JP2003507918A - 電荷ポンプ - Google Patents

電荷ポンプ

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    • HELECTRICITY
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    • H03D13/003Circuits for comparing the phase or frequency of two mutually-independent oscillations in which both oscillations are converted by logic means into pulses which are applied to filtering or integrating means
    • H03D13/004Circuits for comparing the phase or frequency of two mutually-independent oscillations in which both oscillations are converted by logic means into pulses which are applied to filtering or integrating means the logic means delivering pulses at more than one terminal, e.g. up and down pulses

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  • Power Engineering (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 追加基準ステージ(6)を有する電荷ポンプの回路配置であって、分岐(1、2)の出力ステージ(5)は、少なくとも出力側においてトランジスタ(mn2、mp2)が接続されている限り複製され、それによって、故障電流(i−fault)を複製する等価な対称電流(i−sym)が、第2分岐(2)を調整する手段(7)を制御する基準ステージ(6)で生成される。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、入力側、出力側を有し、ソース電流を生成するソースパスとシンク
電流を生成するシンクパスとが接続されている少なくとも1つのカレントミラー
(Stromspiegel)およびトランジスタを有し、少なくとも1つのパスは、入力側
トランジスタを備え、かつ、両パスは出力ステージを備え、各々は、少なくとも
1つの出力トランジスタおよび回路トランジスタを備えるとともに、第1パスは
、基準電流によって制御される電荷ポンプ(Ladungspumpe)の回路配置であって
、さらに、基準ステージ(Regelstufe)を備え、この基準ステージでは、少なく
とも出力側トランジスタにおいてパスの出力ステージがシミュレートされ、故障
電流を複製する等価な対称電流を基準ステージにおいて生成し、第2パスを調整
する手段を制御することを特徴とする回路配置に関する。
【0001】 位相ロックループ(PLL)を使用する場合、その目的は、発振器VCOにお
いて別の非常に正確で安定した周波数FVCOを生成する非常に正確な基準周波数
を使用することである。この周波数FVCOは、オリジナルの基準周波数とは異な
っていてもよい。PLLのような例示の回路を図5に示す(後述する)。(通常
)水晶固有周波数Fqは、周波数分割器Rを用いて必要な基準周波数Frefになる
まで分割される。同時に、電圧制御発振器VCOの出力周波数FVCOは、さらな
る分割器Nを用いて周波数FVCO/Nになるまで分割される。これら2つの分割
された周波数FrefおよびFVCO/Nは、位相(−周波数)検出器PDに供給され
、それらの相対周波数を与えるために比較される、すなわち、互いに相対的に周
波数変換される。位相検出器PDの出力は、2つのパルス幅を調整されたパルス
列UPおよびDOWNを生成し、これらのパルス幅はその入力における周波数間
の位相差に対して一定の関係を有する。
【0002】 周波数FVCO/NがFrefと比較して高い場合、言いかえれば、周波数FVCO
Nの位相がFrefの位相より進んでいる場合、位相検出器は、UP出力よりも長
いためDOWN出力に切り替わる。反対でも同様に、周波数FVCO/Nの位相が
refと比較して弱い場合、位相検出器はDOWN出力よりも長いためUP出力
に切り替わる。位相検出器における2つの入力周波数FrefおよびFVCO/Nの位
相が正確に同じである場合、正確に同じ長さであるかないかのいずれかのパルス
を、UPおよびDOWN出力における位相検出器の2つの出力に出力され得る。
正確に同じ長さのパルスが出力される場合、基準は、「アンチバックラッシュパ
