JP2003344458A - 光電圧・電界センサ - Google Patents
光電圧・電界センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度特性を損なわずにセンサ感度を上げた光
電圧・電界センサを提供する。 【解決手段】 光路に沿って偏光子２、電気光学結晶３
ａ，３ｂ、波長板４、検光子５が順に配置されてなる光
電圧・電界センサにおいて、電気光学結晶としてＢｉ
１２ＧｅＯ２０からなる電気光学結晶３ａ，３ｂを複数
個設け、各電気光学結晶にそれぞれ同一の電圧又は電界
を印加７する。また、光源の波長に応じ、複数個の電気
光学結晶３ａ，３ｂの光路長の合計をＢｉ１２ＧｅＯ
２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４５°となる
長さＬに設定する。
電圧・電界センサを提供する。 【解決手段】 光路に沿って偏光子２、電気光学結晶３
ａ，３ｂ、波長板４、検光子５が順に配置されてなる光
電圧・電界センサにおいて、電気光学結晶としてＢｉ
１２ＧｅＯ２０からなる電気光学結晶３ａ，３ｂを複数
個設け、各電気光学結晶にそれぞれ同一の電圧又は電界
を印加７する。また、光源の波長に応じ、複数個の電気
光学結晶３ａ，３ｂの光路長の合計をＢｉ１２ＧｅＯ
２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４５°となる
長さＬに設定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＢｉ１２ＧｅＯ２０
単結晶(以下、ＢＧＯと略す)の電気光学効果(Pockels効
果)を応用した光電圧・電界センサに関し、特にそのセ
ンサ感度(変調度)の改善に関するものである。
単結晶(以下、ＢＧＯと略す)の電気光学効果(Pockels効
果)を応用した光電圧・電界センサに関し、特にそのセ
ンサ感度(変調度)の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電力系統の電圧測定には、電圧変成器が
広く用いられている。しかしながら、この電圧変成器は
測定すべき系統電圧が高くなるほど大型化してしまい、
コストおよび設置スペースが嵩むという問題がある。特
にＧＩＳと称される不活性ガスを用いたガス絶縁開閉装
置では、小型化および省スペース化が強く要求され、こ
のような電圧変成器を搭載することが困難になってい
る。このため、電気光学効果を有する単結晶を用いた光
電圧・電界センサが用いられるようになってきている。
広く用いられている。しかしながら、この電圧変成器は
測定すべき系統電圧が高くなるほど大型化してしまい、
コストおよび設置スペースが嵩むという問題がある。特
にＧＩＳと称される不活性ガスを用いたガス絶縁開閉装
置では、小型化および省スペース化が強く要求され、こ
のような電圧変成器を搭載することが困難になってい
る。このため、電気光学効果を有する単結晶を用いた光
電圧・電界センサが用いられるようになってきている。
【０００３】図４は特公平７−６０１６４号公報に示さ
れた従来の光電圧・電界センサの概略構成図である。図
４において、１は信号処理部の発光ダイオード(図示せ
ず)から光ファイバー(図示せず)を介して光電圧・電界
センサに送られてきた光、２は偏光子、３は電気光学結
晶、４は波長板、５は検光子、６は電気光学結晶３の光
の通過面に蒸着した透明電極、７は交流電圧、８は偏光
子２の偏光方向を示す矢印、９は検光子５の偏光方向を
示す矢印、１０は電気光学効果による複屈折軸方向を示
す矢印、１１は波長板４の軸方向を示す矢印、１２は光
検出器である。
れた従来の光電圧・電界センサの概略構成図である。図
４において、１は信号処理部の発光ダイオード(図示せ
ず)から光ファイバー(図示せず)を介して光電圧・電界
センサに送られてきた光、２は偏光子、３は電気光学結
晶、４は波長板、５は検光子、６は電気光学結晶３の光
