JP2004033610A - 温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置 - Google Patents
温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004033610A JP2004033610A JP2002197279A JP2002197279A JP2004033610A JP 2004033610 A JP2004033610 A JP 2004033610A JP 2002197279 A JP2002197279 A JP 2002197279A JP 2002197279 A JP2002197279 A JP 2002197279A JP 2004033610 A JP2004033610 A JP 2004033610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature difference
- temperature
- fingerprint identification
- thermocouple
- identification chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
- Image Input (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置の提供。
【解決手段】各一つの検出セル構造は、シリコン基板、該シリコン基板の上の熱絶縁構造とされるフィールド酸化層、少なくとも一つの熱電対が直列されてなり、熱コンタクト領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し冷コンタクト領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層の上に位置するサーモパイル、少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えて該フィールド酸化層の中央部分と最表面の保護層の間に形成されるヒートパイプ構造と、を具えている。
【選択図】 図3
【解決手段】各一つの検出セル構造は、シリコン基板、該シリコン基板の上の熱絶縁構造とされるフィールド酸化層、少なくとも一つの熱電対が直列されてなり、熱コンタクト領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し冷コンタクト領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層の上に位置するサーモパイル、少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えて該フィールド酸化層の中央部分と最表面の保護層の間に形成されるヒートパイプ構造と、を具えている。
【選択図】 図3
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、指紋読み取りの原理及び設計に係り、特に、熱電温度差感応設計原理に基づき、及び、集積回路の製造方法を利用し、完成した温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置であって、且つ米国特許第6,300,554号の「METHOD OF FABRICATING THERMOELECTRIC SENSOR AND THERMOELECTRIC
SENSOR DEVICE」(熱電センサ製造方法及び熱電センサ装置)及び米国特許第6,335,478 B1号の「THERMOPILE INFRARED SENSOR,THERMOPILE INFRARED SENSORS ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME」( サーモパイル赤外線センサ、サーモパイル赤外線センサアレイ、及びその製造方法)に関連する発明である。
【0002】
【従来の技術】
周知の指紋識別方法は、最も早期の方式は、インクを指の腹に付けて紙に押し当てた後、光学方式を利用して対比するか或いは走査方式でコンピュータデータベースに入力して対比を行い、身分認証に使用する。このような周知の方式の最大の欠点は、適時に即刻身分を識別する目的を達成できないことであり、このためますます多くなるリアルタイムの認証の要求、例えばネットワーク認証、電子商取引、携帯式電子製品秘密保持、ICカード個人身分認証及び保全システムを満足させられない。
【0003】
こうして数種類の、リアルタイム指紋識別の方式が生まれた。それには、光学方式に属する指紋識別、例えば米国特許第4,053,228号及び第4,340,300号、及び、電子式リアルタイム指紋識別システムで圧電材料或いは電気的接触方式に属するもの、例えば米国特許第4,394,773号、第5,503,029号,第5,400,662号,第5,844,287号、手指静電感応方式に属する指紋識別、例えば米国特許第6,049,620号、放熱感応方式の指紋識別、例えば米国特許第6,061,464号がある。
【0004】
そのうち、光学システムの価格は比較的高く、消耗パワーが高く(光源による消耗)且つ体積が比較的大きく(光学パーツのサイズ及び光学成像が必要とする固定距離のレイアウトに制限を受ける)、このため多くの携帯式電子製品、例えばノートパソコンや携帯電話には不適用である。電子式のシステムの体積は相当大きく改善されてはいるが、パワー消耗が大きく(電気接触式の検出セルは二つの電極接触時に電流流通を有する)、且つ集積回路工程と整合させにくい(圧電材料の製造は集積回路工程にマッチングしない)という欠点がある。また、静電感応と電容感応方式は灰塵、手指の汗水及び電磁干渉を受けやすく、且つ複雑なアナログ回路を利用して検出セルの微小な電気信号を読み取る必要がある。製造方面では、静電感応と電容感応方式は集積回路工程にマッチングしうるが、良好な結果を得るためには却ってハイレベルの集積回路工程(<0.35μm)を必要とし、製造コストを増加した。最後の一種である放熱感応方式は、その検出セルの基本構造が、加熱抵抗及び温度センサとされ、該加熱抵抗を利用し検出セル温度を人体体温より高くし、手指接触により一部の熱量を奪って比較的低い温度を形成し、この温度センサを透過して指紋に対応するサーモグラフを得る。その最大の欠点は、消耗パワーが高過ぎ、電力が有限な携帯式電子製品には使用できず、且つ製造方式が集積回路工程と相いれないことである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述の原因により、現在の周知の技術により製造したリアルタイム指紋識別システムは、軽薄短小、製造の容易さ、高い安定度、低いパワー消耗及び価格の便宜性の要求を同時に達成することはできない。このため、周知の欠点を克服するため、本発明は一種の温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置を提供し、その応用を推奨するのに有利で、並びに最良の身分認証に使用できるようにする(生理上、各個人の指紋は異なる)。
【0006】
本発明の主要な目的は、一種の温度差検出セルの設計を提供し、人体体温で生物識別する原理に基づき、手指の指紋の峰と検出セルの接触を透過し、温度勾配を形成し、該検出セルにより該温度勾配を電気信号に変換し、複数の検出セルを二次元アレイ方式で配列した指紋識別チップを応用し、指紋の峰輪郭のサーモグラフ電気信号を出力し、指紋識別の目的を達成することにある。
【0007】