ルス」(ABLパルス)になる。位相が一致する場合にこれらのパルスが生成さ
れることは、位相が同じである場合に2つの出力とも開かれない回路より、動的
であるという点において、より利点がある。
【0003】 UPおよびDOWNパルス列は、電荷ポンプCPを作動させ、その電荷ポンプ
の出力に、接続されているループフィルタLFが積算器のように作用する。この
ループフィルタLFは、アクティブフィルタであってよく、好ましくは、位相ル
ックループにおけるパッシブフィルタである。
【0004】 UP列におけるパルスは電荷ポンプを誘導してループフィルタLFに規定され
た大きさの電流を供給するので、ループフィルタにおける電圧VLFはループフィ
ルタに移動された電荷量の結果としてのUPパルスの存続期間(duration)にわ
たって生じる。この動作は、「ソーシング(sourcing)」と呼ばれ、ソースパス
によって電荷ポンプにもたらされる。
【0005】 DOWN列におけるパルスは、ループフィルタLFから電流を引くので、電圧
はパルスの存続期間を下げる傾向がある。この動作は、「シンキング(sinking
)」と呼ばれ、電荷ポンプにおけるシンクパスによってもたらされる。
【0006】 従って、ループフィルタにおける平均電圧変化は、等しい大きさの電流につい
て、お互いに対するUPおよびDOWNパルスの相対存続期間のみによって、決
定される。位相検出器における2つの入力周波数FrefおよびFVCO/Nの位相が
正確に同じである場合、すなわち、アンチバックラッシュパルスが生じる場合、
ループフィルタの総電流がゼロに等しく、また総電荷量がループフィルタにまた
はループフィルタから移動されないので、ループフィルタLFにおける電圧は、
理想的には変化すべきでない。
【0007】 出力VlfにてループフィルタLFに確立された電圧v−tuneは、発振器V
COについての制御電圧として使用されると、周波数FVCOまたはその位相は、
接続された制御ループによって水晶発振器Qの位相に結合される。あるいは、分
割器Nの分割率は、発振器周波数FVCOを広範囲にわたって調節させる。
【0008】 しかしながら、このため、この内容において注意すべきことは、広範囲にわた
ってループフィルタLFの出力Vlfでの電圧v−tuneを同じにする発振器の
ために、制御電圧を変化させ、所望の周波数にて電圧が制御された発振器VCO
を維持する必要があることである。理想的には、使用される電圧範囲がゼロ電位
に接近するおよび供給電圧に接近することが必要であることを意味する。蓄電池
適用可能性から供給電圧が3ボルトの領域にあるので、特に携帯用途において重
要である。また、ソースおよびシンク電流の大きさについてこの内容において重
要なことは、同じレベルにて維持すべきであるというである。なぜなら、位相ロ
ックループが固定されているのが、ABLパルスが移動された正味の電荷でなく
、離調されない発振器VCOである間のみであるからである。
【0009】 電荷ポンプのための従来技術で公知の回路配置において、図1に例示として示
されるように、電荷ポンプは、接続されたカレントミラー(Stromsdpiegel)を
生成するPMOSトランジスタmp1、mp2、mp3、mp4を備えるソース
パスを有する。上記カレントミラーは、規定されたミラー率nによって電流i−
ref−sourceを増加させ、UP制御シグナルがロジックLOW電位を有
するとすぐに電圧v−tuneで電源VDDから出力接続Pdoutに電流を供
給する。UP制御入力は適用された位相検出器PDの逆転したUPシグナルを有
する。
【0010】 さらに、この公知の電荷ポンプは、ソースパスに関して鏡像形態に配置された
シンクパスを備え、その機能に沿って、DOWN制御接続においてロジックHI
GH電位の間、接地VSSの方向に出力接続Pdoutから離れる規定されたミ
ラー率nによって増幅された電流i−ref−sinkを導くNMOSトランジ
スタmn1、mn2、mn3、mn4を備えている。
【0011】 この回路配置において、ソースパスにおけるミラー領域およびシンクパスにお
けるミラー領域が、特定の操作温度においておよび技術パラメータの特定の環境
について(例えば、トランジスタの出力インピーダンス、閾値電圧VTまたはマ
ッチング)、出力Pdoutにおける単一電圧v−tuneでのみ正確に対称に
焼成され得るという問題が生じる。MOSトランジスタにおけるチャネル長調整
、技術的変化(例えば、マッチング)および電気的構成の温度応答は、電流i−
sourseおよびi−sinkが他の全ての電圧v−tuneにて対称である
ことを意味する。従って、例えば、トランジスタ出力インピーダンスは、電圧v
−tuneが上昇するために、シンク電流の大きさがより大きくなり、そしてソ
ース電流の大きさがより小さくなることを意味し、それに反して電圧v−tun
eが下がることにより、ソース電流i−sourceがより大きくなりそしてシ
