JP2003510882A - 減少された電力消費によるワイヤレス電話送信電力増幅のための方法および装置 - Google Patents

減少された電力消費によるワイヤレス電話送信電力増幅のための方法および装置

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JP2003510882A JP2001525859A JP2001525859A JP2003510882A JP 2003510882 A JP2003510882 A JP 2003510882A JP 2001525859 A JP2001525859 A JP 2001525859A JP 2001525859 A JP2001525859 A JP 2001525859A JP 2003510882 A JP2003510882 A JP 2003510882A
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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 ワイヤレス電話機内の送信信号のＲＦ増幅のための方法および装置。増幅器チェーンは、プリドライバ（２０２）、バイパス可能なドライバ増幅器（２２０）、および電力増幅器（２４０）の３つの部品から構成される。増幅器チェーンの構成は所定の出力電力要求に対する電力消費を最適にするためにリアルタイムで調整される。低出力電力レベルでは、ドライバ増幅器（２２０）はバイパスされ、電力増幅器（２４０）に低バイアス電流が提供される。中間出力電力レベルでは、ドライバ増幅器（２２０）がバイパスされ、電力増幅器（２４０）が中位電流にバイアスされる。高出力電力が要求されるときは、ドライバ増幅器（２２０）が利用され、電力増幅器（２４０）に高バイアス電流が提供される。ドライバ増幅器（２２０）はバイパスされた状態のときにシャットダウンされる。この増幅器構成を実現する結果は送信増幅器の効率の増加である。増幅器効率の増加はバッテリ電力供給されたワイヤレス電話機に対する増加した通話時間となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＲＦ増幅器に関する。特に本発明はワイヤレス電話送信信号のＲＦ増
幅に対する新規で改良された方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動ユニットまたはワイヤレス電話機は多くの複雑な回路を統合する。ＲＦト
ランシーバを使用して基地局とワイヤレス通信リンクを提供する。ＲＦトランシ
ーバは受信機と送信機とから構成される。移動ユニットにインターフェイスされ
ているアンテナは基地局からＲＦ送信を受信し、信号を受信機に出力する。受信
機は受信信号を増幅し、フィルタし、ベースバンドにダウンコンバートする。ベ
ースバンド信号はベースバンド処理回路にルーティングされる。ベースバンド処
理回路は信号を復調して、スピーカーを通してユーザにブロードキャストするた
めにそれを調整する。
【０００３】 キーパッド押下またはマイクロフォンへの音声入力を通してのユーザ入力はベ
ースバンド処理回路で調整される。信号は変調され、送信機にルーティングされ
る。送信機は移動ユニットで発生されたベースバンド信号を取り、信号をアップ
コンバートし、フィルタし、増幅する。アップコンバートされて増幅されたＲＦ
信号は受信機に対して使用されたのと同じアンテナを通して基地局に送信される
。
【０００４】 持続した高品質音声およびデータ送信の設計要求はバッテリ動作、小さいサイ
ズ、低いコスト、高信頼性の設計要求に対してバランスさせなければならない。
移動ユニットがバッテリ電力下で動作する要求は取り扱わなければならないさま
ざまな問題を提示する。バッテリは制限された量のエネルギしか提供することが
できない。電力消費を最小にすることはバッテリ寿命を延長させる唯一の方法で
ある。
【０００５】 携帯電話機のサイズと重さを減少させるための増加した消費者要求は、ハード
ウェア設計者に対して、バッテリに利用可能なサイズおよび重さを減少させるさ
らなるプレッシャーを与える。バッテリ技術における進展はサイズ減少による利
用可能なエネルギ蓄積損失の何らかの再生を可能にする。しかしながら、全体的
な傾向は電話通話とスタンバイ時間を延長しながら、同時に電話機の形態要因を
減少させる手段として減少された電話電力消費に向いている。
【０００６】 送信ＲＦ増幅器チェーンは移動電話機における電力消費の最も大きな源の１つ
である。コード分割多元接続（ＣＤＭＡ）移動電話機における送信ＲＦ増幅器チ
ェーンの設計は、出力電力レンジと出力放射に課された仕様によりさらに制限さ
れる。移動電話機設計を制限する仕様には、通信工業協会（ＴＩＡ）／電子工業
協会（ＥＩＡ）ＩＳ−９５−Ｂ、デュアルモードスペクトル拡散システム用の移
動局−基地局互換性標準規格とともに、ＴＩＡ／ＥＩＡ ＩＳ−９５−Ｂ、デュ
アルモードスペクトル拡散セルラ移動局用の推奨最小性能標準規格が含まれる。
しかしながら、匹敵する仕様が、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）またはアナログ周
波数変調（ＦＭ）のような代替変調スキームを利用する移動電話機に対するもの
とともに、セルラ周波数帯域以外で動作する移動電話機に対して存在する。パー
ソナル通信システム（ＰＣＳ）帯域におけるＣＤＭＡシステムの動作をカバーし
ている仕様は、米国規格協会（ＡＮＳＩ）Ｊ−ＳＴＤ−００８、１．８から２．
０ＧＨＺコード分割多元接続（ＣＤＭＡ）パーソナル通信システムに対するパー
ソナル局−基地局互換性要求である。同様に、電話機またはパーソナル局は、Ａ
ＮＳＩ Ｊ−ＳＴＤ−０１８、１．８から２．０ＧＨＺコード分割多元接続（Ｃ
ＤＭＡ）パーソナル局に対する推奨最小性能要求において仕様指定されている。
【０００７】 成功した増幅器設計はすべての要求された仕様とともに最小電力消費を満足さ
せなければならない。ＲＦ電力増幅器内の電力消費を最小にする１つの方法は、
効率的な増幅器トポロジーを利用することである。クラスＡ電力増幅器は最良の
線形性を提供するが、最も非効率である。クラスＡＢ電力増幅器は増加した出力
歪みを犠牲にしてクラスＡ増幅器に対して増加した効率を提供する。クラスＡＢ
電力増幅器の非線形特性は、クラスＡＢ電力増幅器を送信ＲＦ増幅器チェーンに
おける最終高出力増幅器としてのみ適するようにする。他の増幅器トポロジーは
ＴＩＡ／ＥＩＡ ＩＳ−９５−Ｂ内で動作するＣＤＭＡ移動電話機に対して適切
ではない。その理由は線形性要求に合わせることができないからである。
【０００８】 しかしながら、１つの単一増幅器では送信パスにおいて要求される利得、出力
電力、および線形性を提供することができない。したがって、いくつかの増幅器
を直列にカスケード接続して、送信パス要求を満足させなければならない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
必要とされるものは、ＣＤＭＡ通信に必要な線形性を維持しながら、バッテリ
寿命を最大にするために電力消費を最小にする、カスケード接続されたＲＦ増幅
