JP2003511241A - 有機材料をレーザー穿孔するための方法及び装置 - Google Patents
有機材料をレーザー穿孔するための方法及び装置Info
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Abstract
Description
−金属の積層順序を有する積層体をエキシマレーザーを用いて止まり穴を製造す
ることは公知である。積層体の最上の金属層はこの場合に孔マスクとして使用さ
れ、この孔の画像を光技術を用いて転写し、引き続きエッチングより製造する。
このマスクの孔の範囲内で露出する誘電体を、次いでエキシマレーザーの作用に
より、最下の金属層に達するまで除去し、除去プロセスを完了する。この公知の
方法を用いて特に多層のプリント配線板の製造の際に、必要なコンタクトホール
を止まり穴の形で製造される。
層のプリント配線板の同様の製造方法は公知であり、この方法の場合、CO2レ
ーザーを用いたコンタクトホールとして用いる止まり穴を製造する。同様に、最
上の銅箔は孔マスクとして用いられ、その際、レーザー放射線が孔を製造すべき
箇所は全て銅をエッチングにより除去される。
積層体のレーザー穿孔のための装置は公知であり、この場合、金属層の穿孔のた
めに約266nm〜1064nmの範囲内の波長を有する第1のレーザーを使用
し、誘電層の穿孔のために約1064nm〜10600nmの範囲内の波長を有
する第2のレーザーを使用する。
のための方法が公知であり、この場合、金属層の穿孔のため及び誘電層の穿孔の
ために唯一のUVレーザーを使用し、この波長は400nmを下回り、このパル
ス幅は100nsを下回る。エキシマレーザーを使用しないという前提条件の下
で、つまり金属及び有機相は同じUVレーザーで穿孔される。
のレーザー穿孔のための別の方法は公知であり、この場合、金属層の穿孔のため
及び誘電層の穿孔のために、例えば532nmの波長を有するSHG(第2高調
波発生)−YAG−レーザー又は355nmの波長を有するTHG(第3高調波
発生)−YAG−レーザーを使用することもできる。
を有するレーザを用いてレーザー穿孔する場合に、有機材料の光化学的分解が生
じることが確認できる。ここではつまり燃焼は生じず、せいぜい極端に僅かな熱
的負荷に基づき、積層体において層間剥離は生じない。これとは反対に、CO2 レーザーを用いて有機材料をレーザー穿孔する際に熱的分解が行われ、つまり、
燃焼が生じ、積層体において層間剥離の危険が生じる。CO2レーザーを用いた
UV−レーザーと比較して、有機材料の穿孔の場合にはしかしながら著しく短か
い加工時間を達成することができる。
C−法(Surface Laminar Circuit)は公知であり、この方法の場合にまずベー
ス支持体上に第1の配線平面を作成する。次いでこの第1の配線平面上にスクリ
ーン印刷又は注ぎ込み(Vorhanggiessen)により感光性エポキシ樹脂からなる誘
電層を塗布する。フォトリソグラフィー法で照射及び現像することにより、次い
で誘電層中に止まり穴を作成した。孔壁及び誘電層の表面の化学的及び電気メッ
キによる銅被覆の後で第2の配線平面を析出した銅層の構造化により作成する。
次いで、感光性の誘電層と銅層を交互に設けることにより、記載した方法でさら
に配線平面を作成することができる。
穿孔の際に、前記の材料を熱的に損傷することなしに止まり穴又は貫通孔の迅速
な製造を可能にすることである。
レーザーを用いて、40nsを下回る短いパルス幅で、有機材料からなる層を短
い加工時間でかつ燃焼の危険なしに加工することができるという認識に基づく。
この場合、有機材料のレーザー穿孔のために≧20kHzのパルス周波数が選択
される。有機材料のレーザー加工の場合、光化学的分解及び熱的分解の組合せが
生じ、この分解はUVレーザと比較してより短時間の加工時間を可能にし、CO 2 レーザーと比較して高すぎる熱的負荷は避けられる。もう一つの利点は、同じ
Nd−バナジウム酸塩−レーザーを用いて積層体の金属層も穿孔できることであ
る。この種の金属層の穿孔のためには、次いで≧30kHzのパルス周波数が選
択される。
rdoppelt)Nd−バナジウム酸塩−レーザーは、極めて高いパルス周波数を可能
にし、これは40nsより短い僅かなパルス幅で、100kHzを越えることが
できる。高いパルス周波数は、この場合、有機材料の迅速かつ有効な加工を可能
にし、一方で短いパルス幅により著しく低い熱的負荷が保障される。類似の又は
同様の波長を用いて作業する他のレーザーを用いて、高いパルス周波数と短いパ
ルス幅とのこの種の組合せは実現できない。例えばドイツ国特許出願公開(DE
−A)第19824225号明細書から公知のSHG−YAG−レーザーの場合
、比較的高いパルス周波数で、せいぜい70〜80nsのパルス幅が達成される
だけである。
おいて有機材料又は場合により積層体のなお僅かな熱的負荷を可能にする。
たレーザー放射線の使用の際に、有機材料の有効なレーザー加工が生じる。請求
項4記載の20μm〜50μmのスポット直径の使用の際に、有機材料のレーザ
ー加工はなお有効に構成することができる。
より加工速度の著しい向上を可能にする。この場合、この添加物は、532nm
の波長を有するレーザー放射線に対して、純粋な有機材料よりも明らかに高い吸
収率を有する。
を可能にする。
にする、それというのも532nmの波長の緑色の光は補色の赤色により特に良
