【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハに形成された半導体集積回路（以下ＬＳＩと称する）の試験（以下ウエハテストと称する）に用いるプローブカードに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩの製造工程においては、ウエハプロセス終了後、半導体ウエハに形成されたＬＳＩが正常に動作するかどうかを調べるため、ウエハテストを実施する。図６は従来のプローブカードを用いたウエハテスト方法を示す概略説明図で、従来のウエハテスト方法を本図により説明する。
【０００３】
図６において、１はウエハテストに必要な電気信号をＬＳＩ２に入力するとともに、ＬＳＩ２から出力される電気信号が正常がどうかを判定するための装置であるＬＳＩテスタ（図示せず）の電気信号入出力部であるテストヘッド、３は半導体ウエハ４に形成されたＬＳＩ２に設けられたパッド５に接触してテストヘッド１とＬＳＩ２との電気的接続を行うためのプローブカード、６はプローブカード３に設けられたプローブ針７とパッド５との位置合わせを行うための装置であるプローバ装置（図示せず）の、半導体ウエハ４を載置し、半導体ウエハ４を水平および垂直方向に移動させるための機構であるウエハステージ、８は被テスト状態にある半導体ウエハ４を所定の温度に加熱するためのウエハステージ加熱装置、９は被テスト状態にある半導体ウエハ４を所定の温度に冷却するためのウエハステージ冷却装置である。
【０００４】
図７は、従来のプローブカード３を詳細に説明するための断面図で、７はパッド５に接触するため一端が図中下向きに曲げられたプローブ針、１０はガラスエポキシ樹脂等からなるプローブカード基板、１１はそのプローブカード基板１０の一主面に接して取り付けられたプローブ針７を配列して固定するためのシリコン等の材料からなるプローブ針固定用リング、１２はプローブカード基板１０の反対の一主面に接して取り付けられたプローブ針７がパッド５と接触する時に受ける応力等によるプローブカード基板１０の変形・破損を防止するための金属等で作られた補強板である。なお、プローブ針７の図中下向きに曲げられた端のもう一方の端はプローブカード基板１０のランド１３に半田等１４で接続され、プローブ針７の中腹部は耐熱性の樹脂１５でプローブ針固定用リング１１に取り付けられている。また、補強板１２はねじ１６によりプローブカード基板１０に取り付けられている。
【０００５】
次に動作について説明する。まず、半導体ウエハ４を載置したウエハステージ６を水平および垂直方向に移動させ、パッド５とプローブ針７とを接触させる。次に、テストヘッド１からウエハテストに必要な電気信号を出力させる。その電気信号は、パフォーマンスボード１７、ポゴピンリング１８に設けられたポゴピン１９、プローブカード３を順次経由し、パッド５に入力する。ＬＳＩ２は、入力した電気信号に基づいた動作を行い、その結果の電気信号をパッド５から出力する。その電気信号は、入力時と反対の経路でテストヘッド１に伝送され、ＬＳＩテスタは、その電気信号に基づき、ＬＳＩ２が良品であるか、不良品であるかを判定する。
【０００６】
なお、ウエハテストを高温、または低温で実施する必要がある場合は、ウエハステージ６に設けられたウエハ加熱装置８、またはウエハ冷却装置９で半導体ウエハ４を加熱、または冷却し、半導体ウエハ４を所定の温度に設定する。温度設定後の手順は前記のとおりである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
現在、上記ウエハテストはＬＳＩ２の信頼性を高める目的で８０℃以上の高温や、０℃以下の低温で実施することが求められているが、従来のプローブカード３は、プローブカード基板１０とプローブ針固定用リング１１の材料の線膨張率が異なっていたため、ウエハテスト時の熱負荷によりプローブカード基板１０が反り、プローブ針７とＬＳＩ２のパッド５とを安定して接触させることができないという問題があった。さらにＬＳＩ２の多機能化の進展により、プローブ針７の本数、プローブカード基板１０上のプローブ針配置面積は増加傾向にあり、前記問題はより顕著になってきている。
【０００８】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、いかなる温度条件のもとでも反りが起こりにくく、ウエハテスト時、安定してＬＳＩのパッドとプローブ針との接触がとれるプローブカードを得ることを目的とする。
【０００９】
【問題を解決するための手段】
第一の発明に係るプローブカードは、プローブカード基板と、前記プローブカード基板の一主面に接するプローブ針固定用リングと、前記プローブ針固定用リングに固定されたプローブ針と、前記プローブカード基板の前記一主面と反対の一主面に接する前記プローブ針固定用リングと実質的に同じ線膨張率を持つ材料からなる反り抑制板を備えたものである。
【００１０】
また、第二の発明に係るプローブカードは、第一の発明において、反り抑制板のプローブカード基板と接する一主面と反対の一主面に、補強板を備えたものである。
【００１１】
さらに、第三の発明に係るプローブカードは、第二の発明において、反り抑制板の厚みを補強板の厚みより薄くしたものである。
【００１２】
