JP2003344718A - 光ファイバの調芯方法、半導体レーザモジュールの製造方法及び半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】２つのレーザ光を偏波合成して得られる合成光
と光結合する光ファイバを、２つのレーザ光の偏光度が
所定値以下になるように調芯する光ファイバの調芯方法
及び半導体レーザモジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る光ファイバの調芯方法は、パ
ワーメータ２６を用いて光ファイバ８の光出力パワーが
最大となるように光ファイバ８を移動させて調芯する第
１の工程と、偏光度測定器２７を用いて、２つのレーザ
光Ｋ１，Ｋ２の偏光度が所定値以下になるように、第１
の工程で調芯された位置から、光ファイバ８を光軸方向
（Ｚ方向）に移動させて調芯する第２の工程とを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの調芯
方法、半導体レーザモジュールの製造方法及び半導体レ
ーザモジュールに関し、特に、２つのレーザ光を偏波合
成した後に受光する光ファイバの調芯方法及び半導体レ
ーザモジュールの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年における高密度波長分割多重伝送方
式による光通信の進展に伴い、光増幅器に使用される励
起光源に対する高出力化の要求がますます高まってい
る。

【０００３】また、最近では、光増幅器として従来より
使用されてきたエルビウムドープ光増幅器よりも更に広
帯域の光を増幅する手段としてラマン増幅器に対する期
待が高まっている。ラマン増幅は、光ファイバに励起光
を入射したときに発生する誘導ラマン散乱により、励起
光波長から約１３ＴＨｚ低周波側に利得が現れ、このよ
うに励起された状態の光ファイバに、上記利得を有する
波長帯域の信号光を入力すると、その信号光が増幅され
るという現象を利用した光信号の増幅方法である。

【０００４】ラマン増幅においては、信号光と励起光
（ポンプ光）の偏光方向が一致している状態で信号光が
増幅されるので、信号光と励起光との偏光方向のずれの
影響を極力小さくする必要がある。そのため、励起光の
偏波を解消（無偏光化：デポラライズ）して、偏光度
（DOP（Degree Of Polarization））を低減させること
が行われている。

【０００５】光増幅器の励起光源等に用いられる従来の
半導体レーザモジュールからのレーザ光を無偏光化する
方法として、たとえば、２つのレーザ光を偏波合成して
光ファイバから出力するものが知られている。

【０００６】図１２は、米国特許第５５８９６８４号公
報に開示された従来の半導体レーザ装置を説明するため
の説明図である。

【０００７】図１２に示すように、従来の半導体レーザ
装置は、同一波長で互いに直交する方向にレーザ光を出
射する第１の半導体レーザ素子１００及び第２の半導体
レーザ素子１０１と、第１の半導体レーザ素子１００か
ら出射されたレーザ光を平行にする第１の平行レンズ１
０２と、第２の半導体レーザ素子１０１から出射された
レーザ光を平行にする第２の平行レンズ１０３と、第１
の平行レンズ１０２及び第２の平行レンズ１０３によっ
て平行になったレーザ光を直交偏波合成する偏波合成カ
プラ１０４と、偏波合成カプラ１０４によって偏波合成
されたレーザ光を集光する集光レンズ１０５と、集光レ
ンズ１０５によって集光されたレーザ光が入射され外部
に送出するファイバブラッググレーティング（ＦＢＧ）
１０６付き光ファイバ１０７とを有する。

【０００８】従来の半導体レーザ装置によれば、第１の
半導体レーザ素子１００及び第２の半導体レーザ素子１
０１から互いに直交する方向に出射されたレーザ光が偏
波合成カプラ１０４によって偏波合成されるので、光フ
ァイバ１０７からは偏光度の小さいレーザ光を出射する
ことができる（以下、従来例１という）。

【０００９】また、特開昭６０−７６７０７号公報に
は、ヒートシンク上に配置され、光軸及び偏光方向が互
いに平行で且つ出射端面が略一致し、第１及び第２のレ
ーザ光をそれぞれ出射する第１及び第２の半導体レーザ
素子と、第１の半導体レーザ素子から出射された第１の
レーザ光の光路上に配置され、第１のレーザ光の偏光方
向を９０°回転させて、第２のレーザ光の偏光方向に対
し直角にする偏光回転子と、偏光方向が互いに直角にな
った第１及び第２のレーザ光の光路を複屈折効果で合流
させる偏光素子（方解石板）と、偏光素子側からのレー
ザ光を受光し外部に送出する光ファイバと、偏光素子で
合流したレーザ光を光ファイバに結合するレンズとを有
する半導体レーザモジュールが開示されている。この半
導体レーザモジュールでは、第１及び第２の半導体レー
ザ素子がパッケージ内に収納されユニット化されている
（以下、従来例２という）。

【００１０】また、特開２０００−３１５７５号公報に
は、電子冷却素子と、電子冷却素子上に実装された第１
及び第２の半導体レーザ素子と、電子冷却素子上に実装
され、第１及び第２の半導体レーザ素子から出射された
第１及び第２のレーザ光をそれぞれ平行化する第１及び
第２の集光レンズと、第１及び第２のレーザ光を偏波合
成する偏波合成素子と、偏波合成素子から出力されたレ
ーザ光を受光し外部に送出する光ファイバとを有する半
導体レーザモジュールが開示されている。また、第１及
び第２の半導体レーザ素子は、発光中心間ピッチ５００
μｍで形成されたＬＤアレイとして構成されている。ま
た、第１及び第２の集光レンズは、球レンズアレイやフ
レネルレンズアレイ等の集光用レンズアレイとして構成
されている術を従来例３という）。

【００１１】しかしながら、従来例１では、半導体レー
ザ素子から出力されたレーザ光に対してレンズをそれぞ
れ位置決めする必要があるので、製造工程が複雑にな
り、製造時間がかかるという課題がある。

【００１２】従来例２では、半導体レーザ素子からのレ
ーザ光を偏光回転素子又は偏光素子で直接受光する構成
になっている。そのため、従来例２の構成で高い光結合
効率を得るためには半導体レーザ素子ーレンズ間の間隔
を３００〜５００μｍ程度に設計する必要があり、実際
上、半導体レーザ素子ーレンズ間に偏光回転素子及び偏
光素子を配置することは非常に困難である。レンズを大
きくすることにより、スペースを作ることができるが、
パッケージが現在用いられているものよりも数倍大型化
してしまい、半導体レーザモジュールの大型化につなが
ってしまうという課題がある。

【００１３】また、従来例３では、広い間隔（発光中心
間ピッチ５００μｍ）で出射された２つのビームをそれ
ぞれ異なるレンズで受けることにより、互いに平行な２
つのレーザ光を得る構成であるため、半導体レーザ素子
が大型化してしまい、１枚のウェハから得られる半導体
チップの量が減るので、大量生産に不向きである。これ
を解消するために、半導体レーザ素子のストライプの間
隔を狭くすると、レンズの小型化が必要となり、それぞ
れのストライプから出た光同士の分離も困難になるの
で、その後の偏波合成や光合成を行うことが困難にな
る。

【００１４】そこで、上記の課題を解決するために、本
出願人は、２つのストライプ状発光部（以下、単に「ス
トライプ」という）を備えた単一の半導体レーザ素子か
ら出射される２つのレーザ光を偏波合成して光ファイバ
で受光する半導体レーザモジュールを提案している（例
えば、特願２００１−３８３８４０号参照：以下、この
技術を関連技術という）。

【００１５】図５は、関連技術に係る半導体レーザモジ
ュールの構成を模式化して示す説明図である。

【００１６】図５に示すように、関連技術に係る半導体
レーザモジュールＭ１は、１００μｍ程度以下の間隔を
隔てて互いに平行に形成された第１のストライプ９及び
第２のストライプ１０を有し、第１のストライプ９及び
第２のストライプ１０の前側端面２ａ（図５では右側）
からそれぞれ第１のレーザ光Ｋ１及び第２のレーザ光Ｋ
２を出射する単一の半導体レーザ素子２と、半導体レー
ザ素子２から出射された第１のレーザ光Ｋ１と第２のレ
ーザ光Ｋ２とが入射され、第１のレーザ光Ｋ１と第２の
レーザ光Ｋ２とを第１，第２のストライプ９，１０の並
び方向に分離させる第１レンズ４と、第１、第２のレー
ザ光Ｋ１、Ｋ２の少なくとも一方（図５の場合、第１の
レーザ光Ｋ１）の偏光方向を所定角度（例えば９０度）
回転させる半波長板６（偏光回転手段）と、第１のレー
ザ光Ｋ１及び第２のレーザ光Ｋ２を光合成して出射する
偏波合成手段７（以下、ＰＢＣ（Polarizatioｎ Beam C
ombiｎerという）と、ＰＢＣ７から出射される合成光と
光結合し、その合成光を外部に送出する光ファイバ８と
を有する。

【００１７】第１レンズ４と半波長板６との間には、第
１のレーザ光Ｋ１及び第２のレーザ光Ｋ２を入射し、互
いの光軸を略平行にして出射するプリズム５が配設され
ている。また、ＰＢＣ７と光ファイバ８との間には、Ｐ
ＢＣ７により偏波合成された第１、第２のレーザ光Ｋ
１，Ｋ２を光ファイバ８に光結合させる第２レンズ１６
が配設されている。

【００１８】ＰＢＣ７としては、ルチル結晶、ＹＶＯ₄
等の複屈折素子が用いられる。

【００１９】半導体レーザ素子２の第１のストライプ９
及び第２のストライプ１０の前側端面２ａからそれぞれ
出射された第１のレーザ光Ｋ１及び第２のレーザ光Ｋ２
は、第１レンズ４を通過し、交差した後、間隔が広がり
十分分離された後、プリズム５に入射される。

