JP2004031524A - Manufacturing method of piezoelectric element - Google Patents

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JP2004031524A JP2002183512A JP2002183512A JP2004031524A JP 2004031524 A JP2004031524 A JP 2004031524A JP 2002183512 A JP2002183512 A JP 2002183512A JP 2002183512 A JP2002183512 A JP 2002183512A JP 2004031524 A JP2004031524 A JP 2004031524A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a piezoelectric element capable of acquiring a good crystallinity and also capable of improving the in-plane uniformity, and to provide a piezoelectric element improved in the uniformity. <P>SOLUTION: The formation process of a piezoelectric layer comprises a process (S3) in which sol 411" of organometalliccompound is applied, a process (S4) which includes a process for drying the organometalliccompound sol and a process for degreasing it to gelate the organometalliccompound, and a process (S5) in which the gelated organometalliccompound 411' is crystallized, which are performed a plurality of times for lamination (S6). In the degreasing process, the temperature rising rate at initial degreasing is set to be 500°C/min or below for heating. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は圧電体素子の製造方法に係り、特に、ウエハ面内の結晶配向を均一にし、圧電特性を均一にすることの可能な圧電体素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
圧電体素子は、電気機械変換機能を呈する圧電体膜を2つの電極で挟んだ素子であり、圧電体膜は結晶化した圧電性セラミックスにより構成されている。
【0003】
従来、圧電体素子の製造方法として、いわゆるゾルゲル法が知られている。すなわち、下部電極を形成した基板上に有機金属化合物のゾルを塗布して乾燥および脱脂させて圧電体の前駆体膜を形成する。この塗布、乾燥および脱脂の工程を所定回数実行した後、高温で熱処理して結晶化させる。これを更に厚膜化するには、結晶化した圧電体膜の上に更にゾルの塗布、乾燥および脱脂の工程、および結晶化工程を繰り返し実行する。
【0004】
上記の有機金属化合物のゾルを脱脂させる方法としては、箱型乾燥機を用いるもの、ホットプレートを用いるものが知られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の脱脂工程では、圧電体の前駆体中に、圧電体結晶の核が形成されにくかった。そのため、結晶化させた際に目的とする結晶を得ることが困難であった。また、ウエハの面内における位置によって昇温レートにばらつきが生じるなど、脱脂条件がまちまちになっていた。そのため、結晶配向及び圧電体の特性にもばらつきが生じることがあった。
【0006】
本発明は、目的とする良好な結晶性を得ることができ、かつ圧電特性の面内均一性を向上することのできる圧電体素子の製造方法を提供し、かかる均一性が向上した圧電体素子を提供することを目的とする。また、この圧電体素子を応用したインクジェットヘッドなどの液体吐出ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備える圧電体素子の製造方法であって、前記圧電体膜を形成する工程は、有機金属化合物のゾルを塗布する工程と、前記有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程と、このゲル化した有機金属化合物を結晶化させる工程と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層する。そして、前記脱脂させる工程のうち、初回の脱脂時の昇温レートを、500℃/min以下として加熱する。また、この脱脂させる工程のうち、前記初回を除く少なくとも1回の脱脂時の昇温レートを、1000℃/min以上として加熱することが望ましい。
【0008】
また、初回の脱脂時の昇温レートを、他の回の脱脂時の昇温レート以下で加熱することが望ましい。また、前記複数回の圧電体層の形成のうち、初回の結晶化工程で結晶化される圧電体層のための脱脂時の昇温レートを、他の回の結晶化工程で結晶化される圧電体層のための脱脂時の昇温レート以下で加熱することが望ましい。なお、下部電極と圧電体層の一部をパターニング後、更に圧電体層を積層する場合、パターニング後の脱脂時の昇温レートを同様に低くすることが好ましい。
【0009】
上記圧電体素子の製造方法において、前記脱脂させる工程は、基板側から加熱を行なうことが望ましい。
【0010】
本発明の液体吐出ヘッドの製造方法は、上記の圧電体素子の製造方法により製造した圧電体素子を用いる。
【0011】
本発明の圧電体素子は、下部電極と、下部電極上に形成された圧電体膜と、圧電体膜上に形成された上部電極と、を備え、前記圧電体膜は、柱状結晶を備えた下層部分と、当該下層部分の柱状結晶と連続し、かつ当該下層部分の柱状結晶より径の大きな柱状結晶を備えた上層部分とを備える。
【0012】
本発明の液体吐出ヘッドは、上記の圧電体素子を液体吐出駆動源として備えている。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【0014】
(インクジェットプリンタの全体構成)
図1は、本実施形態の方法により製造される圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出ヘッド)が使用されるプリンタ(液体吐出装置)の構造の説明図である。このプリンタには、本体2に、トレイ3、排出口4および操作ボタン9が設けられている。さらに本体2の内部には、インクジェット式記録ヘッド1、供給機構6、制御回路8が備えられている。
【0015】
インクジェット式記録ヘッド1は、本発明の製造方法で製造された圧電体素子を備えている。インクジェット式記録ヘッド1は、制御回路8から供給される吐出信号に対応して、ノズルから液体であるインクを吐出可能に構成されている。
【0016】
本体2は、プリンタの筐体であって、用紙5をトレイ3から供給可能な位置に供給機構6を配置し、用紙5に印字可能なようにインクジェット式記録ヘッド1を配置している。トレイ3は、印字前の用紙5を供給機構6に供給可能に構成され、排出口4は、印刷が終了した用紙5を排出する出口である。
【0017】
供給機構6は、モータ600、ローラ601・602、その他の図示しない機械構造を備えている。モータ600は、制御回路8から供給される駆動信号に対応して回転可能になっている。機械構造は、モータ600の回転力をローラ601・602に伝達可能に構成されている。ローラ601および602は、モータ600の回転力が伝達されると回転するようになっており、回転によりトレイ3に載置された用紙5を引き込み、ヘッド1によって印刷可能に供給するようになっている。
【0018】
制御回路8は、図示しないCPU、ROM、RAM、インターフェース回路などを備え、図示しないコネクタを介してコンピュータから供給される印字情報に対応させて、駆動信号を供給機構6に供給したり、吐出信号をインクジェット式記録ヘッド1に供給したりできるようになっている。また、制御回路8は操作パネル9からの操作信号に対応させて動作モードの設定、リセット処理などが行えるようになっている。
