JP2003317963A - Photoelectron element using polymer material - Google Patents

Photoelectron element using polymer material

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JP2003317963A JP2002122049A JP2002122049A JP2003317963A JP 2003317963 A JP2003317963 A JP 2003317963A JP 2002122049 A JP2002122049 A JP 2002122049A JP 2002122049 A JP2002122049 A JP 2002122049A JP 2003317963 A JP2003317963 A JP 2003317963A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new photoelectron element using a conjugated polymer compound. <P>SOLUTION: This photoelectron element employs the polymer compound having a number average molecular weight in terms of polystyrene of 10<SP>3</SP>-10<SP>8</SP>and including a repetition unit expressed by following formula (1). [Wherein, R<SB>1</SB>and R<SB>2</SB>are each independently hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, substituted silyl group, alkylamino group, arylamino group, univalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, or cyano group. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ピリミド〔5,4
−d〕ピリミジン骨格を主鎖に含む高分子化合物を用い
た新規な光電子素子に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a pyrimido [5,4]
-D] relates to a novel optoelectronic device using a polymer compound having a pyrimidine skeleton in the main chain.

【0002】[0002]

【従来の技術】共役系高分子化合物は、その半導体性を
利用して、発光素子、スイッチング素子や光電変換素子
などの光電子素子に応用されている。例えば、ポリフェ
ニレンビニレン誘導体やポリフルオレン誘導体、ポリフ
ェニレン誘導体などの共役系高分子化合物を用いた光電
子素子が知られている。
2. Description of the Related Art Conjugated polymer compounds have been applied to optoelectronic devices such as light emitting devices, switching devices and photoelectric conversion devices by utilizing their semiconductor properties. For example, an optoelectronic device using a conjugated polymer compound such as a polyphenylene vinylene derivative, a polyfluorene derivative, or a polyphenylene derivative is known.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
光電子素子では、光電子素子に要求される特性をまだ十
分に示しておらず、新規な光電子素子用材料およびそれ
を用いた光電子素子の開発が望まれている。本発明の目
的は、共役系高分子化合物を用いた新規な光電子素子を
提供することにある。
However, the above-mentioned optoelectronic element has not yet sufficiently exhibited the characteristics required for the optoelectronic element, and development of a novel optoelectronic element material and an optoelectronic element using the same is desired. It is rare. An object of the present invention is to provide a novel optoelectronic device using a conjugated polymer compound.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、ポリスチレン
換算の数平均分子量が103〜108であり、下記式
(1)で示される繰り返し単位を含む高分子化合物を用
いた光電子素子に関するものである。 (1)〔ここで、R1およびR2はそれぞれ独立に水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリール
アルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニ
ル基、アリールアルキニル基、置換シリル基、アルキル
アミノ基、アリールアミノ基、1価の複素環基、カルボ
キシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示
す。〕
The present invention relates to an optoelectronic device using a polymer compound having a polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3 to 10 8 and containing a repeating unit represented by the following formula (1). Is. (1) [wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkenyl group, It represents an arylalkynyl group, a substituted silyl group, an alkylamino group, an arylamino group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. ]

【0005】[0005]

【発明の実施の形態】本発明の光電子素子に使用される
高分子化合物は、上記一般式(1)で示される繰り返し
単位を含むものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The polymer compound used in the optoelectronic device of the present invention contains the repeating unit represented by the above general formula (1).

【0006】一般式(1)におけるR1およびR2はそれ
ぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アル
キルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリール
チオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、
アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換シ
リル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、1価の
複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基または
シアノ基を示す。
R 1 and R 2 in the general formula (1) are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group,
An arylalkenyl group, an arylalkynyl group, a substituted silyl group, an alkylamino group, an arylamino group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group.

【0007】ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または
環状のいずれでもよく、炭素数は通常1〜20程度であ
り、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、i
−プロピル基、ブチル基、 i−ブチル基、t−ブチル
基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプ
チル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル
基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル
基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル
基、2−エチルヘキシル基、デシル基、3,7−ジメチ
ルオクチル基が好ましい。
The alkyl group may be linear, branched or cyclic and has a carbon number of usually about 1 to 20. Specifically, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, i
-Propyl group, butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group , A lauryl group and the like, and a pentyl group, a hexyl group, an octyl group, a 2-ethylhexyl group, a decyl group and a 3,7-dimethyloctyl group are preferable.

【0008】アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状の
いずれでもよく、炭素数は通常1〜20程度であり、具
体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ
基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、 i−ブトキ
シ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオ
キシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、
オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニ
ルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチ
ルオキシ基、ラウリルオキシ基などが挙げられ、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2
−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−
ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
The alkoxy group may be linear, branched or cyclic and has a carbon number of usually about 1 to 20. Specifically, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i-propyloxy group, Butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyloxy group,
Examples thereof include an octyloxy group, a 2-ethylhexyloxy group, a nonyloxy group, a decyloxy group, a 3,7-dimethyloctyloxy group and a lauryloxy group, and a pentyloxy group, a hexyloxy group, an octyloxy group, 2
-Ethylhexyloxy group, decyloxy group, 3,7-
A dimethyloctyloxy group is preferred.

【0009】アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状
のいずれでもよく、炭素数は通常1〜20程度であり、
具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチ
オ基、 i−プロピルチオ基、ブチルチオ基、 i−ブ
チルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキ
シルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、
オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチ
オ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ
基、ラウリルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、
ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシル
チオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ
基が好ましい。
The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and the carbon number is usually about 1 to 20,
Specifically, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, i-propylthio group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group,
Octylthio group, 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group and the like, pentylthio group,
Hexylthio group, octylthio group, 2-ethylhexylthio group, decylthio group and 3,7-dimethyloctylthio group are preferred.

【0010】アリール基とは、芳香族炭化水素から、水
素原子1個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水
素としては縮合芳香族多環をもつもの、独立したベンゼ
ン環または縮合多環2個以上が直接またはビニレン等の
基を介して結合したものが含まれる。アリール基は、炭
素数は通常6〜60程度であり、具体的には、フェニル
基、C1〜C12アルコキシフェニル基(C1〜C12は、炭
素数1〜12であることを示す。以下も同様であ
る。)、C1〜C12アルキルフェニル基、1−ナフチル
基、2−ナフチル基などが例示され、 C1〜C12アル
コキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基が好
ましい。
The aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon. Here, the aromatic hydrocarbon includes those having a condensed aromatic polycycle, and those in which two or more independent benzene rings or condensed polycycles are bonded directly or through a group such as vinylene. The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, and specifically, a phenyl group and a C 1 to C 12 alkoxyphenyl group (wherein C 1 to C 12 have 1 to 12 carbon atoms). The same shall apply to the following.), A C 1 -C 12 alkylphenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group and the like are exemplified, and a C 1 -C 12 alkoxyphenyl group and a C 1 -C 12 alkylphenyl group are preferable. .

