JP2003507886A - 有機反射防止層の構造化方法 - Google Patents

有機反射防止層の構造化方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、強度の紫外線リソグラフィー製版法を用いた、ＡＲＣ重合体の構造化方法に関するものである。その製版法は、ＡＲＣ開口エッチング工程および金属被覆のエッチングの前に行われる。本発明の課題は、レジストの使用量を減らし、より急峻な側面を獲得することにある。ＡＲＣ重合体の中間層をエッチングする際、そのエッチングは、フォトレジストに対する高い選択性を有するＣＦ4ＡＲＣ開口工程を用いて行われる。この方法から生じるガス流は、ＣＦ4；３５〜４５ｓｃｃｍ、ＣＨＦ3；１７〜２３ｓｃｃｍ、Ｏ2；５〜７ｓｃｃｍ、Ａｒ；８０〜１２０ｓｃｃｍである。

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、ＡＲＣ開口エッチング工程（ARC Open-Aetzschritt）の前に行うＤ
ＵＶリソグラフィーによって有機反射防止層を構造化する方法に関するものであ
る。なお、この方法では、有機重合体からなる反射防止層をフォトレジスト層の
下に中間層として形成し、次の段階において、この反射防止層の下にある金属層
をエッチングするようになっている。
【０００１】 半導体の構造は、一般的に、しかるべき内部接続（Leitbahn）をもつ多層の金
属被覆によって成り立っている。この内部接続は、垂直方向の仲介接続（Zwisch
enverbindungen）によって、相互に、および／または、半導体構造の能動素子も
しくは複合素子と結びついている。この内部接続および仲介接続は、析出工程、
構造化工程、エッチング工程を含む複数の処理工程において生成される。
【０００２】 ２層の金属被覆を生成する従来の方法では、まず第一に、半導体構造における
個々の機能素子を連結することになる。それに加えて、エッチング工程の前に行
うフォトリソグラフィー処理により、半導体構造上に位置する酸化物層をつ貫く
形で、開口部を生成する。その結果、第１金属被覆における仲介接続の位置が確
定する。この開口部は、半導体構造を貫くように垂直に延びている。その後、こ
の開口部を、例えばＣＶＤ法あるいはスパッタ法による析出処理によって、窒化
チタン等の薄い付着層（ライナー（liner）ともいう）およびタングステンのよ
うな金属等によって充填する。この析出処理は、開口部だけではなく、半導体構
造の全表面においても行われるので、表面の余剰金属を、例えば、いわゆるＣＭ
Ｐ処理（化学力学的に磨き上げること）、あるいはエッチングバックによって除
去しなければならない。続いて、上述の酸化物層上に、例えばアルミニウムの金
属被覆をほどこす。さらにこの被覆を、所望の内部接続構造を作り出すために、
フォトリソグラフィーを用いて構造化する。この構造化は、フォトリソグラフィ
ーによってフォトレジストエッチングマスクを形成するフォトレジストを塗布す
ることによって実行される。これにより、エッチングマスクを介したエッチング
を行うことができ、最終的に内部接続を残せる。
【０００３】 フォトリソグラフィー法は、この処理のために標準的に用いられるものであり
、この方法では、フォトレジスト層の下に、重合体でできた有機中間層を挿入す
るようになっている。ここで、重合体とは、すなわち反射防止層としてのＡＲＣ
（反射防止層層）重合体である。また、有機中間層を挿入する理由は、フォトレ
ジストを露光する間の反射をくいとめるため、およびこの反射光を最小限にとど
め、この方法における解像度を改善するためである。ここでは、ＤＵＶ露光を伴
う０．５ｍｍ以下技術（sub-0.5mm Technologien）のための、標準フォト処理が
重要である。
【０００４】 中間層下の金属層に対するエッチングは、フォトレジストエッチングマスクを
形成するためのフォトリソグラフィー工程後に行われる。しかしながら、このエ
ッチング工程では、この中間層（ＡＲＣ重合体）が問題となる。このＡＲＣ重合
体層は、フォトリソグラフィー処理では開口できない。このため、内部接続を形
成するためのエッチング処理を、ＡＲＣ開口エッチング工程（重合体エッチング
）から始めなければならない。したがって、第２工程は、金属エッチング行程（
通常の２段階処理（Zweischrittprozess））となる。
【０００５】 さらに、ＡＲＣ開口エッチングを良好に行うには、さまざまな基準値を満たさ
なければならない。これらの基準値は、レジスト消耗量（Lackverbrauch）の低
減化を実現させるものであるが、エッチング行程とフォトリソグラフィーとにお
けるフォトレジスト（フォトレジストエッチングマスク）の厚さに関する相互矛
盾した要求から鑑みて、これらの基準値を達成することは難しい。フォトリソグ
ラフィー用にはできる限り薄く、エッチング用にはできる限り厚いレジスト層が
必要である。さらに構造における寸法精度を高くする（すなわち、ＣＤの性能を
向上させる）こと、および、残留物を形成しないこと（Restefreiheit）を保証
する必要がある。
【０００６】 例えば、ＡＲＣ層のエッチング用には、Ｎ2、Ｏ2、または、Ｎ2，Ｏ2およびＣ
Ｏが用いられるが、これに関する主な欠点として、レジストを多量に消耗するこ
と、レジストの縁が傾斜してしまうことを挙げられる。さらに、ＣＤ（臨界次元
（critical dimension））における性能（Performance）の悪さによって、線幅
（Linienbreite）が狭くなり、線の末端（Linienenden）が細くなってしまう。
【０００７】 ＣＨＦ3／ＣＦ4／Ｏ2／Ａｒ気体、またはＣＨＦ3／ＣＦ4／Ｏ2気体（気流（Ga
sfluss）８０／５０／２０／１６ｓｃｃｍ、ｐ＝１６０ｍＴｏｒｒ、Ｐ＝６００
Ｗ、Ｂ＝２０Ｇａｕｓｓ）によってエッチングを行うと、ＣＤ性能（CD-Perform
