JP2003347527A

JP2003347527A - Ｓｉｍｏｘ基板およびその製造方法

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Publication number: JP2003347527A
Application number: JP2002158181A
Authority: JP
Inventors: Koji Sueoka; 浩治末岡; Shinsuke Sadamitsu; 信介定光
Original assignee: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2002-05-30
Filing date: 2002-05-30
Publication date: 2003-12-05

Abstract

(57)【要約】【課題】イオン注入、高温アニールおよびデバイス形
成の各熱処理時に、金属不純物を十分にゲッタリングす
るＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。【解決手段】酸素イオン注入前に金属不純物のゲッタ
リングが可能なサイズと密度とを有する酸素析出物ａを
シリコン単結晶基板１０の内部に形成するので、酸素イ
オン注入時に金属不純物を十分にゲッタリングできる。
しかも、イオン注入後の高温アニール時に、酸素析出物
ａに起因する多数のパンチアウト転位Ｐを発生させるの
で、パンチアウト転位Ｐをゲッタリングサイトとして、
高温アニール時およびデバイス時に、金属不純物をそれ
ぞれ十分にゲッタリングできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＳＩＭＯＸ基板お
よびその製造方法、詳しくは所定の密度でバルク層の内
部に形成したパンチアウト転位により、埋め込みシリコ
ン酸化膜を形成するための熱処理時だけでなく、デバイ
ス工程での熱処理時にも、不純物を十分にゲッタリング
可能なＳＩＭＯＸ基板の技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、シリコン基板上に構成されるＬＳ
Ｉの高集積化、多機能化の要請がきびしくなるにつれ、
各素子間の分離が重要な課題となっている。その解決方
法の一つとして、ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎ
ｓｕｌａｔｏｒ）基板が開発されている。それまでのＬ
ＳＩは、厚さ５００〜８００μｍを有するシリコンウェ
ーハの表層（十数μｍの厚さ）に、電気回路素子が集積
されていた。これに対してＳＯＩ基板は、デバイスを形
成するＳＯＩ層と、これを裏面側から支持する支持基板
用ウェーハとの間に、厚さ数μｍの埋め込み酸化膜（シ
リコン酸化膜）を介在させたものである。ＳＯＩ基板で
は、埋め込み酸化膜によって各デバイス間が完全に分離
されている。そのため、３次元構造による多機能化を含
むデバイスの高集積化が図れ、またソフトエラーも低減
して信頼性が高まる。さらには、消費電力も低減する。

【０００３】このようなＳＯＩ基板の一種として、ＳＩ
ＭＯＸ（ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔ
ｅｄＯｘｙｇｅｎ）基板が開発されている。ＳＩＭＯ
Ｘ基板は、表面シリコン層、埋め込みシリコン酸化膜お
よびバルク層という３つの層により構成されている。Ｓ
ＩＭＯＸ基板の製造方法にあっては、例えば酸素イオン
を３０〜２００ｋｅＶに加速し、これを表面側からシリ
コン単結晶基板の内部に１０¹⁸ａｔｍｓ／ｃｍ³の密度
でイオン注入する。この注入された酸素イオンは、所定
の深さまで侵入してエネルギーを失い酸素原子となる。
そのとき、酸素原子とシリコン原子とが反応し、ＳｉＯ
₂を含むシリコン酸化物が生成される。次に、１１００
℃以上の熱処理（以下、高温アニール）により酸素とシ
リコンとを十分に反応させ、ＳｉＯ、Ｓｉ₂Ｏ₃などの結
合状態が弱い低級酸化物の結合力を強化し、絶縁体層で
ある埋め込み酸化膜を形成する。この埋め込み酸化膜の
厚さは、酸素イオンの注入量によって決定される。ここ
でいう結合とは、共有結合、イオン結合、金属結合とい
った分子や結晶を形成する原子またはイオン間の結合で
ある。ＳＩＭＯＸ法によれば、１枚のシリコン単結晶基
板によりＳＯＩ基板が得られ、シリコン酸化膜の表層の
均一な深さ位置に埋め込みシリコン酸化膜を形成するこ
とができる。さらには、十分に表面研磨したシリコン単
結晶基板を用いれば、のちに再研磨する必要がないとい
った利点がある。