本発明のもう一つの目的は、温度差検出セルを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置を提供することにあり、それは、軽薄短小、製造容易、高い安定度、低いパワー消耗及び価格便宜の機能を同時に達成でき、応用推奨に有利で、最良の身分認証の方式を提供できる装置であるものとする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、温度差検出セルにおいて、人体体温で生物を識別する原理を利用し、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を利用して温度勾配を形成し、この温度勾配を電気信号に変換し、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項2の発明は、請求項1に記載の温度差検出セルにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項3の発明は、温度差検出セルにおいて、人体体温で生物を識別する原理を利用し、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を利用して温度勾配を形成し、この温度勾配を電気信号に変換し、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
該熱絶縁構造の上方に設けられて少なくとも一つの熱電対の熱接触領域を加熱して温度を手指の温度より高くする加熱抵抗と、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項4の発明は、請求項3に記載の温度差検出セルにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項5の発明は、請求項3に記載の温度差検出セルにおいて、加熱抵抗の材料がn型或いはp型シリコン導体とされたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項6の発明は、温度差感応式指紋識別チップにおいて、該温度差感応式指紋識別チップは指紋サーモグラフを読み取るのに用いられると共に、その設計製造方法が完全にCMOS集積回路工程にマッチングし、該温度差感応式指紋識別チップは、二次元アレイ方式で配列された複数の温度差検出セルを具え、並びにそれが信号読み取り回路に整合されてシステム化シングルチップとされ、人体体温で生物を識別する原理により、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を透過して温度勾配を形成し、該温度勾配を該温度差検出セルにより電気信号に変換し、手指接触時の指紋の峰のサーモグラフを読み取ることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項7の発明は、請求項6に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、温度差感応式指紋識別チップの下方に熱電クーラーが設置され、これにより温度差感応式指紋識別チップの温度が制御されて安定し、該温度差感応式指紋識別チップの温度が手指の温度より高くされるか、或いは温度差感応式指紋識別チップの温度が手指の温度より低くされることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項8の発明は、請求項6に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
を具えたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項9の発明は、請求項8に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項10の発明は、請求項8に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、該熱絶縁構造の上方に加熱抵抗が設けられ、該加熱提供が少なくとも一つの熱電対の熱接触領域を加熱してその温度を手指の温度より高くすることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項11の発明は、請求項11に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、加熱抵抗の材料がn型或いはp型シリコン導体とされたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項12の発明は、温度差検出セルにおいて、該温度差検出セルが、少なくとも一層のポリシリコンと少なくとも一つの金属配線層金属を具えたCMOS集積回路工程で製造され、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上にフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層を利用して形成された熱絶縁構造と、
該熱絶縁構造の四周囲に形成されると共に、ゲート酸化層とされる薄い酸化層と、
少なくとも一つの熱電対とされ、第1熱電対材料と第2熱電対材料で組成され、少なくとも一つの熱電対の熱接触領域が該熱絶縁構造の中央部分に位置し、少なくとも一つの熱電対の冷接触領域が該熱絶縁構造周囲の薄い酸化層上に位置する、上記少なくとも一つの熱電対と、
該第1熱電対材料と該第2熱電対材料を連接する、少なくとも一つのコンタクトホールプラグ金属と、
少なくとも一つの導体層、少なくとも一つのプラグ金属を具えると共に該熱絶縁構造の中央部分と最表面の保護層の間に形成された、ヒートパイプと、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項13の発明は、請求項12に記載の温度差検出セルにおいて、第1熱電対材料がポリシリコンとされ、第2熱電対材料が金属配線とされたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項14の発明は、請求項12に記載の温度差検出セルにおいて、コンタクトホールプラグ金属がタングステンで組成されたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項15の発明は、温度差感応式指紋識別チップの温度を安定させる構造において、
二次元配列された複数の温度差検出セルで組成された温度差感応式指紋識別チップと、
該温度差感応式指紋識別チップの下方に位置し、温度差感応式指紋識別チップの温度を制御して安定させ、該温度差感応式指紋識別チップの温度を手指の温度より高くするか、或いは該温度差感応式指紋識別チップの温度を手指の温度より低くする、熱電クーラーと、
を具えたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップの温度を安定させる構造としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の一つの実施態様は、温度差感応原理に基づく検出セル構造を提供し、それは、シリコン基板、該シリコン基板の上に形成されて熱絶縁構造とされるフィールド酸化層、少なくとも一つの熱電対が直列されてなり、その熱コンタクト領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、その冷コンタクト領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層の上に位置するサーモパイル、少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えて該フィールド酸化層の中央部分と最表面の保護層の間に形成されるヒートパイプ構造と、を具えている。
【0010】
本発明のもう一つの実施態様は、温度差感応式指紋識別チップを提供し、それは、複数の温度差検出セルを二次元アレイ方式で配列し、並びにその信号読み取り回路を整合して完成したシステム化チップを具え、この指紋識別チップが人体体温で生物識別する原理を以て、手指指紋の峰と温度差検出セルの接触により温度勾配を形成し、この温度差検出セルにより該温度勾配を電気信号に変換する。
【0011】
【実施例】
図1は本発明の温度差感応式指紋識別チップ1が手指2の指紋識別を行う表示図である。そのうち、該温度差感応式指紋識別チップ1は指紋サーモグラフを読み取るのに用いられ、二次元アレイ方式で配列された複数の温度差検出セル10を具えている。手指2が温度差感応式指紋識別チップ1に接触する時、手指2表面の不規則形状の指紋の峰20と一部の検出セル10が接触し、該温度差感応式指紋識別チップ1表面に該指紋の峰20に対応するサーモグラフ20aが残り、このサーモグラフ20aの形状によりもとの指紋の峰20の形状を識別することができる。上述の温度差感応式指紋識別チップ1は温度差検出セル10の応用であり、全ての技術原理はいずれもこの温度差検出セル10の構造と特性により達成される。
