JP2003344501A - 半導体集積回路試験装置 - Google Patents
半導体集積回路試験装置Info
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- JP2003344501A JP2003344501A JP2002155558A JP2002155558A JP2003344501A JP 2003344501 A JP2003344501 A JP 2003344501A JP 2002155558 A JP2002155558 A JP 2002155558A JP 2002155558 A JP2002155558 A JP 2002155558A JP 2003344501 A JP2003344501 A JP 2003344501A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度スキュー補正機能に起因する試験効率の
低下を抑制する。 【解決手段】 周囲温度に応じた試験条件で被測定デバ
イスＸの試験を実行する半導体集積回路試験装置であっ
て、試験時の周囲温度を検出する温度センサ２ａの検出
値を予め記憶された温度評価用しきい値と比較照合し、
当該比較照合の結果に応じて特定の試験条件を設定して
被測定デバイスＸを試験する。
低下を抑制する。 【解決手段】 周囲温度に応じた試験条件で被測定デバ
イスＸの試験を実行する半導体集積回路試験装置であっ
て、試験時の周囲温度を検出する温度センサ２ａの検出
値を予め記憶された温度評価用しきい値と比較照合し、
当該比較照合の結果に応じて特定の試験条件を設定して
被測定デバイスＸを試験する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路試
験装置に関する。
験装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣテスタ（半導体集積回路試験装置）
の各動作タイミングは試験時の周囲温度に大きく依存す
るため、従来のＩＣテスタは、周囲温度に対応したタイ
ミング補正を目的とした温度スキュー補正機能を備えて
いる。この温度スキュー補正機能は、ＩＣテスタを設置
した場所の周囲温度が基準温度から±３°Ｃあるいは±
５°Ｃ変化していった場合に被測定デバイスの試験を一
時的に中断してＩＣテスタのタイミングスキューデータ
を採取し、このタイミングスキューデータに基づいて、
被測定デバイスに供給する各種ドライブ信号の出力タイ
ミングや被測定デバイスの出力信号を評価するためのコ
ンパレータの判定タイミング等を補正するものである。
従来のＩＣテスタは、このような補正処理の実行が終了
すると、被測定デバイスの試験を再開する。
の各動作タイミングは試験時の周囲温度に大きく依存す
るため、従来のＩＣテスタは、周囲温度に対応したタイ
ミング補正を目的とした温度スキュー補正機能を備えて
いる。この温度スキュー補正機能は、ＩＣテスタを設置
した場所の周囲温度が基準温度から±３°Ｃあるいは±
５°Ｃ変化していった場合に被測定デバイスの試験を一
時的に中断してＩＣテスタのタイミングスキューデータ
を採取し、このタイミングスキューデータに基づいて、
被測定デバイスに供給する各種ドライブ信号の出力タイ
ミングや被測定デバイスの出力信号を評価するためのコ
ンパレータの判定タイミング等を補正するものである。
従来のＩＣテスタは、このような補正処理の実行が終了
すると、被測定デバイスの試験を再開する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記温度ス
キュー補正機能は、周囲温度に応じてその都度被測定デ
バイスの試験を一時的に中断してタイミングスキューデ
ータを採取するものであるが、ウエハ前工程やパッケー
ジ後工程のように比較的に温度変化の抑制された環境下
でＩＣテスタが使用される場合は試験の中断回数が少な
くて済むが、受け入れ検査などの温度管理の実施されて
いない環境でＩＣテスタが使用される場合には、周囲温
度の変動が大きいために試験の中断回数が多くなり、し
たがって被測定デバイスの試験効率を低下させる。
キュー補正機能は、周囲温度に応じてその都度被測定デ
バイスの試験を一時的に中断してタイミングスキューデ
ータを採取するものであるが、ウエハ前工程やパッケー
ジ後工程のように比較的に温度変化の抑制された環境下
でＩＣテスタが使用される場合は試験の中断回数が少な
