JP2004027676A - 電磁波シールド窓構造及びその施工法 - Google Patents

Abstract

【課題】アルミサッシのアルマイト処理層を剥がして電気的導通をとらなくとも、アルマイト処理層があることによる電磁波侵入・漏洩の問題を簡単に解消できるようにする。
【解決手段】アルミサッシ５の溝内面と電磁波シールドガラス１のガラス表面との間に、電磁波シールドガラス１のシールド材４の突出した端子部４ａを巻き込む導電性ガスケット１３を挿入する。躯体９の表面の電磁波シールド層１０に一部分を接触させてアルミサッシ５の表面上にステンレス当て板１６を付設する。電磁波シールドガラス１のガラス表面とアルミサッシ５の溝内面との間及びガラス表面とステンレス当て板１６との間に導電性シーリング材１７を充填して、該導電性シーリング材を導電性ガスケット１３に密着させる。導電性シーリング材１７の更に外側において、ステンレス当て板１６と電磁波シールドガラス１のガラス表面との間に仕上げ用シーリング材６を充填する。
【選択図】　図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波シールド性能を向上させた電磁波シールド窓構造及びその施工法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電磁波シールド窓に使用されている電磁波シールドガラスには、導電性金属メッシュ等のシールド材（又はシールド膜）をガラスで挟み込んだ電磁波シールド層内部形成型と、導電性金属膜をガラス表面に塗布又は蒸着した電磁波シールド膜表面形成型とがある。窓枠には一般にアルミサッシが用いられており、アルミサッシは材質上導電性であるので、それ自体は電磁波を漏洩しないが、内外の表面全域が錆止めのためにアルマイト処理されているので、アルミサッシの表面は電気的には絶縁層となり、アルミサッシは、そのままでは電磁波シールドガラスの内部の電磁波シールド層又は表面の導電性金属膜とは電気的に導通しない。このため、電磁波シールドガラスとアルミサッシとの間で電磁波シールド性能が低下するという問題がある。
【０００３】
その問題について説明すると、図１は、電磁波シールド層内部形成型の電磁波シールドガラスを用い、その電磁波シールド層とアルミサッシとの間で電気的に導通をせずに、電磁波シールドガラスをアルミサッシにセットした場合である。電磁波シールドガラス１は、ガラス２・３にて導電性金属メッシュのシールド材４を挟み、このシールド材４の周縁部である端子部４ａをガラス２・３の周縁から突出させたものである。同図では、電磁波シールドガラス１の周縁部は、アルミサッシ５の溝内に挿入して溝内面との間に充填した内側のシーリング材６及び外側のシーリング材７にて溝内に固定され、またシールド材４の端子部４ａは、内側のシーリング材６に巻き込まれてアルミサッシ５の溝内面に添えられている。
【０００４】
この図１の場合、アルミサッシ５の内表面（溝内面）はアルマイト処理による絶縁層８Ａとなっているので、シールド材４の端子部４ａとアルミサッシ５とは電気的に導通せず、室外（躯体９の外方）からの電磁波のうち、シールド材４を反射してからアルミサッシ５の溝の金属面とシールド材４の端子部４ａとを繰り返し反射し、シールド材４を再び反射する電磁波▲１▼は、躯体９の内方へ侵入する。室内からの電磁波も同様である。
【０００５】
また、アルミサッシ５の外表面もアルマイト処理による絶縁膜８Ｂとなっているので、躯体９の室内側表面に電磁シールド層１０が施されていても、電磁波▲２▼は、この絶縁層８Ｂを透過してアルミサッシ５と電磁シールド層１０の間の隙間から侵入する。なお、符号１１は、アルミサッシ５の溝内で電磁波シールドガラス１の周縁を受けるセッティングブロックである。
【０００６】
電磁波シールド層内部形成型の電磁波シールドガラスとアルミサッシとの間に電磁波シールドを施した電磁波シールド窓として、例えば特開２０００−５４７５４号公報に記載のものがある。この電磁波シールド窓では、電磁波シールドガラスの電磁波シールド層（スパッタリング膜）よりの導電端子を、ガラスの端縁からガラス表面へとコ字状に添接し、この導電端子に接するように、導電性バックアップ材又は導電性ガスケットをガラス表面とアルミサッシの溝内面との間に詰め込み、更にその外側において、ガラス表面とアルミサッシの溝内面との間にガラスシーリング材を詰め込んでいる。
【０００７】
しかし、これでは、ガラス表面上の導電端子と導電性バックアップ材又は導電性ガスケットとは電気的に導通するものの、導電性バックアップ材又は導電性ガスケットとアルミサッシの金属面との間は、アルミサッシのアルマイト処理層のために導通せず、アルミサッシがアルマイト処理されていることによる電磁波侵入・漏洩の問題は解消されない。
【０００８】
そこで、図２に示すように、アルミサッシに代えてステンレスサッシ１２を用い、電磁波シールドガラス１のシールド材４の端子部４ａを巻き込むようにして、導電性ガスケット１３をガラス表面とステンレスサッシ１２の溝内面との間に詰め込み、またステンレスサッシ１２の外表面を、躯体９の内表面の電磁シールド層１０に接触させれば、上記のような電磁波侵入・漏洩の問題は解消され、３０ｄＢ以上の電磁波シール性能を有する電磁波シールド窓とすることができる。
