JP2003504612A - 改良されたマスフローセンサインターフェイス回路 - Google Patents

改良されたマスフローセンサインターフェイス回路

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JP2003504612A
JP2003504612A JP2001509947A JP2001509947A JP2003504612A JP 2003504612 A JP2003504612 A JP 2003504612A JP 2001509947 A JP2001509947 A JP 2001509947A JP 2001509947 A JP2001509947 A JP 2001509947A JP 2003504612 A JP2003504612 A JP 2003504612A
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ドワイト エス. ラーソン,
タマス アイ. パッタンティウス,
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ミリポール・コーポレイシヨン
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Abstract

(57)【要約】 改良されたマスフローセンサインターフェイス(「MFSI」)回路および方法は、ガスのマスフローレートを検知し、測定するために、およびマスフローコントローラのマスフローレートに比例する出力電圧を提供するために開示される。本発明の改良されたMFSI回路は、上流および下流のマスフロー検知素子、回路を駆動するための精密電流源を含む。回路は、さらに、演算増幅器を含み、上流検知素子の上流電圧および下流検知素子の下流電圧を合計する。基準電圧は、演算増幅器の正のノードに電気的に接続される。上流分路抵抗器および下流分路抵抗器は、演算増幅器の負のノードにおいて共通の接合を共有し、上流および下流のマスフロー検知素子に電気的に並列接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (発明の技術分野) 本発明は、概して、マスフローコントローラ(MFC)を操作するシステムお
よび方法に関し、より詳細には、ガスフローに対する検知抵抗器または複数の検
知抵抗器の抵抗の変化を検知することにより、マスフローコントローラ内のマス
フローを測定するシステムおよび方法である。
【0002】 (発明の背景) 多くの製造過程は、処理ガスのフローが厳しく制御されることを要求する。そ
のためには、ガスのマスフローレートは、検知され、決定されなければならない
。ガスマスフローコントローラは、ガスの温度および圧力に実質的に依存しない
ガスのフローレートを感知し、測定をし、そのような感知および測定に基づいて
、マスフローレートを所望通りに適合させるために、ガスフローをメーターによ
って記録する。熱移動原理に基づいて操作するマスフローコントローラは、当該
分野において広く適合されている。
【0003】 ガスのマスフローセンサの一般的な形式は、ワイヤの2つのコイルが、外側に
、互いに近接して、1つのコイルが他のコイルの上流に位置するように巻かれた
直径の小さなチューブ(毛細管チューブ)を含んでいる。コイルは、温度に敏感
な抵抗力を有する金属材料から形成される。センサに組み込まれているブリッジ
型電子回路の電子回路によってコイルが加熱され、ガスフローがない状態、つま
りブリッジ型回路についてのバランスコンディション、すなわちゼロ出力信号の
場合に、均等な抵抗が提供される。
【0004】 毛細管チューブ内をガスが流れると、上流素子を流れ過ぎると同時に冷えた入
りガスが暖められ、この暖められたガスは次に、下流素子を通り過ぎ、結果とし
て2つの素子を差動によって冷却する。温度の差は、毛細管チューブ内を流れる
単位時間当たりの分子の数に比例する。熱したコイルの抵抗の既知の変化に基づ
いて、ブリッジ回路の出力信号は、ガスマスフローを測定し得る。
【0005】 しかし、従来技術のマスフローセンサインターフェイス回路は、ある望ましく
ない特徴を有する。第1に、従来技術の回路は、回路が単純に検知素子を駆動す
る理想的な状態を含む。なぜなら、回路が、回路出力をゼロフローと共にゼロボ
ルトにトリムするために、検知素子と一緒に抵抗を含むからである。そうするこ
とによって、回路は、センサの明らかなゲインを含む。センサゲインは、ゼロボ
ルト/ゼロフローコンディションの制御可能であるためにトレードオフされる。
センサ出力を減衰させることは、通常望ましくない。検知抵抗器と並列に置かれ
た同じ単位で測定可能な値のインピーダンスが多すぎると、フローに対応して検
知抵抗器によって引き出され得る最大限の信号電圧は下がる。
【0006】 第2に、従来技術の回路において、出力電力(フローに比例する)間ならびに
上流および下流の検知素子間の関係は線形ではなく、これは、従来技術の望まし
くない特徴である。上流および下流の検知素子と並列に配置される通常の抵抗値
は、検知素子の抵抗値より著しく大きくないので、検知素子と出力電圧の関係の
非線形性は、無視できない。
【0007】 さらに、従来技術の回路は、通常35〜70ゲインのファクタのオーダで大量
の増幅を必要とし、ガスフローを示す0〜5ボルトの出力を生成する。これは、
追加の回路および複雑性を必要とする。これらの従来技術の回路は、検知回路か
らの出力が高入力インピーダンス増幅器段に接続されていることを必要とする。
なぜなら、上流および下流の検知素子の共通の接合ポイントに配置される任意の
ロードが、検知出力の低下および回路非線形性を増加させるからである。
【0008】 さらに、従来技術の回路は、ゲイン制御ポテンシオメータ(pots)を用い
て手動で較正するように設計される。さらに、ゼロボルト/ゼロフローのコンデ
ィションも、オペレータによってマルチメータを用いて手動で調整される。これ
は結果として、ゲインおよびゼロ制御素子(ポテンシオメータ)のドリフトによ
って不正確なマスフロー値が生じる機会を増大させると共に、回路および複雑性
を増大させる。
【0009】 従来技術の回路はさらに、両方の検知素子に共通の外界温度の逸脱の影響を受
けやすい。従来技術のマスフロー検知回路が、見掛け上の接地および可変抵抗器
によってゼロ出力に任意にトリムされ得る本質的な電圧分割器であるので、任意
の外界温度の変化は、回路出力電圧に反映される。これは、従来技術のシステム
が、検知抵抗器の抵抗の絶対変化を比較するから生じる。このような場合、両方
の素子が均等に冷却または過熱されても、それぞれの絶対抵抗変化は、異なるで
あろう。
【0010】 図1は、従来技術のフロー検知ブリッジ回路100の基本トポロジーを示す。
フロー検知ブリッジ回路100は、理想的な電流源20によって駆動される、修
正されたホイートストンブリッジである。理想的な電流源は、とても高い内部イ
ンピーダンスによって特徴づけられ、それは、その出力電流がロード全体におい
て、電圧低下の変化によって変化しないということである。理想的電流源20は
、従って、ロード全体の電圧低下に関係なく、同じ電流を供給し得る。
【0011】 図1の従来技術のフロー検知ブリッジ回路100のある分岐は、2つの検知素
子、RUおよびRDを含む。これらの検知素子は、ガスフローを検知するために用
いられ、毛細管チューブの外側に巻かれた上流および下流の検知コイルのそれぞ
れの動的抵抗値の典型である。RUは上流検知素子を表現し、RDは下流検知素子
を表現する。上流検知コイルは、ガス流フローによって、下流検知コイルよりも
冷却される。従って、RUの抵抗値は、RDの抵抗値より小さい。ガスフローがな
いと、RUはRDと同等であり、ブリッジは可変抵抗器RV1によって平衡を保た
れる。ノンゼロフローコンディション下において、従来技術の検知ブリッジ回路
100の出力電圧eout30は、下記の式1によって得られる。式1に示される
