【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、表面弾性波素子上に表面弾性波機能部を覆う絶縁性蓋を設け、この絶縁性蓋上に回路パターンを形成した表面弾性波装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来におけるこの種の表面弾性波装置に関するものとして、例えば図9に記載した構成のものがあった。図9は、従来の表面弾性波素子を含む複合回路装置を示した断面図である。図9において、回路基板17上に表面弾性波装置15及びチップ部品16を半田22により接着して搭載している。表面弾性波装置15における表面弾性波素子1は、パッケージ5上に接着・固定されている。表面弾性波素子1は、励振電極及び表面波伝搬路を有する表面弾性波機能部1aと、その励振電極から延設された電極パッド8が形成されている。表面弾性波素子1は、金属ワイヤ6によりパッケージ5の電極パッド9と電気的に接続され、カバー21により封止されている。このように、表面弾性波装置15はインダクタやキャパシタ等の他のチップ部品16と一緒に回路基板17上に半田22により実装されている。
【0003】
また、従来の表面弾性波装置として、例えば特開平9−93077号公報に記載のようなものもあった。その公報には、基板上に表面弾性波素子と薄膜回路素子とを複合搭載した複合搭載回路基板について記載されている。その構成について、図10に示す断面図を用いて説明する。なお、図10において、図9に示す構成と同一又は相当部分については、同一符号をつけて説明を省略する。図10において、表面弾性波素子1及びその表面弾性波機能部1aは、薄膜カバー18により封止され、回路基板17上に載置されている。また、回路基板17上には、インダクタやキャパシタや抵抗等の回路パターン19が形成されている。表面弾性波素子1の電極パッド8と回路パターンの電極パッドとは、金属ワイヤ6により電気的に接続されている。回路基板17上の表面弾性波装置及び回路パターン19等は封止樹脂20により封止されている。このようにして、表面弾性波素子1とインダクタンスやキャパシタンス等の他の回路部品を組合せて、複合機能を有する複合回路装置を構成している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の表面弾性波装置は、以上のように回路基板上に表面弾性波装置と他の回路部品とを並設しているために装置全体の小型化を図ることが難しく、また表面弾性波機能部に過剰な直流電流が流れて表面弾性波機能部が破損する場合があるといった課題があった。
【0005】
そこで、この発明は、かかる課題を解決するためになされたもので、表面弾性波機能部の破損を有効に防止し得、かつ、高機能で小型信頼性の高い表面波弾性装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の表面弾性波装置は、パッケージと、このパッケージ上に固定された表面弾性波素子と、この表面弾性波素子上に形成された表面弾性波機能部と、この表面弾性波機能部を覆う絶縁性蓋と、この絶縁性蓋上に形成された回路パターンと、この回路パターンと前記表面弾性波機能部とを電気的の接続する接続手段とを備えたものである。
【0007】
請求項2の表面弾性波装置は、パッケージと、このパッケージ上に固定された表面弾性波素子と、この表面弾性波素子上に形成された表面弾性波機能部と、この表面弾性波機能部を覆う絶縁性蓋と、前記パッケージ上に形成された電極パターンと、前記表面弾性波素子上の前記絶縁性蓋を設けた部分以外の所定部分に設けた電極パッドと、前記回路パターン及び前記電極パッドと間、並びに前記電極パッド及び前記電極パターンとの間を電気的の接続する接続手段とを備えたものである。
【0008】
請求項3の表面弾性波装置は、パッケージと、このパッケージ上に固定された表面弾性波素子と、この表面弾性波素子上に形成された表面弾性波機能部と、この表面弾性波機能部を覆う絶縁性蓋と、この絶縁性蓋上に形成された第1の回路パターンと、この第1の回路パターン上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に形成された第2の回路パターンと、この第1及び第2の回路パターンと前記表面弾性波機能部とを電気的に接続する接続手段とを備えたものである。
【0009】
