JP2003506900A - 半導体装置を特徴付けるための方法および装置 - Google Patents

半導体装置を特徴付けるための方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 半導体装置用のキャラクタリゼーションデータを与えるための方法および装置が提供される。製造工程の際に半導体装置に行なわれたウェハ電気的テストから得られた測定結果を含む第１のデータセットは、半導体装置用の設計特性に対応する値を含む第２のデータセットと比較される（Ｓ２１６）。この比較に基づき、有効および無効な性能特性を有する半導体装置が識別される。キャラクタリゼーション結果データは識別された半導体装置に対して後で生成される（Ｓ２２０）。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の背景】
【０００２】
【技術的分野】
本発明は半導体装置の設計および製造に関し、より特定的には半導体装置に対
するキャラクタリゼーションデータを分析するための方法および装置に関する。
【０００３】
【関連技術の説明】
超大規模集積回路に伴う高密度性能の要求が高まるにつれ、０．２５ミクロン
以下（たとえば０．１８ミクロン以下）の設計フィーチャ、より高いトランジス
タおよび回路速度、高信頼性、および競合できるほどの高い製造スループットな
どが求められるようになっている。たとえば、高密度性能および超大規模集積を
必要とする半導体装置の１種として記憶装置がある。０．２５ミクロン以下の設
計フィーチャの縮小は、従来の半導体製造技術の限界に挑むものである。さらに
、設計フィーチャがさらなるサブミクロン範囲に縮小されるにつれ、競合できる
ほどに製造スループットを維持または向上させることが益々困難になってきてい
る。
【０００４】 市場の傾向として、より高い機能およびより高速の回路が求め続けられている
。市場の要求を満たすために、個々のチップのサイズはより多くのトランジスタ
が収容できるように大きくされている。個々のトランジスタの縮小により、より
多くのトランジスタを各チップ上に組込むことができる。満足のゆく生産性と歩
留りを維持するためには、より大きなウェハを処理する必要があるが、多くの場
合コストが高くなり、さらに大型のウェハや異なるウェハ間での均一性を維持す
るためには自動処理装置を用いる必要がある。
【０００５】 超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）の時代により、ウェハの製造に伴う処理工程の
数が著しく増加した。製品の品質を維持するために必要なテストの数も劇的に増
加した。その結果、複雑な半導体装置用のキャラクタリゼーションデータを生成
することは益々難しくなってきた。キャラクタリゼーションデータは、標準のま
たは関連する製造工程の特定の変更に基づいて処理されたウェハ上のダイからの
組立てられたユニットから集められた、製品特質および変数データに対応する。
たとえば、キャラクタリゼーションデータは、方法対製品の歩留りを示す情報、
ハイ状態およびロー状態間で切換わる遷移時間などのような、製造された装置に
対して行なわれた種々のテストからの結果の分布、特定テストについて満足のい
かない結果をもたらす装置の割合、設計要件に相関する製造された装置の性能な
どを含む。
【０００６】 製品の性能および回路のパラメータを正確に特徴付けることは、安定した製品
を得るためには極めて重大である。たとえば、製品キャラクタリゼーションデー
タは同じ種類の装置に対するテスト結果をまとめて、製品の性能結果を製造工程
のウェハ電気的テスト（ＷＥＴ）と比較することができる。このテスト結果に基
づき、技術者はどのＷＥＴ特性が製品の性能および／または歩留りに対してよい
または悪い影響を及ぼすかを定めることができる。技術者はこの情報をプロダク
トの設計および製造技術者に伝えて、製造工程領域に合致するためには製品を設
計し直す必要があるのか、または最良の製品性能および歩留りを得るために製造
工程を改めるべきかどうかを定めることができる。さらに、正しい特徴付けによ
り、特定の装置が適切な性能特性を示し、かつ顧客の仕様に合致することを確実
にする。
【０００７】 キャラクタリゼーションデータを生成する従来のアプローチでは、製造工程の
際にウェハ上に形成された選択された半導体装置に対して多くのウェハ電気的テ
スト（ＷＥＴ）を行なわなければならない。集められたＷＥＴデータは、半導体
装置の設計において製品の設計者が関連する技術設計規則（ＥＤＲ）を用いる場
合に考慮しなければならない種々の電気的パラメータ（たとえば導電性、抵抗、
ローからハイ状態への遷移時間など）を表わす。製造工程の数が増えるにつれ、
半導体装置の製造をより正確にモニタするためにウェハに行なわなければならな
いテストの数も増えている。
【０００８】 製品設計を正確に表わすキャラクタリゼーションデータを生成するために、パ
ッケージ化ユニットはＥＤＲ要件に最もよく一致するＷＥＴ特性を示すウェハか
ら組立てられなければならない。データを分析することにより、技術者は製品設
計を確認し、製品性能がどのように製造処理領域に関連するかという情報を得る
。
【０００９】 半導体装置用のキャラクタリゼーションデータを生成する現在の方法に伴う１
つの問題として、集められた変数データを完全に分析するのに要する時間が問題
である。キャラクタリゼーションデータを生成する現在の方法に伴う別の問題と
して、複数の技術者がデータの異なる部分を分析しなければならない場合に、デ
ータ分析に伴う不一致がある。
【００１０】
【発明の概要】
半導体装置のキャラクタリゼーションによって集められたデータを迅速に分析
し、製品の性能および歩留りの問題を迅速に識別するために用いることができる
一貫性のある結果のサマリを生成するための処理が必要である。これらの結果サ
マリは製品性能および／または歩留りの問題を設計技術者および製造技術者に伝
えるのに用いることができる。
【００１１】 このようなニーズおよび他のニーズは本発明によって対処され、半導体装置用
のキャラクタリゼーションデータは製造された半導体装置からの測定テスト結果
を製品テストプログラムに含まれる設計シミュレーションおよび顧客要件に基づ
く特定の性能制限基準と比較することにより、迅速にかつ一貫性を有してして分
析される。
【００１２】 本発明の一局面において、半導体装置用の製品キャラクタリゼーションレポー
トを生成するための方法が提供される。この方法は、所定の製造工程で形成され
たキャラクタリゼーションロットからのウェハに行なわれたＷＥＴテストの測定
結果を含むＷＥＴデータセットを収集するステップと、キャラクタリゼーション
テストのために組立てられるのに最も適するウェハグループを定めるために、Ｗ
ＥＴデータセットからＷＥＴレポートを生成するステップと、組立てられた半導
体ユニットに行なわれたキャラクタリゼーションテストからの測定結果を含むキ
ャラクタリゼーションデータセットを収集するステップと、キャラクタリゼーシ
ョンデータセットを分析して性能要件が不合格であるキャラクタリゼーションテ
ストパラメータを識別するステップと、キャラクタリゼーションデータセットの