器構成である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明はワイヤレス電話送信信号のＲＦ増幅のための新規で改良された方法お
よび装置である。増幅器チェーンは３つの独立した増幅器ステージ、プリドライ
バ増幅器、ドライバ増幅器および高出力増幅器を使用する。増幅器チェーンは、
ドライバステージをバイパスすることができるように構成される。ドライバステ
ージがバイパスされるとき、信号はプリドライバ増幅器と高出力増幅器を通るだ
けである。高出力増幅器上のバイアス電流は、要求される出力電力に基づいて３
つの値のうちの１つに制御される。
【００１１】 ２つのデータビットを使用してスイッチを制御し、ドライバ増幅器をバイパス
させるとともに、高出力増幅器上のバイアス電流セッティングを制御する。第１
の出力電力が増幅器から要求される場合には、データビットはドライバ増幅器が
バイパスされ、第１のバイアス電流が高出力増幅器に供給されるようにセットさ
れる。第２の出力電力は第１の出力電力よりも大きいように規定される。増幅器
からの第２の出力電力が要求されるとき、データビットは、ドライバ増幅器がバ
イパスされ、第２のバイアス電流が高出力増幅器に提供されるようセットされる
。第２のバイアス電流は第１のバイアス電流よりも大きい。第３の出力電力は第
１または第２の出力電力レベルのいずれよりも大きいように規定される。増幅器
からの第３の出力電力が要求されるときは、データビットは信号がドライバ増幅
器を通してルーティングされ、第３のバイアス電流が高出力増幅器に提供される
ようにセットされる。第３のバイアス電流は第１または第２のバイアス電流のい
ずれよりも大きい。ドライバ増幅器がバイパスされた状態のとき、バイアス電流
はドライバ増幅器に供給されない。
【００１２】 したがって、比較的低い、中位、および高い増幅器出力電力に対応する第１、
第２および第３の、３つの相対電力レベルが規定される。３つの電力レベルのそ
れぞれは高出力増幅器に対する対応したバイアス電流を利用する。第１、第２お
よび第３のバイアス電流は、高出力増幅器に対する比較的低い、中間、高いバイ
アス電流に対応する。
【００１３】 ＲＦ較正テーブルは増幅器からの出力電力を制御するために使用され、出力電
力の表示を信号プロセッサに提供する。先に詳細説明したように、信号プロセッ
サは出力電力を較正されたしきい値と比較し、データビットをセットして増幅器
セッティングを制御する。データビットは、内部電話コマンドまたは空中電力制
御情報に応答して、ＲＦ電力がアップおよびダウンに変動するにしたがってダイ
ナミックに更新される。電力レベルがしきい値に近いときに増幅器セッティング
の頻繁なトグル切換を防ぐために、ヒステリシスがしきい値に組み込まれる。し
たがって、ウィンドウはしきい値を表し、増幅器制御が変更される実際の値はＲ
Ｆ電力が増加しているかあるいは減少しているかに依存する。
【００１４】 本発明の特徴、目的および効果は、同一の参照文字が全体を通して対応するも
のを識別している図面を考慮に入れると、以下に記述する詳細な説明からさらに
明らかになるであろう。
【００１５】
【発明の実施の形態】
ワイヤレス電話機はＲＦ送信機を利用して電話機から基地局に通信する。ＴＩ
Ａ／ＥＩＡ ＩＳ−９５−Ｂにしたがって動作するもののようなワイヤレス電話
機では、実際のＲＦ出力電力は厳しく管理されて、通信リンク品質を最大にしな
がら、同時に干渉を最小にする。電話機は閉ループとともに開ループを通してＲ
Ｆ出力電力を調整する。電話機は、基地局と通信リンクを確立していないときに
開ループモードを利用する。例として、電話機がトラフィック通話をセットアッ
プするために基地局に接続しようとしているときに、電話機は出力電力の開ルー
プ推定を利用して、基地局にアクセスするために要求される最小レベルに電話機
をセットする。さらに、電話機が基地局との通信リンクを確立したときに、トラ
フィック通話のケースと同様に、電話機は開ループ電力制御を使用して、電話機
の移動により生じる信号フェーディングおよびヌルを補償する。開ループプロセ
スは電話機から基地局への損失を推定する基礎として受信信号強度を利用する。
受信信号は送信信号とは異なる周波数にあることから、２つの間には良好なパス
損失相関が存在しない。したがって、開ループ応答時間は補償のインスタンスを
最小にするのには遅い。ビークル内で移動するワイヤレス電話機の条件は多くの
信号フェーディングおよびヌルを引き起こし、これらは開ループ電力制御を使用
して満足に処理するのには速すぎるくらい発生する。
【００１６】 パス損失における早い変化は閉ループ電力制御を使用して補償される。閉ルー
プ電力制御では、電話機は基地局から周期的なメッセージを受信し、このメッセ
ージは電話機に送信電力を上昇または下降させるように命令する。電力ステップ
サイズは予め定められた定数であり、したがって基地局は出力電力を増加または
減少させるように電話機に命令する情報のみを送る。電話機は予め定められたス
テップサイズの精度に出力電力を制御できなければならない。
【００１７】 ワイヤレス電話送信パスの基本的なブロック図が図１に示されている。典型的
なワイヤレス電話機では、ユーザはキーパッドまたはマイクロフォンのような（
示されていない）何らかのユーザインターフェイスを通して電話機に入力を提供
する。ユーザインターフェイスはユーザ入力を電気信号に変換し、この電気信号
はベースバンドプロセッサ１１０に送られる。信号が基地局に送信されるべき場
合には、ベースバンドプロセッサ１１０は信号を搬送波に変調し、周波数を最終
的な送信機周波数にアップコンバートする。アップコンバートされた信号はＲＦ
増幅器１２０に送られ、そこで信号レベルが増加される。ＲＦ増幅器１２０の出
力は、信号が基地局にブロードキャストされる（示されていない）アンテナに接
続される前に、フィルタされても、あるいは（示されていない）アイソレータの
ような保護回路に送られてもよい。
【００１８】 ベースバンドプロセッサ１１０においてＲＦ減衰器を使用して、ＲＦ増幅器１
２０への入力における信号電力レベルを調整する。開ループおよび閉ループ電力
制御をサポートするために、ＲＦ出力が測定され、減衰器の全レンジに対して較
正される。測定結果はベースバンドプロセッサ１１０内のＲＦ較正テーブル１１
２に記憶される。ＲＦ較正テーブル１１２はＲＦ増幅器１２０中で実行される何
らかの利得スイッチングのもとになる。ベースバンドプロセッサ１１０はＲＦ増
幅器１２０中の利得スイッチングを制御する。利得スイッチングはベースバンド
プロセッサ１１０中の減衰器値を指定することにより達成され、この減衰器値に
ＲＦ増幅器１２０中の利得を減少させなければならない。減衰器がこの予め定め
られたセッティングに到達したとき、命令が信号プロセッサ１４０に送られ、信
号プロセッサは２つのデータ制御ビット１４２を操作する。２つのデータ制御ビ
ット１４２はＲＦ増幅器中の利得スイッチングを制御する。２つの可能性あるＲ
Ｆ増幅器１２０利得スイッチングの構成が図２および図３に示されている。
【００１９】 ベースバンドプロセッサ１１０における場合と同様に、ＲＦ減衰器の代替とし