請求項4の表面弾性波装置は、パッケージと、このパッケージ上に固定された表面弾性波素子と、この表面弾性波素子上に形成された表面弾性波機能部と、前記表面弾性波素子上に形成され、前記表面弾性波機能部を覆う絶縁性蓋と、この絶縁性蓋上に形成された回路パターンと、前記表面弾性波素子上に形成された電極パッドと、この電極パッド及び前記回路パターンに電気的に接続され、前記絶縁性蓋の側面に形成された側面導体パターンとを備えたものである。
【0010】
請求項5の表面弾性波装置は、基板と、この基板上に設けられた第1の回路パターンと、前記基板上に載置され、前記基板側の表面に設けられた表面弾性波機能部を有する表面弾性波素子と、前記表面弾性波機能部上に設けられた絶縁性蓋と、この絶縁性蓋上に設けられ、前記第1の回路パターンに対向する第2の回路パターンと、この第2の回路パターンと前記基板との間に空隙部を形成するように前記表面弾性波素子に設けられたバンプとを備えたものである。
【0011】
請求項6の表面弾性波装置は、基板と、この基板上に設けられた第1の回路パターンと、前記基板上に載置された前記基板側の表面に設けられた表面弾性波機能部を有する表面弾性波素子と、前記表面弾性波機能部上に設けられた絶縁性蓋と、この絶縁性蓋上に形成された第2の回路パターンと、この第2の回路パターン上に形成された絶縁層と、この絶縁層上に設けられた前記第1の回路パターンに対向する第3の回路パターンと、この第3の回路パターンと前記基板との間に空隙部を形成するように前記表面弾性波素子上に設けられたバンプとを備えたものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
実施の形態1.
以下、この発明の実施の形態1について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、実施の形態1に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。図2は、その内部構成を示した平面図である。これらの図1及び図2において、5はパッケージである。パッケージ5には複数個のパッケージ上電極パターン9を形成している。1は表面弾性波素子で、パッケージ5上に接着剤により固定している。1aは表面弾性波素子1上に形成された表面弾性波機能部である。2は絶縁性の蓋で、表面弾性波機能部1aを中空に保持している。3はインダクタやキャパシタ等の回路パターンで、蓋2上に形成している。また、図2に示すように、複数個の蓋上電極パッド7を蓋2上に形成する一方、複数個のチップ上電極パッド8を表面弾性波素子1上に形成している。図2に示すように、蓋電極パッド7とチップ上電極パッド8及びパッケージ上電極パターン9との間や、チップ上電極パッド8とパッケージ上電極パターン9との間を金属ワイヤ6により電気的に接続している。21はカバーで、パッケージ5上に載置して、表面弾性波素子1や回路パターン3を封止している。したがって、実施の形態1によれば、表面弾性波機能部1aを蓋2により保護し、かつ、その蓋2上に回路パターン3を形成したので、表面弾性波機能部1aの特性を維持しつつ、小型で信頼性の高い表面弾性波装置を得ることができるという効果を奏する。
【0013】
実施の形態2.
次に、実施の形態2について図3及び図4を用いて説明する。図3は、実施の形態2に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。図4は、その内部構成を示した平面図である。なお、図3及び図4において、図1及び図2と同一符号は、同一又は相当部分を示すため、説明を省略する。図3及び図4において、パッケージ5上に電極パターンを形成している点については、図1及び図2の場合と同様である。また、表面弾性波素子1上に第1の電極パッドを形成する点、及び蓋2上の第1の回路パターン3に対する第2の電極パッドを形成する点についても、図1及び図2の場合と同様である。しかし、実施の形態2では、第1の回路パターン3上の所定領域に絶縁層10を形成し、絶縁層10上に第2の回路パターン11を形成する。さらに、絶縁層10上には、第3の電極パッド27を形成する。第3の電極パッド27と第2の電極パッドとの間や第1の電極パッドと第2の電極パッドとの間や第1の電極パッドと電極パターンとの間については、図3及び図4に示すように、金属ワイヤ6により電気的に接続している。したがって、実施の形態2によれば、実施の形態1の場合と同様の効果が得られるほか、キャパシタパターンの形成方法として、MIM(Metal Insulator Metal)構造も選択でき、さらに高機能な表面弾性波装置を得ることができるという効果を奏する。
【0014】
実施の形態3.