ンク電流i−sinkがより小さくなる。
【0012】 VDDまたはGndに接近しているv−tune値について、出力トランジス
タmp1およびトランジスタmn1は、さらに、(低い)飽和領域においてもは
や作動されない。これは、続いて起こるソース電流およびシンク電流における顕
著な減少を意味する。
【0013】 実用的な実施において、例示として、これは、ソース電流i−sourceが
電圧値VDD−0.4Vから前進して劇的に減少し、v−tune=VDDの場
合最終的に0であることを意味する。シンク電流i−sinkについても同様に
、シンク電流i−sinkは、約0.4Vから前進して劇的に減少し、同様に最
終的に電圧v−tune=0Vにおいて0になる。実際には、これは、ソースセ
クションとシンクセクションが同時に動作するとき、故障電流「i−fault
」がソースパスとシンクパスとの間に生成することを意味する。従って、この故
障電流は、電源の上限および下限にて、極度に上昇し、およびv−tune=V
DDのとき、ソース電流i−sourceが0に等しくなるので故障電流がシン
ク電流i−sinkと等しくなり、そして、逆に、シンク電流i−sinkが0
に等しくなるので電圧c−tune=0にて、故障電流が、ソース電流i−so
urceに等しくなる。従って、これは、VSSに接近したまたはVDDに接近
した電圧範囲v−tuneにおいて、シンク側のシンク電流i−sinkおよび
ソース側のソース電流i−sourceの対称性が非常に阻害されることを意味
する。
【0014】 上記で要約された対称性の問題を有する回路配置からの応答は、チューニング
電圧v−tuneについて使用され得る範囲が平均理想値周辺の値の比較的狭い
範囲に限定されることを意味する。
【0015】 PLLループにおいて電荷ポンプを使用することに関して、これは、ABLパ
ルスが単一の電位v−tuneにおいてのみループフィルタに故障電流i−fa
ultを供給しないことを意味する。他の全ての電圧、従って他の組の発振器周
波数FVCOにおいて、ループフィルタにおける平均電圧は、ABLパルスが歪ん
でいるとしても各PLLパスに対して一定に維持され得る、すなわち、ポンプに
おけるソースセクションまたはシンクセクションのいずれかが幾分長いために切
り替えられる。そのときのみ、基準サイクルにおけるループフィルタに移動され
た平均総電荷をゼロになる可能性がある。
【0016】 そして、実際には非対称であるABLパルスは、出力Pdoutにおける電圧
v−tune(ループフィルタ電圧)において一時的な周期成分を調整し、次い
で、この成分はその定格周波数だけでなく主周波数からの差Frefでの他の二次
周波数も誘発する。これらの二次周波数(誘発)は、望まれない。
【0017】 従って、本発明の目的は、ソースパスおよびシンクパスにおけるミラー領域が
、出力電圧の広い範囲および広い動作温度範囲にわたって、できるだけ対称であ
り、電荷ポンプのための回路配置を見出すことである。
【0018】 本発明者らは、以下のように実現している。
【0019】 公知の回路配置において、ソース電流およびシンク電流は、2つの基準電流i
−ref−sourceおよびi−ref−sinkを生成し、そして電荷ポン
プの出力ステージにそれを供給することによって生成される。これらの電流は、
組にされているミラー因子nを用いて、i−source=n×i−ref−s
ourceおよびi−sink=n×i−ref−sinkによって変換される
。この場合、状態|i−souece|=|i−sink|を有する出力電流の
対称化は、最初に基準電流i−ref−sourceおよびi−ref−sin
kを用いて、および/またはmp3およびmp4に比例するソースパスmp1お
よびmp2についての、ならびにmn3およびmn4に比例するソースパスmn
1およびmn2についてのミラー因子を用いて達成される。最適に対して変更さ
れた動作状態の結果としてのトランジスタの特性の変更は、この場合に対称化に
おける反対の影響を非常に容易に与え得る。
【0020】 本発明は、基準電流の対称性における不確定さを、2つの基準電流だけでなく
単一の基準電流でも生成することによって防止し、基準電流はソースパスに対し
て基準パスmp3およびmp4、あるいはシンクパスに対して基準パスmn3お
よびmn4のいずれかに供給される。従って、さらに、正確に電荷ポンプの出力
ステージをシミュレートする基準回路を追加することができ、その結果、故障電
流i−faultをシミュレートする対称電流i−symが生成される。この場
合、さらなる測定で乱れないようにチューニング電圧はできるだけ小さく負荷す
る必要がある。次いで、対称電流i−symが測定される。固定された基準電流
(ソースまたはシンク)に所属されないポンプセクションは再調整され、ゼロの
対称電流i−symが生成される。調整は、出力ステージまたは基準回路におい
てフリーパスのゲート電圧を用いてもたらされる。異なる実施形態において、同