の通過面に蒸着した透明電極、７は交流電圧、８は偏光
子２の偏光方向を示す矢印、９は検光子５の偏光方向を
示す矢印、１０は電気光学効果による複屈折軸方向を示
す矢印、１１は波長板４の軸方向を示す矢印、１２は光
検出器である。
【０００４】次に動作について説明する。図４におい
て、信号処理部の発光ダイオードから出射された光１は
光ファイバーを介して偏光子２に入射され、偏光子の偏
光方向８の直線偏光だけが透過する。電気光学結晶３の
透明電極６に交流電圧７を印加すると、波長板４を通過
した光１の偏光状態が電圧の極性に応じて変化して、検
光子５を通過する光１の量が変化し、その変化量を光検
出器１２で検知することができる。
て、信号処理部の発光ダイオードから出射された光１は
光ファイバーを介して偏光子２に入射され、偏光子の偏
光方向８の直線偏光だけが透過する。電気光学結晶３の
透明電極６に交流電圧７を印加すると、波長板４を通過
した光１の偏光状態が電圧の極性に応じて変化して、検
光子５を通過する光１の量が変化し、その変化量を光検
出器１２で検知することができる。
【０００５】電気光学結晶３にＢＧＯを用いた場合、光
検出器１２に入る光量Ｉは次式で与えられる。
検出器１２に入る光量Ｉは次式で与えられる。
【０００６】
Ｉ＝(１／２)Ｉ０(１−cosΔcosφ＋sinΔsinφ Γ／φ) (１)
但し、
Γ＝２π／λ n０ ３γ４１Ｖ (２)
φ＝｛Γ２＋(２θｌ)２｝１／２ (３)
であり、
Ｉ０：偏光子出射光量
Γ：ＢＧＯの電気光学効果による直線複屈折
φ：ＢＧＯの旋光能
ｌ：ＢＧＯの光路長
λ：光の波長
ｎ０：ＢＧＯの屈折率
γ４１：ＢＧＯの電気光学係数
Ｖ：印加交流電圧
Δ：波長板の位相差
【０００７】である。偏光子出射光量Ｉ０の変化による
誤差、及び光量Ｉの光検出器１２までの伝送損失による
誤差を取り除くため、光量Ｉの直流成分ＩＤＣと交流成
分Ｉ ＡＣを検出して割り算を行うことで印加交流電圧を
検出すると、
誤差、及び光量Ｉの光検出器１２までの伝送損失による
誤差を取り除くため、光量Ｉの直流成分ＩＤＣと交流成
分Ｉ ＡＣを検出して割り算を行うことで印加交流電圧を
検出すると、
【０００８】
ＩＤＣ＝(１／２)Ｉ０(１−cosΔcosφ) (４)
ＩＡＣ＝(１／２)Ｉ０ sinΔsinφ Γ／φ (５)
【０００９】となり、割算後のセンサ感度ηは、
η＝ＩＡＣ／ＩＤＣ＝sinΔ sinφ／(１−cosΔcosφ)Γ／φ (６)
【００１０】となる。微小交流電圧(Γ＜＜２θｌ)にお
いては、φはほぼ一定であり、センサ感度はΓを介して
電圧Ｖに比例する。また、このような光学部品の配置に
より形成された光電圧・電界センサではＢＧＯの旋光能
による直線偏光の回転角度が４５°になるように設定す
れば、ＢＧＯの屈折率や電気光学係数等の物性定数の温
度変化がセンサ感度に及ぼす影響を実質的に零にするこ
とができ、環境温度の影響を受けない安定した感度を有
するセンサを得ることができる。
いては、φはほぼ一定であり、センサ感度はΓを介して
電圧Ｖに比例する。また、このような光学部品の配置に
より形成された光電圧・電界センサではＢＧＯの旋光能
による直線偏光の回転角度が４５°になるように設定す
れば、ＢＧＯの屈折率や電気光学係数等の物性定数の温
度変化がセンサ感度に及ぼす影響を実質的に零にするこ
とができ、環境温度の影響を受けない安定した感度を有
するセンサを得ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のような従来の光
電圧・電界センサにおいては、光電圧・電界センサのダ
イナミックレンジを広く取る要求があるが、印加交流電
圧が低い領域ではＳ／Ｎが悪く、信頼性が得られない問
題があった。そこで、Ｓ／Ｎを向上させるために、セン
サ感度を上げることが要求されている。また、光電圧・
電界センサの使用温度範囲におけるセンサ感度の誤差
(温度特性)がなるべく小さいことが望ましい。
電圧・電界センサにおいては、光電圧・電界センサのダ