次に、実施の形態3について図5及び図6を用いて説明する。図5は、実施の形態3に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。図6は、その内部構成を示した平面図である。なお、図5及び図6において、図1及び図2と同一符号は、同一又は相当部分を示すため、説明を省略する。図5及び図6において、実施の形態1及び2の場合と異なる点について説明する。実施の形態3では、蓋2上に形成した回路パターン3と表面弾性波素子1上の電極パッド8と蓋2の側面に形成した側面導体パターン12を通して電気的に接続している。その他の構成については、実施の形態1及び2の場合と同様である。したがって、実施の形態3によれば、さらに回路パターン3として直流電流カット用のキャパシタを形成することにより、複合回路素子26単体で表面弾性波機能部1aの静電破壊を有効に防止することができるという効果を奏する。例えば、実施の形態3によれば、金属ワイヤ6による電気接続を行う際に、電極パッド8が表面弾性波素子1上のみとすることが可能となるため、ボンド面の高さが一定となり、かつ、ボンデイングシーケンスが簡易となって生産性が向上するほか、装置自体の小型化が可能になるという効果を奏する。なお、実施の形態3と実施の形態2とを組合せた複合構成としてもよい。
【0015】
実施の形態4.
次に、実施の形態4について図7を用いて説明する。図7は、実施の形態4に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。図7において、24は実装基板、14は実装基板24上に形成した対向回路パターン、8はチップ上電極パッド、13はチップ上電極パッド8上に形成されたバンプ、2は表面波弾性波機能部1aを覆う絶縁性蓋である。その絶縁性蓋2上にはインダクタやキャパシタ等を形成した回路パターン3を形成している。こうして、複合回路素子26を構成している。この点については、他の実施の形態と同様である。回路パターン3は、実装基板24上の対向回路パターン14と対向している。また、バンプ13は、実装基板24上の電極パッド25と電気的に接続する。このため、複合回路素子26をフェースダウンにして実装基板24にフリップチップ接続している。さらに、絶縁性蓋2上の回路パターン3と実装基板24上の対向回路パターン14との間には、絶縁性樹脂23を充填している。したがって、実施の形態4によれば、他の実施の形態による効果のほかに、一層小型化を実現することができる。
【0016】
実施の形態5.
次に、実施の形態5について図8を用いて説明する。図8は、実施の形態5に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。図8において、10は、回路パターン3上に積層した絶縁層である。その絶縁層10上に回路パターン11を形成している。その他の構成については、実施の形態4の場合と同様である。
【0017】
その他、実施の形態4、5における実装基板24の代わりに、実施の形態1,2、及び3におけるパッケージ5を用いてもよく、また、絶縁性樹脂23を省略してもよい。
【0018】
【発明の効果】
以上説明したようにこの発明によれば、小型かつ高信頼性の表面弾性波装置を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。
【図2】実施の形態1に係る表面波弾性装置の内部構成を示した平面図である。
【図3】実施の形態2に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。
【図4】実施の形態2に係る表面波弾性装置の内部構成を示した平面図である。
【図5】実施の形態3に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。
【図6】実施の形態3に係る表面波弾性装置その内部構成を示した平面図である。
【図7】実施の形態4に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。
【図8】実施の形態5に係る表面波弾性装置を示す断面構成図である。
【図9】従来の表面弾性波素子を含む複合回路装置を示した断面図である。
【図10】従来の表面弾性波素子を含む複合回路装置を示した断面図である。
【符号の説明】
1…表面弾性波素子、1a…表面弾性波機能部、2…蓋、3…回路パターン、5…パッケージ、6…金属ワイヤ、7,8,…電極パッド、9…電極パターン、10…絶縁層、11…回路パターン、12…側面導体パターン、13…バンプ、21…カバー、23…絶縁性樹脂、24…基板、26…複合素子。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a surface acoustic wave device in which an insulating cover for covering a surface acoustic wave function unit is provided on a surface acoustic wave element, and a circuit pattern is formed on the insulating cover.
