フォトレジスト層を除去する場合には、ポジ型である(3)が最も好ましい。
【0025】
本発明に用いられる支持体としては、ガラス、ベークライトやフレキシブルなプラスチックフィルムなど、任意の材料を用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、等からなるフィルムが挙げられる。このようなプラスチックフィルムを用いることにより、軽量化を図ることができ、可撓性を高め、可搬性を高めることができる。軟化点は150℃以上が好ましく、更には200℃以上の樹脂が好ましい。
【0026】
これらの支持体上に、前記のフォトレジスト層を形成する。フォトレジスト層の塗布方法としては、ディッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレイコート、ダイコート等の公知の塗布方法を用いることができる。
【0027】
フォトレジスト層への露光方法は特に制限はなく、キセノンランプ、ハロゲンランプ、水銀ランプなどによるマスクを介してフラッシュ露光を行っても良く、又レーザ光を用いて走査露光を行うことも可能であり、レーザ露光は、露光面積を微小サイズに絞ることが容易で高解像度の画像形成が可能となることから、好適に用いることができる。
【0028】
レーザ光としては、紫外線、可視光線、赤外線の何れでもよく、一般によく知られている、ルビーレーザ、YAGレーザ、ガラスレーザ等の固体レーザ;He−Neレーザ、Arイオンレーザ、Krイオンレーザ、CO2レーザ、COレーザ、He−Cdレーザ、N2レーザ、エキシマーレーザ等の気体レーザ;InGaPレーザ、AlGaAsレーザ、GaAsPレーザ、InGaAsレーザ、InAsPレーザ、CdSnP2レーザ、GaSbレーザ等の半導体レーザ;化学レーザ、色素レーザ等を挙げることができる。好ましくは、赤外域に発信波長を有する半導体レーザである。
【0029】
フォトレジストの現像に用いられる現像液としては、水系アルカリ現像液が好適である。水系アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、メタケイ酸ナトリウム、メタケイ酸カリウム、第二リン酸ナトリウム、第三リン酸ナトリウム等のアルカリ金属塩の水溶液や、アンモニア、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ−[5,4,0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4,3,0]−5−ノナン等のアルカリ性化合物を溶解した水溶液を挙げることが出来る。本発明におけるアルカリ性化合物のアルカリ現像液中における濃度は、通常1〜10質量%、好ましくは2〜5質量%である。
【0030】
本発明に用いられる現像液には、必要に応じアニオン性界面活性剤、両性界面活性剤やアルコール等の有機溶剤を加えることができる。
【0031】
有機溶剤としては、プロピレングリコール、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ベンジルアルコール、n−プロピルアルコール等が有用である。
【0032】
このようにして形成されたレジスト像を有する支持体に金属微粒子分散物を塗布し、金属微粒子分散層を形成する。塗布方法としては前述の公知の塗布方法を用いることができる。
【0033】
本発明に係る金属微粒子分散層とは、粒子径が1〜50nm、好ましくは1〜10nmの金属微粒子を含有する分散物を用いて層形成されたものであり、該金属微粒子間は実質的に有機物により隔離された状態で、そのままでは導電性を示さないが、加熱することにより金属微粒子が熱融着して導電路又は電極を形成するものである。金属材料としては白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができる。
【0034】
これらの金属からなる微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散液を用いて金属微粒子分散層が形成される。
【0035】
このような金属微粒子分散液の製造方法として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法などの、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平11−76800号、同11−80647号、同11−319538号、特開2000−239853等に示されたコロイド法、特開2001−254185、同2001−53028、同2001−35255、同2000−124157、同2000−123634などに記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子分散物である。これらの金属微粒子分散物を用いてレジスト像を有する支持体上に金属微粒子分散層を成形し、溶媒を乾燥させる。図1(a)に示した如く、金属微粒子分散層を塗布したのち、乾燥し、レジスト像を除去してパターニングされた金属微粒子分散層を得る方法と、図1(b)に示した如く、金属微粒子分散層を塗布したのち、乾燥する前にスキーズしてレジスト像の表面に塗布された金属微粒子分散物をレジスト像のない部分に充填した後、乾燥する方法がある。
【0036】
金属微粒子分散層を形成した後、レジスト像の除去には、アルコール系、エーテル系、エステル系、ケトン系、グリコールエーテル系などフォトレジストの塗布溶媒に利用される広範囲の有機溶媒から、適宜選択し用いることができる。レジスト像の除去の際、金属微粒子分散層への影響をより少なくし、残存率を向上させるため、エーテル系又はケトン系の溶媒を用いることが好ましい。最も好ましくはTHFなどのエーテル系溶媒である。
【0037】
パターニングされた金属微粒子分散層を有する支持体を、100〜300℃、好ましくは150から200℃の範囲で加熱することにより、金属微粒子を熱融着させ、目的の形状を有する導電路或いは電極を形成することができる。
【0038】
なお、レジスト像の除去前に加熱を行い、金属微粒子を熱融着させた後にレジスト像を除去してもよい。
【0039】
また、形成された導電路或いは電極と支持体との接着性を向上するために、任意のプライマー層を形成してもよい。プライマー層に材料としては、公知の接着剤用材料、熱硬化性組成物、光硬化性組成物等が好適に用いられる。
【0040】
熱融着した後も、支持体表面や熱融着した導電路の表面には粒子の分散剤などの有機成分が残存し、はんだ付けなどによる他の素子への接合が不十分となる可能性があり、また、TFTなどの電極として用いる場合には、有機半導体チャネルと障壁を生じ、電荷注入が阻害されるという問題が生じる恐れがある。このため電極形成後に、有機成分を除去するための洗浄を行うことが好ましい。有機成分の溶解性又は分散性の高い洗浄剤で処理する方法を用いてもよいが、本発明においては、プラズマ処理などのドライエッチングによる処理が好ましい。更には酸素プラズマ処理が有効であり、特に大気圧プラズマ放電による酸素プラズマ処理が好ましい。