【0012】
図2は本発明の温度差感応式指紋識別チップの温度差感応原理表示図である。図示されるように、各一つの温度差検出セル10は集積回路工程により製造され、特にCMOS工程により製造される。該温度差検出セル10の基本構造は、シリコン基板100、熱絶縁構造をなすフィールド酸化層101(LOCOS)、直列されてサーモパイルを形成する少なくとも一つの熱電対102を具え、該サーモパイルの熱接触領域200は該フィールド酸化層101の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域300はフィールド酸化層101周囲の薄い酸化層101a(Thin Oxide)(図示せず)の上に位置する。ヒートパイプ400構造は、少なくとも一つの導体配線層(Metal Interconnect)と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具え、ヒートパイプ400が該フィールド酸化層101の中央部分と最も表面の表層保護層106(Passivation)の間に形成される。
【0013】
手指2の指紋は、指紋の峰20と指紋の谷21を具え、手指の指紋の峰20と温度差検出セル10が接触する時、指紋の峰20と温度差検出セル10間に存在しうる熱量(図中の矢印に示される)が、固体熱伝導メカニズムにより伝播される。そのうち、殆どの熱エネルギーは該ヒートパイプ400により該フィールド酸化層101上のサーモパイル熱接触領域200に伝導され、さらにこのサーモパイル熱接触領域200より各方向に伝播され、これによりサーモパイル熱接触領域200とサーモパイル冷接触領域300の間に発生する温度勾配(Temperature Gradient)が温度差△Tを形成し、温度差検出セル10がこの温度差△Tに感応して電圧信号を出力し、これにより指紋の峰20と接触しているか否かを判別する。温度差検出セル10が発生する電圧信号は以下の公式で表示される。
V=Nα△T・・・・(1)
このNの値は直列された熱電対の数であり、αは単一熱電対のゼーベック係数(V/℃)である。
【0014】
図2の温度差検出セル10の細部構造を詳しく説明するために、図3に本実施例の単一温度差検出セル10の断面構造を示した。それが採用するのは、商用の一層のポリシリコンと二層金属(1P2M)CMOS工程である。CMOS集積回路工程は周知の技術であり、その詳細な製造フローはここでは説明しないが、温度差検出セル10の構造設計と材料属性について以下に説明する。
【0015】
まず、シリコン基板100上に熱絶縁構造を画定する。この熱絶縁構造は、CMOS工程中のフィールド酸化層101(LOCOS)で形成し、この熱絶縁構造を囲む周囲を薄い酸化層101aと定め、この薄い酸化層101aはCMOS工程中のゲート酸化層(Gate Oxide)とされる。熱電対102は第2熱電対材料102b及び第2熱電対材料102bで組成されている。この第1熱電対材料102aはCMOS工程中のポリシリコンゲート材料とされ、第2熱電対材料102bはCMOS工程中の第1金属連接線(Metal #1)とされ、それは通常、アルミ或いはアルミ合金材料とされる。この第1熱電対材料102aと第2熱電対材料102bはビアホール金属プラグ103aを透過して連接され、このビアホール金属プラグ103aは通常、タングステン材料とされる。また、温度差検出セル10の構造も導体間誘電層103(Inter−Layer Dielectric,ILD)、金属間誘電層104(Inter−Metal Dielectric,IMD)及び最も表面の保護層106(Passivation)を具えている。
【0016】
特に注意に値することは、該熱電対102の熱接触領域200と該冷接触領域300が最大の温度勾配(温度差)を有することができるようにするために、ヒートパイプ400の設計によりこの温度勾配の効果を増強していることである。このヒートパイプ400構造は、少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのプラグ金属で組成され、本製造工程中、該ヒートパイプ400構造は、一部のポリシリコン層(第1熱電対材料102a)、少なくとも一つのコンタクトホールプラグ金属103a、少なくとも一つのビアホール金属プラグ104a、一部の第1金属配線層(第2熱電対材料102b)及び一部の第2金属配線層105を具えている。
【0017】
図4は図3の実施例の検出セル10の温度勾配分析結果であり、そのうち符号410〜415の曲線は、それぞれある温度の等温線を代表し、これにより、熱接触領域200と冷接触領域300が異なる温度領域内に位置し温度差△Tをもたらすことが分かり、この温度差△Tの分析結果が図5、6に示される。
【0018】
図5、6に示されるのは、温度差感応式指紋識別チップの異なる環境温度での(30℃と40℃)、熱接触領域200と冷接触領域300の温度差△Tである。そのうち、曲線1は検出セル10と指紋の峰20が接触する時の温度差△T時間応答曲線であり、曲線2は検出セル10と指紋の谷21が接触する時の温度差△T時間応答曲線であり、分析結果は、異なる環境温度下で曲線2の数値が0に近づく傾向にあり、相当低い電圧信号出力(0に近い)を代表し、環境温度を極めて大きく改変させる時、曲線1は相当大きな絶対値温度差△Tを有することを示す。
【0019】
例えばある実際規格を例に挙げると、単一検出セル画素(Pixel)面積が80μm×80μmで、60対の熱電対を具え、熱電対のゼーベック係数は約100μV/℃である。もし温度差△Tが1℃であれば、公式(1)により6mVもの熱電動勢が得られ、本発明の温度差感応式原理の優越性を示すのに十分である。
【0020】
図7は本発明の温度差検出セルのもう一つの実施例の断面図である。図7と図3に示される実施例の最大の違いは、熱絶縁構造(フィールド酸化層101)の上方に形成した加熱抵抗700を利用していることにある。この加熱抵抗700はポリシリコン材料とされ、該熱電対102の該熱接触領域200を加熱し、これにより温度を手指温度より高くし、指紋の峰20と接触する温度差検出セル10の温度差△Tが比較的小さく、指紋の谷21と接触する温度差検出セル10の温度差△Tが比較的大きくなるようにしている。この方式の目的は、安定した電気信号出力が得られるようにすることにある。
【0021】
図8に示されるのは、本発明の温度差感応式指紋識別チップの温度安定方法表示図であり、図8と図2の実施例の最大の違いは、熱電クーラー(Thermo−Electric Cooler,TE−Cooler)800を利用して温度差感応式指紋識別チップ1の温度を制御して安定させるようにしたことである。その方式は、温度差感応式指紋識別チップ1の温度を手指の温度より高くするか、或いは温度差感応式指紋識別チップ1の温度を手指の温度より低くし、このように熱電クーラー800を利用することにより温度差感応式指紋識別チップ1の温度を制御して安定させ、安定した電気信号出力を得るというものである。
【0022】
以上の実施例は僅かに本発明の技術思想及び特徴を説明すると共に、この発明が属する技術の分野における通常の知識を有するものが本発明の内容を了解し並びにこれに基づいて実施できるようにするためのものであり、本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に記載の精神に基づきなしうる均等の変化或いは修飾は、本発明の請求範囲内に属するものとする。例えば、本発明の温度差感応式指紋識別チップに適用される集積回路工程、特にCMOS工程は、その基本的な要求は少なくとも一つのポリシリコン層、少なくとも二つの金属配線層を有し、同時にフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層工程を有する集積回路工程であるものとされる。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、一種の温度差検出セルの設計を提供し、人体体温で生物識別する原理に基づき、手指の指紋の峰と検出セルの接触を透過し、温度勾配を形成し、該検出セルにより該温度勾配を電気信号に変換し、複数の検出セルを二次元アレイ方式で配列した指紋識別チップを応用し、指紋の峰輪郭のサーモグラフ電気信号を出力し、指紋識別の目的を達成している。
