JP2003505740A - 高解像度光学リソグラフィー用マスク - Google Patents

高解像度光学リソグラフィー用マスク

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JP2003505740A JP2001512999A JP2001512999A JP2003505740A JP 2003505740 A JP2003505740 A JP 2003505740A JP 2001512999 A JP2001512999 A JP 2001512999A JP 2001512999 A JP2001512999 A JP 2001512999A JP 2003505740 A JP2003505740 A JP 2003505740A
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ユアン， アール． マルドナド，
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Abstract

(57)【要約】 短い波長の光、例えば１５７ｎｍの光を使用する高解像度光学リソグラフィー用の光学的マスク（１００）は、所望の波長に対して透明である材料の膜（１０２）を使用する。これらの薄い膜は、シリコン・ウェーハ（１０４）といった支持構造体によって引張り応力下で保持される。膜が薄いので、被覆するリソグラフィー・パターンの生成時の膜材料の加熱は、低減される。これは、フッ化カルシウムが高い熱膨張係数を持っているのでフッ化カルシウムといった材料がマスクの透明媒体として使用されるときに、特に有利である。このようにして膜は、マスクの生成時に、歪みをほとんど受けない。このリソグラフィー・パターンは、パラジウムといった吸収性の材料の薄い層を使って生成される。この吸収性材料と膜の両者とも薄いので電子ビーム書込みによるリソグラフィー・パターンの生成時に後方散乱は殆どなく、したがって近接修正も不必要になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 （技術分野） 本発明は、光学リソグラフィー用マスク、特に高解像度光学リソグラフィー用
マスクに関する。
【０００２】 （背景技術） 集積回路といった半導体素子は、素子基板の表面にパターンを複写することに
よって製造される。複写プロセスは一般的には、電子ビーム、Ｘ線、光線といっ
た照明源を使用して素子基板にマスク上のパターンをリソグラフィー的に転写す
ることを含んでいる。
【０００３】 膜（membrane）マスクは、Ｘ線リソグラフィーで使用されるものとして周知で
ある。膜マスクは、フレームによって支持される膜を使用する。これらの膜は一
般的に、シリコン、ドープト・シリコン、炭化シリコン、窒化シリコン、ダイヤ
モンド、または類似の材料で作られる。Ｘ線の波長は基板に素早く吸収されるの
で、Ｘ線が基板を透過できるように薄い膜が必要である。一般にこれらの膜は、
厚さが５μｍ（ミクロン）未満であり、したがって一般にその製造には細心の注
意を要し、費用もかかる。更にＸ線マスクに使われるＸ線吸収フィルムは、入射
放射線を吸収し、それらを反射しない。
【０００４】 従来の光学リソグラフィーは厚い基板を容易に透過する波長を使用するので、
膜マスクは、光学リソグラフィーでは使用されない。したがって光の波長に関し
て敏感な膜マスクを生成する費用と面倒とを被る必要がない。
【０００５】 光学リソグラフィーでは、従来のマスクは、使用される光の波長に対して透明
であるガラスまたは石英の比較的厚い基板を被覆する、クロムといった不透明の
パターンを含んでいる。入射光は、不透明な材料によって吸収され、また反射さ
れ、そして基板を透過してマスクのパターンを有する素子基板（あるいは被覆し
ているフォトレジスト層）を露光する。
【０００６】 従来の光学マスクのガラスまたは石英の基板は、自立しており、すなわち支持
フレームなしで自立しており、その厚さは一般に数ミリメートルである。厚いシ
リコンまたは石英の基板は、比較的長い波長、例えば１９３ｎｍあるいは２４８
ｎｍ（ナノメートル）の光に対しては十分に透明である。しかしながら、高解像
度光学リソグラフィーのためには、より短い波長、例えば１５７ｎｍの光が使用
される。厚いガラスまたは石英の基板は、短波長の光に関して所望の透過率を持
っていない。現在、１５７ｎｍに対して透明な厚い材料を開発する努力は、光学
的透過性を増加させるための、材料修正（ドーピング）または溶融シリカのＯＨ
除去に集中されている。