また、第四の発明に係るプローブカードは、プローブカード基板と、前記プローブカード基板の一主面に接するプローブ針固定用リングと、前記プローブ針固定用リングに固定されたプローブ針を備え、前記プローブカード基板が前記プローブ針固定用リングと実質的に同じ線膨張率を持つ材料からなるものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施形態１によるプローブカードを示す断面図、図３はその平面図、図４はその下面図である。図において、７は半導体ウエハ４に形成されたＬＳＩ２のパッド５に接触するため一端が図１中下向きに曲げられたプローブ針、１０はガラスエポキシ樹脂等からなるプローブカード基板、１１はそのプローブカード基板１０の一主面に取り付けられたプローブ針７を配列して固定するためのシリコン等からなるプローブ針固定用リングで、プローブ針７の図１中下向きに曲げられた端のもう一方の端はプローブカード基板１０のランド１３に半田等１４で接続され、プローブ針７の中腹部は耐熱性の樹脂１５でプローブ針固定用リング１１に取り付けられている。
【００１４】
２１はプローブカード基板１０のプローブ針７とは反対の一主面に接して取り付けられたプローブ針固定用リング１１と実質的に同じ線膨張率を持つ材料からなる反り抑制板、１２は反り抑制板２１のプローブカード基板１０とは反対の一主面に取り付けられたプローブ針７がパッド５と接触する時に受ける応力等によるプローブカード基板１０の変形・破損を防止するための金属等で作られた補強板である。なお、反り抑制板２１、補強板１２は、ねじ１６によりプローブカード基板１０に取り付けられている。また、この反り抑制板２１の製造方法についてであるが、例えば、プローブ針固定用リング１１がシリコン製であれば、反り抑制板２１もシリコン板を使用するのが最善で、このシリコン製反り抑制板２１は、既設部品であるシリコン製プローブ針固定用リング１１を加工するのと同様の機械加工により製造できる。すなわち、反り抑制板２１の形状は単純な板状で良いため、反り抑制板は、シリコン以外についても既設部品であるプローブ針固定用リング１１の加工技術を使うことにより容易に製造できる。
【００１５】
次に本プローブカードを用いたウエハテスト方法を説明する。図２はこの実施の形態１におけるプローブカードを用いたウエハテスト方法を示す概略説明図で、１はウエハテストに必要な電気信号をＬＳＩ２に入力するとともに、ＬＳＩ２から出力される電気信号が正常がどうかを判定するための装置であるＬＳＩテスタ（図示せず）の電気信号入出力部であるテストヘッド、３はパッド５に接触してテストヘッド１とＬＳＩ２との電気的接続を行うためのプローブカード、６はプローブカード３に設けられたプローブ針７とパッド５との位置合わせを行うための装置であるプローバ装置（図示せず）の半導体ウエハ４を載置し、半導体ウエハ４を水平および垂直方向にに移動させるための機構であるウエハステージ、８は被テスト状態にある半導体ウエハ４を所定の温度に加熱するためのウエハステージ加熱装置、９は被テスト状態にある半導体ウエハ４を所定の温度に冷却するためのウエハステージ冷却装置である。
【００１６】
次に動作について説明する。まず、半導体ウエハ４を載置したウエハステージ６を水平および垂直方向に移動させ、パッド５とプローブ針７とを接触させる。次に、テストヘッド１からウエハテストに必要な電気信号を出力させる。その電気信号は、パフォーマンスボード１７、ポゴピンリング１８に設けられたポゴピン１９、プローブカード３を順次経由し、パッド５に入力する。ＬＳＩ２は、入力した電気信号に基づいた動作を行い、その結果の電気信号をパッド５から出力する。その電気信号は、入力時と反対の経路でテストヘッド１に伝送され、ＬＳＩテスタは、その電気信号に基づき、ＬＳＩ２が良品であるか、不良品であるかを判定する。
【００１７】
なお、ウエハテストを高温、または低温で実施する必要がある場合は、ウエハステージ６に設けられたウエハ加熱装置８、またはウエハ冷却装置９で半導体ウエハ４を加熱、または冷却し、半導体ウエハ４を所定の温度に設定する。温度設定後の手順は前記のとおりである。
【００１８】
このウエハ加熱装置８で半導体ウエハ４を加熱した場合、加熱装置の熱はプローブカード３にも伝わり、プローブカード３自身が熱せられ、反り等の熱変形が起ころうとする。しかし、本プローブカード基板１０は線膨張率の等しいプローブ針固定用リング１１、反り抑制板２１で挟まれているため図２中上下どちらにもほとんど反ることがない。このためプローブ針７とウエハステージ６との水平度が保たれるので、安定してプローブ針７とパッド５とを接触させることができる。以上高温のウエハテストについて説明したが、低温のウエハテストにおいても同様である。
【００１９】
なお、実施の形態１のプローブカード３において、反り抑制板２１は、熱膨張による反りを抑制するためのもので、プローブカード基板１０の応力等による変形は金属等からなる補強板１２が防止する。よって反り抑制板２１には物理的な強度が特に必要無いため、その厚みは補強板１２より薄くても構わない。反り抑制板２１を薄くすれば、その製作費用を低減することができる。
【００２０】
また、実施の形態１のプローブカード３には金属等からなる補強板１２が存在するが、この補強板１２はプローブ針７がパッド５に接触したときに受ける応力等によるプローブカード基板１０の変形・破損を防止するためのもので、熱による反りを防止するものではない。そのため、プローブ針７の本数が少ない等、プローブカード基板１０が受ける応力が小さい場合は、補強板１２は無くても構わない。
【００２１】
