JP2003531729A - 効率的なエネルギー移動キャピラリー - Google Patents

効率的なエネルギー移動キャピラリー

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Abstract

(57)【要約】 微細なワイヤを基板にボンディングツールするためのボンディングツール。ボンディングツールは、第１の直径を有する第１の円柱部（３０２）と、第１の直径よりも小さい第２の直径を有し、第１の円柱部の端部に結合される第２の円柱部（３１２）と、第２の円柱部の端部に結合されるテーパー部（３１４）とを備える。テーパー部は、テーパー部の第１の端部において、第１の円柱部の第１の直径に実質的に等しい第３の直径を有する。ボンディングツールの第１の端部からボンディングツールの第２の端部へとボンディングツールの長手軸方向に沿って伸びる軸方向の管をさらに備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （発明の背景） 本発明は、半導体デバイスにワイヤをボンディングする際に使用されるツール
に関し、より詳細には、効率的な超音波エネルギー移動特性を有するボンディン
グツールに関する。
【０００２】 （関連技術の説明） 現代の電子機器は、上に半導体チップ、すなわち集積回路（ＩＣ）が設置され
るプリント回路基板に大きく依存している。チップと基板との間の機械的および
電気的接続が、チップ設計者にとって問題となっている。ＩＣを基板に相互接続
するための３つの周知の技術は、ワイヤボンディング、テープ自動化ボンディン
グ（ＴＡＢ）およびフリップチップである。
【０００３】 これらのプロセスのうち最も一般的なのがワイヤボンディングである。ワイヤ
ボンディングでは、複数のボンディングパッドが、基板の上部表面にある１つの
パターンに配置される。そのボンディングパッドのパターンの中央にチップが設
置され、チップの上部表面は、基板の上部表面から離れて面している。（アルミ
ニウムワイヤまたは金ワイヤであり得る）微細なワイヤが、チップの上部表面上
のコンタクトと基板の上部表面上のコンタクトとの間で接続される。特に、接続
ワイヤは供給されて、チップに、そしてキャピラリー（以下でさらに説明される
ボンディングツール）を通って基板にボンディングされる。
【０００４】 キャピラリーは、ワイヤを電子デバイス（特に、半導体デバイスのボンディン
グパッド）にボールボンディングするために使用される。このようなキャピラリ
ーは、一般に、セラミック材料から形成され、主には、酸化アルミニウム、タン
グステンカーバイド、ルビー、ジルコン強化アルミナ（ＺＴＡ）、アルミナ強化
ジルコン（ＡＴＺ）および他の材料から形成される。極めて細いワイヤ（一般に
は、約１ミルのオーダの金、銅またはアルミニウムワイヤ）が、キャピラリーの
軸方向の管を通り抜ける。このキャピラリーは、ワイヤの端部に形成された小さ
なボールを有しており、このボールはキャピラリーの先端の外部に配置されてい
る。第１の目的は、このボールを半導体デバイス上のパッドにボンディングし、
次いで、ワイヤに沿ってさらに遠くの部分をリードフレーム等にボンディングす
ることである。ボンディングサイクル中、キャピラリーは１より多くの機能を実
行する。
【０００５】 ボールが形成されると、キャピラリーは、最初に、キャピラリー内に部分的に
ボールをセンタリングして、ボンディングパッドの目標を定める。第１のボンデ
ィング工程によって、ボールは、半導体デバイス上のパッドにボンディングされ
る。キャピラリーがボンディングパッド上にボールを接触させると、ボールは、
つぶれて平坦になる。ボンディングパッドは一般にアルミニウムから作製される
ので、薄い酸化物がボンディングパッドの表面上に形成される。適切なボンディ
ングを形成するために、酸化物の表面を破って、アルミニウムの表面を露出させ
ることが好ましい。酸化物を破る有効な方法は、ワイヤボールを用いて酸化物の
表面を「研磨する」ことである。ワイヤボールは、アルミニウム酸化物の表面上
に配置され、キャピラリーは、キャピラリーが取り付けられる超音波ホーン内に
配置された圧電素子の伸張および収縮に基づいて、直ちに線形方向に運動する。
ボンディングパッドに加えられる熱に加えて、急速な運動は、ワイヤとボンディ
ングパッドとの間で分子を移動させることによって有効なボンディングを形成す
る。
【０００６】 次いで、キャピラリーは、キャピラリーの外とキャピラリーの再度内側への両