好に吸収するされるためである。
に障害を与えることなしに吸収率を向上させるために特に有利であることが実証
された量の範囲を設定している。請求項9において記載されたより狭い量の範囲
は、この場合、最適である。
上昇させる場合、すでに有機材料中での加工速度のかなりの向上が生じる。請求
項11記載の少なくとも60%までの、もしくは請求項12記載の少なくとも8
0%までの吸収率の向上の際に、有機材料のレーザー穿孔のための加工時間は相
応してさらに短縮することができる。
ピングした、周波数倍増したNd−バナジウム酸塩−レーザー。
波数倍増したNd−バナジウム酸塩−レーザー。
ーン印刷により有機材料からなる誘電層を例えば25μmの厚さで塗布する。有
機材料として例えばエポキシ−材料が適当である。次いでこの誘電層中にマスク
を使用せずに止まり穴を作成し、この穴を後に次の配線層までの貫通接続として
使用する。
変向するための2つのガルバノメータミラーの使用において10cm×10cm
の面を加工した。このレーザーの他のパラメータは次に挙げる: パルス幅: 30ns パルス周波数: 25kHz このフォーカスされたレーザー放射線の約25μmのスポット直径を用いて誘
電層内へ所定の箇所に止まり穴を作成した。この場合、パルス周波数を10〜2
0kHzの間に選択した。燃焼又は他の熱的損傷は止まり穴の作成の際に回避す
ることができた。
箔で被覆した樹脂)のエポキシ材料内へ125μmの直径を有する止まり穴を作
成した。このRCC−材料は12μmの厚さの銅箔と60μmの厚さのエポキシ
材料からなる誘電層からなっていた。パルス周波数は25kHzであった。パル
ス幅は30nsであった。
タミラーの使用において10cm×10cmの面を加工した。エポキシ−材料の
穿孔のために、レーザー放射線を1.6mmフォーカスを外して調整し(OOF
=Out of Focus)かつ穴の領域で同心円の形で動かした。レーザー放射線の直線
速度は900っm/sであった。エポキシ−材料の穿孔の後に、その下にある銅
箔は僅かに攻撃されただけであった。
穿孔は1秒あたり122個の孔の速度で行った。
fire retardant epoxyglass composition;レベル4難燃性エポキシガラス複合材
料)内に作成し、この片面に12μmの厚さの銅箔を貼り付けた。この結果は同
等であった。
面に12μmの厚さの銅箔を貼り付けた。この結果は同等であった。
孔は1秒あたり382個の孔の速度で行った。
孔は1秒あたり212個の孔の速度で行った。
は1秒あたり800個の孔の速度で行った。
は1秒あたり400個の孔の速度で行った。
使用した。この添加剤は、名称"1501 Fast Red"(C. I. Pigment Red 48:1)のF
irma Xijingming, Shenzhou City, Hebei Province, P. R. China社の有機赤色
顔料である。この顔料は、バリウム塩をベースとするアゾ染料である。エポキシ
−材料の穿孔のための速度はレーザー放射線の吸収率の改善により1秒あたり5
50個の孔の速度に向上した。
)のBayer AG, DE社の無機赤色顔料を使用した。この顔料は酸化鉄赤色顔料であ
る。この結果は同等であった。
elb 163)のCIBA-Geigy AG, CH社のポリマー可溶性のアントラキノン染料を使用
した。エポキシ−材料の穿孔のための速度の向上はこの場合いくらか低下した。
エポキシ−材料の穿孔のための速度は、1秒あたり306個の孔に向上した。
材料の穿孔のための速度は、1秒あたり956個の孔であった。
材料の穿孔のための速度は、1秒あたり531個の孔であった。
は通常のガラス繊維強化の代わりにルビーガラスの繊維約50質量%で強化され
ていた。このルビーガラスはセレン2質量%、三酸化ヒ素1質量%及び炭0.5
質量%を、組成Na2O−ZnO−4SiO2の基礎ガラスに添加することによ
り製造した。このガラス繊維強化されたエポキシ−材料の穿孔のための速度は、
2〜2.5倍程度向上した。
Claims (13)
- 【請求項1】 次のレーザーパラメータ: パルス幅 <40ns パルス周波数 ≧20kHz 波長 =532nm を有する周波数倍増したNd−バナジウム酸塩−レーザーを使用することを特徴
とする、有機材料をレーザー穿孔する方法。 - 【請求項2】 パルス幅<30nsを使用する、請求項1記載の方法。
- 【請求項3】 10μm〜100μmのスポット直径を有するフォーカスさ
れたレーザー放射線を使用する、請求項1又は2記載の方法。 - 【請求項4】 20μm〜40μmのスポット直径を有するフォーカスされ
たレーザー放射線を使用する、請求項3記載の方法。 - 【請求項5】 有機材料に532nmの波長を有するレーザー光を吸収する
添加物を混合する、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - 【請求項6】 添加物として少なくとも1種の無機及び/又は有機顔料及び
/又は少なくとも1種のポリマーに可溶性の染料及び/又は少なくとも1種の繊
維状の充填剤を使用する、請求項5記載の方法。 - 【請求項7】 添加物として少なくとも1種の無機の赤色顔料及び/又は有
機の赤色顔料及び/又はポリマーに可溶性の赤色染料を使用する、請求項6記載
の方法。 - 【請求項8】 有機材料に顔料0.1質量%〜5.0質量%を混合する、請
求項6又は7記載の方法。 - 【請求項9】 有機材料に顔料1質量%〜2質量%を混合する、請求項6又