ように、出力電圧eout30と(RU−RD)との間の関係は、非線形である。
【0012】
【数1】 フロー検知ブリッジ回路100の別の分岐は、抵抗器R8、R9および可変抵
抗器RV1を含む。可変抵抗器RV1のインピーダンス値は、抵抗器R8および
R9の値のほんの一部分でしかない。可変抵抗器RV1は、出力電圧eout30
がゼロとなるように、フロー検知ブリッジ回路100のオフセットを適合させる
ために用いられる。抵抗値R1は、抵抗器R8および可変抵抗器RV1のワイパ
ーアームの抵抗器R8側の上にある可変抵抗器RV1の一部分を組み合わせた値
を表現する。そして、抵抗値R2は、抵抗器R9および可変抵抗器RV1のワイ
パーアームの抵抗器R9側の上にある可変抵抗器RV1の一部分を組み合わせた
値を表現する。通常、R1およびR2の値は、検知抵抗器RUおよびRDの値も約
8倍大きい。さらに、抵抗器RPは、センサ抵抗器RUおよびRDならびに抵抗器
R8およびR9と並列に接続される。RPの値は、R1およびR2の値より約4
倍も大きい。回路の非線形性は、従って、無視できない。
【0013】 上記の式1に見られ得るように、出力電圧eout30と検知素子抵抗RUおよび
Dとの間の関係は、もともと非線形である。さらに、検知素子RUおよびRD
並列に接続される抵抗器RV1、R8、R9およびRPは、検知素子RUおよびR D の影響を低下する。理論上、回路電流の全体は、最大出力信号を得るために、
検知素子RUとRDとの間を通り抜けるべきである。図1は、従って、検知素子R U およびRDと並列に抵抗を用いることによる出力電圧eout30の削減と同様に
、従来技術の非線形特性も明示する。
【0014】 図2は、図1の従来技術のフロー検知ブリッジ回路100のさらに詳細な表現
である。理想的な電流源20の各構成要素は、詳細に示される。フロー検知ブリ
ッジ回路100に適用される電流の大きさは、抵抗器R100の全体に適用され
る基準電圧源(+5 Vref)32から引き出される電圧によって制御される
。可変抵抗器RV1のワイパーは、演算増幅器U3およびトランジスタQ2によ
って制御されるみかけの接地を提供する。キャパシタC1は、固定フィードバッ
ク(遅延保証)を提供する。ブリッジ出力電圧は、抵抗器R11およびキャパシ
タC2によってフィルタリングされる。抵抗器R11およびキャパシタC2から
なるフィルタは、約600Hzとおおよそ等しい−3DBカットオフ周波数を提
供する。eout30は、フィルタリングされた出力電圧である。
【0015】 +5ボルト基準電圧32は、−5ボルトになるように演算増幅器U1によって
反転される。演算増幅器U1の−5ボルト出力は、抵抗器R200全体の電圧低
下と比較される。もっとも留意すべきは、演算増幅器U1の−5ボルト出力が、
演算増幅器U2の出力において名目的に+1.2775ボルトになるまで、スケ
ールを縮小されることである。演算増幅器U2の出力は、ちょうど1.2775
ボルトではないが、トランジスタQ1が、抵抗器R9全体の電圧低下が−5ボル
ト基準(演算増幅器U2によってスケールを低下され、反転された)と等しくな
る様態で、基準抵抗器Rrおよび残りのフロー検知ブリッジ回路100を通して
電流を制御する原因となる。従って、100キロオーム抵抗器であり得る基準抵
抗器R8全体の低下は、精密に1.2775ボルトである。その結果、基準抵抗
器Rr全体の電流は、12.775mA公称である。図2の残りの抵抗器は、前
記の別の抵抗器と同様にR3、R4、R5、R6、R7、R10、R12および
R14であり、全て1%抵抗器である。
【0016】 理想的な電流源20は、回路によって駆動されるロードに関係なく、一定な電
流減を提供する。これは、演算増幅器U2、トランジスタQ1、電流基準抵抗器
rならびにスケーリング構成要素R3、R4、R6およびR7からなるフィー
ドバック制御回路が、電圧低下を電流基準抵抗器Rr全体で1.2775ボルト
公称に保持するからである。回路パラメータが、構成要素の値の線形演算範囲内
に残る限り、電流基準抵抗器Rr全体における電流の値は、精密に制御され、一
定の値のままである。
【0017】 任意のインピーダンスが、図2にあるような理想的な電流源によって駆動され
、その結果の出力信号がさらなる処理に用いられる場合、信号処理増幅器のため
に別の電圧基準が必要である。従来技術の回路の電圧基準は、可変抵抗器RV1
によって提供される。電圧基準は、現実上のまたは仮想上のいずれでもあり得る
。図1に示されるように、回路は、可変抵抗器RV1のワイパーアームにおいて
接地をすることなく、まったく規定されない回路を表現する。
【0018】 演算増幅器U3およびトランジスタQ2からなる回路は、可変抵抗器RV1に
おいて仮想上の接地を生成する。仮想上の接地は、RV1のワイパーにおける電
圧を、演算増幅器U3の正の入力ノードにおける潜在的な接地と比較することに
よって生成される。演算増幅器U3の出力は、トランジスタQ2を駆動し、演算
増幅器U3の正のノードと負のノードとの間の電圧をゼロまで低下するような様
態で制御される。
【0019】 演算増幅器は通常、示差ノード電圧とよばれる、一万回から百万回までの任意
の回数の開ループゲインファクターを有する。理論上、可変抵抗器RV1の潜在
的なワイパーは、ゼロボルトに保持される。ゼロからの偏差は小さく、無視でき
る。フロー検知ブリッジ回路100電圧は、従って、およそゼロボルトである。
【0020】 フロー検知ブリッジ回路100の出力は、上流および下流フローセンサ抵抗器
UおよびRDの接合において獲得される。フロー検知ブリッジ回路100は、可
変抵抗器RV1によってゼロフローにおいて平衡を保持され、可変抵抗器RV1
のワイパーに存在するゼロ電圧は、検知素子RUおよびRDの接合に反映される。
この特徴は、ホイートストンブリッジに固有の特性である。しかし、上流検知素
子RUの抵抗値が下流検知素子RDの抵抗値より小さくなることにより、平衡がオ
フセットされる場合、フロー検知ブリッジ回路100の別の分岐が前設定バラン
スを保持する間、バランスの取れた状態からの偏差は、出力電圧、eout30と
して現れる。
【0021】 図1に戻って、いくつかの典型的なインピーダンス値は、それぞれ約4.07
kΩであるR1およびR2に適して含まれる。抵抗器R8およびR9はそれぞれ
、4.02kΩの抵抗器であり、可変抵抗器RV1は100Ωである。回路が完
全にバランスが取れ、均等であれば、RV1の50ΩはR8に振り分けられ、5
0ΩはR9に振り分けられ、従って、4.07kΩ値はR1およびR2に振り分
けられる。RPは通常、約17.4kΩであり、検知素子RUおよびRDはそれぞ
れ、使用温度において約500Ωである。
【0022】 検知素子RUおよびRDを流れる電流の1つの目的は、ガスフローが検知素子R U およびRDを示差的に冷却、従って、ガスフローを検知し得るように、それらを
加熱することであるとはっきり理解されたい。しかし、インピーダンスR1およ
びR2は、RUおよびRDの約8倍でしかなく、従って、それらの分路効果は無視
できず、実際かなり大きい。分路効果は、従来技術の回路の制限である。なぜな
ら、出力電圧eout30の値を低下するからである。
【0023】 (発明の要旨) センサ出力電圧を増加させ、ずっと小さい分路効果を提供することによる出力
信号低下に関連した従来技術の問題点を排除する性能を提供する改良されたマス
フローインターフェイス回路の必要性が存在する。これは、上流検知素子および
下流検知素子と並列に接続された非常に大きな抵抗を使用することで達成され得
、し、それにより理想的な電流源の全体の有効性が増大する。
【0024】 従来技術のマスフローセンサインターフェイス回路に存在する非線形性を排除
する改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のさらなる必要性が存在
する。検知素子と並列のずっと大きな抵抗を使用することで、非線形性効果は従