て自動利得制御（ＡＧＣ）増幅器を使用することができる。ＡＧＣ増幅器はＲＦ
減衰器と同じ目的に役立つ。すなわち、ＲＦ増幅器１２０の入力への信号電力レ
ベルの調整に役立つ。ＡＧＣ増幅器は広い利得変化を提供することができる。Ｒ
Ｆ出力はＡＧＣ増幅器の全レンジに対して較正される。全ＲＦ送信チェーンの利
得は、ＡＧＣ増幅器への一定電力入力を使用しながら、ＡＧＣ増幅器の全レンジ
に対してＲＦ出力を特徴付けることにより達成することができる。利得を特徴付
ける測定値はＲＦ較正テーブル１１２に保存される。利得がＲＦ増幅器１２０中
でスイッチされるとき、ＲＦ較正テーブル１１２とＡＧＣ増幅器を使用して突然
の利得変化が補償される。これは、利得ステージをインおよびアウトにスイッチ
させるようにＲＦ増幅器１２０が制御されるときに、送信パス利得における線形
変化を確実にする。
【００２０】 図２に示されているＲＦ増幅器１２０は３つの個々の増幅器を使用して構成さ
れている。プリドライバ増幅器２１０は低レベル増幅器であり、ベースバンドプ
ロセッサ１１０からの出力を受け取る。プリドライバ増幅器２１０の出力はドラ
イバ増幅器２２０に供給される。ドライバ増幅器２２０の出力は最終的な高出力
増幅器２４０に移る前にバンドパスフィルタ２３０される。プリドライバ増幅器
２１０とドライバ増幅器２２０は線形性を最大にするようにクラスＡ増幅器とし
て動作する。高出力増幅器２４０は高出力ステージの効率を最大にするためにク
ラスＡＢ増幅器として動作する。
【００２１】 増幅器チェーン内の利得スイッチングおよび電力制御は増幅器シャットダウン
および増幅器バイアス処理の組み合わせを通して達成される。２つのデータ制御
ビット１４２が増幅器チェーンの電力制御論理２５０セクションに提供される。
電力制御論理２５０セクションの出力は、２つの制御データビット１４２の状態
に依存して、ドライバ増幅器２２０へのバイアス電流をオンまたはオフにスイッ
チングさせるように機能する。さらに、電力制御論理２５０は情報をＰＡバイア
ス制御２６０回路に送り、この回路は高出力増幅器２４０へのバイアス電流を調
整する。
【００２２】 高出力増幅器２４０上のバイアス電流を調整すると、増幅器の重要な動作パラ
メータのいくつかが変化する。高出力増幅器２４０の利得はバイアス電流により
変化する。増幅器の利得はバイアス電流が減少すると減少するが、比例的ではな
い。また、高出力増幅器２４０の歪みパラメータはバイアス電流により変化する
。高次歪みプロダクトを特徴付けるインターセプトポイントは、増幅器へのバイ
アス電流が減少すると減少する。減少された高次インターセプトポイントは使用
可能な入力電力レンジを減少させる。歪みプロダクトよりも大きい減少された高
次インターセプトポイントが、より低い入力電力レベルにおいて発生される。し
たがって、増幅器パラメータは、増幅器設計において使用するためにバイアスレ
ベルを選択する前に、変化するバイアスレベルにおいて注意深く測定しなければ
ならない。
【００２３】 ドライバ増幅器２２０は、増幅器チェーンから低出力レベルのみが必要とされ
る場合にシャットダウンされる。ドライバ増幅器２２０をシャットダウンするこ
とは電力を節約し、そうしなければこの電力は増幅器により消費される。低出力
電力が要求されるとき、高出力増幅器２４０へのバイアス電流も中間レベルに減
少される。ドライバ増幅器２２０がシャットダウンされない場合には、ベースバ
ンドプロセッサ１１０内の減衰器は総出力電力を減少させるために増加させなけ
ればならない。ドライバ増幅器２２０がシャットダウンされるとき、ドライバ増
幅器２２０は固定された減衰器として機能する。同様に、高出力増幅器２４０へ
のバイアス電流が減少されるとき、デバイスの利得は減少される。シャットダウ
ンされたドライバ増幅器２２０は固定された減衰器として機能することから、高
出力増幅器２４０へのバイアス電流は最小値に減少させることはできない。その
理由は高出力増幅器２４０が十分な出力電力を提供するために十分な利得を持つ
必要があるからである。
【００２４】 したがって、図２の増幅器構成では、高出力増幅器２４０は、高と中間の２つ
のバイアス電流オプションしか持たない。増幅器チェーンから高出力電力が必要
な場合、ドライバ増幅器２２０がターンオンされ、高出力増幅器２４０は高バイ
アス電流で動作する。
【００２５】 中位量の出力電力が増幅器チェーンから必要なときには、ドライバ増幅器２２
０はオンのままであるが、高出力増幅器２４０上のバイアス電流は中間レベルに
減少される。高出力増幅器２４０上の利得と高次インターセプトはバイアス電流
の減少により減少されるが、出力信号上の歪みは増加しない。その理由は高出力
増幅器２４０への入力電力と要求される出力電力の両方が減少されるからである
。
【００２６】 増幅器チェーンから低出力電力が必要なときには、ドライバ増幅器２２０はシ
ャットオフされる。この条件では、ドライバ増幅器２２０は固定された減衰器と
して機能する。高出力増幅器２４０は中間バイアス電流で動作する。高出力増幅
器２４０へのバイアス電流は低レベルに減少させることはできない。その理由は
、ドライバ増幅器２２０がシャットダウンされるときに増幅器チェーンをサポー
トするのに必要なレベルより下に、低バイアス電流が増幅器の利得を減少させる
からである。
【００２７】 したがって、電力の節約は、高出力電力が要求されないときに、高出力増幅器
２４０におけるバイアス電流を減少させることにより達成される。付加的な電力
の節約は、増幅器チェーンから低出力電力が必要なときのみドライバ増幅器２２
０をシャットダウンさせることにより達成される。
【００２８】 １つの特定の構成では、＋１６ｄＢｍより上の出力電力レベルに対して高出力
状態が使用される。高出力増幅器２４０に対して１５０ｍＡの高バイアス電流が
使用される。増幅器チェーンは、高出力状態で動作させるときに４４０ｍＡの最
大値を消費する。最大増幅器電流消費は、増幅器チェーンにおけるすべてのアク
ティブデバイスの総量を表す。最大電流値は、より高い電力を出力するときに高
出力増幅器２４０による増加した電流消費も考慮に入れる。中位の出力電力状態
は、−４ｄＢｍと＋１６ｄＢｍとの間の出力電力レベルとして規定される。高出
力増幅器２４０へのバイアス電流は８０ｍＡに減少される。ドライバ増幅器２２
０は中間電力状態で依然としてアクティブである。増幅器チェーンは、中位電力
状態で動作しているときに、１８０ｍＡの最大値を消費する。低出力電力状態は
−４ｄＢｍより下の出力電力レベルとして規定される。低電力状態では、高出力
増幅器２４０へのバイアス電流は８０ｍＡのままであるが、ドライバ増幅器はシ
ャットダウンされる。増幅器チェーンは低電力状態で動作するときに８２ｍＡの
最大値を消費する。
【００２９】 図３の増幅器構成は改良された電力消費をもたらす。増幅器チェーンは、図２
に示されている構成と同様に、プリドライバ２１０、ドライバ増幅器２２０、お
よび高出力増幅器２４０を利用する。図３の改良された増幅器構成はまた２つの
ＲＦスイッチ２７２および２７４を組み込んでおり、これらのスイッチはドライ
バ増幅器２２０およびバンドパスフィルタ２３０回りの信号パスをルーティング
するのに使用される。高出力増幅器２４０に移る前にプリドライバ２１０からの