イナミックレンジを広く取る要求があるが、印加交流電
圧が低い領域ではＳ／Ｎが悪く、信頼性が得られない問
題があった。そこで、Ｓ／Ｎを向上させるために、セン
サ感度を上げることが要求されている。また、光電圧・
電界センサの使用温度範囲におけるセンサ感度の誤差
(温度特性)がなるべく小さいことが望ましい。
【００１２】ダイナミックレンジが広く取れ、且つ印加
交流電圧が低い領域でのＳ／Ｎを向上させるために、セ
ンサ感度を上げるとともに、使用温度範囲におけるセン
サ感度の誤差(温度特性)がなるべく小さい光電圧・電界
センサを得ることが最優先課題である。また、光電圧・
電界センサの開発並びに製造コスト低減のため、波長板
をはじめとする光学素子の仕様変更は行わないことも課
題の一つである。
交流電圧が低い領域でのＳ／Ｎを向上させるために、セ
ンサ感度を上げるとともに、使用温度範囲におけるセン
サ感度の誤差(温度特性)がなるべく小さい光電圧・電界
センサを得ることが最優先課題である。また、光電圧・
電界センサの開発並びに製造コスト低減のため、波長板
をはじめとする光学素子の仕様変更は行わないことも課
題の一つである。
【００１３】本発明は、上記の問題点を解決するために
なされたもので、温度特性を損なわずにセンサ感度を上
げた光電圧・電界センサを提供することを目的とする。
なされたもので、温度特性を損なわずにセンサ感度を上
げた光電圧・電界センサを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的に鑑み、本発
明は、光路に沿って偏光子、電気光学結晶、波長板、検
光子が順に配置されてなる光電圧・電界センサにおい
て、前記電気光学結晶としてＢｉ１２ＧｅＯ２０からな
る電気光学結晶を複数個設け、前記各電気光学結晶にそ
れぞれ同一の電圧又は電界を印加することを特徴とする
光電圧・電界センサにある。
明は、光路に沿って偏光子、電気光学結晶、波長板、検
光子が順に配置されてなる光電圧・電界センサにおい
て、前記電気光学結晶としてＢｉ１２ＧｅＯ２０からな
る電気光学結晶を複数個設け、前記各電気光学結晶にそ
れぞれ同一の電圧又は電界を印加することを特徴とする
光電圧・電界センサにある。
【００１５】また、光源の波長に応じ、前記複数個の電
気光学結晶の光路長の合計をＢｉ１ ２ＧｅＯ２０の旋光
能による直線偏光の回転角度が４５°となる長さＬに設
定することを特徴とする。
気光学結晶の光路長の合計をＢｉ１ ２ＧｅＯ２０の旋光
能による直線偏光の回転角度が４５°となる長さＬに設
定することを特徴とする。
【００１６】また、前記電気光学結晶の光路長をＢｉ
１２ＧｅＯ２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４
５°となる長さＬの１／ｎ(ｎは整数)にし、その電気光
学結晶を光路に沿って順にｎ個配置したことを特徴とす
る。
１２ＧｅＯ２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４
５°となる長さＬの１／ｎ(ｎは整数)にし、その電気光
学結晶を光路に沿って順にｎ個配置したことを特徴とす
る。
【００１７】光電圧・電界センサの感度はＢＧＯの光路
長に依存しており、光路が短いほど感度が大きくなる。
しかしながら、温度特性を実質的に零にするためにはＢ
ＧＯの光路長をＢＧＯの旋光能による直線偏光の回転角
度が４５°になるように設定しなければならない。複数
のＢＧＯを用いて、これら複数のＢＧＯの旋光能による
直線偏光の回転角度が４５°になるように設定すれば、
温度特性を実質的に零としたままで、ＢＧＯの個数に応
じてセンサ感度を向上させることができる。
長に依存しており、光路が短いほど感度が大きくなる。
しかしながら、温度特性を実質的に零にするためにはＢ
ＧＯの光路長をＢＧＯの旋光能による直線偏光の回転角
度が４５°になるように設定しなければならない。複数
のＢＧＯを用いて、これら複数のＢＧＯの旋光能による