様に出力ステージパスをシミュレートする基準パスに含まれるスイッチングトラ
ンジスタmn2aおよびmp2aは、省かれるか、内部に移動されるか、または
例えば図4に示されるように、外部に組み込まれるかのいずれかである。0に調
整された対称電流i−symはまた、出力ステージおよび基準回路が同じ条件で
動作するので、0の故障電流i−foultを生じる。
【0021】 従って、従来技術における開ループ制御の原理は、閉じられたループ制御によ
って置きかえられる。そして、達成され得る対称性は、周囲の影響および技術の
変動から独立しており、従来技術より大きな水準で向上しており、さらに電流の
対称性が維持されている間電圧v−tuneについての制御範囲が顕著に拡大し
ている。
【0022】 この本発明の概念に沿って、本発明者らは、入力側、出力側を有し、ソース電
流を生成するソースパスとシンク電流を生成するシンクパスとが接続されている
少なくとも1つのカレントミラーおよびトランジスタを有する電荷ポンプの回路
配置であって、少なくとも1つのパスは、入力側トランジスタを備え、かつ、両
パスは出力ステージを備え、各々は、少なくとも1つの出力トランジスタおよび
回路トランジスタを備えるとともに、第1パスは、基準電流によって制御され、
さらに、基準ステージを備え、この基準ステージでは、少なくとも出力側トラン
ジスタにおいてパスの出力ステージがシミュレートされ、故障電流を複製する等
価な対称電流を基準ステージにおいて生成し、第2パスを調整する手段を制御す
る回路配置の開発を提案する。
【0023】 本発明の内容において、シミュレーションは、出力ステージにおいて比較され
るように、全ての〔間隙〕トランジスタ幅が同じ因子によって広げられたかある
いは縮小されたトランジスタを備える、複製または位相的に理想的な回路のいず
れかを意味する。このことは、電荷ポンプの出力ステージに影響を与えることな
く、出力ステージ間で、故障電流i−faultを複製する、対称電流i−sy
mを生成可能にし、この対称電流は、第2パスを調整するための手段を制御する
ことができ、したがって、故障電流を防止するための制御ループを構築する。こ
こでは、閉じられたループ制御が実現されているので、電流の対称性をもたらす
、電荷ポンプにおける電子成分の温度の影響、および他の変化可能なおよび不利
な特性がまた、自動的に補正される。
【0024】 本発明の概念に沿って、第2パスを調整するための手段は、少なくとも1つの
演算増幅器OP2を備え、それには印加された故障電流に比例する電圧の差を入
力し、その出力は第2パスに影響するために使用される。
【0025】 本発明の回路配置における他の改良点には、さらに、第2パスを調整するため
の手段は、バッファ増幅器を備え、好ましくは、演算増幅器が故障電流をシミュ
レートするための電圧従動部として接続されていることが好ましい。これは、出
力Pdoutにおいて電圧v−tuneがほとんど負荷されていないままであり
、コピーされ、および対称電流i−symによって故障電流i−faultをシ
ミュレーションする補助的な手段としての制御ステージに適用可能であることを
意味する。さらに、ループフィルタは、特に、電荷ポンプが位相ロックループに
おいて使用される場合に出力ステージと基準回路との間に備えることができる。
【0026】 他の本発明の回路配置の発展によれば、供給は、バッファ増幅器または電圧従
動部として接続された演算増幅器の入力で減衰要素τである第2回路を調整する
ために使用される手段に寄与できる。この減衰要素τは、それぞれの第2パスの
再調整の速度をセットするのに使用することができる。本発明の基本において、
減衰要素τは、抵抗器およびコンデンサを含むことができる。そのとき、この減
衰要素の時定数は、調整が十分早くなるようにセットされるが、発振器に関して
望まれない傾向が生じないようにする。これは、ループフィルタが本質的にこの
時定数を与えられている場合、ループフィルタにマッチすることが必要であるこ
とを意味する。
【0027】 本発明の基本において、第2パスはまた、使用される演算増幅器PO2が電流
出力を有する場合、入力側トランジスタを備えてもよい。さらに、回路配置は、
少なくとも2つの回路トランジスタmn2、mp2が電荷ポンプの出力と出力側
トランジスタmn1、mp1との間に配置されるように、有利に拡大してもよい
【0028】 少なくとも1つの回路トランジスタmn2、mp2はまた、少なくとも1つの
出力側トランジスタmn1、mp1が電荷ポンプの出力と回路トランジスタmn
2、mp2との間に配置されるように配置してもよい。
【0029】 さらに、回路配置の対称特性は、回路トランジスタmn2、mp2に対して対
称に配置された少なくとも1つの入力側対称トランジスタmn4、mp4が備え
られるように改良される。
【0030】 回路動作をスピードアップするために、すなわち、詳細には、高周波数PLL