分析に基づき、キャラクタリゼーションデータセットを変更する必要があるかど
うかを定めるステップと、有効なデータセットに基づいて半導体装置の製品キャ
ラクタリゼーションレポートを生成するステップとを含む。本発明において製造
工程およびキャラクタリゼーションテストから集められたデータを迅速に調べる
ことにより、従来と比べてほんのわずかの時間で、複雑な半導体装置の製品キャ
ラクタリゼーションレポートを生成することができる。さらに、このキャラクタ
リゼーションレポートは正確かつ一貫性を備えて生成される。なぜなら複数の技
術者の直感ではなく、所定の統計的分析が用いられるからである。
【００１３】 こうして、技術者は容易にＷＥＴデータを調べて技術的設計ルールを満たすウ
ェハを正確に選択することができる。パッケージユニットは製品の変数データを
集めるために、選択されたウェハから組立てられ得る。キャラクタリゼーション
データセットにより、測定されたキャラクタリゼーションテストパラメータに基
づいて所定の性能限界を満たさない半導体装置をすべて迅速に特定することがで
きる。
【００１４】 本発明のさらなる利点および新規な特徴は部分的に以降の明細書に記載され、
当業者にとって以下の内容を調べることにより、または実施することにより、明
らかとなる。本発明の利点は前掲の特許請求の範囲に記載される手段および組合
せにより実現および達成することができる。
【００１５】 添付の図面が参照されるが、同じ参照符号を有するエレメントは同様のエレメ
ントを表わす。
【００１６】
【好ましい実施例の詳細な説明】
半導体装置用のキャラクタリゼーションデータを生成するための方法および装
置が記載される。以降の明細書では、本発明を十分に理解するために、記載の目
的のために多くの具体的詳細が記載される。しかし、本発明はこれらの具体的詳
細なしで実施できることは当業者にとって明らかである。本発明を不必要に曖昧
にするのを避けるために、周知の構造および装置はブロック図の形で示されてい
る。
【００１７】 ハードウェアの概要 図１Ａは本発明の一実施例に従い、キャラクタリゼーションデータおよびレポ
ートを生成するためのコンピュータシステム１００を示す。コンピュータシステ
ム１００はクライアント装置１０２、たとえばクライアントブラウザ型ソフトウ
ェアを実行するコンピュータワークステーションと、クライアント装置１０２か
らのハイパーテキストトランスポートプロトコル（ＨＴＴＰ）に基づくリクエス
トを処理するよう構成されているＨＴＴＰに基づくウェブサーバ１２８と、デー
タおよびレポートを記憶しかつウェブサーバ１０２および／またはクライアント
１０２に供給するよう構成されているホスト／データサーバ１２４と、ネットワ
ークリンク１２０を介してクライアントサーバ１２０とサーバ１２４および１２
８との間でクライアントリクエストならびにデータおよびレポートを転送するた
めのローカルネットワーク／イントラネット１２２とを含む。当該技術分野にお
いて認識されるように、クライアント装置１０２、サーバ１２４およびサーバ１
２８は所定のネットワークプロトコル、たとえばＴＣＰ／ＩＰに従い、互いに通
信する。
【００１８】 以下で示すように、システム１００はクライアント装置１０２からの１つ以上
の命令の１つ以上のシーケンスを実行することにより、および／または特定のル
ーチンもしくはシステム１００の他の特定のソフトウェアコンポーネントのリモ
ートプロシージャ呼出を行なうことにより、半導体装置用のキャラクタリゼーシ
ョンデータを生成する。
【００１９】 ここで用いられる「コンピュータ読出可能媒体」の用語は、実行するために命
令をクライアント装置１０２に提供するのにかかわるすべての媒体（たとえば、
光または磁気ディスク、ランダムアクセスメモリまたはリードオンリメモリ、電
磁または光エネルギの搬送波、など）を指す。
【００２０】 ネットワークリンク１２０は一般にローカルネットワーク／イントラネット１
２２と通信している他のサーバとのデータ通信を提供する。たとえば、システム
１００はインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１３２のアクセスサービ
スを用いることにより、ローカルネットワーク／イントラネット１２２にネット
ワークセキュリティを与えるファイアウォールサーバ１３０と、広域ネットワー
ク、たとえばインターネット１３４を介してクライアントサーバ１０２がアクセ
スすることができるサーバ１３６とを含む。たとえば、ネットワークリンク１２
０はローカルネットワーク１２２からホストコンピュータ１２４への接続、また
はインターネットサービスプロバイダ（ＩＳＰ）１２６によって運営されるデー
タ装置への接続を提供することができる。ＩＳＰ１２６はいわゆる「インターネ
ット」１２８（またはワールドワイドウェブ）と呼ばれる世界的規模のパケット
データ通信ネットワークを通してデータ通信サービスを提供する。代替的に、ク
ライアント装置は私的な広域パケット交換網を介してサーバ１３６にアクセスす
ることができる。
【００２１】 図１Ｂで詳細に示されるサーバ１２８はウェブサーバおよびマイクロソフトフ
ロントページクライアント／サーバ環境を組合せて、名目または分割ロット製品
キャラクタリゼーション法を統計分析に組込む、プラットフォームと独立したシ
ステムを提供し、ユーザがデータ分析ルーチンを指定することなくデータを自動
的に情報に変換する。このシステムはＣＧＩ／ＪａｖａＳｃｒｉｐ（動的ＨＴＭ
Ｌ）、データベース接続性、およびデータベース機能／能力を統合して最大限の
システムパフォーマンスを与える。複数のユーザはインターネット１３０を介し
てどこからでも情報を共有することができる。
【００２２】 図１Ｂに示されるように、ウェブサーバ１２８はＨＴＴＰ（ウェブ）サーバプ
ロセス１５０、コモンゲートウェイインターフェイス（ＣＧＩ）環境可変プロセ
ス１５２を含み、これはネットワーク１００内において実行可能な他の処理によ
って実行することができる所定のルーチンを記憶、実行、および支持する。ウェ
ブサーバ１２８はさらにＣＧＩ−ＲＰＬ（リサーチプログラミング言語）プロシ
ージャライブラリ１５４を含んで、ＣＧＩまたはＲＰＬファンクションコールに
応答して所定の動作を実行する。以下で説明するように、ライブラリ１５４に記
憶されるＣＧＩ−ＲＰＬプロシージャのサブセットは、ウェブサーバ１２８内に
おいて物理的に存在し得る、たとえばデータベース１３８および１４０のような
、または遠隔のたとえばホスト／データサーバ１２４もしくはサーバ１３６内に
存在し得る、分析ソフトウェアデータベース１５６へのデータベース照会を含む
。
【００２３】 キャラクタリゼーションデータ分析およびレポートの生成 図２は本発明の実施例に従う、半導体装置用の製品キャラクタリゼーションレ
ポートを生成するために行なわれるステップの概略を示す。ステップＳ２１０に
おいて、製品キャラクタリゼーションロット用のＷＥＴデータセットは、設計ま
たはプロダクトエンジニアによって動作されるコンピュータワークステーション
での実行の際に、クライアント装置１０２によってホスト１２４またはサーバ１
３６などからの遠隔データベース１３８から収集される。遠隔データベースへの