ance）が非常に悪くなる。すなわち、線幅が、非常に激しく減少してしまう。
【０００８】 本発明の目的は、有機反射防止層の構造化方法であって、レジストの消耗量を
低減させるとともに、特に、レジストの側面をより急峻にし、ＣＤ性能を格段に
改善できるような方法を提供することにある。
【０００９】 本発明によれば、フォトレジストに対する高い選択性を有するＣＦ4ＡＲＣ開
口工程によって、重合体中間層をエッチングする。なお、このエッチングは、エ
ッチング室内（Aetzkammer）において、およそ６００ＷのＲＦ電力によるプラズ
マ促進（Plasmaunterstuetzung）を用いて行う。
【００１０】 エッチング選択力を高めるため、ＣＦ4ＡＲＣ開口工程を、ＣＨＦ3およびわず
かなＯ2を混合することで促進する。
【００１１】 エッチング選択力は、ＡＲＣ開口エッチングを次のプロセスパラメーターで行
うとき、最も優れた状態になる。 ＣＦ４；３５〜４５ｓｃｃｍ／* ＣＨＦ３；１７〜２３ｓｃｃｍ／* Ｏ２；５〜７ｓｃｃｍ／* Ａｒ；８０〜１２０ｓｃｃｍ／* 圧力；８０〜１２０ｍＴｏｒｒ 電力；５５０〜６５０Ｗａｔｔ ／*；気流 本発明の方法における利点は、レジストの消耗量を低減させるとともに、レジ
ストの側面をより急峻にすることにある。この方法によって、レジストの厚さを
より薄くできる。これにより、リソグラフィーのプロセス窓（Prozessfenster）
を拡げられる。レジスト側面を急峻にすることで、非常によいＣＤ性能を達成で
きる。これは、線幅が一定になり、線の末端までその形をとどめるからである。
さらに、レジスト側面に、なんらの残留物（いわゆる壁（Fences））も残すこと
がない。
【００１２】 本発明のさらなる利点は、エッチング化学（Atzchemie）におけるＦ−イオン
によって、末端識別を自動的に行えるようになる点にある。この末端識別によっ
て余分なエッチングを防止できるので、レジストに対する不要なエッチングを回
避できる。
【００１３】 本発明を、以下に実施例を用いて説明する。 図１は、従来の方法で生成される、フォトレジストのエッチング構造を示す図で
ある。図２は、本発明の方法によって生成される、エッチング構造を示す図であ
る。
【００１４】 図１は、ウエハーにおける初期の最上層である金属層１を示す図である。この
金属層１上に、複合体、すなわち反射防止層２としてのＡＲＣ（anti reflectin
g coating layer;反射防止層層）複合体からなる中間層が塗布されている。この
反射防止層２によって、反射防止層２上のフォトレジストを露光する間における
反射を防止するので、反射光を最小限に抑えられる。このように、フォトリソグ
ラフィーの解像性を改善でき、フォトレジストエッチングマスク３の高い寸法精
度が保証される。これにより、ＤＵＶ露光を伴う０．５ｍｍ以下技術に対して、
標準写真処理法を用いることができる。この種の反射防止層２は、有機または無
機物質からなっているが、有機重合体反射防止層の構造化に関わる方法について
は後述する。
【００１５】 図１に、ＡＲＣ開口工程を従来技術どおりに実施した後の、フォトレジストエ
ッチングマスク３を含む層状態を示す。フォトレジスト４の点線で囲んだ部分は
、ＡＲＣ開口エッチング前のフォトレジストの状態を示している。ここではレジ
ストがかなり消耗されており、ＣＤ性能の悪化していることが明確にわかる。こ
ういったことは、フォトレジストが、高さだけでなく幅においても減少したこと
にも起因し、その結果、エッチングの溝（Aetzgraben）５が、ＡＲＣ２内におい
て意図した以上に拡大してしまう。
【００１６】 ＡＲＣ層のエッチングに、例えばＮ2、Ｏ2、または、Ｎ2，Ｏ2およびＣＯを使
用すると、結果的に、エッチング消耗が多くなり、レジストの縁が傾斜する。さ
らに、線幅も減少し、線の末端は先細の構造になる。
【００１７】 さらに、ＣＨＦ3／ＣＦ4／Ｏ2／Ａｒ気体、またはＣＨＦ3／ＣＦ4／Ｏ2気体（
気流；８０／５０／２０／１６ｓｃｃｍ、ｐ＝１６０ｍＴｏｒｒ、Ｐ＝６００Ｗ
、Ｂ＝２０Ｇａｕｓｓ）を用いてエッチングを行った場合でも、ＣＤの性能は非
常に悪い。つまり、エッチング後の構造では、線幅が急速に減少してしまう。
【００１８】 これに対し、本発明に従ってエッチングすると、図２に示すように、結果的に
、フォトレジストの消耗は僅かとなり、レジスト側面は急峻となる。これにより
、レジストの厚みをより薄くでき、リソグラフィーのプロセス窓を拡張できる。
また、急峻なレジスト側面によって、非常によいＣＤ性能、すなわちエッチング
の溝５の寸法精度を得られる。これは、線幅が一定になり、線の末端までその形
をとどめるからである。さらに、レジスト側面には、なんらの残留物（いわゆる
壁）も残らない。
【００１９】 以上のような利点、すなわち、最高のエッチング選択力を得るためには、ＡＲ
Ｃ開口エッチングを、次のようなプロセスパラメーターで行う必要がある。
【００２０】
【表１】
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の方法で生成される、フォトレジストのエッチング構造を示す図である。
【図２】 本発明の方法によって生成される、エッチング構造を示す図である。
【符号の説明】
１ 金属層 ２ ＡＲＣ ３ フォトレジストエッチングマスク ４ ＡＲＣ開口エッチング以前のフォトレジスト ５ ＡＲＣ内のエッチングの溝
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１０月４日（２００１．１０．４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AB16 DA34 FA41 2H096 AA25 CA06 HA24 HA25 5F004 AA02 DA01 DA16 DA23 DA26 DB08 5F046 PA07