のための電荷ポンプを使用するために、コンデンサC−sink、C−soue
ceが、同じパスにおいて、少なくとも1つの回路トランジスタmn2、mp2
のゲートと出力側トランジスタmn1、mp1との間に接続されていてもよい。
【0031】 他の利点は、シンクパスがソースパスに関して鏡像に設計されていることであ
る。
【0032】 ソースパスにおいて使用されるトランジスタは、PMOSトランジスタの形態
であってよく、シンクパスにおけるトランジスタは、NMOSトランジスタの形
態であってよい。
【0033】 さらに、ソースパスにおけるトランジスタがp−Jfetの形態であり、シン
クパスにおけるトランジスタがn−Jfetであることも可能である。
【0034】 電荷ポンプについての回路配置の本発明の設計は、以下の利点をもたらす。 1.出力Pdoutでの電圧v−tuneに無関係な、技術的変化(例えば、閾
値電圧、マッチング等)に無関係な、そして存在する動作温度に無関係なソース
およびシンク電流i−source、i−sinkに対する最大の対称性。 2.適用可能な電源の限界に接近するように調整される電圧v−tuneの最大
使用可能な範囲。 3.閉じられたループ制御の結果、NMOSおよびPMOSトランジスタを同じ
大きさにすることができるので、寸法が出力トランジスタの動的に対称性を最適
にするためにセットすることができ、したがって等しい大きさの寄生要素が存在
すること。 4.1つの基準電流i−refのみが必要とされるので、基準電流生成のための
回路の複雑さの顕著な減少が達成される。従って、従来技術における2つの基準
電流i−ref−sinkおよびi−ref−sourceを対称にするための
全体の複雑さもまた、排除される。
【0035】 本発明の概念に沿って、上記に例示される電荷ポンプは、好ましくは、位相ロ
ックループ(PLL)において使用され得る。このような本発明の位相ロックル
ープは、基準周波数Frefと電荷ポンプCPを制御する電圧制御された発振器V
COからの分割出力周波数FVCO/Nとの間の位相シフトを検出するための少な
くとも1つの位相検出器PDを備える制御ループを有し、続いて、ループフィル
タLFが接続されており、そしてループフィルタの出力が電圧制御された発振器
VCOを制御する。
【0036】 さらに、水晶発振器Qおよび下流の基準分割器Rが備えられており、基準周波
数Frefを生成することができる。
【0037】 上記および以下で説明する本発明の特徴は、本発明の範囲を逸脱することなく
、それぞれ提示した組み合わせだけでなく、他の組み合わせ、またはそれら自体
において使用され得ることはいうまでもない。
【0038】 本発明の他の特徴は、特許請求の範囲の変形、図面を参照する例示の実施形態
の以下の説明において見出され得る。
【0039】 本発明は、図面を参照してより詳細に以下で説明する。
【0040】 図1は、従来技術で公知の電荷ポンプを示し、 入力側入力i−ref−source、i−ref−sink、UPおよびDO
WN、ならびに電荷ポンプについての出力側出力Pdoutを有する。
【0041】 より良く理解するために、機能的領域が破線で囲まれている。
【0042】 電荷ポンプは、ソースパス1およびシンクパス2を備え、それらに関して鏡像
形態で配置されている。各パス1、2は、カレントミラー3、4を含み、これら
の各カレントミラーは入力側トランジスタmp3、mn3、および出力側トラン
ジスタmp1、mn1を備えている。出力側トランジスタmp1、mn1はUP
入力およびDOWN入力に接続されている2つの回路トランジスタmp2、mn
2によって接続され、その結果、UP入力またはDOWN入力に適用されるパル
スに沿って、電流が出力Pdoutからまたは出力Pdoutへ流れ、この電流
が電圧v−tuneを生成する。出力側トランジスタmp1、mp2、mn1、
mn2のこの群は、電荷ポンプの出力ステージを形成する。
【0043】 対称の理由のために、2つの対称なトランジスタmp4およびトランジスタm
n4は追加して設けられる。さらに、コンデンサC−sourseおよびC−s
inが回路トランジスタmp2およびmn2と、出力側トランジスタmp1およ
びmn1のゲートまたは入力i−ref−sourceまたはi−ref−si
nkとの間に、出力側トランジスタにおける切り替え動作をスピードアップする
ために接続されても良い。より明瞭にするために、これらの静電容量は、示して
いない。しかしながら、このようなコンデンサは、パワーポンプが機能できるた
めに必ずしも必要であるわけではないことを指摘する。
【0044】 さらに、電荷ポンプの出力はまた、実際にはPLLループの一部としてみなす
ことができ、そして2つのコンデンサC1、C2および抵抗器R1を備える、電
荷ポンプに接続されたループフィルタLFを有し、ポンプ出力電流に統合する。
【0045】 図2は電荷ポンプについての単純な本発明の回路配置を示し、この回路配置は