方にボンディングワイヤを巻きつけ、なめらかに供給している間、ワイヤを処理
する。次いで、キャピラリーは、「スティッチ」ボンディングおよび「タック」
ボンディングまたは「テール」ボンディングを形成する。
【０００７】 現在、熱音波ワイヤボンディングが、半導体デバイスを支持基板に相互接続す
るための他の手段のプロセスである。熱音波ボンディングプロセスは、可動ボン
ディングヘッドに取り付けられたトランスデューサからツール（例えばキャピラ
リーまたはウェッジ）を介して、半導体デバイスまたは支持基板に溶接されたボ
ールまたはワイヤへと超音波エネルギーが移動することに部分的に依存している
。
【０００８】 従来のキャピラリー（ボンディングツール）では、ボンディングツールの幾何
学的形状は、ボール／ワイヤ相互接続パッドの接続領域までエネルギーの移動を
改善するように設計されていない。本発明の発明者は、超音波トランスデューサ
に起因するツールにかかる応力／ひずみ波形の超音波減衰の制御が、ボンディン
グプロセスの制御ひいてはそのパフォーマンスに重要であることを見出した。
【０００９】 しかしながら、従来のボンディングツールの設計では、相互接続幅およびワイ
ヤボンディングループの高さに基づいており、超音波減衰の制御を考慮していな
いので不十分である。そういったことから、従来のボンディングツールはエネル
ギー効率が悪い。
【００１０】 図１は、従来のボンディングツールの図を示す。図１に示されるように、ボン
ディングツール１００は、円柱体部１０２とテーパー部１０４とを有する。軸方
向の管１０８は、ボンディングツール１００の端部１１０から先端１０６まで延
びている。ボンディングワイヤ（図示せず）は、軸方向の管１０８を通って先端
１０６へと通り抜け、最終的には基板（図示せず）上にボンディングする。
【００１１】 （発明の要旨） 従来のボンディングツールの上述の欠点を解決するために、本発明は、微細な
ワイヤを基板へボンディングするためのエネルギー効率のよいボンディングツー
ルに関する。
【００１２】 ボンディングツールは、第１の直径を有する第１の円柱部と、第１の直径より
も小さな第２の直径を有し、第１の円柱部の端部で結合される第２の円柱部と、
第２の円柱部の端部に結合されるテーパー部とを含む。
【００１３】 本発明の１つの局面によれば、第２の円柱部は溝である。
【００１４】 本発明の別の局面によれば、第２の円柱部は複数の溝である。
【００１５】 本発明のさらなる局面によれば、溝は実質的に矩形の断面を有している。
【００１６】 本発明の別の局面によれば、溝の代わりにスロットを用いる。
【００１７】 本発明のさらに別の局面によれば、テーパー部は、第２の円柱部に直接隣接し
ている。
【００１８】 本発明のこれらの局面および他の局面は、添付の図面および本発明の例示的な
実施形態の説明を参照して以下に示される。
【００１９】 本発明は、添付の図面とともに読めば、以下の詳細な説明から最良に理解され
る。一般的な手法に従って、図面の種々の特徴部は一定の比率ではないことを強
調しておく。逆に、種々の特徴部の大きさは、分かり易くするために任意に拡大
していたり、または縮小していたりする。
【００２０】 （詳細な説明） 本発明は、ボンディングツールの長さに沿って質量分布を変化させることによ
って、従来のキャピラリーボンディングツールの欠点を克服する。得られるボン
ディングツールは、従来のボンディングツールと比較すると、基板上にボンディ
ングを形成するためにあまり超音波エネルギーを必要としない。
【００２１】 超音波ボンディングツールの設計は、超音波トランスデューサによって駆動さ
れツールの運動を数学的に説明することによって達成され得る。このようなシス
テムは、式（１）に示されるようにカンチレバービームによって表される。
【００２２】
【数１】 ここで、Ｅは弾性係数、Ｉは慣性モーメント、ｍは質量分布、ｚは移動支持体か
らの距離、ｘはビームに垂直な変位量であり、ｘ0は移動支持体の運動とする。
【００２３】 図２は、式（１）に従うボンディングツールの応答を示す。図２に示されるよ
うに、ボンディングツールの設計に際して、カンチレバービーム２００は、ボン
ディングツール、２０４はトランスデューサ２０２の運動ｘ0および２０６はボ
ンディングツールの応答運動ｘ（ｚ，ｔ）を表す。質量および慣性モーメントは
、ビームに沿って変化し得るので、これらのパラメータを用いて、ボンディング
