JP2003337176A - 放射線源位置検出方法、放射線源位置検出システム、及び放射線源位置検出用プローブ - Google Patents
放射線源位置検出方法、放射線源位置検出システム、及び放射線源位置検出用プローブInfo
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Abstract
ための放射線源位置検出方法、放射線源位置検出システ
ム、及び放射線源位置検出用プローブを提供すること。 【解決手段】 3つの放射線検出器20a、20b、2
0cを異なる位置に配置する。各放射線検出器20a、
20b、20cが入射した放射線に基づいて、放射線源
の存在する曲面Ma、Mb、Mcを計算する。各曲面M
a、Mb、Mcの方程式を連立して解くことで、放射線
源の位置を検出する放射線源位置検出システムである。
Description
分野、医療分野等において利用され、放射線源の存在位
置を検出するための放射線源位置検出方法、放射線源位
置検出システム、及び放射線源位置検出用プローブに関
する。
像情報を発生する放射線検出システムは、様々な技術分
野において利用されている。例えば、ある天体からの輻
射場を検出することで、その天体の物理的状況や空間的
構造を知ることができ、また、人体等にX線を照射し、
その透過波を調べることで、当該人体等の断層像を取得
することもできる。この他にも、原子力分野(放射線廃
棄物のガラス固化検査や放射線モニタ装置等)、非破壊
検査分野(半導体検査装置等)、資源探査分野(地中の
資源探査等)等、種々の分野において利用されている。
線検出システムは、検出器面に飛来する光子を検知し、
これに基づいて放射線のエネルギーを測定する、又は画
像化するものが殆どであり、放射線源の位置を高い精度
にて検出することはできない。
鑑みてなされたもので、放射線源の存在位置を高い精度
にて検出するための放射線源位置検出方法、放射線源位
置検出システム、及び放射線源位置検出用プローブを提
供することを目的としている。
成するため、次のような手段を講じている。
される放射線を、少なくとも3つの異なる検出位置にお
いて検出し、各検出位置において検出された放射線に基
づいて、放射線源の存在する少なくとも3つの領域を推
定し、推定された前記各領域に基づいて、前記放射線源
の位置を検出することを具備する放射線源位置検出方法
である。
される放射線を、少なくとも3つの異なる入射方向に沿
って検出し、各入射方向に沿って検出された放射線に基
づいて、放射線源の存在する少なくとも3つの領域を推
定し、推定された前記各領域に基づいて、前記放射線源
の位置を検出することを具備する放射線源位置検出方法
である。
され、それぞれが入射した放射線を検出する少なくとも
3つの放射線検出手段と、前記各放射線検出手段によっ
て検出された放射線に基づいて、放射線源の存在する領
域を推定する放射線源存在領域推定手段と、前記放射線
源存在領域推定手段のそれぞれによって推定された各領
域に基づいて、前記放射線源の位置を検出する位置検出
手段とを具備することを特徴とする放射線源位置検出シ
ステムである。
を、それぞれ異なる第1、第2、及び第3の方向に関し
て検出する放射線検出手段と、前記第1、第2及び第3
の方向のそれぞれに関して検出された各放射線に基づい
て、放射線源の存在する第1の領域、第2の領域及び第
3の領域を推定する放射線源存在領域推定手段と、前記
放射線源存在領域推定手段のそれぞれによって推定され
た各領域に基づいて、前記放射線源の位置を検出する位
置検出手段とを具備することを特徴とする放射線源位置
検出システムである。
を、それぞれ異なる第1、第2、及び第3の方向に関し
て検出する放射線検出プローブであって、第1の検出プ
レートを有する第1の層と、前記第1の層の前段又は後
段に所定の間隔で配置され、第2、第3及び第4の検出
プレートを備えた第2の層と、前記検出プレートのそれ
ぞれに設けられ、各検出プレートに発生した電荷を収集
する電荷収集手段と、を有し、入射する放射線を、前記
第1の検出プレートと前記第2の検出プレートとからな
る第1の検出ユニットにより前記第1の方向に関して検
出し、前記第1の検出プレートと前記第3の検出プレー
トとからなる第2の検出ユニットにより前記第2の方向
に関して検出し、前記第1の検出プレートと前記第4の
検出プレートとからなる第3の検出ユニットにより前記
第3の方向に関して検出することを特徴とする放射線検