また、実施の形態１のプローブカード３には図１中上側からプローブ針を確認できるようにするための開口部を特に設けていないが、前記目的の開口部を各構成部材に設けても構わない。
【００２２】
実施の形態２．
図５はこの発明の実施形態２によるプローブカードを示す断面図であり、図において、７は半導体ウエハ４に形成されたＬＳＩ２のパッド５に接触するため一端が図中下向きに曲げられたプローブ針、１０ａはプローブカード固定リング１１と実質的に同じ線膨張率を持つ材料からなるプローブカード基板、１１はそのプローブカード基板の一主面に接して取り付けられたプローブ針７を配列して固定するためのプローブ針固定用リングで、プローブ針７の図中下向きに曲げられた端のもう一方の端はプローブカード基板１０ａのランド１３に半田等１４で接続され、プローブ針７の中腹部は耐熱性の樹脂１５でプローブ針固定用リング１１に取り付けられている。なお、プローブカード基板１０ａにはプローブ針を取り付けるためのランド１３、プローブカード基板１０ａ内の電気信号の経路であるスルーホール３１、金属配線３２、プローブカード基板１０ａとポゴピン１９との電気的接続を行うためのランド１３ａが必要になるが、これらは基板材質に応じた切削、エッチング、スルーホールへの導体埋め込み、スパッタリング、メッキ等の既存の加工技術で作りこむことが可能である。
【００２３】
１２はプローブカード基板１０ａのプローブ針７とは反対の一主面に取り付けられた、プローブ針７がパッド５と接触する時に受ける応力等によるプローブカード基板１０ａの変形・破損を防止するための金属等で作られた補強板である。なお、補強板１２はねじ１６によりプローブカード基板１０ａに取り付けられている。
【００２４】
実施の形態２のプローブカード３は、プローブ針固定用リング１１とプローブカード基板１０ａが実質的に同じ線膨張率の材料でできているため反りが起こりにくい。よってウエハテスト時、プローブ針７とパッド５とを安定して接触させることができる。
【００２５】
なお、実施の形態２についても実施の形態１と同じ理由で、補強板１２を省略することができる。また、図中上側からプローブ針を確認するための開口部を各構成部材に設けても構わない。
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、第一の発明に係るプローブカードは、プローブカード基板と、前記プローブカード基板の一主面に接するプローブ針固定用リングと、前記プローブ針固定用リングに固定されたプローブ針と、前記プローブカード基板の前記一主面と反対の一主面に接する前記プローブ針固定用リングと実質的に同じ線膨張率を持つ材料からなる反り抑制板を備えたものであるあるため、線膨張率の違いによるプローブカード基板の反りが起こりにくく、安定してウエハテストを実施できる。
【００２７】
また、第二の発明に係るプローブカードは、第一の発明において、反り抑制板のプローブカード基板と接する一主面と反対の一主面に、補強板を備えたものであるため、線膨張率の違いによるプローブカード基板の反りが起こりにくく、安定してウエハテストを実施できる。
【００２８】
また、第三の発明に係るプローブカードは、第二の発明において、反り抑制板の厚みを補強板の厚みより薄くしたものであるため、プローブカードの製作費用を低減できる。
【００２９】
また、第四の発明に係るプローブカードは、プローブカード基板と、前記プローブカード基板の一主面に接するプローブ針固定用リングと、前記プローブ針固定用リングに固定されたプローブ針を備え、前記プローブカード基板が前記プローブ針固定用リングと実質的に同じ線膨張率を持つ材料からなるものであるため、線膨張率の違いによるプローブカード基板の反りが起こりにくく、安定してウエハテストを実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１によるプローブカードを示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１によるプローブカードを使用したウエハテスト方法を示す概略説明図である。
【図３】この発明の実施の形態１によるプローブカードを示す平面図である。
【図４】この発明の実施の形態１によるプローブカードを示す下面図である。
【図５】この発明の実施の形態２によるプローブカードを示す断面図である。
【図６】従来のプローブカードを使用したウエハテスト方法を示す概略説明図である。
【図７】従来のプローブカードを示す断面図である。
【符号の説明】
２ 半導体集積回路
３ プローブカード
４ 半導体ウエハ
７ プローブ針
１０、１０ａ プローブカード基板
１１ プローブ針固定用リング
１２ 補強板
２１ 反り抑制板[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a probe card used for testing a semiconductor integrated circuit (hereinafter, referred to as an LSI) formed on a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a wafer test).
[0002]
[Prior art]