【0019】
(インクジェット式記録ヘッドの構成)
図2は、本実施形態の方法により製造される圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッドの構造の説明図である。インクジェット式記録ヘッド1は、図に示すように、ノズル板10、圧力室基板20および振動板30を備えて構成されている。このヘッドは、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成している。
【0020】
圧力室基板20は、圧力室(キャビティ)21、側壁(隔壁)22、リザーバ23および供給口24を備えている。圧力室21は、シリコン等の基板をエッチングすることにより形成されたインクなどを吐出するために貯蔵する空間となっている。側壁22は圧力室21間を仕切るよう形成されている。リザーバ23は、インクを共通して各圧力室21に充たすための流路となっている。供給口24は、リザーバ23から各圧力室21にインクを導入可能に形成されている。なお圧力室21などの形状はインクジェット方式によって種々に変形可能である。例えば平面的な形状のカイザー(Kyser)形であっても円筒形のゾルタン(Zoltan)形でもよい。また圧力室が1室形用に構成されていても2室形に構成されていてもよい。
【0021】
ノズル板10は、圧力室基板20に設けられた圧力室21の各々に対応する位置にそのノズル穴11が配置されるよう、圧力室基板20の一方の面に貼り合わせられている。ノズル板10を貼り合わせた圧力室基板20は、さらに筐体25に納められて、インクジェット式記録ヘッド1を構成している。
【0022】
振動板30は圧力室基板20の他方の面に貼り合わせられている。振動板30には圧電体素子(図示しない)が設けられている。振動板30には、インクタンク口(図示せず)が設けられて、図示しないインクタンクに貯蔵されているインクを圧力室基板20内部に供給可能になっている。
【0023】
(層構造)
図3に、本実施形態の方法により製造されるインクジェット式記録ヘッドおよび圧電体素子のさらに具体的な構造を説明する断面図を示す。この断面図は、一つの圧電体素子の断面を拡大したものである。図に示すように、振動板30は、絶縁膜31より構成され、圧電体素子40は下部電極32上に圧電体薄膜層41および上部電極42を積層して構成されている。特にこのインクジェット式記録ヘッド1は、圧電体素子40、圧力室21およびノズル穴11が一定のピッチで連設されて構成されている。このノズル間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設計変更が可能である。例えば400dpi(dot per inch)になるように配置される。
【0024】
絶縁膜31は、導電性でない材料、例えば二酸化珪素(SiO)により構成され、圧電体層の変形により変形し、圧力室21の内部の圧力を瞬間的に高めることが可能に構成されている。
【0025】
絶縁膜31上には下部電極32を形成するが、絶縁膜31と下部電極32との間に、酸化ジルコニウムからなるバッファ層や20nm程度のチタン又は酸化チタンの膜(密着層)を形成しても良い。
【0026】
下部電極32は、圧電体層に電圧を印加するための一方の電極であり、導電性を有する材料、例えば、白金(Pt)などにより構成されている。なお、下部電極32はこれに限らず、白金と同じFCC構造を有する金属であるイリジウム(Ir)で構成しても良い。下部電極32は、圧力室基板20上に形成される複数の圧電体素子に共通な電極として機能するように絶縁膜31と同じ領域に形成される。ただし、圧電体薄膜層41と同様の大きさに、すなわち上部電極と同じ形状に形成することも可能である。
【0027】
上部電極42は、圧電体層に電圧を印加するための他方の電極となり、導電性を有する材料、例えば膜厚0.1μmの白金(Pt)で構成されている。
【0028】
圧電体薄膜層41は、本発明の製造方法で製造された例えばペロブスカイト構造を持つ圧電性セラミックスの結晶であり、振動板30上に所定の形状で形成されて構成されている。
【0029】
圧電体薄膜層41の組成は、例えばジルコニウム酸チタン酸鉛(Pb(Zr 56、Ti 44)O:PZT)等の圧電性セラミックスを用いる。その他、チタン酸鉛ランタン((Pb,La)TiO)、ジルコニウム酸鉛ランタン((Pb,La)ZrO)またはマグネシウムニオブ酸ジルコニウム酸チタン酸鉛(Pb(Mg、Nb)(Zr、Ti)O:PMN−PZT)、ジルコニウム酸チタン酸バリウム(Ba(Zr、Ti)O:BZT)などでもよい。
【0030】
(印刷動作)
上記インクジェット式記録ヘッド1の構成において、印刷動作を説明する。制御回路8から駆動信号が出力されると、供給機構6が動作し用紙5がヘッド1によって印刷可能な位置まで搬送される。制御回路8から吐出信号が供給されず圧電体素子40の下部電極32と上部電極42との間に電圧が印加されていない場合、圧電体薄膜層41には変形を生じない。吐出信号が供給されていない圧電体素子40が設けられている圧力室21には、圧力変化が生じず、そのノズル穴11からインク滴は吐出されない。
【0031】
一方、制御回路8から吐出信号が供給され圧電体素子40の下部電極32と上部電極42との間に一定電圧が印加された場合、圧電体薄膜層41に変形を生じる。吐出信号が供給された圧電体素子40が設けられている圧力室21ではその振動板30が大きくたわむ。このため圧力室21内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル穴11からインク滴が吐出される。ヘッド中で印刷させたい位置の圧電体素子に吐出信号を個別に供給することで、任意の文字や図形を印刷させることができる。
【0032】
(製造方法)
次に、この実施形態による圧電体素子の製造方法を、インクジェット式記録ヘッドの製造方法と併せて説明する。図4及び図5は、本実施形態の方法による圧電体素子の製造工程断面図である。
【0033】
絶縁膜形成工程(S1)
絶縁膜形成工程は、シリコン基板20に絶縁膜31を形成する工程である。シリコン基板20の厚みは、側壁の高さが高くなりすぎないように、例えば200μm程度のものを使用する。絶縁膜31は例えば1μm程度の厚みに形成する。絶縁膜の製造には公知の熱酸化法等を用い、二酸化珪素の膜を形成する。なお、絶縁膜31の上に、400nm程度の酸化ジルコニウムからなるバッファ層(図示せず)を形成してもよい。このバッファ層の上に、厚さ5nm〜40nm、更に好ましくは20nm程度のチタン膜又は酸化チタン膜(密着層:図示せず)を更に形成しても良い。この密着層は、絶縁膜31と下部電極32との密着性を向上させる。
【0034】
下部電極形成工程(S2)
この下部電極形成工程は、絶縁膜31又は密着層の上に下部電極32を形成する工程である。下部電極32は、例えば白金層を100nm〜200nmの厚みで積層する。これらの層の製造は公知の電子ビーム蒸着法、スパッタ法等を用いる。なお、下部電極32の組成はこれに限らず、イリジウム(例えば20nm)/白金(例えば60nm)/イリジウム(例えば20nm)の積層構造としてもよい。
【0035】
更に、白金膜上に、チタン(Ti)の種層を好ましくは2nm〜20nm、更に好ましくは5nmの厚みで形成する。このチタン種層の形成には、例えば公知の直流スパッタ法等を用いる。この種層は一様の厚みで形成するが、場合によって島状となっても構わない。
【0036】
圧電体前駆体膜の形成(S3、S4)
次に、下部電極32上に圧電体前駆体膜411’を成膜する。圧電体前駆体膜411’は、後述の処理で結晶化されて圧電体薄膜の第1層411となる以前の、非晶質膜として構成される。本実施例ではPZT前駆体膜をゾル・ゲル法で成膜する。
【0037】
ゾル・ゲル法とは、金属アルコキシド等の金属有機化合物を溶液系で加水分解、重縮合させるものである。具体的には、まず、基板上に金属有機化合物を含む溶液(ゾル)411”を塗布し、乾燥させる(S3)。用いられる金属有機化合物としては、無機酸化物を構成する金属のメトキシド、エトキシド、プロポキシド、ブトキシド等のアルコキシドやアセテート化合物等が挙げられる。硝酸塩、しゅう酸塩、過塩素酸塩等の無機塩でも良い。
【0038】
本実施形態においては、PZT膜の出発原料として、Pb(CHCOO)・3HO、Zr(t−OCH、Ti(i−OCの混合溶液(ゾル)を用意する。この混合溶液を1500rpmで0.1μmの厚さにスピンコーティングする。塗布した段階では、PZTを構成する各金属原子は有機金属錯体として分散している。