【0024】
本発明は、温度差検出セルを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置を提供し、それは、軽薄短小、製造容易、高い安定度、低いパワー消耗及び価格便宜の機能を同時に達成でき、応用推奨に有利で、最良の身分認証の方式を提供できる装置である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の温度差感応式チップが手指指紋識別を行う表示図である。
【図2】本発明の指紋識別チップの温度差感応原理表示図である。
【図3】本発明の単一温度差検出セルの構造断面図である。
【図4】図3の単一温度差検出セルの温度勾配分析結果図である。
【図5】異なる環境温度下(30℃と40℃)での温度差△T時間応答図である。
【図6】異なる環境温度下(30℃と40℃)での温度差△T時間応答図である。
【図7】本発明の温度差検出セルのもう一つの実施例の構造断面図である。
【図8】本発明の温度差感応式指紋識別チップのチップ温度安定方式表示図である。
【符号の説明】
1 温度差感応式指紋識別チップ
10 検出セル
100 シリコン基板 101 フィールド酸化層
101a 薄い酸化層 102 熱電対
102a 第1熱電対材料 102b 第2熱電対材料
103 導体間誘電層 103a コンタクトホールプラグ金属
104 金属間誘電層 104a ビアホール金属プラグ
105 第2金属配線層 106 保護層
2 手指
20 指紋の峰 20a サーモグラフ
21 指紋の谷
200 熱接触領域
300 冷接触領域
400 ヒートパイプ
410〜415 異なる温度の等温線
700 加熱抵抗
800 熱電クーラー
【発明の属する技術分野】
本発明は、指紋読み取りの原理及び設計に係り、特に、熱電温度差感応設計原理に基づき、及び、集積回路の製造方法を利用し、完成した温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置であって、且つ米国特許第6,300,554号の「METHOD OF FABRICATING THERMOELECTRIC SENSOR AND THERMOELECTRIC
SENSOR DEVICE」(熱電センサ製造方法及び熱電センサ装置)及び米国特許第6,335,478 B1号の「THERMOPILE INFRARED SENSOR,THERMOPILE INFRARED SENSORS ARRAY, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME」( サーモパイル赤外線センサ、サーモパイル赤外線センサアレイ、及びその製造方法)に関連する発明である。
【0002】
【従来の技術】
周知の指紋識別方法は、最も早期の方式は、インクを指の腹に付けて紙に押し当てた後、光学方式を利用して対比するか或いは走査方式でコンピュータデータベースに入力して対比を行い、身分認証に使用する。このような周知の方式の最大の欠点は、適時に即刻身分を識別する目的を達成できないことであり、このためますます多くなるリアルタイムの認証の要求、例えばネットワーク認証、電子商取引、携帯式電子製品秘密保持、ICカード個人身分認証及び保全システムを満足させられない。
【0003】
こうして数種類の、リアルタイム指紋識別の方式が生まれた。それには、光学方式に属する指紋識別、例えば米国特許第4,053,228号及び第4,340,300号、及び、電子式リアルタイム指紋識別システムで圧電材料或いは電気的接触方式に属するもの、例えば米国特許第4,394,773号、第5,503,029号,第5,400,662号,第5,844,287号、手指静電感応方式に属する指紋識別、例えば米国特許第6,049,620号、放熱感応方式の指紋識別、例えば米国特許第6,061,464号がある。
【0004】
そのうち、光学システムの価格は比較的高く、消耗パワーが高く(光源による消耗)且つ体積が比較的大きく(光学パーツのサイズ及び光学成像が必要とする固定距離のレイアウトに制限を受ける)、このため多くの携帯式電子製品、例えばノートパソコンや携帯電話には不適用である。電子式のシステムの体積は相当大きく改善されてはいるが、パワー消耗が大きく(電気接触式の検出セルは二つの電極接触時に電流流通を有する)、且つ集積回路工程と整合させにくい(圧電材料の製造は集積回路工程にマッチングしない)という欠点がある。また、静電感応と電容感応方式は灰塵、手指の汗水及び電磁干渉を受けやすく、且つ複雑なアナログ回路を利用して検出セルの微小な電気信号を読み取る必要がある。製造方面では、静電感応と電容感応方式は集積回路工程にマッチングしうるが、良好な結果を得るためには却ってハイレベルの集積回路工程(<0.35μm)を必要とし、製造コストを増加した。最後の一種である放熱感応方式は、その検出セルの基本構造が、加熱抵抗及び温度センサとされ、該加熱抵抗を利用し検出セル温度を人体体温より高くし、手指接触により一部の熱量を奪って比較的低い温度を形成し、この温度センサを透過して指紋に対応するサーモグラフを得る。その最大の欠点は、消耗パワーが高過ぎ、電力が有限な携帯式電子製品には使用できず、且つ製造方式が集積回路工程と相いれないことである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上述の原因により、現在の周知の技術により製造したリアルタイム指紋識別システムは、軽薄短小、製造の容易さ、高い安定度、低いパワー消耗及び価格の便宜性の要求を同時に達成することはできない。このため、周知の欠点を克服するため、本発明は一種の温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置を提供し、その応用を推奨するのに有利で、並びに最良の身分認証に使用できるようにする(生理上、各個人の指紋は異なる)。
【0006】
本発明の主要な目的は、一種の温度差検出セルの設計を提供し、人体体温で生物識別する原理に基づき、手指の指紋の峰と検出セルの接触を透過し、温度勾配を形成し、該検出セルにより該温度勾配を電気信号に変換し、複数の検出セルを二次元アレイ方式で配列した指紋識別チップを応用し、指紋の峰輪郭のサーモグラフ電気信号を出力し、指紋識別の目的を達成することにある。
【0007】
本発明のもう一つの目的は、温度差検出セルを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置を提供することにあり、それは、軽薄短小、製造容易、高い安定度、低いパワー消耗及び価格便宜の機能を同時に達成でき、応用推奨に有利で、最良の身分認証の方式を提供できる装置であるものとする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、温度差検出セルにおいて、人体体温で生物を識別する原理を利用し、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を利用して温度勾配を形成し、この温度勾配を電気信号に変換し、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項2の発明は、請求項1に記載の温度差検出セルにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項3の発明は、温度差検出セルにおいて、人体体温で生物を識別する原理を利用し、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を利用して温度勾配を形成し、この温度勾配を電気信号に変換し、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