【０００７】 短波長において少なくとも部分的に透明である材料は、フッ化カルシウム（Ｃ
ａＦ2）である。不都合なことにＣａＦ2は、通常のガラスや石英の約４０倍とい
う高い熱膨張係数を持っている。例えば電子ビーム書込みを使って被覆パターン
を生成するときに、一般に多量の熱が基板に伝達される。したがって高い熱膨張
係数を有する基板は、被覆パターンの生成時に歪むであろう。その結果、もし通
常の光学的マスクのガラスまたは石英の基板がＣａＦ2基板に置き換えられると
、電子ビーム書込みは、ＣａＦ2基板を加熱して、ＣａＦ2基板を歪ませ、被覆パ
ターンを歪ませる結果を招くであろう。この歪みは、将来の素子生成の基本ルー
ルのために修正が困難になる可能性がある。
【０００８】 したがって被覆パターンを生成するときに歪まない高解像度の、すなわち短波
長の光学リソグラフィー用に使用できるマスクが必要とされている。
【０００９】 （発明の開示） 光学的マスク構造は、１５７ｎｍといった所望の波長の光に対して少なくとも
部分的に透過性である膜を含んでいる。この光学マスクは、半導体素子といった
素子を生成するためにリソグラフィー・システムで使うことができる。この膜は
、引張り応力の下でそれを保持する基板上に支持される。リソグラフィー・パタ
ーンは、この膜を覆っている。好都合にもこの膜は、十分に薄くなっており、か
つ被覆パターンの生成時の加熱によって引き起こされる膜の歪みを減少させるよ
うに支持フレームに取り付けられる。これは、ＣａＦ2が高い熱膨張係数を有す
る膜として使用される場合に、特に有利である。加えて、膜が薄いので、例えば
電子ビーム書込みで被覆パターンを生成するときに、この膜は電子の後方散乱を
ほとんど引き起こさないであろう。更にパラジウムといった吸収性材料の薄層は
、膜を被覆するパターンの材料として使用される。吸収体が薄いので、電子の後
方散乱は、ほとんど発生しない。したがって、被覆パターンの生成時に近接効果
補正は、ほとんど、あるいはまったく不必要になる。
【００１０】 光学マスクは、例えばシリコンまたは溶融シリカの基板を備えることによって
製造されるが、この基板の上に例えばＣａＦ2またはドーピングされたＯＨフリ
ーの溶融シリカといった膜材料の層が形成される。シリコンまたは溶融シリカは
、膜領域を画成するために膜材料に対してエッチバックされる。膜材料の上に吸
収性または反射性の材料の層が堆積され、それが膜領域の上に所望のリソグラフ
ィー・パターンからパターン化されてエッチングされる。膜材料の層は、被覆層
のパターニング時の膜領域の加熱と歪みとが減少するように十分に薄く堆積され
る。
【００１１】 （発明を実施するための最良の形態） 図１は、本発明の一実施例による高解像度光学リソグラフィー用の膜マスク構
造１００の上面（平面）図を示す。図２は、図１に示すＡ−Ａ’線による、マス
ク構造１００の横断面図を示す。マスク構造１００は、破線で示す厚いフレーム
１０６に取り付けられた基板１０４によって引張り応力の下で支持された数個の
比較的小さな膜１０２からなる。吸収体１０８は、リソグラフィー的に転写され
るべき所望のパターンを画成する膜１０２を覆っている。
【００１２】 膜１０２は、所望の光の波長において透過性である材料で作られる。したがっ
て短波長、例えば１５７ｎｍに適した膜１０２用の材料には、ＣａＦ2、フッ素
（Ｆ）をドープした溶融シリカ、ＯＨフリーの溶融シリカ、あるいはこれらの材
料の組合せが含まれる。所望の光の波長で十分に透明である限りは、他の材料も
使用できることは無論である。
【００１３】 膜１０２は、例えば１μｍから２０μｍ（ミクロン）の間の厚さを持っている
。薄い膜１０２を使用することは好都合にも、結晶の均質性、光学的吸収性、平
坦性といった従来の光学リソグラフィー・マスクにおける厚い材料の使用に関連
した問題を回避する。薄い膜の使用は更に、皮膜パターンの生成に関連する歪み
問題を改善する。膜１０２が薄いので、吸収体１０８の所望のパターンの電子ビ
ーム書込み時に、電子は膜１０２によって完全には吸収されず、大部分は膜１０
２を透過するであろう。したがって熱が厚い基板に伝達されるときに、薄い膜に
は、より少ない熱が伝達される。このようにして、膜がＣａＦ2といった高い熱
膨張係数を有する材料から作られるとき、膜１０２には熱はほとんど伝わらず、
それによって有害な歪みを限定する。膜１０２の選択された厚さは、膜１０２の
安定性、すなわち歪みのないこと、強度、フィルム表面の粗さの要件、ならびに
所望波長の透過性の最大化といった要因によって決定される。