【０００４】ところで、ＳＩＭＯＸ基板の表面シリコン
層に半導体デバイスを形成するデバイス工程では、表面
シリコン層に対する金属不純物（鉄、銅、ニッケルな
ど）の汚染度合いが重要視される。それだけではなく、
ＳＩＭＯＸ基板の特有の課題として、イオン注入工程お
よび続く高温アニール工程で重金属汚染が発生し、これ
が問題となる。これらの工程での重金属汚染によって製
品出荷後も表面シリコン層に金属不純物が残留すると、
表面シリコン層の表面近傍に欠陥や電気的な準位が形成
され、デバイスの特性が劣化する。これにより、デバイ
ス工程での歩留りが低下する。そのため、ＳＩＭＯＸ基
板においては、イオン注入からデバイス工程までの継続
したゲッタリング効果が求められることになる。従来、
このような重金属汚染の対策として、シリコン単結晶基
板の内部に、前記金属不純物のゲッタリングサイトとな
る酸素析出物などを形成するＩＧ（Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ
Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）処理、および、基板裏面に金属
不純物をゲッタリングする多結晶シリコン膜などを堆積
するＥＧ（ＥｘｔｒｉｎｓｉｃＧｅｔｔｅｒｉｎｇ）処
理などが知られている。酸素析出物とは、熱処理過程で
シリコン中に存在する酸素が、無定形なクリストバライ
トなどの化合物として析出したものである。その大きさ
は１０〜５００ｎｍ程度である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＧに
よる金属不純物のゲッタリングによれば、ほとんどの酸
素析出物は高温アニール時の熱によって溶体化する。そ
の結果、デバイス工程で必要なゲッタリングサイト（Ｉ
Ｇ）が確保されにくかった。また、ＥＧによれば、高温
アニール時の熱により多結晶シリコンが単結晶化してし
まい、金属不純物のゲッタリングができなくなるおそれ
があった。しかも、高温アニールは酸素雰囲気中で行わ
れる。そのため、多結晶シリコンの大部分は酸素と結合
し、酸化シリコンとなっていた。その結果、デバイス工
程で必要とされるゲッタリングサイト（ＥＧ）を、十分
に確保することができなかった。

【０００６】そこで、発明者は、鋭意研究の結果、酸素
析出物よりもゲッタリング効果が大きいパンチアウト転
位（５０ｎｍ〜１μｍ程度）に着目した。パンチアウト
転位とは、酸素析出物が周囲に形成する歪みがある臨界
値を超えた際に生じる転位ループ（ＰＯＤ：Ｐｕｎｃｈ
ｅｄ−ｏｕｔｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎｌｏｏｐ）で
ある。すなわち、酸素イオン注入前に酸素析出物をシリ
コン単結晶基板の内部に形成しておき、その後の高温ア
ニール時に、この酸素析出物に起因したパンチアウト転
位を発生させれば、このパンチアウト転位によって、ゲ
ッタリングサイトを確保することができることを知見
し、この発明を完成させた。

【０００７】

【発明の目的】この発明は、デバイス工程での熱処理時
に、金属不純物を十分にゲッタリングすることができる
ＳＩＭＯＸ基板を提供することを、その目的としてい
る。また、この発明は、イオン注入工程、高温アニール
工程およびデバイス工程の各熱処理時に、金属不純物を
十分にゲッタリングすることができるＳＩＭＯＸ基板の
製造方法を提供することを、その目的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、表面シリコン層とバルク層との間に、イオン注入お
よび熱処理により埋め込みシリコン酸化膜が形成された
ＳＩＭＯＸ基板において、前記バルク層が、パンチアウ
ト転位を１０³個／ｃｍ²以上の密度で含有しているＳＩ
ＭＯＸ基板である。表面シリコン層の厚さは、例えば
０．０１〜０．３μｍである。また、埋め込みシリコン
酸化膜の厚さは、例えば０．１〜０．５μｍである。好
ましいパンチアウト転位の密度は、１０³〜１０⁶個／ｃ
ｍ²である。１０³個／ｃｍ²未満では、不純物のゲッタ
リング効果が不十分であるという不都合が生じる。