出プローブである。
を、それぞれ異なる第1、第2、及び第3の方向に関し
て検出する放射線検出プローブであって、第1の検出プ
レートと、前記第1のプレートと第1の間隔で配置され
る第2の検出プレートと、前記第1のプレートと第2の
間隔で配置され、前記第1の検出プレート又は前記第2
の検出プレートと異なる形状又は異なる中心軸を有する
第3の検出プレートと、を有し、入射する放射線を、前
記第1の検出プレートと前記第2の検出プレートとから
なる第1の検出ユニットにより前記第1の方向に関して
検出し、前記第1の検出プレートと前記第3の検出プレ
ートとからなる第2の検出ユニットにより前記第2の方
向にに関して検出し、前記第2の検出プレートと前記第
3の検出プレートとからなる第3の検出ユニットにより
前記第3の方向に関して検出することを特徴とする放射
線検出プローブである。
位置を高い精度にて検出するための放射線源位置検出方
法、放射線源位置検出システム、及び放射線源位置検出
用プローブを実現することができる。
施形態を図面に従って説明する。なお、以下の説明にお
いて、略同一の機能及び構成を有する構成要素について
は、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行
う。
係る放射線源位置計測システム10を示した図である。
本放射線源位置計測システム10は、例えば、天体観測
分野、原子力開発分野、非破壊検査分野、資源探査分野
等に実用的なものである。図1に示すように放射線源位
置計測システム10は、放射線検出器20a、20b、
20c、信号処理部24、検出ガンマ線解析装置26、
コンピュータ28を具備している。
れぞれは、X線又はγ線等の放射線を検出する。放射線
検出器20は、後述するように、検出面としての少なく
とも二枚の検出器プレートを放射線入射方向に積層した
構造を持つ。各検出器プレートは、放射線入射方向に沿
ってそれぞれ独立に移動可能となっている。この放射線
検出器20についての詳細な説明は後述する。
20b、20cのそれぞれが検出した検出信号を増幅
し、雑音の混入やS/N比の低下を防止する。また、信
号処理部24は、検出信号の標本化、さらなる増幅、ト
リガ信号の生成、サンプルホールド等の信号処理を行
う。
部260、ディスクリミネータ261、トリガ信号発生
ビットパターン取得部262、システムバスPCトラン
スレータ263、MCA(Multi Channel Analyzer:マ
ルチチャネルアナライザ)264、高電圧電源265、
波形整形部266、システムバス267を有している。
信号をデジタル信号に変換する。
調、又は位相変調された信号波から、もとの信号波取り
だす。
2は、ディスクリミネータ261によって抽出された信
号波に基づいて、検出されたガンマ線のビットパターン
を取得する。このトリガ信号発生ビットパターン取得部
262によって取得されたガンマ線の検出情報は、後述
するガンマ線源までの距離計測、方向計測のためにコン
ピュータ28に送信される。なお、トリガ発生ビットパ
ターンの取得は、コンピュータ28が実行する構成であ
ってもよい。
は、システムバス267からコンピュータ28に種々の
信号を送信する送信器である。
チャネルアナライザ)264は、A/D変換部260に
より変換されたデジタル信号の信号値をヒストグラム処
理する。
a、20b、20cのそれぞれが有する各検出プレート
の電極に印加するための高電圧を発生する。本高電圧電
源265から電極に電圧を供給された各検出器プレート
は、本プレートが半導体である場合には、ガンマ線を入
射して電子と正孔(ホール)を発生する。また、本プレ
ートがシンチレータである場合には、ガンマ線を入射し
て、可視光から紫外線までの領域の光を発生する。
振幅軸上又は時間軸上に沿って所定の波形に変換する。
装置26の内部の各デバイス間で種々の信号を送受信す
るための回路である。
ターン取得部262によって取得されたガンマ線のビッ
トパターンを記憶する。
等の機能を有するワークステーション、又はパーソナル
コンピュータ等である。コンピュータ28は、検出ガン
マ線解析装置26から受信した放射線検出器20a、2
0b、20cのそれぞれからのガンマ線検出情報に基づ
いて、図1に示すような検出ガンマ線のエネルギーカウ
ント分布の計測、後述するガンマ線源存在領域の計算、
ガンマ線源の位置検出等を実行する。
る数的処理、画像処理等の機能を持たせ、当該検出ガン