、単一の基準電流i−refのみが2つの基準電流の代わりに必要とされている
。その最も単純な形態において、電荷ポンプはまた、単一のカレントミラー3の
みを有している。このカレントミラーは、電荷ポンプのソース側に配置されてい
る。出力ステージ5は、回路トランジスタmp2およびmn2を備え、この回路
トランジスタは、出力にてトランジスタmp1およびmn1を介して電流を切り
替える。
【0046】 上記設計はまた、出力ステージ5が繰り返されている基準回路6を含む。これ
は、トランジスタmp1、mp2、mn1およびmn2が、トランジスタmp1
a、mp2a、mn1aおよびmn2aによって複製されていることを意味し、
mp1aとmp1とのゲート、mn1aとmn1とのゲートが同調されるが、一
方mp2aおよびmn2aがUPおよびDOWN入力に接続されてない。
【0047】 基準回路6と出力ステージ5との間には、バッファ増幅器PVを有する制御ス
テージ7を配置している。バッファ増幅器は出力ステージを負荷することなく基
準回路の出力に、抵抗器R3を介して電圧v−tuneを複製する。このことは
、出力ステージでのように基準回路において同じ故障電流i−symを生成する
。この対称電流i−symは演算増幅器OP2を用いて、電圧が抵抗器R3を通
過して降下するときに測定される。後者の出力電圧は出力ステージまたは基準回
路の各第2パスのための調整電圧を形成し、電圧が抵抗器R3を通過して降下す
るように調整され、それゆえ対称電流i−symが0に等しくなる、すなわち故
障電流i−faultも0に等しくなる。
【0048】 電荷ポンプの上に、ループフィルタLFもまた、電荷ポンプの出力に接続され
る。このループフィルタLFは位相ロックループにおいて電荷ポンプを用いる場
合に有用な要素であるが、本発明に対して必ずしも必要であるわけではない。
【0049】 制御ステージを用いる、この回路配置によって達成される効果は、電圧v−t
uneの広い範囲にわたって故障電流i−faultが生じないことであり、そ
れゆえ現在まで外部の最適動作点と知られている二次周波数(誘発)が減らされ
る。
【0050】 図3は、図2の単純な回路配置の変形を示し、この場合に有している電荷ポン
プの出力ステージ5における回路トランジスタmn2およびmp2は、出力側ト
ランジスタmn1およびmp1と交換されている。従って、基準回路6における
トランジスタmp2aおよびmn2aを省くことができる。
【0051】 バッファ増幅器PVは演算増幅器OP1と置きかえられ、シンク電流i−si
nkの再調整のスピードを設定するために使用され得る減算要素τ(この場合抵
抗器R2とコンデンサC3とを備える)が演算増幅器OP1の上流に配置される
【0052】 図4は、本発明の電荷ポンプについての回路配置の最良の実施形態を示し、こ
の電荷ポンプは、基準入力側トランジスタmn3およびmp3と基準出力側トラ
ンジスタmn1およびmp1とを有するソースパスおよびシンクパスを有する。
ソース側の出力側トランジスタmp1のソース入力(ソース、トランジスタのド
レインおよびゲートに置かれる)には、回路トランジスタmp2が配置され、こ
の回路トランジスタmp2のゲート入力はUP入力に接続される。同様に、シン
ク側の出力側トランジスタmn1のソース入力(ソース、トランジスタのドレイ
ンおよびゲートに置かれる)には、回路トランジスタmn2が配置され、この回
路トランジスタmn2のゲート入力はDOWN入力に接続される。対称の理由の
ために、入力側の回路トランジスタはそれらと関係付けられる各対称トランジス
タmn4およびmp4を備え、この対称トランジスタは、入力側トランジスタの
ソースに接続される。回路のソースパスは、基準電流i−refによって制御さ
れる。入力側トランジスタmn3およびmn4は、演算増幅器OP2が高インピ
ーダンス電流出力を有する場合に有用であり、それ以外の場合は省くことができ
る。
【0053】 トランジスタmn1、mn2、mp1およびmp2を備える出力ステージ5は
、トランジスタmn1a、mn3a、mp1aおよびmp3aを備える基準回路
6においてシミュレートされる。出力側トランジスタmp1とmp1aとのゲー
ト、および出力トランジスタmn1とmn1aとのゲートは、互いに接続され、
それら全ては出力ステージにおいてそれらが対応するトランジスタに関して同じ
相対的大きさを有する必要がある。
【0054】 出力ステージ5の出力Pdoutと基準回路6の等価な出力との間には演算増
幅器OP1の形態でバッファ増幅器が配置されている。この演算増幅器OP1は
、出力Pdoutでの電圧v−tuneをできるだけ負荷しないままで、対称電
流i−symとしての故障電流i−faultを複製する。出力ステージ5の出
力Pdoutと演算増幅器OP1との間には、(好ましく変更可能な)抵抗器2
および接地されたコンデンサC3を含む減衰要素τが接続されており、この減算
要素は、制御ループの応答速度に影響を与える。