【００２０】プリズム５によって第１のレーザ光Ｋ１と
第２のレーザ光Ｋ２は間隔Ｄを隔てて互いに平行となっ
て出射し、第１のレーザ光Ｋ１は半波長板６に入射さ
れ、偏光方向を９０度回転され、ＰＢＣ７の第１の入力
部７ａに入射され、第２のレーザ光Ｋ２はＰＢＣ７の第
２の入力部７ｂに入射される。

【００２１】ＰＢＣ７では、第１の入力部７ａから入射
される第１のレーザ光Ｋ１と第２の入力部７ｂから入射
される第２のレーザ光Ｋ２とが偏波合波されて出力部７
ｃから出射される。

【００２２】ＰＢＣ７から出射されたレーザ光は、第２
レンズ１６によって集光され、フェルール２３によって
保持された光ファイバ８の端面に入射され外部に送出さ
れる。

【００２３】関連技術に係る半導体レーザモジュールＭ
１によれば、１つの半導体レーザ素子２に１００μｍ以
下という狭い間隔で形成された第１、第２のストライプ
９，１０から偏光方向のそろった第１のレーザ光Ｋ１及
び第２のレーザ光Ｋ２が出射され、第１レンズ４で十分
分離された後、半波長板６によって第１のレーザ光Ｋ１
の偏光方向が正確に９０度回転される。すなわち、この
ときレーザ光Ｋ１、Ｋ２の偏光方向は互いに直交してい
る。この状態で、ＰＢＣ７によって第１のレーザ光Ｋ１
と第２のレーザ光Ｋ２が偏波合成されるので、光ファイ
バ８からは高出力で、かつ偏光度の小さいレーザ光を出
射することができる。

【００２４】従って、上記の半導体レーザモジュールＭ
１を、高出力が要求されるエルビウムドープ光増幅器
や、さらに増幅利得に低偏波依存性及び安定性が要求さ
れるラマン増幅器の励起光源として適用することができ
る。

【００２５】また、２つのレーザ光を出射させる２つの
ストライプを備えた１個の半導体レーザ素子２と、レー
ザ光Ｋ１、Ｋ２両方を分離する単一の第１レンズ４を用
いているので、半導体レーザ素子２や第１レンズ４の位
置決め時間が短くなる。その結果、半導体レーザモジュ
ールＭ１の製造時間を短縮化できる。

【００２６】さらに、単一の半導体レーザ素子２から出
射される２つの光は略同じ方向に伝搬されるため、半導
体レーザ素子２、第１レンズ４、半波長板６、ＰＢＣ
７、第２レンズ１６等の光学部品を収容するパッケージ
の反りの影響を１方向（図５中、Ｚ方向）においてのみ
抑制することにより、光ファイバ８から出射される光出
力の安定化を図ることができる。

【００２７】

【発明が解決しようとする課題】関連技術に係る半導体
レーザモジュールの製造方法において、光ファイバ８の
位置決め工程では、図１３（Ａ）に示すように、光ファ
イバ８の基端部にパワーメータ２６を接続して、光出力
が最大となるように光ファイバ８を保持するフェルール
２３をフェルール調芯ハンド２８を用いてＸ，Ｙ，Ｚ軸
方向に移動させて調芯し固定していた。

【００２８】しかし、前述したように、ＰＢＣ７として
ルチル結晶、ＹＶＯ₄等の複屈折素子が用いられている
ので、図１３（Ｂ）に示すように、第１のレーザ光Ｋ１
及び第２のレーザ光Ｋ２がＰＢＣ７を透過する光路の物
理長及び屈折率ｎ１，ｎ２は、それぞれ異なる（例え
ば、屈折率ｎ１は２．４６、屈折率ｎ２は２．７１であ
る）。そのため、第１のレーザ光Ｋ１及び第２のレーザ
光Ｋ２の第２レンズ１６出射後のそれぞれの焦点（ビー
ムウェスト）の位置Ｇ１，Ｇ２が一致せず、ずれが生じ
る。このため、光ファイバ８との結合効率が第１及び第
２のレーザ光Ｋ１，Ｋ２と異なることになる。なお、図
１３（Ｂ）中、Ｆ１，Ｆ２は第１レンズ４によって形成
されたレーザ光Ｋ１，Ｋ２のビームウェストの位置、Ｇ
１，Ｇ２は第２レンズ１６によって形成されたレーザ光
Ｋ１，Ｋ２のビームウェストの位置を示す。

【００２９】また、第１及び第２のレーザ光Ｋ１，Ｋ２
は、半導体レーザ素子２を出射した後、異なる光路、異
なる光学部品を通過するため、各々が受ける減衰量が異
なるその結果、光出力が最大になるＺ方向の位置で光フ
ァイバ８を位置決めすると、光ファイバ８に結合する直
交状態の光に出力差が生じるため、偏光度（ＤＯＰ）が
所望の値以下にできない場合がある。

【００３０】さらに、従来例に係る半導体レーザモジュ
ールの製造方法においては、上記と同様の理由のほか、
２つの半導体レーザ素子の間の特性（出射端面からのレ
ーザの放射角（ＦＦＰ：Far Field Pattern)、光出力、
波長及びこれらの温度依存性）の個体差や、光学部品の
配置状態の違い、パッケージの反り等によっても、偏光
度が大きくなってしまう。

【００３１】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、２つのレーザ光を偏波合成して得られる
合成光と光結合する光ファイバを、２つのレーザ光の偏
光度が所定値以下になるように調芯する光ファイバの調
芯方法及び半導体レーザモジュールの製造方法を提供す
ることを目的とする。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の光ファイ
バの調芯方法は、第１レンズを通過した２つのレーザ光
を偏波合成手段により偏波合成した後に第２レンズを介
してその合成光と光結合する光ファイバの調芯方法であ
って、前記光ファイバに光結合する前記合成光の偏光度
が所定値以下になるように前記光ファイバを移動させて
調芯することを特徴とするものである。

【００３３】なお、第１レンズは１つとは限らず、１つ
のストライプを有する２つのレーザ素子の各々に１つず
つ設置された２つの第１レンズがあってもよい。

【００３４】本発明の第２の光ファイバの調芯方法は、
第１レンズを通過した２つのレーザ光を偏波合成手段に
より偏波合成した後に第２レンズを介してその合成光と
光結合する光ファイバの調芯方法であって、前記光ファ
イバに光結合する前記合成光の強度が最大となるように
前記光ファイバを移動させて調芯する第１の工程と、前
記光ファイバに光結合する前記合成光の偏光度が所定値
以下になるように、前記第１の工程で調芯された位置か
ら、前記光ファイバを前記光ファイバの軸方向に移動さ
せて調芯する第２の工程とを有することを特徴とするも
のである。

【００３５】偏波合成手段を通過した２つのレーザ光の
第１−第２レンズ間の光路の光学長は異なるため、第２
レンズ出射後の２つのレーザ光の各々のビームウェスト
（ガウシアンビームにおいて、レーザ光のスポットサイ
ズが最も小さい部分（レーザ光が最も集光された部
分））は前記光ファイバの軸方向において異なった位置
にある。このため、これらの間で光ファイバを移動させ
れば、各々のレーザ光と光ファイバとの結合効率が変化
し、光ファイバに結合する各々のレーザ光の強度が等し
くなる点を見つけることができるので、合成光の偏光度
の最小の位置を見つけることができる。

【００３６】なお、第１レンズは１つとは限らず、１つ
のストライプを有する２つのレーザ素子の各々に１つず
つ設置された２つの第１レンズがあってもよい。

【００３７】前記２つのレーザ光は、前記第１レンズと
前記第２レンズの間にそれぞれビームウェストを有して
もよい。

【００３８】ビームウェストが第１−第２レンズ間にあ
るので、第１−第２レンズ間でレーザ光はコリメート光
（ビームの放射角度が広がらない、又は広がり角度が０
°の光をいう）ではない。したがってこの場合、第２レ
ンズ出射後のビームウェストの位置が光ファイバの軸方
向において異なることとなる。このため、第２レンズ出
射後のビームウェストの間で光ファイバを移動させるこ
とにより、各々のレーザ光と光ファイバとの結合効率が
変化し、光ファイバに結合する各々のレーザ光の強度が
等しくなる点を見つけることができるので、合成光の偏
光度の最小の位置を見つけることができる。

【００３９】また、ビームウェストが第１−第２レンズ
間にあるので、第１−第２レンズ間のビーム径が小さく
なり、両レーザ光の分離幅が所定値以上になるために必
要な伝搬長が短くなるので、モジュールの長さを短くで
きる。また、使用する光学部品を小型化できるため、モ
ジュールを小型化できる。

【００４０】前記２つのレーザ光は、各々レーザ光を出
射する２つのストライプを備えた単一の半導体レーザ素
子から出射されたものであってもよい。

【００４１】前記２つのストライプは、互いに平行であ
ってもよい。

【００４２】前記２つのストライプは、１００μｍ以下
の間隔で並んでいてもよい。

【００４３】なお、２つのストライプは平行であっても
平行でなくともよく、レーザ光の光路の光学長が異なっ
ていればよい。

【００４４】また、前記第１レンズは、前記２つのレー
ザ光を透過させる単一のレンズであってもよく、前記２
つのレーザ光の各々を透過させるレンズアレイとして構
成されていてもよい。

【００４５】本発明の第１の半導体レーザモジュールの
製造方法は、各々レーザ光を出射し、間隔を隔てて並ん
だ２つのストライプを有する単一の半導体レーザ素子
と、前記２つのレーザ光が入射する単一の第１レンズ
と、前記第１レンズから出射された２つのレーザ光を偏
波合成する偏波合成手段と、前記偏波合成手段によって
偏波合成された合成光と光結合する光ファイバとを有す
る半導体レーザモジュールの製造方法であって、前記半
導体レーザ素子を基台上に固定する第３の工程と、前記
半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で前記第
１レンズから出射される前記２つのレーザ光がそれぞれ
所定の方向となるように前記第１レンズを調芯して前記
基台上に固定する第４の工程と、前記半導体レーザ素子
からレーザ光を出射した状態で、前記偏波合成手段を調
芯して前記基台上に固定する第５の工程と、前記半導体
レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、請求項１又
は２に記載の方法により前記光ファイバを調芯して固定
する第６の工程とを有することを特徴とするものであ
る。