【0039】
塗布後、一定温度で一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させる。例えば、乾燥温度は例えば150℃以上200℃以下に設定する。好ましくは、180℃で乾燥させる。乾燥時間は例えば5分以上15分以下にする。好ましくは10分程度乾燥させる。
【0040】
乾燥後、さらに大気雰囲気下において一定の脱脂温度で一定時間脱脂する(S4)。脱脂温度は、300℃以上500℃以下の範囲が好ましい。この範囲より高い温度では結晶化が始まってしまい、この範囲より低い温度では、十分な脱脂が行えないからである。好ましくは360℃〜400℃程度に設定する。脱脂時間は、例えば5分以上90分以下にする。この範囲より長い時間では結晶化が始まってしまい、この範囲より短い時間では十分に脱脂されないからである。好ましくは10分程度脱脂させる。脱脂により金属に配位している有機物が金属から解離し酸化燃焼反応を生じ、大気中に飛散する。
【0041】
最初の脱脂では、初回の脱脂時の昇温レートを500℃/min以下としている。昇温レートを低くしてゆっくり加熱することにより、脱脂条件が均一となるようにし、第1のゾル膜411”内に多数の小さな種結晶を生じさせることができる。昇温レートを500℃/min以下に制御するには、ゾルの塗布された常温の基板を、例えば常温のアルミニウム基板上に置き、これを400℃に加熱されたホットプレート上に置けばよい。これにより昇温レートは約430℃/minとなる。ゾルが塗布された面をホットプレートの載置面と反対側にすることにより、基板側から加熱することができるため、均一かつ効率的に脱脂を行なうことができる。
【0042】
以上の塗布・乾燥・脱脂の工程を所定回数、例えば2回繰り返して2つのゲル層からなる圧電体前駆体膜の第1層411’を形成する。この場合、2回目の脱脂工程でも、初回の脱脂工程と同様に500℃/min以下の昇温レートで加熱することが望ましい。なお、これら塗布・乾燥・脱脂の繰り返し回数は2回に限らず、1回のみでもよいし、3回以上でもよい。
【0043】
結晶化工程(S5)
上記の工程によって得られた圧電体前駆体膜の第1層411’を加熱処理することによって結晶化させ、圧電体薄膜の第1層411を形成する。焼結条件は材料により異なるが、本実施形態ではO雰囲気下において、700℃で30分間加熱を行う。加熱装置としては、拡散炉を使用することができるほか、RTA(Rapid Thermal Annealing)装置でもよい。この結晶化により、圧電体膜の第1層411が形成される。本実施形態によれば、結晶化されたPZTは(100)面配向度が80%以上を示すため、圧電特性に優れた圧電体膜を形成することができる。しかも基板面内のばらつきが少なく基板全体にわたって良好な特性を得ることができる。
【0044】
圧膜化工程(S6)
次に、ゾルの塗布・乾燥・脱脂を2回繰返し、更に結晶化させるという上述と同様の工程を、5回繰り返す。したがって、ゾルの塗布1回あたりの膜厚が0.1μmの場合には、圧電体膜41全体の膜厚は1μmとなる。図6は、圧電体素子の詳細な層構造を示す一部断面図である。最初の結晶化工程で形成された圧電体膜の第1層411の上に、複数の圧電体膜の層412、413、414、415が積層される。
【0045】
初回の結晶化より後に行なわれる脱脂工程では、昇温レートを1000℃/min以上とする。昇温レートを1000℃/min以上に制御するには、ゾルの塗布された常温の基板を例えば400℃に加熱されたホットプレート上に直接置けばよい。これにより昇温レートは約25000℃/minとなる。
【0046】
昇温レートを初回より高くして速く加熱することで、ゾル膜内には種結晶が生じにくくなる。種結晶が生じにくいため、それ以前に結晶化された圧電体結晶を核として、後の結晶化工程における結晶成長が行なわれる。従って、圧電体結晶が上下層で不連続になることを防止することができる。以上のように、初回の脱脂時の昇温レートを、他の回の脱脂時の昇温レートより低くして加熱することにより、1層目411には粒径の小さな柱状結晶が形成され、2層目以降の412〜415には1層目の柱状結晶と連続し且つこれより粒径の大きな柱状結晶が形成される。また、本実施形態によれば、結晶化されたPZTは下層の影響を受けて(100)面配向度が80%以上となり、しかも基板面内のばらつきを小さくすることができる。
【0047】
なお、この圧膜化工程に先立ち、下部電極32と圧電体薄膜の第1層411とを所定形状にパターニングしてもよい。この場合、圧膜化工程で積層される圧電体薄膜の最初の層である第2層412を形成する際の脱脂時の昇温レートを、第1層411を形成する際の脱脂時の昇温レートと同様に低くすることが好ましい。
【0048】
上部電極形成工程(図5:S7)
以上により形成された圧電体薄膜41上に上部電極42を形成する。具体的には、上部電極42として白金(Pt)を100nmの膜厚にDCスパッタ法で成膜する。
【0049】
圧電体素子の形成(S8)
次に、上部電極42上にレジストをスピンコートした後、インク室が形成されるべき位置に合わせて露光・現像してパターニングする。残ったレジストをマスクとして上部電極42、圧電体薄膜41をイオンミリング等でエッチングする。以上の工程により、個々の圧電体素子40が形成される。
【0050】
インクジェット式記録ヘッドの形成(S9、S10)
更に、インク室基板20にインク室21を形成し、ノズル板10を形成する。具体的には、インク室基板20に、インク室が形成されるべき位置に合わせてエッチングマスクを施し、例えば平行平板型反応性イオンエッチング等の活性気体を用いたドライエッチングにより、予め定められた深さまでインク室基板20をエッチングし、インク室21を形成する。エッチングされずに残った部分は側壁22となる。
【0051】
最後に、樹脂等を用いてノズル板10をインク室基板20に接合する。ノズル板10をインク室基板20に接合する際には、ノズル11がインク室21の各々の空間に対応して配置されるよう位置合せする。以上の工程により、インクジェット式記録ヘッドが形成される。
【0052】
本発明の液体吐出ヘッドは、インクジェット記録装置に用いられるインクを吐出するヘッド以外にも、液晶ディスプレイ等のためのカラーフィルタの製造に用いられる色材を含む液体を吐出するヘッド、有機ELディスプレイやFED(面発光ディスプレイ)等の電極形成に用いられる電極材料を含む液体を吐出するヘッド、バイオチップ製造に用いられる生体有機物を含む液体を吐出するヘッド等、種々の液体を噴射するヘッドに適用することが可能である。
【0053】
【発明の効果】
本発明によれば、目的とする良好な結晶性を得ることができ、かつ圧電特性の面内均一性を向上することのできる圧電体素子の製造方法を提供し、かかる均一性が向上した圧電体素子を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態の方法により製造される圧電体素子を備えたインクジェット式記録ヘッドが使用されるプリンタの構造の説明図である。
【図2】上記インクジェット式記録ヘッドの構造の説明図である。
【図3】上記インクジェット式記録ヘッドおよび圧電体素子のさらに具体的な構造を説明する断面図である。
【図4】圧電体素子の製造工程断面図である。
【図5】圧電体素子の製造工程断面図である。
【図6】圧電体素子の詳細な層構造を示す一部断面図である。
【符号の説明】
100 インクジェット式記録ヘッド(液体吐出ヘッド)
10 ノズルプレート
20 圧力室基板
30 振動板
40 圧電体素子
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for manufacturing a piezoelectric element, and more particularly to a method for manufacturing a piezoelectric element capable of making the crystal orientation uniform in a wafer surface and making the piezoelectric characteristics uniform.
[0002]
[Prior art]