信号がドライバ増幅器２２０およびバンドパスフィルタ２３０を通してルーティ
ングされるように、スイッチ２７２および２７４をセットすることができる。こ
れは第１のスイッチ２７２の入力をプリドライバ増幅器２１０の出力に接続する
ことにより達成される。ドライバ増幅器２２０の入力に接続された第１のスイッ
チ出力に信号が流れるように、スイッチは位置付けられる。信号パスを完成させ
るために、第２のスイッチ２７４の入力はバンドパスフィルタの出力に接続され
、第２のスイッチ２７４の出力は高出力増幅器２４０の入力に接続される。
【００３０】 代替スイッチセッティングでは、信号はプリドライバ２１０の出力から高出力
増幅器２４０の入力に直接ルーティングされる。この構成では、ドライバ増幅器
２２０およびバンドパスフィルタ２３０はバイパスされる。この構成を達成する
ために、第１のスイッチ２７２への入力と第２のスイッチ２７４への出力は先に
説明したのと同様な方法で接続される。しかしながら、第２のスイッチ２７４の
第２の入力に直接的に接続された第１のスイッチ２７２の第２の出力を通して信
号がルーティングされるようにスイッチが位置付けられる。
【００３１】 図３の増幅器構成は図２の増幅器構成と同様な方法で制御データビット１４２
を使用する。電力制御論理２５２は制御データビット１４２を受け取って、スイ
ッチ２７２および２７４の位置をそれにしたがって命令する。電力制御論理２５
２はまたドライバ増幅器２２０に命令して、制御データビット１４２の値にした
がって、ターンオンまたはターンオフさせる。ＰＡバイアス制御２６２により電
力制御論理２５２からの情報が使用されて高出力増幅器２４０に供給されるバイ
アス電流が調整される。
【００３２】 ３つの出力電力レベルが図３の増幅器構成に対して規定される。以下で説明す
るように、これらの３つの出力電力レベルは、図２の増幅器構成に対して規定さ
れた出力電力レベルと同じでないかもしれない。図３の増幅器構成では、第１、
第２および第３の出力電力レンジが規定されている。第１の出力電力レンジは増
幅器から出力されるべき最も低い電力レンジを表している。第１の出力電力レン
ジよりも大きい第２の出力電力レンジは、増幅器からの中間出力電力を規定して
いる。最後に、第２の出力電力レンジよりも大きい第３の出力電力レンジは、増
幅器からの高い出力電力を規定している。
【００３３】 ３つの出力電力レンジのそれぞれは高出力増幅器に対して規定された対応バイ
アス電流を持つ。第１、第２および第３のバイアス電流レベルが存在する。第１
のバイアス電流は高出力増幅器により使用される低レベルのバイアス電流である
。第２のバイアス電流は第１のバイアス電流よりも大きいバイアス電流の中位ま
たは中間のレベルである。第３のバイアス電流は第２のバイアス電流よりも大き
い高レベルのバイアス電流である。
【００３４】 増幅器チェーンから第３の出力電力が必要な場合には、ドライバ増幅器２２０
およびバンドパスフィルタ２３０を通して信号がルーティングされるようにスイ
ッチ２７２および２７４がセットされる。ドライバ増幅器２２０はオンにバイア
スする必要があり、高出力増幅器２４０には第３のバイアス電流が供給される。
この状態は図２に示されている増幅器構成に対する高電力状態と事実上同一であ
る。
【００３５】 増幅器チェーンから第２の電力レベルが必要な場合、ドライバ増幅器２２０お
よびバンドパスフィルタ２３０がバイパスされるようにスイッチ２７２および２
７４がセットされる。この中位の第２の電力状態では、ドライバ増幅器２２０は
シャットオフされ、第２のバイアス電流が高出力増幅器２４０に供給される。
【００３６】 バンドパスフィルタ２３０を使用して電話受信帯域に現れる信号を拒絶する。
送信パス中に存在する受信帯域信号は受信パスから流出する信号の結果である。
バンドパスフィルタ２３０を使用して受信パスから送信出力への増加したアイソ
レーションをもたらす。スプリアス受信パス信号は送信パス中の高レベルの利得
に対してのみ送信パス雑音フロアーより上である。したがって、好ましい実施形
態では、バンドパスフィルタ２３０はドライバ増幅器２２０とともにバイパスさ
れる。バンドパスフィルタ２３０をバイパスすることにより、構成要素がバイパ
スされるときに、フィルタ処理に関係する挿入損失を除去することができる。代
わりに、バンドパスフィルタ２３０がバイパスされないように、バンドパスフィ
ルタ２３０の前に第２のスイッチ２７４を配置してもよい。
【００３７】 増幅器チェーンから第１の出力電力が必要な場合、ドライバ増幅器２２０およ
びバンドパスフィルタ２３０をバイパスするようにスイッチ２７２および２７４
がセットされる。高出力増幅器２４０には第１のバイアス電流が供給される。
【００３８】 図３に示されている増幅器構成の１つの特定な構成では、第３の出力状態は＋
１６ｄＢｍよりの上の出力電力として規定される。第３の出力状態では、ドライ
バ増幅器２２０はアクティブであり、信号パスに含まれている。高出力増幅器２
４０は１５０ｍＡの電流でバイアスされている。増幅器チェーンは、高出力状態
で動作しているときに４４０ｍＡの最大値を消費する。第２の電力状態は中位の
電力状態であり、＋８ｄＢｍから＋１６ｄＢｍの出力電力レベルとして規定され
ている。第２の電力状態では、ドライバ増幅器２２０はバイパスされ、高出力増
幅器２４０に対するバイアス電流は８０ｍＡに減少される。増幅器チェーンは、
第２の電力状態で動作しているときに１４０ｍＡの最大値を消費する。第１の電
力状態は＋８ｄＢｍより下の出力電力レベルとして規定されている。第１の電力
状態では、ドライバ増幅器２２０はバイパスされ、高出力増幅器２４０に対する
バイアス電流はさらに４０ｍＡに減少される。増幅器チェーンは低電力状態で動
作しているときに６４ｍＡの最大値を消費する。
【００３９】 ２つのＲＦスイッチ２７２および２７４はＰＩＮダイオードスイッチまたはＦ
ＥＴスイッチのようなアクティブスイッチとして構成される。メカニカルスイッ
チを使用することができるが、メカニカルスイッチに関して信頼性およびスイッ
チ時間の問題が存在し、この問題はこの応用に対してメカニカルスイッチを望ま
しくないものにする。
【００４０】 電力を消費する２つのアクティブスイッチ２７２および２７４を含めることが
ＲＦ増幅器１２０に電力節約をもたらすということは、逆説的な結果である。電
力節約の源は、より大きな条件に対して電力節約状態において図３の改良された
ＲＦ増幅器を動作させる能力によるところが大きい。電力節約の源は２つのＲＦ
増幅器設計を比較することによりさらによく説明することができる。
【００４１】 図２および図３の増幅器構成に対する高出力状態は機能的に同一である。両増
幅器は＋１６ｄＢｍより上の出力電力レベルとして高出力状態を規定する。ＲＦ
送信信号は増幅器チェーン中のすべての構成要素を通してルーティングされ、増
幅器に対するバイアスレベルは同一である。
【００４２】 ２つのＲＦ増幅器構成の中位電力状態は、カバーされているＲＦ出力電力レン
ジにおいて、そして増幅器電力消費において異なる。図２の設計は−４ｄＢｍか
ら＋１６ｄＢｍのＲＦ出力レンジに対する中位電力状態を規定している。図３の
増幅器設計は＋８ｄＢｍから＋１６ｄＢｍのＲＦ出力レンジに対する中位（第２
