JP2004015817A - 撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 バイポーラプロセスで構成されていたサンプルアンドホールド回路、AGC回路と、CMOSアナログプロセスで構成されていたADコンバータとをワンチップ化し、小型、高性能、低消費電力の撮像装置を実現する。
【解決手段】 撮像光学系1と、撮像素子2と、撮像素子の出力をサンプルアンドホールド、ゲイン可変、AD変換を行ってディジタル信号に変換するディジタル化回路3と、そのディジタル信号を信号処理してディジタルビデオ信号に変換するディジタル信号処理回路4とを有し、ディジタル化回路及びディジタル信号処理回路をそれぞれ単一の半導体集積回路で構成する。
【選択図】  図1

Description

 本発明はディジタル信号処理を行う撮像装置に関するものである。
 固体撮像素子であるCCDを用いた撮像装置は、半導体技術の進歩により、小型、軽量化や高性能化が進んでいる。特に、近年では、ディジタル技術の進歩により、撮像装置の内部の信号処理の大部分をディジタル信号処理で行い、ディジタルIC化している装置が多く提案されている。
 これらは、撮像素子であるCCDの出力信号を、まず、サンプルアンドホールドを用いて信号成分を取り出し、可変ゲインアンプによりゲインを変えた後、ADコンバータによりディジタル信号に変換し、このディジタル信号を前述したディジタルICに入力してディジタル信号処理を行い、その後、処理された信号をDA変換して、VTRやテレビモニタなどに出力したり、あるいはDA変換せずにディジタルビデオ信号として外部機器に出力するように構成されている。
 これら従来例の構成においては、CCD出力信号は微弱でかつ高速なため、サンプルアンドホールド回路は、SNが良くかつ周波数特性の良いバイポーラプロセスのICを用いて構成している。また、可変ゲインアンプは、周波数特性が良く、低域ノイズが少なくかつ製造上のばらつきの少ないバイポーラプロセスのICを用いて構成している。またADコンバータは、消費電力の削減のためにCMOSアナログプロセスのICを用いて構成している。
 しかしながら、従来のこれらの撮像装置においては、CCD出力の微小信号に対してディジタル処理回路から発生するノイズが影響し、S/Nの劣化が生じてしまうことがあった。この場合、低周波数のノイズで有れば2重相関サンプリングによりこれを除くことができるが、ノイズを取り除く能力を上げようとすると、高速の動作が必要になり、さらに消費電力が増加し、また、精度が必要になる。このため、製造上の特性ばらつきが問題になり、歩留まりが低下したり、あるいは調整回路を必要とする等の問題があった。
 また、アナログ信号を処理するサンプルアンドホールド回路や可変ゲインアンプの間の接続部分などにおいても、ディジタル処理回路からのノイズの影響を受けやすい。さらに、撮像装置全体として、アナログ処理回路やディジタル処理回路を全て小型の装置の内部に配置する際に、相互の影響を除くために電磁シールドが必要であったり、あるいは、これらのノイズの影響を受けないようにするために必要な大きさまで小さくできず、またS/N比が劣化する等の問題があった。
 特に、アナログ信号をサンプルアンドホールド回路から可変ゲインアンプ、可変ゲインアンプからADコンバータへ信号を受け渡す際に、各回路の能動素子から発生する温度変動や低域ノイズ、外来ノイズ、電源ノイズ等により徐々にS/N比が劣化してしまう。これを防止するため、個々の回路の特性を非常に高くしなければならず、このため回路構成が複雑となり、また消費電流が多くなる。また、温度による電圧ドリフトに対する補償回路を付加したり、調整回路を追加したりしなければならない。さらに装置の外部からのノイズが、アナログ信号に影響することを防ぐため、装置全体を電磁シールドすると、装置が大きく重くなってしまう等の問題もあった。
 また、サンプルアンドホールド回路や可変ゲインアンプでは、ICに必要とされる精度が高いため、バイポーラプロセスを用いなければならず、このためICの消費電力が大きくなり、また集積度が低くなってしまう。また、ADコンバータはCMOSアナログプロセスのために、サンプルアンドホールド回路、可変ゲインアンプ、ADコンバータ等の全てを1つのIC上に形成することができない等の問題があった。