A piezoelectric element is an element in which a piezoelectric film having an electromechanical conversion function is sandwiched between two electrodes, and the piezoelectric film is made of crystallized piezoelectric ceramics.
[0003]
Conventionally, a so-called sol-gel method has been known as a method for manufacturing a piezoelectric element. That is, a sol of an organometallic compound is applied on a substrate on which a lower electrode is formed, dried and degreased to form a piezoelectric precursor film. After performing the steps of coating, drying and degreasing a predetermined number of times, heat treatment is performed at a high temperature to crystallize. In order to further increase the film thickness, a sol application step, a drying step, a degreasing step, and a crystallization step are repeatedly performed on the crystallized piezoelectric film.
[0004]
As a method for degreasing the sol of the organometallic compound, a method using a box-type dryer and a method using a hot plate are known.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the conventional degreasing process, nuclei of piezoelectric crystals were not easily formed in the precursor of the piezoelectric material. Therefore, it has been difficult to obtain a target crystal when crystallized. In addition, the degreasing conditions have been varied, for example, the temperature rise rate varies depending on the position in the plane of the wafer. For this reason, the crystal orientation and the characteristics of the piezoelectric body sometimes varied.
[0006]
The present invention provides a method of manufacturing a piezoelectric element capable of obtaining desired desired crystallinity and improving in-plane uniformity of piezoelectric characteristics, and a piezoelectric element having such improved uniformity. The purpose is to provide. It is another object of the present invention to provide a liquid discharge head such as an ink jet head to which the piezoelectric element is applied and a method for manufacturing the same.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, the present invention includes a step of forming a lower electrode on a substrate, a step of forming a piezoelectric film on the lower electrode, and a step of forming an upper electrode on the piezoelectric film. In the method for manufacturing a piezoelectric element provided, the step of forming the piezoelectric film comprises: applying a sol of an organometallic compound; drying the sol of the organometallic compound; and degreased the organic compound. A step of forming a piezoelectric layer including a step of gelling a metal compound sol and a step of crystallizing the gelled organometallic compound is performed a plurality of times and laminated. Then, in the degreasing step, the temperature is raised at the time of the initial degreasing at a temperature of 500 ° C./min or less. Further, in this degreasing step, it is desirable to heat at a temperature rising rate of at least 1000 ° C./min in at least one degreasing except the first time.
[0008]
Further, it is desirable that the heating rate at the time of the first degreasing is heated at a rate equal to or lower than the rate at the time of the other degreasing. In addition, of the plurality of times of forming the piezoelectric layer, the temperature rising rate at the time of degreasing for the piezoelectric layer to be crystallized in the first crystallization step is crystallized in another crystallization step. It is desirable to heat the piezoelectric layer at a rate equal to or lower than the temperature rising rate during degreasing for the piezoelectric layer. When the piezoelectric layer is further laminated after patterning the lower electrode and part of the piezoelectric layer, it is preferable to similarly reduce the temperature increase rate during degreasing after patterning.