【０００９】
しかしながら、ステンレスサッシはアルミサッシに比べてコストが高く、一般の居室の窓枠の大半はアルミサッシであるため、一般の居室をリニューアル工事により電磁波シールドオフィスに性能アップする場合、アルミサッシをステンレスサッシに交換するには、その交換工事も含めてコストが掛かりすぎる。
【００１０】
一方、図３に示すように、アルミサッシ５をそのまま用い、そのアルマイト処理層を部分的に剥がして、アルミサッシ５の金属面とシールド材４の端子部４ａ及び導電性ガスケット１３との間の電気的導通、及びアルミサッシ５の金属面と躯体９の内表面の電磁シールド層１０との間の電気的導通をとれば、上記のような電磁波侵入・漏洩の問題は解消され、３０ｄＢ以上の電磁波シール性能を有する電磁波シールド窓とすることができる。同図において、符号１４が、アルミサッシ５の溝内面のアルマイト処理層８Ａを剥がした部分、１５が、アルミサッシ５の外表面のアルマイト処理層８Ｂを剥がした部分である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アルマイト処理層を剥がすと錆びが発生する。また、アルマイト処理層を部分的に欠如したアルミサッシを製造することは困難であるため、アルマイト処理層の剥離作業は現場で実施することになるが、その作業は大変面倒であるに加え、シールド性能にバラツキが生ずることは否めない。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、アルミサッシのアルマイト処理層を剥がして電気的導通をとらなくとも、アルマイト処理層があることによる電磁波侵入・漏洩の問題を簡単に解消できる電磁波シールド窓構造及びその施工法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の電磁波シールド窓構造は、導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスを用い、そのシールド材の突出した端子部を巻き込むようにて、導電性バックアップ部をアルミサッシの溝内面と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に詰め込み形成し、また、躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させてアルミサッシの表面上に金属当て板を付設する。
【００１４】
このような構造によると、電磁波シールドガラスのガラス表面とアルミサッシの溝内面との間に詰め込み形成した導電性バックアップ部と、アルミサッシの表面上に付設した金属当て板とが、電磁波シールドガラスの内部のシールド材と躯体表面の電磁波シールド層との間を補填して電磁波シールドするので、アルミサッシの内外表面にアルマイト処理層がそのままあっても、電磁波の侵入・漏洩を防止できる。
【００１５】
好ましくは、金属当て板を導電性バックアップ部にも接触させると、電磁波シールドガラスのシールド材が、導電性バックアップ部及び金属当て板を介して躯体表面の電磁波シールド層と電気的導通状態にされるので、電磁波シールド性能が向上する。
【００１６】
導電性バックアップ部は、導電性ガスケットと導電性シーリング材とで複合構成しても、また導電性シーリング材のみで単一構成してもよい。前者の場合には、シールド材の突出した端子部を導電性ガスケットで巻き込み、その外側を導電性シーリング材でシーリングする。後者の場合には、シールド材の突出した端子部を導電性シーリング材で巻き込むとともに、同導電性シーリング材でアルミサッシと電磁波シールドガラスとの間をシーリングする。
【００１７】
金属当て板は、アルミサッシの表面の幅員を超える幅とし、導電性シーリング材は、アルミサッシの溝内を超えて金属当て板と電磁波シールドガラスのガラス表面との間にまで充填する。このようにすると、金属当て板と導電性シーリング材との電気的導通性を高めることができるとともに、シーリング性も高まる。
【００１８】
導電性シーリング材の更に外側において、金属当て板と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に仕上げ用シーリング材を充填することにより、シーリング性をより向上させることができる。
【００１９】
導電性バックアップ部は、導電性ガスケットのみでも構成できる。この場合には、金属当て板をアングル部を有するＬ形とし、そのアングル部と導電性ガスケットとの間に仕上げ用シーリング材を充填する。
【００２０】
金属当て板としては、ステンレス板が好ましい。
【００２１】
本発明の施工法は、導電性バックアップ部を、導電性ガスケットと導電性シーリング材とで複合構成する第１の形態と、導電性シーリング材のみで単一構成する第２の形態と、導電性ガスケットのみで単一構成する第３の形態とがあり、第１の形態の工程は次のとおりである。