【0055】 電圧従動部として接続された演算増幅器OP1と基準回路6との間で、対称電
流によって生じる電圧降下は抵抗器R3を通過して切り離され、そして第2演算
増幅器OP2に導かれる。測定された対称電流i−symを基準として、演算増
幅器OP2はシンクパスを調整し、その結果、対称電流i−sym、すなわち電
荷ポンプの出力Pdoutでの故障電流i−faultを、生成される出力電圧
v−tuneおよび使用される電子成分の特性の、一般的な動作温度に無関係に
ゼロに保つ。
【0056】 図2および3における単なる変形にわたって備えられているトランジスタmn
3およびmn4は、どの動作状態においても演算増幅器OP2の基本負荷を印可
し、その結果、使用される演算増幅器のタイプに応じて、さらに安定な回路をも
たらす。従って、この回路配置は、最良の方法で全体が制御された範囲において
上記で要約された電荷ポンプの対称問題を解決する。これは、事実上、0からV
DDまでの電源の全体の範囲がまた、出力Pdoutでの電圧v−tuneの範
囲について適用可能であることを意味する。実際には、これは、電源VDDの2
.8Vに対して、従来技術における約500mVと比較して、約100mVの保
留のみが、必要であると予測される。
【0057】 例示によって、図5はまた、本発明の電荷ポンプCPを有する位相ロックルー
プを示す。PLLは、どの相対位相シフトについても2つの周波数Frefおよび
VCO/Nと比較する位相検出器PDを備える。基準周波数Frefは、水晶固有周
波数Fqから生成される。この水晶固有周波数は、水晶発振器Qが生成し、基準
分割器Rに供給し、基準分割機Rで、特定の分割範囲によって縮小される。供給
された第2周波数FVCO/Nは、電圧制御された発振器VCOから生じ、分割器
を用いて周波数FVCO/Nまで分割される。位相検出器PDの出力は、2つのパ
ルス幅を調整されたパルス列UPおよびDOWNを生成し、このパルス幅は、2
つの入力周波数FrefとFVCO/Nとの間の位相差に関して一定の関係を有する。
周波数FVCO/Nが周波数Frefよりも高い場合、または周波数FVCO/Nが周波
数Frefと比較して高すぎる場合、または周波数FVCO/Nの位相が基準周波数F
refの位相より進んでいる場合、位相検出器はUP出力より長いためにDOW
N出力に切り替わる。同様の状況で、逆転した位相に対応して、逆に適用する。
位相が同じ場合、すなわち、FrefがFVCO/Nに等しい場合、アンチバックラッ
シュパルス(ABLパルス)が位相検出器の両方の出力に出力される。UPおよ
びDOWNパルス列は電荷ポンプCPを作動させ、その出力は電荷ポンプに接続
されているループフィルタを備える。このループフィルタは、積算器として作用
する。次いで、ループフィルタLFの電圧VLFは、電圧制御された発振器VCO
のための制御として使用され、その結果PLLの制御ループは閉じられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 従来技術に基づくPLLのための電荷ポンプの回路配置を示す図である。
【図2】 バッファ増幅器および演算増幅器を備える電荷ポンプのための簡単な本発明の
回路配置を示す図である。
【図3】 2つの演算増幅器と、交換トランジスタと、出力側トランジスタとを備える電
荷ポンプのための簡単な本発明の回路配置を示す図である。
【図4】 さらに対称トランジスタを有する2つの演算増幅器を備える電荷ポンプのため
改良した本発明の回路配置を示す図である。
【図5】 本発明の電荷ポンプを備えるPLLのための例示的回路配置を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ショルツ,マルクス ドイツ連邦共和国 81737 ミュンヘン カフカシュトラーセ 12 Fターム(参考) 5J106 AA04 CC01 CC21 CC41 DD32 JJ08 KK01

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力側、出力側を有し、ソース電流(i-source)を生成するソースパス(1)
    とシンク電流(i-sink)を生成するシンクパス(2)とが接続されている少なく
    とも1つのカレントミラー(3)およびトランジスタ(mn1、mp1)を有し
    、少なくとも1つのパス(1、2)は、入力側トランジスタ(mn3、mp3)
    を備え、かつ、両パス(1、2)は出力ステージ(5)を備え、各々は、少なく
    とも1つの出力トランジスタ(mn1、mp1)および回路トランジスタ(mn
    2、mp2)を備えるとともに、第1パス(1)が、基準電流によって制御され
    ている電荷ポンプの回路配置であって、 さらに、基準ステージ(6)を備え、この基準ステージでは、少なくとも出力
    側トランジスタ(mn2、mp2)においてパス(1、2)の出力ステージ(5