直線偏光の回転角度が４５°になるように設定すれば、
温度特性を実質的に零としたままで、ＢＧＯの個数に応
じてセンサ感度を向上させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】実施の形態１．以下本発明を実施
の形態に従って説明する。図１は本発明の実施の形態１
による光電圧・電界センサの概略構成図である。本説明
では光源波長として８５０ｎｍの光を用い、ＢＧＯの光
路長はＢＧＯの旋光能による直線偏光の回転角度が４５
°となる長さＬ(以下、Ｌと略す)の１／２とし、このＢ
ＧＯを２個直列に配置した場合について述べる。
の形態に従って説明する。図１は本発明の実施の形態１
による光電圧・電界センサの概略構成図である。本説明
では光源波長として８５０ｎｍの光を用い、ＢＧＯの光
路長はＢＧＯの旋光能による直線偏光の回転角度が４５
°となる長さＬ(以下、Ｌと略す)の１／２とし、このＢ
ＧＯを２個直列に配置した場合について述べる。
【００１９】図１において、１は信号処理部の発光ダイ
オード(図示せず)から光ファイバー(図示せず)を介して
光電圧・電界センサに送られてきた光、２は偏光子、３
ａは光路長がＬ／２の第１の電気光学結晶、３ｂは光路
長がＬ／２の第２の電気光学結晶、４は波長板、５は検
光子、６は電気光学結晶３ａ及び電気光学結晶３ｂの光
の通過面に蒸着した透明電極、７は第１，第２の電気光
学結晶３ａ，３ｂの透明電極６に印加する交流電圧、８
は偏光子２の偏光方向を示す矢印、９は検光子５の偏光
方向を示す矢印、１０は電気光学効果による複屈折軸方
向を示す矢印、１１は波長板４の軸方向を示す矢印、１
２は光検出器である。
オード(図示せず)から光ファイバー(図示せず)を介して
光電圧・電界センサに送られてきた光、２は偏光子、３
ａは光路長がＬ／２の第１の電気光学結晶、３ｂは光路
長がＬ／２の第２の電気光学結晶、４は波長板、５は検
光子、６は電気光学結晶３ａ及び電気光学結晶３ｂの光
の通過面に蒸着した透明電極、７は第１，第２の電気光
学結晶３ａ，３ｂの透明電極６に印加する交流電圧、８
は偏光子２の偏光方向を示す矢印、９は検光子５の偏光
方向を示す矢印、１０は電気光学効果による複屈折軸方
向を示す矢印、１１は波長板４の軸方向を示す矢印、１
２は光検出器である。
【００２０】図１において、信号処理部の発光ダイオー
ドから出射された光１は光ファイバーを介して偏光子２
に入射され、偏光子２の偏光方向８の直線偏光だけが透
過する。電気光学結晶３ａと電気光学結晶３ｂの透明電
極６に交流電圧７を並列に印加すると、波長板４を通過
した光１の偏光状態が電圧の極性に応じて変化して、検
光子５を通過する光１の量が変化し、その変化量を光検
出器１２で検知することができる。
ドから出射された光１は光ファイバーを介して偏光子２
に入射され、偏光子２の偏光方向８の直線偏光だけが透
過する。電気光学結晶３ａと電気光学結晶３ｂの透明電
極６に交流電圧７を並列に印加すると、波長板４を通過
した光１の偏光状態が電圧の極性に応じて変化して、検
光子５を通過する光１の量が変化し、その変化量を光検
出器１２で検知することができる。
【００２１】電気光学結晶にＢＧＯを用いた場合、従来
の光電圧・電界センサのセンサ感度ηは、ＢＧＯの光路
長をＬにしており、この場合ＢＧＯの旋光能φは９０°
(π／２)であるので、波長板の位相差Δは９０°(sinΔ
＝１、cosΔ＝０)を考慮すると、(６)式から、
の光電圧・電界センサのセンサ感度ηは、ＢＧＯの光路
長をＬにしており、この場合ＢＧＯの旋光能φは９０°
(π／２)であるので、波長板の位相差Δは９０°(sinΔ
＝１、cosΔ＝０)を考慮すると、(６)式から、
【００２２】η＝２Γ／π (７)
【００２３】となる。一方、本実施の形態１の場合、光
路長がＬ／２のＢＧＯを２個直列に配置しているので、
光検出器１２に入る光量Ｉは次式で与えられる。
路長がＬ／２のＢＧＯを２個直列に配置しているので、