ツールの構成および「形状」を設計し、所望のボンディング超音波運動を生じる
。
【００２４】 上述のように、従来の設計では、慣性モーメントＩおよび質量分布ｍは、超音
波減衰を目的として制御されるのではなくて、必要な相互接続幅およびワイヤボ
ンディングループの高さを可能にするために厳密に制御されている。本発明の例
示的な実施形態において、断面形状および質量分布を特定して、超音波減衰を制
御する。
【００２５】 工学の効果のいくつかの例（幾何学的慣性モーメント（Ａｒｅａ Ｍｏｍｅｎ
ｔ ｏｆ Ｉｎｅｒｔｉａ）Ｉおよび質量分布ｍ）を示す。表１は、図３Ａ〜３
Ｂを参照して溝状の幾何学的形状のこのコンセプトの確認に関連する実験結果を
まとめたものである。しかしながら、本発明はこの形状に限定されず、他の幾何
学的形状を用いることも企図している。
【００２６】
【表１】 図３Ａは、本発明の第１の例示的な実施形態によるボンディングツール３００
の側面図である。図３Ａに示されるように、ボンディングツール３００は、円柱
状の上体部３０２と下体部３０４とを有する。下体部３０４は円柱部３０８と円
錐部３０６とを有しており、この下体部３０４は、円柱部３０６からボンディン
グツール３００の先端３１０まで延びている。上体部３０２と下体部３０４との
間に溝３１２が配置される。溝３１２は、先端３１０上の約０．１４９０インチ
〜０．１８３３インチ（３．７８５〜４．６５６ｍｍ）の間の距離３１４に位置
される。溝３１２は、その溝３１２が約０．００８３インチ〜０．０１５５イン
チ（０．２１１〜０．３９４ｍｍ）の間の直径３１８を有するように、上体部お
よび下体部から嵌め込まれている。溝３１２の高さ３１６は、約０．０１３６イ
ンチ〜０．０２００インチ（０．３４５〜０．５０８ｍｍ）の間である。
【００２７】 図３Ｂは、ボンディングツール３００の断面の側面図である。図３Ｂに示され
るように、軸方向の管３２０は、ボンディングツール３００の端部３２２から先
端３１０へと延びている。例示的な実施形態において、軸方向の管３２０は、約
１４°の所定の角度３２６を有する実質的に連続したテーパー状の形状を有する
。しかしながら、本発明はこの形状に限定されず、軸方向の管３２０が、実質的
に一定の直径またはボンディングツール３００の長さの一部分のみにわたってテ
ーパー状であり得ることも企図している。後者の場合が望まれると、ボンディン
グツール３００の上端３２２におけるワイヤの挿入を容易にすることができる。
このような別の軸方向の管の例を図３Ｃおよび３Ｄに示す。図３Ｃに示されるよ
うに、軸方向の管３２０は、ボンディングツール３００の長さに沿って実質的に
一定の直径３３０を有する。図３Ｄでは、穴３２０は、ボンディングツール３０
０の長さの一部分に沿って実質的に一定の直径３４０を有し、かつボンディング
ツール３００の端部３２２に隣接するテーパー３４２を有する。
【００２８】 ボンディングツール３００の構造上の完全性を維持するために、溝３１２と穴
３２０との間の距離をボンディングツール３００の設計時に考慮しておく必要が
ある。本発明者は、この距離を「最小壁厚」（ＭＷＴ）３２４と呼ぶ。次に図４
を参照して、ボンディングツール３００の拡大した断面図を示す。この図はＮＷ
Ｔ３２４を詳細に示す。図４に示されるように、溝３１２は、スロット３１２の
内部に半径４０２を有し得る。これは、主には、溝３１２を形成するために用い
られるデバイスの形状に起因している。溝３１２は例えば鋸歯のようなブレード
を用いて形成され得ることを企図している。溝３１２の形成はこれに限定されず
、木摺打ちまたは成形のような他の従来の方法を用いて形成されてもよい。
【００２９】 再度図３Ａを参照して、本発明の好適な実施形態において、距離３１４は約０
.１４０〜０．１４３インチ（３．５５６〜３．６３２ｍｍ）の間であり得、高
さ３１６は約０．０１６０〜０．０１９０インチ（０．４０６〜０．４８３ｍｍ
）の間であり得、直径３１８は約０．０１５４〜０．０１６０インチ（０．３９
１〜０．４０６ｍｍ）の間であり得、ＭＷＴ３２４は０．０９８インチよりも大
きい。本発明の最も好適な実施形態において、距離３１４は約０．１４２インチ
（３．６１ｍｍ）であり、高さ３１６は約０．０１７０インチ（０．４３２ｍｍ
）であり、直径３１８は約０．０１５７インチ（０．３９９ｍｍ）であり、ＭＷ
Ｔ３２４は約０．０１００インチ（０．２５４ｍｍ）である。
【００３０】 図５を参照して、グラフ５００を示す。図５において、グラフ５００は、超音