アクセスは、ウェブサーバ１２８によってＬＡＮ１２２を通して、ＷＡＮ１２６
を通して、または適切なＩＳＰ１３２を介したインターネット１３４を通して与
えられる。ＷＥＴデータセットは一旦収集されると、たとえば磁気媒体または光
媒体に記憶することができる。したがって、ＷＥＴデータから特定のデータを検
索したい場合は、ＬＡＮ１２２内でのＷＥＴデータセットの伝送を必要とするか
もしれない。本発明の一実施例に従い、ＷＥＴデータセットは一般に遠隔コンピ
ュータワークステーションまたはサーバ１２４もしくは１３６のデータベース１
３８に記憶される。したがって、ＷＥＴデータセットへのアクセスおよびその転
送は、ウェブサーバ１２８を介してＷＡＮ１２６を通して、または適切なＩＳＰ
１３２を介してインターネット１３４を通して与えられる。しかし、典型的な状
況では、ＷＥＴデータセットはエンジニアのワークステーションによってアクセ
スすることができる、ハードディスクのようなコンピュータ読取可能媒体に記憶
される。以下で説明されるように、製品キャラクタリゼーションデータベース１
４０は製品用の推奨データシート仕様およびシステム１００によって生成された
製品キャラクタリゼーションレポートを記憶する。
【００２４】 開示された実施例に従い、クライアントワークステーション１０２はウェブサ
ーバ１２８にクライアントリクエストを送ることにより、（ＷＥＴデータを含め
て）キャラクタリゼーションデータを集め、製品キャラクタリゼーションレポー
トを生成する。ワークステーション１０２のユーザは自分のＷｅｂブラウザを開
き、遠隔サーバ１２８へのＵＲＬを入力する。こうして、ウェブサーバ１２８の
接続が確立される。これで、ユーザはＷｅｂインターフェイスを介して製品キャ
ラクタリゼーションソフトウェアシステムを走らせることができる。
【００２５】 データベース接続機能により、データはデータベース１３８もしくは１４０か
ら、またはＡＳＣＩＩファイルから、ウェブサーバ１２８にロードすることがで
きる。一旦製品キャラクタリゼーション変数データがロードされると、内蔵され
た分析ルーチンが自動的に始まる。以下で説明するように、この自動化分析は、
１）入力刺激作用に応答しない、２）所定のテストプログラム境界外にある、３
）異常値または複峰性の分布を有する、テストされたパラメータを識別する。Ｗ
ｅｂブラウザページを用いることにより、ユーザはデータをロード／見ることが
でき、データを操作し、および／または表やグラフから分析結果を見ることがで
きる（図６）。
【００２６】 ＷＥＴデータセットは製造後のウェハおよび半導体装置（たとえばトランジス
タ、ＭＯＳゲート、記憶装置など）に対して行なわれるテスト（すなわちＷＥＴ
データ）からの測定結果を含む。たとえば、これらのテストの多くは、半導体装
置用のウェハの特定の電気的特性（たとえば導電性、抵抗など）の検出に関わる
。
【００２７】 図２のステップＳ２１２を参照して、ウェハのさまざまな物理的場所で行なわ
れた特定のＷＥＴテストからの統計値は、ウェハごとにおよびグループ化された
ウェハごとにレポートできる。特定のＷＥＴテストに対するＷＥＴデータセット
全体の統計的分布は全体の製造工程と比較することができる。クライアント装置
１０２はエンジニアにレポートやグラフを提供し、設計シミュレーション条件お
よび全体の製造工程ウインドウに対する最適のものを得るために、エンジニアは
製品キャラクタリゼーションテスト用の個々のユニットに組立てられるのに最も
適するウェハを決定して選択するために、レポートやグラフを調べる。
【００２８】 開示された実施例はＷＥＴデータセットを収集（ステップＳ２１０およびＳ２
１２）することなく製品キャラクタリゼーションレポートを生成するのに十分機
能できるよう構成されているが、キャラクタリゼーションテスト用のユニットを
選択する前にＷＥＴ結果を調べればより代表的なサンプルが提供でき得る。さら
に、ＷＥＴデータセットはキャラクタリゼーション結果を製造工程に関連づける
ベースを成す。ステップＳ２１２において、一旦キャラクタリゼーションデータ
セットが得られれば、特定ＷＥＴテストからのデータをもとに、キャラクタリゼ
ーションテスト結果への影響を調べることができる。エンジニアは図６に示され
る結果やグラフが提示され、これらを調べて製造工程における潜在的最適条件を
特定し、全体の歩留まりを向上させるために、どの特定のステップを調整、モニ
タするべきかを定めることができる。
【００２９】 ステップＳ２１４において、エンジニアのワークステーション１０２によって
、キャラクタリゼーション変数データセットは遠隔データベース（たとえばサー
バ１３６）から収集される。具体的には、クライアント装置１０２はキャラクタ
リゼーション変数データセットが遠隔データベース１３８から収集されるという
リクエストをウェブサーバ１２８に送る。図７に示される「製品キャラクタリゼ
ーションツールメインメニュー」により、ユーザはすべてのフィーチャおよび機
能性をアクセスすることができる。このシステムは３つの部分、すなわちデータ
管理、分析およびデータセット運営からなる。分析部により、ユーザは分析結果
を見ることができる。ユーザは無効データを削除したり限界値を変えたりするこ
とにより、またはメインメニューページの「データ管理」や「データセット運営
」部分に含まれる種々のＷｅｂページを介して再度テストされたユニットからの
データを再ロードすることにより、データを「きれいにする」ことができる。
【００３０】 ウェブサーバ１５０はウェブブラウザからのクライアントリクエストに応答し
て、ＣＧＩ／ＲＰＬプロシージャライブラリ１５４へのファンクションコールを
開始し、これはクライアントリクエストで指定された必要なパラメータすべてお
よび／または変数テーブル１５２からＨＴＴＰサーバ１５０によってアクセスさ
れたすべての変数を含む。ライブラリ１５４はたとえばＳＱＬ照会を遠隔データ
ベース１３８に生成することにより、特定のプロシージャの１つを実行する。Ｗ
ＥＴデータセットと同様に、キャラクタリゼーション変数データセットはホスト
／データサーバ１２４に対してローカルであるまたは遠隔にあるデータベース１
４０内に記憶することができる。キャラクタリゼーション変数データセットへの
アクセスは、ＷＡＮ１２６を通して、またはインターネット１３４を通して、Ｌ
ＡＮ１２２内での転送を同様に必要とする。
【００３１】 キャラクタリゼーション変数データセットは、対応するＷＥＴデータに基づく
選択されたウェハから、組立てられた後の半導体装置ユニットに対して行なわれ
たテストからの測定結果と、事前の製品データシートまたは顧客によって指定さ
れた設計特性に対応する値とを含む。たとえば、顧客は特定のマイクロチップが
所定の時間間隔内でロー状態からハイ状態に遷移することができる特定の回路、
または指定された条件もしくは周囲温度条件下で特定のバイアス電圧で特定の値
の電流を流すことができる特定の回路を含むことを要件とするかも知れない。こ
のような値すべてはキャラクタリゼーション変数データセット内に含めることが
できる。さらに、マイクロチップ設計に携わる技術者は、信頼性および品質保証