【0011】アリールオキシ基は、炭素数は通常6〜6
0程度であり、具体的には、フェノキシ基、C1〜C12
アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキ
シ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基な
どが例示され、 C1〜C12アルコキシフェノキシ基、
1〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。
The aryloxy group usually has 6 to 6 carbon atoms.
0, specifically, a phenoxy group, C 1 to C 12
Examples thereof include an alkoxyphenoxy group, a C 1 to C 12 alkylphenoxy group, a 1-naphthyloxy group and a 2-naphthyloxy group, and a C 1 to C 12 alkoxyphenoxy group,
C 1 -C 12 alkylphenoxy group are preferable.

【0012】アリールアルキル基は、炭素数は通常7〜
60程度であり、具体的には、フェニル−C1〜C12
ルキル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12
ルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アル
キル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナ
フチル−C1〜C12アルキル基などが例示され、C1〜C
12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C
12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基が好まし
い。
The arylalkyl group usually has 7 to 7 carbon atoms.
It is about 60, specifically, phenyl-C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl-C 1 -C 12 alkyl. Group, 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group and the like are exemplified, and C 1 -C
12 alkoxyphenyl-C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C
A 12 alkylphenyl-C 1 -C 12 alkyl group is preferred.

【0013】アリールアルコキシ基は、炭素数は通常7
〜60程度であり、具体的には、フェニル−C1〜C12
アルコキシ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C
12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C
12アルコキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルコキシ
基、2−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基などが例示
され、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコ
キシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコ
キシ基が好ましい。
The arylalkoxy group usually has 7 carbon atoms.
To about 60, specifically, phenyl-C 1 to C 12
Alkoxy group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1 -C
12 alkoxy groups, C 1 -C 12 alkylphenyl-C 1 -C
12 alkoxy group, 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkoxy group and the like are exemplified, and C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 ˜C 12 alkylphenyl-C 1 -C 12 alkoxy groups are preferred.

【0014】アリールアルケニル基としては、炭素数は
通常8〜60程度であり、具体的には、フェニル−C2
〜C12アルケニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−
2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルキルフェニル−
2〜C12アルケニル基、1−ナフチル−C2〜C12アル
ケニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルケニル基など
が例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12
アルケニル基、C1〜C1 2アルキルフェニル−C2〜C12
アルケニル基が好ましい。
The arylalkenyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms, specifically, phenyl-C 2
To C 12 alkenyl group, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-
C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -
C 2 -C 12 alkenyl group, 1-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12
Alkenyl group, C 1 ~C 1 2 alkylphenyl -C 2 -C 12
Alkenyl groups are preferred.

【0015】アリールアルキニル基としては、炭素数は
通常8〜60程度であり、具体的には、フェニル−C2
〜C12アルキニル基、C1〜C12アルコキシフェニル−
2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−
2〜C12アルキニル基、1−ナフチル−C2〜C12アル
キニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルキニル基など
が例示され、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12
アルキニル基、C2〜C1 2アルキルフェニル−C1〜C12
アルキニル基が好ましい。
The arylalkynyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms, specifically, phenyl-C 2
To C 12 alkynyl group, C 1 to C 12 alkoxyphenyl-
C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -
C 2 -C 12 alkynyl group, 1-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl groups and the like, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12
Alkynyl group, C 2 ~C 1 2 alkylphenyl -C 1 -C 12
Alkynyl groups are preferred.

【0016】置換シリル基は、アルキル基、アリール
基、アリールアルキル基または1価の複素環基から選ば
れる1、2または3個の基で置換されたシリル基をい
い、炭素数は通常1〜60程度である。なお該アルキル
基、アリール基、アリールアルキル基または1価の複素
環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基として
は、アルキルシリル基、(アルキル)(アリール)シリ
ル基等があげられる。アルキルシリル基は、直鎖、分岐
または環状のいずれでもよく、炭素数は通常1〜60程
度であり、具体的には、メチルシリル基、エチルシリル
基、プロピルシリル基、 i−プロピルシリル基、ブチ
ルシリル基、i−ブチルシリル基、t−ブチルシリル
基、ペンチルシリル基、ヘキシルシリル基、シクロヘキ
シルシリル基、ヘプチルシリル基、オクチルシリル基、
2−エチルヘキシルシリル基、ノニルシリル基、デシル
シリル基、3,7−ジメチルオクチルシリル基、ラウリ
ルシリル基、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリ
ル基、プロピルジメチルシリル基、 i−プロピルジメ
チルシリル基、ブチルジメチルシリル基、t−ブチルジ
メチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシル
ジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチ
ルジメチルシリル基、2−エチルヘキシル−ジメチルシ
リル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリ
ル基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、
ラウリルジメチルシリル基などが挙げられ、ペンチルシ
リル基、ヘキシルシリル基、オクチルシリル基、2−エ
チルヘキシルシリル基、デシルシリル基、3,7−ジメ
チルオクチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘ
キシルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、
2−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、デシルジメチ
ルシリル基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリ
ル基が好ましい。(アルキル)(アリール)シリル基
は、フェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12
アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1
〜C12アルキルフェニルC1〜C12アルキルシリル基、
1−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、2−ナフ
チル−C1〜C12アルキルシリル基、フェニル−C1〜C
12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、
トリ−p−キシリルシリルキ、トリベンジルシリル基、
ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリ
ル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
The substituted silyl group means a silyl group substituted with 1, 2 or 3 groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and usually has a carbon number of 1 to 1. It is about 60. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. Examples of the substituted silyl group include an alkylsilyl group and an (alkyl) (aryl) silyl group. The alkylsilyl group may be linear, branched or cyclic, and the carbon number thereof is usually about 1 to 60, and specifically, methylsilyl group, ethylsilyl group, propylsilyl group, i-propylsilyl group, butylsilyl group. , I-butylsilyl group, t-butylsilyl group, pentylsilyl group, hexylsilyl group, cyclohexylsilyl group, heptylsilyl group, octylsilyl group,
2-ethylhexylsilyl group, nonylsilyl group, decylsilyl group, 3,7-dimethyloctylsilyl group, laurylsilyl group, trimethylsilyl group, ethyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, i-propyldimethylsilyl group, butyldimethylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, 3,7-dimethyl Octyl-dimethylsilyl group,
Examples include lauryldimethylsilyl group, pentylsilyl group, hexylsilyl group, octylsilyl group, 2-ethylhexylsilyl group, decylsilyl group, 3,7-dimethyloctylsilyl group, pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, octyl Dimethylsilyl group,
A 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, a decyldimethylsilyl group and a 3,7-dimethyloctyl-dimethylsilyl group are preferable. The (alkyl) (aryl) silyl group is a phenyl-C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12
Alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1
To C 12 alkylphenyl C 1 to C 12 alkylsilyl group,
1-naphthyl-C 1 -C 12 alkylsilyl group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkylsilyl group, phenyl-C 1 -C
12 alkyl dimethyl silyl group, triphenyl silyl group,
Tri-p-xylylsilyl group, tribenzylsilyl group,
Examples thereof include a diphenylmethylsilyl group, a t-butyldiphenylsilyl group and a dimethylphenylsilyl group.