くて済むが、受け入れ検査などの温度管理の実施されて
いない環境でＩＣテスタが使用される場合には、周囲温
度の変動が大きいために試験の中断回数が多くなり、し
たがって被測定デバイスの試験効率を低下させる。
【０００４】本発明は、上述する問題点に鑑みてなされ
たもので、温度スキュー補正機能に起因する試験効率の
低下を抑制することを目的とする。
たもので、温度スキュー補正機能に起因する試験効率の
低下を抑制することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、第１の手段として、周囲温度に応じた
試験条件で被測定デバイス（Ｘ）の試験を実行する半導
体集積回路試験装置であって、試験時の周囲温度を検出
する温度センサ（２ａ）の検出値を予め記憶された温度
評価用しきい値と比較照合し、当該比較照合の結果に応
じて試験条件を設定して被測定デバイス（Ｘ）を試験す
るという構成を採用する。
に、本発明では、第１の手段として、周囲温度に応じた
試験条件で被測定デバイス（Ｘ）の試験を実行する半導
体集積回路試験装置であって、試験時の周囲温度を検出
する温度センサ（２ａ）の検出値を予め記憶された温度
評価用しきい値と比較照合し、当該比較照合の結果に応
じて試験条件を設定して被測定デバイス（Ｘ）を試験す
るという構成を採用する。
【０００６】また、第２の手段として、上記第１の手段
において、温度センサ（２ａ）の検出値をＩ／Ｏピンを
介して取得して温度評価用しきい値と比較照合するとい
う構成を採用する。
において、温度センサ（２ａ）の検出値をＩ／Ｏピンを
介して取得して温度評価用しきい値と比較照合するとい
う構成を採用する。
【０００７】第３の手段として、上記第１または第２の
手段において、試験条件は、試験時に被測定デバイス
（Ｘ）に出力するドライブ信号の出力タイミングである
という構成を採用する。
手段において、試験条件は、試験時に被測定デバイス
（Ｘ）に出力するドライブ信号の出力タイミングである
という構成を採用する。
【０００８】第４の手段として、上記第１〜第３いずれ
かの手段において、試験条件は、試験時に被測定デバイ
ス（Ｘ）に出力するドライブ信号に対して被測定デバイ
ス（Ｘ）から出力される評価用信号の判定タイミングで
あるという構成を採用する。
かの手段において、試験条件は、試験時に被測定デバイ
ス（Ｘ）に出力するドライブ信号に対して被測定デバイ
ス（Ｘ）から出力される評価用信号の判定タイミングで
あるという構成を採用する。
【０００９】第５の手段として、上記第１〜第４いずれ
かの手段において、温度センサ（２ａ）はピンエレクト
ロニクスカード（２）上に設けられるという構成を採用
する。
かの手段において、温度センサ（２ａ）はピンエレクト
ロニクスカード（２）上に設けられるという構成を採用
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明に
係わる半導体集積回路試験装置（ＩＣテスタ）の一実施
形態について説明する。
係わる半導体集積回路試験装置（ＩＣテスタ）の一実施
形態について説明する。
【００１１】図１は、本実施形態の機能構成を示すブロ
ック図である。この図において、符号１はテストボー
ド、２はピンエレクトロニクスカード、３はＤＣリン
グ、４はテスタ本体、５は記憶部である。
ック図である。この図において、符号１はテストボー
ド、２はピンエレクトロニクスカード、３はＤＣリン
グ、４はテスタ本体、５は記憶部である。
【００１２】テストボード１は、被測定デバイスＸが実
装されると共に、テスタピン１ａと電源ピン１ｂとグラ
ンドピン１ｃとを備えている。テスタピン１ａは、被測
定デバイスＸの各入出力端子とピンエレクトロニクスカ
ード２上に実装されたＩ／Ｏピンとを相互接続するため
にテストボード１上に多数設けられた接続ピンである。
また、電源ピン１ｂは、被測定デバイスＸに電源を供給
するため、グランドピン１ｃは被測定デバイスＸの接地
端子を接地するための接続ピンである。
装されると共に、テスタピン１ａと電源ピン１ｂとグラ
ンドピン１ｃとを備えている。テスタピン１ａは、被測
定デバイスＸの各入出力端子とピンエレクトロニクスカ
ード２上に実装されたＩ／Ｏピンとを相互接続するため
にテストボード１上に多数設けられた接続ピンである。
また、電源ピン１ｂは、被測定デバイスＸに電源を供給
するため、グランドピン１ｃは被測定デバイスＸの接地
端子を接地するための接続ピンである。