【００１４】 図１、２に示すようなマスク構造１００に多数の膜１０２を使用することは、
膜サイズ対厚さ比の関数であるマスク操作（強度）と安定性（パターン配置と照
射損傷）との要件を満たすために有利である。このようにして例えば、もし非常
に薄い膜が所望であれば、安定性を増加させるために、膜のサイズは、強度要件
を満たすために小さくしてもよい。本発明の他の実施例では、マスク構造１００
は、単一の大きな膜を使用する。単一の膜マスクは、つなぎ誤差を限定するとい
った露光ツールの考慮の上から有利である。
【００１５】 支持基板１０４は、シリコンまたは溶融シリカ（ドープされている、あるいは
ドープされていない）ウェーハ、または低い熱膨張係数を有する他の材料で作ら
れる。この支持基板１０４の厚さと膜１０２間の幅は、膜１０２に十分な支持を
与えるように選択される。例えば膜１０２間の幅は、０．１ｍｍから５ｍｍまで
の範囲にある。膜１０２は、引張り応力下にあるので、膜１０２の熱膨張係数は
、支持基板１０４によって決定される。応力のレベルは、例えば５−１０×１０ 8 ｄｙｎｅｓ／ｃｍ2の範囲にあればよい。
【００１６】 支持基板１０４は、支持基板１０４と類似の熱膨張特性を有する比較的厚いフ
レーム１０６に取り付けられる。フレーム１０６は、溶融シリカまたは、例えば
「Ｐｙｒｅｘ（パイレックス）」という商標で知られるガラス材料で作ることも
できる。
【００１７】 不透明な吸収体１０８は、良好なエッチング特性と、所望の波長での高い光学
吸収性と低い反射性とを有する材料で作られる。例えば、１５７ｎｍ波長の光に
関して十分な特性を持っているという理由で、１００から５００オングストロー
ム厚さのパラジウム（Ｐｄ）フィルムを使用することもできる。吸収体１０８を
形成するために他の材料も使用できることは無論である。更に吸収体１０８は、
応力誘発歪みを最小にするために基板と比較して低いヤング率を持つべきである
。
【００１８】 所望であれば、吸収体１０８は、反射性の材料で置き換えが可能であることは
無論である。しかしながら反射性のシステムは、作ることが困難である。更に５
００オングストロームのＰｄといった吸収体１０８として薄いフィルムを使用す
ることは、電子ビーム書込み時に後方散乱ほとんどなく、したがって近接誤差補
正がほとんど、あるいはまったく必要とされないので、有利である。更に、膜１
０２が薄いので膜１０２も電子ビームの後方散乱をほとんど発生させず、これが
近接誤差補正を不必要にする。
【００１９】 多数の膜１０２が使用される場合には、各膜が、吸収体１０８によって画成さ
れるリソグラフィー・パターンを持つことができる。リソグラフィー処理時に各
膜上のパターンは、順次に走査され、ステップ移動し、他の膜パターンに揃えら
れて素子基板上に完全なパターンを画成する。光学ツール／マスク・システムは
、つなぎ誤差を最小にするように設計しなくてはならない。しかしながらもし単
一の膜が使用されるのであれば、全リソグラフィー・パターンは、その単一の膜
上に生成できる。このようにしてリソグラフィー・プロセスは、単一の膜の使用
によって単純化される。
【００２０】 膜構造１００を生成するために使われる製造ステップは、図３の流れ図に示さ
れ、またその結果得られる構造は，図４Ａから４Ｅに示されている。第１のステ
ップ１２２で、例えば酸化シリコンのエッチング停止フィルム１４０は、図４Ａ
に示すように基板１０４上に堆積、あるいは成長させられる。フィルム１４０は
、基板１０４上で膜領域を画成するために使用される。
【００２１】 次のステップ１２４では、従来のリソグラフィー方法とエッチング手法とを使
用して、フィルム１４０は、基板１０４の一方の面からは膜領域が除去され、基
板１０４の他方の面からは全部が除去される。その結果得られる構造は、図４Ｂ
に示す。
【００２２】 次のステップ１２６では例えば１から２０μｍのＣａＦ2またはその他適当な
材料のフィルム１４２が基板１０４上に堆積される。フィルム１４２は、化学堆
積（ＣＶＤ）、スパッタリング、その他適当な手法を使用して堆積することがで
きる。しかしながら一旦フィルム１４２が堆積されると、特にＣＶＤによって堆
積されると、フィルム１４２の表面は、所望の表面粗さの要件を満たすために例
えば化学機械研磨（ＣＭＰ）を使って研磨することが必要である。
【００２３】 次のステップ１２８では、通常のリソグラフィー手法を使って基板１０４の膜
領域をエッチングして膜１０２を画成する。基板１０４は、反応性イオン・エッ
チング（ＲＩＥ）または他のいかなる従来のエッチング方法を使用してエッチン
グしてもよい。その結果得られた構造は、図４Ｃに示す。