[0009]
In the method of manufacturing a piezoelectric element, it is preferable that the degreasing step is performed by heating from the substrate side.
[0010]
The method for manufacturing a liquid ejection head according to the present invention uses the piezoelectric element manufactured by the above-described method for manufacturing a piezoelectric element.
[0011]
The piezoelectric element of the present invention includes a lower electrode, a piezoelectric film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the piezoelectric film, and the piezoelectric film includes a columnar crystal. A lower layer portion and an upper layer portion having a columnar crystal continuous with the columnar crystal of the lower layer portion and having a larger diameter than the columnar crystal of the lower layer portion are provided.
[0012]
A liquid ejection head according to the present invention includes the above-described piezoelectric element as a liquid ejection drive source.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0014]
(Overall configuration of inkjet printer)
FIG. 1 is an explanatory diagram of the structure of a printer (liquid ejection device) using an ink jet recording head (liquid ejection head) having a piezoelectric element manufactured by the method of the present embodiment. In this printer, a tray 3, a discharge port 4 and an operation button 9 are provided on a main body 2. Further, an ink jet recording head 1, a supply mechanism 6, and a control circuit 8 are provided inside the main body 2.
[0015]
The ink jet recording head 1 includes a piezoelectric element manufactured by the manufacturing method of the present invention. The ink jet recording head 1 is configured to be able to discharge liquid ink from nozzles in accordance with a discharge signal supplied from the control circuit 8.
[0016]
The main body 2 is a housing of the printer, in which the supply mechanism 6 is arranged at a position where the paper 5 can be supplied from the tray 3, and the ink jet recording head 1 is arranged so as to be able to print on the paper 5. The tray 3 is configured to be able to supply the paper 5 before printing to the supply mechanism 6, and the discharge port 4 is an outlet for discharging the paper 5 on which printing has been completed.
[0017]
The supply mechanism 6 includes a motor 600, rollers 601 and 602, and other mechanical structures (not shown). The motor 600 is rotatable in accordance with a drive signal supplied from the control circuit 8. The mechanical structure is configured to transmit the rotational force of the motor 600 to the rollers 601 and 602. The rollers 601 and 602 rotate when the rotational force of the motor 600 is transmitted. The rollers 601 and 602 pull in the paper 5 placed on the tray 3 by rotation, and supply the paper 5 so that the head 1 can print. I have.
[0018]
The control circuit 8 includes a CPU, a ROM, a RAM, and an interface circuit (not shown). The control circuit 8 supplies a drive signal to the supply mechanism 6 in accordance with print information supplied from a computer via a connector (not shown). Can be supplied to the ink jet recording head 1. The control circuit 8 can set an operation mode, perform a reset process, and the like in accordance with an operation signal from the operation panel 9.
[0019]
(Configuration of inkjet recording head)
FIG. 2 is an explanatory diagram of the structure of an ink jet recording head provided with a piezoelectric element manufactured by the method of the present embodiment. As shown in the drawing, the ink jet recording head 1 includes a nozzle plate 10, a pressure chamber substrate 20, and a vibration plate 30. This head constitutes an on-demand piezo jet type head.
[0020]
The pressure chamber substrate 20 includes a pressure chamber (cavity) 21, a side wall (partition) 22, a reservoir 23, and a supply port 24. The pressure chamber 21 is a space for storing ink and the like formed by etching a substrate such as silicon for discharging. The side wall 22 is formed to partition between the pressure chambers 21. The reservoir 23 is a flow path for filling the pressure chambers 21 with ink in common. The supply port 24 is formed so that ink can be introduced from the reservoir 23 into each of the pressure chambers 21. The shape of the pressure chamber 21 and the like can be variously changed by an ink jet method. For example, it may be a Kaiser shape having a planar shape or a Zoltan shape having a cylindrical shape. Further, the pressure chamber may be configured for a single chamber or a two chamber.
[0021]
The nozzle plate 10 is bonded to one surface of the pressure chamber substrate 20 so that the nozzle holes 11 are arranged at positions corresponding to the pressure chambers 21 provided in the pressure chamber substrate 20. The pressure chamber substrate 20 to which the nozzle plate 10 is bonded is further housed in a housing 25 to constitute the ink jet recording head 1.
[0022]
The vibration plate 30 is bonded to the other surface of the pressure chamber substrate 20. The diaphragm 30 is provided with a piezoelectric element (not shown). The vibration plate 30 is provided with an ink tank opening (not shown) so that ink stored in an ink tank (not shown) can be supplied into the pressure chamber substrate 20.
[0023]
(Layer structure)
FIG. 3 is a sectional view illustrating a more specific structure of the ink jet recording head and the piezoelectric element manufactured by the method of the present embodiment. This cross-sectional view is an enlarged cross-section of one piezoelectric element. As shown in the figure, the vibration plate 30 is composed of an insulating film 31, and the piezoelectric element 40 is composed of a lower electrode 32 on which a piezoelectric thin film layer 41 and an upper electrode 42 are laminated. In particular, the ink jet recording head 1 is configured such that the piezoelectric elements 40, the pressure chambers 21, and the nozzle holes 11 are continuously provided at a constant pitch. The design of the pitch between the nozzles can be appropriately changed according to the printing accuracy. For example, they are arranged to be 400 dpi (dot per inch).
[0024]
The insulating film 31 is made of a material that is not conductive, for example, silicon dioxide (SiO 2 ), and is configured to be deformed by deformation of the piezoelectric layer and to instantaneously increase the pressure inside the pressure chamber 21. .
[0025]
A lower electrode 32 is formed on the insulating film 31. Between the insulating film 31 and the lower electrode 32, a buffer layer made of zirconium oxide or a titanium or titanium oxide film (adhesion layer) of about 20 nm is formed. Is also good.
[0026]
The lower electrode 32 is one electrode for applying a voltage to the piezoelectric layer, and is made of a conductive material, for example, platinum (Pt). The lower electrode 32 is not limited to this, and may be made of iridium (Ir), which is a metal having the same FCC structure as platinum. The lower electrode 32 is formed in the same region as the insulating film 31 so as to function as an electrode common to a plurality of piezoelectric elements formed on the pressure chamber substrate 20. However, it is also possible to form the same size as the piezoelectric thin film layer 41, that is, the same shape as the upper electrode.