【００４６】本構成によれば、２つのレーザ光は偏波合
成手段を通過するため、その光路の光学長が異なってい
る。この状態では、第１レンズ出射光がコリメート光と
なっていない場合には、第２レンズ出射後に形成される
２つのレーザ光のビームウェストは、光ファイバの軸方
向に互いにずれたものとなる。このような状況におい
て、請求項１又は請求項２に記載の調芯方法を使用して
いるので、出力レーザ光の偏光度が小さい半導体レーザ
モジュールを製造できる。

【００４７】また、間隔を介して並んだ２つのストライ
プを有するレーザ素子とこれから出射されるレーザ光の
方向を制御する単一の第１レンズを使用しているので、
小型のレーザモジュールが製造できる。

【００４８】前記第４の工程は、さらに、前記第１レン
ズを出射したレーザ光が、前記第１レンズと前記第２レ
ンズとの間にビームウェストを形成するように前記第１
レンズを調芯してもよい。

【００４９】第１−第２レンズ間でビームウェストが形
成されるので、２つのレーザ光の第２レンズ出射後のビ
ームウェストが光ファイバの軸方向にずれる。このた
め、第２レンズ出射後の両レーザ光のビームウェストの
間で光ファイバを移動させることにより、各々のレーザ
光と光ファイバとの結合効率が変化し、光ファイバに結
合する各々のレーザ光の強度が等しくなる点を見つける
ことができるので、合成光の偏光度が最小の位置を見つ
けることができる。

【００５０】また、第１−第２レンズ間にビームウェス
トがあるので、第１−第２レンズ間のビーム径が小さく
なり、両レーザ光の分離幅が所定値以上になるために必
要な伝搬長が短くなるので、レーザモジュールの長さを
短くできる。また、小型の光学部品を使用することによ
ってモジュールを小型化できる。

【００５１】前記偏波合成手段は、前記第１レンズから
出射された前記２つのレーザ光を互いに平行にして前記
偏波合成手段に向かって出射するプリズムとともに一つ
のホルダ部材に固定され、前記第４の工程は、さらに、
前記第１レンズから出射される前記２つのレーザ光が前
記第１レンズの中心軸に関して対称となりかつ前記プリ
ズムに向かって分離して入射するように前記第１レンズ
を調芯して前記基台上に固定するものであり、前記第５
の工程は、前記ホルダ部材を移動させることによって前
記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定するもので
あってもよい。

【００５２】第１レンズを出射したレーザ光が第１レン
ズの中心軸に対して対称に分離しているので、レーザ素
子とレンズ、プリズム、偏波合成手段の位置合わせが容
易である。また、偏波合成手段が平行化用プリズムとと
もに１つのホルダに固定されているため，プリズム、偏
波合成手段の調芯が非常に容易となる。

【００５３】前記２つのストライプは、互いに平行であ
ってもよい。

【００５４】前記２つのストライプは、１００μｍ以下
の間隔を介して並んでいてもよい。

【００５５】本発明の第２の半導体レーザモジュールの
製造方法は、それぞれ１つのレーザ光を出射する２つの
半導体レーザ素子と、前記２つの半導体レーザ素子から
出射される２つのレーザ光がそれぞれ入射する２つの第
１レンズと、前記２つの第１レンズから出射された２つ
のレーザ光を偏波合成する偏波合成手段と、前記偏波合
成手段によって偏波合成された合成光と光結合する光フ
ァイバとを有する半導体レーザモジュールの製造方法で
あって、前記２つの半導体レーザ素子を基台上に固定す
る第７の工程と、前記２つの半導体レーザ素子からレー
ザ光を出射した状態で前記第１レンズから出射される前
記２つのレーザ光がそれぞれ所定の方向となるように前
記第１レンズを調芯して前記基台上に固定する第８の工
程と、前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状
態で、前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定す
る第９の工程と、前記半導体レーザ素子からレーザ光を
出射した状態で、請求項１又は請求項２に記載の方法に
より前記光ファイバを調芯して固定する第１０の工程と
を有することを特徴とするものである。

【００５６】本構成では、それぞれ別個の半導体レーザ
素子から出射された２つのレーザ光はそれぞれ別個の第
１レンズを通過するが、半導体レーザ素子と第１レンズ
との距離が両レーザ光の間で製造上のばらつきなどで異
なっていると、第２レンズを通過後のそれぞれのレーザ
光のビームウェストの位置が、光ファイバの軸方向に異
なる場合がある。また、各半導体レーザ素子の出射端面
からの放射角(ＦＦＰ)等の特性が異なっていると、各半
導体レーザ素子と光ファイバとの結合効率が異なる。こ
のような状況において、２つのレーザ光を偏波合成して
も、偏光度は十分に小さくならないが、本請求項に係る
製造方法では、請求項１又は請求項２に記載の調芯方法
を使用しているので、第２レンズ出射後のビームウェス
ト間で光ファイバを位置合わせすることにより、出力レ
ーザ光の偏光度の小さい半導体レーザモジュールを製造
できる。

【００５７】前記第８の工程は、前記２つの第１レンズ
を出射したレーザ光が前記２つの第１レンズの各々と前
記第２レンズとの間にビームウェストを形成するように
前記２つの第１レンズの各々を調芯してもよい。

【００５８】前記偏波合成手段は、前記２つのレーザ光
の一方を入射し前記偏波合成手段に向かって反射して入
射させる反射手段とともに一つのホルダに固定され、前
記第７の工程は、前記２つの半導体レーザ素子を、前記
２つの半導体レーザ素子から出射された直後の２つのレ
ーザ光が互いに平行となるように固定するものであり、
前記第９の工程は、前記ホルダを移動させることによっ
て前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定しても
よい。

【００５９】偏波合成手段が反射手段とともに１つのホ
ルダに固定されているため，これらの調芯が非常に容易
となる。

【００６０】前記２つの第１レンズはレンズアレイとし
て構成され、前記第７の工程は、前記２つの半導体レー
ザ素子から出射されるレーザ光が互いに平行となるよう
に前記２つの半導体レーザ素子を固定するものであって
もよい。

【００６１】本発明の第３の半導体レーザモジュールの
製造方法は、各々レーザ光を出射し、間隔を隔てて並ん
だ２つのストライプを有する単一の半導体レーザ素子
と、前記半導体レーザ素子から出射される２つのレーザ
光がそれぞれ入射する２つの第１レンズと、前記２つの
第１レンズから出射された２つのレーザ光を偏波合成す
る偏波合成手段と、前記偏波合成手段によって偏波合成
された合成光と光結合する光ファイバとを有する半導体
レーザモジュールの製造方法であって、前記半導体レー
ザ素子を基台上に固定する第１１の工程と、前記半導体
レーザ素子からレーザ光を出射した状態で前記２つの第
１レンズから出射される前記２つのレーザ光がそれぞれ
所定の方向となるように前記２つの第１レンズを調芯し
て前記基台上に固定する第１２の工程と、前記半導体レ
ーザ素子からレーザ光を出射した状態で、前記偏波合成
手段を調芯して前記基台上に固定する第１３の工程と、
前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
請求項１又は請求項２に記載の方法により前記光ファイ
バを調芯して固定する第１４の工程とを有することを特
徴とするものである。

【００６２】前記第１２の工程は、さらに、前記２つの
第１レンズを出射した２つのレーザ光が、前記２つの第
１レンズの各々と前記第２レンズとの間にそれぞれビー
ムウェストを形成するように前記２つの第１レンズを調
芯してもよい。

【００６３】前記２つのストライプは、互いに平行であ
り、前記２つの第１レンズはレンズアレイとして構成さ
れていてもよい。

【００６４】本発明の第１の半導体レーザモジュール
は、間隔を隔てて形成された第１のストライプ及び第２
のストライプを有し、前記第１のストライプ及び第２の
ストライプの一方側端面からそれぞれ第１のレーザ光及
び第２のレーザ光を出射する単一の半導体レーザ素子
と、その半導体レーザ素子から出射された前記第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光とが入射され、前記第１のレー
ザ光と第２のレーザ光とを前記第１，第２のストライプ
の並び方向に分離させる単一の第１レンズと、前記第１
レンズから出射された第１、第２のレーザ光の少なくと
も一方の偏光方向を回転させる偏光回転手段と、前記第
１のレーザ光が入射される第１の入力部と、前記第２の
レーザ光が入射される第２の入力部と、前記第１の入力
部から入射される第１のレーザ光と前記第２の入力部か
ら入射される第２のレーザ光とが合波されて出射される
出力部とを有する偏波合成手段と、前記半導体レーザ素
子、前記第１レンズ、前記偏光回転手段、前記偏波合成
手段を載置する基台と、前記偏波合成手段の前記出力部
から出射されるレーザ光を集光する第２レンズと、前記
第２レンズから出射されるレーザ光を受光し外部に送出
する光ファイバと、有する半導体レーザモジュールであ
って、前記光ファイバは、前記第２レンズ出射後におけ
る前記第１のレーザ光のビームウェストと前記第２のレ
ーザ光のビームウェストとの間で固定されていることを
特徴とするものである。