を確実にするためにさらなる制約を入れることができる。
【００３２】 ＷＥＴデータベース１３８および製品キャラクタリゼーションデータベース１
４０は一般に２つの異なるワークステーションまたはサーバ、たとえばサーバ１
２４および１３６にそれぞれ存在する。製品キャラクタリゼーションデータベー
ス１４０はたとえば研究開発施設内にあるコンピュータワークステーションに存
在し、ＷＥＴデータベース１３８は製造施設内にあるコンピュータワークステー
ションに存在し得る。代替的に収集されたＷＥＴデータセットおよびキャラクタ
リゼーション変数データセットは現地のまたは遠隔の同じコンピュータに記憶さ
れて効率を向上させることができる。
【００３３】 ステップＳ２１６において、半導体ユニットに対して行なわれた、データベー
ス１３８および／または１４０に記憶されている、キャラクタリゼーションテス
トの測定値は、特性変数データセットに含まれる対応する事前設計特性要件と比
較される。特定のキャラクタリゼーションテストからのデータも調べられて異常
な統計的分散を識別する。エンジニアは図６に示される結果やグラフを提示され
、それを調べてテストからの測定値および事前設計条件が有効であるかどうか、
および／または製品の設計、製造工程、組立て、テストプログラムもしくはテス
ト装置に問題があるかどうかを評価する。
【００３４】 ステップＳ２１８において、クライアントワークステーション１０２のエンジ
ニアはもたらされるデータが有効であるかどうかを定める。結果のデータが有効
であるのなら、ステップＳ２２０において半導体装置に対する製品キャラクタリ
ゼーションレポートがサーバ１２４によって生成され、データベース１４０に記
憶される。もたらされるデータが有効でない場合、エンジニアはキャラクタリゼ
ーションデータセットを含む種々のデータを変更したり、製品設計、製造工程、
組立て、テストプログラムまたはテスト装置を変えることができる。いずれの場
合でも、変更されたキャラクタリゼーションデータセットが生成され、データベ
ース１４０に記憶されて、ステップＳ２１６に戻る。
【００３５】 ステップＳ２２０において、最終の製品キャラクタリゼーションレポートはエ
ンジニアが見ることができるようサーバ１２４によって生成される。有効である
と定められたキャラクタリゼーションデータセットはさらに分析される。限界的
結果を有するキャラクタリゼーションテストパラメータが識別される。組立てら
れたユニットに対して行なわれた特定のテストからの値は、たとえば異なる温度
で行なわれた同じテストの値と比べられる。キャラクタリゼーションデータは、
さまざまな方法ですべてのテストパラメータに対してまとめられる。典型的な値
およびワーストケーステストパラメータ、数値、および動作条件（たとえば温度
および供給電圧）も報告され、製品データシートの相関性によってグループに分
けられる。動作変化における影響についてのレポート（たとえば温度デルタレポ
ート）も提供される。さらに、実際のキャラクタリゼーションデータに基づいて
、製品データシートに対する推奨制限値の新しいセットも生成される。次にグラ
フがエンジニアに提供され、製品設計がデータシートで指定された動作範囲で機
能するかどうか、さらに装置を製造のために公開するために、全体の製造ウイン
ドウに対して受入れられる歩留りで製造できるかどうかを定める。キャラクタリ
ゼーションレポートは第１のデータセットから一貫性のある結果を繰返し生成す
るような態様で迅速に生成される。
【００３６】 図３はＷＥＴデータセットを受けた後で行なわれる具体的ステップを示す。図
３に示されるように、レポート生成法は複数の異なるレポートオプションの生成
を含み、これは基本レポートオプションに加えて、以下で記載するように分析が
分割ロットキャラクタリゼーション、経過のＷＥＴデータまたはキャラクタリゼ
ーションデータに関わるかどうかに基づく関係型オプションを含む。ＲＳ／１サ
ーバ１５６はステップ３０２において少なくとも各ウェハに対するレポート統計
を生成し、ステップ３０４において平均トレンドチャートを生成し、ステップ３
０６においてＷＥＴマップを生成し、ステップ３０８において散布図ＷＥＴ対Ｗ
ＥＴレポートを生成する。図３に示されるレポートオプションは、図７に示され
るように、ブラウザによって表示されるメインメニューからの所望のレポートを
選択することにより、クライアント装置１０２のユーザによって選択できる。
【００３７】 ステップＳ３０２において、統計的平均値がＷＥＴデータセットに対して定め
られる。これは、ＷＥＴデータに記憶されている測定結果を得るのに用いられる
各指定キャラクタリゼーションテストパラメータを識別することによって達成さ
れる。次に、第１のデータセットからの実際の測定値が対応するテストパラメー
タでグループ分けされ、第１のデータセットにおける各テストパラメータの統計
的平均値を計算する。統計的平均値を計算するのに加えて、製造工程の効率を評
価するために他のさまざまな値をも定めることができる。たとえば、製造工程の
際に特定のテストパラメータに対して正常な分布が得られたかどうかを評価する
ために、各テストパラメータに対する標準偏差を決定することができる。さらに
、各テストパラメータの値の分散を調べて、工程で得られた分散の種類をさらに
識別するために、最小値および最大値をも決定することができる。
【００３８】 ステップＳ３０６で生成されたウェハＷＥＴマップは、測定結果が得られた、
ウェハ上の異なる物理的場所を示す目視的表示を提供する。たとえば、選択され
たテストパラメータの１つがハイからロー状態の遷移時間であるのなら、このテ
ストパラメータに対する統計的平均値およびその他の値がまず計算される。次に
、ウェハに対するテストされた半導体装置の場所についての目視的表示が生成さ
れる。分散が非常に狭いものなら、ウェハＷＥＴマップは測定結果が得られたウ
ェハ上の場所を示す。ウェハＷＥＴマップを調べると、設計者は要求される機能
に対して、満足の行く性能および満足の行かない性能を与える特定の半導体装置
の場所を識別することができる。このような識別に基づき、設計者は特定の顧客
に対する製品はウェハの特定の場所（たとえば四部区間の上半分や左下など）上
に形成された半導体装置のみから組立てられるべきだと判断するかも知れない。
【００３９】 ステップＳ３０８で生成された散布図はＷＥＴデータセット、キャラクタリゼ
ーション変数セット、経過データおよび設計者が設計する限界値からのデータを
用いる。次に、複数のテストパラメータが互いに、およびソートされたウェハ当
りの正味ダイ値、ならびに第２のデータセットからの対応するテストパラメータ
をもとに作図される。
【００４０】 ステップＳ３１０において、クライアント装置１０２はユーザ（たとえば設計
者またはテストエンジニア）に対して、分割ロットが製造工程で用いられたかど
うかをたずねる。分割ロットとは、最終製品が同じであるが、他のグループと比
べて歪んでいるかまたは他のグループと比べて少し製造工程が異なるウェハのグ
ループのことである。たとえば、エッチング工程の際に、あるロットはドライエ
ッチング技術によって処理され、別のロットは第１の化学組成物を用いてウエッ
トエッチング技術によって処理され、さらに別のロットは第２の化学的組成物を