【0017】アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環
状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアル
キルアミノ基でもよく、炭素数は通常1〜40程度であ
る。これらのアルキル基は同一でも異なっていてもよ
い。具体的には、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プ
ロピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、ブチルアミノ
基、 i−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、ペン
チルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミ
ノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチ
ルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ
基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミ
ノ基などが挙げられる。これらの具体例において、すべ
てジ体も含まれる。これらの中で、ペンチルアミノ基、
ヘキシルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキ
シルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオク
チルアミノ基が好ましい。
The alkylamino group may be linear, branched or cyclic and may be a monoalkylamino group or a dialkylamino group, and usually has about 1 to 40 carbon atoms. These alkyl groups may be the same or different. Specifically, methylamino group, ethylamino group, propylamino group, i-propylamino group, butylamino group, i-butylamino group, t-butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group , Heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, laurylamino group and the like. In these embodiments, all di-forms are also included. Among these, pentylamino group,
Hexylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, decylamino group and 3,7-dimethyloctylamino group are preferred.

【0018】アリールアミノ基は、炭素数は通常6〜6
0程度のアリール基を有しており、モノ体、ジ体でもよ
く、ジ体の場合には同一の基でも異なる基でもよい。よ
り具体的にはフェニルアミノ基、C1〜C12アルコキシ
フェニルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニルアミノ
基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基など
が例示され、C1〜C12アルキルフェニルアミノ基、C1
〜C12アルコキシフェニルアミノ基が好ましい。これら
例にはジ体も含まれる
The arylamino group usually has 6 to 6 carbon atoms.
It has an aryl group of about 0, and may be a mono-form or a di-form, and in the case of the di-form, it may be the same group or different groups. More specifically, a phenylamino group, a C 1 -C 12 alkoxyphenylamino group, a C 1 -C 12 alkylphenylamino group, a 1-naphthylamino group, a 2-naphthylamino group, etc. are exemplified, and a C 1 -C 12 Alkylphenylamino group, C 1
The -C 12 alkoxyphenylamino group is preferred. These examples include di body

【0019】1価の複素環基は、炭素数は通常4〜60
程度であり、具体的には、チエニル基、C1〜C12アル
キルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、
1〜C12アルキルピリジル基などが例示され、チエニ
ル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1
〜C12アルキルピリジル基が好ましい。1価の複素環基
とは、複素環化合物から水素原子1個を除いた残りの原
子団をいう。
The monovalent heterocyclic group usually has 4 to 60 carbon atoms.
And specifically, a thienyl group, a C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group,
C 1 -C 12 is like the illustration alkylpyridyl group, a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, C 1
~ C 12 alkylpyridyl groups are preferred. The monovalent heterocyclic group means an atomic group remaining after removing one hydrogen atom from the heterocyclic compound.

【0020】置換カルボキシル基は、通常炭素数2〜6
0程度であり、アルキル基、アリール基、アリールアル
キル基または1価の複素環基で置換されたカルボキシル
基をいい、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニ
ル基、ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル
基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボ
ニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキ
シカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチ
ルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシロキシカルボ
ニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボ
ニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル
基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキ
シカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル
基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロ
ヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオ
キシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキ
シカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基などが挙
げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールア
ルキル基または1価の複素環基は置換基を有していても
よい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素
数は含まれない。
The substituted carboxyl group usually has 2 to 6 carbon atoms.
It is about 0 and refers to a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group or a monovalent heterocyclic group, and is a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, a propoxycarbonyl group, an i-propoxycarbonyl group or a butoxycarbonyl group. Group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group Group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobut Aryloxycarbonyl group, perfluorohexyloxy carbonyl group, perfluorooctyloxy carbonyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, and pyridyl oxycarbonyl group. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted carboxyl group does not include the carbon number of the substituent.

【0021】これまで述べてきた置換基の例のうち、ア
ルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐
または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであっ
てもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、2
−エチルヘキシル基、3,7−ジメチルオクチル基、シ
クロヘキシル基、4−C1〜C12アルキルシクロヘキシ
ル基などが例示される。さらに、置換基の例のうち、ア
リール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらが
さらに1つ以上の置換基を有していてもよい。
Among the examples of the substituent described above, in the substituent containing an alkyl chain, they may be linear, branched or cyclic, or a combination thereof, and when they are not linear, For example, isoamyl group, 2
Examples include -ethylhexyl group, 3,7-dimethyloctyl group, cyclohexyl group, 4-C 1 -C 12 alkylcyclohexyl group and the like. Furthermore, when an aryl group or a heterocyclic group is included in a part of the examples of the substituents, they may further have one or more substituents.

【0022】これらの水素原子以外の基が、長鎖置換基
である場合には、良溶解性の観点から、C(炭素),N
(窒素),O(酸素),S(硫黄)のいずれか原子をそ
の総数として4以上有することが好ましく、さらに好ま
しくは炭素原子と窒素原子をそれらの総数で4以上有す
ることである。
When the group other than hydrogen atom is a long-chain substituent, from the viewpoint of good solubility, C (carbon), N
The total number of (nitrogen), O (oxygen) and S (sulfur) atoms is preferably 4 or more, more preferably 4 or more carbon atoms and nitrogen atoms.

【0023】これらの基の中で、アルキル基、アリール
基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基が好ましく、
さらに好ましくはアルキルアミノ基、アリールアミノ基
である。
Of these groups, an alkyl group, an aryl group, an alkylamino group and an arylamino group are preferable,
More preferred are alkylamino group and arylamino group.

【0024】本発明の高分子化合物は式(1)で示され
る繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよ
い。式(1)で示される繰り返し単位の合計は通常全繰
り返し単位の1モル%以上100モル%以下であり、好
ましくは10モル%以上90モル%以下であり、より好
ましくは30モル%以上80モル%以下である。
The polymer compound of the present invention may contain a repeating unit other than the repeating unit represented by the formula (1). The total of the repeating units represented by the formula (1) is usually 1 mol% or more and 100 mol% or less, preferably 10 mol% or more and 90 mol% or less, and more preferably 30 mol% or more and 80 mol% or less of all the repeating units. % Or less.