の）電力状態を規定している。両方の増幅器設計は高出力増幅器２４０上のバイ
アス電流を減少させるが、図３の設計はドライバ増幅器２２０を付加的にバイパ
スし、それをシャットオフさせる。これは、中位電力状態で動作している２つの
増幅器間で４０ｍＡの電流差となる。
【００４３】 ２つの増幅器設計間の主な相違は低電力状態である。これは第１の出力電力レ
ンジにおける出力電力として規定される。図２の増幅器構成は−４ｄＢｍより下
のＲＦ出力電力に対する低電力状態を規定する一方、図３の増幅器設計は＋８ｄ
Ｂｍより下のＲＦ出力電力に対する低電力状態を規定する。図２の増幅器設計は
ドライバ増幅器２２０をシャットダウンさせるが、高出力増幅器２４０に対する
バイアス電流をさらに減少させない。図２の設計は、ドライバ増幅器２２０がタ
ーンオフされるときのドライバ増幅器２２０による寄与の信号減衰に基づく、高
出力増幅器２４０に対する２つのバイアス電流レベルを利用できるだけである。
したがって、ドライバ増幅器２２０は任意の信号利得を提供しないだけでなく、
ドライバ増幅器２２０は減衰器として機能する。高出力増幅器２４０に対するバ
イアス電流は中間バイアスより下に減少させることができない。その理由は高出
力増幅器２４０の利得は、ドライバ増幅器２２０をシャットダウンさせたことに
よる信号利得の変化を補償することができないレベルに落ちるからである。これ
に対して、図３の増幅器設計は低電力状態において高出力増幅器２４０へのバイ
アス電流をさらに減少させる。これは２つの増幅器設計間で電力消費が１８ｍＡ
差となる。ドライバ増幅器２２０はシャットオフされるときにバイパスされるこ
とから、付加的な信号損失を被らない。したがって、増幅器チェーンは高出力増
幅器２４０中の利得減少に容易に適合することができる。ドライバ増幅器２２０
をスイッチングオフさせることに関係する信号損失がないことから、低電力状態
はさらに高い出力電力レベルで動作することができる。低電力状態の増加した動
作レンジは、ＲＦ増幅器１２０がさらに高い電力状態の１つで動作しなければな
らない時間を最小にすることにより、さらに電力を節約する。
【００４４】 新しいＲＦ増幅器設計を使用して減少した電力消費をテストするために２つの
電話機が構成された。２つの電話機は同一であるが、ＲＦ増幅器は例外である。
２つの増幅器設計の性能はＣＤＭＡ開発グループにより指定された通話モデルを
使用して比較された。結果は、都市通話モデルと郊外通話モデルの両方に対して
新しい設計で約７％の総電話電流消費の減少となった。これは約８％の増加した
通話時間に変換できる。２つの電話機における唯一の相違はＲＦ増幅器であった
ことから、ＲＦ増幅器の電流消費のみを比較したときに、パーセンテージの改善
は非常に大きい。しかしながら、ユーザは総電力消費におけるパーセンテージ改
善のみに気付く。したがって、総電流消費における改善および通話時間における
対応する改善のみが提供される。
【００４５】 増加した通話時間は図３の増幅器構成における唯一の利点ではない。高出力増
幅器２４０に対して利用可能な３つのバイアス電流レベルが存在することになる
。各バイアス電流が調整されて、バイアス電流レベルの動作レンジに対して要求
される増幅器の線形性が達成される。ドライバ増幅器２２０ステージをバイパス
させるとともに３つのバイアス電流レベルを使用すると、高出力増幅器２４０上
の線形要求が緩和される。これはさらに一般的な低費用増幅器を高出力増幅器２
４０に対して使用できるようにする。
【００４６】 したがって、ドライバ増幅器２２０をバイパスさせるＲＦスイッチ２７２およ
び２７４のＲＦ増幅器チェーンへの付加は、電話機の通話時間を延長する一方、
同時に電話機費用を減少させる。
【００４７】 好ましい実施形態の先の説明は当業者が本発明を作りまたは利用できるように
提供されている。これらの実施形態に対するさまざまな変更は当業者に容易に明
らかになり、ここに規定されている一般的な原理を、発明能力を使用することな
く他の実施形態に適用してもよい。したがって、本発明はここに示されている実
施形態に制限されず、それどころかここに開示されている原理および新規な特徴
に矛盾しない最も広い範囲にしたがうべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１はワイヤレス電話送信機信号パスのブロック図である。
【図２】 図２はＲＦ増幅器構成のブロック図である。
【図３】 図３はＲＦ増幅器構成のブロック図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＢＺ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ， ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，Ｋ Ｅ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ， ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，Ｒ Ｕ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ， ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 ペン、ヨンシェン アメリカ合衆国、カリフォルニア州 92129 サン・ディエゴ、オビエド・スト リート 9638 Ｆターム(参考） 5J091 AA01 AA41 AA51 AA63 CA21 CA36 FA18 HA38 KA12 KA44 SA14 TA01 5J092 AA01 AA41 AA51 AA63 CA21 CA36 FA18 GR09 HA38 KA12 KA44 SA14 TA01 5K060 CC11 CC12 HH04 HH05 HH06 HH11 HH39 JJ08 JJ23 LL01 LL11

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プリドライバ増幅器と、 ドライバ増幅器と、 ドライバ増幅器の出力に接続された入力を持つバンドパスフィルタと、 高出力増幅器と、 プリドライバ増幅器の出力に接続された入力を持ち、第１のスイッチ出力がド
    ライバ増幅器の入力に接続された第１のＲＦスイッチと、 高出力増幅器の入力に接続された出力を持ち、第１の入力がバンドパスフィル
    タの出力に接続され、第２の入力が第１のＲＦスイッチの第２の出力に接続され
    た第２のＲＦスイッチとを具備し、 ドライバ増幅器とバンドパスフィルタをスイッチ可能にバイパスすることがで
    きるワイヤレス電話機用のＲＦ増幅器。
  2. 【請求項２】 データ制御ビットを入力し、第１および第２のＲＦスイッチ
    位置を制御する対応した出力信号を提供する電力制御論理回路をさらに具備する
    請求項１記載のＲＦ増幅器。
  3. 【請求項３】 電力制御論理回路は高出力増幅器のバイアス電流を制御する
    情報も出力する請求項２記載のＲＦ増幅器。
  4. 【請求項４】 電力制御論理回路はドライバ増幅器をＯＮまたはＯＦＦ状態