用いてウエットエッチング技術によって処理され得る。上述のような各異なるロ
ットからの半導体装置の性能は、かなり異なることもある。さらに、分割ロット
はより暑いまたは冷たい環境での半導体装置の性能をアクセスするために、異な
る温度でテストされたウェハのグループを含み得る。
【００４１】 クライアント装置１０２の設計者またはエンジニアが分割ロットキャラクタリ
ゼーションを指定すれば、ステップ３１２においてクライアント装置１０２は（
ウェブサーバ１２８を介して）ホストデータサーバ１２４にコマンドを送ってウ
ェハを分割と関連付ける。具体的には、クライアント装置１０２のウェブブラウ
ザは図１Ｂのウェブサーバ１５０にコマンドを送り、ウェブサーバ１５０はライ
ブラリ１５４へのＣＧＩスクリプトまたはＲＰＬファンクションコールを実行し
、それによりステップ３１４において分割によるレポート統計値を生成するため
のルーチンが実行される。前述のように、データはＳＱＬ型データベース（たと
えばＯｒａｃｌｅデータベース）に記憶されてもよいし、ＡＳＣＩＩデータファ
イルとして記憶することができる。サーバ１５６によって実行された分析ソフト
ウェアは、適切なデータを関連付けて、ステップＳ３１４における分割によるレ
ポート統計を生成する。
【００４２】 ステップＳ３１４において、統計的平均値および他の適切な値（たとえば最小
値および最大値、標準偏差）は各分割内の各テストパラメータに対して計算され
る。ある分割に属するウェハが確認されると、各テストパラメータに対応する、
第１のデータセットからの測定結果はこのようなウェハに対して互いにグループ
分けされる。たとえば、ウェハＣ１−Ｃ５が分割ロット第３号に属するのなら、
ウェハＣ１−Ｃ５からの各テストパラメータの値が一緒のグループに分けられる
。
【００４３】 エンジニアはキャラクタリゼーションが分割ロットのキャラクタリゼーション
ではないと指定すると、ステップ３１６においてエンジニアは経過ＷＥＴデータ
が対応する半導体装置の製造と関連する製造工程に対して存在するかどうかを聞
かれる。経過ＷＥＴデータが存在すれば、クライアント装置１０２はウェブサー
バ１５０にリクエストを送り、それによりライブラリ１５４におけるルーチンが
サーバ１５６によって実行され、ステップＳ３１８においてロットＷＥＴカバレ
ッジ対経過製造工程が計算される。経過データは、半導体装置の以前の製造工程
を行なった際に集められたデータに対応する。経過データは典型的には前の三十
（３０）個の完了した製造工程の結果に関連する情報を含む。たとえば、経過デ
ータは前の３０個の製造工程の各工程の際に、ウェハおよび半導体装置に対して
行なわれたテストから得られた測定結果や、それぞれの製造工程での傾向および
／または問題を特定するキャラクタリゼーションデータを含み得る。
【００４４】 具体的には、ＷＥＴデータセットに記憶される実際の測定結果はステップＳ３
１８において経過データからの対応するテストパラメータと比較され、前に製造
されたロットに対する現行ロットの標準偏差を特定する。さらに、現行のロット
に対する個々のテストパラメータに対して定められた統計的平均値およびその他
の適切な値は、経過データからの対応するパラメータと比較される。ステップＳ
３１８で行なわれた比較により、設計者は製造工程に対して以前に行なった変更
または調整がよいかどうか（すなわち、歩留りが向上した、または分散が減少し
たなどをもたらす）かどうかを定めることができる。比較テストの結果は任意に
グラフの形で、（たとえば表示装置またはプリンタのような）出力装置に出力す
ることができる。
【００４５】 ステップＳ３１６において経過ＷＥＴデータが製造工程に存在しない場合、エ
ンジニアはステップＳ３２０においてキャラクタリゼーションデータセットが存
在するかどうかクライアント装置１０２に聞かれる。キャラクタリゼーションデ
ータが存在するのなら、クライアント装置１０２はウェブサーバ１５０にリクエ
ストを送り、ライブラリ１５４におけるルーチンがサーバ１５６によって実行さ
れ、これはステップＳ３２２における散布図キャラクタリゼーションテスト対Ｗ
ＥＴレポートの生成となる。クライアント１０２はさらにステップＳ３２４にお
ける、キャラクタリゼーションテストによってグループ分けされるＷＥＴ平均値
比較を指定するレポートをサーバ１５６に実行させるリクエストを送る。しかし
、ステップＳ３２０においてキャラクタリゼーションデータセットが半導体装置
に対して存在しないのなら、クライアント装置１０２はリクエストを送って、ス
テップＳ３２６においてサーバ１５６がステップＳ３０２、Ｓ３０４およびＳ３
０６およびＳ３０８で生成されたレポートに基づき、選択されたＷＥＴテストに
対する統計値を報告し、グラフを生成させる。したがって、利用可能なキャラク
タリゼーションデータセット、経過ＷＥＴデータおよび分割ロットキャラクタリ
ゼーションに基づき、異なるレポートオプションを選択することができる。
【００４６】 図４はＷＥＴデータセットからの測定結果をキャラクタリゼーション変数から
の設計特性と比べる際（すなわち図２のステップＳ２１４）に行なわれるさらな
るステップを詳細に示すフローチャートである。最終の製品または顧客にとって
重要であるキーパラメータがまず識別される。たとえば、顧客は所定の時間間隔
内でハイ状態およびロー状態間の特定のチップ遷移でパッケージ化されることを
要件とするかも知れない。したがって、半導体装置に対する遷移時間を定めるテ
ストパラメータが識別され、たとえば電流の流れを定めるテストパラメータ（す
なわち非キーパラメータ）は識別されない。キーパラメータは設計者によって対
話形式で入力され得る。代替的に、キーパラメータは第２のデータセットから抽
出することができる。
【００４７】 なお、ここに記載されるパラメータは例示的なものであり、比較し得るパラメ
ータそのものを表わすのではなく、またはテストおよび比較され得る実際のパラ
メータの数を表わすものではない。ステップＳ４１０において、状態間で遷移し
ない半導体装置が識別される。第１のデータセットからの指定テストパラメータ
の実際の測定値は対応する設計特性と比較される。しきい値の遷移時間を満たさ
ないまたは全く遷移しない半導体装置が識別される。次に、ステップＳ４１２に
おいて、設計特性外の測定値をもたらす半導体装置は「仕様外」として識別され
る。設計者によって入力された制限パラメータ外にある測定結果をもたらす半導
体装置も「仕様外」装置として特定される。ステップＳ４１４において、異常で
あると考えられる、ＷＥＴデータセットからの測定値は「異常値」として識別さ
れる。ステップＳ４１４の際、ＷＥＴデータセットからの測定結果は、同じ温度
および供給電圧（ＶCC）において、第２のデータセットおよび他の分割からの対
応する値を比較される。
【００４８】 ステップＳ４１６において、結果のデータ（すなわち識別された半導体装置）
は設計者によって検討されるために提示される。ステップＳ４１８において、設
計者はもたらされるデータが満足のゆくものであるかどうかを定める。もたらさ
れるデータが満足できるものなら、制御はステップＳ２２０に移り、サーバ１５