In the LSI manufacturing process, a wafer test is performed after the wafer process to check whether the LSI formed on the semiconductor wafer operates normally. FIG. 6 is a schematic explanatory view showing a conventional wafer test method using a probe card. The conventional wafer test method will be described with reference to FIG.
[0003]
In FIG. 6, reference numeral 1 denotes an electric signal input to an LSI tester (not shown) which is a device for inputting an electric signal required for a wafer test to the LSI 2 and determining whether the electric signal output from the LSI 2 is normal. A test head 3 serving as an output unit is a probe card for making electrical connection between the test head 1 and the LSI 2 by contacting pads 5 provided on the LSI 2 formed on the semiconductor wafer 4, and 6 is a probe card 3 A prober device (not shown) for positioning the probe needle 7 and the pad 5 provided for mounting the semiconductor wafer 4 and moving the semiconductor wafer 4 in the horizontal and vertical directions. A wafer stage as a mechanism, 8 is a wafer stage heating device for heating the semiconductor wafer 4 in the test state to a predetermined temperature, and 9 is a test state in the test state. A wafer stage cooling apparatus for cooling a certain semiconductor wafer 4 to a predetermined temperature.
[0004]
FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining the conventional probe card 3 in detail. 7 is a probe needle whose one end is bent downward in the figure to contact the pad 5, and 10 is a probe card made of glass epoxy resin or the like. A substrate 11 is a probe needle fixing ring made of a material such as silicon for arranging and fixing the probe needles 7 attached to one main surface of the probe card substrate 10, and 12 is an opposite side of the probe card substrate 10. Is a reinforcing plate made of metal or the like for preventing deformation or breakage of the probe card substrate 10 due to stress or the like received when the probe needle 7 attached in contact with one main surface of the probe card 7 comes into contact with the pad 5. The other end of the probe needle 7 bent downward in the drawing is connected to a land 13 of the probe card substrate 10 by soldering or the like 14, and the middle part of the probe needle 7 is made of a heat-resistant resin 15 with a probe needle. It is attached to a fixing ring 11. Further, the reinforcing plate 12 is attached to the probe card substrate 10 by screws 16.
