JP2003334753A - 研磨パッド - Google Patents

研磨パッド

Info

Publication number
JP2003334753A
JP2003334753A JP2002140182A JP2002140182A JP2003334753A JP 2003334753 A JP2003334753 A JP 2003334753A JP 2002140182 A JP2002140182 A JP 2002140182A JP 2002140182 A JP2002140182 A JP 2002140182A JP 2003334753 A JP2003334753 A JP 2003334753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
polishing pad
pad
holes
polished
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002140182A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Anzai
健一 安在
Hiroki Kato
宏樹 加藤
Minoru Kodama
稔 児玉
Yukinori Yamashita
志則 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitta DuPont Inc
Original Assignee
Rodel Nitta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rodel Nitta Inc filed Critical Rodel Nitta Inc
Priority to JP2002140182A priority Critical patent/JP2003334753A/ja
Publication of JP2003334753A publication Critical patent/JP2003334753A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨速度を従来よりも向上させることができ
る研磨パッドを提供しようとするもの。 【解決手段】 不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸されて
形成され、被研磨物を非CMP研磨で研磨する研磨パッ
ドであって、その研磨面1に複数の孔部2と複数の溝部
3とを具備する。この研磨パッドでは、複数の孔部によ
り研磨液を保持して被研磨物に常に研磨液が接触するこ
とができ、且つ複数の溝部により研磨中の目詰まりを防
ぎ発熱を抑え被研磨物上に均一に研磨液を供給すること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体や電子部
品の製造の際、特にシリコンウェーハなどの被研磨物を
研磨する際に使用される研磨パッドに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、シリコンウェーハなどの被研
磨物(半導体デバイス関連のCMP研磨ではないもの)
を研磨するために研磨パッドが使用されている。
【0003】前記研磨パッドは、不織布に発泡ウレタン
樹脂が含浸されて構成されている。この研磨パッドは、
発泡ウレタン材から形成された比較的に硬質の研磨パッ
ド(半導体デバイス関連のCMP研磨に用いられる)な
どと比べて軟質に形成されている。
【0004】しかし、この研磨パッドでシリコンウェー
ハなどの被研磨物を研磨した場合、パッドとウェーハ間
への研磨液(スラリー)の回り込みが悪くまた研磨液が
保持され難いので、研磨速度(レート)が思うように向
上しないという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこでこの発明は、研
磨速度を従来よりも向上させることができる研磨パッド
を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
この発明では次のような技術的手段を講じている。 この発明の研磨パッドは、不織布に発泡ウレタン樹
脂が含浸されて形成され、被研磨物を非CMP研磨(半
導体デバイス関連のCMP研磨ではないもの)で研磨す
る研磨パッドであって、その研磨面に複数の孔部と複数
の溝部とを具備することを特徴とする。
【0007】この研磨パッドでは、複数の孔部により研
磨液を保持して被研磨物に常に研磨液が接触することが
でき、且つ複数の溝部により研磨中の目詰まりを防ぎ発
熱を抑え被研磨物上に均一に研磨液を供給することがで
きる。
【0008】またこの研磨パッドは、半導体デバイス関
連のCMP研磨に用いられるような発泡ウレタン材から
形成された比較的に硬質の研磨パッドと比較して不織布
に発泡ウレタン樹脂が含浸されて形成され比較的に軟質
であり目詰まりが若干発生しやすい傾向があり、且つシ
リコンウェーハの研磨では被研磨物の研磨量が多く目詰
まりしやすい傾向があるのであるが、このような傾向に
対して複数の孔部に複数の溝部を組み合わせることによ
って目詰まりの問題を改善しつつ、前記組み合わせによ
り研磨面のスラリーの流通量が多くなりまた研磨が困難
になるまでの研磨可能時間が長くなり、シリコンウェー
ハなどの被研磨物を好適に研磨することができるという
利点がある。 前記複数の孔部の直径が約3.0〜5.0mmに、
複数の溝部の幅が約1.5〜4.0mmでそのピッチが
約15〜90mmに設定されたこととしてもよい。
【0009】このように設定すると、研磨液の流量の調
整をより円滑に行うことができるという利点がある。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。
【0011】図1乃至図4に示すように、この実施形態
の研磨パッドは、不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸され
て形成され、シリコンウェーハなどの被研磨物(図示せ
ず)を非CMP研磨(半導体デバイス関連のCMP研磨
ではないもの)で研磨するものである。
【0012】そして、その研磨面1に直径が約3.0〜
5.0mmの複数の孔部2と、幅が約1.5〜4.0m
mの複数の溝部3とを具備する。また前記複数の溝部3
のピッチは、約15〜90mmに設定している。
【0013】次に、この実施形態の研磨パッドの使用状
態を説明する。
【0014】この研磨パッドでは、直径が約3.0〜
5.0mmの複数の孔部2により研磨液を保持して被研
磨物に常に研磨液が接触することができ、且つ幅が約
1.5〜4.0mmの複数の溝部3により研磨中の目詰
まりを防ぎ発熱を抑え被研磨物上に均一に研磨液を供給
することができるので、研磨速度(レート)を従来より
も向上させることができるという利点がある。
【0015】このように、シリコンウェーハを研磨する
際の研磨速度が向上し、所定の研磨量を早く処理できる
ので、同じ時間でも従来よりも多くの処理を行うことが
できる。
【0016】この他に、この研磨パッドは以下のような
利点を有する。 (1)この研磨パッドは孔部2と共に複数の溝部3を具
備するので、研磨された研磨クズが研磨作業時の回転運
動による遠心力によりすぐに排出され、パッド自体の目
詰まりが抑制できる。また、研磨液が移動する複数の溝
部3により、研磨時の発熱を抑えてパッド自体の劣化を
抑制することによってライフの向上を図ることができ
る。 (2)研磨パッドの複数の溝部3により目詰まりを抑制
することができ、初期状態に近い状態を長く維持するこ
とができるので、ドレッシング(研磨パッドの目詰まり
の除去)の回数を削減することができる。 (3)研磨パッドは複数の孔部2や溝部3を有するの
で、初期状態で研磨液とパッドとを馴染ませる立ち上げ
ドレッシングの工程を研磨開始時に行うことなく研磨作
業を開始することができる。 (4)研磨パッドに表面加工された複数の孔部2や溝部
3によって研磨時の変形量を削減することができるの
で、エッジエクスクルージョンの改善を図ることができ
る。
【0017】
【実施例】次に、この発明の構成をより具体的に説明す
る。
【0018】図1乃至図4に示すように、この研磨パッ
ドの研磨面1の溝部3の幅は2.5mm(約1.5〜
4.0mm程度が研磨液を均一に供給し易い点から好ま
しい)、その深さは0.8mm、そのピッチは15mm
(約15〜90mm程度が被研磨物へ研磨液を均一に供
給し易く全体的な供給量の点から好ましい)としてい
る。
【0019】また、孔部2の直径は図1乃至図3に示す
ように3.0mm(実施例1参照)と、図4に示すよう
に5.0mm(実施例2参照)の二種類としている。 (実施例1)図1乃至図3に示すように、孔部2の直径
を3.0mmとして碁盤の目状に貫通孔を配列し、孔部
2相互間のピッチは6.0mm(孔部2相互間の距離は
3.0mm)としている。このような形状とすると、研
磨液を均一に保持することができるという利点がある。 (実施例2)図4に示すように、孔部2の直径を5.0
mmとして略碁盤の目状に貫通孔を配列し、孔部2相互
間のピッチは図示横方向14.0mm、縦方向15.0
mmとしている。このような形状としても同様に、研磨
液を均一に保持することができるという利点がある。
【0020】ここで、この実施例2の研磨パッドを用
い、次のようにして使用回数による研磨レートの変化に
関する試験を行った。
【0021】被研磨物としてタンタル酸リチウムを用
い、研磨液としてナルコ社製のスラリーNalco 2360
(2.7倍希釈とした)を用い、加工圧が600g/c
、回転数(ワーク)が72rpm、回転数(定盤)
も72rpm、スラリー流量が300ml/minの条
件で研磨試験を行った。研磨時間は一回目は70分、二
回目は90分、三回目は120分、四回目は160分と
した。
【0022】試験結果を、図5のパッド使用回数と研磨
レートとの関係のグラフに示す。このグラフ中、黒地の
菱形の印が実施例2の研磨パッド、×印(比較例)は研
磨面1に複数の孔部2のみが形成されたもの(すなわち
実施例2の研磨パッドのうち溝部3が形成されていない
構造のもの)である。
【0023】このグラフによると、孔部2と溝部3とを
有する実施例2の研磨パッドは孔部2のみを有する比較
例の研磨パッドよりも非常に高い研磨レートを有してい
ることが把握できる。
【0024】
【発明の効果】この発明は上述のような構成であり、次
の効果を有する。
【0025】被研磨物に常に研磨液が接触することがで
き且つ被研磨物上に均一に研磨液を供給することができ
るので、研磨速度を従来よりも向上させることができる
研磨パッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の研磨パッドの実施例1を説明する平
面図。
【図2】図1の研磨パッドの要部拡大図。
【図3】図1の研磨パッドの要部拡大斜視図。
【図4】この発明の研磨パッドの実施例2を説明する平
面視の要部拡大図。
【図5】パッド使用回数と研磨レートとの関係を示すグ
ラフ。
【符号の説明】
1 研磨面 2 孔部 3 溝部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 児玉 稔 東京都中央区銀座8−2−1 ロデール・ ニッタ株式会社東京支社内 (72)発明者 山下 志則 奈良県大和郡山市池沢町172 ロデール・ ニッタ株式会社奈良工場内 Fターム(参考) 3C058 AA09 CB03 DA17 4L033 AB07 AC15 CA20

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 不織布に発泡ウレタン樹脂が含浸されて
    形成され、被研磨物を非CMP研磨で研磨する研磨パッ
    ドであって、その研磨面に複数の孔部と複数の溝部とを
    具備することを特徴とする研磨パッド。
  2. 【請求項2】 前記複数の孔部の直径が約3.0〜5.
    0mmに、複数の溝部の幅が約1.5〜4.0mmでそ
    のピッチが約15〜90mmに設定された請求項1記載
    の研磨パッド。
JP2002140182A 2002-05-15 2002-05-15 研磨パッド Pending JP2003334753A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002140182A JP2003334753A (ja) 2002-05-15 2002-05-15 研磨パッド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002140182A JP2003334753A (ja) 2002-05-15 2002-05-15 研磨パッド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003334753A true JP2003334753A (ja) 2003-11-25

Family

ID=29701125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002140182A Pending JP2003334753A (ja) 2002-05-15 2002-05-15 研磨パッド

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003334753A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6942549B2 (en) * 2003-10-29 2005-09-13 International Business Machines Corporation Two-sided chemical mechanical polishing pad for semiconductor processing
KR101009608B1 (ko) * 2007-07-06 2011-01-20 코오롱인더스트리 주식회사 자기기록매체용 연마포
KR101096005B1 (ko) * 2008-09-04 2011-12-19 코오롱인더스트리 주식회사 연마패드 및 그의 제조방법
CN104149023A (zh) * 2014-07-17 2014-11-19 湖北鼎龙化学股份有限公司 化学机械抛光垫
US10071461B2 (en) 2014-04-03 2018-09-11 3M Innovative Properties Company Polishing pads and systems and methods of making and using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6942549B2 (en) * 2003-10-29 2005-09-13 International Business Machines Corporation Two-sided chemical mechanical polishing pad for semiconductor processing
KR101009608B1 (ko) * 2007-07-06 2011-01-20 코오롱인더스트리 주식회사 자기기록매체용 연마포
KR101096005B1 (ko) * 2008-09-04 2011-12-19 코오롱인더스트리 주식회사 연마패드 및 그의 제조방법
US10071461B2 (en) 2014-04-03 2018-09-11 3M Innovative Properties Company Polishing pads and systems and methods of making and using the same
US10252396B2 (en) 2014-04-03 2019-04-09 3M Innovative Properties Company Polishing pads and systems and methods of making and using the same
CN104149023A (zh) * 2014-07-17 2014-11-19 湖北鼎龙化学股份有限公司 化学机械抛光垫

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3778594B2 (ja) ドレッシング方法
JP3042593B2 (ja) 研磨パッド
JP2943981B2 (ja) 半導体ウェーハ用研磨パッドおよび研磨方法
KR100264756B1 (ko) 연마 패드의 드레싱 방법, 폴리싱 장치 및 반도체 장치의제조 방법
JPH10249710A (ja) Cmp用偏心溝付き研磨パッド
CN102049723A (zh) 抛光半导体晶片的方法
JPH1158220A (ja) 研磨装置
JP3324643B2 (ja) 研磨パッド
US20190099855A1 (en) Polishing apparatus
KR100694905B1 (ko) 연마방법 및 연마장치
JP2003334753A (ja) 研磨パッド
JP3528501B2 (ja) 半導体の製造方法
JP2000246627A (ja) ウェーハ研磨装置
JP3692970B2 (ja) 研磨パッド
US6780092B2 (en) Polishing tool used for CMP
KR100672124B1 (ko) Cmp 장비
JP2006156688A (ja) 鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布
KR100621754B1 (ko) 웨이퍼 캐리어 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 장치
US20230021149A1 (en) Chemical-mechanical planarization pad and methods of use
JP5311178B2 (ja) 研磨装置及び研磨装置における研磨パッドのドレス方法
KR20050008051A (ko) 연마 패드
KR100580290B1 (ko) 화학적 기계적 연마장치
KR200254354Y1 (ko) 화학 기계적 연마장치의 연마디스크 세척기
KR100207514B1 (ko) 화학기계적 연마(cmp) 장비의 연마패드 복원장치
JP2002208575A (ja) 半導体研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040927

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041101

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050530