[0027]
The upper electrode 42 is the other electrode for applying a voltage to the piezoelectric layer, and is made of a conductive material, for example, platinum (Pt) having a thickness of 0.1 μm.
[0028]
The piezoelectric thin film layer 41 is, for example, a crystal of a piezoelectric ceramic having a perovskite structure manufactured by the manufacturing method of the present invention, and is formed on the vibration plate 30 in a predetermined shape.
[0029]
The composition of the piezoelectric thin film layer 41 is, for example lead zirconate titanate (Pb (Zr 0 56, Ti 0 44) O 3:.. PZT) using a piezoelectric ceramics or the like. In addition, lead lanthanum titanate ((Pb, La) TiO 3 ), lead lanthanum zirconate ((Pb, La) ZrO 3 ), or lead zirconate titanate magnesium niobate (Pb (Mg, Nb) (Zr, Ti)) O 3 : PMN-PZT), barium zirconate titanate (Ba (Zr, Ti) O 3 : BZT), or the like may be used.
[0030]
(Printing operation)
A printing operation in the configuration of the ink jet recording head 1 will be described. When a drive signal is output from the control circuit 8, the supply mechanism 6 operates and the paper 5 is transported by the head 1 to a position where printing is possible. When no discharge signal is supplied from the control circuit 8 and no voltage is applied between the lower electrode 32 and the upper electrode 42 of the piezoelectric element 40, the piezoelectric thin film layer 41 is not deformed. No pressure change occurs in the pressure chamber 21 in which the piezoelectric element 40 to which the ejection signal is not supplied is provided, and no ink droplet is ejected from the nozzle hole 11.
[0031]
On the other hand, when the discharge signal is supplied from the control circuit 8 and a constant voltage is applied between the lower electrode 32 and the upper electrode 42 of the piezoelectric element 40, the piezoelectric thin film layer 41 is deformed. In the pressure chamber 21 in which the piezoelectric element 40 to which the ejection signal is supplied is provided, the vibration plate 30 is largely bent. Therefore, the pressure in the pressure chamber 21 increases instantaneously, and ink droplets are ejected from the nozzle holes 11. Arbitrary characters and figures can be printed by individually supplying an ejection signal to the piezoelectric element at a position in the head where printing is desired.
[0032]
(Production method)
Next, the method for manufacturing the piezoelectric element according to this embodiment will be described together with the method for manufacturing the ink jet recording head. 4 and 5 are cross-sectional views illustrating the steps of manufacturing a piezoelectric element according to the method of the present embodiment.
[0033]
Insulating film forming step (S1)
The insulating film forming step is a step of forming the insulating film 31 on the silicon substrate 20. The thickness of the silicon substrate 20 is, for example, about 200 μm so that the height of the side wall does not become too high. The insulating film 31 is formed to a thickness of, for example, about 1 μm. For the production of the insulating film, a known thermal oxidation method or the like is used to form a silicon dioxide film. Note that a buffer layer (not shown) made of zirconium oxide having a thickness of about 400 nm may be formed on the insulating film 31. On this buffer layer, a titanium film or a titanium oxide film (adhesion layer: not shown) having a thickness of 5 nm to 40 nm, more preferably about 20 nm may be further formed. This adhesion layer improves the adhesion between the insulating film 31 and the lower electrode 32.
[0034]
Lower electrode forming step (S2)
This lower electrode forming step is a step of forming the lower electrode 32 on the insulating film 31 or the adhesion layer. The lower electrode 32 is formed by stacking, for example, a platinum layer with a thickness of 100 nm to 200 nm. For manufacturing these layers, a known electron beam evaporation method, sputtering method, or the like is used. The composition of the lower electrode 32 is not limited to this, and may have a laminated structure of iridium (for example, 20 nm) / platinum (for example, 60 nm) / iridium (for example, 20 nm).
[0035]
Further, a seed layer of titanium (Ti) is formed on the platinum film with a thickness of preferably 2 nm to 20 nm, more preferably 5 nm. For forming the titanium seed layer, for example, a known direct current sputtering method or the like is used. This seed layer is formed with a uniform thickness, but may be in an island shape in some cases.
[0036]
Formation of piezoelectric precursor film (S3, S4)
Next, a piezoelectric precursor film 411 ′ is formed on the lower electrode 32. The piezoelectric precursor film 411 ′ is configured as an amorphous film before being crystallized by a process described below to become the first layer 411 of the piezoelectric thin film. In this embodiment, a PZT precursor film is formed by a sol-gel method.
[0037]
In the sol-gel method, a metal organic compound such as a metal alkoxide is hydrolyzed and polycondensed in a solution system. Specifically, first, a solution (sol) 411 ″ containing a metal-organic compound is applied on a substrate and dried (S3). As the metal-organic compound used, methoxide or ethoxide of a metal constituting an inorganic oxide is used. And alkoxides such as propoxide and butoxide, acetate compounds, etc. Inorganic salts such as nitrates, oxalates and perchlorates may also be used.
[0038]
In the present embodiment, as a starting material of the PZT film, a mixed solution of Pb (CH 3 COO) 2 .3H 2 O, Zr (t-OCH 4 H 9 ) 4 , and Ti (i-OC 3 H 7 ) 4 ( Sol). This mixed solution is spin-coated at 1500 rpm to a thickness of 0.1 μm. At the stage of application, each metal atom constituting PZT is dispersed as an organometallic complex.
[0039]
After the application, the sol is dried at a fixed temperature for a fixed time to evaporate the solvent of the sol. For example, the drying temperature is set to, for example, 150 ° C. or more and 200 ° C. or less. Preferably, it is dried at 180 ° C. The drying time is, for example, 5 minutes or more and 15 minutes or less. Preferably, it is dried for about 10 minutes.
[0040]
After drying, further degreasing is performed at a constant degreasing temperature in an air atmosphere for a predetermined time (S4). The degreasing temperature is preferably in a range of 300 ° C. or more and 500 ° C. or less. This is because crystallization starts at a temperature higher than this range, and sufficient degreasing cannot be performed at a temperature lower than this range. Preferably, the temperature is set to about 360 ° C to 400 ° C. The degreasing time is, for example, 5 minutes or more and 90 minutes or less. This is because crystallization starts in a time longer than this range, and is not sufficiently degreased in a time shorter than this range. It is preferably defatted for about 10 minutes. The organic matter coordinated to the metal is dissociated from the metal by degreasing, causing an oxidative combustion reaction, and is scattered into the atmosphere.