    )がシミュレートされ、故障電流(i-fault)を複製する等価な対称電流(i-sym
    )を基準ステージ(6)において生成し、第2パス(2)を調整する手段(7)
    を制御することを特徴とする回路配置。
  2. 【請求項2】 第2パス(2)を調整する手段(7)は、少なくとも1つの演算増幅器(OP
    2)を備え、印加された上記対称電流(i-sym)および故障電流(i-fault)に比
    例する電圧を入力し、その出力が第2パス(2)に影響するために使用されるこ
    とを特徴とする請求項1に記載の回路配置。
  3. 【請求項3】 第2パス(2)を調整する手段(7)は、バッファ増幅器(PV)を備え、好
    ましくは、演算増幅器(OP1)が故障電流(i-fault)をシミュレートする電
    圧従動部として接続されていることを特徴とする請求項2に記載の回路配置。
  4. 【請求項4】 ループフィルタ(LF)を、上記出力ステージ(5)と他のパスを調整する手
    段(7)との間に備えていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項
    に記載の回路配置。
  5. 【請求項5】 第2パスを調整する手段(7)はまた、減衰要素(τ)を備えることを特徴と
    する請求項1ないし4のいずれか1項に記載の回路配置。
  6. 【請求項6】 第2パスはまた、入力側トランジスタ(mn3、mp3)を備えることを特徴
    とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の回路配置。
  7. 【請求項7】 少なくとも1つの回路トランジスタ(mn2、mp2)は、出力側に配置され
    ていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の回路配置。
  8. 【請求項8】 少なくとも1つの回路トランジスタ(mn2、mp2)は、電荷ポンプの出力
    と出力側トランジスタ(mn1、mp1)との間に配置されていることを特徴と
    する請求項1ないし7のいずれか1項に記載の回路配置。
  9. 【請求項9】 少なくとも1つの出力側トランジスタ(mn1、mp1)は、電荷ポンプの出
    力と回路トランジスタ(mn2、mp2)との間に配置されていることを特徴と
    する請求項1ないし8のいずれか1項に記載の回路配置。
  10. 【請求項10】 回路トランジスタ(mn2、mp2)に対して対称に配置されている少なくと
    も1つの入力側対称トランジスタ(mn4、mp4)を備えていることを特徴と
    する請求項1ないし9のいずれか1項に記載の回路配置。
  11. 【請求項11】 コンデンサ(C-sink、C-source)が、同パスにおける、少なくとも1つの回路
    トランジスタ(mn2、mp2)のゲートと出力側トランジスタ(mn1、mp
    1)のゲートとの間で接続されていることを特徴とする請求項1ないし10のい
    ずれか1項に記載の回路配置。
  12. 【請求項12】 シンクパス(2)はソースパス(1)に対して鏡像の設計であることを特徴と
    する請求項1ないし11のいずれか1項に記載の回路配置。
  13. 【請求項13】 ソースパス(1)におけるトランジスタは、PMOSトランジスタの形態であ
    り、シンクパス(2)におけるトランジスタは、NMOSトランジスタの形態で
    あることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1項に記載の回路配置。
  14. 【請求項14】 ソースパス(1)におけるトランジスタは、p−Jfetの形態であり、シン
    クパス(2)におけるトランジスタは、n−Jfetの形態であることを特徴と
    する請求項1ないし12のいずれか1項に記載の回路配置。
  15. 【請求項15】 電荷ポンプを備える位相ロックループであって、 上記電荷ポンプは、請求項1ないし14の特徴を有することを特徴とする位相
    ロックループ。
  16. 【請求項16】 基準周波数Frefと、電荷ポンプ(CP)を制御する電圧制御発振器(VCO
    )からの出力周波数FVCOとの間の位相シフトを検出するための少なくとも1つ
    の位相検出器(PD)を備える制御ループを有し、位相検出器には、続いて、ル
    ープフィルタ(LF)が接続されており、ループフィルタの出力が上記電圧制御
    発振器(VCO)を制御することを特徴とする請求項15に記載の位相ロックル
    ープ。
  17. 【請求項17】 水晶発振器(Q)と下流基準分割器(R)が基準周波数Frefを生成するため
    に備えていることを特徴とする請求項15または16に記載の位相ロックループ
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