該熱絶縁構造の上方に設けられて少なくとも一つの熱電対の熱接触領域を加熱して温度を手指の温度より高くする加熱抵抗と、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項4の発明は、請求項3に記載の温度差検出セルにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項5の発明は、請求項3に記載の温度差検出セルにおいて、加熱抵抗の材料がn型或いはp型シリコン導体とされたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項6の発明は、温度差感応式指紋識別チップにおいて、該温度差感応式指紋識別チップは指紋サーモグラフを読み取るのに用いられると共に、その設計製造方法が完全にCMOS集積回路工程にマッチングし、該温度差感応式指紋識別チップは、二次元アレイ方式で配列された複数の温度差検出セルを具え、並びにそれが信号読み取り回路に整合されてシステム化シングルチップとされ、人体体温で生物を識別する原理により、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を透過して温度勾配を形成し、該温度勾配を該温度差検出セルにより電気信号に変換し、手指接触時の指紋の峰のサーモグラフを読み取ることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項7の発明は、請求項6に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、温度差感応式指紋識別チップの下方に熱電クーラーが設置され、これにより温度差感応式指紋識別チップの温度が制御されて安定し、該温度差感応式指紋識別チップの温度が手指の温度より高くされるか、或いは温度差感応式指紋識別チップの温度が手指の温度より低くされることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項8の発明は、請求項6に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
を具えたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項9の発明は、請求項8に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項10の発明は、請求項8に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、該熱絶縁構造の上方に加熱抵抗が設けられ、該加熱提供が少なくとも一つの熱電対の熱接触領域を加熱してその温度を手指の温度より高くすることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項11の発明は、請求項11に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、加熱抵抗の材料がn型或いはp型シリコン導体とされたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップとしている。
請求項12の発明は、温度差検出セルにおいて、該温度差検出セルが、少なくとも一層のポリシリコンと少なくとも一つの金属配線層金属を具えたCMOS集積回路工程で製造され、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上にフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層を利用して形成された熱絶縁構造と、
該熱絶縁構造の四周囲に形成されると共に、ゲート酸化層とされる薄い酸化層と、
少なくとも一つの熱電対とされ、第1熱電対材料と第2熱電対材料で組成され、少なくとも一つの熱電対の熱接触領域が該熱絶縁構造の中央部分に位置し、少なくとも一つの熱電対の冷接触領域が該熱絶縁構造周囲の薄い酸化層上に位置する、上記少なくとも一つの熱電対と、
該第1熱電対材料と該第2熱電対材料を連接する、少なくとも一つのコンタクトホールプラグ金属と、
少なくとも一つの導体層、少なくとも一つのプラグ金属を具えると共に該熱絶縁構造の中央部分と最表面の保護層の間に形成された、ヒートパイプと、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項13の発明は、請求項12に記載の温度差検出セルにおいて、第1熱電対材料がポリシリコンとされ、第2熱電対材料が金属配線とされたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項14の発明は、請求項12に記載の温度差検出セルにおいて、コンタクトホールプラグ金属がタングステンで組成されたことを特徴とする、温度差検出セルとしている。
請求項15の発明は、温度差感応式指紋識別チップの温度を安定させる構造において、
二次元配列された複数の温度差検出セルで組成された温度差感応式指紋識別チップと、
該温度差感応式指紋識別チップの下方に位置し、温度差感応式指紋識別チップの温度を制御して安定させ、該温度差感応式指紋識別チップの温度を手指の温度より高くするか、或いは該温度差感応式指紋識別チップの温度を手指の温度より低くする、熱電クーラーと、
を具えたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップの温度を安定させる構造としている。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の一つの実施態様は、温度差感応原理に基づく検出セル構造を提供し、それは、シリコン基板、該シリコン基板の上に形成されて熱絶縁構造とされるフィールド酸化層、少なくとも一つの熱電対が直列されてなり、その熱コンタクト領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、その冷コンタクト領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層の上に位置するサーモパイル、少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えて該フィールド酸化層の中央部分と最表面の保護層の間に形成されるヒートパイプ構造と、を具えている。
【0010】
本発明のもう一つの実施態様は、温度差感応式指紋識別チップを提供し、それは、複数の温度差検出セルを二次元アレイ方式で配列し、並びにその信号読み取り回路を整合して完成したシステム化チップを具え、この指紋識別チップが人体体温で生物識別する原理を以て、手指指紋の峰と温度差検出セルの接触により温度勾配を形成し、この温度差検出セルにより該温度勾配を電気信号に変換する。
【0011】
【実施例】
図1は本発明の温度差感応式指紋識別チップ1が手指2の指紋識別を行う表示図である。そのうち、該温度差感応式指紋識別チップ1は指紋サーモグラフを読み取るのに用いられ、二次元アレイ方式で配列された複数の温度差検出セル10を具えている。手指2が温度差感応式指紋識別チップ1に接触する時、手指2表面の不規則形状の指紋の峰20と一部の検出セル10が接触し、該温度差感応式指紋識別チップ1表面に該指紋の峰20に対応するサーモグラフ20aが残り、このサーモグラフ20aの形状によりもとの指紋の峰20の形状を識別することができる。上述の温度差感応式指紋識別チップ1は温度差検出セル10の応用であり、全ての技術原理はいずれもこの温度差検出セル10の構造と特性により達成される。
【0012】