【0025】一般式(1)で示される繰り返し単位以外
の繰り返し単位の具体例としては、例えば、WO99/
13692号公開明細書、WO99/48160公開明
細書、GB2340304A、WO00/53656公
開明細書、WO01/19834公開明細書、WO00
/55927公開明細書、GB2348316、WO0
0/46321公開明細書、WO00/06665公開
明細書、WO99/54943公開明細書、WO99/
54385公開明細書、US5777070、WO98
/06773公開明細書、WO97/05184公開明
細書、WO00/35987公開明細書、WO00/5
3655公開明細書、WO01/34722公開明細
書、WO99/24526公開明細書、WO00/22
027公開明細書、WO00/22026公開明細書、
WO98/27136公開明細書、US573636、
WO98/21262公開明細書、US574192
1、WO97/09394公開明細書、WO96/29
356公開明細書、WO96/10617公開明細書、
EP0707020、WO95/07955公開明細
書、特開2001−181618号公報、特開2001
−123156号公報、特開2001−3045号公
報、特開2000−351967号公報、特開2000
−303066号公報、特開2000−299189号
公報、特開2000−252065号公報、特開200
0−136379号公報、特開2000−104057
号公報、特開2000−80167号公報、特開平10
−324870号公報、特開平10−114891号公
報、特開平9−111233号公報、特開平9−454
78号公報等に開示されているポリフルオレン、その誘
導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体およ
び共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体およ
び共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の(共)重
合体に含まれている繰り返し単位が例示される。
Specific examples of the repeating unit other than the repeating unit represented by the general formula (1) include WO99 /
13692 publication specification, WO99 / 48160 publication specification, GB2340304A, WO00 / 53656 publication specification, WO01 / 19834 publication specification, WO00.
/ 55927 Published Specification, GB2348316, WO0
0/46321 publication specification, WO00 / 06665 publication specification, WO99 / 54943 publication specification, WO99 /
54385 published specification, US 5777070, WO98.
/ 067773 publication specification, WO97 / 05184 publication specification, WO00 / 35987 publication specification, WO00 / 5
3655 publication specification, WO01 / 34722 publication specification, WO99 / 24526 publication specification, WO00 / 22
027 published specification, WO00 / 22026 published specification,
WO98 / 27136 published specification, US573636,
WO98 / 21262 publication specification, US574192
1, WO97 / 09394 published specification, WO96 / 29
356 published specification, WO96 / 10617 published specification,
EP0707020, WO95 / 07955 published specification, JP 2001-181618 A, JP 2001
-123156, JP 2001-3045 A, JP 2000-351967 A, JP 2000
-303066, JP 2000-299189, JP 2000-252065, and JP 200
0-136379, JP-A 2000-104057.
JP-A-2000-80167, JP-A-10
-324870, JP-A-10-114891, JP-A-9-111233, and JP-A-9-454.
(Co) of polyfluorene, its derivatives and copolymers, polyarylene, its derivatives and copolymers, polyarylene vinylene, its derivatives and copolymers, aromatic amines and its derivatives disclosed in Japanese Patent Publication No. 78 The repeating unit contained in the polymer is exemplified.

【0026】本発明に用いる高分子化合物のポリスチレ
ン換算の数平均分子量は通常103〜108である。
The polystyrene-reduced number average molecular weight of the polymer compound used in the present invention is usually 10 3 to 10 8 .

【0027】本発明に用いる高分子化合物の製造方法に
ついては特に制限はないが、例えば、下式(2)で示さ
れるモノマー化合物の重合反応により製造することがで
きる。 (2)ここにR1およびR2は前記と同じである。X1およ
びX2はそれぞれ独立に重合可能な基を示す。
The method for producing the polymer compound used in the present invention is not particularly limited, but it can be produced, for example, by a polymerization reaction of a monomer compound represented by the following formula (2). (2) Here, R 1 and R 2 are the same as above. X 1 and X 2 each independently represent a polymerizable group.

【0028】ここに、重合可能な基としては、例えばハ
ロゲン原子、水素原子、水酸基、アシルオキシ基、硼酸
基、硼酸エステル基、ハロゲン化メチル基、スルホニウ
ム塩基、アルデヒド基、ホスホニウム塩基等が例示され
る。
Examples of the polymerizable group include halogen atom, hydrogen atom, hydroxyl group, acyloxy group, boric acid group, boric acid ester group, halogenated methyl group, sulfonium group, aldehyde group, phosphonium group and the like. .

【0029】本発明に用いる高分子化合物が、一般式
(1)で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位にビ
ニレン基や三重結合を有しない場合には、例えば該当す
るモノマーからSuzukiカップリング反応により重
合する方法、Grignard反応により重合する方
法、Ni(0)触媒により重合する方法、FeCl3
の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合す
る方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の
分解による方法などが例示される。
When the polymer compound used in the present invention does not have a vinylene group or a triple bond in a repeating unit other than the repeating unit represented by the general formula (1), it is polymerized from the corresponding monomer by Suzuki coupling reaction. Method, polymerization by Grignard reaction, polymerization by Ni (0) catalyst, polymerization by an oxidizing agent such as FeCl 3 , electrochemical oxidation polymerization, or a method for producing an intermediate having a suitable leaving group. Examples thereof include a method using molecular decomposition.

【0030】より具体的に例示すると、重合可能な基が
ハロゲン原子の場合には、式(2)で示されるモノマー
化合物のゼロ価ニッケル錯体による脱ハロゲン化重合反
応によって製造することができる。この重合反応には、
好ましくはモノマー化合物に対して0.1〜3倍モルの
0価ニッケル(Ni(0))錯体を用い、溶媒を用いて
行うことが考慮される。0価ニッケル(Ni(0))錯
体は、たとえばビス(1,5−シクロオクタジェン)ニ
ッケルと、2,2′−ビピリジルとの混合物等の形態と
して用いることができる。
More specifically, when the polymerizable group is a halogen atom, it can be produced by a dehalogenation polymerization reaction of a monomer compound represented by the formula (2) with a zero-valent nickel complex. In this polymerization reaction,
It is considered that it is preferable to use a 0.1- to 3-fold molar quantity of 0-valent nickel (Ni (0)) complex with respect to the monomer compound, and to carry out using a solvent. The zero-valent nickel (Ni (0)) complex can be used in the form of, for example, a mixture of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel and 2,2′-bipyridyl.

【0031】重合は、たとえばDMF(ジメチルホルム
アミド)、ジメチルスルホキシド、テトラヒドロフラ
ン、アセトニトリル等のニトリル系溶媒などの有機溶媒
を用いて、好ましくは20〜80℃程度の温度で行うこ
とができる。また、ゼロ価ニッケル錯体は、反応系中に
おいて、たとえば亜鉛と2価ニッケル錯体の反応により
調製したものを用いてもよい。この場合ニッケル錯体は
反応系中にある亜鉛等により繰り返し用いることができ
るので原料モノマー化合物に対するニッケル錯体の使用
割合は、モル比として0.01〜0.5程度の範囲でよ
い。
The polymerization can be carried out using an organic solvent such as a nitrile solvent such as DMF (dimethylformamide), dimethylsulfoxide, tetrahydrofuran or acetonitrile, preferably at a temperature of about 20 to 80 ° C. The zero-valent nickel complex may be prepared by reacting zinc with a divalent nickel complex in the reaction system. In this case, since the nickel complex can be repeatedly used with zinc or the like in the reaction system, the use ratio of the nickel complex with respect to the raw material monomer compound may be in the range of about 0.01 to 0.5.

【0032】なお、原料モノマー化合物としてのアミノ
基を有する繰り返し単位となるハロゲン化ピリミジン化
合物は、たとえば文献;Fischer, F.G.,Roch, J. &amp;
Neumann, W.P.Chlor-, Hydroxy- und Amino-Derivate
des Pyrimido[5,4-d]pyrimidins. Ann. Chem. 631, 147
-162(1960). 記載の方法を援用することにより合成する
ことができる。
The halogenated pyrimidine compound serving as a repeating unit having an amino group as a raw material monomer compound is described in, for example, the literature; Fischer, FG, Roch, J. &amp;
Neumann, WPChlor-, Hydroxy- und Amino-Derivate
des Pyrimido [5,4-d] pyrimidins. Ann. Chem. 631, 147
-162 (1960). It can be synthesized by incorporating the method described.