導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットする工程。
シールド材の突出した端子部を巻き込んでアルミサッシの溝内面と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に導電性ガスケットを詰め込む工程と、
躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させてアルミサッシの表面上に金属当て板を付設する工程。
電磁波シールドガラスのガラス表面とアルミサッシの溝内面との間及びガラス表面と金属当て板との間に導電性シーリング材を充填して、該導電性シーリング材を導電性ガスケットに密着させる工程。
【００２２】
第２の形態の工程は次のとおりである。
導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットする工程。
躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させてアルミサッシの表面上に金属当て板を付設する工程。
シールド材の突出した端子部を巻き込んで、電磁波シールドガラスのガラス表面とアルミサッシの溝内面との間及びガラス表面と金属当て板との間に導電性シーリング材を充填する工程。
【００２３】
これら第１及び第２の形態の場合、導電性シーリング材の更に外側において、金属当て板と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に仕上げ用シーリング材を充填してもよい。
【００２４】
第３の形態の工程は次のとおりである。
導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットする工程。
シールド材の突出した端子部を巻き込んでアルミサッシの溝内面と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に導電性ガスケットを詰め込む工程。
アングル部を有する金属当て板を、躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させてアルミサッシの表面上に付設する工程。
アングル部と導電性ガスケットとの間に仕上げ用シーリング材を充填する工程。
【００２５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
図４は本発明の第１実施例を示す。ここで用いる電磁波シールドガラス１は、前述した図１〜図３の場合と同様に、ガラス２・３にて導電性金属メッシュのシールド材４を挟み、このシールド材４の周縁部である端子部４ａをガラス２・３の周縁から突出させたものである。アルミサッシ５は、内外表面のアルマイト処理層８Ａ・８Ｂを剥がさずにそのまま使用する。施工は次のような工程で行う。
【００２７】
▲１▼　電磁波シールドガラス１の周縁部をアルミサッシ５の溝内にセットする。
▲２▼　シールド材４の突出した端子部４ａを導電性ガスケット１３で巻き込んで、この導電性ガスケット１３をガラス２の表面とアルミサッシ５の溝内面との間に挿入する。
▲３▼　アルミサッシ５の表面の幅員を超える幅のステンレスの平板であるステンレス当て板（金属当て板）１６をアルミサッシ５の室内側の表面上に付設する。この際、ステンレス当て板１６の一方側は、躯体９の表面の電磁波シールド層１０との間に隙間が生じないように、電磁波シールド層１０に密着させ、ステンレス当て板１６の他方側は、アルミサッシ５の表面からはみ出させる。ステンレス当て板１６は、アルミサッシ５又は躯体９に対してビス等で固定する。
▲４▼　ガラス２の表面とアルミサッシ５の溝内面との間、及びガラス２の表面とステンレス当て板１６との間に導電性シーリング材１７を充填する。その際、導電性シーリング材１７を導電性ガスケット１３に密着させるとともに、シールド材４の端子部４ａの一部分が導電性シーリング材１７にも巻き込まれる（埋設又は押し付けられる）ようにする。
▲５▼　仕上げとして、導電性シーリング材１７の外側において、ガラス２の表面とステンレス当て板１６との間に通常のシーリング材６を充填する。ガラス３の表面とアルミサッシ５の溝内面との間にも、シーリング材７を充填する。このシーリング材７は先に充填しておいてもよい。
【００２８】
このようにして施工された電磁波シールド窓構造は、ガラス２の表面とアルミサッシ５の溝内面との間に詰め込んだ導電性ガスケット１３と導電性シーリング材１７とが、電磁波シールドガラス１の周縁部とアルミサッシ５の溝内面との間で電磁波シールドを補填する導電性バックアップ部１８となり、更にアルミサッシ５の表面に付設したステンレス当て板１６が、この導電性バックアップ部１８を躯体９の表面の電磁波シールド層１０へと連続して電気的に導通させるので、アルミサッシ５の内外表面にアルマイト処理層８Ａ・８Ｂがそのままあっても、電磁波の侵入・漏洩を防止できる。
【００２９】