    に制御する信号も出力する請求項３記載のＲＦ増幅器。
  5. 【請求項５】 電力制御論理回路は、ＲＦスイッチがプリドライバ増幅器を
    ドライバ増幅器にそしてバンドパスフィルタを高出力増幅器に接続するように位
    置されるときにドライバ増幅器をＯＮ状態に制御する請求項４記載のＲＦ増幅器
    。
  6. 【請求項６】 電力制御論理回路は、ＲＦスイッチがプリドライバ増幅器を
    ドライバ増幅器にそしてバンドパスフィルタを高出力増幅器に接続するように位
    置されるときに、高出力増幅器へのバイアス電流を予め定められた高レベルに制
    御する情報を出力する請求項５記載のＲＦ増幅器。
  7. 【請求項７】 電力制御論理回路は、ＲＦスイッチがドライバ増幅器とバン
    ドパスフィルタとをバイパスするように位置されるときにドライバ増幅器をＯＦ
    Ｆ状態に制御する請求項４記載のＲＦ増幅器。
  8. 【請求項８】 プリドライバ増幅器、ドライバ増幅器、および高出力増幅器
    を含む３ステージ増幅器を提供し、 複数の可能性ある電力制御状態の１つを増幅器上の電力制御論理に入力し、 入力された電力制御状態にしたがって３ステージ増幅器を通る信号パスを構成
    することを含むワイヤレス電話機におけるＲＦ増幅のための方法。
  9. 【請求項９】 入力された電力制御状態にしたがってドライバ増幅器をＯＮ
    またはＯＦＦ状態に構成し、 電力制御状態にしたがって高出力増幅器に供給されるバイアス電流を構成する
    ステップをさらに含む請求項８記載の方法。
  10. 【請求項１０】 高出力増幅器に供給されるバイアス電流は、電力制御状態
    が第１の電力制御状態であるときの第１のバイアス電流である請求項９記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】 高出力増幅器に供給されるバイアス電流は、電力制御状態
    が第２の電力制御状態であるときに、第１のバイアス電流よりも大きい第２のバ
    イアス電流であり、第２の電力制御状態は、第１の電力制御状態における増幅器
    出力電力よりも大きい増幅器出力電力のレンジとして規定される請求項９記載の
    方法。
  12. 【請求項１２】 高出力増幅器に供給されるバイアス電流は、電力制御状態
    が第３の電力制御状態であるときに、第１または第２のバイアス電流のいずれよ
    りも大きい第３のバイアス電流であり、第３の電力制御状態は、第１または第２
    の電力制御状態における増幅器出力電力よりも大きい増幅器出力電力のレンジと
    して規定される請求項９記載の方法。
  13. 【請求項１３】 電力制御状態が第１の電力制御状態または第２の電力制御
    状態であるときに、信号パスはプリドライバ増幅器から高出力増幅器に流れるよ
    うに構成され、ドライバ増幅器をバイパスし、第２の電力制御状態は第１の電力
    制御状態における増幅器出力電力よりも大きい増幅器出力電力のレンジとして規
    定される請求項８記載の方法。
  14. 【請求項１４】 ドライバ増幅器は、入力された電力制御状態が第１の電力
    制御状態または第２の電力制御状態であるときにＯＦＦ状態に構成される請求項
    １３記載の方法。
  15. 【請求項１５】 入力された電力制御状態が第３の電力制御状態であるとき
    に、信号パスはプリドライバ増幅器からドライバ増幅器に、そして高出力増幅器
    に流れるよう構成され、第３の電力制御状態は第１の電力制御状態または第２の
    電力制御状態における増幅器出力電力よりも大きい増幅器出力電力のレンジとし
    て規定される請求項８記載の方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008078468A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Panasonic Corporation 送信装置及び通信装置
JP2010068283A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Ntt Docomo Inc 送信回路
JP2011530241A (ja) * 2008-08-01 2011-12-15 クゥアルコム・インコーポレイテッド マルチモード構成可能な送信機回路
JP2012507885A (ja) * 2008-05-30 2012-03-29 クゥアルコム・インコーポレイテッド 減少された電力消費送信機
JP2020195061A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 増幅装置及び方法
US10879861B2 (en) 2019-03-06 2020-12-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bias circuit and amplifying device with bias compensation function

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6625238B2 (en) * 2000-03-29 2003-09-23 Sony Corporation Low power and high linearity receivers with reactively biased front ends
US6668028B1 (en) * 2000-03-29 2003-12-23 Sony Corporation Low-power CDMA receiver
GB0015223D0 (en) * 2000-06-21 2000-08-16 Central Research Lab Ltd A radio frequency (RF) transceiver
FI114261B (fi) * 2000-09-12 2004-09-15 Nokia Corp Lähetin ja langaton viestintälaite
KR20020062409A (ko) * 2001-01-20 2002-07-26 삼성전자 주식회사 듀얼모드 휴대용 무선 단말기의 전력증폭기 효율 개선 회로
DE10133862A1 (de) * 2001-07-12 2003-02-06 Kathrein Werke Kg Verstärkerumschaltung
US7061993B2 (en) * 2001-08-29 2006-06-13 Sony Corporation CDMA receiver architecture for lower bypass switch point
KR20030031377A (ko) * 2001-10-15 2003-04-21 삼성전자주식회사 이동통신 단말장치 수신기
US6687491B2 (en) * 2002-01-18 2004-02-03 Sony Corporation Direct conversion of low power high linearity receiver