マ線解析装置26が後述するガンマ線源存在領域の計
算、ガンマ線源の位置検出等を実行する構成であっても
よい。
a、20b、20c(以下、「放射線検出器20a等」
と称する。)の概略構成について詳しく説明する。
観図であり、図2(b)は、放射線検出器20a等の内
部構成を説明するための図である。また、図3(a)は
放射線検出器20a等の上面図、図3(b)は底面図、
図3(c)は背面図、図3(d)は図3(a)中A−A
に沿った断面図をそれぞれ示している。
出器20a等は、二枚の検出プレート200と、各検出
プレート200設けられ、当該各検出プレート200に
放射線が入射した場合に発生する電荷を収集するための
第1の電極201、第2の電極202と、を有してい
る。第1及び第2の電極の一方はアノードに、他方はカ
ソードに割り当てられる。
の半導体等からなる半導体プレートである。半導体以外
にも、シンチレータ(例えば、NaI、Ge、GsO、
BGO等)等を使用することが出来る。特に検出プレー
ト200が半導体検出器で構成されている場合は、第1
の電極201、第2の電極202によって、それぞれの
プレートに個別の電位を印加することが可能である。
に示すように、遮蔽率向上の観点から半導体等による平
面としている。この構成により、高い精度にて入射した
ガンマ線数をカウントし、そのエネルギーを検出(スペ
クトラム解析)することができる。しかし、検出プレー
ト200は図2、図3に示す平面形態に限定する趣旨で
はなく、例えば特願平2001−339711に記載さ
れているようなイメージを取得可能な形態であってもよ
い。
析装置26とは、コネクタ22によって接続されてお
り、電極によって収集された電荷は、各検出プレート2
00毎(チャネル毎)に後段の検出ガンマ線解析装置2
6に送信される(図3(c)参照))。
0を二枚具備する放射線検出器20a等を例示している
が、検出精度の向上又は検出手法の自由度拡大の観点か
ら、さらに多くの検出プレート200を有する構成であ
ってもよい。何れの構成であっても、検出プレート20
0同士の間隔は、制御可能であることが好ましい。
200毎に電荷収集機構を有しているから、ガンマ線が
反応を起こした位置(すなわち、ガンマ線が反応を起こ
した検出プレート200)と、そこで検出したエネルギ
ーとを独立に知ることができ、また、放射線源までの距
離を知ることができる。
ト200で検出したガンマ線のエネルギースペクトル又
はその総和から、入射したガンマ線のエネルギー分布又
はラインガンマ線のエネルギー値を知ることができる。
また、一般に、放射線源までの距離を測定するために必
要なものは、単一のエネルギーをもったガンマ線(ライ
ンガンマ線)である。本検出器20において放射線源ま
での距離を測定する場合、入射ガンマ線のエネルギーに
等しいエネルギーが、いずれかのプレート200(一層
のみ)で検出されたような事象のみを選択し、プレート
200毎に検出された事象の数を比較する。この比較に
より、そのラインガンマ線が、検出器からどの位の距離
にあるかを知ることができる。
射線源位置計測システム10による位置計測処理を説明
する。図4(a)、(b)は、本放射線源位置計測シス
テム10によって実行される位置計測処理を説明するた
めの図である。図4(a)に示す極座標系において、放
射線源が(r,θ,φ)で表される位置にあるとする。
このとき、例えば特願平2002−122524に記載
の手法によれば、入射面から数えてi番目の検出器プレ
ートでの放射線のカウント数Ciは、次の式(1)に比
例する。
放射線吸収の効果を表し、検出器の形状(すなわち、検
出プレートの形状)に依存する。また、r2/[r2s
in2θ+{rsinθ+(i−1)d}]は、各検出
プレートによって異なる放射線源までの距離の効果を表
している。
aの各検出プレート間のカウント数の比を測定し、χ2
フィッティングにより、χ2の値を最小にするGa(r
a,θa)=0を得ることができる。また、他の検出器
20b、20cについても同様に、図4(b)に示すよ
うに、放射線検出器20b、20cのそれぞれによる検
出データに基づいて、χ2の値を最小にする曲面の方程
式Gb(rb,θb)=0、Gc(rc,θc)=0を
得ることができる。
線源が存在する推定される曲面Ga(ra,θa)=
0、Gb(rb,θb)=0、Gc(rc,θc)=0
は、のそれぞれは、座標変換することで、Ma(r,