来技術の回路から大きく低減され得る。
【0025】 ゼロ調整および利得調整を使用して回路を手動で較正する必要性を排除する改
良されたマスフローセンサインターフェイス回路のなおさらなる必要性が存在す
る。それにより、温度による従来技術の回路部に関連したドリフトの問題が排除
され、さらに調整可能な抵抗器により影響しそうな振動に対する敏感性が低減さ
れる。
【0026】 同様に、周囲の温度変化に対して本来鈍感な改良されたマスフローセンサイン
ターフェイス回路のなおさらなる必要性が存在し、それにより、従来技術の回路
に関連した温度ドリフトの問題を排除する。これは、回路部が、周囲温度が変化
しやすい包囲された状態で作動する場合に特に有利である。
【0027】 ガスフローを示す信号を生成するために、回路出力電圧の大規模な増幅を必要
としない改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のなおさらなる必要
性が存在し、従って、ブリッジインピーダンスよりもずっと大きな入力インピー
ダンスを有する増幅器による出力電圧信号をさらに処理する必要性が排除される
【0028】 本発明によれば、以前に開発されたマスフローセンサインターフェイス回路に
関連した欠点および問題を実質的に排除または低減するマスフローセンサインタ
ーフェイス回路が提供される。特に、本発明は、改良されたマスフローセンサイ
ンターフェイス回路、およびマスフローコントローラ中のガスフローレートに比
例する出力電圧を提供するガスのマスフローレートを検知し、測定する方法を提
供する。
【0029】 本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路は、上流のマスフ
ロー検知素子、下流のマスフロー検知素子、および回路を駆動する精密電流源を
含む。回路はさらに、上流のマスフロー検知素子の上流電圧および下流のマスフ
ロー検知素子の下流電圧を合計する演算増幅器段をさらに含む。基準電圧は、演
算増幅器の正のノードに電気的に接続される。上流分路抵抗器および下流分路抵
抗器は演算増幅器の負のノードにおいて共通の接合を共有し、上流のマスフロー
検知素子および下流のマスフロー検知素子に並列に電気的に接続される。
【0030】 本発明は、基準電圧源と演算増幅器の正のノードとの間で電気的に接続された
基準抵抗器、および出力と演算増幅器の正のノードとの間で電気的に接続された
フィードバック抵抗器をさらに含む。上流検知素子および下流検知素子にわたる
抵抗変化に比例する(従って、ガスマスフローレートに比例する)出力電圧は、
演算増幅器の出力として提供される。本発明の改良されたマスフローセンサイン
ターフェイス回路は、上記のような従来技術の回路に比べて、より線形性の出力
、より大きな感度、より大きな信頼性、およびより良好な精度を提供する。
【0031】 上流検知素子の上流電圧および下流検知素子の下流電圧は+2.5ボルトに基
準化され、演算増幅器によって加算される。演算増幅器のノード電圧は+2.5
ボルトに維持され、負のノードは見掛け上の接地として働く。
【0032】 本発明のマスフローセンサインターフェイス回路の感度は、このような従来技
術の回路の感度を大幅に上回ることが可能である。上流検知素子および下流検知
素子と並列に置かれた分路抵抗器が回路の感度に及ぼす影響は最小である。分路
抵抗器の値は、従来技術の回路における上流検知素子および下流検知素子のイン
ピーダンスの値の合計によって引き起こされた非線形応答が実質的に減少される
という結果により、典型的には検知素子の約100倍になり得る。本発明の改良
された利得は、演算増幅器のフィードバック抵抗器の適切な選択によって増加さ
れ得る。
【0033】 精密電流源は、上流検知素子および下流検知素子を通る一定電流を維持するよ
うに設計されたひと続きの抵抗器および演算増幅器をさらに含む。さらに、信号
調整増幅器は、出力信号をアナログ−デジタル変換器に送信する前に、上流検知
素子および下流検知素子における抵抗変化から誘導された出力信号を調整するた
めに使用され得る。
【0034】 本発明は、センサ出力電圧を増加し、上流検知素子および下流検知素子と並列
に接続された非常に大きな抵抗の使用によるずっと小さな分路効果を提供するこ
とによって出力信号の低減に関連した従来技術の問題を排除する性能を提供する
改良されたマスフローインターフェイス回路に関する重要な技術的利点を提供し
、それにより、理想的な電流源の全体の有効性が増大する。
【0035】 本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のなおさらなる技
術的利点は、従来技術のマスフローセンサインターフェイス回路に存在する非線
形性を排除する。検知抵抗器と並列なずっと大きな抵抗を使用することにより、
非線形性効果は従来技術の回路を大きく下回る。回路を駆動する理想的な電流源
は、検知抵抗器がその電流源から見てより高いインピーダンスを示すので、より
理想的にされる。
【0036】 本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のなおさらなる技
術的利点は、ポテンシオメーターを使用して、ゼロフロー位置/ゼロトリム位置
について回路を手動で較正する必要性を排除し、それにより、ポテンシオメータ
を誤調整させ得る温度および回路のバンピング、またはジャーリング(jarr
ing)による従来技術の回路部に関連したドリフトの問題を排除する。
【0037】 本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のなおさらなる技
術的利点は、周囲の温度変化に対して本来鈍感であることであり、それにより、
従来技術の回路部に関連した温度ドリフトの問題を排除する。これは、回路部が
、周囲温度が変化しやすい包囲された領域で作動する場合に特に有利である。
【0038】 本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のなおさらなる技
術的利点は、ガスフローを示す信号を生成するために、回路出力電圧の大規模な
増幅を必要としないことであり、従って、ブリッジインピーダンスよりもずっと
大きな入力インピーダンスを有する増幅器による出力電圧信号をさらに処理する
必要性が排除される。
【0039】 (発明の詳細な説明) 本発明の好適な実施形態を図に図示する。同じ参照符号を用いて、異なる図面
の同様および対応する部材を参照する。
【0040】 本発明は、従来技術の任意の同様な回路より、感度が高く、複雑でなく、より
信頼性の高い、改良されたマスフローセンサーインターフェース回路を提供する
。本発明のマスフローセンサーインターフェース回路は、本質的に周囲温度の変
化に鈍感で、従来技術の回路における感度の約2倍の出力電圧信号を供給する。
本発明は、従来技術の回路において現存する非線形の影響を実質的に減らし、従
来技術の回路のゲインポット(gain pot)における手動の調整および較
正の必要性をなくすことによって、信頼性および精度を向上させる。したがって
、本発明の改良されたマスフローインターフェース回路は、従来技術の回路より
も、簡単で、正確で、感度が高く、信頼性が高い。
【0041】 図3は、本発明の改良されたマスフローセンサーインターフェース回路のブリ
ッジトポロジーを図示する。検知素子RUおよびRDならびにそれぞれ値Rのブリ
ッジ抵抗器46、48は、i電流源20に接続される。RUおよびRDの接合は、
見掛け上の+2.5Vソース56に接続される。ブリッジ抵抗器46および48
の接合は、オペアンプU3の負のノードに接続される。別の抵抗器50は、負の
ノードU3とその出力との間に接続される(フィードバック抵抗器)。見掛け上
の+2.5Vソース56は、値R/2の抵抗器58を介してオペアンプU3の正
のノードに接続される。正のノードは、また、値2Rの抵抗器54を介して2.