【0033】一般式(1)で表される繰り返し単位以外
の繰り返し単位にビニレン基を有する場合には、例えば
特開平5−202355号公報に記載の方法が挙げられ
る。すなわち、アルデヒド基を有する化合物とホスホニ
ウム塩基を有する化合物との、もしくはアルデヒド基と
ホスホニウム塩基とを有する化合物のWittig反応
による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン基を有
する化合物との、もしくはビニル基とハロゲン基とを有
する化合物のHeck反応による重合、アルデヒド基を
有する化合物とアルキルホスホネート基を有する化合物
との、もしくはアルデヒド基とアルキルホスホネート基
とを有する化合物のHorner−Wadsworth
−Emmons法による重合、ハロゲン化メチル基を2
つあるいは2つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法
による重縮合、スルホニウム塩基を2つあるいは2つ以
上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、
アルデヒド基を有する化合物とアセトニトリル基を有す
る化合物との、もしくはアルデヒド基とアセトニトリル
基とを有する化合物のKnoevenagel反応によ
る重合などの方法、アルデヒド基を2つあるいは2つ以
上有する化合物のMcMurry反応による重合などの
方法が例示される。高分子化合物が主鎖に三重結合を有
する場合には、例えば、Heck反応が利用できる。
When the repeating unit other than the repeating unit represented by the general formula (1) has a vinylene group, for example, the method described in JP-A-5-202355 can be mentioned. That is, polymerization of a compound having an aldehyde group and a compound having a phosphonium base, or a compound having an aldehyde group and a phosphonium base by Wittig reaction, a compound having a vinyl group and a compound having a halogen group, or a vinyl group Polymerization by Heck reaction of a compound having a halogen group, Horner-Wadsworth of a compound having an aldehyde group and a compound having an alkylphosphonate group, or a compound having an aldehyde group and an alkylphosphonate group
-Polymerization by Emmons method, 2 halogenated methyl groups
Polycondensation of one or two or more compounds by dehydrohalogenation method, polycondensation of two or more compounds of sulfonium base by sulfonium salt decomposition method,
Method such as polymerization of a compound having an aldehyde group and a compound having an acetonitrile group or a compound having an aldehyde group and an acetonitrile group by Knoevenagel reaction, polymerization of a compound having two or more aldehyde groups by McMurry reaction, etc. Is exemplified. When the polymer compound has a triple bond in the main chain, for example, the Heck reaction can be used.

【0034】これらのうち、 Wittig反応による
重合、Heck反応による重合、Horner−Wad
sworth−Emmons法による重合、Knoev
enagel反応による重合、およびSuzukiカッ
プリング反応により重合する方法、Grignard反
応により重合する方法、Ni(0)触媒により重合する
方法が、構造制御がしやすいので好ましい。さらに好ま
しくはSuzukiカップリング反応により重合する方
法、Grignard反応により重合する方法、Ni
(0)触媒により重合する方法である
Among these, polymerization by Wittig reaction, polymerization by Heck reaction, Horner-Wad
Polymerization by the swath-Emmons method, Knoev
Polymerization by the enagel reaction, polymerization by the Suzuki coupling reaction, polymerization by the Grignard reaction, and polymerization by the Ni (0) catalyst are preferable because the structure can be easily controlled. More preferably, a method of polymerizing by Suzuki coupling reaction, a method of polymerizing by Grignard reaction, Ni
(0) A method of polymerizing with a catalyst

【0035】具体的には、モノマーとなる、反応性置換
基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解
し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融
点以上沸点以下で、反応させることができる。例えば、
“オルガニック リアクションズ(Organic R
eactions)”,第14巻,270−490頁,
ジョンワイリー アンド サンズ(John Wile
y&Sons,Inc.),1965年、“オルガニッ
ク リアクションズ(Organic Reactio
ns)”,第27巻,345−390頁,ジョンワイリ
ー アンド サンズ(John Wiley&Son
s,Inc.),1982年、“オルガニック シンセ
シス(Organic Syntheses)”,コレ
クティブ第6巻(Collective Volume
VI),407−411頁,ジョンワイリー アンド
サンズ(John Wiley&Sons,In
c.),1988年、ケミカル レビュー(Chem.
Rev.),第95巻,2457頁(1995年)、ジ
ャーナル オブ オルガノメタリック ケミストリー
(J.Organomet.Chem.),第576
巻,147頁(1999年)、ジャーナル オブ プラ
クティカル ケミストリー(J.Prakt.Che
m.),第336巻,247頁(1994年)、マクロ
モレキュラー ケミストリー マクロモレキュラー シ
ンポジウム(Makromol.Chem.,Macr
omol.Symp.),第12巻,229頁(198
7年)などに記載の公知の方法を用いることができる。
Specifically, if necessary, a compound having a plurality of reactive substituents serving as a monomer is dissolved in an organic solvent, and, for example, an alkali or a suitable catalyst is used, and the temperature is not lower than the melting point and not higher than the boiling point of the organic solvent. Can be reacted. For example,
"Organic Reactions (Organic R
actions) ", Vol. 14, 270-490,
John Wiley and Sons (John Wile
y & Sons, Inc. ), 1965, "Organic Reactions (Organic Reactio
ns) ”, vol. 27, pp. 345-390, John Wiley & Sons (John Wiley & Sons).
s, Inc. ), 1982, "Organic Syntheses", Collective Volume 6 (Collective Volume).
VI), pages 407-411, John Wiley & Sons, In.
c. ), 1988, Chemical Review (Chem.
Rev. ), 95, 2457 (1995), Journal of Organometallic Chemistry (J. Organomet. Chem.), 576.
Vol., 147 (1999), Journal of Practical Chemistry (J. Prakt. Che.
m. ), 336, 247 (1994), Macromolecular Chemistry Macromolecular Symposium (Makromol. Chem., Macr.
omol. Symp. ), Vol. 12, p. 229 (198
Known methods described in (7 years) and the like can be used.

【0036】有機溶媒としては、用いる化合物や反応に
よっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用
いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で
反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処
理を行うことが好ましい。但し、Suzukiカップリ
ング反応のような水との2相系での反応の場合にはその
限りではない。
Although the organic solvent varies depending on the compound and reaction used, it is generally preferable that the solvent used is sufficiently deoxidized and the reaction proceeds in an inert atmosphere in order to suppress side reactions. In addition, it is preferable to perform dehydration treatment in the same manner. However, this is not the case in the case of a reaction in a two-phase system with water, such as the Suzuki coupling reaction.

【0037】反応させるために適宜アルカリや適当な触
媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すれば
よい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十
分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混
合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不
活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは
触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶
液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
For the reaction, an alkali or a suitable catalyst is added. These may be selected according to the reaction used. The alkali or catalyst is preferably one that is sufficiently dissolved in the solvent used for the reaction. The method for mixing the alkali or the catalyst is to slowly add the solution of the alkali or the catalyst while stirring the reaction solution under an inert atmosphere such as argon or nitrogen, or, conversely, slowly add the reaction solution to the solution of the alkali or the catalyst. The method of adding is illustrated.