[0002]
[Prior art]
As a related-art surface acoustic wave device, for example, there is one having a configuration shown in FIG. FIG. 9 is a sectional view showing a composite circuit device including a conventional surface acoustic wave device. In FIG. 9, a surface acoustic wave device 15 and a chip component 16 are mounted on a circuit board 17 by bonding with a solder 22. The surface acoustic wave device 1 in the surface acoustic wave device 15 is bonded and fixed on the package 5. The surface acoustic wave device 1 includes a surface acoustic wave function section 1a having an excitation electrode and a surface acoustic wave propagation path, and an electrode pad 8 extending from the excitation electrode. The surface acoustic wave device 1 is electrically connected to the electrode pads 9 of the package 5 by the metal wires 6, and is sealed by the cover 21. As described above, the surface acoustic wave device 15 is mounted on the circuit board 17 with the solder 22 together with other chip components 16 such as inductors and capacitors.
[0003]
Further, as a conventional surface acoustic wave device, there is one described in, for example, JP-A-9-93077. The publication describes a composite mounted circuit board in which a surface acoustic wave device and a thin film circuit device are mounted on a substrate. The configuration will be described with reference to a cross-sectional view shown in FIG. Note that, in FIG. 10, the same or corresponding parts as those in the configuration shown in FIG. In FIG. 10, the surface acoustic wave device 1 and its surface acoustic wave function part 1 a are sealed by a thin film cover 18 and mounted on a circuit board 17. In addition, a circuit pattern 19 such as an inductor, a capacitor, and a resistor is formed on the circuit board 17. The electrode pad 8 of the surface acoustic wave device 1 and the electrode pad of the circuit pattern are electrically connected by the metal wire 6. The surface acoustic wave device and the circuit pattern 19 on the circuit board 17 are sealed with a sealing resin 20. In this way, the surface acoustic wave device 1 is combined with other circuit components such as inductance and capacitance to constitute a composite circuit device having a composite function.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional surface acoustic wave device, since the surface acoustic wave device and other circuit components are juxtaposed on the circuit board as described above, it is difficult to reduce the size of the entire device. There has been a problem that an excessive DC current may flow through the wave function unit to damage the surface acoustic wave function unit.
[0005]
Therefore, the present invention has been made to solve such a problem, and it is an object of the present invention to provide a highly functional, compact, and highly reliable surface acoustic wave device that can effectively prevent damage to a surface acoustic wave function unit. With the goal.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
A surface acoustic wave device according to a first aspect includes a package, a surface acoustic wave element fixed on the package, a surface acoustic wave function section formed on the surface acoustic wave element, and the surface acoustic wave function section. It comprises an insulating lid to cover, a circuit pattern formed on the insulating lid, and connection means for electrically connecting the circuit pattern and the surface acoustic wave function unit.
[0007]
A surface acoustic wave device according to a second aspect includes a package, a surface acoustic wave element fixed on the package, a surface acoustic wave function section formed on the surface acoustic wave element, and a surface acoustic wave function section. An insulating lid to cover, an electrode pattern formed on the package, an electrode pad provided on a predetermined portion of the surface acoustic wave device other than the portion provided with the insulating lid, the circuit pattern and the electrode pad And a connection means for electrically connecting the electrode pad and the electrode pattern with each other.
[0008]
A surface acoustic wave device according to a third aspect includes a package, a surface acoustic wave element fixed on the package, a surface acoustic wave function section formed on the surface acoustic wave element, and a surface acoustic wave function section. An insulating lid to cover, a first circuit pattern formed on the insulating lid, an insulating layer formed on the first circuit pattern, and a second circuit pattern formed on the insulating layer And connection means for electrically connecting the first and second circuit patterns to the surface acoustic wave function section.
[0009]
A surface acoustic wave device according to a fourth aspect includes a package, a surface acoustic wave element fixed on the package, a surface acoustic wave function unit formed on the surface acoustic wave element, and a surface acoustic wave element. An insulating lid formed and covering the surface acoustic wave function part, a circuit pattern formed on the insulating lid, an electrode pad formed on the surface acoustic wave element, the electrode pad and the circuit pattern And a side conductor pattern formed on a side surface of the insulating lid.