[0005]
Next, the operation will be described. First, the wafer stage 6 on which the semiconductor wafer 4 is mounted is moved in the horizontal and vertical directions, and the pad 5 and the probe needle 7 are brought into contact. Next, the test head 1 outputs an electric signal necessary for a wafer test. The electric signal is input to the pad 5 via the performance board 17, the pogo pins 19 provided on the pogo pin ring 18, and the probe card 3 sequentially. The LSI 2 performs an operation based on the input electric signal, and outputs the resulting electric signal from the pad 5. The electric signal is transmitted to the test head 1 through a path opposite to that at the time of input, and the LSI tester determines whether the LSI 2 is a good product or a defective product based on the electric signal.
[0006]
When the wafer test needs to be performed at a high or low temperature, the semiconductor wafer 4 is heated or cooled by the wafer heating device 8 or the wafer cooling device 9 provided on the wafer stage 6, and the semiconductor wafer 4 is cooled. Set to a predetermined temperature. The procedure after setting the temperature is as described above.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
At present, the wafer test is required to be performed at a high temperature of 80 ° C. or higher or at a low temperature of 0 ° C. or lower for the purpose of improving the reliability of the LSI 2. Since the linear expansion coefficients of the materials for the needle fixing ring 11 are different, the probe card substrate 10 warps due to the thermal load during the wafer test, and the probe needle 7 and the pad 5 of the LSI 2 cannot be stably contacted. was there. Further, with the progress of multifunctional LSI 2, the number of the probe needles 7 and the probe needle arrangement area on the probe card substrate 10 are increasing, and the above problem is becoming more remarkable.
[0008]
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and a probe card which is unlikely to be warped under any temperature conditions and which can stably contact an LSI pad and a probe needle during a wafer test. The purpose is to obtain.
[0009]
[Means to solve the problem]
The probe card according to the first invention includes a probe card substrate, a probe needle fixing ring in contact with one main surface of the probe card substrate, a probe needle fixed to the probe needle fixing ring, and the probe card substrate. And a warp suppressing plate made of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the probe needle fixing ring in contact with one main surface opposite to the one main surface.
[0010]
A probe card according to a second invention is the probe card according to the first invention, wherein a warp suppressing plate is provided with a reinforcing plate on one main surface opposite to the one main surface in contact with the probe card substrate.
[0011]
Further, a probe card according to a third invention is the probe card according to the second invention, wherein the thickness of the warp suppressing plate is smaller than the thickness of the reinforcing plate.
[0012]
The probe card according to a fourth aspect of the present invention includes a probe card substrate, a probe needle fixing ring in contact with one main surface of the probe card substrate, and a probe needle fixed to the probe needle fixing ring. The probe card substrate is made of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the probe needle fixing ring.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a sectional view showing a probe card according to Embodiment 1 of the present invention, FIG. 3 is a plan view thereof, and FIG. 4 is a bottom view thereof. In the figure, 7 is a probe needle whose one end is bent downward in FIG. 1 to contact the pad 5 of the LSI 2 formed on the semiconductor wafer 4, 10 is a probe card substrate made of glass epoxy resin or the like, and 11 is the probe card A probe needle fixing ring made of silicon or the like for arranging and fixing the probe needles 7 attached to one main surface of the substrate 10, and the other end of the probe needle 7 bent downward in FIG. Is connected to a land 13 of the probe card substrate 10 by soldering or the like 14, and a middle portion of the probe needle 7 is attached to the probe needle fixing ring 11 with a heat-resistant resin 15.