【０００９】請求項２に記載の発明は、シリコン単結晶
基板の内部に、対角線長をＬ（ｎｍ）とし、密度をＤ
（個／ｃｍ³）とした場合、Ｌ×Ｄ＞１０⁷（ｎｍ・個／
ｃｍ³）の関係を有した酸素析出物を形成する酸素析出
物形成工程と、この酸素析出物形成工程後、前記シリコ
ン単結晶基板の表面から酸素イオンを注入し、所定の深
さでこの酸素をシリコンと結合させるイオン注入工程
と、このイオン注入工程後、前記シリコン単結晶基板を
９００〜１０５０℃で４時間以上熱処理し、前記酸素と
シリコンとの結合部分に埋め込みシリコン酸化膜を形成
するとともに、前記シリコン単結晶基板の表面側に表面
シリコン層を形成する熱処理工程とを備えたＳＩＭＯＸ
基板の製造方法である。

【００１０】酸素析出物の対角線長および密度は、例え
ば光学顕微鏡、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などによる
観察で測定することができる。または、熱処理条件を入
力してフォッカープランク方程式を用いた計算機を用い
たシュミレーションから求めることができる。このシミ
ュレ−ションは、Ｓｃｈｒｅｍｓらにより開発されたも
のである（Ｍ．Ｓｃｈｒｅｍｓｅｔａｌ．，Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｉｌｉｃｏｎ１９９０，ｐ
１４４）。以下、その概略を述べる。シリコン単結晶中
における酸素析出挙動を、酸素析出物半径ｒと熱処理時
間ｔを関数とするサイズ分布関数ｆ（ｒ、ｔ）を用いて
表し、ｆ（ｒ、ｔ）の時間変化を下記のフォッカープラ
ンク方程式を解くことで求める。

【００１１】

【数１】

【００１２】

【数２】

【００１３】ここで数２式中のＡ（ｒ、ｔ）とＢ（ｒ、
ｔ）とは次の関係を満たす。

【００１４】

【数３】

【００１５】数３式において、ｋはボルツマン定数を、
Ｔは絶対温度を、また、△Ｇ＝△Ｇ（ｒ、ｔ）は半径ｒ
の酸素析出物形成に伴うＧｉｂｂｓの自由エネルギー変
化量をそれぞれ表している。そして、任意の熱処理後の
ｆ（ｒ、ｔ）から、酸素析出物の密度Ｄ、及び板状酸素
析出物の対角線長Ｌを次式により計算する。

【００１６】

【数４】

【００１７】

【数５】

【００１８】ここで、βは板状酸素析出物のアスペクト
比（板状酸素析出物の厚さ／対角線長）であり、０．０
１程度の値をとる。このＬ×Ｄ＞１０⁷は、次の知見を
意味している。すなわち、この酸素析出物が光学顕微鏡
で観察できないほど微細であっても、酸素析出物の密度
が大きければ十分なＩＧ能力を有する場合がある。すな
わち、この微小な酸素析出物の集合物により、高温アニ
ール時にパンチアウト転位を発生させることができる場
合がある。

【００１９】好ましいＬ×Ｄの関係は、５×１０⁷以上
である。Ｌ×Ｄが１０⁷未満では、バルク層の内部にパ
ンチアウト転位を１０³個／ｃｍ²以上の密度で形成する
酸素析出物を確保することができない。シリコン単結晶
基板の好ましい熱処理温度は、９５０〜１０３０℃であ
る。９００℃未満では、パンチアウト転位の発生に実用
的でない熱処理時間（数十時間）が必要になるという不
都合が生じる。１０５０℃を超えると、酸素析出物周囲
の歪みが緩和されパンチアウト転位が発生しにくいとい
う不都合が生じる。また、シリコン単結晶基板の好まし
い熱処理時間は４〜８時間である。４時間未満では、酸
素析出物周囲の歪みが余り大きくなく、パンチアウト転
位が発生しにくいという不都合が生じる。