図５に示す第２実施例は、図４における導電性ガスケット１３を省略し、導電性シーリング材１７のみで導電性バックアップ部１８を構成したものである。この場合、導電性ガスケット１３の挿入は行わず、導電性シーリング材１７でシールド材４の端子部４ａを巻き込むようにして、ガラス２の表面とアルミサッシ５の溝内面との間、及びガラス２の表面とステンレス当て板１６との間に導電性シーリング材１７を充填する。その後、ガラス２の表面とステンレス当て板１６との間に通常のシーリング材６を充填する。
【００３０】
図６に示す第３実施例は、平板のステンレス当て板に代えてアングル部１６ａを有するＬ形のステンレス当て板１６を用いることで、図４における導電性シーリング材１７を省略したものである。この場合、次の工程で施工する。
【００３１】
▲１▼　電磁波シールドガラス１の周縁部をアルミサッシ５の溝内にセットする。
▲２▼　シールド材４の突出した端子部４ａを導電性ガスケット１３で巻き込んで、この導電性ガスケット１３をガラス２の表面とアルミサッシ５の溝内面との間に挿入する。
▲３▼　アングル部１６ａを有するＬ形のステンレス当て板（金属当て板）１６をアルミサッシ５の室内側の表面上に付設する。この際、ステンレス当て板１６の一方側は、躯体９の表面の電磁波シールド層１０との間に隙間が生じないように、電磁波シールド層１０に密着させ、アングル部１６ａは、電磁波シールドガラス１側に向けてそのガラス表面との間に僅かな隙間を残す。
▲４▼　アングル部１６ａと導電性ガスケット１３との間において、ガラス２の表面とアルミサッシ５の溝内面との間に通常のシーリング材６を充填する。その際、シールド材４の端子部４ａの先端部分を、シーリング材６で押さえるようにしてアングル部１６ａに接触させれば、シールド材４は、ステンレス当て板１６を介して躯体９の表面の電磁波シールド層１０と電気的に導通される。
【００３２】
図７は、図６に示す第３実施例で本発明者らが実験した電磁波シールド性能の実測グラフで、水平偏波及び垂直偏波とも、３０ｄＢ以上の性能を達成できた。
【００３３】
なお、アルミサッシ５の表面上に付設する金属当て板としては、ステンレス板が好適であるが、それに代えてアルミニウム板等の他の金属板を用いてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、電磁波シールドガラスのガラス表面とアルミサッシの溝内面との間に詰め込み形成した導電性バックアップ部と、アルミサッシの表面上に付設した金属当て板とが、電磁波シールドガラスの内部のシールド材と躯体表面の電磁波シールド層との間を補填して電磁波シールドするので、アルミサッシの内外表面にアルマイト処理層がそのままあっても、電磁波の侵入・漏洩を防止できるため、施工性が非常に良く、窓枠がアルミサッシである一般の窓を電磁波シールド窓に改造する場合、その工事を簡単かつ経済的に行える。また、簡単な構造であるにも拘わらず充分なシールド性能を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電磁波シールド層内部形成型の電磁波シールドガラスを用い、それとアルミサッシとの間を電磁波シールド構造にしない従来例を示す断面図である。
【図２】アルミサッシに代えてステンレスサッシを用い、それと電磁波シールドガラスとの間を電磁波シールド構造にした従来例を示す断面図である。
【図３】アルミサッシのアルマイト処理層を部分的に剥がし、それと電磁波シールドガラスとの間を電磁波シールド構造にした従来例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例の電磁波シールド窓構造を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例の電磁波シールド窓構造を示す断面図である。
【図６】本発明の第３実施例の電磁波シールド窓構造を示す断面図である。
【図７】第３実施例で実験した電磁波シールド性能の実測グラフである。
【符号の説明】
１　電磁波シールドガラス
２・３　ガラス
４　シールド材
４ａ　端子部
５　アルミサッシ
６・７　シーリング材
８Ａ・８Ｂ　アルマイト処理層
９　躯体
１０　電磁波シールド層
１１　セッティングブロック
１２　ステンレスサッシ
１３　導電性ガスケット
１４・１５　アルマイト処理層を剥がした部分
１６　ステンレス当て板（金属当て板）
１７　導電性シーリング材
１８　導電性バックアップ部

Claims (12)

1. 導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットして電磁波シールド窓とする電磁波シールド窓構造において、前記アルミサッシの溝内面と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に、前記シールド材の突出した端子部を巻き込むようにして導電性バックアップ部が詰め込み形成され、躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させた金属当て板が前記アルミサッシの表面上に付設されていることを特徴とする電磁波シールド窓構造。