FR2836765B1 (fr) * 2002-03-01 2004-07-09 Centre Nat Rech Scient Circuit superheterodyne a filtre passe-bande de selection de canal
JP4044054B2 (ja) * 2002-04-11 2008-02-06 三菱電機株式会社 通信装置
US7043236B2 (en) * 2002-05-31 2006-05-09 Pct Technologies, Inc. RF detection and switching system and method
US7116946B2 (en) * 2002-10-28 2006-10-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transmitter
US8428181B2 (en) * 2002-12-02 2013-04-23 Research In Motion Limited Method and apparatus for optimizing transmitter power efficiency
KR100556909B1 (ko) * 2003-11-07 2006-03-03 엘지전자 주식회사 휴대폰의 파워앰프모듈 전원회로
US7333563B2 (en) 2004-02-20 2008-02-19 Research In Motion Limited Method and apparatus for improving power amplifier efficiency in wireless communication systems having high peak to average power ratios
US7308042B2 (en) * 2004-02-27 2007-12-11 Research In Motion Limited Method and apparatus for optimizing transmitter power efficiency
US7379714B2 (en) * 2004-04-02 2008-05-27 Interdigital Technology Corporation Method and apparatus for dynamically adjusting a transmitter's impedance
WO2005099399A2 (en) 2004-04-09 2005-10-27 Micronas Semiconductors, Inc. Apparatus for and method of controlling sampling frequency and sampling phase of a sampling device
US7995648B2 (en) * 2004-04-09 2011-08-09 Trident Microsystems (Far East) Ltd. Advanced digital receiver
US6975172B2 (en) * 2004-05-03 2005-12-13 Peavey Electronics Corporation Smart voltage rail reduction audio amplifier
WO2006020950A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-23 Micronas Semiconductors, Inc. Automatic gain control unit of a receiver
KR100710064B1 (ko) * 2004-08-23 2007-04-23 주식회사 팬택 이동 단말기의 송신 고전력 검출부 제어 시스템 및 그 방법
CN101299614B (zh) * 2004-09-07 2011-07-20 华为技术有限公司 一种延长工作时间的手持设备及实现方法
CN100407582C (zh) * 2004-09-07 2008-07-30 华为技术有限公司 一种延长工作时间的手持设备及实现方法
CN101120265B (zh) * 2004-12-27 2012-08-08 意大利电信股份公司 用于在无线通信网络中定位移动终端的混合定位方法和系统
KR100728293B1 (ko) * 2005-10-05 2007-06-13 삼성전자주식회사 감쇠 기능을 갖는 튜너 및 그 제어방법
BRPI0702896A2 (pt) * 2006-06-14 2011-03-15 Res In Motoion Ltd controle de acionamento de entrada para módulos de amplificador de energia regulados por comutador
US8761305B2 (en) 2006-06-14 2014-06-24 Blackberry Limited Input drive control for switcher regulated power amplifier modules
EP2027651B1 (en) 2006-06-14 2012-12-05 Research In Motion Limited Improved control of switcher regulated power amplifier modules
US8031651B2 (en) * 2006-09-29 2011-10-04 Broadcom Corporation Method and system for minimizing power consumption in a communication system
US20080111623A1 (en) * 2006-11-15 2008-05-15 Microtune (Texas), L.P. Input signal power control
KR100849972B1 (ko) * 2007-01-25 2008-08-01 삼성전자주식회사 Ｒｆ 필터, 이를 이용한 디지털 방송 수신 튜너 및 ｒｆ신호 처리 장치
KR100884358B1 (ko) * 2007-08-06 2009-02-17 광운대학교 산학협력단 결합 선로를 이용한 고효율 전력 증폭기 시스템
US8090334B1 (en) * 2007-09-11 2012-01-03 Marvell International Ltd. High accuracy programmable gain amplifier
US8255009B2 (en) 2008-04-25 2012-08-28 Apple Inc. Radio frequency communications circuitry with power supply voltage and gain control
US7768353B2 (en) * 2008-06-13 2010-08-03 Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. Systems and methods for switching mode power amplifier control