【００２４】 基板１０４上に残ったフィルム１４０はその後、ステップ１３０で剥離され、
それから基板１０４は支持リング１０６に陽極接合される。その後ステップ１３
２で、膜フィルム１４２の上に吸収体フィルム１４４が堆積される。ステップ１
３２は、もっと早期に、例えばステップ１２８またはステップ１３０に先立って
行ってもよいことは理解すべきである。この結果得られた構造は、図４Ｄに示す
。
【００２５】 それからステップ１３４で吸収体フィルム１４４は、通常のリソグラフィーと
エッチングの手法を使ってパターニングされてエッチングされる。その結果得ら
れた構造は、図４Ｅに示す。吸収体パターンの歪みは、第一に次式のように吸収
体のヤング率および厚さと、基板のヤング率および厚さとの比によって決定され
る。
【００２６】
【式１】 ここでＥａとＥｓは、それぞれ吸収体１０８と膜１０２のヤング率であり、ｔａ
とｔｓは、それぞれ吸収体と膜１０２の厚さである。
【００２７】 図５は、マスク構造１００を使ってパターンを素子基板１５２に転写する従来
のＮＸ縮小光学リソグラフィー・ツール１５０の関連部分の側面図を示す。図５
に示すようにリソグラフィー・ツール１５０は、マスク構造１００を照明する光
源１５４と、マスク構造１００を通過する光を素子基板１５２上に集束させる投
影レンズ系１５６とを含んでいる。マスク構造１００はまた、通常のマスク・ス
テージ（図示せず）といった適当な支持体上に位置している。投影レンズ系１５
６は簡略化のために図５の単一レンズとして図５に示されているが、一般には多
数のレンズが使われていることは理解すべきである。更に、レンズ系１５６の一
部は、光源１５４とマスク構造１００との間に配置してもよい。素子基板１５２
は、矢印１５９によって示すように移動可能なステージ１５８の上に配置されて
いる。動作時にステージ１５８は、素子基板１５２上に所望のパターンを完成す
るために各膜パターンを他の膜パターンに整列させるように素子基板１５２を移
動させる。光学リソグラフィー・ツール１５０は、その動作が当業者によく知ら
れている従来のいかなる光学リソグラフィー・ツールでもよい。
【００２８】 膜マスク構造の他の実施例を生成するために使用される製造ステップは、結果
的に図７Ａから７Ｅに示す構造が得られる図６の流れ図に示されている。図６に
示す第１のステップ２０２では、膜領域２２４を画成するために、溶融シリカ基
板２２０の上にレジスト層２２２が従来のように堆積されてパターニングされる
。その後、次のステップ２０４で、膜領域２２４は、フッ素または他の適当なド
ーパント２２６といったドーパントをドープされる。膜領域２２４は、打ち込み
、拡散、その他適当ないかなる方法によってドープしてもよい。図７Ａは、ドー
パント２２６をドープされた基板２２０の膜領域２２４を示す。このドーパント
は、所望の、例えば１０μｍの膜にとって適当な深さにまで配置される。レジス
ト２２２はその後取り除かれる。図７Ｂは、所望の膜厚に比例する深さで膜領域
２２４にドーパント打ち込み２２６を有する基板２２０を示す。しかしながら、
所望であれば基板２２０の全厚さにドープしてもよいことは、理解すべきである
。更に、膜領域２２４だけにドーピングすることとは反対に、溶融シリカ基板２
２０の全面にドーピングすることもできる。
【００２９】 次のステップ２０６で基板２２０は、エッチングされて、所望の厚さの膜２２
８を画成する。図７Ｃに示すように溶融シリカの基板２２０は、ドープされた溶
融シリカの膜２２８を残してエッチングされる。基板２２０のエッチングは、所
望であれば図３と図４Ａから４Ｃに述べた仕方で行ってもよい。好都合にも、膜
２２８は、溶融シリカに適当にドーピングすることによって形成されるので、引
張り応力下にある。代替として、ドーピングの代わりに、溶融シリカ表面からＯ
Ｈラジカルを除去してもよい。
【００３０】 それからステップ２０７で基板２２０は、支持リング２３０に陽極接合される
。ステップ２０８で、膜２２８の上に吸収体フィルム２３２が堆積される。ステ
ップ２０８は更に早期に、例えばステップ２０６に先立って行ってもよいことは
理解すべきである。この結果得られた構造は図７Ｄに示す。
【００３１】 その後ステップ２１０で、吸収体フィルム２３２は、通常のリソグラフィーと
エッチングの手法を使ってパターニングされてエッチングされる。吸収体の上に
は、反射防止膜を配置してもよい。この結果得られた構造は、図７Ｅに示す。
【００３２】 図８は、本発明の他の実施例による高解像度光学リソグラフィー用のマスク構
造３００の横断面図を示す。マスク構造３００は、所望の波長、例えば１５７ｎ