６は有効半導体装置および無効半導体装置（および／またはテスト結果）のリス
トを含めたキャラクタリゼーションレポートを生成する。もたらされるデータが
満足の行くものではないのなら、設計者はステップＳ４２０において種々のパラ
メータを変える。たとえば、制限パラメータは「仕様外」装置を再定義するよう
調整できる。第２のデータセットからの設計特性は、「遷移しない」装置や「異
常値」を定義し直すために変更され得る。設計者がパラメータの変更を終えると
、制御はステップＳ４１０に移る。この処理は設計者がデータ結果に満足するま
で繰返される。こうして、ステップＳ２２０で生成されたリストは、設計者にと
って満足の行く測定結果を有する半導体装置および測定されたテスト結果が不満
足である半導体装置の両方を含む。
【００４９】 図５は、図２のステップＳ２１４でキャラクタリゼーションデータを生成する
のに行なわれるステップをさらに詳細に示すフロー図である。ステップＳ５１０
において、半導体装置の測定結果が調べられ、限界的結果を有する半導体装置は
サーバ１５６によって識別される。半導体装置がテストパラメータに対して限界
的結果を有するとみなされるのは、所定の標準偏差ファクタが（テストパラメー
タに対する）測定値を第２のデータセットからの設計特性の外、または設計者が
入力した境界パラメータの外に置くものをいう。本発明の一実施例に従い、半導
体装置が限界的結果を有するとみなされるのは、＋／−３の標準偏差ファクタを
加えることにより、測定値を設計者が入力した境界パラメータの外に置く場合を
いう。
【００５０】 限界的パラメータを有する半導体装置は、設計者に対して不合格の可能性を示
す。たとえば、顧客が組立てられたチップが特定の性能特性を示すことを求め、
特定の半導体装置はその性能特性に対して境界的結果をもたらすのなら、その組
立てられたチップは辛うじてまたは不安定に動作するものであろう。したがって
、設計者はその顧客に対するチップは境界的結果を示さない半導体装置で組立て
られることを求めることができる。このような半導体装置は、たとえばステップ
Ｓ３０６で生成されたウェハＷＥＴマップに基づく、ウェハの異なる領域から選
択できる。
【００５１】 ステップＳ５１２において、ユニットが動作温度範囲にわたってテストされた
かどうかが判断される。特に、ユニットが製品データシートまたはエンジニアが
指定した動作温度範囲全体にわたってテストされているのなら、ステップＳ５１
４においてユニットに対する温度デルタはサーバ１５６の分析ソフトウェアによ
ってで定められる。
【００５２】 温度デルタは温度間のサンプルデータ中央値（すなわち第１のデータセットか
ら）の差として定義される。温度デルタは温度のガードバンドを定めるために用
いられる。温度ガードバンドは、１回の合格テストから他の温度での不合格のも
のすべてを確実にはねつけるテスト範囲を作成するために、デルタ（すなわち傾
斜）が正または負であるかに応じて境界パラメータに加算または引算される。
【００５３】 まず種々の温度分割が識別され、種々の統計的値（たとえば、平均値、中央値
、標準偏差など）が各分割のすべてのテストパラメータに対して定められる。次
に、分割間の統計的値の変化が、各テストパラメータに対して定められる。分割
ロットは異なる温度でテストされるので、判断された統計値の変化は異なるテス
ト温度に対するテストパラメータの測定結果の変動を示す。定められた温度デル
タに基づき、テストされた半導体装置は多様な態様で分類できる。たとえば、異
なる温度に対して測定値に変化がなかった半導体装置は特定のカテゴリにグルー
プ分けでき、小さな変化を示した半導体装置は第２のカテゴリにグループ分けさ
れる。
【００５４】 本発明の一実施例に従い、設計者は製造された装置から組立てられるマイクロ
チップ（または最終製品）に対する公称動作温度を与え得る。動作温度に対して
劣化した性能を示す半導体装置は、たとえばこのような装置が組立てられたマイ
クロチップに組込まれるのを防ぐようなカテゴリにグループ分けされる。さらに
、温度以外の種々の「デルタ」を計算することができる。たとえば、分割ロット
は異なる供給電圧（ＶCC）に基づいて定められ得る。したがって、供給電圧デル
タが計算される。
【００５５】 ステップＳ５１８において、キャラクタリゼーション結果がまとめられて設計
者に提示される。このデータはさまざまな方法でまとめられる。たとえば、設計
者は特定のテストパラメータに対するデータサマリを対話形式でリクエストでき
る。代替的に、テストパラメータはデータサマリプロセスを自動化するために、
あるデータファイルに含めることができる。テストパラメータが与えられなけれ
ば、データはすべてのテストパラメータに対してまとめられる。データサマリは
最小値、最大値、平均値、中央値、＋／−３標準偏差などのような測定された値
に対応する情報を含む。データサマリに提示される結果はテストパラメータのす
べてまたは選択された一部に対して定められる。分割ロットが用いられる場合、
データサマリの結果は分割における組合せられたウェハを反映する。測定された
データは製造工程の際に用いられた異なる供給電圧（ＶCC）または温度に基づい
てさらに分類できる。
【００５６】 データサマリは分類された供給電圧および温度に対して計算されるワーストケ
ースパラメータを含む。最後に、推奨境界パラメータがワーストケースパラメー
タ、標準偏差などに基づいて生成される。データサマリに基づき、設計者は図８
に示される、推奨データシートに対して変更を行なうべき箇所を確定することが
できる。
【００５７】 本方法および処理を用いて、製造された半導体装置からの測定テスト結果を所
定の設計特性と比較することにより、半導体装置用のキャラクタリゼーションデ
ータを迅速にかつ一貫性を有して生成することができる。したがって、ＷＥＴパ
ラメータ、ソート／クラス歩留り、およびデータ変数を比較する処理は簡単にな
り、より参考となる。本発明は、有効および無効な半導体装置ならびに／または
テスト結果を識別するために、半導体装置からの測定値を指定された設計特性、
境界パラメータおよび経過データと比較する。さらに、設計者は分析するべきテ
ストパラメータを対話形式で選択し、不正確であると定められたデータを選択的
に取り除くことができる。キャラクタリゼーションデータは識別された有効な半
導体装置および／またはテスト結果に基づいて生成される。
【００５８】 キャラクタリゼーションデータは半導体装置に対して行なわれた異なるテスト
のサマリを与える。図６に示されるグラフの形で、テスト結果を見るためにさま
ざまな表示オプションが利用可能である。表示オプションにより設計者は自動的
に選択されるまたは設計者によって入力される１つ以上のテストパラメータから
のテスト結果を見ることができる。ディスプレイのオプションにより設計者は１
枚の表示画面の中で、選択されたテストパラメータに対する複数のテスト結果を
示す散布図を見ることができる。さらに、ワーストケースパラメータが識別され
、設計者には製造工程のガイドラインとして働く境界的パラメータが自動的に与
えられる。
【００５９】 本発明の方法は、異なるプラットホームで動作される多様な種類のコンピュー