波波形の印加に起因するボンディングツール３００の（図２に示される）変位２
０６に基づく溝３１２の効果をプロットする。グラフ５００は、トランスデュー
サの台（図示せず）から自由なボンディング端部（先端３１０）までボンディン
グツール３００の長さに沿ってプロットされている。図５において、横軸はトラ
ンスデューサの下部からの位置（インチ）であり、縦軸はボンディングツールの
変位（μｍ）である。グラフ５００は、溝３１２の位置および幾何学的形状が異
なる種々のボンディングツールについてプロットされている。図５において、固
定周波数での超音波エネルギーに起因するゼロ変位ツール運動の位置をノード５
０２として示す。本発明において、ボンディングツール３００の溝３１２はノー
ド５０２に配置される。本発明者は、ノード５０２に溝３１２を配置することに
よってボンディングツールの効率が最大になることを見出した。図５において、
プロット５０４は、従来（基準）のボンディングツールの応答を示し、プロット
５０６〜５１８は、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの応答
を示す。
【００３１】 図６において、グラフ６００は、固定されたツールの先端が変位する場合の超
音波エネルギー対共鳴周波数をプロットする。図６において、共鳴点６０２〜６
２４を示し、曲線６２６としてプロットされている。図６に示されるように、点
６２４は従来の基準ツールを示し、（点６０２〜６２２として示される）本発明
によるツールと比較すると、さらに大きなエネルギー要求量を示す。グラフ６０
０は、ボンディングツール３００における溝３１２の位置によってエネルギー要
求量の顕著な減少を示す。
【００３２】 図７では、グラフ７００は、本発明によるボンディングツールおよび従来のボ
ンディングツールの変位をプロットする。図７に示されるように、幾何学的慣性
モーメントＩの制御によって溝を機械加工して最適化された幾何学的形状のボン
ディングツールの変位量は、標準のシャンク（溝がない）ボンディングツールの
変位よりも大きい。図７を考察すると、ワイヤボンディングする場合、先端の変
位のプロットは、本発明による制御された幾何学的形状のキャピラリーの使用前
（曲線７０２）および使用後（曲線７０４）の両方で標準ボンディングツール（
曲線７０６）の変位よりも大きい。
【００３３】 本発明者はまた、例示的なボンディングツールのエネルギー要求量がより低く
なればなるほどより高い品質のボンディングとなることを見出した。表２は、種
々のボンディングツール、結合（超音波）エネルギー、結合力および結合を壊す
ために必要なせん断力を示すデータをまとめたものである。明らかに示されるよ
うに、従来のボンディングツールのエネルギーの５０％未満のエネルギーを用い
ているが、例示的なボンディングツールは従来よりも優れたせん断抵抗を示すボ
ンディングを提供する。
【００３４】
【表２】 表３は、従来のボンディングツールと比較した本発明によるボンディングツー
ルによって形成されるボンディングの優れた引張り抵抗を示すデータをまとめた
ものである。
【００３５】
【表３】 図８は、本発明の第２の例示的な実施形態の部分的な側面図である。図８にお
いて、溝３１２は曲線外形８０２を含む。全ての他の局面において、第２の例示
的な実施形態は、第１の例示的な実施形態と同様である。
【００３６】 図９は、本発明の第３の例示的な実施形態の部分的な側面図である。図９にお
いて、ボンディングツール３００の溝３１２は２つの溝９０２、９０４を含む。
２つの溝を図９に示すが、本発明はこれに限定されず、所望ならば２つより多く
の溝を含んでもよい。例示的な実施形態において、各溝は曲線部９１０を有する
。第１の例示的な実施形態に関して上述したように、溝９０２、９０４の外形は
、溝を形成するために用いられるプロセスに依存しており、曲線部を含む必要は
ない。図９において、エッジ９０６、９０８は、溝９０２、９０４の形成から得
られる尖ったエッジを取り除くために、所望ならば面取りを行うか、または角を
削ってもよい。全ての他の局面において、第３の例示的な実施形態は、第１の例
示的な実施形態と同様である。
【００３７】 図１０Ａおよび１０Ｂは、それぞれ、本発明の第４の例示的な実施形態の部分
的側面図およ部分的平面図である。図１０Ａ〜Ｃにおいて、スロット１０００が
、ボンディングツール３００の溝３１２の代わりに適用される。スロット１００