[0014]
Reference numeral 21 denotes a warp suppressing plate made of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the probe needle fixing ring 11 attached to one main surface of the probe card substrate 10 opposite to the probe needle 7, and 12 denotes warp suppressing. The probe 21 is made of metal or the like to prevent deformation and breakage of the probe card substrate 10 due to stress or the like when the probe needle 7 attached to one main surface of the plate 21 opposite to the probe card substrate 10 comes into contact with the pad 5. Reinforced plate. Note that the warp suppressing plate 21 and the reinforcing plate 12 are attached to the probe card substrate 10 with screws 16. As for the method of manufacturing the warp suppressing plate 21, for example, if the probe needle fixing ring 11 is made of silicon, it is best to use a silicon plate for the warp suppressing plate 21 as well. The plate 21 can be manufactured by the same machining as that for processing the existing probe needle fixing ring 11 made of silicon. That is, since the shape of the warp suppressing plate 21 may be a simple plate, the warp suppressing plate can be easily manufactured by using the processing technology of the probe needle fixing ring 11, which is an existing component, other than silicon.
[0015]
Next, a wafer test method using the present probe card will be described. FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a wafer test method using the probe card according to the first embodiment. In FIG. 2, an electric signal necessary for the wafer test is input to the LSI 2 and the electric signal output from the LSI 2 is normal. A test head 3 serving as an electric signal input / output unit of an LSI tester (not shown) serving as a device for determining whether the test head 1 is in contact with the pad 5 and electrically connects the test head 1 to the LSI 2 The card 6 places a semiconductor wafer 4 of a prober device (not shown), which is a device for aligning a probe needle 7 provided on the probe card 3 with a pad 5, and holds the semiconductor wafer 4 horizontally and A wafer stage 8, which is a mechanism for moving the semiconductor wafer 4 in a vertical direction, is a wafer stage for heating the semiconductor wafer 4 in a test state to a predetermined temperature. Heating device, 9 is a wafer stage cooling device for cooling the semiconductor wafer 4 which is in the test state to a predetermined temperature.
[0016]
Next, the operation will be described. First, the wafer stage 6 on which the semiconductor wafer 4 is mounted is moved in the horizontal and vertical directions, and the pad 5 and the probe needle 7 are brought into contact. Next, the test head 1 outputs an electric signal necessary for a wafer test. The electric signal is input to the pad 5 via the performance board 17, the pogo pins 19 provided on the pogo pin ring 18, and the probe card 3 sequentially. The LSI 2 performs an operation based on the input electric signal, and outputs the resulting electric signal from the pad 5. The electric signal is transmitted to the test head 1 through a path opposite to that at the time of input, and the LSI tester determines whether the LSI 2 is a good product or a defective product based on the electric signal.
[0017]
When the wafer test needs to be performed at a high or low temperature, the semiconductor wafer 4 is heated or cooled by the wafer heating device 8 or the wafer cooling device 9 provided on the wafer stage 6, and the semiconductor wafer 4 is cooled. Set to a predetermined temperature. The procedure after setting the temperature is as described above.
[0018]
When the semiconductor wafer 4 is heated by the wafer heating device 8, the heat of the heating device is also transmitted to the probe card 3, and the probe card 3 itself is heated, and thermal deformation such as warpage tends to occur. However, since the present probe card substrate 10 is sandwiched between the probe needle fixing ring 11 and the warp suppressing plate 21 having the same linear expansion coefficient, it hardly warps up or down in FIG. Therefore, the levelness between the probe needle 7 and the wafer stage 6 is maintained, so that the probe needle 7 and the pad 5 can be stably contacted. Although the high-temperature wafer test has been described above, the same applies to a low-temperature wafer test.
[0019]
In the probe card 3 of the first embodiment, the warp suppressing plate 21 is for suppressing the warpage due to thermal expansion, and the deformation of the probe card substrate 10 due to stress or the like is prevented by the reinforcing plate 12 made of metal or the like. . Therefore, the physical strength of the warp suppressing plate 21 is not particularly required, and the thickness thereof may be smaller than that of the reinforcing plate 12. If the warp suppressing plate 21 is made thinner, the manufacturing cost can be reduced.
[0020]
The probe card 3 according to the first embodiment includes a reinforcing plate 12 made of metal or the like. The reinforcing plate 12 deforms the probe card substrate 10 due to stress or the like when the probe needle 7 contacts the pad 5.・ It is intended to prevent breakage, but not to prevent warpage due to heat. Therefore, when the stress received by the probe card substrate 10 is small, such as when the number of the probe needles 7 is small, the reinforcing plate 12 may be omitted.