【0038】高分子化合物を光電子素子に用いる場合、
その純度が素子の性能に影響を与えるため、重合前のモ
ノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したの
ちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、
クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすること
が好ましい。
When the polymer compound is used in an optoelectronic device,
Since the purity affects the performance of the device, it is preferable to purify the monomer before polymerization by a method such as distillation, sublimation purification, and recrystallization, and then polymerize it. After polymerization, reprecipitation purification,
Purification such as fractionation by chromatography is preferred.

【0039】本発明の光電子素子は、通常式(1)で示
される繰り返し単位を含む高分子化合物を含む層を有す
る。該層中の通常式(1)で示される繰り返し単位を含
む高分子化合物の含有量は好ましくは1〜99重量%程度
である。本発明の光電子素子としては、発光素子、スイ
ッチング素子、光電変換素子、太陽電池、光電特性を利
用した光センサー等が挙げられる。
The optoelectronic device of the present invention has a layer containing a polymer compound containing a repeating unit represented by the general formula (1). The content of the polymer compound containing the repeating unit represented by the general formula (1) in the layer is preferably about 1 to 99% by weight. Examples of the optoelectronic element of the present invention include a light emitting element, a switching element, a photoelectric conversion element, a solar cell, and an optical sensor utilizing photoelectric characteristics.

【0040】本発明の一様態である発光素子について説
明する。本発明の発光素子は、陽極および陰極からなる
電極間に発光層を有する。本発明の発光素子には、発光
層以外に、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子
注入層を有していてもよい。ここに、正孔輸送層とは、
正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層と
は、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子
輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。さら
に、正孔注入層とは発光層、正孔輸送層、電子輸送層
は、それぞれ独立に2層以上用いてもよい。ここに正孔
輸送層および/または電子輸送層は、2層以上であって
もよい。
A light emitting device according to one embodiment of the present invention will be described. The light emitting device of the present invention has a light emitting layer between electrodes composed of an anode and a cathode. The light emitting device of the present invention may have a hole transport layer, an electron transport layer, a hole injection layer, and an electron injection layer in addition to the light emitting layer. Here, the hole transport layer is
The layer having a function of transporting holes is referred to, and the electron transport layer is a layer having a function of transporting electrons. The electron transport layer and the hole transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Further, the light emitting layer, the hole transporting layer, and the electron transporting layer may be two or more layers independently of each other. Here, the hole transport layer and / or the electron transport layer may be two or more layers.

【0041】すなわち、本発明の発光素子としては、陽
極および陰極からなる電極間に、陽極に接して正孔注入
層を有し、さらに発光層を有する素子(例えば、下記a))
のほかに、例えば、正孔注入層と発光層との間に、該発
光層に隣接して正孔輸送層を設けた発光素子(例えば、下
記b));陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して
電子輸送層を設けた発光素子(例えば、下記c));陰極
と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層を設
け、正孔輸送層と発光層との間に、該発光層に隣接して
正孔輸送層を設けた発光素子素子(例えば、下記d));
等が挙げられる。
That is, as the light emitting device of the present invention, a device having a hole injecting layer in contact with the anode between electrodes composed of an anode and a cathode, and further having a light emitting layer (for example, a below))
In addition to the above, for example, a light emitting element in which a hole transport layer is provided between the hole injection layer and the light emitting layer and adjacent to the light emitting layer (for example, b) below); between the cathode and the light emitting layer. A light emitting device having an electron transport layer provided adjacent to the light emitting layer (for example, the following c)); an electron transport layer provided adjacent to the light emitting layer between the cathode and the light emitting layer; And a light emitting layer, a light emitting device element in which a hole transporting layer is provided adjacent to the light emitting layer (for example, d below));
Etc.

【0042】 a)陽極/正孔注入層/発光層/陰極 b)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極 c)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極 d)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送
層/陰極 (ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示
す。以下同じ。)
A) anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode b) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / Cathode d) Anode / hole injecting layer / hole transporting layer / light emitting layer / electron transporting layer / cathode (here, / indicates that each layer is laminated adjacently. The same applies hereinafter.)

【0043】発光素子の場合に、式(1)の繰り返し単
位を含む高分子化合物を発光層や電荷輸送層、電荷注入
層に使用することができる。この場合に該高分子化合物
を単独で用いてもよく、それぞれの層に該高分子化合物
以外の発光材料、電荷輸送材料、電荷注入材料を一種類
以上混合して用いてよい。該高分子化合物を発光層に用
いる場合、発光層に、該高分子化合物以外にさらに正孔
輸送性材料、電子輸送性材料、該高分子化合物以外の発
光材料から選ばれる材料を一種類以上含んでいてもよ
い。
In the case of a light emitting device, a polymer compound containing the repeating unit of the formula (1) can be used in the light emitting layer, the charge transport layer and the charge injection layer. In this case, the polymer compound may be used alone, or one or more kinds of light emitting materials, charge transport materials, and charge injection materials other than the polymer compound may be mixed and used in each layer. When the polymer compound is used in the light emitting layer, the light emitting layer further contains, in addition to the polymer compound, at least one material selected from a hole transporting material, an electron transporting material, and a light emitting material other than the polymer compound. You can leave.

【0044】本発明の発光素子が有する発光層の膜厚と
しては、該発光層に用いる材料によって最適値が異な
り、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択す
ればよいが、少なくともピンホールが発生しないような
厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高
くなり好ましくない。従って、該発光層の膜厚として
は、例えば1nm〜1μmであり、好ましくは10nm
〜300nmであり、さらに好ましくは20nm〜15
0nmである。
The thickness of the light emitting layer of the light emitting device of the present invention has an optimum value depending on the material used for the light emitting layer, and may be selected so that the driving voltage and the light emitting efficiency have appropriate values. It is necessary to have a thickness that does not cause pinholes, and if it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the thickness of the light emitting layer is, for example, 1 nm to 1 μm, and preferably 10 nm.
To 300 nm, more preferably 20 nm to 15 nm
It is 0 nm.

【0045】該発光層は、発光材料として低分子蛍光体
を用いる場合には、例えば、真空蒸着や高分子バインダ
ーとの混合溶液からの製膜により形成することができ
る。
When the low molecular weight fluorescent substance is used as the light emitting material, the light emitting layer can be formed by, for example, vacuum deposition or film formation from a mixed solution with a polymer binder.