 本発明は、入力された信号をサンプルアンドホールドするサンプルアンドホールド回路と、前記サンプルアンドホールド回路からの信号を可変増幅する複数のスイッチを有するゲイン可変アンプと、前記ゲイン可変アンプからの信号をディジタル信号に変換するADコンバータとを有し、前記ゲイン可変アンプは、共通の端子から入力された共通のパルスに基づき、異なるタイミングで前記複数のスイッチを制御する複数のパルスを生成する回路を含み、前記サンプルアンドホールド回路、前記ゲイン可変アンプ及び前記ADコンバータは、単一の半導体集積回路で構成されていることを特徴とする。
 本発明によれば、ディジタル化回路のICの内部でアナログ信号が全て処理されるため、ノイズの影響を少なくすることができる。例えば、撮像素子出力の微小な信号に対してディジタル化回路により、ディジタル処理回路とは別のIC上で処理を行うことで、ディジタル処理回路から発生されるノイズが撮像素子の出力信号に与える影響を最小限に留めることができる。
 以上のように、本発明によれば、アナログ信号はディジタル化回路のICの内部で全て処理されるためにノイズの影響を少なくすることができる。また、撮像素子の出力信号に対してディジタル処理回路とは別のIC上のディジタル化回路で処理を行うように構成した場合には、ディジタル処理回路から発生するノイズが撮像素子の出力信号に与える影響を最小限に留めることができる。
 従って、装置全体として従来と同一の配置にしても、これらのノイズの影響を受けないためS/N比の良い装置を実現できる。さらに、装置全体を小型化した際に隣接する部品からのノイズの影響を除くための電磁シールドを必要とせず、あるいは必要な大きさまで小さくできないことが生じたりすることが無い。また、装置を構成する部品数が非常に少なくなるため、装置を小型化、低消費電力化することができる、等の効果がある。
(第1の実施形態)
 図1は本発明の第1の実施形態による撮像装置のブロック図である。
 図1において、1は撮像レンズ、絞りを含む撮像光学系、2はカラー撮像素子であるCCD、3はCCD出力信号を入力してサンプルアンドホールド回路、ゲイン可変アンプ、ADコンバータ等によりディジタル信号に変換するディジタル化回路であって、これらの回路が単一のIC上に形成されている。4はディジタルCCD出力信号を色分離、ガンマ補正、輪郭強調等の信号処理をしてディジタルビデオ信号を形成すると共に、絞り制御信号SIを形成するディジタル処理回路であって、これもまた別の単一のIC上に形成されている。5はディジタルビデオ信号を不図示のVTRやテレビモニタなどの外部機器に出力する出力端子である。
 次に動作について説明する。
 不図示の被写体像は撮像光学系1を通って光量を制御されるとともに、CCD2の光電変換面に結像され光電変換される。CCD2は順次読み出されてCCD出力信号SCCDが得られる。この信号SCCDはディジタル化回路3に入力される。ディジタル化回路3では入力された信号SCCDをまずサンプルアンドホールドして、その出力をゲイン可変アンプにより所定利得で増幅した後、ADコンバータで変換してディジタルCCD信号SDCCDを形成し出力する。
 ディジタル処理回路4では、そのSDCCD信号を入力して、色分離、ガンマ補正、輪郭強調等の処理を行い、ディジタルビデオ信号SDVを形成して出力端子5より上述の外部機器に入力する。また、ディジタル処理回路4は、入力信号SDCCDに応じた絞り制御信号SIを形成して撮像光学系1の絞りを制御し、CCD2の入射光量が適正になるように制御する。
 ディジタル処理回路4は全てディジタル処理のため、例えばCMOSロジックプロセスの単一の集積回路として構成されている。また、ディジタル化回路3も例えばCMOSアナログディジタルプロセスや、またはBi−CMOSアナログディジタルプロセスの単一の集積回路として構成されている。
 図2は本発明の第1の実施形態におけるディジタル化回路3の構成例である。
 図2において、10、11はサンプルアンドホールド回路、12はスイッチ回路、13は信号をクランプしてから増幅するクランプ型アンプ、14はADコンバータ、15は基準電圧源である。
 次に動作について説明する。