図2は本発明の温度差感応式指紋識別チップの温度差感応原理表示図である。図示されるように、各一つの温度差検出セル10は集積回路工程により製造され、特にCMOS工程により製造される。該温度差検出セル10の基本構造は、シリコン基板100、熱絶縁構造をなすフィールド酸化層101(LOCOS)、直列されてサーモパイルを形成する少なくとも一つの熱電対102を具え、該サーモパイルの熱接触領域200は該フィールド酸化層101の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域300はフィールド酸化層101周囲の薄い酸化層101a(Thin Oxide)(図示せず)の上に位置する。ヒートパイプ400構造は、少なくとも一つの導体配線層(Metal Interconnect)と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具え、ヒートパイプ400が該フィールド酸化層101の中央部分と最も表面の表層保護層106(Passivation)の間に形成される。
【0013】
手指2の指紋は、指紋の峰20と指紋の谷21を具え、手指の指紋の峰20と温度差検出セル10が接触する時、指紋の峰20と温度差検出セル10間に存在しうる熱量(図中の矢印に示される)が、固体熱伝導メカニズムにより伝播される。そのうち、殆どの熱エネルギーは該ヒートパイプ400により該フィールド酸化層101上のサーモパイル熱接触領域200に伝導され、さらにこのサーモパイル熱接触領域200より各方向に伝播され、これによりサーモパイル熱接触領域200とサーモパイル冷接触領域300の間に発生する温度勾配(Temperature Gradient)が温度差△Tを形成し、温度差検出セル10がこの温度差△Tに感応して電圧信号を出力し、これにより指紋の峰20と接触しているか否かを判別する。温度差検出セル10が発生する電圧信号は以下の公式で表示される。
V=Nα△T・・・・(1)
このNの値は直列された熱電対の数であり、αは単一熱電対のゼーベック係数(V/℃)である。
【0014】
図2の温度差検出セル10の細部構造を詳しく説明するために、図3に本実施例の単一温度差検出セル10の断面構造を示した。それが採用するのは、商用の一層のポリシリコンと二層金属(1P2M)CMOS工程である。CMOS集積回路工程は周知の技術であり、その詳細な製造フローはここでは説明しないが、温度差検出セル10の構造設計と材料属性について以下に説明する。
【0015】
まず、シリコン基板100上に熱絶縁構造を画定する。この熱絶縁構造は、CMOS工程中のフィールド酸化層101(LOCOS)で形成し、この熱絶縁構造を囲む周囲を薄い酸化層101aと定め、この薄い酸化層101aはCMOS工程中のゲート酸化層(Gate Oxide)とされる。熱電対102は第2熱電対材料102b及び第2熱電対材料102bで組成されている。この第1熱電対材料102aはCMOS工程中のポリシリコンゲート材料とされ、第2熱電対材料102bはCMOS工程中の第1金属連接線(Metal #1)とされ、それは通常、アルミ或いはアルミ合金材料とされる。この第1熱電対材料102aと第2熱電対材料102bはビアホール金属プラグ103aを透過して連接され、このビアホール金属プラグ103aは通常、タングステン材料とされる。また、温度差検出セル10の構造も導体間誘電層103(Inter−Layer Dielectric,ILD)、金属間誘電層104(Inter−Metal Dielectric,IMD)及び最も表面の保護層106(Passivation)を具えている。
【0016】
特に注意に値することは、該熱電対102の熱接触領域200と該冷接触領域300が最大の温度勾配(温度差)を有することができるようにするために、ヒートパイプ400の設計によりこの温度勾配の効果を増強していることである。このヒートパイプ400構造は、少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのプラグ金属で組成され、本製造工程中、該ヒートパイプ400構造は、一部のポリシリコン層(第1熱電対材料102a)、少なくとも一つのコンタクトホールプラグ金属103a、少なくとも一つのビアホール金属プラグ104a、一部の第1金属配線層(第2熱電対材料102b)及び一部の第2金属配線層105を具えている。
【0017】
図4は図3の実施例の検出セル10の温度勾配分析結果であり、そのうち符号410〜415の曲線は、それぞれある温度の等温線を代表し、これにより、熱接触領域200と冷接触領域300が異なる温度領域内に位置し温度差△Tをもたらすことが分かり、この温度差△Tの分析結果が図5、6に示される。
【0018】
図5、6に示されるのは、温度差感応式指紋識別チップの異なる環境温度での(30℃と40℃)、熱接触領域200と冷接触領域300の温度差△Tである。そのうち、曲線1は検出セル10と指紋の峰20が接触する時の温度差△T時間応答曲線であり、曲線2は検出セル10と指紋の谷21が接触する時の温度差△T時間応答曲線であり、分析結果は、異なる環境温度下で曲線2の数値が0に近づく傾向にあり、相当低い電圧信号出力(0に近い)を代表し、環境温度を極めて大きく改変させる時、曲線1は相当大きな絶対値温度差△Tを有することを示す。
【0019】
例えばある実際規格を例に挙げると、単一検出セル画素(Pixel)面積が80μm×80μmで、60対の熱電対を具え、熱電対のゼーベック係数は約100μV/℃である。もし温度差△Tが1℃であれば、公式(1)により6mVもの熱電動勢が得られ、本発明の温度差感応式原理の優越性を示すのに十分である。
【0020】
図7は本発明の温度差検出セルのもう一つの実施例の断面図である。図7と図3に示される実施例の最大の違いは、熱絶縁構造(フィールド酸化層101)の上方に形成した加熱抵抗700を利用していることにある。この加熱抵抗700はポリシリコン材料とされ、該熱電対102の該熱接触領域200を加熱し、これにより温度を手指温度より高くし、指紋の峰20と接触する温度差検出セル10の温度差△Tが比較的小さく、指紋の谷21と接触する温度差検出セル10の温度差△Tが比較的大きくなるようにしている。この方式の目的は、安定した電気信号出力が得られるようにすることにある。
【0021】
図8に示されるのは、本発明の温度差感応式指紋識別チップの温度安定方法表示図であり、図8と図2の実施例の最大の違いは、熱電クーラー(Thermo−Electric Cooler,TE−Cooler)800を利用して温度差感応式指紋識別チップ1の温度を制御して安定させるようにしたことである。その方式は、温度差感応式指紋識別チップ1の温度を手指の温度より高くするか、或いは温度差感応式指紋識別チップ1の温度を手指の温度より低くし、このように熱電クーラー800を利用することにより温度差感応式指紋識別チップ1の温度を制御して安定させ、安定した電気信号出力を得るというものである。
【0022】
以上の実施例は僅かに本発明の技術思想及び特徴を説明すると共に、この発明が属する技術の分野における通常の知識を有するものが本発明の内容を了解し並びにこれに基づいて実施できるようにするためのものであり、本発明の実施範囲を限定するものではなく、本発明に記載の精神に基づきなしうる均等の変化或いは修飾は、本発明の請求範囲内に属するものとする。例えば、本発明の温度差感応式指紋識別チップに適用される集積回路工程、特にCMOS工程は、その基本的な要求は少なくとも一つのポリシリコン層、少なくとも二つの金属配線層を有し、同時にフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層工程を有する集積回路工程であるものとされる。
【0023】
【発明の効果】
本発明は、一種の温度差検出セルの設計を提供し、人体体温で生物識別する原理に基づき、手指の指紋の峰と検出セルの接触を透過し、温度勾配を形成し、該検出セルにより該温度勾配を電気信号に変換し、複数の検出セルを二次元アレイ方式で配列した指紋識別チップを応用し、指紋の峰輪郭のサーモグラフ電気信号を出力し、指紋識別の目的を達成している。
【0024】
本発明は、温度差検出セルを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置を提供し、それは、軽薄短小、製造容易、高い安定度、低いパワー消耗及び価格便宜の機能を同時に達成でき、応用推奨に有利で、最良の身分認証の方式を提供できる装置である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の温度差感応式チップが手指指紋識別を行う表示図である。
【図2】本発明の指紋識別チップの温度差感応原理表示図である。