０の幅１００２、長さ１００４、深さ１００６および数は、ボンディングツール
３００の所望の応答に基づいている。スロットは、ボンディングツールの長手軸
に対して実質的に平行であってもよいし、または図１０Ｃに示されるように、所
定の角度でボンディングツール３００の本体に配置されてもよい。全ての他の局
面において、第４の例示的な実施形態は、第１の例示的な実施形態と同様である
。
【００３８】 図１１は、本発明の第５の例示的な実施形態の側面図である。図１１において
、テーパー部３０８は溝３１２に直接隣接する。全ての他の局面において、第５
の例示的な実施形態は、第１の例示的な実施形態と同様である。
【００３９】 本発明は例示的な実施形態を参照して説明されてきたが、これに限定されない
。むしろ、上掲の特許請求の範囲は、本発明の真の意図および範囲から逸脱する
ことなく、当業者によって為し得る本発明の種々の変形例および実施形態を含む
ように意図されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、従来のボンディングツールの側面図である。
【図２】 図２は、トランスデューサの運動に関するボンディングツールの応答を示す図
である。
【図３Ａ】 図３Ａは、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの図である。
【図３Ｂ】 図３Ｂは、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの図である。
【図３Ｃ】 図３Ｃは、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの図である。
【図３Ｄ】 図３Ｄは、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの図である。
【図４】 図４は、本発明の実施形態の拡大した断面図である。
【図５】 図５は、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの超音波エネル
ギーの効果をプロットしたグラフである。
【図６】 図６は、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールの超音波エネル
ギー対共鳴周波数をプロットしたグラフである。
【図７】 図７は、本発明の例示的な実施形態によるボンディングツールのキャピラリー
の変位をプロットしたグラフである。
【図８】 図８は、本発明の第２の例示的な実施形態によるボンディングツールの部分的
な側面図である。
【図９】 図９は、本発明の第３の例示的な実施形態によるボンディングツールの部分的
な側面図である。
【図１０Ａ】 図１０Ａは、本発明の第４の例示的な実施形態によるボンディングツールの図
である。
【図１０Ｂ】 図１０Ｂは、本発明の第４の例示的な実施形態によるボンディングツールの図
である。
【図１０Ｃ】 図１０Ｃは、本発明の第４の例示的な実施形態によるボンディングツールの図
である。
【図１１】 図１１は、本発明の第５の例示的な実施形態によるボンディングツールの部分
的な側面図である。
───────────────────────────────────────────────────── 【要約の続き】

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 微細なワイヤを基板にボンディングするためのボンディング
    ツールであって、 第１の直径を有する第１の円柱部と、 該第１の直径よりも小さい第２の直径を有し、該第１の円柱部の端部に結合さ
    れる第２の円柱部と、 該第２の円柱部の端部に結合されるテーパー部と を備える、ボンディングツール。
  2. 【請求項２】 前記テーパー部は、該テーパー部の第１の端部において、前
    記第１の円柱部の前記第１の直径に実質的に等しい第３の直径を有する、請求項
    １に記載のボンディングツール。
  3. 【請求項３】 前記ボンディングツールの第１の端部から該ボンディングツ
    ールの第２の端部へと該ボンディングツールの長手軸方向に沿って伸びる軸方向
    の管をさらに備える、請求項１に記載のボンディングツール。
  4. 【請求項４】 前記軸方向の管は、前記第１の円柱部の第１の端部における
    第１の直径と、前記テーパー部の先端における第２の直径とを有し、該第１の直