 CCD出力信号SCCDは2つのサンプルアンドホールド回路10及び11に入力される。サンプルアンドホールド回路10では、不図示の同期パルス発生回路によりCCD2を駆動するパルスや信号処理を動作させる同期パルスと同期して発生された、CCD2の出力のうち図3について後述するノイズ部分に対応するパルスPNによりノイズ部分を抽出した信号SNが形成される。また、サンプルアンドホールド回路11では、同様に同期パルス発生回路により発生された、CCD2の出力のうち、後述する信号部分に対応するパルスPSにより、信号部分を抽出した信号SSが形成される。これらの信号SN,SSはそれぞれスイッチ回路12に入力される。スイッチ回路12では上記同期パルス発生回路により発生された後述する切換パルスPSWにより入力される信号SN,SSのうち1つが選択されて信号SNSとして出力され、クランプ型アンプ13に入力される。
 クランプ型アンプ13では、上記同期パルス発生回路により発生されたクランプパルスPCLに応じて入力信号SNSを基準電圧源15の基準電圧VRとしてクランプし、不図示のゲイン設定スイッチ又は不図示のカメラ制御回路から発生されたゲイン設定信号DGに応じたゲインで増幅して信号SCAとして出力する。この信号SCAは、ADコンバータ14によりディジタル信号処理に必要な分解能、例えば、10BITを有するディジタル信号SADに変換される。
 図3は図2のディジタル化回路3の動作説明図である。
 同図(1)は、CCD2の出力信号SCCDの波形を示している。ここで、VRはCCD2の出力部分のリセット電圧であり、VFAは同じくCCD2の出力部分のフローティング電圧の平均値を示す。CCD2では、1画素分の信号を出力する際に、上記同期パルス発生回路からのパルスに応じてaのリセット状態、bのフローティング状態、cの信号出力状態の3つの状態を有する。尚CCD出力信号SCCDは負極性のため図の下に行くほどレベルが高い信号である。
 (2)は、サンプルアンドホールド回路10に加えられるノイズ部分に対応するパルスPNを示し、上述のフローティング状態bに対応するタイミングを有する。このパルスPNによりサンプルアンドホールド回路10は信号SCCD中のcのノイズ部分を取り出す動作を行う。
 (3)は、サンプルアンドホールド回路11に加えられる信号部分に対応するパルスPSを示し、上述の信号出力状態cに対応するタイミングを有する。このパルスPSにより、サンプルアンドホールド回路11は信号SCCD中のcの信号部分を取り出す動作を行う。
 (4)は、サンプルアンドホールド回路10の出力信号SNを示す。この信号SNはサンプルアンドホールド回路10の内部で正極性に反転されているため、図の上に行くほどレベルが高くなる。また、図示されるように、信号SCCDのうちPNに対応するノイズ部分のレベルが出力されている。
 (5)は、サンプルアンドホールド回路11の出力信号SSを示す。この信号SSも信号SNと同様にサンプルアンドホールド回路11の内部で正極性に反転されている。図示されるように、信号SCCDのうちPSに対応する信号部分のレベルが出力されている。
 (6)は、スイッチ回路12の切換パルスPSWを示す。図中、dの部分ではSNが、eの部分ではSSが選択される。
 (7)は、スイッチ回路12の出力SNSである。PSWのdに対応する部分fにはSNが、eに対応する部分gにはSSが出力される。
 (8)は、クランプ型アンプ13に加えられるクランプパルスPCLである。SNSのfの部分つまりSNに対応する部分にパルスが発生している。クランプ型アンプ13では前述のようにこの部分を基準電圧VRになるようにクランプした後増幅する。
 (9)は、クランプ型アンプ13の出力のSCAである。ここにおいてもノイズ部分と信号部分とが各画素毎に交互に出力されている。
 このように、図2の構成により、サンプルアンドホールド回路10,11からクランプ型アンプ13,クランプ型アンプ13からADコンバータ14への信号の受け渡しの際に、各画素毎にノイズ部分と信号部分とが伝達されるため、温度変動や外来、電源ノイズ、能動素子の発生する低減ノイズなどの影響を受けない。従って、個々の回路の特性として、温度による電圧ドリフトや、電源電圧変動の抑圧比、低減ノイズ電圧等の項目について、通常必要とされる値より大幅に大きな値であっても、回路全体としては十分な特性を得ることができる。
 このため、各回路に補正回路等の必要が無くなり、また、余分に電流を流して特性を向上させる必要も無いため、無調整化、コスト低減、低消費電力化、小面積化がはかれる。さらに、小型化した際に、周辺回路からの影響を受けにくいため、電磁シールドなどを必要としない。特に、能動素子としてMOSトランジスタを用いることにより、大幅な低消費電力化と大規模集積化とが可能になり、装置の小型化、低消費電力化が可能になる。また、単一のICとして製造する際に、チップ面積を小さくできるため、製造歩留まりが向上し、また、チップ内の回路の特性ばらつきが抑えられるため精度が向上する等の効果が得られる。