[0010]
The surface acoustic wave device according to claim 5, further comprising a substrate, a first circuit pattern provided on the substrate, and a surface acoustic wave function unit mounted on the substrate and provided on a surface on the substrate side. A surface acoustic wave element, an insulating lid provided on the surface acoustic wave function unit, a second circuit pattern provided on the insulating lid, facing the first circuit pattern, And a bump provided on the surface acoustic wave device so as to form a gap between the circuit pattern and the substrate.
[0011]
The surface acoustic wave device according to claim 6, further comprising a substrate, a first circuit pattern provided on the substrate, and a surface acoustic wave function unit provided on the surface on the substrate side mounted on the substrate. A surface acoustic wave device, an insulating cover provided on the surface acoustic wave function section, a second circuit pattern formed on the insulating cover, and a second circuit pattern formed on the second circuit pattern. An insulating layer, a third circuit pattern facing the first circuit pattern provided on the insulating layer, and the front surface so as to form a gap between the third circuit pattern and the substrate. And a bump provided on the elastic wave element.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a sectional configuration diagram showing the surface acoustic wave device according to the first embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the internal configuration. 1 and 2, reference numeral 5 denotes a package. The package 5 has a plurality of on-package electrode patterns 9 formed thereon. Reference numeral 1 denotes a surface acoustic wave device, which is fixed on a package 5 with an adhesive. Reference numeral 1a denotes a surface acoustic wave function unit formed on the surface acoustic wave device 1. Reference numeral 2 denotes an insulating lid, which holds the surface acoustic wave function portion 1a in a hollow state. Reference numeral 3 denotes a circuit pattern such as an inductor or a capacitor, which is formed on the lid 2. As shown in FIG. 2, a plurality of on-lid electrode pads 7 are formed on the lid 2, and a plurality of on-chip electrode pads 8 are formed on the surface acoustic wave device 1. As shown in FIG. 2, the metal wire 6 electrically connects the cover electrode pad 7 to the on-chip electrode pad 8 and the on-package electrode pattern 9 and between the on-chip electrode pad 8 and the on-package electrode pattern 9. Connected. A cover 21 is mounted on the package 5 to seal the surface acoustic wave element 1 and the circuit pattern 3. Therefore, according to the first embodiment, since the surface acoustic wave function section 1a is protected by the cover 2 and the circuit pattern 3 is formed on the cover 2, the characteristics of the surface acoustic wave function section 1a are maintained. The effect is that a small and highly reliable surface acoustic wave device can be obtained.
[0013]
Embodiment 2 FIG.
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a sectional configuration diagram showing the surface acoustic wave device according to the second embodiment. FIG. 4 is a plan view showing the internal configuration. 3 and 4, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. 3 and 4, the point that an electrode pattern is formed on the package 5 is the same as that in FIGS. 1 and 2. 1 and 2, the first electrode pad is formed on the surface acoustic wave device 1 and the second electrode pad for the first circuit pattern 3 on the lid 2 is formed. Is the same as However, in the second embodiment, the insulating layer 10 is formed in a predetermined region on the first circuit pattern 3, and the second circuit pattern 11 is formed on the insulating layer 10. Further, a third electrode pad 27 is formed on the insulating layer 10. 3 and 4 between the third electrode pad 27 and the second electrode pad, between the first electrode pad and the second electrode pad, and between the first electrode pad and the electrode pattern. As shown in the figure, the metal wires 6 are used for electrical connection. Therefore, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and a MIM (Metal Insulator Metal) structure can be selected as a method of forming a capacitor pattern. There is an effect that the device can be obtained.
[0014]
Embodiment 3 FIG.