    径が該第２の直径よりも大きい、請求項３に記載のボンディングツール。
  5. 【請求項５】 前記ボンディングツールは、酸化アルミニウム、タングステ
    ンカーバイド、ルビー、セラミックおよびジルコンからなる群のうち少なくとも
    １つから形成される、請求項１に記載のボンディングツール。
  6. 【請求項６】 微細なワイヤを基板にボンディングするためのボンディング
    ツールであって、 第１の直径を有する第１の円柱部と、 該第１の円柱部の端部に結合されるテーパー部と、 該第１の円柱部と該テーパー部との間に配置される溝と を備える、ボンディングツール。
  7. 【請求項７】 前記溝は、前記ボンディングツールのノードに配置される、
    請求項６に記載のボンディングツール。
  8. 【請求項８】 前記溝は、前記テーパー部の端部から所定の距離に配置され
    る、請求項６に記載のボンディングツール。
  9. 【請求項９】 前記距離は、約０．１４００〜０．１８３３インチ（３．５
    ５６〜４．６５６ｍｍ）の間である、請求項８に記載のボンディングツール。
  10. 【請求項１０】 前記距離は、約０．１４００〜０．１４３０インチ（３．
    ５５６〜３．６３２ｍｍ）の間である、請求項８に記載のボンディングツール。
  11. 【請求項１１】 前記溝は所定の幅を有する、請求項６に記載のボンディン
    グツール。
  12. 【請求項１２】 前記幅は、約０．０１３６〜０．０２００インチ（０．３
    ４５〜０．５０８ｍｍ）の間である、請求項１１に記載のボンディングツール。
  13. 【請求項１３】 前記幅は、約０．０１６０〜０．０１９０インチ（０．４
    ０６〜０．４８３ｍｍ）の間である、請求項１１に記載のボンディングツール。
  14. 【請求項１４】 前記溝は、前記円柱部の前記第１の直径よりも小さな所定
    の直径を有する、請求項６に記載のボンディングツール。
  15. 【請求項１５】 前記直径は、約０．００８２〜０．０１５６インチ（０．
    ２０８〜０．３９６ｍｍ）の間である、請求項１４に記載のボンディングツール
    。
  16. 【請求項１６】 前記直径は、約０．０１５４〜０．０１６０インチ（０．
    ３９〜０．４０６ｍｍ）の間である、請求項１４に記載のボンディングツール。
  17. 【請求項１７】 第１の直径と、第１の端部と、第２の端部とを有する第１
    の円柱部と、 該第１の直径よりも小さい第２の直径を有し、該第１の円柱部の該第２の端部
    に結合される第２の円柱部と、 該第２の円柱部の端部に結合された第１の端部と第２の端部とを有するテーパ
    ー部であって、該テーパー部の該第１の端部は、該第１の円柱部の該第１の直径
    と実質的に等しい第３の直径を有し、該第２の端部は該第３の直径よりも小さい
    第４の直径を有する、テーパー部と、 該第１の円柱部の該第１の端部から該テーパー部の該第２の端部まで伸びる軸
    方向の管と を備える、キャピラリーボンディングツール。
  18. 【請求項１８】 前記軸方向の管は円錐の形状を有する、請求項１７に記載
    のキャピラリーボンディングツール。
  19. 【請求項１９】 前記軸方向の管は実質的に一定の直径を有する、請求項１
    ７に記載のキャピラリーボンディングツール。
  20. 【請求項２０】 前記軸方向の管は、前記第１の円柱部の前記第１の端部に
    配置されるテーパーを有する、請求項１９に記載のキャピラリーボンディングツ
    ール。
  21. 【請求項２１】 微細なワイヤを基板にボンディングするためのボンディン
    グツールであって、 第１の直径を有する第１の円柱部と、 該第１の円柱部の端部に結合されるテーパー部と、 該第１の円柱部と該テーパー部との間に配置される穴と を備える、ボンディングツール。
  22. 【請求項２２】 前記穴は少なくとも１つの溝である、請求項２１に記載の
    ボンディングツール。
  23. 【請求項２３】 前記溝は実質的に矩形の断面を有する、請求項２２に記載
    のボンディングツール。
  24. 【請求項２４】 前記溝は前記断面の少なくとも一部に沿って半径を有する
    、請求項２３に記載のボンディングツール。
  25. 【請求項２５】 前記穴は複数の溝である、請求項２１に記載のボンディン
    グツール。
  26. 【請求項２６】 前記穴はスロットである、請求項２１に記載のボンディン