 図4はサンプルアンドホールド回路10,11の構成例を示す。
 図4において20,28はバッファアンプ、21,23,25,29,31,33はスイッチ回路、22,30はパルスディレイ、24,26,32,34はコンデンサ、27,35は反転アンプである。
 20〜27によりサンプルアンドホールド回路10を構成し、28〜35によりサンプルアンドホールド回路11を構成している。
 次に動作について説明する。
 CCD2の出力信号SCCDは、まずバッファアンプ20で増幅された後、スイッチ回路21に入る。スイッチ回路21は図3のパルスPNが加えられているため、SCCDのフローティング状態のノイズ成分の時にオンされ、スイッチ回路23、コンデンサ24に接続される。この時、スイッチ回路23に加えられるパルスPN2は、PNをパルスディレイ22で遅延させたものであるが、まだこのパルスPN2が来ないため、スイッチ回路23はオフである。従って、スイッチ回路21の出力はコンデンサ24に充電される。コンデンサ24の反対側の電極は反転アンプ27、コンデンサ26及びスイッチ回路25に接続されている。スイッチ回路25はスイッチ回路23と同様にパルスPN2により動作するため、この時はオフである。
 さらに反転アンプ27の入力インピーダンスが十分低ければ、コンデンサ24からの電荷の流れは全てコンデンサ26に流れ込み、その結果信号SNはコンデンサ26に流れ込んだ電荷量分電圧が変化する。コンデンサ24の容量をC1、コンデンサ26の容量をC2、反転アンプ27のゲインを−A倍、スイッチ回路21の出力電圧をV1、SNの電圧をV2とすると、このアンプの利得G1は
 G1=V2/V1=−C1/(C2+(C1+C2)/A) ………(1)
で表される。この時Aが十分に大きければ
 G1=−C1/C2                   ………(2)
と、2つのコンデンサ24,26の比率で表すことができる。
 上記動作の後、パルスディレイ22により決まる一定時間経過すると、今度はスイッチ回路21がオフし、スイッチ回路23及び25がオンする。すると、スイッチ回路23によりコンデンサ24が、スイッチ回路25によりコンデンサ26がそれぞれ放電されて電荷量が0になる。この時の出力電圧は反転アンプ27の特性で定まる所定値である。このようにして形成された信号SNは前述のようにスイッチ回路12の一つの入力に加えられる。
 28〜35により構成されるサンプルアンドホールド回路11の動作も上記と同様に行われるが、その際の動作パルスはPSであり、CCD2の出力SCCDの信号部分を取り出す所のみが異なっている。このようにして、形成された出力SSは、前述のようにスイッチ回路12の他方の入力に加えられ、PSWによって切り換えられSNSとして、クランプ型アンプ13に加えられる。
 図5は図4の動作説明図である。
 同図(1)は、図3の(1)と同じCCD2の出力信号SCCDである。
 (2)は、図3の(2)と同じノイズに対応するパルスPNである。
 (3)は、パルスディレィ22によって遅延されたパルスPN2であり、図示のように時間t1分遅延されている。
 (4)は、サンプルアンドホールド10の出力SNである。このSNのうち、hで示される部分は、PN2によって、スイッチ回路23及び25がオンした際に、反転アンプ27の特性により決まる所定電圧V3を出力している。また、iで示される部分はPNによってスイッチ回路21がオンされて発生したノイズ出力電圧VNである。
 (5)は、図3の(3)と同じ信号に対応するパルスPSである。
 (6)は、パルスディレイ30によって遅延されたパルスPS2であり、図示のように時間t2分遅延されている。
 (7)は、サンプルアンドホールド回路11の出力SSである。このSSのうちjで示される部分は、PS2によって、スイッチ回路31及び33がオンした際に、反転アンプ35の特性により決まる所定電圧V4を出力している。また、kで示される部分は、PSによってスイッチ回路29がオンされて発生した信号出力電圧VSである。
 (8)は、図3の(6)と同じ、スイッチ回路12の切り換えパルスPSWである。0レベルの部分はSNのi部分に、1レベルの部分はSSのk部分に対応している。
 (9)は、図3の(7)と同じスイッチ回路12の出力電圧SNSである。