θ,φ)=0、Mb(r,θ,φ)=0、Mc(r,
θ,φ)=0と書くことができる。本放射線源位置計測
システム10では、この様にして求められた曲面Ma、
Mb、Mcの方程式を連立して解くことにより、放射線
源の位置を一意的に特定する。直観的に説明すると、次
のようである。すなわち、放射線源は曲面Ma、Mb、
Mc上に存在することから、例えば放射線源は曲面Ma
と曲面Mbとが交わる曲線上に存在する。これをCとす
れば、当該曲線Cと曲面Mcとの交点が上記連立方程式
の解であり、放射線源の座標(r,θ,φ)を意味す
る。
(ra,θa)=0、Gb(rb,θb)=0、Gc
(rc,θc)=0は、上記の様な解析的手法の他に、
以下述べる数値的計算による手法、及び較正実験による
手法によっても求めることができる。
である。すなわち、まず、ある位置に放射線源を配置し
たとき、各検出プレートのカウント数の比がどのように
なるかを、モンテカルロ法等のシミュレーションによ
り、予め求め、記憶しておく。このとき、検出器20の
形状(すなわち、検出プレート200の形状)等の情報
も、取り入れておくことが望ましい。
ト数の比を、所定の領域内(例えば、放射線源が存在す
ると考えられる領域内)の各位置について求め、記憶し
ておく。
を検出する。各検出結果に基づいて、上記手法にて各検
出プレートのカウント数の比を求め、上記シミュレーシ
ョン結果と比較することにより、候補となる放射線源位
置を、それぞれの検出器毎に選択する。
源位置は、放射線源が存在すると推定される曲面Ga
(ra,θa)=0、Gb(rb,θb)=0、Gc
(rc,θc)=0上に存在するはずである。従って、
候補となる放射線源位置に基づいて、検出器毎に曲面G
a(ra,θa)=0、Gb(rb,θb)=0、Gc
(rc,θc)=0を求めることができる。
シミュレーションの代わりに、実際の測定によって、各
検出プレートのカウント数の比と検出器配置位置との関
係を予め求めておく。この関係に基づいて、実際の検出
結果から上記候補となる放射線源位置を選択し、これよ
り、検出器毎に曲面Ga(ra,θa)=0、Gb(r
b,θb)=0、Gc(rc,θc)=0を求めること
ができる。
析的手法、数値計算的手法、較正実験による手法のいず
れかにより、少なくとも三つの放射線検出器により放射
線源が存在する曲面の方程式を、少なくとも三つ特定
し、この少なくとも三つの曲線の方程式を連立し解くこ
とで、放射線源の空間的位置を正確に求めることができ
る。従って、操作者は、例えば放射線検出器を異なる3
つの位置に配置し検出することで、容易に放射線源の位
置を特定することができる。
線源位置計測システムは、例えば医療分野等に実用的な
ものである。図5は、本実施形態に係る放射線源位置計
測システム50の概略構成と示した図である。放射線源
位置計測システム50は、放射線検出器20a、20
b、20cを小型化し、一つの筐体に格納したプローブ
52を具備している。その他の構成要素は、図1に示し
たシステム10と略同一である。
めの図である。同図に示すように、プローブ52は、小
型化された放射線検出器20a、20b、20cを有し
ている。各放射線検出器間の相対的な位置関係は、上記
手法によって放射線源を一意的に特定できるものであれ
ばよく、特に限定する趣旨ではない。すなわち、曲面M
a、Mb、Mcの方程式を互いに独立とするものであれ
ば、どのような位置関係であってもよい。例えば、図7
(a)に示すように放射線検出器同士を話して設置する
構成であっても、図7(b)に示すように放射線検出器
同士を隣接させる構成であってもよい。また、図7
(c)に示すように、検出プレート200は、他の放射
線検出器を構成する検出プレート200と必ずしも平行
である必要はない。しかしながら、プローブ52のコン
パクト化の観点からは、放射線検出器間の距離は小さ
く、また、放射線検出器20a、20b、20cは並列
に設けられていることが好ましい。
cの不適切な位置関係としては、同軸上に配列する形態
が挙げられる。この場合には、曲面Ma、Mb、Mcの
方程式を連立しても、放射線源の位置としての解を一意
的に決定できないからである。
存在する独立した三つの曲面(すなわち、図4(b)に
示すMa、Mb、Mc)を特定できれば、連立方程式を
解くことで放射線源の位置を求めることが出来る。従っ
て、放射線源が存在する独立した曲面を最低3つ特定で
きる構成を有することが、本システムにとって重要であ