【００１３】ピンエレクトロニクスカード２は、上記Ｉ
／Ｏピン（図示略）、温度センサ２ａ及びセンスリレー
２ｂを備えている。Ｉ／Ｏピンは、周知のように上記テ
スタピン１ａに対応して複数設けられた一種のインタフ
ェース回路であり、試験用のドライブ信号を被測定デバ
イスＸの各入出力端子に入力するドライバと被測定デバ
イスＸの出力信号を評価するコンパレータとから構成さ
れている。
／Ｏピン（図示略）、温度センサ２ａ及びセンスリレー
２ｂを備えている。Ｉ／Ｏピンは、周知のように上記テ
スタピン１ａに対応して複数設けられた一種のインタフ
ェース回路であり、試験用のドライブ信号を被測定デバ
イスＸの各入出力端子に入力するドライバと被測定デバ
イスＸの出力信号を評価するコンパレータとから構成さ
れている。
【００１４】温度センサ２ａは、ピンエレクトロニクス
カード２の周囲温度つまりＩ／Ｏピンの周囲温度を検出
するものである。温度センサ２ａの出力端は図示するよ
うに特定のテスタピン１ａ、つまり当該特定のテスタピ
ン１ａに接続された特定のＩ／Ｏピンに接続されてい
る。また、温度センサ２ａは上記電源ピン１ｂを介して
電源が供給されると共に、グランドピン１ｃを介して接
地されるようになっている。
カード２の周囲温度つまりＩ／Ｏピンの周囲温度を検出
するものである。温度センサ２ａの出力端は図示するよ
うに特定のテスタピン１ａ、つまり当該特定のテスタピ
ン１ａに接続された特定のＩ／Ｏピンに接続されてい
る。また、温度センサ２ａは上記電源ピン１ｂを介して
電源が供給されると共に、グランドピン１ｃを介して接
地されるようになっている。
【００１５】なお、上記特定のテスタピン１ａは複数の
テスタピン１ａの中から任意に選択されたものである。
センスリレー２ｂは、複数のＩ／Ｏピンの中から何れか
を選択してＤＣリング３に接続する。ＤＣリング３は、
ＰＭＵリレー３ａを備えている。このＰＭＵリレー３ａ
はセンスリレー２ｂの出力端をテスタ本体４内のＰＭＵ
（pin measurement unit）４ａの入力端に接続する。
テスタピン１ａの中から任意に選択されたものである。
センスリレー２ｂは、複数のＩ／Ｏピンの中から何れか
を選択してＤＣリング３に接続する。ＤＣリング３は、
ＰＭＵリレー３ａを備えている。このＰＭＵリレー３ａ
はセンスリレー２ｂの出力端をテスタ本体４内のＰＭＵ
（pin measurement unit）４ａの入力端に接続する。
【００１６】テスタ本体４は、試験プログラムに基づい
て上記ドライブ信号を生成することにより、また当該ド
ライブ信号がＩ／Ｏピンやテスタピン１ａ等を介して被
測定デバイスＸに入力されることにより被測定デバイス
Ｘから出力される出力信号をＩ／Ｏピンのコンパレータ
で評価することにより被測定デバイスＸの動作を試験す
るものである。ＰＭＵ４ａは、各Ｉ／Ｏピンから入力さ
れる各信号の各種電気量を測定する。なお、テスタ本体
４は、図示しない制御コンピュータの制御の下に上記各
構成要素の動作を統括的に制御する。
て上記ドライブ信号を生成することにより、また当該ド
ライブ信号がＩ／Ｏピンやテスタピン１ａ等を介して被
測定デバイスＸに入力されることにより被測定デバイス
Ｘから出力される出力信号をＩ／Ｏピンのコンパレータ
で評価することにより被測定デバイスＸの動作を試験す
るものである。ＰＭＵ４ａは、各Ｉ／Ｏピンから入力さ
れる各信号の各種電気量を測定する。なお、テスタ本体
４は、図示しない制御コンピュータの制御の下に上記各
構成要素の動作を統括的に制御する。
【００１７】ここで、本実施形態では、温度センサ２ａ
の出力端が特定のテスタピン１ａ、特定のＩ／Ｏピン、
センスリレー２ｂ及びＰＭＵリレー３ａを介してＰＭＵ
４ａに入力されるように構成されているので、ＰＭＵ４
ａは、ピンエレクトロニクスカード２の周囲温度に対応
する温度センサ２ａの出力電圧をも測定する。記憶部５
は、このような温度センサ２ａの出力電圧及び上記被測
定デバイスＸの出力信号の電圧レベルを記憶すると共
に、上記温度センサ２ａの出力電圧つまりＩ／Ｏピンの
実際の周囲温度に対する温度評価用しきい値をも予め記
憶する。
の出力端が特定のテスタピン１ａ、特定のＩ／Ｏピン、
センスリレー２ｂ及びＰＭＵリレー３ａを介してＰＭＵ
４ａに入力されるように構成されているので、ＰＭＵ４
ａは、ピンエレクトロニクスカード２の周囲温度に対応
する温度センサ２ａの出力電圧をも測定する。記憶部５
は、このような温度センサ２ａの出力電圧及び上記被測