5V REF52に接続される。このトポロジーは、+2.5Vソース56にお
ける変化によって生じる任意の共通モード電圧変動を拒否する、慎重な平衡差動
増幅器を形成する。上記の増幅器の出力―入力伝達関数は、 eout = 2 * (VD―VU)+2.5V REF [式2] によって与えられ、ここで、VDは下流センサー電圧で、VUは上流センサー電圧
である。
【0042】 したがって、本発明の改良されたマスフローセンサーインターフェース回路の
主な利点は、回路から利用可能な出力信号eout30がほぼ2倍になり得ること
である。さらに、従来技術のeout30と並列抵抗器との間の関係によって生じ
る非線形の影響は、約100倍減少する。出力電圧eout30のバイアスは、ま
た、2.5ボルトまで上昇し、本発明によって使用されるように意図されるアナ
ログ―デジタルコンバータに対して新たなシステム基準を作成し得る。
【0043】 さらに、図3に示される本発明の改良されたマスフローセンサーインターフェ
ース回路は、オフセット平衡を提供するための従来技術のゲインポットの手動調
整に関連する問題を排除する。図1の可変抵抗器RV1のような可変抵抗器の使
用を排除することによって、本発明は、可変抵抗器に関連する時間における安定
性の欠如および温度の問題を排除する。したがって、異なる温度で必要とされ得
るのと同じ平衡をある温度において有しないという問題が、排除される。
【0044】 従来技術の回路において使用される可変抵抗器は、本発明において使用される
精密、高耐性、高安定性抵抗器と同じほどには、温度または時間のいずれかに対
して安定ではない。したがって、本発明の改良されたマスフローインターフェー
ス回路は、自動ゼロを提供することによって、温度に応じて、または、経時的に
発達し得る多くの潜在的なエラーを排除する。本発明の回路は、極性が反対であ
る上流検知素子RUおよび下流検知素子RDにわたる電圧降下を実質的に加える。
したがって、センサーの出口が等しい場合、回路は本質的にゼロにトリム(tr
im)される。明らかに、その出力にはわずかに変動が存在し得るが、これらの
変動は無視できる。なぜなら、これらの変動は、回路の外部で補償され得るから
である。ゼロオフセットは、本発明の改良されたマスフローセンサーインターフ
ェース回路がその一部であるマスフローコントローラを制御するために使用され
るソフトウェアによって、除去され得る。
【0045】 さらに、固有の線形回路を提供することによって、本発明の改良されたマスフ
ローセンサーインターフェース回路は、理想に極めて近い回路を提供する。本発
明の改良されたマスフローセンサーインターフェース回路からの出力電圧信号に
対する式は、 eout=2.5―2i(RU―RD)/(1+(RU+RD)/2R) [式3] で与えられる。
【0046】 上の式3は、項(RU―RD)に対する感度が従来技術の約2倍であることを示
す。また、感度に関する抵抗器46および抵抗器48の影響は非常に小さく、項
(RU+RD)によって生じる非線形応答を減らす際に重要である。最後に回路ゲ
インは、フィードバック抵抗器50の適切な選択によって増加され得る。典型的
には、フィードバック抵抗器50および基準抵抗器54の値は、抵抗器46およ
び48の2倍である。実際的には、本発明の改良されたマスフローセンサーイン
ターフェース回路は、出力電圧に対する[2i(RU―RD)]値にほぼ近くなる
。これは、式3の分母における(RU+RD)項がRの2倍で減少し、(RU+RD )/(2R)の比は、約0.01であるからである。したがって、この非線形の
影響は、100倍減少する。抵抗器46および抵抗器48の抵抗値は、回路設計
制限内の任意の選択である。抵抗値は極めて大きくなり得、Rが極めて大きくな
るにつれて、分母における項(RU+RD)/(2R)はゼロになり、さらに回路
の非線形性を減少させる。図3の因子「2」は、また、式3の抵抗器50および
抵抗器54の値を2Rより大きな値に増加させることによって、増加させ得る。
信号調整ステージのゲインは抵抗器50と抵抗器46(48)の比によって制御
される。抵抗器54の値は、増幅器回路の平衡を維持するために、常に50の抵
抗値にマッチングされる。
【0047】 図4は、本発明の改良されたマスフローセンサーインターフェース回路が検知
素子RUおよび検知素子RDを通る電流をどのように正確に制御するかを図示する
精密電流源40の回路図である。図4に示されるように、精密基準電圧源52を
用いて、制御電流を制御し、かつ、オペアンプU3の負のノードにおいて2.5
ボルトのダイナミックな見掛け上の接地を確立する。
【0048】 図4に示される精密源のインプリメンテーションにおいて、従来技術と同様に
、電流測定抵抗器Rrにわたる電圧降下は、検知素子RUおよびRDを流れる電流
を測定するように生じる。しかし、電流測定抵抗器Rrの配置は、電流測定抵抗
器RrがトランジスタQ1のエミッタに続く従来技術(図2に示す)とは変更さ
れる。図4に示される本発明の実施形態において、電流測定抵抗器Rrは、トラ
ンジスタQ2のエミッタに接触するように配置され、それにより、回路の負の端
部に存在する。これは、本発明の改良されたマスフローセンサー回路がペデスタ
ル(pedestal)基準電圧を+2.5ボルト上昇させるので必要である。
【0049】 回路を通る電流は、演算増幅器ステージU1およびU2、トランジスタQ1、
基準電圧源52、電流測定抵抗器Rrによって制御される。電流測定抵抗器Rr
、中心に対して回路の負の端部に配置され、演算増幅器U1のために正の供給電
圧余裕を確保する。マスフローインターフェース回路100は、2.5ボルトで
基準にされるので、検知素子RUおよびRDの各々の電圧降下は約5ボルトであり
、トラジスタQ1のエミッタ電圧は+7.5ボルトであり、トラジスタQ1のベ
ース電圧は+8.2ボルトである。正の供給電圧は、+12ボルトまで低くあり
得るので(+15ボルト供給電圧値は公称である)、演算増幅器ステージU1は
、最大の正の出力近傍で作用される。トランジスタQ1のエミッタ電圧を押出す
任意のさらなる電圧降下およびそれとともに演算増幅器U1の出力電圧は、オペ
アンプU1の線形動作範囲のマージンを減少させ得る。演算増幅器U1およびU
3は線形範囲に作用し、それで、一般的に、これらの2つの演算増幅器に対する
供給電圧が切れる問題がない。
【0050】 電流測定抵抗器Rrの位置は変更されたが、回路を流れる電流はトラジスタQ
1を通って制御されるままである。従来技術と同様に、演算増幅器U1が電流測
定抵抗器Rrにわたる差を検知するように、精度+2.5ボルトの基準電圧のあ
るレベルの変換は行なわれるが、オペアンプU1は、ある量の電圧分、下方にシ
フトしたこの差を検知する。しかし、演算増幅器U1は、電流測定抵抗器Rr
わたる差に対してのみ敏感であり、それにより、演算増幅器U2とともに、さら
に電流を制御する。演算増幅器U2は、トランジスタQ2のエミッタ電圧(すな
わち、電流測定抵抗器Rrの下端)を越える正確な2.5ボルトであり、演算増
幅器U1の正のノードに与えられる、出力を生成する。電流測定抵抗器Rrの上
の電圧は、オペアンプU1の負のノードに与えられる。これに起因して、演算増
幅器U1は、電流検知素子Rrにわたる正確な2.5ボルト降下を生成するトラ
ンジスタQ1の補助により電流を生成しなければならない。検知素子RUおよび
Dの接合点において存在する電圧は、演算増幅器U4およびトランジスタQ2
によって制御される。これは、U4の負のノードにおいて検知素子RUおよびRD の接合電圧と組み合わされた演算増幅器U4の正のノードに接続される基準電圧
源52によって、為される。
【0051】 抵抗器R2および抵抗器R7は値(約50kΩ)において等しく、上記の図3