ｍで光学的に透明である材料の約１から２ｍｍ厚さの薄いプレート３０２を含ん
でいる。例えばプレート３０２は、フッ化カルシウムＣａＦ2またはその他適当
な材料から製造することができる。プレート３０２は、前述のように、良好なエ
ッチング特性と、所望の波長における高い光吸収性と低い反射性とを有する材料
から作られる不透明なパターン３０６を支持する。
【００３３】 引張り応力下で保持される、図２に示す膜１０２とは異なり、プレート３０２
は、剛性であって、支持リング３０４で支持されている。支持リング３０４は、
プレート３０２の座屈を防止するためにプレート３０２より僅かに大きな熱膨張
を有する材料で作られる。
【００３４】 支持リング３０４に取り付けられたプレート３０２を有する膜構造３００を使
用することは好都合にも、自立する薄い基板の取扱いとマスク歪みとに関連する
問題を改善する。
【００３５】 本発明は特定の実施例に関連して説明してきたが、当業者であれば、本開示を
吟味した後に、これらの実施例の種々の代用、修正および組合せが可能であるこ
とを認識するであろう。上述の特定の実施例は、単に例示的なものである。本発
明の範囲から逸脱せずに種々の翻案および修正が可能である。付属のクレームの
精神と範囲は、前述の説明に限定すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例による高解像度光学リソグラフィー用の膜マスク構造の上面
（平面）図である。
【図２】 図１に示すＡ−Ａ’線による、マスク構造の横断面図である。
【図３】 図１に示すマスク構造を生成するために使用される製造の流れ図である。
【図４】 本発明の一実施例による製造の種々の段階における膜マスクの簡略化された横
断面図である。
【図５】 膜マスク構造を使用する従来のＮＸ縮小光学リソグラフィー・ツールの側面図
である。
【図６】 図７Ａから７Ｅに示す膜マスク構造を生成するために使用される製造の流れ図
である。
【図７】 本発明の他の実施例による製造の種々の段階における膜マスクの簡略化された
横断面図である。
【図８】 本発明の他の実施例による高解像度光学リソグラフィー用のマスク構造の横断
面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ， ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ， ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，Ｃ Ｈ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＭ，ＤＺ ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ， ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ， ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，Ｓ Ｅ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光学的マスク構造であって、 光に対して少なくとも部分的に光学的に透過性である膜と、 前記膜を支持する支持基板であって、前記膜を引張り応力の下で保持し、前記
    膜の厚さより大きい厚さを有する前記支持基板と、 前記膜を覆う不透明で部分的に反射性の材料のパターンとを含む光学的マスク
    構造。
  2. 【請求項２】 前記支持基板に取り付けられた支持リングを更に含む請求項
    １に記載の光学的マスク構造。
  3. 【請求項３】 前記膜は、フッ化カルシウムまたはＯＨフリーの溶融シリカ
    またはドーピングされた溶融シリカを含む請求項１に記載の光学的マスク構造。
  4. 【請求項４】 前記膜は、１μｍから２０μｍまでの間の厚さを有する請求
    項１に記載の光学的マスク構造。
  5. 【請求項５】 前記支持構造によって支持された多数の膜を更に含む請求項
    １に記載の光学的マスク構造。
  6. 【請求項６】 前記膜を覆う材料の前記パターンは、光を吸収し、また部分
    的に反射する材料を含む請求項１に記載の光学的マスク構造。
  7. 【請求項７】 前記光吸収性の材料は、パラジウムである請求項６に記載の
    光学的マスク構造。
  8. 【請求項８】 前記膜は、約１５７ｎｍの波長を有する光に対して少なくと
    も部分的に透過性である請求項１に記載の光学的マスク構造。