定デバイスＸの出力信号の電圧レベルを記憶すると共
に、上記温度センサ２ａの出力電圧つまりＩ／Ｏピンの
実際の周囲温度に対する温度評価用しきい値をも予め記
憶する。
【００１８】次に、このように構成されたＩＣテスタの
動作について、図２に示すフローチャートに沿って詳し
く説明する。なお、このフローチャートは、テスタ本体
４が試験プログラムに基づいて被測定デバイスＸの試験
を行う際の処理手順を示している。
動作について、図２に示すフローチャートに沿って詳し
く説明する。なお、このフローチャートは、テスタ本体
４が試験プログラムに基づいて被測定デバイスＸの試験
を行う際の処理手順を示している。
【００１９】テスタ本体４は、まず最初に上記特定のテ
スタピン１ａつまり温度センサ２ａの出力電圧をＰＭＵ
４ａの測定対象に設定する（ステップＳ1）。すなわ
ち、テスタ本体４は、センスリレー２ｂ及びＰＭＵリレ
ー３ａを制御することにより、温度センサ２ａの出力電
圧がＰＭＵ４ａに入力される状態を設定する。そして、
ＰＭＵ４ａの動作モードを電圧測定モードの設定し（ス
テップＳ2）、ＰＭＵ４ａの電圧判定機能を無効に設定
し（ステップＳ3）、さらにＰＭＵ４ａの電圧測定開始
時間を所定時間に設定する（ステップＳ4）。
スタピン１ａつまり温度センサ２ａの出力電圧をＰＭＵ
４ａの測定対象に設定する（ステップＳ1）。すなわ
ち、テスタ本体４は、センスリレー２ｂ及びＰＭＵリレ
ー３ａを制御することにより、温度センサ２ａの出力電
圧がＰＭＵ４ａに入力される状態を設定する。そして、
ＰＭＵ４ａの動作モードを電圧測定モードの設定し（ス
テップＳ2）、ＰＭＵ４ａの電圧判定機能を無効に設定
し（ステップＳ3）、さらにＰＭＵ４ａの電圧測定開始
時間を所定時間に設定する（ステップＳ4）。
【００２０】以上ステップＳ2〜Ｓ4の各設定処理によっ
てＰＭＵ４ａで温度センサ２ａの出力電圧を測定するた
めの測定条件が整ったので、テスタ本体４は、当該出力
電圧をＰＭＵ４ａに測定させ（ステップＳ5）、その温
度測定値つまり温度センサ２ａによって検出されたＩ／
Ｏピンの周囲温度の検出値を記憶部５に記憶させる（ス
テップＳ6）。そして、テスタ本体４は、上記温度測定
値と記憶部５に予め記憶された温度評価用しきい値とを
比較することにより、温度測定値に対応したドライブ信
号の出力タイミングに関するオフセット時間を設定す
る。このオフセット時間は、被測定デバイスＸの試験を
行う際の試験条件の１つである。
てＰＭＵ４ａで温度センサ２ａの出力電圧を測定するた
めの測定条件が整ったので、テスタ本体４は、当該出力
電圧をＰＭＵ４ａに測定させ（ステップＳ5）、その温
度測定値つまり温度センサ２ａによって検出されたＩ／
Ｏピンの周囲温度の検出値を記憶部５に記憶させる（ス
テップＳ6）。そして、テスタ本体４は、上記温度測定
値と記憶部５に予め記憶された温度評価用しきい値とを
比較することにより、温度測定値に対応したドライブ信
号の出力タイミングに関するオフセット時間を設定す
る。このオフセット時間は、被測定デバイスＸの試験を
行う際の試験条件の１つである。
【００２１】すなわち、テスタ本体４は、温度測定値を
１７°Ｃの周囲温度に該当する温度評価用しきい値と比
較することによりＩ／Ｏピンの周囲温度が１７°Ｃ以下
であるか否かを判断し（ステップＳ7）、この判断が
「Ｙｅｓ」の場合は１５°Ｃ用のオフセット時間を選択
し（ステップＳ9）、この判断が「Ｎｏ」の場合には、
温度測定値を２２°Ｃの周囲温度に該当する温度評価用
しきい値と比較することによりＩ／Ｏピンの周囲温度が
２２°Ｃ以下であるか否かを判断する（ステップＳ
8）。そして、このステップＳ8における判断が「Ｙｅ
ｓ」の場合は、２０°Ｃ用のオフセット時間を選択し
（ステップＳ10）、この判断が「Ｎｏ」の場合には、２
５°Ｃ用のオフセット時間を選択する（ステップＳ1
1）。
１７°Ｃの周囲温度に該当する温度評価用しきい値と比
較することによりＩ／Ｏピンの周囲温度が１７°Ｃ以下
であるか否かを判断し（ステップＳ7）、この判断が
「Ｙｅｓ」の場合は１５°Ｃ用のオフセット時間を選択
し（ステップＳ9）、この判断が「Ｎｏ」の場合には、
温度測定値を２２°Ｃの周囲温度に該当する温度評価用
しきい値と比較することによりＩ／Ｏピンの周囲温度が
２２°Ｃ以下であるか否かを判断する（ステップＳ
8）。そして、このステップＳ8における判断が「Ｙｅ
ｓ」の場合は、２０°Ｃ用のオフセット時間を選択し
（ステップＳ10）、この判断が「Ｎｏ」の場合には、２