【００６５】前記第１及び第２のストライプは、１００
μｍ以下の間隔を介して並んでいてもよい。

【００６６】本発明の第２の半導体レーザモジュール
は、間隔を隔てて形成された第１のストライプ及び第２
のストライプを有し、前記第１のストライプ及び第２の
ストライプの一方側端面からそれぞれ第１のレーザ光及
び第２のレーザ光を出射する単一の半導体レーザ素子
と、その半導体レーザ素子から出射された前記第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光のそれぞれが入射される２つの
第１レンズと、前記２つの第１レンズから出射された第
１、第２のレーザ光の少なくとも一方の偏光方向を回転
させる偏光回転手段と、前記第１のレーザ光が入射され
る第１の入力部と、前記第２のレーザ光が入射される第
２の入力部と、前記第１の入力部から入射される第１の
レーザ光と前記第２の入力部から入射される第２のレー
ザ光とが合波されて出射される出力部とを有する偏波合
成手段と、前記半導体レーザ素子、前記第１レンズ、前
記偏光回転手段、前記偏波合成手段を載置する基台と、
前記偏波合成手段の前記出力部から出射されるレーザ光
を集光する第２レンズと、前記第２レンズから出射され
るレーザ光を受光し外部に送出する光ファイバと、を有
する半導体レーザモジュールであって、前記光ファイバ
は、前記第２レンズ出射後における前記第１のレーザ光
のビームウェストと前記第２のレーザ光のビームウェス
トとの間で固定されていることを特徴とするものであ
る。

【００６７】本発明の第３の半導体レーザモジュール
は、それぞれ第１のレーザ光と第２のレーザ光を出射す
る２つの半導体レーザ素子と、その２つの半導体レーザ
素子から出射された前記第１のレーザ光と第２のレーザ
光をそれぞれ入射して所定の方向に出射する２つの第１
レンズと、前記第１、第２のレーザ光の少なくとも一方
の偏光方向を回転させる偏光回転手段と、前記第１のレ
ーザ光が入射される第１の入力部と、前記第２のレーザ
光が入射される第２の入力部と、前記第１の入力部から
入射される第１のレーザ光と前記第２の入力部から入射
される第２のレーザ光とが合波されて出射される出力部
とを有する偏波合成手段と、前記第１レンズから出射さ
れる前記第１、第２のレーザ光の一方を入射し前記偏波
合成手段に向かって反射して入射させる反射手段と、前
記半導体レーザ素子、前記第１レンズ、前記偏光回転手
段、前記偏波合成手段、前記反射手段を載置する基台
と、前記偏波合成手段の前記出力部から出射されるレー
ザ光を集光する第２レンズと、前記第２レンズから出射
されたレーザ光を受光し外部に送出する光ファイバと有
する半導体レーザモジュールであって、前記光ファイバ
は、前記第２レンズ出射後における前記第１のレーザ光
のビームウェストと前記第２のレーザ光のビームウェス
トとの間で固定されていることを特徴とするものであ
る。

【００６８】前記２つの第１レンズは、レンズアレイと
して構成されていてもよい。

【００６９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、図５に示す半導体レ
ーザモジュールの構成部材と同一の部材については、同
一の符号を付して説明する。 （第１の実施形態例）図１は、本発明の第１の実施形態
例に係る方法によって製造される半導体レーザモジュー
ルの構成を示す側面断面図である。

【００７０】図１に示すように、本発明の実施形態例に
係る方法により製造される半導体レーザモジュールＭ１
は、内部を気密封止したパッケージ１と、そのパッケー
ジ１内に設けられ、レーザ光を出射する半導体レーザ素
子２と、フォトダイオード（受光素子）３と、第１レン
ズ４と、プリズム５と、半波長板（偏光回転手段）６
と、偏波合成手段となるＰＢＣ７等と、光ファイバ８と
を有する。

【００７１】半導体レーザ素子２は、図５に示すよう
に、間隔を隔てて長手方向に互いに同一平面上に平行に
形成された第１のストライプ９及び第２のストライプ１
０を有し、第１のストライプ９及び第２のストライプ１
０の前側端面２ａからそれぞれ第１のレーザ光Ｋ１及び
第２のレーザ光Ｋ２を出射する。図５中に示すＫ１及び
Ｋ２は、それぞれ第１のストライプ９及び第２のストラ
イプ１０から出射されるビームの中心の軌跡を示す。ビ
ームは、図５に破線で示すように、この中心のまわりに
ある広がりをもって伝搬する。第１のストライプ９と第
２のストライプ１０との間隔は、それぞれから出射され
た光Ｋ１、Ｋ２を１つの第１レンズ４に入射させるため
に、１００μｍ以下、例えば約４０〜６０μｍ程度に設
定される。また、ストライプ同士の間隔が狭いことによ
り、ストライプ同士の光出力特性等の差が小さくなる。

【００７２】図１に示すように、半導体レーザ素子２は
チップキャリア１１上（又は図示しないヒートシンクを
介して）固定して取り付けられる。

【００７３】フォトダイオード３は、半導体レーザ素子
２の後側（図１では左側）端面２ｂ（図５参照）から出
射されたモニタ用のレーザ光を受光する。フォトダイオ
ード３は、フォトダイオードキャリア１２に固定されて
いる。

【００７４】第１レンズ４は、半導体レーザ素子２の前
側（図１では右側）端面２ａ（図５参照）から互いに平
行に出射された第１のレーザ光Ｋ１と第２のレーザ光Ｋ
２とが入射され、これらを交差させた後にこれらの間隔
をストライプ９，１０の並び方向に広げて分離するよう
に出射するとともに、それぞれのレーザ光Ｋ１，Ｋ２が
第１レンズ４と後述の第２レンズ１６間の異なる位置Ｆ
１，Ｆ２にビームウェスト（ビームウェストとは、ガウ
シアンビームにおいてレーザ光のスポットサイズが最も
小さい部分、すなわちレーザ光が最も集光された部分を
いう）を有するようにする（図５参照）。従って、第１
レンズ４を出射後、２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２は互いに
非平行となる。

【００７５】図１に示すように、第１レンズ４は、第１
レンズ保持部材１３によって保持されている。なお、球
面収差の影響を抑えるためには、第１レンズ４は、球面
収差が小さく光ファイバ８との結合効率が高くなる非球
面レンズを用いるのが好ましい。

【００７６】プリズム５は、第１レンズ４とＰＢＣ７と
の間に配設され、入射された第１のレーザ光Ｋ１及び第
２のレーザ光Ｋ２の光路を補正し、互いの光軸を略平行
にして出射する（図５参照）。プリズム５は、ＢＫ７
（ホウケイ酸クラウンガラス）等の光学ガラスで作られ
ている。第１レンズ４から非平行に伝搬する第１及び第
２のレーザ光Ｋ１，Ｋ２の光軸が、プリズム５の屈折に
より平行とされるため、そのプリズム５の後方に配置さ
れるＰＢＣ７の作製が容易になるとともに、ＰＢＣ７を
小型化し半導体レーザモジュールＭ１を小型にすること
が可能となる。

【００７７】図５に示すように、半波長板６は、プリズ
ム５を通過した第１のレーザ光Ｋ１と第２のレーザ光Ｋ
２のうち、第１のレーザ光Ｋ１のみが入射され、入射さ
れた第１のレーザ光Ｋ１の偏光方向を９０度回転させる
偏光回転手段である。第１レンズ４によって、第１、第
２のレーザ光Ｋ１、Ｋ２が十分分離されることにより、
半波長板６が配置しやすくなっている。

【００７８】ＰＢＣ７は、第１のレーザ光Ｋ１が入射さ
れる第１の入力部７ａと、第２のレーザ光Ｋ２が入射さ
れる第２の入力部７ｂと、第１の入力部７ａから入射さ
れる第１のレーザ光Ｋ１と第２の入力部７ｂから入射さ
れる第２のレーザ光Ｋ２とが合波されて出射される出力
部７ｃとを有する。ＰＢＣ７は、例えば、第１のレーザ
光Ｋ１を常光線として出力部７ｃに伝搬させるととも
に、第２のレーザ光Ｋ２を異常光線として出力部７ｃに
伝搬させる複屈折素子である。ＰＢＣ７は、複屈折素子
の場合、複屈折率性が高くレーザ光間の分離幅を大きく
とれるように、例えばＴｉＯ２（ルチル）で作られる。

【００７９】本実施形態例においてはプリズム５、半波
長板６及びＰＢＣ７を同一のホルダ部材１４に固定した
偏波合成モジュール２４を用いている。図６（Ａ）は偏
波合成モジュール２４を示し、（Ｂ）のＡ−Ａ線平面断
面図、（Ｂ）はその側面断面図、（Ｃ）はその正面図で
ある。図６に示すように、偏波合成モジュール２４のホ
ルダ部材１４は、ＹＡＧレーザ溶接に好適な材料（例え
ばＳＵＳ４０３、３０４等）で作られ、その全長Ｌ２は
約７．０ｍｍであり、全体が略円柱状に形成されてい
る。ホルダ部材１４の内部には収容部１４ａが形成さ
れ、その収容部１４ａにプリズム５、半波長板６及びＰ
ＢＣ７がそれぞれ固定される。この偏波合成モジュール
は、図８に関して後述するように、断面略Ｕ字状に形成
された第２の支持部材１９ｂを介して調芯固定される。

【００８０】これによって、ＰＢＣ７の第１の入力部７
ａから入射する第１のレーザ光Ｋ１及び第２の入力部７
ｂから入射する第２のレーザ光Ｋ２をともに出力部７ｃ
から出射するように、プリズム５、ＰＢＣ７の中心軸Ｃ
１周りの位置を調整することが非常に容易になる。

【００８１】また、このように、ホルダ部材１４によっ
て、これらの光部品を一体化しておくと、ホルダ部材１
４を移動させるだけで、レーザ光Ｋ１、Ｋ２同士のＸＹ
平面上における重なり合い具合を調節できる。