[0041]
In the first degreasing, the temperature rising rate during the first degreasing is set to 500 ° C./min or less. By lowering the heating rate and heating slowly, the degreasing conditions can be made uniform, and a large number of small seed crystals can be generated in the first sol film 411 ″. In order to control the temperature to be not more than min, the substrate at room temperature on which the sol is applied may be placed on an aluminum substrate at room temperature, for example, and placed on a hot plate heated to 400 ° C. As a result, the rate of temperature rise is about By setting the surface on which the sol is applied to the surface opposite to the surface on which the hot plate is placed, heating can be performed from the substrate side, so that degreasing can be performed uniformly and efficiently.
[0042]
The above-described steps of coating, drying and degreasing are repeated a predetermined number of times, for example, twice, to form a first layer 411 ′ of a piezoelectric precursor film composed of two gel layers. In this case, in the second degreasing step, as in the first degreasing step, it is desirable to heat at a heating rate of 500 ° C./min or less. The number of repetitions of the application, drying and degreasing is not limited to two, but may be only one, or three or more.
[0043]
Crystallization step (S5)
The first layer 411 ′ of the piezoelectric precursor film obtained by the above process is crystallized by heat treatment to form the first layer 411 of the piezoelectric thin film. The sintering conditions vary depending on the material, but in this embodiment, heating is performed at 700 ° C. for 30 minutes in an O 2 atmosphere. As the heating device, a diffusion furnace can be used, or an RTA (Rapid Thermal Annealing) device can be used. By this crystallization, the first layer 411 of the piezoelectric film is formed. According to this embodiment, the crystallized PZT has a degree of (100) plane orientation of 80% or more, so that a piezoelectric film having excellent piezoelectric characteristics can be formed. Moreover, good characteristics can be obtained over the entire substrate with little variation in the substrate plane.
[0044]
Film forming process (S6)
Next, the same steps as described above in which the application, drying, and degreasing of the sol are repeated twice and further crystallization are repeated five times. Therefore, when the film thickness per application of the sol is 0.1 μm, the film thickness of the entire piezoelectric film 41 is 1 μm. FIG. 6 is a partial sectional view showing a detailed layer structure of the piezoelectric element. A plurality of piezoelectric film layers 412, 413, 414, 415 are laminated on the first layer 411 of the piezoelectric film formed in the first crystallization step.
[0045]
In the degreasing step performed after the initial crystallization, the temperature raising rate is set to 1000 ° C./min or more. In order to control the rate of temperature rise to 1000 ° C./min or more, the sol-coated normal-temperature substrate may be directly placed on a hot plate heated to, for example, 400 ° C. Thus, the rate of temperature rise is about 25000 ° C./min.
[0046]
By increasing the heating rate at a higher rate than the initial rate and heating quickly, seed crystals are less likely to be formed in the sol film. Since a seed crystal is not easily generated, crystal growth in a subsequent crystallization step is performed with the piezoelectric crystal crystallized before that as a nucleus. Therefore, it is possible to prevent the piezoelectric crystal from being discontinuous in the upper and lower layers. As described above, by heating the first heating rate at the time of degreasing lower than the heating rate at the time of other degreasing, columnar crystals having a small particle size are formed in the first layer 411, On the second and subsequent layers, 412 to 415, columnar crystals having a larger particle diameter than the first layer columnar crystals are formed. Further, according to the present embodiment, the crystallized PZT is affected by the lower layer and has a (100) plane orientation degree of 80% or more, and furthermore, it is possible to reduce the variation in the substrate plane.
[0047]
Prior to the film-forming step, the lower electrode 32 and the first layer 411 of the piezoelectric thin film may be patterned into a predetermined shape. In this case, the temperature increase rate at the time of degreasing when forming the second layer 412, which is the first layer of the piezoelectric thin film laminated in the film-forming step, is increased by the rate at the time of degreasing when forming the first layer 411. It is preferable to lower the temperature as in the case of the temperature rate.
[0048]
Upper electrode forming step (FIG. 5: S7)
The upper electrode 42 is formed on the piezoelectric thin film 41 formed as described above. Specifically, platinum (Pt) is formed as the upper electrode 42 to a thickness of 100 nm by DC sputtering.
[0049]
Formation of piezoelectric element (S8)
Next, after a resist is spin-coated on the upper electrode 42, patterning is performed by exposing and developing to a position where an ink chamber is to be formed. Using the remaining resist as a mask, the upper electrode 42 and the piezoelectric thin film 41 are etched by ion milling or the like. Through the above steps, individual piezoelectric elements 40 are formed.
[0050]
Formation of inkjet recording head (S9, S10)
Further, the ink chamber 21 is formed in the ink chamber substrate 20, and the nozzle plate 10 is formed. Specifically, an etching mask is applied to the ink chamber substrate 20 at a position where the ink chamber is to be formed, and is predetermined by dry etching using an active gas such as parallel plate reactive ion etching. The ink chamber substrate 20 is etched to a depth to form an ink chamber 21. The portion left without being etched becomes the side wall 22.
[0051]
Finally, the nozzle plate 10 is joined to the ink chamber substrate 20 using a resin or the like. When joining the nozzle plate 10 to the ink chamber substrate 20, the nozzles 11 are aligned so as to be arranged corresponding to the respective spaces of the ink chamber 21. Through the above steps, an ink jet recording head is formed.
[0052]
The liquid discharge head according to the present invention includes, besides a head that discharges ink used in an ink jet recording apparatus, a head that discharges a liquid containing a color material used for manufacturing a color filter for a liquid crystal display or the like, an organic EL display, The present invention is applied to a head for ejecting various liquids such as a head for ejecting a liquid containing an electrode material used for forming an electrode such as an FED (surface emitting display) and a head for ejecting a liquid containing a biological organic material used for manufacturing a biochip. It is possible.