の一部として議論されるようなノードバイアス電流によって生じる電圧降下を排
除するように使用され得る。規格1%値抵抗器は、回路全体にわたって使用され
得る。他の抵抗値抵抗器が使用され得るが、それらの全ては、図4に示される同
じ抵抗値または比率である必要がある。抵抗器R2は、キャパシタC4に安定化
フィードバックを提供するために、演算増幅器U4の負のノードに必然的に取り
付けられ、抵抗値をマッチングさせることによって演算増幅器U4のノード間の
オフセット電圧にマッチングするためにオペアンプU4の正のノードにおいて使
用される。
【0052】 周波数敏感フィードバックは、マスフローセンサー回路100の高周波数ノイ
ズの影響を最小化する必要がある。マスフローセンサー回路100は高周波ノイ
ズの幾つかのソース含み、演算増幅器U1、U2、U4を含む。同様に、トラン
ジスタQ1およびQ2は、高周波ノイズを生成し得る。回路における抵抗器でさ
え、ある高周波ノイズを生成し得る。さらに、マスフローセンサー回路10には
示さないが、演算増幅器U1、U2、U4およびトランジスタQ1およびQ2の
本質的な部分である時間遅延および他のフィルタリング効果が回路に対して暗示
的に存在する。これらの時間遅延およびフィルタリング効果が、極めて高い周波
数で生じ、マスフローセンサー回路100はある程度高い周波数で不安定になり
得、回路を通る定電流において望ましくない発振を生成し得る。演算増幅器U3
の負のノードに取りつけられた抵抗R2およびC4によって提供された負のフィ
ードバックは、比較的に低い周波数において全体の応答を規定し、回路のノイズ
寄与構成要素を圧倒する。
【0053】 この点に関して、演算増幅器U3および抵抗器R2に関連するキャパシタC4
の全体の影響は、マスフローセンサー回路10を安定化する。時間遅延または他
の寄与要因に起因してマスフローセンサー回路100における任意の発振傾向が
存在する場合、このフィードバック回路部によってそれらは削減または排除され
る。
【0054】 演算増幅器U2の出力は、トランジスタQ2のエミッタ電圧より正確に+2.
5ボルトだけ正である。演算増幅器U1はレベルトランスレータであり、その出
力はトランジスタQ1のベース電圧を制御し、それにより、トランジスタQ1の
エミッタ電流は、電流測定抵抗器Rrを介して正確に2.5ボルトの電圧降下を
生成する。
【0055】 演算増幅器U4は、レベルトランスレータとして機能する。その正のノードは
、+2.5ボルト基準電圧源52に接続され得、その負のノードは、上流検知素
子RUおよび下流検知素子RDの共通接合点に接続され得る。演算増幅器U4の出
力は、PNPトランジスタQ2のベースを駆動し、それにより、上流検知素子R U および下流検知素子RDは、+2.5ボルト(すなわち、見掛け上の+2.5ボ
ルト)である。示されるように、図4の精密電流源に関連するすべての抵抗器は
、摂氏温度当たり0.1%、25ppmの精密構成要素である。他の構成要素値
は、また、使用され得る。
【0056】 図5は、図3の演算増幅器U3の詳細回路図である。図5の演算増幅器U3は
、図3の演算増幅器U3と同様である。演算増幅器U3は、信号調整増幅器とし
て機能し、ツェナーダイオードD1、D2ならびにキャパシタC5、C6および
抵抗器R9〜R14を含む。抵抗器R9、R10、R11、R12、R13、R
14は精密抵抗構成要素である。演算増幅器U3の公称ゲインは、×2.004
である。キャパシタC4およびC6は、1.59kHzにおけるカットオフ周波
数を有するアクティブフィルタ機能を提供する。別の低域通過フィルタは、抵抗
器R11およびキャパシタC5で形成される。このフィルタのカットオフ周波数
は15.9kHzである。
【0057】 ダイオードD1およびD2は、演算増幅器U3の最大出力電圧を+2.5ボル
ト±2.4ボルトに制限する。これは、検知素子RUおよびRDの一方が開回路ま
たは断線されるようになる場合に必要である。その場合、演算増幅器U3の出力
は、演算増幅器U3によって駆動されるサブアセンブリ(例えば、アナログ―デ
ジタルコンバータ)を破壊し得る電圧レベルにされ得る。
【0058】 入力における開回路において、ツェナーダイオードD1およびD2は、ツェナ
ー電圧で極めて早く、極めて正確に破壊され得る。したがって、演算増幅器U3
は高い正になる場合、ツェナーダイオードD1はツェナーダイオードとして機能
する。しかし、ツェナーダイオードD2は、従来のダイオードのように順方向に
動作し、それにわたる降下は約0.6ボルトである。全体の影響は、回路がノー
ド電圧を越える2.5ボルトで演算増幅器U3の出力をクランプ(clamp)
し、それは2.5ボルトで維持されることである。したがって、マスフローセン
サー回路100は、演算増幅器U3からの+2.5ボルト±2.4ボルトの出力
を提供する。本質的に、その出力電圧は、ゼロから5ボルトまで制限される。こ
のように、演算増幅器U3の出力に接続されたアナログ―デジタルコンバータの
入力は保護され、オーバードライブされない。
【0059】 図5の抵抗器R9および抵抗器R4は、図3の抵抗器50および54と同様で
ある。同様に、抵抗器R12およびR13は、図3にラベルされた抵抗器46お
よび48の加算抵抗器である。
【0060】 したがって、図5に示されるような本発明の演算増幅器U3は、アナログ―デ
ジタルコンバータに接続されたマスフローセンサー回路100の出力30を制限
する利点を提供する。これは、検知素子RUおよびRDならびにマスフローセンサ
ー回路100を含む回路基板が、2つの異なる物理アセンブリであり得る確率が
存在するので、為され得る。したがって、回路基板は、検知素子RUまたはRD
いずれかが接続されることなく、電源供給され得ることが想像され得る。したが
って、ある保護は、例えば、上流検知素子RUが接続されるが、下流検知素子RD が切断された(またはその逆)等の、さまざまな組み合わせに提供され、これは
、ある極めて変な電圧の揺れを回路部に導入する。
【0061】 この危険は、検知素子の一方、他方、または両方が回路基板から切断される場
合に存在する。
【0062】 要するに、本発明は、改良されたマスフローセンサーインターフェース回路を
提供する。本発明の改良された改良されたマスフローセンサーインターフェース
回路は、また、出力電圧と分路抵抗器との間の回路部における非線形性を減少し
、回路を平衡にするための手動調整可変抵抗器に対する必要性を排除し、従来技
術の回路に影響を与え得、そして、実際に与え、周囲温度の変化に本質的に鈍感
である。本発明において、正確に制御された電流は、直列に接続された上流検知
素子RUおよび下流検知素子RDを通過し、それにより、電流は、始めに上流検知
素子RUを通過し、次いで、下流検知素子RDを通過する。2つの検知素子の接合
は+2.5ボルトで保持され、その結果、+2.5ボルトよりも大きい上流検知
素子RUにわたる電圧降下VUおよび+2.5ボルトよりも小さい下流検知素子R D にわたる電圧降下VDが生じる。電圧VUおよびVDは、演算増幅器U3の加算ノ
ードで加算される。マスフローインターフェース回路電流制御ループにおける演
算増幅器ステージおよびトランジスタが確実で十分な動作範囲であるように、検
知素子RUおよびRDならびに電流制御抵抗器Rrは配置される。同じ+2.5ボ
ルト基準電圧源は、測定電流、センサー出力のバイアス点、回路出力に接続され
たアナログ―デジタルコンバータの感度を決定する。したがって、基準電圧にお
ける任意の変化は、回路の全体の性能に最小の影響を与えるか、または、まった
く影響を与えない。より大きい感度およびプログラム可能なゲインを有するアナ
ログ―デジタルコンバータが、マスフローコントローラシステムにおいて使用さ