【００８２】光ファイバ８は、ＰＢＣ７の出力部７ｃか
ら出射される合成光を受光し、パッケージ１の外部に送
出する。

【００８３】ＰＢＣ７と光ファイバ８との間には、ＰＢ
Ｃ７の出力部７ｃから出射されるレーザ光を光ファイバ
８に光結合させる第２レンズ１６が配設されている。な
お、好ましくは、第１レンズ４は、第１のレーザ光Ｋ１
及び第２のレーザ光Ｋ２が、第１レンズ４と第２レンズ
１６との間でビームウェストＦ１、Ｆ２を形成するよう
に位置合わせされている。これによって、第１レンズ４
と第２レンズ１６の間におけるレーザ光のスポットサイ
ズが小さくなって両レーザ光の重なりが防止されるの
で、第１のレーザ光Ｋ１の光路上にのみ半波長板６を挿
入できるために十分な第１のレーザ光Ｋ１と第２のレー
ザ光Ｋ２の分離幅Ｄ'を得るために必要な伝搬距離Ｌが
短くなる。このため、半導体レーザモジュールＭ１の光
軸方向の長さを短くすることができる。その結果、例え
ば高温環境下における半導体レーザ素子２と光ファイバ
８との光結合の経時安定性が優れた、信頼性の高い半導
体レーザモジュールＭ１を提供できる。

【００８４】また、第１レンズ４と第２レンズ１６間の
ビーム径が小さいので、小型の光学部品を使用できるた
め、小型の半導体レーザモジュールＭ１を設計すること
が可能となる。

【００８５】図１に示すように、半導体レーザ素子２を
固定したチップキャリア１１と、フォトダイオード３を
固定したフォトダイオードキャリア１２とは、断面略Ｌ
字形状の第１の基台１７上に半田付けして固定される。
第１の基台１７は、半導体レーザ素子２の発熱に対する
放熱性を高めるためにＣｕＷ系合金等で作られているの
が好ましい。

【００８６】第１レンズ４を固定した第１レンズ保持部
材１３と、プリズム５、半波長板６及びＰＢＣ７をホル
ダ部材１４に固定した偏波合成モジュール２４とは、溶
接性の良好なステンレス鋼等からなり、第１の基台１７
の平坦部１７ａ上に銀ろう付け固定された第２の基台１
８上にそれぞれ第１の支持部材１９ａ及び第２の支持部
材１９ｂを介してＹＡＧレーザ溶接により固定される。

【００８７】第１の基台１７の下部にはペルチェ素子か
らなる冷却装置２０が設けられている。半導体レーザ素
子２からの発熱による温度上昇はチップキャリア１１上
に設けられたサーミスタ２０ａによって検出され、サー
ミスタ２０ａより検出された温度が一定温度になるよう
に、冷却装置２０が制御される。これによって、半導体
レーザ素子２のレーザ出射を高出力化かつ安定化させる
ことができる。

【００８８】パッケージ１の側部に形成されたフランジ
部１ａの内部には、ＰＢＣ７を通過した光が入射する窓
１ｂと、レーザ光を集光する第２レンズ１６が設けられ
ている。第２レンズ１６は、フランジ部１ａの端部にＹ
ＡＧレーザ溶接により固定された第２レンズ保持部材２
１によって保持され、第２レンズ保持部材２１の端部に
は金属製のスライドリング２２を介して光ファイバ８を
保持したフェルール２３がＹＡＧレーザ溶接により固定
される。

【００８９】上記説明された半導体レーザモジュールＭ
１の動作については、従来技術の項目で記載されている
ので、説明を省略する。

【００９０】次に、上記説明された半導体レーザモジュ
ールＭ１の製造方法について説明する。

【００９１】まず、半導体レーザ素子２を固定したチッ
プキャリア１１と、フォトダイオード３を固定したフォ
トダイオードキャリア１２を、平坦部１７ａ上に第２の
基台１８を銀ろう付けして固定した第１の基台１７上に
半田付けして固定する。

【００９２】次いで、第２の基台１８上に第１レンズ４
を調芯して固定する。この第１レンズ４の調芯工程で
は、半導体レーザ素子２に電流を供給して第１のレーザ
光Ｋ１及び第２のレーザ光Ｋ２を半導体レーザ素子２の
第１のストライプ９及び第２のストライプ１０の双方か
ら出射させ、その出射方向を基準方向として設定した
後、第１レンズ４を挿入し、ＸＹＺ軸方向の位置を決め
る。

【００９３】図７は、第１レンズ４の調芯工程を説明す
るための説明図である。Ｘ軸方向については、図７
（Ａ）に示すように、上記のようにして設定された基準
方向（中心軸Ｃ２）と第１のレーザ光Ｋ１との角度θ１
と、中心軸Ｃ２と第２のレーザ光Ｋ２との角度θ２とが
等しくなる位置で決める。Ｙ軸方向については、図７
（Ｂ）に示すように、第１のレーザ光Ｋ１及び第２のレ
ーザ光Ｋ２が第１レンズ４の中心を通る位置で決める。
Ｚ軸については、半導体レーザ素子２からの規定の距離
で、レーザ光のスポット径が最小となる位置で決める。

【００９４】好ましくは、第１レンズ４と、後の工程で
固定される第２レンズ１６との間でレーザ光のスポット
径が最小となるように、第１レンズ４のＺ軸の位置を決
める。以上の調芯工程で決まった位置で第１レンズ４を
保持する第１レンズ保持部材１３を、第２の基台１８上
に第１の支持部材１９ａを介してＹＡＧレーザ溶接して
固定する。

【００９５】次いで、第２の基台１８上に、プリズム
５、半波長板６、ＰＢＣ７を一体化した偏波合成モジュ
ール２４を調芯して固定する。

【００９６】図８は、偏波合成モジュール２４を調芯し
て固定する工程を説明するための斜視図である。図８に
示すように、この偏波合成モジュール２４の調芯工程で
は、偏波合成モジュール２４を断面略Ｕ字状に形成され
た第２の支持部材（スリーブ）１９ｂの開口部１９ｃに
嵌め込んで、基台１８上に配置する。

【００９７】次に、位置合わせ用ファイバコリメータレ
ンズが付いているファイバを用い、これに入射する光量
が最大となるよう、Ｘ，Ｙ，Ｚ、θ（Ｚ軸周りの角度：
図８参照）を調芯する。さらに、φ（Ｙ軸周りの角度、
図８参照）及びΨ方向（Ｘ軸周りの角度、図８参照）を
調芯する場合がある。この際、Ｙ、Ｚ、θ，Ψは、第２
の支持部材１９ｂの開口部１９ｃの中で偏波合成モジュ
ール２４を移動又は回転させることによって調整し、
Ｘ，φ方向は、偏波合成モジュール２４を第２の支持部
材１９ｂごとに移動させることによって行う。その際、
図８に示すように、偏波合成モジュール２４の外周面２
９が円周面状に形成しているため、θの調整が容易であ
る。

【００９８】位置決めが終了したら、第２の支持部材１
９ｂを第２の基台１８に、ＹＡＧレーザ溶接し、次いで
偏波合成モジュール２４を第２の支持部材１９ｂにＹＡ
Ｇレーザ溶接固定する。

【００９９】次いで、第１の基台１７を、予めパッケー
ジ１の底板上に固定された冷却装置２０上に半田付けし
て固定する。

【０１００】次いで、半導体レーザ素子２及びモニタ用
のフォトダイオード３は、金ワイヤ（図示せず）を介し
てパッケージ１のリード（図示せず）と電気的に接続さ
れる。

【０１０１】次いで、不活性ガス（例えばＮ_２、Ｘｅ）
雰囲気においてパッケージ１上部に蓋１ｃを被せて、そ
の周縁部を抵抗溶接することにより気密封止する。

【０１０２】次いで、パッケージ１のフランジ部１ａに
対し、第２レンズ１６をＸＹ面内及びＺ軸方向で調芯し
て固定する。この工程では、まず、フランジ部１ａの端
面上において第２レンズ保持部材２１をスライドリング
１ｄに挿入した状態で動かし、第２レンズ１６からの出
射光がパッケージ１のフランジ部１ａの中心軸（Ｚ軸に
平行）と平行になる位置で、スライドリング１ｄをフラ
ンジ部１ａの端部にＹＡＧレーザ溶接する。次に、第２
レンズ１６からの出射光の広がり角をモニターしながら
第２レンズ保持部材２１を動かし、この広がり角が光フ
ァイバ８の受光角（ＮＡ）に略等しくなる位置におい
て、第２レンズ保持部材２１とスライドリング１ｄとを
ＹＡＧレーザ溶接によって固定する。

【０１０３】最後に、光ファイバ８を調芯して固定す
る。この工程を行う際に、本発明の実施形態例に係る光
ファイバの調芯方法が用いられる。図２は、本発明の実
施形態例に係る方法を実施するための構成を模式的に示
す説明図、図３は、本発明の実施形態例に関して、光フ
ァイバのＺ軸方向の移動量に対する光出力（最大値を１
００とした相対値）及び偏光度（ＤＯＰ）の変化を示す
グラフである。図３中、Ｐ１は、光ファイバ８に結合す
る合成光の強度が最大となる位置、Ｐ２は、光ファイバ
８に結合する合成光の偏光度が最小となる位置を示す。

【０１０４】この工程では、まず図２に示すように、光
ファイバ８の末端部にコネクタ２５を介してパワーメー
タ２６と偏光度測定器（ポラリメータ(Polarimeter)２
７を接続する。

【０１０５】次に、フェルール２３をスライドリング２
２に挿通した状態でフェルール調芯ハンド２８で把持
し、この状態で、フェルール２３とスライドリング２２
とを光ファイバ８の光軸と垂直な面内（ＸＹ平面）及び
光ファイバの光軸方向（Ｚ方向）で、パワーメータ２６
によって測定される光出力が最大となるように位置調整
する（図３のＰ１点参照）。

【０１０６】次いで、偏光度測定器２７を用いて２つの
レーザ光Ｋ１，Ｋ２の合成光の偏光度を測定しながら、
偏光度が最小もしくは所定値（８％以下，好ましくは５
％以下）になるように、前述した工程で調芯された位置
から、フェルール調芯ハンド２８をＺ軸方向に移動させ
て、光ファイバ８を調芯する（図３のＰ２点参照）。