【００２０】請求項３に記載の発明は、前記酸素析出物
形成工程では、ＣＺ法により引き上げてウェーハ加工さ
れ、初期酸素濃度が１×１０¹⁸ａｔｍｓ／ｃｍ³以上の
シリコン単結晶基板に対して、１０００℃以下で１時間
以上の熱処理を施す請求項２に記載のＳＩＭＯＸ基板の
製造方法である。初期酸素濃度とは、シリコン単結晶基
板の基になるＣＺ法により引き上げられ、熱処理が施さ
れる前のＡｓ−ｇｒｏｗｎ状態の単結晶シリコンインゴ
ットの中に含まれている酸素の濃度である。好ましい初
期酸素濃度は、１．２×１０¹⁸〜１．６×１０¹⁸ａｔｍ
ｓ／ｃｍ³である。１×１０¹⁸ａｔｍｓ／ｃｍ³未満で
は、請求項２の条件を満たす酸素析出物の形成が困難に
なるという不都合が生じる。

【００２１】

【作用】請求項１に記載のＳＩＭＯＸ基板によれば、バ
ルク層の内部にパンチアウト転位が１０³個／ｃｍ²以上
の密度で存在しているので、デバイス工程の熱処理時
に、このＳＩＭＯＸ基板の内部の金属不純物が十分にゲ
ッタリングされ、デバイス工程の熱処理時における重金
属汚染を解消することができる。

【００２２】また、請求項２に記載のＳＩＭＯＸ基板の
製造方法によれば、酸素イオン注入前に、金属不純物の
ゲッタリングが可能なサイズと密度とを有する酸素析出
物を、シリコン単結晶基板の内部に形成しておく。これ
により、イオン注入時、シリコン単結晶基板内の金属不
純物が酸素析出物に十分にゲッタリングされ、イオン注
入時の重金属汚染を解消することができる。続く、高温
アニール時では、注入された酸素とシリコンとの結合部
分に埋め込みシリコン酸化膜が形成される。しかも、バ
ルク層の内部では酸素析出物に起因したパンチアウト転
位が発生する。このパンチアウト転位の一部により、高
温アニール時のシリコン単結晶基板の内部の金属不純物
が十分にゲッタリングされる。しかも、高温アニール
後、バルク層には１０³個／ｃｍ²以上のパンチアウト転
位が残存する。この残ったパンチアウト転位が、デバイ
ス工程の熱処理時における金属不純物のゲッタリングサ
イトとなる。以上のことから、イオン注入時、高温アニ
ール時、および、デバイス工程における各熱処理時にお
いて、金属不純物を十分にゲッタリングすることができ
る。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例に係るＳ
ＩＭＯＸ基板およびその製造方法を説明する。図１は、
この発明の一実施例に係るＳＩＭＯＸ基板の製造方法を
示すフローシートである。この一実施例によれば、初期
酸素濃度が１×１０¹⁸ａｔｍｓ／ｃｍ³以上の単結晶シ
リコンインゴットをＣＺ法により引き上げる。引き上げ
条件は、引き上げ速度１．０ｍｍ／ｍｉｎ、結晶回転速
度１５ｒｐｍ、るつぼ回転速度１０ｒｐｍである。その
後、この得られた単結晶シリコンインゴットに、ブロッ
ク切断、スライス、面取り、鏡面研磨などを施す。これ
により、厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍの鏡面仕上げ
されたシリコン単結晶基板１０を用意する（図１
（ａ））。次に、シリコン単結晶基板１０を加熱炉に挿
入し、アルゴンガスを含む７０％の酸素ガス雰囲気下の
炉内で８００℃、８時間の熱処理を施す（図１
（ｂ））。これにより、シリコン単結晶基板１０の内部
に、析出物サイズＬが５０ｎｍ、密度Ｄが１０¹⁰個／ｃ
ｍ³の酸素析出物ａが形成される。この析出物サイズと
密度は、ニッケルをゲッタリング可能な程度である。