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a sectional configuration diagram showing the surface acoustic wave device according to the third embodiment. FIG. 6 is a plan view showing the internal configuration. In FIGS. 5 and 6, the same reference numerals as those in FIGS. 1 and 2 denote the same or corresponding parts, and a description thereof will not be repeated. In FIG. 5 and FIG. 6, points different from the first and second embodiments will be described. In the third embodiment, the circuit patterns 3 formed on the lid 2 are electrically connected to the electrode pads 8 on the surface acoustic wave device 1 and the side conductor patterns 12 formed on the side surfaces of the lid 2. Other configurations are the same as those in the first and second embodiments. Therefore, according to the third embodiment, by forming a capacitor for cutting a direct current as the circuit pattern 3, it is possible to effectively prevent electrostatic breakdown of the surface acoustic wave function portion 1a by the composite circuit element 26 alone. It has the effect of being able to do it. For example, according to the third embodiment, when the electrical connection is performed by the metal wire 6, the electrode pad 8 can be provided only on the surface acoustic wave element 1, so that the height of the bonding surface becomes constant. In addition, the bonding sequence is simplified, productivity is improved, and the size of the device itself can be reduced. Note that a composite configuration combining the third embodiment and the second embodiment may be adopted.
[0015]
Embodiment 4 FIG.
Next, a fourth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a surface acoustic wave device according to Embodiment 4. In FIG. 7, reference numeral 24 denotes a mounting board, 14 denotes an opposing circuit pattern formed on the mounting board 24, 8 denotes an on-chip electrode pad, 13 denotes a bump formed on the on-chip electrode pad 8, and 2 denotes a surface acoustic wave function. An insulating lid that covers the portion 1a. On the insulating lid 2, a circuit pattern 3 in which an inductor, a capacitor, and the like are formed is formed. Thus, the composite circuit element 26 is configured. This is the same as the other embodiments. The circuit pattern 3 faces the opposing circuit pattern 14 on the mounting board 24. The bumps 13 are electrically connected to the electrode pads 25 on the mounting board 24. Therefore, the composite circuit element 26 is flip-chip connected to the mounting board 24 with the face thereof down. Further, an insulating resin 23 is filled between the circuit pattern 3 on the insulating cover 2 and the opposing circuit pattern 14 on the mounting board 24. Therefore, according to the fourth embodiment, in addition to the effects of the other embodiments, further downsizing can be realized.
[0016]
Embodiment 5 FIG.
Next, a fifth embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment. In FIG. 8, reference numeral 10 denotes an insulating layer laminated on the circuit pattern 3. A circuit pattern 11 is formed on the insulating layer 10. Other configurations are the same as those in the fourth embodiment.
[0017]
In addition, instead of the mounting board 24 in the fourth and fifth embodiments, the package 5 in the first, second and third embodiments may be used, and the insulating resin 23 may be omitted.
[0018]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a small and highly reliable surface acoustic wave device can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a surface acoustic wave device according to a first embodiment.
FIG. 2 is a plan view showing an internal configuration of the surface acoustic wave device according to Embodiment 1.
FIG. 3 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a surface acoustic wave device according to a second embodiment.
FIG. 4 is a plan view showing an internal configuration of the surface acoustic wave device according to Embodiment 2.
FIG. 5 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a surface acoustic wave device according to a third embodiment.
FIG. 6 is a plan view showing an internal configuration of the surface acoustic wave device according to Embodiment 3.
FIG. 7 is a cross-sectional configuration diagram illustrating a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment.
FIG. 8 is a sectional configuration diagram showing a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment.
FIG. 9 is a sectional view showing a composite circuit device including a conventional surface acoustic wave device.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing a composite circuit device including a conventional surface acoustic wave device.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Surface acoustic wave element, 1a ... Surface acoustic wave functional part, 2 ... Cover, 3 ... Circuit pattern, 5 ... Package, 6 ... Metal wire, 7, 8, ... Electrode pad, 9 ... Electrode pattern, 10 ... Insulating layer Reference numeral 11 denotes a circuit pattern, 12 denotes a side conductor pattern, 13 denotes a bump, 21 denotes a cover, 23 denotes an insulating resin, 24 denotes a substrate, and 26 denotes a composite element.