【0041】
大気圧プラズマ放電とは、減圧下で行う真空プラズマ放電に対し、大気圧又は大気圧近傍でプラズマ放電を発生させ生じた励起活性種により表面処理を行うものである。励起活性種の濃度を高くできるため処理の効率がよいのが特徴であるが、本発明において、大気圧近傍とは、1.013×102±0.507×102kPa、好ましくは1.013×102±0.304×102kPaの範囲であり、さらに好ましくは1.013×102±0.203×102kPaの範囲である。
【0042】
【実施例】
以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。
【0043】
実施例1
厚さ100μmのポリイミドフィルム上に、下記組成の感光性層塗布液を乾燥膜厚が2μmとなるように塗布し、100℃で2分間乾燥してフォトレジスト層を得た。
【0044】
色素A 1部
ノボラック樹脂バインダー 70部
(フェノールとm−、p−混合クレゾールとホルムアルデヒドとの縮合化合物Mn=500、Mw=2500、フェノール:m−クレゾール:p−クレゾール=20:48:32)
光酸発生剤 3部
(2−トリクロロメチル−5−〔β−(2・ベンゾフリル)ビニル〕−1,3,4−オキサジアゾール)
化合物B 20部
フッ素系界面活性剤(旭硝子製、S−381) 0.5部
乳酸メチル 700部
メチルエチルケトン 200部
(化合物Bの合成)
1,1−ジメトキシシクロヘキサン1.0モル、トリエチレングリコール1.0モル及びp−トルエンスルホン酸水和物0.003モル、トルエン500mlを攪拌しながら100℃で1時間反応させ、その後150℃まで除々に温度を上げ、更に150℃で4時間反応させた。反応により生成するメタノールはこの間に留去した。冷却後、反応生成物を水で充分に洗浄し、1%のNaOH水溶液、1MのNaOH水溶液で順次洗浄した。更に食塩水で洗浄し無水炭酸カリウムで脱水した後、減圧下濃縮した。真空下で80℃に加熱しながら10時間乾燥させワックス状の化合物を得た。GPCにより測定したポリスチレン換算の重量平均分子量Mwは約1500であった。
【0045】
【化1】
【0046】
フォトレジスト層上に、出力波長830nm、出力100mWの半導体レーザで200mJ/cm2のエネルギー密度で電極パターンを露光した後、アルカリ現像液で現像し、レジスト像を得た。
【0047】
レジスト像が形成された面に、特開平11−80647号に記載された方法で調製された金微粒子(平均粒径約20nm)の水分散物を塗布し、80℃1分で乾燥し、厚さ0.2μmの金微粒子分散層を形成した。さらにMEKを用いてレジスト像を除去すると、金微粒子分散層からなる電極パターンが良好に形成されていた。200℃で30分加熱処理を施すことで、金微粒子分散層中の金微粒子が融着し、目的とする電極パターンが得られた。この電極の導電性は良好であった。
【0048】
実施例2
実施例1のレジスト面上に、特開2000−239853に記載された方法で調製された銀微粒子(平均粒径約20nm)のエタノール分散液を塗布し、厚さ0.2μmの金微粒子分散層を形成した以外は、実施例1と同様に電極パターンの形成を行った。実施例1と同様に導電性の良好な電極を形成することができた。
【0049】
実施例3
実施例1で用いたフォトレジスト層塗布液を用いて、厚さ10μmのフォトレジスト層を形成し、400mJ/cm2のエネルギー密度で電極パターンを露光した以外は実施例1と同様にレジスト像を形成した。ついで実施例1と同じ金微粒子の水分散物を塗布した後、スキージロールを用いて、余剰の分散物を除去し、80℃、1分で乾燥した。レジスト像上には金微粒子分散物はほとんど残存せず、レジスト像以外の部分に、電極パターン状に厚さ0.1μmの金微粒子分散層が形成されていた。さらにTHFを用いてレジスト像を除去した。ポリイミドフィルム上には金微粒子分散層からなる電極パターンが良好に形成されていた。200℃で30分加熱処理を施すことで、金微粒子分散層中の金微粒子が融着し、目的とする電極パターンが得られた。この電極の導電性は良好であった。
【0050】
実施例4
実施例1のレジスト面上に、特開2000−123634に記載された方法で調製された銅微粒子(平均粒径約10nm)のα−テルピネオール分散液を塗布し、厚さ0.2μmの銅微粒子分散層を形成した以外は同様に電極パターンの形成を行った。実施例1と同様に導電性の良好な電極を形成することができた。
【0051】
【発明の効果】
本発明の方法により、解像度や位置精度の高い導電路や電極を、簡便な作製方法で提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】レジスト像を用いて金属微粒子分散層をパターニングする方法を示す。
【符号の説明】
1 支持体
2 金属微粒子分散層
3 レジスト像
5 パターニングされた金属微粒子分散層
Claims (10)
- 支持体上にレジスト像を形成した後、レジスト像の除去液にに不溶性または非分散性の金属微粒子分散層を塗設し、レジスト像を除去して金属微粒子分散層をパターニングした後、加熱して金属微粒子を熱融着させることを特徴とする導電路又は電極の形成方法。
- レジスト像がフォトレジストにより形成されることを特徴とする請求項1記載の導電路又は電極の形成方法。
- フォトレジストがレーザ感光性であることを特徴とする請求項1又は2記載の導電路又は電極の形成方法。
- フォトレジストがポジ型であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- フォトレジストが赤外レーザ感光性であることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- 金属微粒子分散層が水又はアルコールに対して分散性を有することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- 金属微粒子分散層中の金属微粒子が50nm以下であることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- レジスト層に有機溶剤を用いて除去することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- レジスト層に有機溶剤を用いて除去した後、加熱することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法。
- 請求項1〜9の何れか1項記載の導電路又は電極の形成方法により形成されたことを特徴とする導電路又は電極。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002194522A JP4100064B2 (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002194522A JP4100064B2 (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004039429A true JP2004039429A (ja) | 2004-02-05 |