【００２４】次にまた、中電流イオン注入装置を使用し
て、１００ｋｅＶの加速電圧により、シリコン単結晶基
板１０の内部に、その表面側から酸素イオンを１０¹⁸ａ
ｔｍｓ／ｃｍ³で注入する（図１（ｃ））。次いで、シ
リコン単結晶基板１０をあらかじめ７００℃に保持した
熱処理炉に投入し、１０００℃で４時間、高温アニール
を施す（図１（ｄ））。これにより、バルク層１３内に
５０ｎｍ〜１μｍのパンチアウト転位Ｐが、１０⁵〜１
０⁶個／ｃｍ²の密度で形成される。すなわち、酸素析出
物（ＳｉＯ₂）が成長する際、シリコンと酸素が反応し
てＳｉＯ₂となる。このとき、ＳｉＯ₂１分子の体積はＳ
ｉ１原子の体積の約２倍なので、周囲のシリコンを圧縮
する格子歪みを緩和するため、周囲のシリコン中に格子
間型のパンチアウト転位ループが発生する。

【００２５】その後、炉内温度を１３２０℃まで昇温
し、その温度を１０時間保持する。これにより、イオン
注入された酸素ｂとシリコンとの結合部分に、厚さ０．
４μｍの埋め込みシリコン酸化膜１２が形成される。こ
うして、シリコン単結晶基板１０の表面側に厚さ０．１
μｍの表面シリコン層１１、シリコン単結晶基板の裏面
側に厚さ７２４．５μｍのバルク層１３が分離・形成さ
れる（図１（ｅ））。しかも、この高温アニール時に、
一部のパンチアウト転位Ｐにより、シリコン単結晶基板
１０の内部に存在する金属不純物が十分にゲッタリング
される。この高温アニール後も、バルク層１３の内部に
は、１０³個／ｃｍ²以上の密度のパンチアウト転位Ｐが
残存する。その後、炉内温度が７００℃になるまで冷却
し、得られたＳＩＭＯＸ基板２０を炉内より取り出す。

【００２６】このように、ＳＩＭＯＸ基板２０にあって
は、バルク層１３の内部にパンチアウト転位Ｐが１０³
個／ｃｍ²以上存在するので、デバイス工程における熱
処理時に、ＳＩＭＯＸ基板２０の内部に含まれる銅、ニ
ッケルといった金属不純物を十分にゲッタリングするこ
とができる。その結果、デバイス工程の熱処理時におけ
る重金属汚染を解消することができる。また、酸素イオ
ン注入前、金属不純物のゲッタリングが可能なＬ×Ｄ＞
１０⁷というサイズと密度との関係を有する酸素析出物
ａをシリコン単結晶基板１０の内部に形成するので、イ
オン注入時、シリコン単結晶基板１０内の金属不純物が
酸素析出物ａに十分にゲッタリングされる。これによ
り、イオン注入時の重金属汚染を解消することができ
る。続く、高温アニール時では、注入された酸素ｂとシ
リコンとの結合部分に埋め込みシリコン酸化膜１２が形
成される。しかも、バルク層１３の内部では酸素析出物
ａに起因したパンチアウト転位Ｐが発生し、この発生し
たパンチアウト転位Ｐの一部により、高温アニール時の
ＳＩＭＯＸ基板２０の内部の金属不純物を十分にゲッタ
リングすることができる。

【００２７】ここで、表１に基づき、この発明のＳＩＭ
ＯＸ基板（試験例１，２）と、従来のＳＩＭＯＸ基板
（比較例１〜６）とについて、イオン注入、高温熱処理
およびデバイス形成の各工程での銅汚染についての試験
結果を報告する。汚染度合いは、原子吸光法による測定
で求めた。

【００２８】

【表１】

【００２９】表１のグラフから明らかなように、試験例
１，２のＳＩＭＯＸ基板では、イオン注入後、高温熱処
理後およびデバイス形成後のいずれの場合でも、銅濃度
は検出限界の５×１０⁹／ｃｍ²未満であった。これは、
試験例１，２のＳＩＭＯＸ基板が十分な銅のＩＧ能力を
有していたことを意味する。これに対して、比較例１〜
６のＳＩＭＯＸ基板の場合では、所定の工程で銅汚染が
検出された。すなわち、試験例１，２のＳＩＭＯＸ基板
の方が、イオン注入工程、高温熱処理工程、デバイス形
成工程でのＩＧ効果が優れていた。デバイス工程での銅
のＩＧ効果の判断については、まず各ＳＩＭＯＸ基板の
表面を、１×１０¹²／ｃｍ²の濃度の銅でそれぞれ汚染
する。次いで、９５０℃、１０分の熱処理を施し、それ
ぞれの汚染源である銅を基板内部に拡散させ、それから
室温で１０日間保持し、各基板表面の銅濃度を測定し
た。