れるという事実は、より低いゲイン増幅器U3の使用において暗示的である。
【0063】 本発明は、マスフローコントローラにおいて使用され得る。さまざまなマスフ
ローコントローラは、市場に存在している。マスフローコントローラは、フロー
検知信号を線形化するのを支援するための線形化回路を含み得る。1999年7
月9日にT.T. Pattantyusらによって出願された、タイトル「S
ystem and Method for Sensor Respose
Linearization」の米国特許出願第09/350,747号を特に
参照する。マスフローコントローラは、また、検知されたフロー信号を補正して
、マスフローコントローラを通る実際の流量をより正確に概算する微分コントロ
ーラを含み得る。1999年7月9日にE. Vyersによって出願された、
タイトル「System and Method for a Digital
Mass Flow Controller」の米国特許出願第09/351
,120号に開示される微分コントローラを特に参照する。PIコントローラは
、また、マスフローコントローラにおけるバルブを制御するためのバルブ駆動信
号を生成するために、マスフローコントローラ内に含まれ得る。そのPIコント
ローラは、マスフローコントローラの応答速度を増加し得、バルブ駆動信号に対
するバルブの非線形応答を補償し得る。1999年7月9日にE. Vyers
によって出願された、タイトル「System and Method for
Variable Gain Proportional―Integral
(PI) Controller」の米国特許出願第09/351,098号に
開示されたPIコントローラを特に参照する。最後に、マスフローコントローラ
のバルブ駆動信号はバルブ駆動回路部に入力され、ソレノイド活性化バルブを制
御する。1999年7月9日にT.T. Pattantyusによって出願さ
れた、タイトル「Method and System for Drivin
g a Solenoid」の米国特許出願第09/351,111号に開示さ
れたバルブ駆動回路部を特に参照する。マスフローコントローラは閉ループ制御
アルゴリズムをインプリメントし得る。1999年7月9日にK. Tinsl
eyによって出願された、タイトル「System and Method o
f Operation of a Digital Mass Flow C
ontroller」の米国特許出願第09/350,744号に開示された前
進デジタル制御アルゴリズムを参照する。本発明が上記の構成要素を含むマスフ
ローコントローラにおいて使用するために制限されないことを留意することは、
重要である。
【0064】 本発明は、例示的な実施形態を参照して本明細書において詳細を記載したが、
その記載は例示の目的のみであり、限定的に解釈されないことを理解すべきであ
る。したがって、本発明の実施形態の詳細における多くの変更および本発明のさ
らなる実施形態は、この記載を参照した当業者にとって明らかであり、当業者に
よって為され得ることをさらに理解すべきである。全てのそのような変更および
さらなる実施形態は、上掲で請求される本発明の精神および真の範囲内にあると
企図される。
【0065】 本発明および本発明の利点のより完璧な理解のために、次に、付随の図面と併
せて下記の記載を参照する。図中、同じ参照番号は、同じ機能を示す。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、従来技術のマスフローセンサブリッジ回路を示す。
【図2】 図2は、従来技術の理想的な電流源およびゼロ基準制御回路の回路図である。
【図3】 図3は、本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路のブリッ
ジ位相の簡易化した回路図である。
【図4】 図4は、図3に示される本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイ
ス回路の精密な電流源のより詳細な回路図を示す。
【図5】 図5は、図3に示される本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイ
ス回路の信号調整増幅器の詳細な回路図である。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成13年8月23日(2001.8.23)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0022
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0022】 検知素子RUおよびRDを流れる電流の1つの目的は、ガスフローが検知素子R U およびRDを示差的に冷却、従って、ガスフローを検知し得るように、それらを
加熱することであるとはっきり理解されたい。しかし、インピーダンスR1およ
びR2は、RUおよびRDの約8倍でしかなく、従って、それらの分路効果は無視
できず、実際かなり大きい。分路効果は、従来技術の回路の制限である。なぜな
ら、出力電圧eout30の値を低下するからである。 別の従来技術は、例えば、下記の刊行物:1992年10月16日のDoly
eらによるPCT特許出願番号WO 94 09344、1997年9月16日
のDieterらによる米国特許出願第5,668,313号、1990年10
月3日のOneraによる仏国特許第2,451,022号、1991年12月
26日のDoyleによるPCT特許出願番号WO 91 19959に記載さ
れる。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0023
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0023】 (発明の要旨) センサ出力電圧を増加させ、ずっと小さい分路効果を提供することによる出力
信号低下に関連した従来技術の問題点を排除する性能を提供する改良されたマス
フローインターフェイス回路および対応する方法の必要性が存在する。これは、
上流検知素子および下流検知素子と並列に接続された非常に大きな抵抗を使用す
ることで達成され得、し、それにより理想的な電流源の全体の有効性が増大する
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0024】 従来技術のマスフローセンサインターフェイス回路に存在する非線形性を排除
する改良されたマスフローセンサインターフェイス回路および対応する方法のさ
らなる必要性が存在する。検知素子と並列なずっと大きな抵抗を使用することで
、非線形性効果は従来技術の回路から大きく低減され得る。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0025】 ゼロ調整および利得調整を使用して回路を手動で較正する必要性を排除する改
良されたマスフローセンサインターフェイス回路および対応する方法のなおさら
なる必要性が存在する。それにより、温度による従来技術の回路部に関連したド
リフトの問題が排除され、さらに調整可能な抵抗器により影響しそうな振動に対
する敏感性が低減される。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0026
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0026】 同様に、周囲の温度変化に対して本来鈍感な改良されたマスフローセンサイン
ターフェイス回路および対応する方法のなおさらなる必要性が存在し、それによ
り、従来技術の回路に関連した温度ドリフトの問題を排除する。これは、回路部