る。換言すれば、独立した三つの曲面を特定できれば、
どのような構成であってもよい。
形例について説明する。
形例を説明するための図である。図8(a)に示すプロ
ーブ52は、小型化された検出プレート200が一枚は
め込まれた第1の検出層53と、小型化された検出プレ
ート200が三枚はめ込まれた第2の検出層54とを有
するものである。このような形態のプローブ52であっ
ても、図8(b)に示すように、前段の検出プレート2
00と後段の検出プレート200とからなる独立した
A,B,Cの三つの検出器を構成することができる。従
って、独立した三つの曲面を特定することができる。
図8(b)に示す検出プレート200の第1の検出層5
3と第2の検出層54との位置を入れ替えたものであ
る。このような形態のプローブ52であっても、図8
(b)に示すように、前段の検出プレート200と後段
の検出プレート200とからなる独立したA,B,Cの
三つの検出器を構成することがでる。従って、独立した
三つの曲面を特定することができる。
は、小型化された検出プレート200が一枚はめ込まれ
た第1の検出層57、58、59が、同一方向に沿って
配列されているものである。ただし、第1の検出層5
7、58、59の少なくとも一つの検出プレートは、他
の層の検出プレートと中心軸を共有しないか、又は異な
る形状若しくは異なる大きさを有している。このような
形態のプローブ52であっても、図10(b)に示すよ
うに、異なる検出プレート200の組み合わせからなる
独立したA,B,Cの三つの検出器を構成することがで
きる。従って、独立した三つの曲面を特定することがで
きる。
療分野等において、放射性同位元素で標識された薬剤を
吸収した部位等を、高い精度にて特定することができ
る。特に、上記プローブは、コンパクトな形状であるか
ら、手に持って患部に隣接させてたり、狭い領域に挿入
して使用する等、所望の位置に容易に配置することがで
きる。
が、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各
種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら
変形例及び修正例についても本発明の範囲に属するもの
と了解され、例えば次の(1)、(2)に示すように、
その要旨を変更しない範囲で種々変形可能である。
は、3つの放射線検出器20a、20b、20cによ
り、異なる3つの位置において放射線源が存在する曲面
Ma、Mb、Mcを特定する構成であった。これに対
し、例えば1つの放射線検出器20aのみを具備する構
成とし、この放射線検出器20aの検出位置をずらすこ
とで、異なる3つの位置において放射線源が存在する曲
面Ma、Mb、Mcを特定する構成であってもよい。
放射線検出器20a等の位置を遠隔的に制御するための
機構をさらに具備する構成であってもよい。
わせて実施してもよく、その場合組合わせた効果が得ら
れる。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含
まれており、開示される複数の構成要件における適宜な
組合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実
施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削
除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた
課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果
の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が
削除された構成が発明として抽出され得る。
置を高い精度にて検出するための放射線源位置検出方
法、放射線源位置検出システム、及び放射線源位置検出
用プローブを実現できる。
ステム10を示した図である。
であり、図2(b)は、放射線検出器20a等の内部構
成を説明するための図である。
図3(b)は底面図、図3(c)は背面図、図3(d)
は図3(a)中A−Aに沿った断面図をそれぞれ示して
いる。
ステム10によって実行される位置計測の概念を説明す
るための図である。
ステム50の概略構成と示した図である。
図である。
説明するための図である。
の図である。
の図である。