  9. 【請求項９】 膜と前記支持構造は、一体的に構成される請求項１に記載の
    光学的マスク構造。
  10. 【請求項１０】 前記支持構造は溶融シリカを含み、前記膜はＯＨフリーの
    溶融シリカまたはドーピングされた溶融シリカを含む請求項９に記載の光学的マ
    スク構造。
  11. 【請求項１１】 光学的リソグラフィー・システムであって、 光を生成する照明源と、 前記光に対して少なくとも部分的に光学的に透過性である膜と、 前記膜を引張り応力の下で保持する、前記膜を支持する支持基板と、 前記膜を覆う不透明な材料のパターンとを含む 光学的マスク構造と、 前記光学的マスクを透過した光を基板上に集束させるように配置された投影レ
    ンズとを含む光学的リソグラフィー・システム。
  12. 【請求項１２】 前記照明源は、約１５７ｎｍの波長を有する光を生成する
    請求項１１に記載のシステム。
  13. 【請求項１３】 前記膜は、１μｍから２０μｍまでの間の厚さを有する請
    求項１１に記載のシステム。
  14. 【請求項１４】 前記膜は、フッ化カルシウムまたはＯＨフリーの溶融シリ
    カまたはドーピングされた溶融シリカを含み、また前記膜を覆う材料の前記パタ
    ーンは、パラジウムを含む請求項１１に記載の素子。
  15. 【請求項１５】 光学的マスクを生成する方法であって、前記方法が、 基板を備えるステップと、 所望の波長で少なくとも部分的に透過性である膜材料を前記基板上に形成する
    ステップと、 膜を画成するように前記膜材料に対する前記基板の領域をエッチングするステ
    ップと、 前記膜の上に第２の材料の層を堆積するステップと、 前記膜の上に所望のパターンで前記第２の材料の前記層をパターニングするス
    テップと、 前記膜の上に前記所望のパターンを形成するように前記第２の材料の前記層を
    エッチングするステップとを含み、 前記膜は、前記第２の材料の前記層を前記パターニングするときに前記膜の加
    熱と歪みとを減少させるために十分に薄い前記方法。
  16. 【請求項１６】 前記基板上に膜材料を形成するステップは、前記基板の上
    に膜材料の層を堆積するステップを含む請求項１５に記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記基板上に膜材料を形成するステップは、前記膜材料を
    形成するためにドーピングを行うか、あるいは基板表面からＯＨラジカルを除去
    するステップを含む請求項１５に記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記膜材料の層は、１μｍから２０μｍまでの厚さに堆積
    される請求項１５に記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記膜材料は、フッ化カルシウムまたはドーピングされた
    溶融シリカを含む請求項１５に記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記第２の材料は、パラジウムを含む請求項１５に記載の
    方法。
  21. 【請求項２１】 前記基板を支持リングに接合するステップを更に含む請求
    項１５に記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記膜材料の層の上に第２の材料の前記層を堆積すること
    に先立って前記膜材料の層を研磨するステップを更に含む請求項１５に記載の方
    法。
  23. 【請求項２３】 光学的マスク構造であって、 光に対して少なくとも部分的に光学的に透過性である剛性のプレートであって
    、第１の値の熱膨張係数を有する前記剛性のプレートと、 前記プレートに取り付けられる支持リングであって、前記第１の値の熱膨張係
    数よりも大きい第２の値の熱膨張係数を有する前記支持リングと、 前記剛性のプレートを覆う不透明な材料のパターンとからなることを特徴とす
    る光学的マスク構造。
  24. 【請求項２４】 前記剛性のプレートは、約１５７ｎｍの波長を有する光に
    対して少なくとも部分的に透過性である請求項２３に記載の光学的マスク構造。
  25. 【請求項２５】 前記剛性のプレートは、フッ化カルシウムまたはドーピン
    グされた溶融シリカを含む請求項２３に記載の光学的マスク構造。
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