タシステムで実施できる。たとえば、本発明の一実施例において記載したように
、ウェブブラウザは本発明を実現するためのインターフェイスとして用いること
ができる。ウェブブラウザインターフェイスは数多くの利点をもたらすことは当
業者にとって明らかである。たとえば、特定のテスト結果および表示の選択はメ
ニューによって行なわれ、それにより設計者はテスト結果を迅速に選択、変更、
および表示することができる。さらに、ウェブブラウザインターフェイスのプラ
ットホームの独立性により、物理的に離れていて異なるコンピュータおよびオペ
レーティングシステムを用いる設計者間でデータの提携および交換が可能となる
。
【００６０】 本発明の１つの利点として、複雑な半導体装置のキャラクタリゼーションデー
タは、製造工程から集められたデータを調べることにより、従来必要であった時
間の僅かの時間で生成できる。さらに、キャラクタリゼーションデータは正確に
かつ一貫性を有して生成される。なぜなら、複数のエンジニアからの直感の代わ
りに、所定のパラメータを用いて有効および無効な半導体装置を識別するからで
ある。
【００６１】 開示された実施例の自動分析により、予期される性能限界を満たさないキャラ
クタリゼーションテストパラメータをすばやく識別することができる。エンジニ
アはテストプログラム、テスト装置またはテストセットアップ条件の問題により
テスト結果が有効または無効であるかを定めるのに、結果を見るだけでよい。
【００６２】 本発明は最も現実的かつ好ましい実施例であると考えられるものに基づいて記
載されているが、本発明は開示された実施例に限定されるものではなく、前掲の
特許請求の範囲の精神および範囲内に含まれる種々の変形および均等な構成を網
羅することが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 本発明の実施例が実現できる、コンピュータシステムをまとめ
たブロック図である。
【図１Ｂ】 本発明の実施例が実現できる、コンピュータシステムをまとめ
たブロック図である。
【図２】 本発明の実施例に係る、半導体装置用の製品キャラクタリゼーシ
ョンレポートデータを生成するために行なわれるステップのフロー図である。
【図３】 図２に示されるフロー図からＷＥＴデータセットを収集した後で
行なわれる具体的ステップを示すフロー図である。
【図４】 本発明の一実施例に従い、有効な測定値を識別するための、キャ
ラクタリゼーションテストからの測定結果を分析するために行なわれるステップ
を示すフロー図である。
【図５】 キャラクタリゼーションレポートを生成するために行なわれるス
テップを示すフロー図である。
【図６】 本発明の一実施例に従い、測定された電気的テスト結果をキャラ
クタリゼーションテスト結果と比較するために、クライアントのワークステーシ
ョンでユーザに提示される図形的レポートを示す図である。
【図７】 本発明の一実施例に従い、製品キャラクタリゼーションルーチン
を実行するために、クライアントワークステーションで実行可能なブラウザソフ
トウェアのディスプレイを示す図である。
【図８】 本発明の一実施例に従い、生成される推奨製品データシートを示
す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月１９日（２００２．２．１９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【関連技術の説明】 ＵＳ−Ａ−５ ７２６ ９２０はファイナルウェハソート（ＦＷＳ）テスト設
備および方法を開示し、ここではテストデータ信号がＦＷＳテストステーション
によってデータベースコンピュータに提供される。データベースコンピュータは
受取ったデータを分析し、処理／インキングステーションでのテストされたウェ
ハについてとるべき動作を定める。この処理／インキングステーションはＦＷＳ
テストの際に不良であるとされたダイに印をつけ、このようなダイはダイシング
の後処分される。 超大規模集積回路に伴う高密度性能の要求が高まるにつれ、０．２５ミクロン
以下（たとえば０．１８ミクロン以下）の設計フィーチャ、より高いトランジス
タおよび回路速度、高信頼性、および競合できるほどの高い製造スループットな
どが求められるようになっている。たとえば、高密度性能および超大規模集積を
必要とする半導体装置の１種として記憶装置がある。０．２５ミクロン以下の設
計フィーチャの縮小は、従来の半導体製造技術の限界に挑むものである。さらに
、設計フィーチャがさらなるサブミクロン範囲に縮小されるにつれ、競合できる
ほどに製造スループットを維持または向上させることが益々困難になってきてい
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 チェン，ジェニファー・メン−ツ アメリカ合衆国、94040 カリフォルニア 州、マウンテン・ビュー、クエルナバカ・ シルキュロ、1311 (72)発明者 サン，チン−ヤン アメリカ合衆国、95482 カリフォルニア 州、ユカイア、ザイナ・レーン、3361 Ｆターム(参考） 4M106 AA01 DJ40

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体装置が少なくとも１枚のウェハ上に形成される、製造
    工程のためのキャラクタリゼーションデータを生成するための方法であって、前
    記方法は、 製造工程の際に半導体装置に行なわれたテストから得られた測定結果を含む第
    １のデータセットを受取るステップと、 半導体装置に対する設計特性に対応する値を含む第２のデータセットを受取る
    ステップと、 第１のデータセットからの測定結果を第２のデータセットからの設計特性と比
    較するステップと、 前記比較するステップに基づき、有効な性能特性および無効な性能特性を有す
    る半導体装置を識別するステップと、 識別された有効半導体装置に基づいて製造工程のためのキャラクタリゼーショ
    ンデータを生成するステップとを含み、 キャラクタリゼーションデータは前記半導体装置からのテスト結果が適合する
    推奨境界パラメータを含む、方法。
  2. 【請求項２】 前記第１のデータセットを受取るステップは、 半導体装置を形成するために分割ロットが製造工程で用いられたかどうかを定
    めるステップと、 少なくとも１枚のウェハの各々が属する分割ロットを識別する入力を、ユーザ
    から受取るステップと、 受取られた入力に基づいて、各分割ロットに対して１つ以上の工程特性を生成
    するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 前記１つ以上の工程特性を生成するステップは、 選択された分割ロットに属するウェハ上に形成された半導体装置用の測定結果
    を組合せるステップと、 選択された分割ロットの組合せられた測定結果に対する統計的平均を定めるス
    テップと、 すべての分割ロットが特定されるまで、前記組合せるステップおよび定めるス
    テップを繰返すステップとを含む、請求項２に記載の方法。