 なお、図4において、PN2、PS2はパルスディレイ22,30を用いずに、同期パルス発生回路で、PN,PSと共に発生しても良い。あるいはPN2,PS2を同期パルス発生回路で発生し、PS,PNをそれらからパルスディレイを用いて発生しても良い。
 図4の構成では、要素部品として、スイッチ回路、コンデンサ、バッファアンプ、反転アンプ、パルスディレイが用いられているが、これらの要素部品はMOSトランジスタを用いると大変容易に実現することができる。従って、図4の構成をMOSトランジスタで構成すると、MOSトランジスタの特性である低消費電力、高集積度という特徴を十分に生かし、装置の小型化低消費電力化が可能になる。
 また、図4の構成では、ノイズ部分のサンプルアンドホールド回路と信号部分のサンプルアンドホールド回路とが全く対照的に構成されており、さらに出力においてこれを切り換え、同時に次段に渡す構成のため、実質的に信号からノイズが減算されてS/Nが向上する。またさらに、サンプルアンドホールド回路の利得はコンデンサの比率で定まるため、IC化した際に、各回路の定数が、絶対精度と比較して相対精度が非常に高いという特性とよくマッチしている。また、コンデンサの容量比はほぼ機械寸法で定まるため、抵抗比を用いた場合と比較してもさらに精度の高い回路を実現することができる。さらに、反転アンプの利得の回路全体に与える影響は非常に少なく、これもIC化する際に、アンプの利得がばらつきやすい欠点を補うことができる。
 図6は、クランプ型アンプ13の構成例を示す。
 図6において、40、42、44、46、48、52、53、54、59、60、62、65はスイッチ回路、41、43、45、47、49、55、56、61、63はコンデンサ、50、57、64は反転アンプ、51、58はパルス発生回路である。
 次に動作について説明する。
 スイッチ回路12の出力からの信号SNSは、まずスイッチ回路40、42、44、46及びコンデンサ41、43、45、47からなる回路に入力される。これらのスイッチ回路の制御端子は、前述のように不図示のゲイン設定スイッチ又は不図示のカメラ制御回路から発生されたゲイン設定信号DGが加えられている。このDGに応じてこれらのスイッチ回路のうち設定されたものがオンされ、そこに接続されているコンデンサにSNSが加えられる。これにより、等価的にコンデンサの容量を可変することになる。コンデンサ41、43、45、47の他方の端子は共通に、スイッチ回路48、コンデンサ49及び反転アンプ50の入力端子に接続されている。スイッチ回路48の制御端子はクランプパルスPCLが加えられている。
 入力信号がノイズ部分の時、クランプパルスによりスイッチ回路48がオンして、コンデンサ49の電荷が0になり、同時に反転アンプ50の出力は、基準電圧VRになる。その後、スイッチ回路48がオフし、さらに後にSNSの信号部分が入力されると、コンデンサ41、43、45、47のうち対応するスイッチ回路がオンしているものが充電されて、その電荷と同量の電荷がコンデンサ49に流れ込み、反転アンプ50の出力からはノイズ部分と信号部分との差分の電圧が得られる。
 この時、コンデンサ49に流れ込む電荷量はコンデンサ41、43、45、47のうちDGによって設定されたコンデンサの容量の総和に比例する。従って、例えば、コンデンサ41、43、45、47の容量比を1:2:4:8として、DGのLSBをコンデンサ41に、MSBをコンデンサ47になるように順次接続すれば、DGに設定された2進数に比例したゲインの増幅が行える。
 反転アンプ50の出力は2つに分かれ、スイッチ回路52、53、54、コンデンサ55、56、反転アンプ57、パルス発生回路51より成る第1のアンプと、スイッチ回路59、60、62、コンデンサ61、63、反転アンプ64、パルス発生回路58よりなる第2のアンプに接続されている。
 第1のアンプでは、図4のサンプルアンドホールド回路10と同様の動作をする。この時、パルス発生回路51ではクランプパルスPCLを入力して、反転アンプ50の出力信号SCのうちノイズ部分に対応するパルスを発生する。従って、コンデンサ55の容量をC3、コンデンサ56の容量をC4とすると、反転アンプ57の出力にはSCノイズ部分をゲインG2=C3/C4倍増幅した信号SN2が得られる。