が、周囲温度が変化しやすい包囲された状態で作動する場合に特に有利である。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0027】 ガスフローを示す信号を生成するために、回路出力電圧の大規模な増幅を必要
としない改良されたマスフローセンサインターフェイス回路および対応する方法
のなおさらなる必要性が存在し、従って、ブリッジインピーダンスよりもずっと
大きな入力インピーダンスを有する増幅器による出力電圧信号をさらに処理する
必要性が排除される。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0028】 本発明によれば、以前に開発されたマスフローセンサインターフェイス回路に
関連した欠点および問題を実質的に排除または低減するマスフローセンサインタ
ーフェイス回路および対応する方法が提供される。特に、本発明は、改良された
マスフローセンサインターフェイス回路、およびマスフローコントローラ中のガ
スフローレートに比例する出力電圧を提供するガスのマスフローレートを検知し
、測定する方法を提供する。 本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス回路は、マスフローコ
ントローラ中のマスフローレートに比例する出力信号を提供するためにガスのマ
スフローレートを検知し、測定する回路を備える。この回路は、回路を駆動する
ための精密電流源、上流マスフロー検知素子、下流マスフロー検知素子、上流マ
スフロー検知素子の上流電圧と下流マスフロー検知素子の下流電圧とを合計し、
出力信号を提供する演算増幅器、演算増幅器の正のノードに電気的に接続された
基準電圧源、演算増幅器の負のノードにおける共通の接合を共有し、上流マスフ
ロー検知素子および下流マスフロー検知素子と並列に電気的に接続された上流分
路抵抗器および下流分路抵抗器であって、ここで、各分路抵抗器は検知素子の抵
抗よりも実質的に大きい抵抗を有する、上流分路抵抗器および下流分路抵抗器、
基準電圧源と演算増幅器の正のノードとの間に電気的に接続された基準抵抗器、
演算増幅器の負のノードと出力との間に電気的に接続されたフィードバック抵抗
器、ならびに演算増幅器の正のノードと上流検知抵抗器および下流検知抵抗器の
接合との間に電気的に接続されたブリッジ抵抗の半分の値の基準抵抗器を含む。 本発明はまた、マスフローコントローラ中のマスフローレートに比例する出力
信号を提供するためにガスのマスフローレートを検知し、測定する方法を包含す
る。この方法は、精密電流を用いて回路を駆動する工程、回路でガスのマスフロ
ーレートを検知する工程、および回路の出力で出力信号を提供する工程を本質的
に包含する。本発明の方法で用いられる回路は、回路を駆動するための精密電流
源、上流マスフロー検知素子、下流マスフロー検知素子、上流マスフロー検知素
子の上流電圧と下流マスフロー検知素子の下流電圧とを合計し、出力信号を提供
する演算増幅器、演算増幅器の正のノードに電気的に接続された基準電圧源、演
算増幅器の負のノードにおける共通の接合を共有し、上流マスフロー検知素子お
よび下流マスフロー検知素子と並列に電気的に接続された上流分路抵抗器および
下流分路抵抗器、基準電圧源と演算増幅器の負のノードとの間で電気的に接続さ
れた基準抵抗器、演算増幅器の正のノードと出力との間に電気的に接続されたフ
ィードバック抵抗器、ならびに演算増幅器の正のノードと上流検知抵抗器および
下流検知抵抗器の接合との間で電気的に接続された基準抵抗器を含む。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0029】 一つの実施形態では、本発明の改良されたマスフローセンサインターフェイス
回路は、上流のマスフロー検知素子、下流のマスフロー検知素子、および回路を
駆動する精密電流源を含む。回路はさらに、上流のマスフロー検知素子の上流電
圧および下流のマスフロー検知素子の下流電圧を合計する演算増幅器段をさらに
含む。基準電圧は、演算増幅器の正のノードに電気的に接続される。上流分路抵
抗器および下流分路抵抗器は演算増幅器の負のノードにおいて共通の接合を共有
し、上流のマスフロー検知素子および下流のマスフロー検知素子に並列に電気的
に接続される。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0064
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0064】 本発明は、例示的な実施形態を参照して本明細書において詳細を記載したが、
その記載は例示の目的のみであり、限定的に解釈されないことを理解すべきであ
る。したがって、本発明の実施形態の詳細における大きな変更および本発明のさ
らなる実施形態は、この記載を参照した当業者にとって明らかであり、当業者に
よって為され得ることをさらに理解すべきである。全てのそのような変更および
さらなる実施形態は、上掲で請求される本発明の範囲内にあると企図される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ,UG ,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD, RU,TJ,TM),AG,AL,AM,AT,AU, AZ,BA,BB,BG,BR,BY,BZ,CA,C H,CN,CU,CZ,DE,DK,DM,DZ,EE ,ES,FI,GB,GD,GE,GH,GM,HR, HU,ID,IL,IN,IS,JP,KE,KG,K P,KR,KZ,LC,LK,LR,LS,LT,LU ,LV,MA,MD,MG,MK,MN,MW,MX, MZ,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,S E,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT ,TZ,UA,UG,UZ,VN,YU,ZA,ZW

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスフローコントローラ中のマスフローレートに比例して出
    力信号を提供するようにガスのマスフローレートを検知し、測定する回路であっ
    て、 前記回路を駆動する精密電流源と、 上流のマスフロー検知素子と、 前記上流のマスフロー検知素子と直列に接続されている下流のマスフロー検知
    素子と、 前記上流のマスフロー検知素子と前記下流のマスフロー検知素子との間での接
    合における電圧をモニタリングし、前記出力信号を提供する演算増幅器と、 前記演算増幅器の正のノードに電気的に接続された基準電圧源と、 前記演算増幅器の負のノードにおいて共通の接合を共有し、前記上流のマスフ
    ロー検知素子および下流のマスフロー検知素子に並列に電気的に接続された上流
    分路抵抗器および下流分路抵抗器であって、ここで、前記分路抵抗器に対する前
    記上流のマスフロー検知素子および下流のマスフロー検知素子の抵抗の比が約0
    .01を超えない、上流分路抵抗器および下流分路抵抗器と、 前記基準電圧と前記演算増幅器の正のノードとの間で電気的に接続された第1
    の基準抵抗器と、 前記負のノードと前記演算増幅器の出力との間で電気的に接続されたフィード
    バック抵抗器と、 前記演算増幅器の正のノードと前記上流検知抵抗器および前記下流検知抵抗器
    の接合との間で電気的に接続されたブリッジ抵抗の半分の値の第2の基準抵抗器
    と を備えた、回路。
  2. 【請求項2】 前記精密電流源は、 前記電流を測定する測定抵抗器と、 前記測定抵抗器とともに、前記回路を通る前記電流を制御する少なくとも一つ