ための図である。
Claims (15)
- 【請求項1】放射線源から輻射される放射線を、少なく
とも3つの異なる検出位置において検出し、 各検出位置において検出された放射線に基づいて、放射
線源の存在する少なくとも3つの領域を推定し、 推定された前記各領域に基づいて、前記放射線源の位置
を検出すること、 を具備する放射線源位置検出方法。 - 【請求項2】放射線源から輻射される放射線を、少なく
とも3つの異なる入射方向に沿って検出し、 各入射方向に沿って検出された放射線に基づいて、放射
線源の存在する少なくとも3つの領域を推定し、 推定された前記各領域に基づいて、前記放射線源の位置
を検出すること、 を具備する放射線源位置検出方法。 - 【請求項3】前記放射線は、所定の間隔で配置された二
枚の検出プレートによって検出され、 前記各領域は、前記所定の間隔と前記各検出プレートに
入射した放射線の数とに基づいて推定されること、 を特徴とする請求項1又は2記載の放射線源位置検出方
法。 - 【請求項4】異なる位置に配置され、それぞれが入射し
た放射線を検出する少なくとも3つの放射線検出手段
と、 前記各放射線検出手段によって検出された放射線に基づ
いて、放射線源の存在する領域を推定する放射線源存在
領域推定手段と、 前記放射線源存在領域推定手段のそれぞれによって推定
された各領域に基づいて、前記放射線源の位置を検出す
る位置検出手段と、 を具備することを特徴とする放射線源位置検出システ
ム。 - 【請求項5】前記各放射線検出手段は、 所定の間隔で配置され、入射した放射線を検出する二枚
の検出プレートと、 前記検出プレートのそれぞれに設けられ、各検出プレー
トに発生した電荷を収集する電荷収集手段と、 を有し、 前記各放射線源存在領域推定手段は、 前記各電荷収集手段によって収集された検出プレート毎
の電荷に基づいて、各検出プレートに入射した放射線の
数を検出する入射数検出手段と、 前記各検出プレートに入射した放射線の数と前記所定の
間隔の距離とに基づいて、前記放射線源が存在する領域
を計算する領域計算手段と、 を有することを特徴とする請求項4記載の放射線源位置
検出システム。 - 【請求項6】前記各検出プレートは、半導体又はシンチ
レータからなることを特徴とする請求項5記載の放射線
源位置検出システム。 - 【請求項7】入射する放射線を、それぞれ異なる第1、
第2、及び第3の方向に関して検出する放射線検出手段
と、 前記第1、第2及び第3の方向のそれぞれに関して検出
された各放射線に基づいて、放射線源の存在する第1の
領域、第2の領域及び第3の領域を推定する放射線源存
在領域推定手段と、 前記放射線源存在領域推定手段のそれぞれによって推定
された各領域に基づいて、前記放射線源の位置を検出す
る位置検出手段と、 を具備することを特徴とする放射線源位置検出システ
ム。 - 【請求項8】前記放射線検出手段は、 第1の検出プレートを有する第1の層と、 前記第1の層の前段又は後段に所定の間隔で配置され、
第2、第3及び第4の検出プレートを備えた第2の層
と、 前記検出プレートのそれぞれに設けられ、各検出プレー
トに発生した電荷を収集する電荷収集手段と、を有し、 前記第1の検出プレートと前記第2の検出プレートとか
らなる第1の検出ユニットにより前記第1の方向から入
射する放射線を検出し、前記第1の検出プレートと前記
第3の検出プレートとからなる第2の検出ユニットによ
り前記第2の方向から入射する放射線を検出し、前記第
1の検出プレートと前記第4の検出プレートとからなる
第3の検出ユニットにより前記第3の方向から入射する
放射線を検出し、 前記各放射線源存在領域推定手段は、 前記各電荷収集手段によって収集された検出プレート毎
の電荷に基づいて、各検出プレートに入射した放射線の
数を検出する入射数検出手段と、 第1の検出ユニットを構成する前記各検出プレートに入
射した放射線の数と、前記第1の検出プレートと前記第
2の検出プレートとの間隔距離と、に基づいて、前記放
射線源が存在する前記第1の領域を推定し、 第2の検出ユニットを構成する前記各検出プレートに入
射した放射線の数と、前記第1の検出プレートと前記第
3の検出プレートとの間隔距離と、に基づいて、前記放
射線源が存在する前記第2の領域を推定し、 第3の検出ユニットを構成する前記各検出プレートに入
射した放射線の数と、前記第1の検出プレートと前記第
4の検出プレートとの間隔距離と、に基づいて、前記放