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＡＲＣ−開口エッチング工程の前に行うＤＵＶリソグラフィーによって、有機
    反射防止層を構造化する方法であって、 有機重合体からなる上記の反射防止層（ＡＲＣ−層）を、フォトレジスト層の
    下に中間層として形成し、次の段階で、この反射防止層の下にある金属層をエッ
    チングする方法において、 フォトレジストに対する高い選択性を有するＣＦ4ＡＲＣ開口工程によって、
    ＡＲＣ−重合体中間層のエッチングを行うことを特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 上記のエッチングを、プラズマ促進を用いてエッチング室内で行うことを特徴
    とする請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 上記のエッチングを、約６００ＷのＲＦ電力で行うことを特徴とする請求項２
    に記載の方法。
  4. 【請求項４】 ＣＨＦ3を混合することによってＣＦ4ＡＲＣ開口工程を促進することを特徴と
    する請求項１から３のいずれかに記載の方法。
  5. 【請求項５】 Ｏ2を混合することによってＣＦ4ＡＲＣ開口工程を促進することを特徴とする
    請求項１から４のいずれかに記載の方法。
  6. 【請求項６】 以下のプロセスパラメーターを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の
    方法。 ＣＦ4；３５〜４５ｓｃｃｍ ＣＨＦ3；１７〜２３ｓｃｃｍ Ｏ2；５〜７ｓｃｃｍ Ａｒ；８０〜１２０ｓｃｃｍ 圧力；８０〜１２０ｍＴｏｒｒ 電力；５５０〜６５０Ｗａｔｔ
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270803A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Applied Materials Inc 限界寸法収縮の制御されたエッチングプロセス

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100626743B1 (ko) 2004-07-29 2006-09-25 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 형성 방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5302240A (en) * 1991-01-22 1994-04-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing semiconductor device
US5656128A (en) * 1993-03-26 1997-08-12 Fujitsu Limited Reduction of reflection by amorphous carbon
US5976769A (en) * 1995-07-14 1999-11-02 Texas Instruments Incorporated Intermediate layer lithography
JP2674589B2 (ja) * 1995-11-09 1997-11-12 日本電気株式会社 レジストパターンの形成方法
US5759746A (en) * 1996-05-24 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Fabrication process using a thin resist
US5804088A (en) * 1996-07-12 1998-09-08 Texas Instruments Incorporated Intermediate layer lithography
US5773199A (en) * 1996-09-09 1998-06-30 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for controlling linewidth by etching bottom anti-reflective coating
US6428894B1 (en) * 1997-06-04 2002-08-06 International Business Machines Corporation Tunable and removable plasma deposited antireflective coatings
US5981398A (en) * 1998-04-10 1999-11-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Hard mask method for forming chlorine containing plasma etched layer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270803A (ja) * 2007-04-16 2008-11-06 Applied Materials Inc 限界寸法収縮の制御されたエッチングプロセス

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TW480624B (en) 2002-03-21
DE19937995A1 (de) 2001-03-01
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