JP5255986B2 (ja) * 2008-10-20 2013-08-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターンドメディアの検査方法及び検査装置
US8331883B2 (en) * 2008-10-30 2012-12-11 Apple Inc. Electronic devices with calibrated radio frequency communications circuitry
US8116703B2 (en) 2008-12-08 2012-02-14 Apple Inc. Wireless transmitter calibration using device receiver
US8165642B2 (en) 2009-05-13 2012-04-24 Apple Inc. Electronic device with data-rate-dependent power amplifier bias
US8620238B2 (en) 2010-07-23 2013-12-31 Blackberry Limited Method of power amplifier switching power control using post power amplifier power detection
US8913970B2 (en) 2010-09-21 2014-12-16 Apple Inc. Wireless transceiver with amplifier bias adjusted based on modulation scheme
US8738066B2 (en) 2010-10-07 2014-05-27 Apple Inc. Wireless transceiver with amplifier bias adjusted based on modulation scheme and transmit power feedback
US8666338B2 (en) * 2012-01-23 2014-03-04 Qualcomm Incorporated Multi-mode bypass driver amplifier with tunable load matching
US9130535B2 (en) 2012-12-20 2015-09-08 Qualcomm Incorporated Driver amplifier with asymmetrical T-coil matching network
EP4246768A3 (en) * 2016-11-15 2023-11-01 Wilson Electronics, LLC Desktop signal booster
JP2018181943A (ja) 2017-04-05 2018-11-15 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール
JP2020202528A (ja) 2019-06-13 2020-12-17 株式会社村田製作所 高周波回路および通信装置
CN114244378B (zh) * 2021-12-13 2023-05-16 遨海科技有限公司 一种可动态输出功率的vdes发射机

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2282291B (en) 1989-10-16 1995-08-09 Int Standard Electric Corp Amplifier circuit
US5530923A (en) * 1994-03-30 1996-06-25 Nokia Mobile Phones Ltd. Dual mode transmission system with switched linear amplifier
US5661434A (en) * 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
JPH09148852A (ja) * 1995-11-24 1997-06-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信出力可変装置
DE69942964D1 (de) 1998-02-19 2011-01-05 Nippon Telegraph & Telephone Verstärker zur radioübertragung

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008078468A1 (ja) * 2006-12-26 2008-07-03 Panasonic Corporation 送信装置及び通信装置
JPWO2008078468A1 (ja) * 2006-12-26 2010-04-15 パナソニック株式会社 送信装置及び通信装置
US7822393B2 (en) 2006-12-26 2010-10-26 Panasonic Corporation Transmission apparatus and communication apparatus
JP2012507885A (ja) * 2008-05-30 2012-03-29 クゥアルコム・インコーポレイテッド 減少された電力消費送信機
US8618876B2 (en) 2008-05-30 2013-12-31 Qualcomm Incorporated Reduced power-consumption transmitters
JP2011530241A (ja) * 2008-08-01 2011-12-15 クゥアルコム・インコーポレイテッド マルチモード構成可能な送信機回路
JP2014003626A (ja) * 2008-08-01 2014-01-09 Qualcomm Incorporated マルチモード構成可能な送信機回路
JP2010068283A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Ntt Docomo Inc 送信回路
US10879861B2 (en) 2019-03-06 2020-12-29 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bias circuit and amplifying device with bias compensation function
JP2020195061A (ja) * 2019-05-28 2020-12-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 増幅装置及び方法
JP7366589B2 (ja) 2019-05-28 2023-10-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 増幅装置及び方法

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