【０１０７】光ファイバ８の位置決めが終了したら、そ
の位置でフェルール２３をスライドリング２２の内部に
ＹＡＧレーザ溶接により固定する。次いで、スライドリ
ング２２と第２レンズ保持部材２１とを、両者の境界部
においてＹＡＧレーザ溶接して固定する。これによっ
て、光ファイバ８の調芯固定作業が完了する。

【０１０８】図４は、光ファイバ８をＺ軸方向に移動さ
せた場合において、光ファイバ８に結合する２つのレー
ザ光Ｋ１，Ｋ２の強度及び合成光の強度を示す図であ
る。図４中、Ｇ１，Ｇ２はそれぞれ第１、第２のレーザ
光Ｋ１，Ｋ２のビームウェストの位置を示す。

【０１０９】前述した２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２が第２
レンズ出射後に形成するビームウェスト（Ｇ１，Ｇ２）
の位置ずれ（例えば約１３μｍ、図１３（Ｂ）参照）
は、ルチル等の複屈折素子（ＰＢＣ７）内を通過する各
々のレーザ光の光路の物理的長さや屈折率によって決ま
る光学長（屈折率と物理長との積）が異なることに基づ
いて発生するものである。そして、このような違いに加
え、光ファイバ８に到達するまでに各々のレーザ光が受
ける減衰の量の違い、各レーザ光の光ファイバ８との結
合効率の違い、及び各ストライプを出射した直後におけ
るレーザ光の強度の違いなどが存在すると、図４に示す
ように、光ファイバ８に結合する各レーザ光の光強度の
最大値を与えるＺ軸方向の光ファイバ８の位置（各レー
ザ光が第２レンズ１６出射後に形成するビームウェスト
Ｇ１、Ｇ２にそれぞれ一致する）がずれるばかりではな
く、その最大値にも差異が現われる。この状態において
は、光ファイバ８に結合する合成光の強度が最大となる
位置（図４のＰ１）と偏光度が最小となる位置（図４の
Ｐ２）とは、異なる。実測データによれば、図３からわ
かるように、最大光出力が得られる光ファイバの位置
（Ｐ１）において偏光度が１０％程度まで大きくなる場
合がある。

【０１１０】本実施形態例では、上記のように、複屈折
素子によって偏波合成された合成光の偏光度が最小とな
るように光ファイバ８をＺ軸方向に移動させて調芯する
工程を有しているので、各レーザ光の光路の光学長や各
レーザ光の受ける減衰量、各レーザ光と光ファイバ８と
の結合効率又は各ストライプ出射直後における各レーザ
光の強度の違いが存在しても、偏光度が最も小さい位置
で光ファイバ８を固定することができる。したがって、
偏光度の小さなレーザ光を出射する半導体レーザモジュ
ールを製造することができる。

【０１１１】また、光ファイバ８に結合する合成光の強
度が最大となる光ファイバ８の位置を決めてから、偏光
度が最小となるように光ファイバ８を移動させて調芯し
ているため、一連の調芯作業における光ファイバ８の移
動量が少なくて済む。なお、２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２
が受ける減衰量、各レーザ光の結合効率および強度等の
差は、使用される半導体レーザ素子や複屈折素子によっ
て異なるが、２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２が半導体レーザ
素子の前側端面を出射した直後における強度が略等しけ
れば、光ファイバ８に結合する合成光の強度が最大とな
るように光ファイバ８を調芯してから、偏光度が最小と
なるように光ファイバ８を移動させて調芯するまでの間
の光出力の低下が少なくできると期待できるので、好ま
しい。この観点からすれば、２つのストライプが１００
μｍ以下の距離を介して離間して形成されている本実施
形態例の半導体レーザ素子は、両ストライプの特性を極
めて近くできるので好適である。

【０１１２】（第２の実施形態例）図９は本発明の第２
の実施形態例に係る半導体レーザモジュールを示す平面
図である。図９に示すように、本発明の第２実施形態例
に係る半導体レーザモジュールＭ２は、第１のレーザ光
Ｋ１を出射する第１の半導体レーザ素子３８と、第２の
レーザ光Ｋ２を出射する第２の半導体レーザ素子３９
と、２つの半導体レーザ素子３８，３９から出射される
２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２がそれぞれ入射する２つの第
１レンズ４０，４１と、偏波合成手段であるキューブビ
ームスプリッタ４２と、レーザ光Ｋ２をキューブビーム
スプリッタ４２側に反射させる反射手段であるミラー４
３とを有する。その他の構成については、第１の実施形
態例と同様である。

【０１１３】本発明の第２の実施形態例においては、第
２のレーザ光Ｋ２がミラー４を介してキューブビームス
プリッタ４２に入射するため、第１のレーザ光Ｋ１と第
２のレーザ光Ｋ２とで光路の光学長が異なっている。ま
た、第１の半導体レーザ素子３８と第１レンズ４０の距
離α1と、第２の半導体レーザ素子３９と第１レンズ４
１との距離α2とは、ともに第１レンズ４０、４１から
出た光がコリメート光（広がり角が０）となるように調
整されるが、現実には位置ずれを起こすため、各レーザ
光Ｋ１，Ｋ２はコリメート光とはならず、かつα1≠α2
となる。このような２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２が、共通
の第２レンズ１６によって集光されると、該第２レンズ
１６の後のビームウェストＧ１，Ｇ２の位置が、光ファ
イバ８の軸方向でずれる。

【０１１４】また、第１の半導体レーザ素子３８と第２
の半導体レーザ素子３９の光出力又は放射角が異なる
と、光ファイバ８への結合する光の強度が異なる。

【０１１５】このため、光ファイバ８に光結合する合成
光の偏光度が十分に低くならない場合がある。

【０１１６】したがって、本発明の第２の実施形態例で
は、第１の実施形態例と同様の方法によって、偏光度が
小さくなるように光ファイバ８を調芯することで、出力
光の偏光度が小さい半導体レーザレーザモジュールＭ２
が得られる。

【０１１７】好ましくは、キューブビームスプリッタ４
２とミラー４３、並びに半波長板６とは外周が略円筒状
の同一のホルダに固定され、略面略Ｕ字形状の第２の支
持部材１９ｂを介して基台１８に固定されていれば、位
置合わせ作業が容易となる。

【０１１８】次に、本第２の実施形態例の半導体レーザ
モジュールＭ２の製造方法について説明する。

【０１１９】まず、それぞれ１つのストライプを有する
２つの半導体レーザ素子３８，３９を、各ストライプか
ら出射されるレーザ光が互いに平行になるように、第１
の基台１７上に固定し、その後端面側から出射されるレ
ーザ光を受光する位置に、図示しないフォトダイオード
３を固定する。

【０１２０】次いで、２つの半導体レーザ素子３８，３
９からそれぞれレーザ光を出射させ、これらがともにコ
リメート光となるよう、２つの第１レンズ４０，４１を
それぞれ調芯し、第１の基台１７上に予め銀ロウ付け固
定されたステンレス鋼製の第２の基台１８上に、第１の
支持部材１９ａを介してＹＡＧレーザ溶接により固定す
る。

【０１２１】次いで、半波長板６、ミラー４３、及びキ
ューブビームスプリッタ（偏波合成手段）４２を一体に
保持した外周が円柱形上のホルダ１４（図示せず）を、
断面略Ｕ字形状の第２の支持部材１９ｂを介して調芯す
る。この調芯では、図示しないファイバコリメータ（レ
ンズ付きファイバ）をキューブビームスプリッタ４２の
出力部から出射される合成光を受光しうる位置に配置
し、そのファイバに結合する合成光の強度が最大となる
ように、前記ホルダをＸ，Ｙ，Ｚ方向、θ（Ｚ軸周りの
角度）方向、φ（Ｙ軸周りの角度）方向及びΨ（Ｘ軸周
りの角度）方向に動かすことによって調整する。キュー
ブビームスプリッタ４２の調芯が済んだら、その位置で
第２の支持部材１９ｂを第２の基台１８にＹＡＧレーザ
溶接し、次いでホルダ１４を第２の支持部材１９ｂに固
定する。この後の製造工程は、第１の実施形態例と同様
であるので、その説明を省略する。

【０１２２】（第３の実施形態例）図１０は、本発明の
第３の実施形態例に係る半導体レーザモジュールを示す
平面図である。

【０１２３】第３の実施形態例に係る半導体レーザモジ
ュールＭ３は、約５００μｍ程度の間隔を隔てて平行に
形成された第１のストライプ４４及び第２のストライプ
４５を備えたアレイレーザである半導体レーザ素子４６
と、第１のストライプ４４から出射される第１のレーザ
光Ｋ１を入射する第１レンズ４７と、第２のストライプ
４５から出射される第２のレーザ光Ｋ２を入射する第１
レンズ４８とを有する。その他の構成については、第１
の実施形態例と同様である。

【０１２４】第３の実施形態例においても、第１の実施
形態例の同様、ＰＢＣ７を用いているため、第１のレー
ザ光Ｋ１と第２のレーザ光Ｋ２の光路の光学長が異なる
ほか、第１のストライプ４４と第１レンズ４７間の距離
α１と、第２のストライプ４５と第１レンズ４８間の距
離α２は、製造ばらつき等により、異なったものとな
る。これにより、第２レンズ１６によって集光されたレ
ーザ光Ｋ１，Ｋ２のビームウェストＧ１，Ｇ２は、光フ
ァイバ８の軸方向にずれる。

【０１２５】第３の実施形態例では、光ファイバ８は、
このＧ１，Ｇ２の間に端面が存在するように、調芯固定
されることにより、偏光度の小さい半導体レーザモジュ
ールＭ３を提供できる。

【０１２６】好ましくは、第１レンズ４７，４８は、第
１レンズ４７，４８と第２レンズ１６との間でレーザ光
Ｋ１，Ｋ２がビームウェストＦ１，Ｆ２を形成するよう
に調芯されている。