【図3】本発明の単一温度差検出セルの構造断面図である。
【図4】図3の単一温度差検出セルの温度勾配分析結果図である。
【図5】異なる環境温度下(30℃と40℃)での温度差△T時間応答図である。
【図6】異なる環境温度下(30℃と40℃)での温度差△T時間応答図である。
【図7】本発明の温度差検出セルのもう一つの実施例の構造断面図である。
【図8】本発明の温度差感応式指紋識別チップのチップ温度安定方式表示図である。
【符号の説明】
1 温度差感応式指紋識別チップ
10 検出セル
100 シリコン基板 101 フィールド酸化層
101a 薄い酸化層 102 熱電対
102a 第1熱電対材料 102b 第2熱電対材料
103 導体間誘電層 103a コンタクトホールプラグ金属
104 金属間誘電層 104a ビアホール金属プラグ
105 第2金属配線層 106 保護層
2 手指
20 指紋の峰 20a サーモグラフ
21 指紋の谷
200 熱接触領域
300 冷接触領域
400 ヒートパイプ
410〜415 異なる温度の等温線
700 加熱抵抗
800 熱電クーラー
Claims (15)
- 温度差検出セルにおいて、人体体温で生物を識別する原理を利用し、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を利用して温度勾配を形成し、この温度勾配を電気信号に変換し、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セル。 - 請求項1に記載の温度差検出セルにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差検出セル。
- 温度差検出セルにおいて、人体体温で生物を識別する原理を利用し、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を利用して温度勾配を形成し、この温度勾配を電気信号に変換し、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
該熱絶縁構造の上方に設けられて少なくとも一つの熱電対の熱接触領域を加熱して温度を手指の温度より高くする加熱抵抗と、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セル。 - 請求項3に記載の温度差検出セルにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差検出セル。
- 請求項3に記載の温度差検出セルにおいて、加熱抵抗の材料がn型或いはp型シリコン導体とされたことを特徴とする、温度差検出セル。
- 温度差感応式指紋識別チップにおいて、該温度差感応式指紋識別チップは指紋サーモグラフを読み取るのに用いられると共に、その設計製造方法が完全にCMOS集積回路工程にマッチングし、該温度差感応式指紋識別チップは、二次元アレイ方式で配列された複数の温度差検出セルを具え、並びにそれが信号読み取り回路に整合されてシステム化シングルチップとされ、人体体温で生物を識別する原理により、手指の指紋の峰と該温度差検出セルの接触を透過して温度勾配を形成し、該温度勾配を該温度差検出セルにより電気信号に変換し、手指接触時の指紋の峰のサーモグラフを読み取ることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップ。
- 請求項6に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、温度差感応式指紋識別チップの下方に熱電クーラーが設置され、これにより温度差感応式指紋識別チップの温度が制御されて安定し、該温度差感応式指紋識別チップの温度が手指の温度より高くされるか、或いは温度差感応式指紋識別チップの温度が手指の温度より低くされることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップ。
- 請求項6に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上に位置して熱絶縁構造とされるフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層と、
少なくとも一つの熱電対が直列されてなるサーモパイルとされ、該サーモパイルの熱接触領域が該フィールド酸化層の中央部分に位置し、該サーモパイルの冷接触領域が該フィールド酸化層周囲の薄い酸化層上に位置する、上記サーモパイルと、
少なくとも一つの導体配線層と少なくとも一つのビアホール金属プラグを具えると共に、該フィールド酸化層の中央部分と最も表面の保護層の間に形成されたヒートパイプ構造と、
を具えたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップ。 - 請求項8に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、少なくとも一つの熱電対が、第1熱電対材料と第2熱電対材料を具え、該第1熱電対材料と第2熱電対材料がそれぞれn型及びp型シリコン導体で組成されるか、或いは一つのシリコン導体及び金属導体で組成されたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップ。
- 請求項8に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、該熱絶縁構造の上方に加熱抵抗が設けられ、該加熱提供が少なくとも一つの熱電対の熱接触領域を加熱してその温度を手指の温度より高くすることを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップ。
- 請求項11に記載の温度差感応式指紋識別チップにおいて、加熱抵抗の材料がn型或いはp型シリコン導体とされたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップ。
- 温度差検出セルにおいて、該温度差検出セルが、少なくとも一層のポリシリコンと少なくとも一つの金属配線層金属を具えたCMOS集積回路工程で製造され、該温度差検出セルが、
シリコン基板と、
該シリコン基板の上にフィールド酸化層或いはトレンチ絶縁層を利用して形成された熱絶縁構造と、
該熱絶縁構造の四周囲に形成されると共に、ゲート酸化層とされる薄い酸化層と、
少なくとも一つの熱電対とされ、第1熱電対材料と第2熱電対材料で組成され、少なくとも一つの熱電対の熱接触領域が該熱絶縁構造の中央部分に位置し、少なくとも一つの熱電対の冷接触領域が該熱絶縁構造周囲の薄い酸化層上に位置する、上記少なくとも一つの熱電対と、
該第1熱電対材料と該第2熱電対材料を連接する、少なくとも一つのコンタクトホールプラグ金属と、
少なくとも一つの導体層、少なくとも一つのプラグ金属を具えると共に該熱絶縁構造の中央部分と最表面の保護層の間に形成された、ヒートパイプと、
を具えたことを特徴とする、温度差検出セル。 - 請求項12に記載の温度差検出セルにおいて、第1熱電対材料がポリシリコンとされ、第2熱電対材料が金属配線とされたことを特徴とする、温度差検出セル。
- 請求項12に記載の温度差検出セルにおいて、コンタクトホールプラグ金属がタングステンで組成されたことを特徴とする、温度差検出セル。
- 温度差感応式指紋識別チップの温度を安定させる構造において、
二次元配列された複数の温度差検出セルで組成された温度差感応式指紋識別チップと、
該温度差感応式指紋識別チップの下方に位置し、温度差感応式指紋識別チップの温度を制御して安定させ、該温度差感応式指紋識別チップの温度を手指の温度より高くするか、或いは該温度差感応式指紋識別チップの温度を手指の温度より低くする、熱電クーラーと、
を具えたことを特徴とする、温度差感応式指紋識別チップの温度を安定させる構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002197279A JP2004033610A (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002197279A JP2004033610A (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004033610A true JP2004033610A (ja) | 2004-02-05 |