    の他の演算増幅器および第1のトランジスタと、 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検知素子の接合におけ
    る電圧を維持するための第2のトランジスタと をさらに備える、請求項1に記載の回路。
  3. 【請求項3】 前記信号出力の増幅を制御する信号調整増幅器をさらに備え
    る、請求項1に記載の回路。
  4. 【請求項4】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検知
    素子は温度依存性の抵抗値を有する、請求項1に記載の回路。
  5. 【請求項5】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検知
    素子は精密抵抗器である、請求項1に記載の回路。
  6. 【請求項6】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検知
    素子は導電性のワイヤである、請求項1に記載の回路。
  7. 【請求項7】 前記出力信号は前記マスフローコントローラ内のアナログ−
    デジタル変換器に送られる、請求項1に記載の回路。
  8. 【請求項8】 前記基準電圧源は+2.5ボルトの基準電圧源である、請求
    項1に記載の回路。
  9. 【請求項9】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検知
    素子は、前記上流マスフロー検知素子が前記下流マスフロー検知素子の電気的お
    よび物理的な上流にあるように、電気的に接続される、請求項1に記載の回路。
  10. 【請求項10】 前記上流抵抗器と前記負のオペアンプノードとの間で接続
    された第1のオペアンプ抵抗器と、前記下流抵抗器と前記負のオペアンプノード
    との間で接続された第2のオペアンプ抵抗器とをさらに備える、請求項1に記載
    の回路。
  11. 【請求項11】 前記第1の基準抵抗器および前記フィードバック抵抗器は
    抵抗値が等しく、前記第2の基準抵抗器は前記第1のオペアンプ抵抗器および前
    記第2のオペアンプ抵抗器のパラレル等価に等しい値を有する、請求項1に記載
    の回路。
  12. 【請求項12】 前記フィードバック抵抗器の抵抗値は前記演算増幅器の利
    得を制御するように変更可能である、請求項1に記載の回路。
  13. 【請求項13】 前記演算増幅器の正のノードに電気的に接続された前記基
    準電圧源によって形成されたバイアスは、前記演算増幅器の前記上流検知抵抗器
    および前記下流検知抵抗器の前記接合において見掛け上+2.5ボルトの電圧源
    を形成する、請求項1に記載の回路。
  14. 【請求項14】 マスフローコントローラ中のマスフローレートに比例して
    出力信号を提供するようにガスのマスフローレートを検知し、測定する方法であ
    って、 精密電流を用いて回路を駆動する工程と、 前記回路を用いて前記ガスマスフローレートを検知し、前記回路の出力で前記
    出力信号を提供する工程とを包含し、ここで前記回路は、 前記回路を駆動する精密電流源と、 上流のマスフロー検知素子と、 下流のマスフロー検知素子と、 前記上流のマスフロー検知素子の上流電圧および前記下流のマスフロー検知素
    子の下流電圧を合計し、前記出力信号を提供する演算増幅器と、 前記演算増幅器の正のノードに電気的に接続された基準電圧源と、 前記演算増幅器の負のノードにおいて共通の接合を共有し、前記上流のマスフ
    ロー検知素子および下流のマスフロー検知素子に並列に電気的に接続された上流
    分路抵抗器および下流分路抵抗器であって、ここで、前記分路抵抗器に対する前
    記上流のマスフロー検知素子および下流のマスフロー検知素子の抵抗の比が約0
    .01を超えない、上流分路抵抗器および下流分路抵抗器と、 前記基準電圧と前記演算増幅器の正のノードとの間で電気的に接続された基準
    抵抗器と、 前記負のノードと前記演算増幅器の出力との間で電気的に接続されたフィード
    バック抵抗器と、 前記演算増幅器の正のノードと前記上流検知素子および前記下流検知素子の接
    合との間で電気的に接続されたブリッジ抵抗の半分の値の基準抵抗器と を備えた、方法。
  15. 【請求項15】 前記精密電流源は、 前記電流を測定する測定抵抗器と、 前記測定抵抗器とともに、前記回路を通る前記電流を制御する少なくとも一つ
    の他の演算増幅器および第1のトランジスタと、 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検知素子の接合におけ
    る電圧を維持するための第2のトランジスタと をさらに備える、請求項14に記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記回路は前記出力信号の利得を制御するための信号調整
    増幅器をさらに備える、請求項14に記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検
    知素子は温度依存性の抵抗値を有する、請求項14に記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記上流検知素子および前記下流検知素子は精密抵抗器で
    ある、請求項14に記載の方法。
  19. 【請求項19】 すべての抵抗器が1%の精密抵抗器である、請求項18に
    記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検
    知素子は導電性のワイヤである、請求項14に記載の方法。
  21. 【請求項21】 前記出力信号は前記マスフローコントローラ内のアナログ
    −デジタル変換器に送られる、請求項14に記載の方法。
  22. 【請求項22】 前記基準電圧源は+2.5ボルトの基準電圧源である、請
    求項14に記載の方法。
  23. 【請求項23】 前記上流マスフロー検知素子および前記下流マスフロー検
    知素子は、前記上流マスフロー検知素子が前記下流マスフロー検知素子の電気的
    および物理的な上流にあるように、電気的に接続される、請求項14に記載の方
    法。
  24. 【請求項24】 前記回路は、前記演算増幅器の正のノードと前記基準電圧
    源との間で電気的に接続された第1のオペアンプ抵抗器と、前記演算増幅器の負
    のノードと前記基準電圧源に等しい電圧との間で電気的に接続された第2のオペ
    アンプ抵抗器とをさらに備える、請求項14に記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記第1のオペアンプ抵抗器および前記第2のオペアンプ
    抵抗器は抵抗値が等しい、請求項24に記載の方法。
  26. 【請求項26】 前記フィードバック抵抗器の抵抗値は前記演算増幅器の利
    得を制御するように変更可能である、請求項14に記載の方法。
  27. 【請求項27】 前記演算増幅器の正のノードに電気的に接続された前記基
    準電圧源によって形成されたバイアスは、前記演算増幅器の前記負のノードにお
    いて見掛け上接地を形成する、請求項14に記載の方法。
JP2001509947A 1999-07-09 2000-06-20 改良されたマスフローセンサインターフェイス回路 Withdrawn JP2003504612A (ja)

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