５°Ｃ用のオフセット時間を選択する（ステップＳ1
1）。
【００２２】このようにしてＩ／Ｏピンの周囲温度に対
応してドライブ信号のオフセット時間を選択すると、テ
スタ本体４は、当該選択したオフセット時間（試験条
件）を試験プログラムに挿入（設定）して（ステップＳ
12）、当該試験条件の下で被測定デバイスＸの試験を実
行する（ステップＳ13）。そして、このようにして実行
された試験結果を確認評価することにより（ステップＳ
13）、試験を終了する。
応してドライブ信号のオフセット時間を選択すると、テ
スタ本体４は、当該選択したオフセット時間（試験条
件）を試験プログラムに挿入（設定）して（ステップＳ
12）、当該試験条件の下で被測定デバイスＸの試験を実
行する（ステップＳ13）。そして、このようにして実行
された試験結果を確認評価することにより（ステップＳ
13）、試験を終了する。
【００２３】本実施形態によれば、温度測定値を憶部５
に予め記憶された温度評価用しきい値と比較することに
よってＩ／Ｏピンの周囲温度に応じたドライブ信号のオ
フセット時間を設定するので、従来のように試験プログ
ラムの実行を中断させることなく、したがって温度スキ
ュー補正機能に起因する試験効率の低下を抑制すること
ができる。
に予め記憶された温度評価用しきい値と比較することに
よってＩ／Ｏピンの周囲温度に応じたドライブ信号のオ
フセット時間を設定するので、従来のように試験プログ
ラムの実行を中断させることなく、したがって温度スキ
ュー補正機能に起因する試験効率の低下を抑制すること
ができる。
【００２４】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、例えば以下のような変形が考えられる。 （１）上記実施形態は、試験条件の１つであるドライブ
信号のオフセット時間の設定に本発明を適用したもので
あるが、被測定デバイスＸの出力信号を評価するために
Ｉ／Ｏピン中に設けられたコンパレータの判定タイミン
グを周囲温度に応じて設定することに適応しても良い。
ものではなく、例えば以下のような変形が考えられる。 （１）上記実施形態は、試験条件の１つであるドライブ
信号のオフセット時間の設定に本発明を適用したもので
あるが、被測定デバイスＸの出力信号を評価するために
Ｉ／Ｏピン中に設けられたコンパレータの判定タイミン
グを周囲温度に応じて設定することに適応しても良い。
【００２５】（２）ＩＣテスタの温度スキュー補正機能
は、Ｉ／Ｏピンにおいて周囲温度に起因したドライブ信
号の出力タイミングの変動や出力信号の判定タイミング
の変動を補正するものである。したがって、上記実施形
態では、Ｉ／Ｏピンが実装されるピンエレクトロニクス
カード２内に温度センサ２ａを設けるようにした。しか
し、温度センサ２ａの設置場所は、ピンエレクトロニク
スカード２内に限定されるものではなく、Ｉ／Ｏピンと
同様の温度環境下にある場所であれば他の場所であって
も良い。
は、Ｉ／Ｏピンにおいて周囲温度に起因したドライブ信
号の出力タイミングの変動や出力信号の判定タイミング
の変動を補正するものである。したがって、上記実施形
態では、Ｉ／Ｏピンが実装されるピンエレクトロニクス
カード２内に温度センサ２ａを設けるようにした。しか
し、温度センサ２ａの設置場所は、ピンエレクトロニク
スカード２内に限定されるものではなく、Ｉ／Ｏピンと
同様の温度環境下にある場所であれば他の場所であって
も良い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
周囲温度に応じた試験条件で被測定デバイスの試験を実
行する半導体集積回路試験装置であって、試験時の周囲
温度を検出する温度センサの検出値を予め記憶された温
度評価用しきい値と比較照合し、当該比較照合の結果に
応じて特定の試験条件を設定して被測定デバイスを試験
するので、すなわち従来のように周囲温度を検出する度
に試験を中断するものではないので、温度スキュー補正
機能に起因する試験効率の低下を抑制することができ
る。
周囲温度に応じた試験条件で被測定デバイスの試験を実
行する半導体集積回路試験装置であって、試験時の周囲
温度を検出する温度センサの検出値を予め記憶された温
度評価用しきい値と比較照合し、当該比較照合の結果に
応じて特定の試験条件を設定して被測定デバイスを試験
するので、すなわち従来のように周囲温度を検出する度
に試験を中断するものではないので、温度スキュー補正
機能に起因する試験効率の低下を抑制することができ