【００３０】透過型電子顕微鏡による観察の結果、試験
例１，２のＳＩＭＯＸ基板には、高温アニール後、バル
ク層内にパンチアウト転位が１０⁵／ｃｍ²程度の密度で
検出された。これに対して、比較例１〜６のＳＩＭＯＸ
基板のバルク層にはパンチアウト転位は観察されなかっ
た。参考として、ＳＩＭＯＸ基板の裏面に多結晶シリコ
ンを約１μｍ堆積させたＥＧ基板についても銅汚染の試
験結果を報告する。評価には、同じく原子吸光法を採用
した。基板裏面に堆積した多結晶シリコンは、高温アニ
ール後、約０．６μｍが酸化シリコンに変化し、残りも
単結晶化していた。これにより、デバイス形成後、銅が
汚染量相当の約１×１０¹²／ｃｍ²の濃度で検出され
た。

【００３１】

【発明の効果】請求項１に記載のＳＩＭＯＸ基板によれ
ば、ＳＩＭＯＸ基板のバルク層が、パンチアウト転位を
１０³個／ｃｍ²以上の密度で含有しているので、デバイ
ス工程の熱処理時に、金属不純物を十分にゲッタリング
することができる。

【００３２】また、請求項２に記載のＳＩＭＯＸ基板の
製造方法によれば、酸素イオン注入前に酸素析出物をシ
リコン単結晶基板の内部に形成するので、酸素イオン注
入時に金属不純物を十分にゲッタリングすることができ
る。イオン注入後の高温アニール時に、酸素析出物に起
因する多数のパンチアウト転位を発生させるので、この
パンチアウト転位をゲッタリングサイトとして、高温ア
ニール工程およびデバイス工程で、金属不純物をそれぞ
れ十分にゲッタリングすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係るＳＩＭＯＸ基板の製
造方法を示すフローシートである。

【符号の説明】

１０シリコン単結晶基板、１１表面シリコン層、１２埋め込みシリコン酸化膜、１３バルク層、２０ＳＩＭＯＸ基板、Ｐパンチアウト転位、ａ酸素析出物、ｂ酸素。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面シリコン層とバルク層との間に、イ
オン注入および熱処理により埋め込みシリコン酸化膜が
形成されたＳＩＭＯＸ基板において、前記バルク層が、パンチアウト転位を１０³個／ｃｍ²以
上の密度で含有しているＳＩＭＯＸ基板。
【請求項２】シリコン単結晶基板の内部に、対角線長
をＬ（ｎｍ）とし、密度をＤ（個／ｃｍ³）とした場
合、Ｌ×Ｄ＞１０⁷（ｎｍ・個／ｃｍ³）の関係を有した
酸素析出物を形成する酸素析出物形成工程と、この酸素析出物形成工程後、前記シリコン単結晶基板の
表面から酸素イオンを注入し、所定の深さでこの酸素を
シリコンと結合させるイオン注入工程と、このイオン注入工程後、前記シリコン単結晶基板を９０
０〜１０５０℃で４時間以上熱処理し、前記酸素とシリ
コンとの結合部分に埋め込みシリコン酸化膜を形成する
とともに、前記シリコン単結晶基板の表面側に表面シリ
コン層を形成する熱処理工程とを備えたＳＩＭＯＸ基板
の製造方法。
【請求項３】前記酸素析出物形成工程では、ＣＺ法により引き上げられてウェーハ加工され、初期酸
素濃度が１×１０¹⁸ａｔｍｓ／ｃｍ³以上のシリコン単
結晶基板に対して、１０００℃以下で１時間以上の熱処
理を施す請求項２に記載のＳＩＭＯＸ基板の製造方法。