は7記載の方法。 - 【請求項10】 有機材料が添加物の混合によりレーザー放射線の波長53
2nmに対して少なくとも50%の吸収率を有する、請求項5から9までのいず
れか1項記載の方法。 - 【請求項11】 有機材料が添加物の混合によりレーザー放射線の波長53
2nmに対して少なくとも60%の吸収率を有する、請求項5から9までのいず
れか1項記載の方法。 - 【請求項12】 有機材料が、添加物の混合によりレーザー放射線の波長5
32nmに対して少なくとも80%の吸収率を有する、請求項5から9までのい
ずれか1項記載の方法。 - 【請求項13】 次のレーザーパラメータ: パルス幅 <40ns パルス周波数 ≧20kHz 波長 =532nm を有する周波数倍増したNd−バナジウム酸塩−レーザーを備えた、有機材料を
レーザー穿孔する装置。
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US20070210420A1 (en) * | 2006-03-11 | 2007-09-13 | Nelson Curt L | Laser delamination of thin metal film using sacrificial polymer layer |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4649624A (en) * | 1983-10-03 | 1987-03-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fabrication of semiconductor devices in recrystallized semiconductor films on electrooptic substrates |
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US4839497A (en) | 1987-09-03 | 1989-06-13 | Digital Equipment Corporation | Drilling apparatus and method |
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US5611046A (en) * | 1992-11-18 | 1997-03-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for interfacing a peripheral to a local area network |
JPH06203952A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Kyoei Seitetsu Kk | Dcアーク炉用人造黒鉛電極 |
US5593606A (en) * | 1994-07-18 | 1997-01-14 | Electro Scientific Industries, Inc. | Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets |
US5868950A (en) | 1996-11-08 | 1999-02-09 | W. L. Gore & Associates, Inc. | Method to correct astigmatism of fourth yag to enable formation of sub 25 micron micro-vias using masking techniques |
US5866644A (en) * | 1997-03-17 | 1999-02-02 | General Electric Company | Composition for laser marking |
DE19719700A1 (de) * | 1997-05-09 | 1998-11-12 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Sacklöchern in einer Leiterplatte |
FR2766654B1 (fr) | 1997-07-28 | 2005-05-20 | Matsushita Electric Works Ltd | Procede de fabrication d'une carte de circuit imprime |
US6214916B1 (en) * | 1998-04-29 | 2001-04-10 | General Electric Company | Composition for laser marking |
GB2338201A (en) | 1998-06-13 | 1999-12-15 | Exitech Ltd | Laser drilling of holes in materials |
US6203952B1 (en) * | 1999-01-14 | 2001-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Imaged article on polymeric substrate |
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