Family
ID=31705094
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002197279A Pending JP2004033610A (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004033610A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031962A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Authentec, Inc. | Integrated circuit infrared sensor and associated methods |
JP2013524506A (ja) * | 2010-03-30 | 2013-06-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体熱電対及びセンサ |
CN106250849A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别装置及其制作方法、显示设备 |
WO2017101078A1 (zh) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 华为技术有限公司 | 一种盖板及其制备方法、终端设备 |
CN113237567A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-10 | 广州碳思科技有限公司 | 一种基于温度差异识别物体轮廓的装置与方法 |
-
2002
- 2002-07-05 JP JP2002197279A patent/JP2004033610A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006031962A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Authentec, Inc. | Integrated circuit infrared sensor and associated methods |
JP2013524506A (ja) * | 2010-03-30 | 2013-06-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体熱電対及びセンサ |
WO2017101078A1 (zh) * | 2015-12-17 | 2017-06-22 | 华为技术有限公司 | 一种盖板及其制备方法、终端设备 |
CN106250849A (zh) * | 2016-08-01 | 2016-12-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别装置及其制作方法、显示设备 |
CN106250849B (zh) * | 2016-08-01 | 2019-06-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 指纹识别装置及其制作方法、显示设备 |
CN113237567A (zh) * | 2021-04-23 | 2021-08-10 | 广州碳思科技有限公司 | 一种基于温度差异识别物体轮廓的装置与方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7406185B2 (en) | Thermoelectric sensor for fingerprint thermal imaging | |
TW384395B (en) | Thermopile sensor, and radiation thermometer and motion detector with the thermopile sensor | |
JP2834202B2 (ja) | 赤外線検出器 | |
PL180550B1 (pl) | Sposób i urzadzenie do pomiaru ukladu linii na powierzchni co najmniej czesciowo przenoszacej cieplo PL PL PL PL PL PL | |
Moisello et al. | Thermal sensors for contactless temperature measurements, occupancy detection, and automatic operation of appliances during the COVID-19 pandemic: A review | |
KR100313909B1 (ko) | 적외선 센서 및 그 제조방법 | |
Choi et al. | Flexible Thermoelectric Generators Composed of n‐and p‐Type Silicon Nanowires Fabricated by Top‐Down Method | |
US20080199058A1 (en) | Biometrics method based on a thermal image of a finger | |
JP2004033610A (ja) | 温度差検出セル及びそれを応用した指紋サーモグラフ読み取り装置 | |
CN109564134A (zh) | 热堆网格 | |
Xie et al. | Microstructures for characterization of seebeck coefficient of doped polysilicon films | |
JPS63318175A (ja) | サ−モパイル | |
CN1221213C (zh) | 温度传感器及其运用该温度传感器的指纹辨识晶片 | |
TW558686B (en) | Temperature difference sensing fingerprint recognition chip design | |
Santos et al. | Power response of a planar thermoelectric microgenerator based on silicon nanowires at different convection regimes | |
JP2000065639A (ja) | 赤外線センサ | |
JP2004503743A (ja) | 微細構造化された温度センサ | |
Cheng et al. | Design of CMOS‐MEMS broadband infrared emitter arrays integrated with metamaterial absorbers based on CMOS back‐end‐of‐line | |
Immonen et al. | MEMS heat flux sensor | |
Dai et al. | Modeling of CMOS Single Membrane Thermopile Detector Arrays | |
Immonen et al. | Development of a vertically configured mems heat flux sensor | |
KR100307756B1 (ko) | 전자기파 검출장치의 감지센서 | |
Donmez et al. | Interdigitated design of a thermoelectric microgenerator based on silicon nanowire arrays | |
JP2003254824A (ja) | 赤外線センサ装置、非接触型測温計および非接触型体温計 | |
CN110282597A (zh) | 一种混联结构的堆叠式热电堆 |