【0046】また、発光材料として、一般式(1)で表
される繰り返し単位を有する高分子化合物を用いる場合
には、該化合物を含む溶液から製膜することができる。
溶液から製膜する場合には、上記の正孔注入層と同様の
製膜方法が採用される。また一般式(1)で表される繰
り返し単位を有する高分子化合物のほかに、他の高分子
化合物が含まれていてもよく、他の高分子化合物は特に
限定されないが、例えばフルオレン骨格を有する高分子
など、共役系高分子が好ましいものとして挙げられる。
発光材料を溶液から成膜する際に用いる溶媒としては、
一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化
合物や高分子バインダーを溶解させるものであれば特に
制限はない。具体的には、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラ
ン等のエーテル系溶媒やトルエン、キシレン、メシチレ
ン、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、n−ブチ
ルベンゼン等の芳香族化合物系溶媒などがより好適に使
用される。発光材料として
When a polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (1) is used as a light emitting material, a film can be formed from a solution containing the compound.
When forming a film from a solution, a film forming method similar to that of the above hole injection layer is adopted. In addition to the polymer compound having the repeating unit represented by the general formula (1), another polymer compound may be contained, and the other polymer compound is not particularly limited, but has, for example, a fluorene skeleton. Conjugated polymers such as polymers are preferred.
As a solvent used when forming a film of a luminescent material from a solution,
There is no particular limitation as long as it dissolves a polymer compound having a repeating unit represented by the general formula (1) or a polymer binder. Specifically, chlorine-based solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether-based solvents such as tetrahydrofuran, and aromatics such as toluene, xylene, mesitylene, 1,2,3,4-tetramethylbenzene and n-butylbenzene. A compound solvent or the like is more preferably used. As a light emitting material

【0047】本発明の発光素子が正孔輸送層を有する場
合、該正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって
最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となる
ように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生
しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の
駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送
層の膜厚としては、例えば1nm〜1μmであり、好ま
しくは2nm〜300nmであり、さらに好ましくは5
nm〜200nmである。
When the light-emitting device of the present invention has a hole-transporting layer, the film thickness of the hole-transporting layer varies depending on the material used, and is selected so that the driving voltage and the luminous efficiency are appropriate values. However, if the thickness is too large, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the hole transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 300 nm, and more preferably 5 nm.
nm to 200 nm.

【0048】本発明の発光素子が電子輸送層を有する場
合、該電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって
最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となる
ように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生
しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の
駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送
層の膜厚としては、例えば1nm〜1μmであり、好ま
しくは2nm〜300nmであり、さらに好ましくは5
nm〜200nmである。
When the light emitting device of the present invention has an electron transporting layer, the film thickness of the electron transporting layer varies depending on the material used, and is selected so that the driving voltage and the light emitting efficiency have appropriate values. It is good, but at least a thickness that does not cause pinholes is necessary. If it is too thick, the driving voltage of the element becomes high, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the electron transport layer is, for example, 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 300 nm, and more preferably 5 nm.
nm to 200 nm.

【0049】本発明の発光素子に用いる正孔輸送性材
料、電子輸送性材料としては公知の低分子化合物や高分
子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが
好ましい。正孔輸送性材料、および電子輸送性材料の具
体例として、高分子化合物としてはWO99/1369
2号公開明細書、WO99/48160公開明細書、G
B2340304A、WO00/53656公開明細
書、WO01/19834公開明細書、WO00/55
927公開明細書、GB2348316、WO00/4
6321公開明細書、WO00/06665公開明細
書、WO99/54943公開明細書、WO99/54
385公開明細書、US5777070、WO98/0
6773公開明細書、WO97/05184公開明細
書、WO00/35987公開明細書、WO00/53
655公開明細書、WO01/34722公開明細書、
WO99/24526公開明細書、WO00/2202
7公開明細書、WO00/22026公開明細書、WO
98/27136公開明細書、US573636、WO
98/21262公開明細書、US5741921、W
O97/09394公開明細書、WO96/29356
公開明細書、WO96/10617公開明細書、EP0
707020、WO95/07955公開明細書、特開
2001−181618号公報、特開2001−123
156号公報、特開2001−3045号公報、特開2
000−351967号公報、特開2000−3030
66号公報、特開2000−299189号公報、特開
2000−252065号公報、特開2000−136
379号公報、特開2000−104057号公報、特
開2000−80167号公報、特開平10−3248
70号公報、特開平10−114891号公報、特開平
9−111233号公報、特開平9−45478号公報
等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および
共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合
体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合
体、芳香族アミンおよびその誘導体の(共)重合体が例
示される。
As the hole transporting material and electron transporting material used in the light emitting device of the present invention, known low molecular weight compounds and high molecular weight compounds can be used, but it is preferable to use high molecular weight compounds. As specific examples of the hole transporting material and the electron transporting material, WO 99/1369 is given as a polymer compound.
No. 2, published specification, WO99 / 48160 published specification, G
B2340304A, WO00 / 53656 publication specification, WO01 / 19834 publication specification, WO00 / 55
927 published specification, GB2348316, WO00 / 4
6321 publication specification, WO00 / 06665 publication specification, WO99 / 54943 publication specification, WO99 / 54
385 Published Specification, US5777070, WO98 / 0
6773 publication specification, WO 97/05184 publication specification, WO 00/35987 publication specification, WO 00/53
655 specification, WO 01/34722 specification,
WO99 / 24526 publication specification, WO00 / 2202
7 Published specification, WO00 / 22026 Published specification, WO
98/27136 published specification, US573636, WO
98/21262 Published Specification, US5741921, W
O97 / 09394 published specification, WO96 / 29356
Open specification, WO96 / 10617 Open specification, EP0
707020, WO95 / 07955 published specification, JP 2001-181618 A, JP 2001-123.
156, JP 2001-3045 A, JP 2
000-351967, JP 2000-3030A.
No. 66, No. 2000-299189, No. 2000-252065, No. 2000-136.
379, JP-A 2000-104057, JP-A 2000-80167, and JP-A 10-3248.
70, JP-A-10-114891, JP-A-9-111233, JP-A-9-45478, and the like, polyfluorene, derivatives and copolymers thereof, polyarylene, derivatives and copolymers thereof. Examples thereof include polymers, polyarylene vinylene, derivatives and copolymers thereof, and (co) polymers of aromatic amines and derivatives thereof.

【0050】高分子化合物の正孔輸送性材料としては、
上記に例示した文献に記載のものがより好適に用いられ
るが、それ以外の高分子化合物、例えば、ポリビニルカ
ルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはそ
の誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポ
リシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導
体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロール
もしくはその誘導体、またはポリ(2,5−チエニレン
ビニレン)もしくはその誘導体なども利用可能である。
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリ
ン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、
トリフェニルジアミン誘導体が例示される。
As the hole transporting material of the polymer compound,
Those described in the above-mentioned documents are more preferably used, but other polymer compounds such as polyvinylcarbazole or its derivative, polysilane or its derivative, and polysiloxane having an aromatic amine in its side chain or main chain. A derivative, polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof, polypyrrole or a derivative thereof, or poly (2,5-thienylenevinylene) or a derivative thereof can be used.
Further, as a hole transporting material of a low molecular weight compound, a pyrazoline derivative, an arylamine derivative, a stilbene derivative,
An example is a triphenyldiamine derivative.

【0051】高分子化合物の電子輸送性材料としては、
上記に例示した文献に記載のもの以外に、ポリキノリン
もしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘
導体を使用してもよい。また、低分子化合物の電子輸送
性材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキ
ノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくは
その誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アント
ラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキ
ノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、
ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフ
ェノキノン誘導体、または8−ヒドロキシキノリンもし
くはその誘導体の金属等が例示される。特開昭63−7
0257号公報、同63−175860号公報、特開平
2−135359号公報、同2−135361号公報、
同2−209988号公報、同3−37992号公報、
同3−152184号公報に記載されている正孔輸送性
材料や電子輸送材料等が好適に利用できる。
As the electron transporting material of the polymer compound,
In addition to those described in the above-mentioned documents, polyquinoline or its derivative, polyquinoxaline or its derivative may be used. Further, as the electron transporting material of low molecular weight compounds, oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or its derivatives, benzoquinone or its derivatives, naphthoquinone or its derivatives, anthraquinone or its derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane or its derivatives , Fluorenone derivatives,
Examples include metals such as diphenyldicyanoethylene or its derivative, diphenoquinone derivative, or 8-hydroxyquinoline or its derivative. JP-A-63-7
No. 0257, No. 63-175860, No. 2-135359, No. 2-135361.
No. 2-209988, No. 3-37992,
A hole transporting material, an electron transporting material and the like described in JP-A-3-152184 can be preferably used.