 同様に第2のアンプでは、パルス発生回路58ではクランプパルスPCLを入力して、反転アンプ50の出力信号SCのうち信号部分に対応するパルスを発生する。従って、コンデンサ61、63の各容量をC5、C6とすると、反転アンプ64の出力にはSCの信号部分をゲインG3=C5/C6倍増幅した信号SS2が得られる。また、セレクタ65ではパルス発生回路58の発生する切り換えパルスPSW2に応じてSN2とSS2と切り換えSCAを出力する。
 図7は図6のクランプ型アンプ13の動作説明図である。
 図7において、(1)は入力信号SNSであり、前述のようにノイズ部分fと信号部分gとを持つ。
 (2)は、クランプパルスPCLであり、SNSのノイズ部分に対応するタイミングで1になる。
 (3)は、反転アンプ50の出力信号SCであり、PCLによってスイッチ回路48がオンした部分は基準電圧VRになっている。また、信号部分は前述のようにDGによって設定されたゲイン倍されている。
 (4)、(5)は、パルス発生回路51から発生されたPN3、PN4である。PN3によってスイッチ回路52がオンされて、入力信号が増幅され出力された後、PN4によって、スイッチ回路53、54がオンされて、コンデンサ55、56の電荷が0になり、出力信号SN2がVRになる。
 (6)は、上述のようにして増幅されたノイズ信号SN2である。
 (7)、(8)は、パルス発生回路58から発生されたPS3,PS4である。PS3によってスイッチ回路59がオンされて、入力信号が増幅され出力された後、PS4によってスイッチ回路60,61がオンされて、コンデンサ61、63の電荷が0になり、出力信号SS2がVRになる。
 (9)は、上述のようにして増幅された信号SS2である。
 (10)は、パルス発生回路58から発生されるスイッチ65の切り換えパルスPSW2である。0の部分がSN2に、また1の部分がSS2に対応している。
 (11)は、スイッチ回路65の出力信号SCAである。SCAもノイズ部分pと信号部分qとから構成されている。また、入力信号SNSに対しDGにより設定されたゲイン倍増幅されている。
 図6の例においては、回路ゲインを4つのスイッチ回路と4つのコンデンサで可変しているが、これは必要に応じて増減可能である。例えば256ステップに切り換える必要が有れば、8個のスイッチ回路と8個のコンデンサとで構成できる。また、PN3,PN4,PS3,PS4,PSW2のパルスはパルス発生回路を用いずに、前述の同期パルス発生回路から直接発生しても良い。
 図6の構成では、図4と同様に要素部品として、スイッチ回路、コンデンサ、バッファアンプ、反転アンプ、パルス発生回路が用いられているが、これらの要素部品はMOSトランジスタを用いると大変容易に実現することができる。従って、図6の構成をMOSトランジスタで構成すると、MOSトランジスタの特性である低消費電力、高集積度という特徴を十分に生かし、装置の小型、低消費電力化が可能になる。また。図6の構成では、ノイズ部分のアンプと信号部分のアンプが全く対照的に構成されており、さらに出力においてこれを切り換え、同時に次段に渡す構成のため、実質的に信号からノイズが減算されてS/Nが向上する。
 またさらに、アンプの利得はコンデンサの比率で定まるため、IC化した際に、各回路の定数が絶対精度と比較して相対精度が非常に高いという特性とよくマッチしており、また、コンデンサの容量比はほぼ機械寸法で定まるため、抵抗比を用いた場合と比較してもさらに精度の高い回路を実現することができる。さらに、反転アンプの利得の回路全体による影響は非常に少なく、これもIC化する際にアンプの利得がバラつきやすい欠点を補うことができる。
 また、可変ゲインアンプの利得の設定が直接ディジタル信号で行えるため、大量生産時の個々のばらつきや温度変動などが非常に少なく、また、マイクロコンピュータなどのディジタル回路で直接制御可能なため利得調整用のDAコンバータを必要としない。
 図8はADコンバータ14の構成例である。
 70〜74は抵抗、75〜78はコンデンサ、79〜82はスイッチ回路、83〜86はコンパレータ、87、88は基準電圧、89はエンコーダ、90はD型フリップフロップである。なお、図8においては説明の簡略化のため一部のみを示しているが、実際の回路では、nビットのディジタル出力を得るために2のn乗個の抵抗と、2のn乗−1個のコンデンサ、コンパレータ、スイッチ回路が必要である。