[0053]
【The invention's effect】
According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a piezoelectric element capable of obtaining desired good crystallinity and improving in-plane uniformity of piezoelectric characteristics, and a piezoelectric element having such improved uniformity. It is possible to provide a body element.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory diagram of a structure of a printer using an ink jet recording head having a piezoelectric element manufactured by a method according to an embodiment.
FIG. 2 is an explanatory diagram of a structure of the ink jet recording head.
FIG. 3 is a sectional view illustrating a more specific structure of the ink jet recording head and the piezoelectric element.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the piezoelectric element.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a manufacturing process of the piezoelectric element.
FIG. 6 is a partial cross-sectional view showing a detailed layer structure of a piezoelectric element.
[Explanation of symbols]
100 inkjet recording head (liquid ejection head)
Reference Signs List 10 Nozzle plate 20 Pressure chamber substrate 30 Vibration plate 40 Piezoelectric element

Claims (8)

基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備える圧電体素子の製造方法であって、
前記圧電体膜を形成する工程は、有機金属化合物のゾルを塗布する工程と、前記有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程と、このゲル化した有機金属化合物を結晶化させる工程と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層するものであり、
前記脱脂させる工程のうち、初回の脱脂時の昇温レートを、500℃/min以下として加熱する、圧電体素子の製造方法。
Forming a lower electrode on the substrate, forming a piezoelectric film on the lower electrode, a method for manufacturing a piezoelectric element comprising a step of forming an upper electrode on the piezoelectric film,
The step of forming the piezoelectric film, the step of applying a sol of an organometallic compound, the step of drying the sol of the organometallic compound and the step of gelling the sol of the organometallic compound by a step of degreasing the sol, A step of crystallizing the gelled organometallic compound, and a step of forming a piezoelectric layer comprising a plurality of times, and laminating,
A method for manufacturing a piezoelectric element, wherein in the degreasing step, the temperature is raised at the time of initial degreasing at a temperature of 500 ° C./min or less.
請求項1において、
前記脱脂させる工程のうち、前記初回を除く少なくとも1回の脱脂時の昇温レートを、1000℃/min以上として加熱する、圧電体素子の製造方法。
In claim 1,
A method of manufacturing a piezoelectric element, wherein a heating rate is set to at least 1000 ° C./min during at least one degreasing except for the first time in the degreasing step.
基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備える圧電体素子の製造方法であって、
前記圧電体膜を形成する工程は、有機金属化合物のゾルを塗布する工程と、前記有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程と、このゲル化した有機金属化合物を結晶化させる工程と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層するものであり、
前記脱脂させる工程において、初回の脱脂時の昇温レートを、他の回の脱脂時の昇温レート以下で加熱する、圧電体素子の製造方法。
Forming a lower electrode on the substrate, forming a piezoelectric film on the lower electrode, a method for manufacturing a piezoelectric element comprising a step of forming an upper electrode on the piezoelectric film,
The step of forming the piezoelectric film, the step of applying a sol of an organometallic compound, the step of drying the sol of the organometallic compound and the step of gelling the sol of the organometallic compound by a step of degreasing the sol, A step of crystallizing the gelled organometallic compound, and a step of forming a piezoelectric layer comprising a plurality of times, and laminating,
In the degreasing step, a method of manufacturing a piezoelectric element, wherein a heating rate during the first degreasing is heated at a rate equal to or lower than a heating rate during another degreasing.
基板上に下部電極を形成する工程と、この下部電極上に圧電体膜を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極を形成する工程とを備える圧電体素子の製造方法であって、
前記圧電体膜を形成する工程は、有機金属化合物のゾルを塗布する工程と、前記有機金属化合物のゾルを乾燥させる工程及びこれを脱脂させる工程により有機金属化合物のゾルをゲル化させる工程と、このゲル化した有機金属化合物を結晶化させる工程と、を備えた圧電体層の形成工程を複数回行なって積層するものであり、
前記脱脂させる工程において、前記複数回の圧電体層の形成のうち、初回の結晶化工程で結晶化される圧電体層のための脱脂時の昇温レートを、他の回の結晶化工程で結晶化される圧電体層のための脱脂時の昇温レート以下で加熱する、圧電体素子の製造方法。
Forming a lower electrode on the substrate, forming a piezoelectric film on the lower electrode, a method for manufacturing a piezoelectric element comprising a step of forming an upper electrode on the piezoelectric film,
The step of forming the piezoelectric film, the step of applying a sol of an organometallic compound, the step of drying the sol of the organometallic compound and the step of gelling the sol of the organometallic compound by a step of degreasing the sol, A step of crystallizing the gelled organometallic compound, and a step of forming a piezoelectric layer comprising a plurality of times, and laminating,
In the degreasing step, of the plurality of times of forming the piezoelectric layer, the temperature rising rate at the time of degreasing for the piezoelectric layer to be crystallized in the first crystallization step is changed in another crystallization step. A method of manufacturing a piezoelectric element, wherein the piezoelectric element is heated at a rate not higher than the temperature during degreasing for the piezoelectric layer to be crystallized.
請求項1乃至請求項4の何れか一項において、
前記脱脂させる工程は、基板側から加熱を行なう、圧電体素子の製造方法。
In any one of claims 1 to 4,
The degreasing step is a method for manufacturing a piezoelectric element, wherein heating is performed from the substrate side.
請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の製造方法により製造した圧電体素子を用いることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。A method for manufacturing a liquid discharge head, comprising using the piezoelectric element manufactured by the manufacturing method according to claim 1. 下部電極と、下部電極上に形成された圧電体膜と、圧電体膜上に形成された上部電極と、を備えた圧電体素子において、
前記圧電体膜は、柱状結晶を備えた下層部分と、当該下層部分の柱状結晶と連続し、かつ当該下層部分の柱状結晶より径の大きな柱状結晶を備えた上層部分とを備える、圧電体素子。
In a piezoelectric element including a lower electrode, a piezoelectric film formed on the lower electrode, and an upper electrode formed on the piezoelectric film,
A piezoelectric element comprising: a lower layer portion having a columnar crystal; and an upper layer portion having a columnar crystal continuous with the columnar crystal of the lower layer portion and having a larger diameter than the columnar crystal of the lower layer portion. .
請求項7に記載の圧電体素子を液体吐出駆動源として備えた、液体吐出ヘッド。A liquid ejection head comprising the piezoelectric element according to claim 7 as a liquid ejection drive source.
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