光検出器１２に入る光量Ｉは次式で与えられる。
【００２４】
Ｉ＝(１／２)Ｉ０(１−cosΔcos２φ＋sinΔsin２φ Γ／φ) (８)
【００２５】このセンサ感度ηは、ＢＧＯの光路長がＬ
／２なので、ＢＧＯの旋光能φは４５°(π／４)である
ので、波長板の位相差Δは９０°(sinΔ＝１、cosΔ＝
０)を考慮すると、(８)式から、
／２なので、ＢＧＯの旋光能φは４５°(π／４)である
ので、波長板の位相差Δは９０°(sinΔ＝１、cosΔ＝
０)を考慮すると、(８)式から、
【００２６】
【００２７】となり、本発明の光電圧・電界センサで得
られるセンサ感度は従来の光電圧・電界センサの２倍と
なり、センサ感度が向上する。一方、温度特性はＢＧＯ
の光路長で決まるが、本発明の光電圧・電界センサの場
合、ＢＧＯの光路長の合計はＬであり、従来技術で述べ
た内容と同じ原理によりセンサの温度特性を実質的に零
にできる。
られるセンサ感度は従来の光電圧・電界センサの２倍と
なり、センサ感度が向上する。一方、温度特性はＢＧＯ
の光路長で決まるが、本発明の光電圧・電界センサの場
合、ＢＧＯの光路長の合計はＬであり、従来技術で述べ
た内容と同じ原理によりセンサの温度特性を実質的に零
にできる。
【００２８】本発明によれば、光路長がＬ／２のＢＧＯ
を２個直列に配置することで、温度特性を実質的に零と
したまま、光路長がＬのＢＧＯを１個用いる場合と比較
して、センサ感度を２倍(＝(９)式／(７)式)にできる。
を２個直列に配置することで、温度特性を実質的に零と
したまま、光路長がＬのＢＧＯを１個用いる場合と比較
して、センサ感度を２倍(＝(９)式／(７)式)にできる。
【００２９】図２に示す通り、センサ感度は光路長がＬ
のＢＧＯを１個用いた場合がη０に対して、光路長がＬ
／２のＢＧＯを２個直列に用いた場合が２.０η０とな
り、２倍の値が得られた。また、図３に示す通り、光電
圧・電界センサの使用温度範囲(−２０℃から＋６０℃)
におけるセンサ感度の誤差(温度特性)は従来品の代表値
とほぼ同じ傾向を示し、温度特性を満足することが検証
された。
のＢＧＯを１個用いた場合がη０に対して、光路長がＬ
／２のＢＧＯを２個直列に用いた場合が２.０η０とな
り、２倍の値が得られた。また、図３に示す通り、光電
圧・電界センサの使用温度範囲(−２０℃から＋６０℃)
におけるセンサ感度の誤差(温度特性)は従来品の代表値
とほぼ同じ傾向を示し、温度特性を満足することが検証
された。
【００３０】本実施の形態１では光路長がＬ／２となる
ＢＧＯを２個直列に用いたが、Ｌ／３となるＢＧＯを３
個直列に用いれば、光検出器１２に入る光量Ｉは次式で
与えられる。
ＢＧＯを２個直列に用いたが、Ｌ／３となるＢＧＯを３
個直列に用いれば、光検出器１２に入る光量Ｉは次式で
与えられる。
【００３１】
Ｉ＝(１／２)Ｉ０(１−cosΔcos３φ＋sinΔsin３φ Γ／φ) (１０)
【００３２】このセンサ感度ηは、ＢＧＯの光路長がＬ
／３なので、ＢＧＯの旋光能φは３０°(π／６)である
ので、波長板の位相差Δは９０°(sinΔ＝１、cosΔ＝
０)を考慮すると、(１０)式から、
／３なので、ＢＧＯの旋光能φは３０°(π／６)である
ので、波長板の位相差Δは９０°(sinΔ＝１、cosΔ＝
０)を考慮すると、(１０)式から、
【００３３】
【００３４】となる。光路長がＬのＢＧＯを１個用いる
場合と比較して、センサ感度を３倍(＝(１１)式／(７)
式)にできる。従って、１個のＢＧＯの光路長をＬ／ｎ
(ｎは整数)にした場合、そのＢＧＯをｎ個直列に配置す
ることで、電気光学素子以外の光学素子の仕様と温度特
性は変化させず、センサ感度をｎ倍にできる。
場合と比較して、センサ感度を３倍(＝(１１)式／(７)
式)にできる。従って、１個のＢＧＯの光路長をＬ／ｎ
(ｎは整数)にした場合、そのＢＧＯをｎ個直列に配置す
ることで、電気光学素子以外の光学素子の仕様と温度特
性は変化させず、センサ感度をｎ倍にできる。