    グツール。
  27. 【請求項２７】 前記スロットは、前記ボンディングツールの外周に沿って
    配置される複数のスロットである、請求項２６に記載のボンディングツール。
  28. 【請求項２８】 前記スロットは、前記ボンディングツールの長手軸に対し
    て実質的に平行な長手軸を有する、請求項２６に記載のボンディングツール。
  29. 【請求項２９】 前記スロットは、前記ボンディングツールの長手軸から所
    定の角度だけオフセットした長手軸を有する、請求項２６に記載のボンディング
    ツール。
  30. 【請求項３０】 微細なワイヤを基板にボンディングするためのボンディン
    グツールであって、 第１の直径を有する第１の円柱部と、 該第１の直径よりも小さい第２の直径を有し、該第１の円柱部の端部に結合さ
    れる第２の円柱部と、 該第１の直径を有する第３の円柱部と、 該第３の円柱部の端部に結合されるテーパー部と を備える、ボンディングツール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6270256B1 (ja) * 2016-11-28 2018-01-31 Toto株式会社 ボンディングキャピラリ

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6523733B2 (en) * 2000-04-28 2003-02-25 Kulicke & Soffa Investments Inc. Controlled attenuation capillary
US7083757B2 (en) * 2001-02-28 2006-08-01 Billiet Romain L Method of making semiconductor bonding tools
JP3742332B2 (ja) * 2001-11-12 2006-02-01 株式会社新川 ワイヤボンデイング装置
US20040024843A1 (en) * 2002-07-31 2004-02-05 Smith Christopher T. Method for provisioning distributed web applications
US20040211814A1 (en) * 2003-04-23 2004-10-28 Jackson Hsieh Wire bonding capillary for an image sensor
US7261230B2 (en) * 2003-08-29 2007-08-28 Freescale Semiconductor, Inc. Wirebonding insulated wire and capillary therefor
US7249702B2 (en) 2003-12-04 2007-07-31 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Multi-part capillary
US7320425B2 (en) * 2004-05-12 2008-01-22 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Low-profile capillary for wire bonding
KR100718889B1 (ko) * 2005-11-28 2007-05-16 이정구 투스텝 하이 보틀넥을 갖는 와이어 본딩 캐필러리
US7597231B2 (en) * 2006-04-10 2009-10-06 Small Precision Tools Inc. Wire bonding capillary tool having multiple outer steps
JP5376413B1 (ja) * 2013-01-25 2013-12-25 Ｔｏｔｏ株式会社 ボンディングキャピラリ
WO2017132027A1 (en) 2016-01-26 2017-08-03 Orthodyne Electronics Corporation Wedge bonding tools, wedge bonding systems, and related methods