2. 金属当て板が導電性バックアップ部にも一部分を接触させてアルミサッシの表面に付設され、電磁波シールドガラスのシールド材が、導電性バックアップ部及び金属当て板を介して躯体表面の電磁波シールド層と電気的導通状態にされていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド窓構造。
3. 導電性バックアップ部が、シールド材の突出した端子部を巻き込む導電性ガスケットと、その外側でアルミサッシと電磁波シールドガラスとの間をシールする導電性シーリング材とで構成されていることを特徴とする請求項２に記載の電磁波シールド窓構造。
4. 導電性バックアップ部が、シールド材の突出した端子部を巻き込んでアルミサッシと電磁波シールドガラスとの間をシールする導電性シーリング材で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁波シールド窓構造。
5. 金属当て板が、アルミサッシの表面の幅員を超える幅を有し、導電性シーリング材が、アルミサッシの溝内を超えて金属当て板と電磁波シールドガラスのガラス表面との間にまで充填されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の電磁波シールド窓構造。
6. 導電性シーリング材の更に外側において、金属当て板と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に仕上げ用シーリング材が充填されていることを特徴とする請求項５に記載の電磁波シールド窓構造。
7. 導電性バックアップ部が、シールド材の突出した端子部を巻き込む導電性ガスケットで構成され、金属当て板が、電磁波シールドガラス側に突出するアングル部を有し、このアングル部と導電性ガスケットとの間に仕上げ用シーリング材が充填されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波シールド窓構造。
8. 金属当て板がステンレス板であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５６又は７に記載の電磁波シールド窓構造。
9. 導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットする工程と、
   前記シールド材の突出した端子部を巻き込んで前記アルミサッシの溝内面と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に導電性ガスケットを詰め込む工程と、躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させて前記アルミサッシの表面上に金属当て板を付設する工程と、
   前記電磁波シールドガラスのガラス表面と前記アルミサッシの溝内面との間及びガラス表面と前記金属当て板との間に導電性シーリング材を充填して、該導電性シーリング材を前記導電性ガスケットに密着させる工程と、
   を有することを特徴とする電磁波シールド窓構造の施工法。
10. 導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットする工程と、
    躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させて前記アルミサッシの表面上に金属当て板を付設する工程と、
    前記シールド材の突出した端子部を巻き込んで、前記電磁波シールドガラスのガラス表面と前記アルミサッシの溝内面との間及びガラス表面と前記金属当て板との間に導電性シーリング材を充填する工程と、
    を有することを特徴とする電磁波シールド窓構造の施工法。
11. 導電性シーリング材の更に外側において、金属当て板と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に仕上げ用シーリング材を充填する工程を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の電磁波シールド窓構造の施工法。
12. 導電性のシールド材による電磁波シールド層を内部に形成した電磁波シールドガラスの周縁部をアルミサッシの溝内にセットする工程と、
    前記シールド材の突出した端子部を巻き込んで前記アルミサッシの溝内面と電磁波シールドガラスのガラス表面との間に導電性ガスケットを詰め込む工程と、アングル部を有する金属当て板を、躯体表面の電磁波シールド層に一部分を接触させて前記アルミサッシの表面上に付設する工程と、
    前記アングル部と前記導電性ガスケットとの間に仕上げ用シーリング材を充填する工程と、
    を有することを特徴とする電磁波シールド窓構造の施工法。

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