【００３５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、光路に
沿って偏光子、電気光学結晶、波長板、検光子が順に配
置されてなる光電圧・電界センサにおいて、前記電気光
学結晶としてＢｉ１２ＧｅＯ２０からなる電気光学結晶
を複数個設け、前記各電気光学結晶にそれぞれ同一の電
圧又は電界を印加することを特徴とする光電圧・電界セ
ンサとしたので、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０からなる電気光学
結晶の個数に応じてセンサ感度を向上させることができ
る。また波長板をはじめとする光学素子の仕様変更は行
わないので製造コストが上がることがない。
沿って偏光子、電気光学結晶、波長板、検光子が順に配
置されてなる光電圧・電界センサにおいて、前記電気光
学結晶としてＢｉ１２ＧｅＯ２０からなる電気光学結晶
を複数個設け、前記各電気光学結晶にそれぞれ同一の電
圧又は電界を印加することを特徴とする光電圧・電界セ
ンサとしたので、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０からなる電気光学
結晶の個数に応じてセンサ感度を向上させることができ
る。また波長板をはじめとする光学素子の仕様変更は行
わないので製造コストが上がることがない。
【００３６】また、光源の波長に応じ、前記複数個の電
気光学結晶の光路長の合計をＢｉ１ ２ＧｅＯ２０の旋光
能による直線偏光の回転角度が４５°となる長さＬに設
定することを特徴としたので、温度特性を実質的に零と
したままで、Ｂｉ１２ＧｅＯ ２０からなる電気光学結晶
の個数に応じてセンサ感度を向上させることができる。
気光学結晶の光路長の合計をＢｉ１ ２ＧｅＯ２０の旋光
能による直線偏光の回転角度が４５°となる長さＬに設
定することを特徴としたので、温度特性を実質的に零と
したままで、Ｂｉ１２ＧｅＯ ２０からなる電気光学結晶
の個数に応じてセンサ感度を向上させることができる。
【００３７】また、前記電気光学結晶の光路長をＢｉ
１２ＧｅＯ２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４
５°となる長さＬの１／ｎ(ｎは整数)にし、その電気光
学結晶を光路に沿って順にｎ個配置したことを特徴とし
たので、電気光学結晶以外の光学素子の仕様と温度特性
は変化させず、センサ感度をｎ倍にすることができる。
１２ＧｅＯ２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４
５°となる長さＬの１／ｎ(ｎは整数)にし、その電気光
学結晶を光路に沿って順にｎ個配置したことを特徴とし
たので、電気光学結晶以外の光学素子の仕様と温度特性
は変化させず、センサ感度をｎ倍にすることができる。
【図１】 本発明の実施の形態１による光電圧・電界セ
ンサの概略構成図である。
ンサの概略構成図である。
【図２】 本発明による光電圧・電界センサのセンサ感
度測定結果の説明図である。
度測定結果の説明図である。
【図３】 本発明による光電圧・電界センサの温度特性
試験結果の説明図である。
試験結果の説明図である。
【図４】 従来の光電圧・電界センサの概略構成図であ
る。
る。
１ 光、２ 偏光子、３ａ 第１の電気光学結晶、３ｂ
第２の電気光学結晶、４ 波長板、５ 検光子、６
透明電極、７ 交流電圧、８ 偏光子の偏光方向を示す
矢印、９ 検光子の偏光方向を示す矢印、１０ 電気光
学効果による複屈折軸方向を示す矢印、１１ 波長板の
軸方向を示す矢印、１２ 光検出器。
第２の電気光学結晶、４ 波長板、５ 検光子、６
透明電極、７ 交流電圧、８ 偏光子の偏光方向を示す
矢印、９ 検光子の偏光方向を示す矢印、１０ 電気光
学効果による複屈折軸方向を示す矢印、１１ 波長板の
軸方向を示す矢印、１２ 光検出器。
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(72)発明者 伊東 啓太