CN107275243B (zh) * 2017-06-06 2020-11-13 潮州三环（集团）股份有限公司 焊接劈刀及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3894671A (en) * 1971-01-06 1975-07-15 Kulicke & Soffa Ind Inc Semiconductor wire bonder
US3917148A (en) * 1973-10-19 1975-11-04 Technical Devices Inc Welding tip
US4020543A (en) * 1975-06-26 1977-05-03 Sola Basic Industries, Inc. Two-piece capillary tip bonding tool
JPS5345172A (en) * 1976-10-05 1978-04-22 Mitsubishi Electric Corp Cleaning method of capillary
US4315128A (en) * 1978-04-07 1982-02-09 Kulicke And Soffa Industries Inc. Electrically heated bonding tool for the manufacture of semiconductor devices
US4513190A (en) * 1983-01-03 1985-04-23 Small Precision Tools, Inc. Protection of semiconductor wire bonding capillary from spark erosion
JP2527399B2 (ja) * 1992-09-29 1996-08-21 完テクノソニックス株式会社 ワイヤ―・ボンダ―・システム
US5485949A (en) * 1993-04-30 1996-01-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Capillary for a wire bonding apparatus and a method for forming an electric connection bump using the capillary
US5558270A (en) * 1995-01-06 1996-09-24 Kulicke And Soffa Investments, Inc Fine pitch capillary/wedge bonding tool
US5890643A (en) * 1996-11-15 1999-04-06 Kulicke And Soffa Investments, Inc. Low mass ultrasonic bonding tool
US6006977A (en) * 1996-12-19 1999-12-28 Texas Instruments Incorporated Wire bonding capillary alignment display system
US6112972A (en) * 1996-12-19 2000-09-05 Texas Instruments Incorporated Wire bonding with capillary realignment
KR19980064247A (ko) * 1996-12-19 1998-10-07 윌리엄비.켐플러 와이어 본딩 캐필러리의 연속 자동 회전
US6073827A (en) * 1998-08-27 2000-06-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Wire bonding capillary with a conical surface

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6270256B1 (ja) * 2016-11-28 2018-01-31 Toto株式会社 ボンディングキャピラリ
KR20180060979A (ko) 2016-11-28 2018-06-07 토토 가부시키가이샤 본딩 캐필러리
JP2018093159A (ja) * 2016-11-28 2018-06-14 Toto株式会社 ボンディングキャピラリ
TWI634962B (zh) * 2016-11-28 2018-09-11 日商Ｔｏｔｏ股份有限公司 Solder pin

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