 入力信号SCAはコンデンサ75〜78に加えられる。コンデンサ75〜78の他方の電極には、スイッチ回路79〜82とコンパレータ83〜86の一方の入力端子とが接続されている。コンパレータ83〜86の他方の入力端子は抵抗70〜74により構成される分圧器の各タップに接続されている。この分圧器の上端の抵抗70の他方の端子には基準電圧87のVtが、また、この分圧器の下端の抵抗74の他方の端子には基準電圧88のVbが接続されている。スイッチ回路79〜82の他方の端子は、この基準電圧Vbに接続されている。さらに、スイッチ回路79〜82の制御端子にはPad1パルスが加えられている。このPad1は入力信号SCAのノイズ部分に対応する部分に対応するパルスである。
 コンパレータ83〜86の出力はエンコーダ89に入力される。エンコーダ89では入力データを下位側から比べて、1から0に変化する部分に対応する2進数を出力する。エンコーダ89の出力はD型フリップフロップ90のD端子に接続されている。D型フリップフロップ90のクロック端子にはPad2パルスが加えられている。このPad2の立ち上がり時のデータをD型フリップフロップ90はSad2として出力する。
 動作としては、まずスイッチ回路81がオフの時に入力信号SCAのノイズ部分が入力される。その後スイッチ回路がPad1によりオンした時、SCAのノイズ部分の電圧をVscanとすると、コンデンサ75〜78には Vscan−Vb という電圧が充電される。次にスイッチ回路が再度オフし、SCAの信号部分が入力されるとコンパレータのコンデンサ側の入力端子の電圧は、SCAの信号部分の電圧をVscasとすると Vscas−Vscan+Vbになる。
 一方、コンパレータの他方の入力端子の電圧は、そのコンパレータが下からm番目とすると
 Vb+m*Va
 但し、Va=(Vt−Vb)/2n
 従ってコンパレータの2つの入力電圧の差
 (Vscas−Vscan+Vb)−(Vb+m*Va)
 =(Vscas−Vscan)−m*Va         ………(3)
の符号によって各コンパレータの出力が決まる。この式(3)に表されているように、コンパレータの出力は、SCAの信号レベルとノイズとの差と基準電圧のみによって出力が決まるため、温度によるDCドリフトや低周波ノイズ、電源電圧変動などの影響を受けない。また、入力信号SCAのノイズ部分と信号部分に共通に含まれるノイズもキャンセルされるため、SN比の改善が可能である。エンコーダ89はこれらのコンパレータの出力を受けて、前述のように1から0に切り換わる所に対応する2進コードを出力する。
 図9は図8のADコンパレータ14の動作説明図である。
 図9において、(1)は入力信号SCAである。図7の(11)に示されるようにノイズ部分pと信号部分qとにより構成されている。
 (2)は、Pad1を示す。SCAのノイズ部分に対応するタイミングでパルスが発生する。
 (3)は、各コンパレータの入力信号である。Pad1によりSCAのpの部分がVbの電圧になっている。
 (4)は、あるコンパレータの出力信号である。このコンパレータの(3)の入力の他方の入力には(3)中Vxで示されている電圧が加わっている。従って、(3)の信号の電圧がVxを越えた場合、(4)の信号が1になっている。
 (5)は、エンコーダ89の出力である。入力信号Scaに対応したディジタル信号が得られている。
 (6)は、Pad2を示す。(5)の信号のうち、SCAの信号部分に対応するディジタル信号を取り出すタイミングのパルスである。
 (7)は、D型フリップフロップ90の出力Sadである。(5)のうち信号部分に対応するディジタル信号のみが取り出されている。
 図8の構成では、フラッシュ型のADコンバータを構成したが、ハーフフラッシュと呼ばれる構成も可能である。例えば8ビットの出力を得るために、4ビットのフラッシュ型のADコンバータ2個と4ビットのDAコンバータと、信号遅延回路及び減算回路とを用いればハーフフラッシュ型のADコンバータを構成できることはよく知られている。この際にも、上述の2つのADコンバータを図8の構成にすることが可能である。
 図8の構成では、図4と同様に要素部品として、スイッチ回路、コンデンサ、コンパレータ等が用いられているが、これらの要素部品はMOSトランジスタを用いると大変容易に実現することができる。従って、図8の構成をMOSトランジスタで構成すると、MOSトランジスタの特性である低消費電力、高集積度という特徴を十分に生かし、装置の小型、低消費電力化が可能になる。