  4. 【請求項４】 キーテストパラメータを識別するステップと、 ウェハ当りの正味ダイ値を定めるステップと、 第１および第２のデータセットからのテストパラメータに相関するキーテスト
    パラメータの結果を表示する散布図を作成するステップとをさらに含む、請求項
    １に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記第１のデータセットを受取るステップはさらに ユーザから少なくとも２つの選択テストパラメータを受取るステップと、 前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、２つの選択されたテストパラメ
    ータに対応する測定値の統計的平均値を定めるステップと、 前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、２つの選択されたテストパラメ
    ータに対応する測定結果の最小値および最大値を定めるステップと、 前記少なくとも１枚のウェハの各々に対して、２つの選択されたテストパラメ
    ータに対応する測定結果の中央値および標準偏差を定めるステップとを含む、請
    求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装
    置を識別するステップは、 測定結果を得るために用いられたテストパラメータからあるテストパラメータ
    を順次選択するステップを含み、さらに 選択された各テストパラメータに対して、 半導体装置に対する選択されたテストパラメータに対応する測定結果を第１の
    データセットから識別するステップと、 選択されたテストパラメータに対する設計特性値に対応する値を第２のデータ
    セットから識別するステップと、 第１のデータセットから識別された測定結果を第２のデータセットから識別さ
    れた値と比較するステップと、 前記値を比較するステップに基づいて、設計特性に適合しない測定結果を有す
    る半導体装置を定めるステップとを行なう、請求項１に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記有効な性能特性を有する半導体装置を特定するステップ
    は 半導体装置から測定された電圧遷移パラメータに対応する値を第１のデータセ
    ットから識別するステップと、 電圧遷移用の設計特性値に対応する値を第２のデータセットから識別するステ
    ップと、 第１のデータセットから識別された値を第２のデータセットから識別された値
    と比較するステップと、 前記値を比較するステップに基づき、第１の状態および第２の状態間で遷移し
    ない半導体装置を定めるステップとを含む、請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記第２のデータセットを受取るステップは、各テストパラ
    メータ用のデータ境界を選択するステップを含む、請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装
    置を識別するステップは 第１のデータセットからの各テストパラメータに対する測定結果を選択された
    データ境界からの対応する値と比較するステップと、 所定の値の範囲外にある測定結果を有する半導体装置を識別するステップとを
    さらに含む、請求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】 無効な性能特性を有すると識別された半導体装置の割合を
    定めるステップと、 定められた割合の値が所定のしきい値を超えた場合、警告を出力するステップ
    とをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１のデータセットを受取るステップは、ウェブブラ
    ウザインターフェイスを用いて、インターネットを介して遠隔地から第１のデー
    タセットを受取るステップを含む、請求項１に記載の方法。
  12. 【請求項１２】 製造工程用のキャラクタリゼーションデータを生成するた
    めのシステムであって、ワークステーションを含み、前記ワークステーションは 前記製造工程の際に前記半導体装置に行なわれたテストから得られた測定結果
    を含む第１のデータセットをアクセスし、 前記半導体装置用の設計特性に対応する値を含む第２のデータセットをアクセ
    スし、 前記第１のデータセットからの測定結果を前記第２のデータセットからの設計
    特性と比較して、有効な性能特性および無効な性能特性を有する半導体装置を識
    別し、 識別された有効半導体装置に基づいて製造工程用の前記キャラクタリゼーショ
    ンデータを生成するよう構成され、 前記キャラクタリゼーションデータは前記半導体装置からのテスト結果が適合
    する推奨境界パラメータを含み、さらに 前記ワークステーションに作動的に結合されて前記キャラクタリゼーションデ
    ータを表示するためのディスプレイを含む、システム。
  13. 【請求項１３】 前記第１および第２のデータセットを記憶するための第２
    のワークステーションをさらに含み、前記ワークステーションはそのメモリ内に
    おいてウェブブラウザを実行するよう構成されており、前記ウェブブラウザはイ
    ンターネットを介して前記第１および第２のデータセットをアクセスするための
    通信プラットフォームを提供する、請求項１２に記載のシステム。
  14. 【請求項１４】 前記第１のデータセットをアクセスした上で、前記ワーク
    ステーションは ユーザからのテストパラメータを受取り、 少なくとも１枚のウェハの各々に対する受取られたテストパラメータに対応す
    る測定結果の統計的平均を定め、 少なくとも１枚のウェハの各々に対して受取られたテストパラメータに対応す
    る測定結果の最小値および最大値を定めるよう構成されている、請求項１２に記
    載のシステム。
  15. 【請求項１５】 前記第１および第２のデータセットは、コンピュータ読取
    可能媒体に記憶されている、請求項１２に記載のシステム。
  16. 【請求項１６】 前記ワークステーションは 測定結果を得るために用いられたテストパラメータからあるテストパラメータ
    を順次選択するステップを行ない、さらに 選択された各テストパラメータに対して、 半導体装置に対する選択されたテストパラメータに対応する測定結果を第１の
    データセットから識別するステップと、 選択されたテストパラメータに対する設計特性値に対応する値を第２のデータ
    セットから識別するステップと、 第１のデータセットから識別された測定結果を第２のデータセットから識別さ
    れた値と比較するステップと、 前記値を比較するステップに基づき、設計特性に適合しない測定結果を有する
    半導体装置を定めるステップとを行なうことにより、 有効な性能特性および無効な性能特性を有する前記半導体装置を識別するよう
    構成されている、請求項１２に記載のシステム。
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