【０１２７】これによって、第１レンズ４７，４８−第
２レンズ１６間のレーザ光Ｋ１，Ｋ２のスポット径を小
さくすることができるので、半波長板６、ＰＢＣ７、第
２レンズ１６等の光学部品として小型のものを使用でき
る。従って、半導体レーザモジュールＭ３を小型化でき
る。

【０１２８】さらに好ましくは、第１の実施形態例と同
様、少なくともＰＢＣ７や半波長板６が、外周が略円筒
状の１つのホルダに固定され、断面略Ｕ字形状の第２の
支持部材１９ｂを介して基台１８に固定されてもよい。
これによって、ＰＢＣ７、半波長板６等の調芯、固定作
業が容易となる。

【０１２９】なお、本実施形態例では、半導体レーザ素
子として、２つのストライプを有するアレイレーザ（ス
トライプ間隔が約５００μｍ程度）としているが、２つ
の半導体レーザ素子を狭い間隔で平行に配置してもよ
い。また、第１レンズは、２つのストライプと同一間隔
で配列されたレンズアレイでもよい。

【０１３０】次に、本第３の実施形態例の半導体レーザ
モジュールＭ３の製造方法について説明する。

【０１３１】まず、２つのストライプ４４，４５を有す
る半導体レーザ素子４６を第１の基台１７上に固定し、
その後端面側から出射されるレーザ光を受光する位置
に、図示しないフォトダイオード３を固定する。

【０１３２】次いで、２つのストライプ４４，４５から
それぞれレーザ光を出射させ、これらがともにコリメー
ト光となるよう、レンズアレイとして構成された２つの
第１レンズ４７，４８を調芯し、第１の基台１７上に予
め銀ロウ付け固定されたステンレス鋼製の第２の基台１
８上に、第１の支持部材１９ａを介してＹＡＧレーザ溶
接により固定する。

【０１３３】次いで、半波長板６とＰＢＣ７を一体に保
持した外周が円柱形状のホルダ１４（図示せず）を、断
面略Ｕ字形状の第２の支持部材１９ｂを介して調芯す
る。この調芯では、図示しないファイバコリメータ（レ
ンズつきファイバ）をキューブビームスプリッタ４２の
出力部から出射される合成光を受光しうる位置に配置
し、そのファイバに結合する合成光の強度が最大となる
ように、前記ホルダをＸ，Ｙ，Ｚ方向、θ（Ｚ軸周りの
角度）方向、φ（Ｙ軸周りの角度）方向及びΨ（Ｘ軸周
りの角度）方向に動かすことによって調整する。ＰＢＣ
７の調芯が済んだら、その位置で第２の支持部材１９ｂ
を第２の基台１８にＹＡＧレーザ溶接し、次いでホルダ
１４を第２の支持部材１９ｂに固定する。

【０１３４】この後の製造工程は、第１の実施形態例と
同様であるので、その説明を省略する。

【０１３５】本発明は、上記実施の形態に限定されるこ
とはなく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範
囲内において、種々の変更が可能である。

【０１３６】例えば、２つのレーザ光Ｋ１，Ｋ２は、互
いに平行なストライプを有する単一のレーザ素子から出
射された互いに平行なレーザ光をレンズにより非平行と
したものに限らず、図１１に示すように、単一の半導体
レーザ素子に形成された互いに非平行な２つのストライ
プ９，１０から出射されるものであってもよい。

【０１３７】

【発明の効果】本発明によれば、２つのレーザ光の偏光
度が所定値以下になるように光ファイバを移動させて調
芯するので、偏光度が低い半導体レーザモジュールを製
造することができる。そのため、本発明の実施形態例の
方法により製造された半導体レーザモジュールは、増幅
利得に低偏波依存性及び安定性が要求されるラマン増幅
器の励起光源として適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態例に係る方法によって
製造される半導体レーザモジュールの構成を示す側面断
面図である。

【図２】本発明の実施形態例に係る方法を実施するため
の構成を模式的に示す説明図である。

【図３】本発明の実施形態例に関して、光ファイバのＺ
軸方向の移動量に対する光出力（最大値を１００とした
相対値）及び偏光度の変化を示すグラフである。

【図４】光ファイバをＺ軸方向に移動させた場合におい
て、光ファイバに結合する２つのレーザ光の強度及び合
成光の強度を示す図である。

【図５】関連技術及び本発明の第１の実施形態例に係る
半導体レーザモジュールの構成を模式化して示す説明図
である。

【図６】（Ａ）は偏波合成モジュールを示し、（Ｂ）の
Ａ−Ａ線平面断面図、（Ｂ）はその側面断面図、（Ｃ）
はその正面図である。

【図７】第１レンズの調芯工程を説明するための説明図
である。

【図８】偏波合成モジュールを調芯して固定する工程を
説明するための斜視図である。

【図９】本発明の第２の実施形態例に係る半導体レーザ
モジュールを示す平面図である。

【図１０】本発明の第３の実施形態例に係る半導体レー
ザモジュールを示す平面図である。

【図１１】半導体レーザ素子の変形例を示す説明図であ
る。

【図１２】米国特許第５５８９６８４号公報に開示され
た従来の半導体レーザ装置を説明するための説明図であ
る。

【図１３】光ファイバの調芯方法における課題を説明す
るための説明図である。

【符号の説明】

Ｋ１：第１のレーザ光 Ｋ２：第２のレーザ光 Ｍ１：半導体レーザモジュール １：パッケージ １ａ：フランジ部 １ｂ：窓 １ｃ：蓋 ２：半導体レーザ素子 ３：フォトダイオード ４：第１レンズ ５：プリズム ６：半波長板（偏光回転手段） ７：ＰＢＣ ７ａ：第１の入力部 ７ｂ：第２の入力部 ７ｃ：出力部 ８：光ファイバ ９：第１のストライプ １０：第２のストライプ １１：チップキャリア １２：フォトダイオードキャリア １３：第１レンズ保持部材 １４：ホルダ部材 １６：第２レンズ １７：第１の基台 １８：第２の基台 １９ａ：第１の支持部材 １９ｂ：第２の支持部材 ２０：冷却装置 ２０ａ：サーミスタ ２１：第２レンズ保持部材 ２２：スライドリング ２３：フェルール ２４：偏波合成モジュール ２５：コネクタ ２６：パワーメータ ２７：偏光度測定器 ２８：フェルール調芯ハンド ３８：第１の半導体レーザ素子 ３９：第２の半導体レーザ素子 ４０：第１レンズ ４１：第１レンズ ４２：キューブビームスプリッタ ４３：ミラー ４４：第１のストライプ ４５：第２のストライプ ４６：半導体レーザ素子 ４７：第１レンズ ４８：第２レンズ

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA03 BA32 CA21 CA32 DA05 5F073 AB05 AB25 AB27 AB28 AB29 EA22 FA06 FA25 FA30