 また、図6の構成では、ノイズ部分のアンプと信号部分のアンプが全く対照的に構成されており、さらに出力においてこれを切り換え、同時に次段に渡す構成のため、実質的に信号からノイズが減算されて、S/Nが向上する。またさらに、アンプの利得はコンデンサの比率で定まるため、IC化した際に各回路の定数が絶対精度と比較して相対精度が非常に高いという特性とよくマッチしており、また、コンデンサの容量比は、ほぼ機械寸法で定まるため、抵抗比を用いた場合と比較してもさらに精度の高い回路を実現することができる。さらに、反転アンプの利得の回路全体に与える影響は非常に少なく、これもIC化する際にアンプの利得がバラつきやすい欠点を補うことができる。
 また、可変ゲインアンプの利得の設定が直接ディジタル信号で行えるため、大量生産時の個々のばらつきや温度変動などが非常に少なく、また、マイクロコンピュータなどのディジタル回路で直接制御可能なため利得調整用のDAコンバータを必要としない。
本発明の第1の実施形態を示すブロック図である。 図1のディジタル化回路の構成例を示すブロック図である。 図2のディジタル化回路の動作説明のためのタイミングチャートである。 図2のディジタル化回路におけるサンプルアンドホールド回路の構成例を示す構成図である。 図4の動作説明のためのタイミングチャートである。 図2のディジタル化回路におけるクランプ型アンプの構成例を示す構成図である。 図6のクランプ型アンプ動作説明のためのタイミングチャートである。 図2のディジタル化回路におけるADコンバータの構成例を示す構成図である。 図8のADコンバータの動作説明のためのタイミングチャートである。
符号の説明
 2 撮像素子
 3 ディジタル化回路
 4 ディジタル処理回路
 10,11 サンプルアンドホールド回路
 13 クランプ型アンプ
 14 ADコンバータ

Claims (3)

  1.  入力された信号をサンプルアンドホールドするサンプルアンドホールド回路と、
     前記サンプルアンドホールド回路からの信号を可変増幅する複数のスイッチを有するゲイン可変アンプと、
     前記ゲイン可変アンプからの信号をディジタル信号に変換するADコンバータとを有し、
     前記ゲイン可変アンプは、共通の端子から入力された共通のパルスに基づき、異なるタイミングで前記複数のスイッチを制御する複数のパルスを生成する回路を含み、
     前記サンプルアンドホールド回路、前記ゲイン可変アンプ及び前記ADコンバータは、単一の半導体集積回路で構成されていることを特徴とするディジタル化回路。
  2.  前記ゲイン可変アンプは、アンプと、前記アンプの入力部に直列に接続された第1の容量と、前記アンプの入力部と出力部との間に前記アンプに対して並列に接続された第2の容量と、前記第1の容量と前記第2の容量との容量比を変えるためのゲイン設定信号を伝える配線とを含むことを特徴とする請求項1記載のディジタル化回路。
  3.  請求項1又は2に記載のディジタル化回路と、所定の画素数を有し被写体の光学像を電気的な信号に変換して出力する撮像素子と、単一の半導体集積回路で構成され、前記ディジタル化回路から得られる前記ディジタル信号に、色分離、ガンマ補正、及び輪郭強調の少なくとも1つの処理を施すディジタル処理回路とを有することを特徴とする撮像装置。
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RU2448390C2 (ru) * 2008-10-10 2012-04-20 Сони Корпорейшн Твердотельный приемник изображения, оптическое устройство, устройство для обработки сигнала и система обработки сигнала

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008109266A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 映像信号処理装置およびその電力制御方法
RU2448390C2 (ru) * 2008-10-10 2012-04-20 Сони Корпорейшн Твердотельный приемник изображения, оптическое устройство, устройство для обработки сигнала и система обработки сигнала

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