射線源が存在する前記第3の領域を推定すること、 を有することを特徴とする請求項7記載の放射線源位置
検出システム。 - 【請求項9】前記第1乃至第4の検出プレートのそれぞ
れは、半導体又はシンチレータからなることを特徴とす
る請求項8記載の放射線源位置検出システム。 - 【請求項10】前記放射線検出手段は、 第1の検出プレートと、 前記第1のプレートと第1の間隔で配置される第2の検
出プレートと、 前記第1のプレートと第2の間隔で配置され、前記第1
の検出プレート又は前記第2の検出プレートとは異なる
中心軸を有する第3の検出プレートと、を有し、 前記第1の検出プレートと前記第2の検出プレートとか
らなる第1の検出ユニットにより前記第1の方向から入
射する放射線を検出し、前記第1の検出プレートと前記
第3の検出プレートとからなる第2の検出ユニットによ
り前記第2の方向から入射する放射線を検出し、前記第
2の検出プレートと前記第3の検出プレートとからなる
第3の検出ユニットにより前記第3の方向から入射する
放射線を検出し、 前記各放射線源存在領域推定手段は、 前記各電荷収集手段によって収集された検出プレート毎
の電荷に基づいて、各検出プレートに入射した放射線の
数を検出する入射数検出手段と、 第1の検出ユニットを構成する前記各検出プレートに入
射した放射線の数と、前記第1の検出プレートと前記第
2の検出プレートとの間隔距離と、に基づいて、前記放
射線源が存在する前記第1の領域を推定し、 第2の検出ユニットを構成する前記各検出プレートに入
射した放射線の数と、前記第1の検出プレートと前記第
3の検出プレートとの間隔距離と、に基づいて、前記放
射線源が存在する前記第2の領域を推定し、 第3の検出ユニットを構成する前記各検出プレートに入
射した放射線の数と、前記第2の検出プレートと前記第
3の検出プレートとの間隔距離と、に基づいて、前記放
射線源が存在する前記第3の領域を推定すること、 を有することを特徴とする請求項7記載の放射線源位置
検出システム。 - 【請求項11】前記第1乃至第3の検出プレートのそれ
ぞれは、半導体又はシンチレータからなることを特徴と
する請求項10記載の放射線源位置検出システム。 - 【請求項12】入射する放射線を、それぞれ異なる第
1、第2、及び第3の方向に関して検出する放射線検出
プローブであって、 第1の検出プレートを有する第1の層と、 前記第1の層の前段又は後段に所定の間隔で配置され、
第2、第3及び第4の検出プレートを備えた第2の層
と、 前記検出プレートのそれぞれに設けられ、各検出プレー
トに発生した電荷を収集する電荷収集手段と、を有し、 入射する放射線を、前記第1の検出プレートと前記第2
の検出プレートとからなる第1の検出ユニットにより前
記第1の方向に関して検出し、前記第1の検出プレート
と前記第3の検出プレートとからなる第2の検出ユニッ
トにより前記第2の方向に関して検出し、前記第1の検
出プレートと前記第4の検出プレートとからなる第3の
検出ユニットにより前記第3の方向に関して検出するこ
と、 を特徴とする放射線検出プローブ。 - 【請求項13】前記第1乃至第4の検出プレートのそれ
ぞれは、半導体又はシンチレータからなることを特徴と
する請求項12記載の放射線源位置検出用プローブ。 - 【請求項14】入射する放射線を、それぞれ異なる第
1、第2、及び第3の方向に関して検出する放射線検出
プローブであって、 第1の検出プレートと、 前記第1のプレートと第1の間隔で配置される第2の検
出プレートと、 前記第1のプレートと第2の間隔で配置され、前記第1
の検出プレート又は前記第2の検出プレートと異なる形
状又は異なる中心軸を有する第3の検出プレートと、を
有し、 入射する放射線を、前記第1の検出プレートと前記第2
の検出プレートとからなる第1の検出ユニットにより前
記第1の方向に関して検出し、前記第1の検出プレート
と前記第3の検出プレートとからなる第2の検出ユニッ
トにより前記第2の方向にに関して検出し、前記第2の
検出プレートと前記第3の検出プレートとからなる第3
の検出ユニットにより前記第3の方向に関して検出する
こと、 を特徴とする放射線検出プローブ。 - 【請求項15】前記第1乃至第3の検出プレートのそれ
ぞれは、半導体又はシンチレータからなることを特徴と
する請求項14記載の放射線源位置検出用プローブ。
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