JP4100064B2 JP4100064B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=31703199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002194522A Expired - Fee Related JP4100064B2 (ja) | 2002-07-03 | 2002-07-03 | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4100064B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007182605A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜形成方法及び薄膜 |
JP2012022833A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Fujifilm Corp | 導電膜の製造方法 |
-
2002
- 2002-07-03 JP JP2002194522A patent/JP4100064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007182605A (ja) * | 2006-01-06 | 2007-07-19 | Konica Minolta Holdings Inc | 薄膜形成方法及び薄膜 |
JP2012022833A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Fujifilm Corp | 導電膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4100064B2 (ja) | 2008-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20050250052A1 (en) | Maskless lithography using UV absorbing nano particle | |
CN104076600A (zh) | 无缝塑模的制造方法 | |
TW200805001A (en) | Laser ablation resist | |
CN113075868B (zh) | 一种光刻胶图形化方法及双层光刻胶剥离方法 | |
KR20020043166A (ko) | 도전성 패턴 형성 방법 | |
JP2001100428A (ja) | 半導体装置の製造方法、微細パターン形成用薬液および半導体装置 | |
JP2004031933A (ja) | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び、それにより製造された有機薄膜トランジスタと有機薄膜トランジスタシート | |
KR100630766B1 (ko) | 상변화 물질을 사용한 패턴 형성 방법 및 그 재작업 방법 | |
US7989146B2 (en) | Component fabrication using thermal resist materials | |
JP4100064B2 (ja) | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 | |
US20160041471A1 (en) | Acidified conductive water for developer residue removal | |
JP2010529655A (ja) | パターン化されている光酸エッチング及びこれにより製造された物品 | |
JP2004039792A (ja) | 導電路又は電極、およびそれらの形成方法 | |
KR101196677B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
JP5515962B2 (ja) | 化学増幅型レジストパターンの改質方法 | |
JP4487471B2 (ja) | 導電路又は電極の形成方法 | |
Middya et al. | Lithography and electrodes | |
JP4113341B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP2007529088A (ja) | 接触印刷を用いる厚膜ペーストでのビアの充填 | |
JP2007178885A (ja) | パターンおよび配線パターンならびにそれらの製造法 | |
US7005220B2 (en) | Method for structuring a lithography mask | |
JPH0864492A (ja) | 反射防止膜およびこれを用いたパターン形成方法 | |
TWI243102B (en) | Manufacturing method of ink jet recording head and ink jet recording head manufactured by manufacturing method | |
JP2000181065A (ja) | パターン形成材料及びパターン形成方法 | |
TWI702309B (zh) | 配線圖案之製造方法、導電膜之製造方法、及電晶體之製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050630 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070807 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071004 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071030 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071219 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080310 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4100064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140328 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |