JP2003324142A - Treatment method of semiconductor wafer and transfer device of semiconductor wafer for it - Google Patents
Treatment method of semiconductor wafer and transfer device of semiconductor wafer for itInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、剥離可能な両面粘
着テープを介して支持基板に固定された半導体ウエハ
を、所定の加工を行った後、該支持基板から剥離する処
理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of treating a semiconductor wafer fixed to a supporting substrate via a peelable double-sided adhesive tape and then peeling the semiconductor wafer from the supporting substrate, and a semiconductor therefor. The present invention relates to a wafer transfer device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、例えば、シリコンなどの半導
体ウエハを製造するには、大径の円盤状に製造して、そ
の表面に回路パターンを形成し、回路が形成された半導
体ウエハは回路面側を保護して、その裏面側を研削やエ
ッチングにより薄く加工している。2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in order to manufacture a semiconductor wafer made of silicon or the like, a semiconductor wafer having a circuit is formed by forming a disk having a large diameter and forming a circuit pattern on the surface. The side is protected and the back side is thinly processed by grinding or etching.
【０００３】最近では、ＩＣカードなど半導体チップの
厚さがますます薄いものが要求されており、従来の３０
０μｍ程度から近年１００〜５０μｍ程度まで薄い半導
体チップの需要が増加している。このようなチップを得
るため、上記のような厚みの極薄ウエハが必要となる。
このように半導体ウエハをさらに極薄にしたり、平滑性
の精度を上げる場合には、ガラス板などの硬質で平滑性
の高い支持基板に、ワックスや両面粘着テープを介して
半導体ウエハを支持し、加工を行っている。Recently, semiconductor chips such as IC cards are required to be thinner and thinner.
There is an increasing demand for thin semiconductor chips from about 0 μm to about 100 to 50 μm in recent years. In order to obtain such a chip, an ultrathin wafer having the above thickness is required.
In this way, when the semiconductor wafer is made even thinner or the accuracy of smoothness is increased, the semiconductor wafer is supported via a wax or double-sided adhesive tape on a hard and highly smooth support substrate such as a glass plate, We are processing.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
ウエハをワックスを介して支持基板に支持して、加工を
行う方法では、加工後にワックスを溶融し、さらに、有
機溶剤でワックスを溶解除去する必要があるため、作業
が煩雑であるとともに、環境へ影響を与えるおそれもあ
る。However, in the method in which the semiconductor wafer is supported on the supporting substrate via the wax for processing, it is necessary to melt the wax after processing and further dissolve and remove the wax with an organic solvent. Therefore, the work is complicated and may affect the environment.
【０００５】また、半導体ウエハを両面粘着テープを介
して支持基板に支持して、加工を行う方法では、加工後
に、半導体ウエハを支持基板から剥離する必要がある
が、剥離爪部材などの剥離装置で剥離しようとすると、
薄い半導体ウエハではこのような剥離装置が、物理的に
接触して半導体ウエハに応力が付加されることになり、
破損することになる。Further, in the method of processing by supporting the semiconductor wafer on the supporting substrate via the double-sided adhesive tape, it is necessary to peel the semiconductor wafer from the supporting substrate after processing. When I try to peel it off with
In a thin semiconductor wafer, such a peeling device makes physical contact and stress is applied to the semiconductor wafer.
It will be damaged.
【０００６】従って、このような薄く加工した半導体ウ
エハを破損することなく、半導体ウエハを支持基板から
剥離することは極めて困難であった。本発明は、このよ
うな状況を鑑みてなされたものであり、例えば、１００
〜５０μｍ程度の薄い半導体ウエハであっても、半導体
ウエハを両面粘着テープを介して支持基板に支持した状
態から、半導体ウエハを破損することなく、支持基板よ
り剥離することのできる半導体ウエハの処理方法および
そのための半導体ウエハの転写装置を提供することを目
的とする。Therefore, it is extremely difficult to peel the semiconductor wafer from the supporting substrate without damaging the thinly processed semiconductor wafer. The present invention has been made in view of such a situation, for example, 100
A method for treating a semiconductor wafer that can be peeled from the supporting substrate without damaging the semiconductor wafer, even if the semiconductor wafer is as thin as about 50 μm, while the semiconductor wafer is supported on the supporting substrate via the double-sided adhesive tape. And a semiconductor wafer transfer apparatus therefor.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、前述したよう
な従来技術における課題及び目的を達成するために発明
なされたものであって、本発明の半導体ウエハの処理方
法は、半導体ウエハが剥離可能な両面粘着テープを介し
て支持基板に支持されたワークを形成し、所定の加工を
行った後、前記支持基板から前記半導体ウエハを剥離し
て転写テープに転写する処理方法であって、前記ワーク
の支持基板側を固定テーブルに固定するワーク固定工程
と、前記ワークを前記ワークの半導体ウエハ側の面に対
し、前記転写テープを貼付する転写テープ貼付工程と、
前記転写テープが貼着されたワークを、ガイド部材と、
前記固定テーブルの間に挟持した後、前記転写テープ
を、固定テーブルに固定されたワークの支持基板に対し
て、離間する方向に案内する前記ガイド部材の案内面に
沿って、前記転写テープを進行させるとともに、前記固
定テーブルに固定されたワークを、前記転写テープの進
行に伴って搬送させ、前記半導体ウエハを、前記固定テ
ーブルに固定されたワークの支持基板から剥離して、前
記支持基板から前記転写テープに転写する剥離転写工程
と、を有することを特徴とする。The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned problems and objects in the prior art. In the method of processing a semiconductor wafer according to the present invention, the semiconductor wafer is peeled off. A processing method of forming a work supported on a supporting substrate via a possible double-sided adhesive tape, performing a predetermined process, peeling the semiconductor wafer from the supporting substrate, and transferring the semiconductor wafer to a transfer tape. A work fixing step of fixing the support substrate side of the work to a fixing table; a transfer tape attaching step of attaching the transfer tape to the surface of the work on the semiconductor wafer side.
A work to which the transfer tape is attached, a guide member,
After being sandwiched between the fixed tables, the transfer tape is advanced along a guide surface of the guide member that guides the transfer tape in a direction in which the transfer tape is separated from the support substrate of the work fixed to the fixed table. In addition, the work fixed to the fixed table is conveyed along with the progress of the transfer tape, the semiconductor wafer is peeled from the support substrate of the work fixed to the fixed table, and the semiconductor substrate is removed from the support substrate. And a peeling transfer step of transferring to a transfer tape.
【０００８】このように構成することによって、転写テ
ープを、剥離可能な両面粘着テープを介して支持基板に
支持された半導体ウエハに貼り付けて、この転写テープ
を介して、半導体ウエハを支持基板から転写テープ側に
転写するので、半導体ウエハと接触するのは、この柔軟
な転写テープだけであるため、半導体ウエハを破損する
ことがない。With this structure, the transfer tape is attached to the semiconductor wafer supported by the supporting substrate via the peelable double-sided adhesive tape, and the semiconductor wafer is removed from the supporting substrate via the transfer tape. Since the transfer is performed to the transfer tape side, only the flexible transfer tape comes into contact with the semiconductor wafer, so that the semiconductor wafer is not damaged.
【０００９】しかも、このような転写の際に、転写テー
プを、固定テーブルに固定されたワークの支持基板に対
して、離間する方向に案内するガイド部材の案内面に沿
って進行させるとともに、この転写テープの進行に伴っ
てワークを進行させるようになっている。従って、半導
体ウエハが、転写の際に、ガイド部材の案内面に沿って
湾曲しながら追随して、固定テーブルに固定されたワー
クの支持基板から剥離して、支持基板から転写テープに
転写されることになる。この際、曲げに対して許容でき
るひずみは、半導体ウエハが１００〜５０μｍ程度と薄
厚であれば比較的大きくなっているので、半導体ウエハ
の破損（破壊）を伴わずに、容易に支持基板から剥離し
て、支持基板から転写テープ側に転写することができ
る。In addition, during such transfer, the transfer tape is advanced along the guide surface of the guide member for guiding the transfer tape in the direction of separating from the support substrate of the work fixed to the fixed table. The work is made to progress as the transfer tape progresses. Therefore, at the time of transfer, the semiconductor wafer follows the guide surface of the guide member while curving, is separated from the support substrate of the work fixed to the fixed table, and is transferred from the support substrate to the transfer tape. It will be. At this time, the strain allowable for bending is relatively large if the semiconductor wafer is as thin as about 100 to 50 μm, so that the semiconductor wafer can be easily separated from the supporting substrate without damage (breakage). Then, the transfer can be performed from the support substrate to the transfer tape side.
【００１０】また、半導体ウエハを転写テープに転写し
た後、転写テープをそのままダイシングテープとして使
用することが可能となり、極薄に加工された半導体ウエ
ハを搬送する間に破損する可能性が極めて小さくなる。
また、本発明の半導体ウエハの処理方法は、前記ガイド
部材の案内面が、前記半導体ウエハを破損しない程度の
曲率半径を有する案内面を有することを特徴とする。Further, after the semiconductor wafer is transferred onto the transfer tape, the transfer tape can be used as it is as a dicing tape, and the possibility of damage during the transportation of the extremely thin processed semiconductor wafer becomes extremely small. .
Further, the semiconductor wafer processing method of the present invention is characterized in that the guide surface of the guide member has a guide surface having a radius of curvature that does not damage the semiconductor wafer.
【００１１】これによって、転写の際に、半導体ウエハ
が、ガイド部材の案内面に沿って容易に湾曲しながら追
随して、固定テーブルに固定されたワークの支持基板か
ら剥離して、支持基板から転写テープ側に、半導体ウエ
ハの破損（破壊）をさらに伴わずに転写することができ
る。また、本発明の半導体ウエハの処理方法は、前記ガ
イド部材の案内面の曲率半径が、前記半導体ウエハを前
記固定テーブルに固定されたワークの支持基板から剥離
する剥離開始位置における曲率半径が大きく、剥離が進
むにつれて曲率半径が小さく設定されていることを特徴
とする。As a result, at the time of transfer, the semiconductor wafer follows the guide surface of the guide member while being easily curved, and is peeled off from the supporting substrate of the work fixed to the fixed table to be separated from the supporting substrate. It is possible to transfer to the transfer tape side without further damage (breakage) of the semiconductor wafer. In the semiconductor wafer processing method of the present invention, the radius of curvature of the guide surface of the guide member has a large radius of curvature at a peeling start position at which the semiconductor wafer is peeled from a support substrate of a workpiece fixed to the fixed table, It is characterized in that the radius of curvature is set smaller as the peeling progresses.
【００１２】このように、剥離開始位置における曲率半
径が大きく構成されているので、剥離、転写の開始時
に、ウエハが急激に湾曲することがない。従って、ウエ
ハが破損することなく、スムーズに湾曲して、ワークの
支持基板から剥離して、支持基板から転写テープ側への
転写が開始される。そして、剥離が進むにつれて曲率半
径が小さく設定されているので、この湾曲、剥離、転写
がスムーズに行われて、ワークの支持基板から剥離し
て、支持基板から転写テープ側へ、完全に転写されるこ
とになる。Since the radius of curvature at the peeling start position is large in this way, the wafer does not bend sharply at the start of peeling and transfer. Therefore, without damaging the wafer, the wafer is smoothly curved, separated from the support substrate of the work, and the transfer from the support substrate to the transfer tape side is started. Since the radius of curvature is set smaller as the peeling progresses, this bending, peeling, and transfer are performed smoothly, peeling from the support substrate of the work, and completely transferred from the support substrate to the transfer tape side. Will be.
【００１３】また、本発明の半導体ウエハの処理方法
は、前記剥離転写工程により半導体ウエハが転写された
転写テープ上の半導体ウエハの外周部に、リングフレー
ムを貼り付けて、前記半導体ウエハを転写テープを介し
てリングフレームに支持するリングフレーム貼付工程を
さらに有することを特徴とする。このように構成するこ
とによって、半導体ウエハを転写テープに転写した後、
転写テープにリングフレームを貼付することにより、こ
のリングフレームを介して、半導体ウエハを従来と同様
の手段によって搬送することができ、この際に極薄に加
工された半導体ウエハが必ず支持基板またはリングフレ
ームに支持固定されているため、搬送する間に破損する
可能性が極めて小さくなる。Further, in the semiconductor wafer processing method of the present invention, a ring frame is attached to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer on the transfer tape to which the semiconductor wafer has been transferred in the peeling transfer step, and the semiconductor wafer is transferred to the transfer tape. The method further comprises a ring frame attaching step of supporting the ring frame via the ring frame. With this configuration, after transferring the semiconductor wafer to the transfer tape,
By attaching the ring frame to the transfer tape, the semiconductor wafer can be transported through the ring frame by the same means as the conventional method. At this time, the semiconductor wafer extremely thinly processed must be the support substrate or the ring. Since it is supported and fixed to the frame, the possibility of breakage during transportation is extremely small.
【００１４】また、本発明の半導体ウエハの処理方法
は、前記半導体ウエハを転写テープを介してリングフレ
ームに支持した状態で、半導体ウエハをダイシングする
ダイシング工程をさらに有することを特徴とする。この
ように構成することによって、半導体ウエハ転写テープ
に転写した後、転写テープにリングフレームに貼付する
ことにより、転写テープをそのままダイシングテープと
して使用することが可能となる。また、このように転写
テープをダイシングテープとして使用するため、半導体
ウエハのテープの貼りかえが不要となり、極薄に加工さ
れた半導体ウエハをテープを貼りかえる間に破損する可
能性がなくなる。Further, the semiconductor wafer processing method of the present invention is characterized by further comprising a dicing step of dicing the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is supported by a ring frame via a transfer tape. With this configuration, after the transfer tape is transferred to the semiconductor wafer transfer tape and then attached to the ring frame on the transfer tape, the transfer tape can be used as it is as a dicing tape. Further, since the transfer tape is used as a dicing tape in this way, it is not necessary to replace the tape on the semiconductor wafer, and there is no possibility of damaging the ultrathin-processed semiconductor wafer during the replacement of the tape.
【００１５】また、本発明の半導体ウエハの処理方法
は、前記半導体ウエハが予め研磨された半導体ウエハで
あって、前記ワーク上の剥離可能な両面転写テープを介
して支持基板に支持された状態で、半導体ウエハをダイ
シングするダイシング工程を有することを特徴とする。
このように半導体ウエハが予め研磨された半導体ウエハ
で、ダイシングされているので、このダイシングされた
状態のまま、ワークの支持基板から剥離して、転写テー
プ側に転写されることになる。従って、このまま、ピッ
クアップ装置によって個々の半導体をピックアップし
て、ダイボンディングすることによって電子部品として
使用することができ、工程の省略化が図れることにな
る。Further, in the semiconductor wafer processing method of the present invention, the semiconductor wafer is a semiconductor wafer that has been polished in advance, and is supported by a supporting substrate via a peelable double-sided transfer tape on the work. , A dicing step of dicing the semiconductor wafer.
Since the semiconductor wafer is a semiconductor wafer that has been polished in advance and is diced in this way, the semiconductor wafer is peeled from the supporting substrate of the work and transferred to the transfer tape side in the diced state. Therefore, as it is, individual semiconductors can be picked up by the pickup device and die-bonded to be used as an electronic component, and the steps can be omitted.
【００１６】また、本発明の半導体ウエハの転写装置
は、半導体ウエハが剥離可能な両面粘着テープを介して
支持基板に支持されたワークを形成し、所定の加工を行
った後、前記支持基板から前記半導体ウエハを剥離して
転写テープへ転写する半導体ウエハの転写装置であっ
て、前記ワークの半導体ウエハ側の面に対し、前記転写
テープを貼付する転写テープ貼付手段と、前記ワークを
固定する固定テーブルと、前記固定テーブルとの間で前
記転写テープが貼着されたワークを挟持するガイド部材
とからなり、前記ガイド部材が前記転写テープを前記固
定テーブルから離間する方向に案内する案内面を備える
半導体ウエハ案内手段と、前記ガイド部材の案内面に沿
って、前記転写テープを進行させるとともに、前記固定
テーブルに固定されたワークを、前記転写テープの進行
に伴って搬送させる搬送手段とを備えることを特徴とす
る。Further, the semiconductor wafer transfer apparatus of the present invention forms a work supported on a supporting substrate via a double-sided adhesive tape from which the semiconductor wafer can be peeled off, performs a predetermined process, and then removes the workpiece from the supporting substrate. A semiconductor wafer transfer device for separating the semiconductor wafer and transferring it to a transfer tape, wherein transfer tape sticking means for sticking the transfer tape to a surface of the work on the semiconductor wafer side, and fixing for fixing the work. The table includes a guide member that holds the work to which the transfer tape is attached between the fixed table and the fixed table, and the guide member has a guide surface that guides the transfer tape in a direction in which the transfer tape is separated from the fixed table. The transfer tape was moved along the semiconductor wafer guide means and the guide surface of the guide member, and was fixed to the fixed table. The chromatography click, characterized in that it comprises a conveying means for conveying with the progress of the transfer tape.
【００１７】このように構成することによって、転写テ
ープを、剥離可能な両面粘着テープを介して支持基板に
支持された半導体ウエハに貼り付けて、この転写テープ
を介して、半導体ウエハを支持基板から転写テープ側に
転写するので、半導体ウエハと接触するのは、この柔軟
な転写テープだけであるため、半導体ウエハを破損する
ことがない。With this structure, the transfer tape is attached to the semiconductor wafer supported by the supporting substrate via the peelable double-sided adhesive tape, and the semiconductor wafer is removed from the supporting substrate via the transfer tape. Since the transfer is performed to the transfer tape side, only the flexible transfer tape comes into contact with the semiconductor wafer, so that the semiconductor wafer is not damaged.
【００１８】しかも、このような転写の際に、転写テー
プを、固定テーブルに固定されたワークの支持基板に対
して、離間する方向に案内するガイド部材の案内面に沿
って進行させるとともに、この転写テープの進行に伴っ
てワークを進行させるようになっている。従って、半導
体ウエハが、転写の際に、ガイド部材の案内面に沿って
湾曲しながら追随して、固定テーブルに固定されたワー
クの支持基板から剥離して、支持基板から転写テープに
転写されることになる。この際、曲げに対して許容でき
るひずみは、半導体ウエハが１００〜５０μｍ程度と薄
厚であれば比較的大きくなっているので、半導体ウエハ
の破損（破壊）を伴わずに、容易に支持基板から剥離し
て、支持基板から転写テープ側に転写することができ
る。Moreover, during such transfer, the transfer tape is advanced along the guide surface of the guide member for guiding the transfer tape in the direction of separating from the support substrate of the work fixed to the fixed table. The work is made to progress as the transfer tape progresses. Therefore, at the time of transfer, the semiconductor wafer follows the guide surface of the guide member while curving, is separated from the support substrate of the work fixed to the fixed table, and is transferred from the support substrate to the transfer tape. It will be. At this time, the strain allowable for bending is relatively large if the semiconductor wafer is as thin as about 100 to 50 μm, so that the semiconductor wafer can be easily separated from the supporting substrate without damage (breakage). Then, the transfer can be performed from the support substrate to the transfer tape side.
【００１９】また、半導体ウエハを転写テープに転写し
た後、転写テープをそのままダイシングテープとして使
用することが可能となり、極薄に加工された半導体ウエ
ハを搬送する間に破損する可能性が極めて小さくなる。
また、本発明の半導体ウエハの転写装置は、前記ガイド
部材の案内面が、前記半導体ウエハを破損しない程度の
曲率半径を有する案内面を有することを特徴とする。Further, after the semiconductor wafer is transferred onto the transfer tape, the transfer tape can be used as it is as a dicing tape, and the possibility of damaging the semiconductor wafer processed to be extremely thin during transportation is extremely reduced. .
Further, the semiconductor wafer transfer apparatus of the present invention is characterized in that the guide surface of the guide member has a guide surface having a radius of curvature that does not damage the semiconductor wafer.
【００２０】これによって、転写の際に、半導体ウエハ
が、ガイド部材の案内面に沿って容易に湾曲しながら追
随して、固定テーブルに固定されたワークの支持基板か
ら剥離して、支持基板から転写テープ側に、半導体ウエ
ハの破損（破壊）をさらに伴わずに転写することができ
る。また、本発明の半導体ウエハの転写装置は、前記ガ
イド部材の案内面の曲率半径が、前記半導体ウエハを前
記固定テーブルに固定されたワークの支持基板から剥離
する剥離開始位置における曲率半径が大きく、剥離が進
むにつれて曲率半径が小さく設定されていることを特徴
とする。As a result, at the time of transfer, the semiconductor wafer easily follows the guide surface of the guide member while curving, and is peeled off from the supporting substrate of the work fixed to the fixed table, and is then separated from the supporting substrate. It is possible to transfer to the transfer tape side without further damage (breakage) of the semiconductor wafer. Further, in the semiconductor wafer transfer device of the present invention, the radius of curvature of the guide surface of the guide member is large at the peeling start position at which the semiconductor wafer is peeled from the supporting substrate of the workpiece fixed to the fixed table, It is characterized in that the radius of curvature is set smaller as the peeling progresses.
【００２１】このように、剥離開始位置における曲率半
径が大きく構成されているので、剥離、転写の開始時
に、ウエハが急激に湾曲することがない。従って、ウエ
ハが破損することなく、スムーズに湾曲して、ワークの
支持基板から剥離して、支持基板から転写テープ側への
転写が開始される。そして、剥離が進むにつれて曲率半
径が小さく設定されているので、この湾曲、剥離、転写
がスムーズに行われて、ワークの支持基板から剥離し
て、支持基板から転写テープ側へ、完全に転写されるこ
とになる。Since the radius of curvature at the peeling start position is large in this way, the wafer does not bend sharply at the start of peeling and transfer. Therefore, without damaging the wafer, the wafer is smoothly curved, separated from the support substrate of the work, and the transfer from the support substrate to the transfer tape side is started. Since the radius of curvature is set smaller as the peeling progresses, this bending, peeling, and transfer are performed smoothly, peeling from the supporting substrate of the work, and completely transferring from the supporting substrate to the transfer tape side. Will be.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（実施
例）を図面に基づいてより詳細に説明する。以下、本発
明の半導体ウエハの処理方法について、図１の工程概略
図に基づいて説明する。先ず、ステップＳ１で示したよ
うに、半導体ウエハＷを調製する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments (examples) of the present invention will now be described in more detail with reference to the drawings. Hereinafter, a method for processing a semiconductor wafer according to the present invention will be described with reference to the process schematic diagram of FIG. First, as shown in step S1, the semiconductor wafer W is prepared.
【００２３】この場合、本発明の半導体ウエハの処理方
法に使用する半導体ウエハＷとしては、シリコンのほ
か、ガリウム砒素等の化合物半導体からなり、特に限定
されるものではない。また、本発明に用いられる半導体
ウエハＷは、回路形成などの表面加工が施されたもので
あってもよく、また、このような表面加工が施されてい
ないものでもよい。また、本発明の半導体ウエハの処理
前には、例えば、裏面研削などの方法によって、薄厚加
工されているものであってもよく、また、薄厚加工がさ
れていないものであってもよい。In this case, the semiconductor wafer W used in the method for processing a semiconductor wafer according to the present invention is not particularly limited, and is made of a compound semiconductor such as gallium arsenide in addition to silicon. Further, the semiconductor wafer W used in the present invention may or may not have been subjected to surface processing such as circuit formation. Before the semiconductor wafer of the present invention is processed, it may be thinly processed by a method such as backside grinding, or may not be thinly processed.
【００２４】ところで、市販されている半導体ウエハ
は、径や厚さが規格化されており、その曲げ強さも略一
律の値を示すものである。ところが、回路形成のため種
々の表面加工が施されたり、研削などにより薄厚に加工
した半導体ウエハは、概ね加工前よりも脆くなり、その
曲げ強さは減少する。しかしながら、半導体ウエハは逆
に薄厚に加工することによって許容できるひずみを大き
くすることができるので、後述するように、本発明の処
理方法のように、半導体ウエハの破損（破壊）を伴わず
に、湾曲したガイド面に当接して、半導体ウエハを湾曲
させることによって、剥離、転写がさらに容易となる。By the way, commercially available semiconductor wafers have standardized diameters and thicknesses, and their bending strengths show substantially uniform values. However, a semiconductor wafer which has been subjected to various surface treatments for forming a circuit or which has been thinly processed by grinding or the like is generally more brittle than before processing, and its bending strength is reduced. However, since the semiconductor wafer can increase the allowable strain by processing the semiconductor wafer thinly, as will be described later, like the processing method of the present invention, without causing damage (breakage) of the semiconductor wafer, By abutting the curved guide surface to bend the semiconductor wafer, peeling and transfer are further facilitated.
【００２５】そして、このように調製した半導体ウエハ
Ｗを、図１のステップＳ２で示したように、支持基板１
６に貼り付けて、ワーク１０を構成する。すなわち、図
２に示したように、両面粘着テープ１４の粘着剤層１
８、２０を介して、半導体ウエハＷを、支持基板１６に
支持固定する。このようにすることによって、図２で示
したように、本発明の半導体ウエハの処理方法における
ワーク１０は、半導体ウエハＷと、両面粘着テープ１４
と、支持基板１６とから構成されており、両面粘着テー
プ１４の粘着剤層１８、２０を介して、半導体ウエハＷ
が、支持基板１６に支持固定された状態となっている。Then, the semiconductor wafer W prepared in this manner is used as the supporting substrate 1 as shown in step S2 of FIG.
6 is attached to form the work 10. That is, as shown in FIG. 2, the pressure-sensitive adhesive layer 1 of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape 14
The semiconductor wafer W is supported and fixed to the support substrate 16 via the 8 and 20. By doing so, as shown in FIG. 2, the work 10 in the semiconductor wafer processing method of the present invention includes the semiconductor wafer W and the double-sided adhesive tape 14.
And the support substrate 16, and the semiconductor wafer W via the adhesive layers 18 and 20 of the double-sided adhesive tape 14.
However, it is in a state of being supported and fixed to the support substrate 16.
【００２６】この場合、本発明に使用される支持基板１
６は、表面平滑で硬質の板状の基板であればよく、特に
限定されるものではない。例えば、その材質として、ガ
ラス板、石英板、または、ステンレス板、アルミニウム
板のような金属板、または、アクリル板、ポリカーボネ
ート板のようなプラスチック板が使用できる。なお、こ
の支持基板１６は、ＡＳＴＭＤ ８８３により定義され
る硬度が７０ＭＰａ以上であるものが好ましい。In this case, the supporting substrate 1 used in the present invention
No. 6 is not particularly limited as long as it is a flat plate-shaped substrate having a smooth surface. For example, as its material, a glass plate, a quartz plate, a metal plate such as a stainless plate or an aluminum plate, or a plastic plate such as an acrylic plate or a polycarbonate plate can be used. The support substrate 16 preferably has a hardness of 70 MPa or more defined by ASTM D883.
【００２７】さらに、支持基板１６の厚さは、その材質
にもよるが、通常は、０．１〜１０mm程度である。ま
た、支持基板１６の径は、使用する半導体ウエハの径よ
りも若干大きめのものが採用される。後述するように、
両面粘着テープ１４の粘着剤層１８、２０に、紫外線硬
化型の粘着剤を使用する場合は、支持基板１６は、紫外
線透過性の材質により形成される。Further, the thickness of the supporting substrate 16 depends on its material, but is usually about 0.1 to 10 mm. The diameter of the support substrate 16 is slightly larger than the diameter of the semiconductor wafer used. As described below,
When an ultraviolet curable adhesive is used for the adhesive layers 18 and 20 of the double-sided adhesive tape 14, the support substrate 16 is made of an ultraviolet permeable material.
【００２８】一方、本発明に使用される両面粘着テープ
１４は、図２に示したように、中心に基材１７と、その
両側の面に粘着剤層１８、２０が設けられた構成からな
る。この場合、中心に配置する基材１７としては、特に
限定されるものではなく、例えば、ポリエチレンテレフ
タレート等のフィルムよりなる。また、基材１７の両側
の面に設けられる粘着剤層１８，２０としては、剥離可
能であれば、従来公知の粘着剤が使用できるが、特に、
紫外線硬化型の粘着剤が剥離力を小さくすることができ
るために好ましい。On the other hand, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape 14 used in the present invention, as shown in FIG. 2, has a structure in which a base material 17 is provided in the center and pressure-sensitive adhesive layers 18 and 20 are provided on both sides thereof. . In this case, the base material 17 arranged in the center is not particularly limited and is made of, for example, a film of polyethylene terephthalate or the like. Further, as the pressure-sensitive adhesive layers 18 and 20 provided on both sides of the base material 17, conventionally known pressure-sensitive adhesives can be used as long as they can be peeled off.
An ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive is preferable because it can reduce the peeling force.
【００２９】この基材１７の両側の面に設けられる粘着
剤１８，２０は、どちらも同じものであってもよいが、
両側が異なる材質のものでもよい。特に、半導体ウエハ
に貼着される側の粘着剤２０が、支持基板１６の側に設
けられる粘着剤１８よりも剥離力が小さくなるように選
択されるものが好ましい。このような構成であれば、半
導体ウエハＷを支持基板１６から剥離する際に、両面粘
着テープ１４が支持基板１６側に残着し、半導体ウエハ
Ｗの側に残らず剥離されるため、半導体ウエハＷに付着
したまま両面粘着テープを再度剥離するという工程が不
要となる。The adhesives 18 and 20 provided on both sides of the base material 17 may be the same, but
It may be made of different materials on both sides. In particular, it is preferable that the pressure-sensitive adhesive 20 on the side attached to the semiconductor wafer is selected so that the peeling force is smaller than that of the pressure-sensitive adhesive 18 provided on the support substrate 16 side. With such a configuration, when the semiconductor wafer W is peeled from the support substrate 16, the double-sided adhesive tape 14 remains on the support substrate 16 side and is peeled off on the semiconductor wafer W side. The step of peeling the double-sided adhesive tape again while it is still attached to W is unnecessary.
【００３０】このように両面粘着テープ１４の粘着剤層
１８、２０を介して、半導体ウエハＷを、支持基板１６
に支持固定して、ワーク１０を構成した後、この状態
で、図１のステップＳ３で示したように、例えば、研
削、エッチング、ダイシングなどの所定の加工を、半導
体ウエハＷに施す。なお、この際、図２に示したよう
に、固定テーブルとして、例えば、負圧の作用によって
ワーク１０を吸着固定する固定テーブル２２を用いて、
ワーク１０の支持基板１６側を吸着して、固定テーブル
２２上に固定して、上記の所定の加工を行えばよい。ま
た、この固定テーブル２２上に、ワーク１０を固定する
方法としては、このように負圧によって吸着する方法に
何ら限定されるものではなく、例えば、ワーク１０の支
持基板１６がステンレスなどの磁性材料の場合には、マ
グネット式で固定するなど適宜、公知の固定方法を選択
することができる。In this way, the semiconductor wafer W is attached to the support substrate 16 via the adhesive layers 18 and 20 of the double-sided adhesive tape 14.
After the workpiece 10 is supported and fixed on the semiconductor wafer W, the semiconductor wafer W is subjected to predetermined processing such as grinding, etching, and dicing in this state as shown in step S3 of FIG. At this time, as shown in FIG. 2, as the fixed table, for example, a fixed table 22 for adsorbing and fixing the work 10 by the action of negative pressure is used.
The support substrate 16 side of the work 10 may be adsorbed, fixed on the fixed table 22, and the above-described predetermined processing may be performed. Further, the method of fixing the work 10 on the fixed table 22 is not limited to the method of sucking by the negative pressure as described above, and for example, the support substrate 16 of the work 10 is made of a magnetic material such as stainless steel. In this case, a publicly known fixing method can be appropriately selected such as fixing by a magnetic method.
【００３１】そして、このように支持基板１６に支持固
定した状態で、半導体ウエハに所定の加工を施した後、
両面粘着テープ１４の両側の面に設けられる粘着剤層１
８，２０が、特に、紫外線硬化型の粘着剤である場合に
は、剥離力を低下させるために、所望により紫外線の照
射を実施する。なお、この紫外線照射の際には、上記の
固定テーブル２２上に、ワーク１０を固定したまま行っ
てもよいが、別の固定テーブル２２上と同様な構成の固
定テーブル上に、ワーク１０を移載して行ってもよい。Then, after the semiconductor wafer is subjected to predetermined processing in a state of being supported and fixed to the support substrate 16 in this way,
Adhesive layer 1 provided on both sides of the double-sided adhesive tape 14
In particular, when 8 and 20 are UV-curable adhesives, UV irradiation is carried out as desired in order to reduce the peeling force. In addition, at the time of this ultraviolet irradiation, the work 10 may be fixed on the fixed table 22 described above, but the work 10 is transferred to another fixed table having the same structure as the fixed table 22. It may be posted.
【００３２】次に、図１のステップＳ４に示したよう
に、固定テーブル２２上に固定されたワーク１０の支持
基板１６上に貼り付けられた半導体ウエハＷの表面に、
本発明の転写装置３０によって、転写テープＴを貼り付
ける。そして、図１のステップＳ４に示したように、支
持基板１６から半導体ウエハＷを剥離して、転写テープ
Ｔ側に転写する。Next, as shown in step S4 of FIG. 1, on the surface of the semiconductor wafer W attached on the support substrate 16 of the work 10 fixed on the fixed table 22,
The transfer tape T is attached by the transfer device 30 of the present invention. Then, as shown in step S4 of FIG. 1, the semiconductor wafer W is separated from the support substrate 16 and transferred to the transfer tape T side.
【００３３】すなわち、固定テーブルに固定されたワー
ク１０の支持基板１６から半導体ウエハＷを剥離して、
支持基板１６から転写テープＴに転写する。この場合、
両面粘着テープ１４は、支持基板１６に残着していても
よいし、ウエハＷに付着した状態で転写してもよい。両
面粘着テープ１４がウエハＷに付着した状態で転写した
場合は、転写の後、両面粘着テープ１４をウエハＷより
剥離する。なお、図３〜図７では、支持基板１６に両面
粘着テープ１４が残着する場合を記載している。That is, the semiconductor wafer W is separated from the support substrate 16 of the work 10 fixed to the fixed table,
Transfer from the support substrate 16 to the transfer tape T. in this case,
The double-sided adhesive tape 14 may be left on the support substrate 16 or may be transferred to the wafer W while being attached thereto. When the double-sided adhesive tape 14 is transferred while being attached to the wafer W, the double-sided adhesive tape 14 is peeled off from the wafer W after the transfer. 3 to 7, the case where the double-sided adhesive tape 14 is left on the support substrate 16 is described.
【００３４】図３は、このような剥離、転写を実施する
ために用いる本発明の転写装置３０の第１の実施例を示
す概略図である。図３に示したように、転写装置３０
は、前後方向（図中、左右方向）に図示しない駆動機構
によって移動可能に構成した固定テーブル３２（搬送手
段）と、この固定テーブル３２の上方に、一定間隔離間
して配置された貼り付け部材を構成する貼り付けローラ
３４（貼付手段）を備えている。FIG. 3 is a schematic view showing a first embodiment of the transfer device 30 of the present invention used for carrying out such peeling and transfer. As shown in FIG. 3, the transfer device 30
Is a fixed table 32 (conveying means) configured to be movable in the front-rear direction (horizontal direction in the drawing) by a drive mechanism (not shown), and a sticking member disposed above the fixed table 32 with a constant gap. And a sticking roller 34 (sticking means) that constitutes
【００３５】なお、この場合、固定テーブル３２は、上
記の固定テーブル２２をそのまま用いてもよいが、別の
固定テーブル２２上と同様な構成の固定テーブル３２上
に、ワーク１０を移載するように構成してもよい。そし
て、この貼り付けローラ３４と一定間隔前方方向に離間
して、ガイド部材３６が配置されている。このガイド部
材３６は、この実施例では、ドラムローラから構成され
ている。そして、貼り付けローラ３４と、ガイド部材３
６の間には、転写テープＴが、図示しない送り出し装置
から送り出されて架け渡される。In this case, as the fixed table 32, the fixed table 22 may be used as it is, but the work 10 is transferred onto the fixed table 32 having the same structure as another fixed table 22. You may comprise. Then, a guide member 36 is arranged at a predetermined distance from the pasting roller 34 in the front direction. The guide member 36 is composed of a drum roller in this embodiment. Then, the attaching roller 34 and the guide member 3
A transfer tape T is sent from a sending device (not shown) and spanned between 6 and 6.
【００３６】図３に示したように、ガイド部材３６の一
部が湾曲し、転写テープＴを、固定テーブル３２に固定
されたワーク１０の支持基板１６に対して、離間する方
向に案内する案内面３８（半導体ウエハ案内手段）を構
成している。この案内面３８は、半導体ウエハを破損し
ない程度の曲率半径ｒを有するのが好ましい。このよう
な曲率半径ｒとしては、半導体ウエハＷの材質、大き
さ、厚さにもよるが、２０ｃｍ以上、好ましくは、５０
ｃｍ以上に設定するのが望ましい。As shown in FIG. 3, a part of the guide member 36 is curved so that the transfer tape T is guided in a direction in which the transfer tape T is separated from the support substrate 16 of the work 10 fixed to the fixed table 32. It constitutes the surface 38 (semiconductor wafer guiding means). The guide surface 38 preferably has a radius of curvature r that does not damage the semiconductor wafer. Such a radius of curvature r depends on the material, size and thickness of the semiconductor wafer W, but is 20 cm or more, preferably 50 cm.
It is desirable to set it to cm or more.
【００３７】また、本発明に使用する転写テープＴとし
ては、基材の片面に粘着剤層が設けられている構成から
なる。この場合、基材も粘着剤層も前述の両面粘着テー
プ１４と同様のものが使用できる。また、後述するよう
に、転写テープをダイシングテープとして使用する場
合、市販のダイシングテープを転写テープＴとしてもよ
い。また、転写テープＴは、半導体ウエハＷの全面に貼
着できるように、ウエハ径よりも大きめの幅を有するも
のが好ましい。The transfer tape T used in the present invention has a constitution in which an adhesive layer is provided on one surface of a base material. In this case, the same base material and adhesive layer as the double-sided adhesive tape 14 described above can be used. Further, as will be described later, when the transfer tape is used as the dicing tape, a commercially available dicing tape may be used as the transfer tape T. The transfer tape T preferably has a width larger than the diameter of the wafer so that it can be attached to the entire surface of the semiconductor wafer W.
【００３８】このように構成される本発明の転写装置３
０では、以下のように作動する。先ず、図３に示したよ
うに、ワーク１０の支持基板１６側を、固定テーブル３
２上に固定した状態に配置する。その後、図４に示した
ように、転写テープＴをＡ方向に進行させるとともに、
この転写テープＴの進行に伴って、固定テーブル３２
を、前方方向（Ｂ方向）に搬送する。これによって、貼
り付けローラ３４によって、転写テープＴが支持基板１
６上の半導体ウエハＷの表面に押圧されて、半導体ウエ
ハＷの全面に転写テープＴが貼り付けられる。The transfer device 3 of the present invention having such a configuration.
At 0, it operates as follows. First, as shown in FIG. 3, the support substrate 16 side of the work 10 is fixed to the fixed table 3
It is placed in a fixed state on 2. Then, as shown in FIG. 4, while the transfer tape T is advanced in the A direction,
As the transfer tape T advances, the fixed table 32
Are conveyed in the forward direction (B direction). As a result, the transfer tape T is moved to the supporting substrate 1 by the attaching roller 34.
The transfer tape T is attached to the entire surface of the semiconductor wafer W by being pressed against the surface of the semiconductor wafer W on the substrate 6.
【００３９】このように半導体ウエハＷの全面に転写テ
ープＴが貼り付けられた後、さらに固定テーブル３２
を、前方方向（Ｂ方向）に搬送することによって、図５
に示したように、半導体ウエハＷの上面の先端部Ｗ１
が、ガイド部材３６の案内面３８の剥離開始位置Ｐに至
り、転写テープＴが貼着されたワーク１０が、ガイド部
材３６と、固定テーブル３２の間に挟持される。After the transfer tape T is attached to the entire surface of the semiconductor wafer W in this manner, the fixed table 32 is further attached.
5 in the forward direction (direction B),
As shown in FIG.
Reaches the peeling start position P of the guide surface 38 of the guide member 36, and the work 10 to which the transfer tape T is attached is sandwiched between the guide member 36 and the fixed table 32.
【００４０】そして、固定テーブル３２を、前方方向
（Ｂ方向）にさらに搬送することによって、図６に示し
たように、半導体ウエハＷの上面の先端部Ｗ１が、ガイ
ド部材３６の案内面３８の剥離開始位置Ｐから、転写テ
ープＴを、固定テーブル３２に固定されたワーク１０の
支持基板１６に対して、離間する方向に案内する案内面
３８に沿って、半導体ウエハＷが湾曲される（図６中、
Ｗ１参照）。この湾曲によって、半導体ウエハＷが、固
定テーブル３２に固定されたワーク１０の支持基板１６
から剥離して、支持基板１６から転写テープＴ側への剥
離、転写が開始される。Then, by further transporting the fixed table 32 in the forward direction (B direction), as shown in FIG. 6, the front end portion W1 of the upper surface of the semiconductor wafer W becomes the guide surface 38 of the guide member 36. The semiconductor wafer W is curved from the peeling start position P along a guide surface 38 that guides the transfer tape T in a direction in which the transfer tape T is separated from the support substrate 16 of the work 10 fixed to the fixed table 32 (FIG. 6 out of
See W1). Due to this bending, the semiconductor wafer W causes the support substrate 16 of the work 10 fixed to the fixed table 32 to be supported.
From the supporting substrate 16 to the transfer tape T side, and the transfer is started.
【００４１】そして、固定テーブル３２を、前方方向
（Ｂ方向）にさらに搬送することによって、図７に示し
たように、半導体ウエハＷが、ガイド部材３６の案内面
３８に沿って、転写テープＴとともに湾曲して、固定テ
ーブル３２に固定されたワーク１０の支持基板１６に対
して、離間する方向に案内されて、支持基板１６から転
写テープＴ側への剥離、転写が促進される。そして、つ
いには、図８に示したように、完全に支持基板１６から
転写テープＴ側への剥離、転写が行われる。By further transporting the fixed table 32 in the forward direction (direction B), the semiconductor wafer W is transferred along the guide surface 38 of the guide member 36, as shown in FIG. Along with this, the work 10 fixed to the fixed table 32 is guided in a direction away from the support substrate 16 of the work 10 to promote separation and transfer from the support substrate 16 to the transfer tape T side. Finally, as shown in FIG. 8, the separation and transfer from the support substrate 16 to the transfer tape T side are completely performed.
【００４２】すなわち、この場合、例えば、１００〜５
０μｍ程度まで薄い半導体ウエハＷが、転写の際に、ガ
イド部材３６の案内面３８に沿って湾曲しながら追随し
て、固定テーブル３２に固定されたワーク１０の支持基
板１６から剥離して、支持基板１６から転写テープＴに
転写されることになる。この際、曲げに対して許容でき
るひずみは、半導体ウエハＷが上記のように薄厚であれ
ば比較的大きくなっているので、半導体ウエハＷの破損
（破壊）を伴わずに、容易に支持基板１６から半導体ウ
エハＷを剥離して、転写テープＴ側に転写するこことが
できる。That is, in this case, for example, 100 to 5
The semiconductor wafer W that is as thin as about 0 μm follows the curved surface along the guide surface 38 of the guide member 36 during transfer, and is separated from the support substrate 16 of the work 10 fixed to the fixed table 32 and supported. The transfer tape T is transferred from the substrate 16. At this time, since the strain allowable for bending is relatively large when the semiconductor wafer W is thin as described above, the semiconductor substrate W can be easily supported without being damaged (broken). Then, the semiconductor wafer W can be peeled off and transferred to the transfer tape T side.
【００４３】従って、このように、１００〜５０μｍ程
度まで薄い半導体ウエハであっても、転写テープＴを、
剥離可能な両面粘着テープ１４を介して支持基板１６に
支持された半導体ウエハＷに貼り付けて、この転写テー
プＴを介して、半導体ウエハを支持基板から転写テープ
Ｔ側に転写するので、半導体ウエハＷと接触するのは、
転写テープＴだけでであるため、半導体ウエハＷの回路
面を破損することがない。Therefore, even with a semiconductor wafer as thin as about 100 to 50 μm, the transfer tape T is
Since the semiconductor wafer W is attached to the semiconductor wafer W supported by the supporting substrate 16 via the peelable double-sided adhesive tape 14, and the semiconductor wafer is transferred from the supporting substrate to the transfer tape T side via the transfer tape T. The contact with W is
Since only the transfer tape T is used, the circuit surface of the semiconductor wafer W is not damaged.
【００４４】このように、固定テーブルに固定されたワ
ーク１０の支持基板１６から半導体ウエハＷを剥離し
て、転写テープＴに転写した後、転写テープＴ側に転写
された半導体ウエハＷは、図１のステップＳ５で示した
ように、この転写テープＴをダイシングテープとして利
用して、ウエハＷをダイシングし、チップ化が行われ
る。その後、図１のステップＳ６に示したように、個々
のチップをピックアップして、ダイボンディングするこ
とによって半導体部品として使用する。As described above, after the semiconductor wafer W is separated from the supporting substrate 16 of the work 10 fixed to the fixed table and transferred to the transfer tape T, the semiconductor wafer W transferred to the transfer tape T side is shown in FIG. As shown in step S5 of 1, the wafer W is diced by using the transfer tape T as a dicing tape, and chips are formed. Then, as shown in step S6 of FIG. 1, individual chips are picked up and die-bonded to be used as semiconductor components.
【００４５】このように半導体ウエハＷを転写テープＴ
に転写した後、転写テープＴをそのままダイシングテー
プとして使用することが可能であるので、極薄に加工さ
れた半導体ウエハＷを搬送する間に破損する可能性が極
めて小さくなる。この場合、ダイシングの前に、図９に
示したように、半導体ウエハＷを転写テープＴを介して
リングフレームＲに支持するようにしてもよい。半導体
ウエハＷをリングフレームＲに支持させるには、例え
ば、半導体ウエハＷが転写された転写テープＴの半導体
ウエハＷの外周部に、リングフレームＲを搬送、押圧可
能な吸着パッド付きアーム（リングフレーム貼着手段、
図示せず）によって、リングフレームＲを貼り付けて、
リングフレームＲの径に合わせて転写テープＴをカット
することによって行うようにしてもよい。In this way, the semiconductor wafer W is transferred onto the transfer tape T.
After the transfer, the transfer tape T can be used as it is as a dicing tape, so that the possibility of damaging the semiconductor wafer W, which has been processed into an extremely thin film, is extremely reduced. In this case, as shown in FIG. 9, the semiconductor wafer W may be supported by the ring frame R via the transfer tape T before the dicing. In order to support the semiconductor wafer W on the ring frame R, for example, an arm with a suction pad (ring frame) capable of transporting and pressing the ring frame R to the outer peripheral portion of the semiconductor wafer W of the transfer tape T onto which the semiconductor wafer W is transferred. Sticking means,
(Not shown), attach the ring frame R,
Alternatively, the transfer tape T may be cut according to the diameter of the ring frame R.
【００４６】このように構成することによって、半導体
ウエハＷを転写テープＴに転写した後、転写テープＴに
リングフレームＲを貼付することにより、転写テープＴ
がリングフレームＲに支持固定される。このリングフレ
ームＲを介することにより、従来の搬送手段と同様に、
半導体ウエハを搬送することができるので、極薄に加工
された半導体ウエハを、加工のために搬送する間に破損
する可能性が極めて小さくなる。With this structure, after the semiconductor wafer W is transferred onto the transfer tape T, the ring frame R is attached to the transfer tape T to transfer the transfer tape T.
Are supported and fixed to the ring frame R. By passing through this ring frame R, like the conventional conveying means,
Since the semiconductor wafer can be transported, the possibility of damaging the extremely thinly processed semiconductor wafer during transportation for processing is extremely small.
【００４７】なお、この場合、半導体ウエハＷが転写テ
ープＴに転写された後の支持基板１６は、別途図示しな
い、両面粘着テープ１４を剥離する剥離装置によって、
両面粘着テープ１４を剥離した後、適宜、洗浄装置など
によって洗浄することによって、再利用することもでき
る。図１０は、本発明の転写装置３０の第２の実施例を
示す概略図である。In this case, the support substrate 16 after the semiconductor wafer W is transferred onto the transfer tape T is separated by a separating device (not shown) for separating the double-sided adhesive tape 14.
After the double-sided pressure-sensitive adhesive tape 14 is peeled off, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape 14 can be reused by appropriately washing it with a washing device. FIG. 10 is a schematic diagram showing a second embodiment of the transfer device 30 of the present invention.
【００４８】この実施例の転写装置３０は、図３に示し
た転写装置３０と基本的には同様な構成であり、同一の
構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細な説明
を省略する。この実施例の転写装置３０では、半導体ウ
エハＷが予め研磨された半導体ウエハＷを用いている。
また、ワーク１０上の剥離可能な両面粘着テープ１４を
介して支持基板１６に支持された状態で、半導体ウエハ
Ｗがダイシングされて、個々の半導体チップＷ３にダイ
シングされた半導体ウエハＷを用いている。The transfer device 30 of this embodiment has basically the same structure as that of the transfer device 30 shown in FIG. 3, and the same components are designated by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be given. Is omitted. In the transfer device 30 of this embodiment, the semiconductor wafer W, which has been polished in advance, is used.
Further, the semiconductor wafer W is diced into individual semiconductor chips W3 while being supported by the support substrate 16 via the peelable double-sided adhesive tape 14 on the work 10. .
【００４９】このように半導体ウエハＷが予め研磨され
た半導体ウエハＷで、ダイシングされているので、この
ダイシングされた状態のまま、図１０の一点鎖線で示し
たように、ワーク１０の支持基板１６から剥離して、転
写テープＴ側に転写されることになる。半導体ウエハＷ
をチップ化した後に転写を行えば、ウエハ状態のまま転
写するよりも１００μｍ以上の比較的厚めであっても破
損が起こりにくくなる。Since the semiconductor wafer W is diced by the previously polished semiconductor wafer W in this way, the supporting substrate 16 of the work 10 is kept in this diced state as shown by the alternate long and short dash line in FIG. It will be peeled off and transferred to the transfer tape T side. Semiconductor wafer W
If the transfer is performed after the chips are formed into chips, the damage is less likely to occur even if the transfer is performed in the wafer state, even if the transfer is relatively thicker than 100 μm.
【００５０】従って、このまま、図示しないピックアッ
プ装置によって個々の半導体チップＷ３をピックアップ
して、ダイボンディングすることによって電子部品とし
て使用することができ、工程の省略化が図れることにな
る。図１１は、本発明の転写装置３０の第３の実施例を
示す概略図である。この実施例の転写装置３０は、図３
に示した転写装置３０と基本的には同様な構成であり、
同一の構成部材には同一の参照番号を付して、その詳細
な説明を省略する。Therefore, the semiconductor chip W3 can be used as an electronic component by picking up the individual semiconductor chips W3 by a pickup device (not shown) and die-bonding as it is, and the steps can be omitted. FIG. 11 is a schematic diagram showing a third embodiment of the transfer device 30 of the present invention. The transfer device 30 of this embodiment is shown in FIG.
The transfer device 30 shown in FIG.
The same components are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００５１】この実施例の転写装置３０では、図１１に
示したように、図３の転写装置３０のドラムローラの形
状のガイド部材３６の代わりに、固定配置された略楔形
状のガイド部材４０を用いている。このガイド部材４０
では、案内面４２が、半導体ウエハＷの上面の先端部Ｗ
１が、ガイド部材３６の案内面３８の剥離開始位置Ｐに
おける曲率半径Ｒ１が大きく、剥離が進むにつれて曲率
半径Ｒ２が小さくなるように設定されている。In the transfer device 30 of this embodiment, as shown in FIG. 11, instead of the guide member 36 in the shape of the drum roller of the transfer device 30 in FIG. 3, a fixed wedge-shaped guide member 40 is arranged. Is used. This guide member 40
Then, the guide surface 42 is the tip portion W of the upper surface of the semiconductor wafer W.
No. 1 is set so that the radius of curvature R1 of the guide surface 38 of the guide member 36 at the peeling start position P is large and the radius of curvature R2 becomes smaller as the peeling progresses.
【００５２】このように、剥離開始位置Ｐにおける曲率
半径が大きく構成されているので、剥離、転写の開始時
に、半導体ウエハＷが急激に湾曲することがない。従っ
て、半導体ウエハＷが破損することなく、スムーズに湾
曲して、ワーク１０の支持基板１６から剥離して、転写
テープ側への転写が開始される。そして、剥離が進むに
つれて曲率半径が小さく設定されているので、この湾
曲、剥離、転写がスムーズに行われて、ワーク１０の支
持基板１６からウエハＷが剥離して、転写テープＴ側
へ、完全に転写されることになる。また、巨大なドラム
を必要としないため、装置をコンパクトにできるという
メリットもある。Since the radius of curvature at the peeling start position P is large in this way, the semiconductor wafer W does not curve sharply at the start of peeling and transfer. Therefore, the semiconductor wafer W is smoothly curved without being damaged, is separated from the support substrate 16 of the work 10, and the transfer to the transfer tape side is started. Since the radius of curvature is set smaller as the peeling progresses, this bending, peeling, and transfer are performed smoothly, and the wafer W is peeled off from the support substrate 16 of the work 10 and completely transferred to the transfer tape T side. Will be transferred to. Further, since a huge drum is not required, there is an advantage that the device can be made compact.
【００５３】図１２は、本発明の転写装置３０の第４の
実施例を示す概略図である。この実施例の転写装置３０
は、図３に示した転写装置３０と基本的には同様な構成
であり、同一の構成部材には同一の参照番号を付して、
その詳細な説明を省略する。この実施例の転写装置３０
では、図１２に示したように、図３の転写装置３０のド
ラムローラの形状のガイド部材３６の代わりに、複数の
一定間隔で離間して、ワーク１０の支持基板１６に対し
て、離間する方向に配置された複数のガイドローラ４４
を用いている。FIG. 12 is a schematic diagram showing a fourth embodiment of the transfer device 30 of the present invention. Transfer device 30 of this embodiment
Has basically the same configuration as the transfer device 30 shown in FIG. 3, and the same constituent members are designated by the same reference numerals,
Detailed description thereof will be omitted. Transfer device 30 of this embodiment
Then, as shown in FIG. 12, instead of the guide member 36 in the shape of the drum roller of the transfer device 30 of FIG. 3, the guide members 36 are separated by a plurality of constant intervals and are separated from the support substrate 16 of the work 10. Guide rollers 44 arranged in one direction
Is used.
【００５４】なお、この場合には、これらのガイドロー
ラ４４の配置を、ガイド部材３６の案内面３８、ガイド
部材４０の案内面４２と同様な曲率半径位置となるよう
に配置すれば、上記の実施例と同じような剥離、転写効
果が得られる。なお、この実施例では、複数のガイドロ
ーラ４４からガイド部材を構成したが、例えば、図示し
ないが、楔形状のガイド部材４０を複数のガイド部材か
ら構成することも可能である。In this case, if the guide rollers 44 are arranged so that they have the same radius of curvature as the guide surface 38 of the guide member 36 and the guide surface 42 of the guide member 40, the above-mentioned arrangement is possible. The peeling and transfer effects similar to those in the example can be obtained. In this embodiment, the guide member is composed of the plurality of guide rollers 44. However, although not shown, the wedge-shaped guide member 40 may be composed of a plurality of guide members.
【００５５】以上、本発明の好ましい実施の態様を説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発
明の目的を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this, and various modifications can be made without departing from the object of the present invention.
【００５６】[0056]
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハが、転写
の際に、曲率半径の大きいガイド部材の案内面に沿って
転写テープとともに進行し、支持基板が固定テーブルに
固定されて進行するため、容易に支持基板から薄厚の半
導体ウエハが破損（破壊）を伴わずに剥離して、転写テ
ープ側に転写することができる。According to the present invention, during transfer, the semiconductor wafer advances along with the transfer tape along the guide surface of the guide member having a large radius of curvature, and the supporting substrate is fixed on the fixed table and advances. The thin semiconductor wafer can be easily peeled from the supporting substrate without damage (breakage) and transferred to the transfer tape side.
【００５７】しかも、半導体ウエハと接触するのは、こ
の転写テープだけであるため、半導体ウエハの回路面を
破損することがない。しかも、このような転写の際に、
転写テープを、固定テーブルに固定されたワークの支持
基板に対して、離間する方向に案内するガイド部材の案
内面に沿って進行させるとともに、この転写テープの進
行と同期してワークを進行させるようになっている。Moreover, since only the transfer tape comes into contact with the semiconductor wafer, the circuit surface of the semiconductor wafer is not damaged. Moreover, during such transfer,
The transfer tape is advanced along a guide surface of a guide member that guides the transfer tape in a direction away from the support substrate of the work fixed to the fixed table, and the work is advanced in synchronization with the advance of the transfer tape. It has become.
【００５８】また、半導体ウエハを転写テープに転写し
た後、転写テープをそのままダイシングテープとして使
用することが可能となり、極薄に加工された半導体ウエ
ハを搬送する間に破損する可能性が極めて小さくなる。
また、本発明によれば、半導体ウエハを転写テープに転
写した後、転写テープにリングフレームを貼付すること
により、このリングフレームを介して、半導体ウエハを
従来と同様の手段によって搬送することができ、この際
に極薄に加工された半導体ウエハが必ず支持基板または
リングフレームに支持固定されているため、搬送する間
に破損する可能性が極めて小さくなる。Further, after the semiconductor wafer is transferred onto the transfer tape, the transfer tape can be used as it is as a dicing tape, and the possibility of damage during the transportation of the extremely thin processed semiconductor wafer becomes extremely small. .
Further, according to the present invention, after the semiconductor wafer is transferred to the transfer tape and the ring frame is attached to the transfer tape, the semiconductor wafer can be transported through the ring frame by the same means as the conventional one. At this time, since the ultrathin processed semiconductor wafer is always supported and fixed to the supporting substrate or the ring frame, the possibility of damage during transportation is extremely small.
【００５９】さらに、本発明によれば、半導体ウエハが
予め研磨された半導体ウエハで、ダイシングされている
ので、このダイシングされた状態のまま、ワークの支持
基板からウエハが剥離して、転写テープ側に転写される
ことになる。従って、このまま、ピックアップ装置によ
って個々の半導体をピックアップして、ダイボンディン
グすることによって電子部品として使用することがで
き、工程の省略化が図ることができるなど幾多の顕著で
特有な作用効果を奏する極めて優れた発明である。Further, according to the present invention, since the semiconductor wafer is diced with a preliminarily polished semiconductor wafer, the wafer is peeled from the supporting substrate of the work in the diced state, and the transfer tape side Will be transferred to. Therefore, as it is, individual semiconductors can be picked up by the pickup device and can be used as electronic parts by die-bonding, and the process can be omitted. It is an excellent invention.
【図１】図１は、本発明の半導体ウエハの処理方法の工
程の概略図である。FIG. 1 is a schematic view of steps of a method for processing a semiconductor wafer according to the present invention.
【図２】図２は、本発明の半導体ウエハの処理方法のワ
ークを固定テーブルに固定した状態を示す拡大図であ
る。FIG. 2 is an enlarged view showing a state in which a work according to the semiconductor wafer processing method of the present invention is fixed to a fixed table.
【図３】図３は、本発明の半導体ウエハの処理方法に用
いる本発明の転写装置の第１の実施例を示す概略図であ
る。FIG. 3 is a schematic view showing a first embodiment of the transfer device of the present invention used in the method of processing a semiconductor wafer of the present invention.
【図４】図４は、図３に示した本発明の転写装置の第１
の実施例の作動状態を示す概略図である。4 is a first diagram of the transfer device of the present invention shown in FIG.
3 is a schematic view showing an operating state of the embodiment of FIG.
【図５】図５は、図３に示した本発明の転写装置の第１
の実施例の作動状態を示す概略図である。5 is a first view of the transfer device of the present invention shown in FIG.
3 is a schematic view showing an operating state of the embodiment of FIG.
【図６】図６は、図３に示した本発明の転写装置の第１
の実施例の作動状態を示す概略図である。6 is a first diagram of the transfer device of the present invention shown in FIG.
3 is a schematic view showing an operating state of the embodiment of FIG.
【図７】図７は、図３に示した本発明の転写装置の第１
の実施例の作動状態を示す概略図である。7 is a first diagram of the transfer device of the present invention shown in FIG.
3 is a schematic view showing an operating state of the embodiment of FIG.
【図８】図８は、図３に示した本発明の転写装置の第１
の実施例の作動状態を示す概略図である。8 is a first diagram of the transfer device of the present invention shown in FIG.
3 is a schematic view showing an operating state of the embodiment of FIG.
【図９】図９は、図３に示した本発明の転写装置の第１
の実施例の作動状態を示す概略図である。9 is a first view of the transfer device of the present invention shown in FIG.
3 is a schematic view showing an operating state of the embodiment of FIG.
【図１０】図１０は、本発明の転写装置の第２の実施例
を示す概略図である。FIG. 10 is a schematic view showing a second embodiment of the transfer device according to the present invention.
【図１１】図１１は、本発明の転写装置の第３の実施例
を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic view showing a third embodiment of the transfer device according to the present invention.
【図１２】図１２は、本発明の転写装置の第４の実施例
を示す概略図である。FIG. 12 is a schematic view showing a fourth embodiment of the transfer device of the present invention.
１０ ワーク １４ 両面粘着テープ １６ 支持基板 １７ 基材 １８，２０ 粘着剤層 ２２ 固定テーブル ３０ 転写装置 ３２ 固定テーブル ３４ ローラ ３６ ガイド部材 ３８ 案内面 ４０ ガイド部材 ４４ ガイドローラ Ｔ 転写テープ Ｐ 剥離開始位置 Ｒ リングフレーム ｒ 曲率半径 Ｒ１ 曲率半径 Ｒ２ 曲率半径 Ｗ 半導体ウエハ Ｗ１ 先端部 Ｗ３ 半導体チップ 10 work 14 Double-sided adhesive tape 16 Support substrate 17 Base material 18,20 Adhesive layer 22 Fixed table 30 transfer device 32 fixed table 34 Laura 36 Guide member 38 Guideway 40 Guide member 44 Guide roller T transfer tape P peeling start position R ring frame r radius of curvature R1 radius of curvature R2 radius of curvature W semiconductor wafer W1 tip W3 semiconductor chip
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 妹 尾 秀 男 埼玉県川口市戸塚３−33−２−405 Ｆターム(参考） 4J004 AB01 AB07 CA06 CC02 EA05 FA05 FA08 5F031 CA02 CA13 DA11 DA13 DA15 EA01 EA02 HA12 HA13 HA78 MA34 MA37 MA39 PA20 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page (72) Inventor Hideo Seo 3-33-2-405 Totsuka, Kawaguchi City, Saitama Prefecture F-term (reference) 4J004 AB01 AB07 CA06 CC02 EA05 FA05 FA08 5F031 CA02 CA13 DA11 DA13 DA15 EA01 EA02 HA12 HA13 HA78 MA34 MA37 MA39 PA20
Claims (10)
プを介して支持基板に支持されたワークを形成し、所定
の加工を行った後、前記支持基板から前記半導体ウエハ
を剥離して転写テープに転写する処理方法であって、 前記ワークの支持基板側を固定テーブルに固定するワー
ク固定工程と、 前記ワークを前記ワークの半導体ウエハ側の面に対し、
前記転写テープを貼付する転写テープ貼付工程と、 前記転写テープが貼着されたワークを、ガイド部材と、
前記固定テーブルの間に挟持した後、 前記転写テープを、固定テーブルに固定されたワークの
支持基板に対して、離間する方向に案内する前記ガイド
部材の案内面に沿って、前記転写テープを進行させると
ともに、前記固定テーブルに固定されたワークを、前記
転写テープの進行に伴って搬送させ、前記半導体ウエハ
を、前記固定テーブルに固定されたワークの支持基板か
ら剥離して、前記支持基板から前記転写テープに転写す
る剥離転写工程と、を有することを特徴とする半導体ウ
エハの処理方法。1. A transfer tape is prepared by forming a work supported on a supporting substrate via a double-sided adhesive tape from which the semiconductor wafer can be peeled off, performing a predetermined process, and then peeling off the semiconductor wafer from the supporting substrate. A transfer method, wherein a work fixing step of fixing the support substrate side of the work to a fixed table, and the work with respect to a surface of the work on the semiconductor wafer side,
A transfer tape attaching step of attaching the transfer tape, a work to which the transfer tape is attached, a guide member,
After being sandwiched between the fixed tables, the transfer tape is advanced along a guide surface of the guide member that guides the transfer tape in a direction in which the transfer tape is separated from the support substrate of the work fixed to the fixed table. In addition, the work fixed to the fixed table is conveyed along with the progress of the transfer tape, the semiconductor wafer is peeled from the support substrate of the work fixed to the fixed table, and the semiconductor substrate is removed from the support substrate. And a peeling transfer step of transferring to a transfer tape.
ウエハを破損しない程度の曲率半径を有する案内面を有
することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハの
処理方法。2. The method for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the guide surface of the guide member has a guide surface having a radius of curvature that does not damage the semiconductor wafer.
前記半導体ウエハを前記固定テーブルに固定されたワー
クの支持基板から剥離する剥離開始位置における曲率半
径が大きく、剥離が進むにつれて曲率半径が小さく設定
されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウ
エハの処理方法。3. The radius of curvature of the guide surface of the guide member is
The radius of curvature at a peeling start position for peeling the semiconductor wafer from a support substrate of a work fixed to the fixed table is large, and the radius of curvature is set to be small as the peeling progresses. Semiconductor wafer processing method.
転写された転写テープ上の半導体ウエハの外周部に、リ
ングフレームを貼り付けて、前記半導体ウエハを転写テ
ープを介してリングフレームに支持するリングフレーム
貼付工程をさらに有することを特徴とする請求項１から
３のいずれかに記載の半導体ウエハの処理方法。4. A ring frame in which a ring frame is attached to an outer peripheral portion of the semiconductor wafer on the transfer tape to which the semiconductor wafer has been transferred in the peeling transfer step, and the semiconductor wafer is supported by the ring frame via the transfer tape. The semiconductor wafer processing method according to claim 1, further comprising a bonding step.
リングフレームに支持した状態で、半導体ウエハをダイ
シングするダイシング工程をさらに有することを特徴と
する請求項４に記載の半導体ウエハの処理方法。5. The method of processing a semiconductor wafer according to claim 4, further comprising a dicing step of dicing the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is supported by a ring frame via a transfer tape.
体ウエハであって、前記ワーク上の剥離可能な両面粘着
テープを介して支持基板に支持された状態で、半導体ウ
エハをダイシングするダイシング工程を有することを特
徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体ウエ
ハの処理方法。6. A dicing step of dicing the semiconductor wafer, wherein the semiconductor wafer is a preliminarily polished semiconductor wafer and is supported by a supporting substrate via a peelable double-sided adhesive tape on the work. 5. The method for processing a semiconductor wafer according to claim 1, wherein:
プを介して支持基板に支持されたワークを形成し、所定
の加工を行った後、前記支持基板から前記半導体ウエハ
を剥離して転写テープへ転写する半導体ウエハの転写装
置であって、 前記ワークの半導体ウエハ側の面に対し、前記転写テー
プを貼付する転写テープ貼付手段と、 前記ワークを固定する固定テーブルと、前記固定テーブ
ルとの間で前記転写テープが貼着されたワークを挟持す
るガイド部材とからなり、前記ガイド部材が前記転写テ
ープを前記固定テーブルから離間する方向に案内する案
内面を備える半導体ウエハ案内手段と、 前記ガイド部材の案内面に沿って、前記転写テープを進
行させるとともに、前記固定テーブルに固定されたワー
クを、前記転写テープの進行に伴って搬送させる搬送手
段とを備えることを特徴とする半導体ウエハの転写装
置。7. A transfer tape is prepared by forming a work supported on a supporting substrate via a double-sided adhesive tape from which the semiconductor wafer can be peeled off, performing a predetermined process, and then peeling off the semiconductor wafer from the supporting substrate. A semiconductor wafer transfer device for transferring, comprising: a transfer tape attaching means for attaching the transfer tape to a surface of the work on the semiconductor wafer side; a fixed table for fixing the work; and a fixed table. A semiconductor wafer guide unit having a guide member for sandwiching the work to which the transfer tape is attached, the guide member having a guide surface for guiding the transfer tape in a direction in which the transfer tape is separated from the fixed table; While advancing the transfer tape along the guide surface, the work fixed to the fixed table is moved along with the transfer tape. A transfer device for a semiconductor wafer, comprising: a transfer unit for transferring.
ウエハを破損しない程度の曲率半径を有する案内面を有
することを特徴とする請求項７に記載の半導体ウエハの
転写装置。8. The semiconductor wafer transfer apparatus according to claim 7, wherein the guide surface of the guide member has a guide surface having a radius of curvature that does not damage the semiconductor wafer.
前記半導体ウエハを前記固定テーブルに固定されたワー
クの支持基板から剥離する剥離開始位置における曲率半
径が大きく、剥離が進むにつれて曲率半径が小さく設定
されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体ウ
エハの転写装置。9. The radius of curvature of the guide surface of the guide member is
9. The radius of curvature at a peeling start position at which the semiconductor wafer is peeled from a supporting substrate of a work fixed to the fixed table is large, and the radius of curvature is set to be small as the peeling progresses. Semiconductor wafer transfer device.
ープの半導体ウエハの外周部に、リングフレームを貼り
付けて、前記半導体ウエハを転写テープを介してリング
フレームに支持するリングフレーム貼付手段をさらに有
することを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載
の半導体ウエハの転写装置。10. A ring frame attaching means for attaching a ring frame to an outer peripheral portion of the semiconductor wafer of the transfer tape to which the semiconductor wafer is transferred, and supporting the semiconductor wafer to the ring frame via the transfer tape. 10. The semiconductor wafer transfer device according to claim 7, wherein:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002128658A JP4215998B2 (en) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer transfer apparatus therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002128658A JP4215998B2 (en) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer transfer apparatus therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003324142A true JP2003324142A (en) | 2003-11-14 |
| JP4215998B2 JP4215998B2 (en) | 2009-01-28 |
Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002128658A Expired - Lifetime JP4215998B2 (en) | 2002-04-30 | 2002-04-30 | Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer transfer apparatus therefor |
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| JP2020025090A (en) * | 2018-07-18 | 2020-02-13 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲーＩｎｆｉｎｅｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ａｇ | Device and method for peeling structure from main surface area of carrier |
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| WO2022131305A1 (en) * | 2020-12-18 | 2022-06-23 | 日東電工株式会社 | Double-sided adhesive sheet for transfer |
| CN114678305A (en) * | 2022-05-26 | 2022-06-28 | 四川上特科技有限公司 | Wafer film covering device and wafer splitting device |
| CN114678305B (en) * | 2022-05-26 | 2022-08-16 | 四川上特科技有限公司 | Wafer film covering device and wafer splitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4215998B2 (en) | 2009-01-28 |
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Legal Events
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|
| A977 | Report on retrieval |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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