る。
【図１】 本発明の一実施形態に係わるＩＣテスタの
クロック図である。
クロック図である。
【図２】 本発明の一実施形態における温度スキュー
設定手順を示すフローチャートである。
設定手順を示すフローチャートである。
Ｘ……被測定デバイス
１……テストボード
１ａ……テスタピン
１ｂ……電源ピン
１ｃ……グランドピン
２……ピンエレクトロニクスカード
２ａ……温度センサ
２ｂ……センスリレー
３……ＤＣリング
３ａ……ＰＭＵリレー
４……テスタ本体
４ａ……ＰＭＵ
５……記憶部
Claims (5)
- 【請求項１】 周囲温度に応じた試験条件で被測定デ
バイス（Ｘ）の試験を実行する半導体集積回路試験装置
であって、 試験時の周囲温度を検出する温度センサ（２ａ）の検出
値を予め記憶された温度評価用しきい値と比較照合し、
当該比較照合の結果に応じて試験条件を設定して被測定
デバイス（Ｘ）を試験することを特徴とする半導体集積
回路試験装置。 - 【請求項２】 温度センサ（２ａ）の検出値をＩ／Ｏ
ピンを介して取得して温度評価用しきい値と比較照合す
ることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路試験
装置。 - 【請求項３】 試験条件は、試験時に被測定デバイス
（Ｘ）に出力するドライブ信号の出力タイミングである
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体集積回
路試験装置。 - 【請求項４】 試験条件は、試験時に被測定デバイス
（Ｘ）に出力するドライブ信号に対して被測定デバイス
（Ｘ）から出力される評価用信号の判定タイミングであ
ることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の半導
体集積回路試験装置。 - 【請求項５】 温度センサ（２ａ）はピンエレクトロ
ニクスカード（２）上に設けられることを特徴とする請
求項１〜４いずれかに記載の半導体集積回路試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002155558A JP2003344501A (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 半導体集積回路試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002155558A JP2003344501A (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 半導体集積回路試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003344501A true JP2003344501A (ja) | 2003-12-03 |
Family
ID=29772055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002155558A Pending JP2003344501A (ja) | 2002-05-29 | 2002-05-29 | 半導体集積回路試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003344501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311712A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体ウエハー試験方法、プログラム、記録媒体、及び半導体ウエハー試験装置 |
-
2002
- 2002-05-29 JP JP2002155558A patent/JP2003344501A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007311712A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Ricoh Co Ltd | 半導体ウエハー試験方法、プログラム、記録媒体、及び半導体ウエハー試験装置 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
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