[0021]
Further, the probe card 3 according to the first embodiment does not particularly have an opening for allowing the probe needle to be checked from the upper side in FIG. 1, but the above-mentioned opening may be provided in each component. Absent.
[0022]
Embodiment 2 FIG.
FIG. 5 is a sectional view showing a probe card according to a second embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 7 denotes a probe needle whose one end is bent downward in the figure to contact a pad 5 of an LSI 2 formed on a semiconductor wafer 4. Reference numeral 10a denotes a probe card substrate made of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the probe card fixing ring 11, and 11 arranges and fixes the probe needles 7 attached to one main surface of the probe card substrate. The other end of the probe needle 7 bent downward in the drawing is connected to the land 13 of the probe card substrate 10a with solder 14 or the like, and the middle part of the probe needle 7 is heat-resistant. It is attached to the probe needle fixing ring 11 with a resin 15 of a nature. The probe card board 10a has a land 13 for attaching a probe needle, a through hole 31, which is a path of an electric signal in the probe card board 10a, a metal wiring 32, and an electrical connection between the probe card board 10a and the pogo pins 19. The lands 13a are required to be formed. These lands 13a can be formed by existing processing techniques such as cutting, etching, embedding of conductors in through holes, sputtering, and plating according to the substrate material.
[0023]
Reference numeral 12 denotes a metal attached to one main surface of the probe card substrate 10a opposite to the probe needles 7 for preventing deformation and breakage of the probe card substrate 10a due to stress or the like when the probe needles 7 come into contact with the pads 5. It is a reinforcing plate made of etc. The reinforcing plate 12 is attached to the probe card substrate 10a by screws 16.
[0024]
In the probe card 3 according to the second embodiment, since the probe needle fixing ring 11 and the probe card substrate 10a are made of a material having substantially the same linear expansion coefficient, warpage hardly occurs. Therefore, during the wafer test, the probe needle 7 and the pad 5 can be stably contacted.
[0025]
In the second embodiment, the reinforcing plate 12 can be omitted for the same reason as in the first embodiment. Further, an opening for confirming the probe needle from the upper side in the drawing may be provided in each component.
[0026]
【The invention's effect】
As described above, the probe card according to the first invention has a probe card substrate, a probe needle fixing ring in contact with one main surface of the probe card substrate, and a probe needle fixed to the probe needle fixing ring. Since the probe card substrate includes a warp suppressing plate made of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the probe needle fixing ring in contact with the one main surface opposite to the one main surface, The warpage of the probe card substrate due to the difference in expansion coefficient is unlikely to occur, and the wafer test can be stably performed.
[0027]
Further, the probe card according to the second invention, in the first invention, is provided with a reinforcing plate on one main surface of the warp suppressing plate opposite to the one main surface in contact with the probe card substrate, so that the linear expansion The warpage of the probe card substrate due to the difference in rate is unlikely to occur, and the wafer test can be stably performed.
[0028]
Further, in the probe card according to the third aspect, in the second aspect, the thickness of the warp suppressing plate is smaller than the thickness of the reinforcing plate, so that the manufacturing cost of the probe card can be reduced.
[0029]
The probe card according to a fourth aspect of the present invention includes a probe card substrate, a probe needle fixing ring in contact with one main surface of the probe card substrate, and a probe needle fixed to the probe needle fixing ring. Since the probe card substrate is made of a material having substantially the same linear expansion coefficient as the probe needle fixing ring, the probe card substrate is unlikely to be warped due to a difference in linear expansion coefficient, and a stable wafer test is performed. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a probe card according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a wafer test method using the probe card according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view showing a probe card according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 4 is a bottom view showing the probe card according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 5 is a sectional view showing a probe card according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 6 is a schematic explanatory view showing a wafer test method using a conventional probe card.
FIG. 7 is a sectional view showing a conventional probe card.
[Explanation of symbols]
Reference Signs List 2 semiconductor integrated circuit 3 probe card 4 semiconductor wafer 7 probe needle 10, 10a probe card substrate 11 probe needle fixing ring 12 reinforcing plate 21 warpage suppressing plate