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
(72)発明者 越智 直輝
東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三
菱電機株式会社内
Ｆターム(参考） 2G025 AA12 AB11 AC06 AC07
Claims (3)
- 【請求項１】 光路に沿って偏光子、電気光学結晶、波
長板、検光子が順に配置されてなる光電圧・電界センサ
において、前記電気光学結晶としてＢｉ１２ＧｅＯ２０
からなる電気光学結晶を複数個設け、前記各電気光学結
晶にそれぞれ同一の電圧又は電界を印加することを特徴
とする光電圧・電界センサ。 - 【請求項２】 光源の波長に応じ、前記複数個の電気光
学結晶の光路長の合計をＢｉ１２ＧｅＯ２０の旋光能に
よる直線偏光の回転角度が４５°となる長さＬに設定す
ることを特徴とする請求項１に記載の光電圧・電界セン
サ。 - 【請求項３】 前記電気光学結晶の光路長をＢｉ１２Ｇ
ｅＯ２０の旋光能による直線偏光の回転角度が４５°と
なる長さＬの１／ｎ(ｎは整数)にし、その電気光学結晶
を光路に沿って順にｎ個配置したことを特徴とする請求
項１又は２に記載の光電圧・電界センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002157569A JP4102106B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 光電圧・電界センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002157569A JP4102106B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 光電圧・電界センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003344458A true JP2003344458A (ja) | 2003-12-03 |
| JP4102106B2 JP4102106B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002157569A Expired - Fee Related JP4102106B2 (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 光電圧・電界センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4102106B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100363745C (zh) * | 2004-11-16 | 2008-01-23 | 山东科技大学 | 基于位相调制的光纤电压测量装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101841722B1 (ko) * | 2016-11-10 | 2018-05-08 | 옵토파워주식회사 | 광을 이용한 전류/온도 측정장치 |
| KR101841721B1 (ko) * | 2016-11-10 | 2018-05-08 | 옵토파워주식회사 | 광을 이용한 전류 측정장치 |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002157569A patent/JP4102106B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4102106B2 (ja) | 2008-06-18 |
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