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１レンズを通過した２つのレーザ光を偏
   波合成手段により偏波合成した後に第２レンズを介して
   その合成光と光結合する光ファイバの調芯方法であっ
   て、 前記光ファイバに光結合する前記合成光の偏光度が所定
   値以下になるように前記光ファイバを移動させて調芯す
   ることを特徴とする光ファイバの調芯方法。
2. 【請求項２】第１レンズを通過した２つのレーザ光を偏
   波合成手段により偏波合成した後に第２レンズを介して
   その合成光と光結合する光ファイバの調芯方法であっ
   て、 前記光ファイバに光結合する前記合成光の強度が最大と
   なるように前記光ファイバを移動させて調芯する第１の
   工程と、 前記光ファイバに光結合する前記合成光の偏光度が所定
   値以下になるように、前記第１の工程で調芯された位置
   から、前記光ファイバを前記光ファイバの軸方向に移動
   させて調芯する第２の工程と、 を有することを特徴とする光ファイバの調芯方法。
3. 【請求項３】前記２つのレーザ光は、前記第１レンズと
   前記第２レンズの間にそれぞれビームウェストを有する
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光ファイバの
   調芯方法。
4. 【請求項４】前記２つのレーザ光は、各々レーザ光を出
   射する２つのストライプを備えた単一の半導体レーザ素
   子から出射されたものであることを特徴とする請求項１
   乃至３のいずれか１つの項に記載の光ファイバの調芯方
   法。
5. 【請求項５】前記２つのストライプは、互いに平行であ
   ることを特徴とする請求項４に記載の光ファイバの調芯
   方法。
6. 【請求項６】前記２つのストライプは、１００μｍ以下
   の間隔で並んでいることを特徴とする請求項５に記載の
   光ファイバの調芯方法。
7. 【請求項７】前記第１レンズは、前記２つのレーザ光を
   透過させる単一のレンズであることを特徴とする請求項
   １乃至６のいずれか１つの項に記載の光ファイバの調芯
   方法。
8. 【請求項８】前記第１レンズは、前記２つのレーザ光の
   各々を透過させるレンズアレイとして構成されているこ
   とを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つの項の記
   載の光ファイバの調芯方法。
9. 【請求項９】各々レーザ光を出射し、間隔を隔てて並ん
   だ２つのストライプを有する単一の半導体レーザ素子
   と、 前記２つのレーザ光が入射する単一の第１レンズと、 前記第１レンズから出射された２つのレーザ光を偏波合
   成する偏波合成手段と、 前記偏波合成手段によって偏波合成された合成光と光結
   合する光ファイバとを有する半導体レーザモジュールの
   製造方法であって、 前記半導体レーザ素子を基台上に固定する第３の工程
   と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で前
   記第１レンズから出射される前記２つのレーザ光がそれ
   ぞれ所定の方向となるように前記第１レンズを調芯して
   前記基台上に固定する第４の工程と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
   前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定する第５
   の工程と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
   請求項１又は２に記載の方法により前記光ファイバを調
   芯して固定する第６の工程と、 を有することを特徴とする半導体レーザモジュールの製
   造方法。
10. 【請求項１０】前記第４の工程は、さらに、前記第１レ
    ンズを出射したレーザ光が、前記第１レンズと前記第２
    レンズとの間にビームウェストを形成するように前記第
    １レンズを調芯することを特徴とする請求項９に記載の
    半導体レーザモジュールの製造方法。
11. 【請求項１１】前記偏波合成手段は、前記第１レンズか
    ら出射された前記２つのレーザ光を互いに平行にして前
    記偏波合成手段に向かって出射するプリズムとともに一
    つのホルダ部材に固定され、 前記第４の工程は、さらに、前記第１レンズから出射さ
    れる前記２つのレーザ光が前記第１レンズの中心軸に関
    して対称となりかつ前記プリズムに向かって分離して入
    射するように前記第１レンズを調芯して前記基台上に固
    定するものであり、 前記第５の工程は、前記ホルダ部材を移動させることに
    よって前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定す
    るものである、 ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体レー
    ザモジュールの製造方法。
12. 【請求項１２】前記２つのストライプは、互いに平行で
    あることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１つ
    の項に記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
13. 【請求項１３】前記２つのストライプは、１００μｍ以
    下の間隔を介して並んでいることを特徴とする請求項９
    乃至１２のいずれか１つの項に記載の半導体レーザモジ
    ュールの製造方法。
14. 【請求項１４】それぞれ１つのレーザ光を出射する２つ
    の半導体レーザ素子と、 前記２つの半導体レーザ素子から出射される２つのレー
    ザ光がそれぞれ入射する２つの第１レンズと、 前記２つの第１レンズから出射された２つのレーザ光を
    偏波合成する偏波合成手段と、 前記偏波合成手段によって偏波合成された合成光と光結
    合する光ファイバとを有する半導体レーザモジュールの
    製造方法であって、 前記２つの半導体レーザ素子を基台上に固定する第７の
    工程と、 前記２つの半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状
    態で前記第１レンズから出射される前記２つのレーザ光
    がそれぞれ所定の方向となるように前記第１レンズを調
    芯して前記基台上に固定する第８の工程と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
    前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定する第９
    の工程と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
    請求項１又は請求項２に記載の方法により前記光ファイ
    バを調芯して固定する第１０の工程と、 を有することを特徴とする半導体レーザモジュールの製
    造方法。
15. 【請求項１５】前記第８の工程は、前記２つの第１レン
    ズを出射したレーザ光が前記２つの第１レンズの各々と
    前記第２レンズとの間にビームウェストを形成するよう
    に前記２つの第１レンズの各々を調芯することを特徴と
    する請求項１４に記載の半導体レーザモジュールの製造
    方法。
16. 【請求項１６】前記偏波合成手段は、前記２つのレーザ
    光の一方を入射し前記偏波合成手段に向かって反射して
    入射させる反射手段ともに一つのホルダに固定され、 前記第７の工程は、前記２つの半導体レーザ素子を、前
    記２つの半導体レーザ素子から出射された直後の２つの
    レーザ光が互いに平行となるように固定するものであ
    り、 前記第９の工程は、前記ホルダを移動させることによっ
    て前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定するこ
    と、 を特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体レーザ
    モジュールの製造方法。
17. 【請求項１７】前記２つの第１レンズはレンズアレイと
    して構成され、 前記第７の工程は、前記２つの半導体レーザ素子を、前
    記２つの半導体レーザ素子から出射された直後の２つの
    レーザ光が互いに平行となるように固定するものである
    こと、 を特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体レーザ
    モジュールの製造方法。
18. 【請求項１８】各々レーザ光を出射し、間隔を隔てて並
    んだ２つのストライプを有する単一の半導体レーザ素子
    と、 前記半導体レーザ素子から出射される２つのレーザ光が
    それぞれ入射する２つの第１レンズと、 前記２つの第１レンズから出射された２つのレーザ光を
    偏波合成する偏波合成手段と、 前記偏波合成手段によって偏波合成された合成光と光結
    合する光ファイバとを有する半導体レーザモジュールの
    製造方法であって、 前記半導体レーザ素子を基台上に固定する第１１の工程
    と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で前
    記２つの第１レンズから出射される前記２つのレーザ光
    がそれぞれ所定の方向となるように前記２つの第１レン
    ズを調芯して前記基台上に固定する第１２の工程と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
    前記偏波合成手段を調芯して前記基台上に固定する第１
    ３の工程と、 前記半導体レーザ素子からレーザ光を出射した状態で、
    請求項１又は請求項２に記載の方法により前記光ファイ
    バを調芯して固定する第１４の工程と、 を有することを特徴とする半導体レーザモジュールの製
    造方法。
19. 【請求項１９】前記第１２の工程は、さらに、前記２つ
    の第１レンズを出射した２つのレーザ光が、前記２つの
    第１レンズの各々と前記第２レンズとの間にそれぞれビ
    ームウェストを形成するように前記２つの第１レンズを
    調芯することを特徴とする請求項１８に記載の半導体レ
    ーザモジュールの製造方法。
20. 【請求項２０】前記２つのストライプは、互いに平行で
    あり、 前記２つの第１レンズはレンズアレイとして構成されて
    いることを特徴とする請求項１８又は１９に記載の半導
    体レーザモジュールの製造方法。
21. 【請求項２１】間隔を隔てて形成された第１のストライ
    プ及び第２のストライプを有し、前記第１のストライプ
    及び第２のストライプの一方側端面からそれぞれ第１の
    レーザ光及び第２のレーザ光を出射する単一の半導体レ
    ーザ素子と、 その半導体レーザ素子から出射された前記第１のレーザ
    光と第２のレーザ光とが入射され、前記第１のレーザ光
    と第２のレーザ光とを前記第１，第２のストライプの並
    び方向に分離させる単一の第１レンズと、 前記第１レンズから出射された第１、第２のレーザ光の
    少なくとも一方の偏光方向を回転させる偏光回転手段
    と、 前記第１のレーザ光が入射される第１の入力部と、前記
    第２のレーザ光が入射される第２の入力部と、前記第１
    の入力部から入射される第１のレーザ光と前記第２の入
    力部から入射される第２のレーザ光とが合波されて出射
    される出力部とを有する偏波合成手段と、 前記半導体レーザ素子、前記第１レンズ、前記偏光回転
    手段、前記偏波合成手段を載置する基台と、 前記偏波合成手段の前記出力部から出射されるレーザ光
    を集光する第２レンズと、 前記第２レンズから出射されるレーザ光を受光し外部に
    送出する光ファイバと、 を有する半導体レーザモジュールであって、 前記光ファイバは、前記第２レンズ出射後における前記
    第１のレーザ光のビームウェストと前記第２のレーザ光
    のビームウェストとの間で固定されていることを特徴と
    する半導体レーザモジュール。
22. 【請求項２２】前記第１及び第２のストライプは、１０
    ０μｍ以下の間隔を介して並んでいることを特徴とする
    請求項２１に記載の半導体レーザモジュール。
23. 【請求項２３】間隔を隔てて形成された第１のストライ
    プ及び第２のストライプを有し、前記第１のストライプ
    及び第２のストライプの一方側端面からそれぞれ第１の
    レーザ光及び第２のレーザ光を出射する単一の半導体レ
    ーザ素子と、 その半導体レーザ素子から出射された前記第１のレーザ
    光と第２のレーザ光のそれぞれが入射される２つの第１
    レンズと、 前記２つの第１レンズから出射された第１、第２のレー
    ザ光の少なくとも一方の偏光方向を回転させる偏光回転
    手段と、 前記第１のレーザ光が入射される第１の入力部と、前記
    第２のレーザ光が入射される第２の入力部と、前記第１
    の入力部から入射される第１のレーザ光と前記第２の入
    力部から入射される第２のレーザ光とが合波されて出射
    される出力部とを有する偏波合成手段と、 前記半導体レーザ素子、前記第１レンズ、前記偏光回転
    手段、前記偏波合成手段を載置する基台と、 前記偏波合成手段の前記出力部から出射されるレーザ光
    を集光する第２レンズと、 前記第２レンズから出射されるレーザ光を受光し外部に
    送出する光ファイバと、 を有する半導体レーザモジュールであって、 前記光ファイバは、前記第２レンズ出射後における前記
    第１のレーザ光のビームウェストと前記第２のレーザ光
    のビームウェストとの間で固定されていることを特徴と
    する半導体レーザモジュール。
24. 【請求項２４】それぞれ第１のレーザ光と第２のレーザ
    光を出射する２つの半導体レーザ素子と、 その２つの半導体レーザ素子から出射された前記第１の
    レーザ光と第２のレーザ光をそれぞれ入射して所定の方
    向に出射する２つの第１レンズと、 前記第１、第２のレーザ光の少なくとも一方の偏光方向
    を回転させる偏光回転手段と、 前記第１レンズから出射される前記第１のレーザ光が入
    射される第１の入力部と、前記第２のレーザ光が入射さ
    れる第２の入力部と、前記第１の入力部から入射される
    第１のレーザ光と前記第２の入力部から入射される第２
    のレーザ光とが合波されて出射される出力部とを有する
    偏波合成手段と、 前記第１、第２のレーザ光の一方を入射し前記偏波合成
    手段に向かって反射して入射させる反射手段と、 前記半導体レーザ素子、前記第１レンズ、前記偏光回転
    手段、前記偏波合成手段、前記反射手段を載置する基台
    と、 前記偏波合成手段の前記出力部から出射されるレーザ光
    を集光する第２レンズと、 前記第２レンズから出射されたレーザ光を受光し外部に
    送出する光ファイバと、 を有する半導体レーザモジュールであって、 前記光ファイバは、前記第２レンズ出射後における前記
    第１のレーザ光のビームウェストと前記第２のレーザ光
    のビームウェストとの間で固定されていることを特徴と
    する半導体レーザモジュール。
25. 【請求項２５】前記２つの第１レンズは、レンズアレイ
    として構成されることを特徴とする請求項２３又は請求
    項２４に記載の半導体レーザモジュール。