【0052】上記正孔輸送層や電子輸送層は、それぞ
れ、正孔輸送性材料や電子輸送性材料を用いて製膜す
る。正孔輸送性材料や電子輸送性材料が低分子化合物の
場合には、真空蒸着や高分子バインダーとの混合溶液か
らの製膜が例示され、高分子化合物の場合には溶液や溶
融状態から製膜することができる。
The hole transport layer and the electron transport layer are formed by using a hole transport material and an electron transport material, respectively. When the hole transporting material or the electron transporting material is a low molecular compound, vacuum deposition or film formation from a mixed solution with a polymer binder is exemplified, and in the case of a polymer compound, it is prepared from a solution or a molten state. Can be membrane.

【0053】高分子化合物や正孔輸送性材料を溶液から
成膜する場合、該溶液に用いる溶媒としては、その材料
を溶解させるものであれば特に制限はない。具体的に
は、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の
塩素系溶媒やトルエン、キシレン、メシチレン、1,
2,3,4−テトラメチルベンゼン、n−ブチルベンゼ
ン等の芳香族化合物系溶媒などが好適に使用される。正
孔輸送層を溶液から成膜する場合に用いる溶媒として
は、正孔輸送性材料や、必要により使用される高分子バ
インダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該
溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエ
タン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル
系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート
等のエステル系溶媒が例示される。
When forming a film of a polymer compound or a hole transporting material from a solution, the solvent used in the solution is not particularly limited as long as it can dissolve the material. Specifically, chlorinated solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, toluene, xylene, mesitylene, 1,
Aromatic compound solvents such as 2,3,4-tetramethylbenzene and n-butylbenzene are preferably used. The solvent used when forming the hole transport layer from a solution is not particularly limited as long as it dissolves the hole transport material and the polymer binder used as necessary. As the solvent, chlorine-based solvents such as chloroform, methylene chloride and dichloroethane, ether-based solvents such as tetrahydrofuran, aromatic hydrocarbon-based solvents such as toluene and xylene, ketone-based solvents such as acetone and methyl ethyl ketone,
Examples thereof include ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate.

【0054】電子輸送層の成膜法としては特に制限はな
いが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着
法、または溶液、もしくは溶融状態からの成膜による方
法が、高分子電子輸送性材料では溶液または溶融状態か
らの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または
溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用し
てもよい。
The method for forming the electron transport layer is not particularly limited, but for the low molecular weight electron transporting material, the vacuum deposition method from powder, or the method by film formation from a solution or a molten state is used as a polymer electron. For the transportable material, a method of forming a film from a solution or a molten state is exemplified. When forming a film from a solution or a molten state, a polymer binder may be used together.

【0055】正孔輸送性材料や電子輸送性材料に必要に
応じ混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極
度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する
吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バイ
ンダーとして、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリ
アニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくは
その誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)もしくは
その誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)もし
くはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレー
ト、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキ
サンなどが例示される。
As the polymer binder to be mixed with the hole transporting material or the electron transporting material as needed, those which do not extremely disturb the charge transportation are preferable, and those which do not have strong absorption of visible light are suitably used. To be As the polymer binder, poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or its derivative, polythiophene or its derivative, poly (p-phenylene vinylene) or its derivative, poly (2,5-thienylene vinylene) or its derivative, polycarbonate , Polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane, and the like.

【0056】本発明の発光素子は、陽極、陰極、発光
層、正孔注入層、正孔輸送層及び電子輸送層以外の層を
有していてもよい。このような層としては、例えば、電
子注入層、膜厚10nm以下の絶縁層(界面の密着性向
上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に
設ける薄いバッファー層)があげられる。ここに、陰極
に隣接して設けた層であって、陰極からの電子注入効率
を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を
有するものを電子注入層という。積層する層の順番や
数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命
を勘案して適宜用いることができる。
The light emitting device of the present invention may have layers other than the anode, the cathode, the light emitting layer, the hole injection layer, the hole transport layer and the electron transport layer. Examples of such a layer include an electron injection layer and an insulating layer having a film thickness of 10 nm or less (a thin buffer layer provided at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer for improving the adhesiveness at the interface and preventing mixing). To be Here, a layer provided adjacent to the cathode, which has a function of improving electron injection efficiency from the cathode and has an effect of lowering the driving voltage of the element, is referred to as an electron injection layer. The order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of luminous efficiency and device life.

【0057】電子注入層の具体的な例としては、陰極と
発光層または電子輸送層との間に設けられ、陰極材料の
仕事関数と発光層に含まれる発光材料の電子親和力また
は電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の
電子親和力を有する材料を含む層などが好適に使用され
る。
Specific examples of the electron injection layer include a work function of the cathode material and an electron affinity of the light emitting material contained in the light emitting layer or an electron transporting layer provided between the cathode and the light emitting layer or the electron transporting layer. A layer containing a material having an electron affinity of an intermediate value with the contained electron transporting material is preferably used.

【0058】上記電子注入層が導電性高分子を含む層の
場合、該層は陰極と発光層との間に該電極に隣接して設
けられる。該導電性高分子の電気伝導度は、10-7S/
cm以上103S/cm以下であることが好ましく、発
光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5
/cm以上102S/cm以下がより好ましく、10- 5
S/cm以上101S/cm以下がさらに好ましい。通
常は該導電性高分子の電気伝導度を10-5S/cm以上
103S/cm以下とするために、該導電性高分子に適
量のイオンをドープする。ドープするイオンの種類は、
カチオンであり、その例としては、リチウムイオン、ナ
トリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモ
ニウムイオンなどが例示される。電子注入層の膜厚とし
ては、例えば1nm〜150nmであり、2nm〜10
0nmが好ましい。
When the electron injection layer is a layer containing a conductive polymer, the layer is provided between the cathode and the light emitting layer and adjacent to the electrode. The electric conductivity of the conductive polymer is 10 −7 S /
cm or more and 10 3 S / cm or less, and in order to reduce the leak current between the light emitting pixels, 10 −5 S
/ Cm to 10 more preferably 2 S / cm, 10 - 5
S / cm or more and 10 1 S / cm or less are more preferable. Usually, in order to make the electric conductivity of the conductive polymer 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions. The types of ions to be doped are
It is a cation, and examples thereof include lithium ion, sodium ion, potassium ion, and tetrabutylammonium ion. The thickness of the electron injection layer is, for example, 1 nm to 150 nm, and 2 nm to 10 nm.
0 nm is preferred.

【0059】電子注入層の成膜方法としては、溶液から
成膜することが例示され、この溶液を塗布後乾燥により
溶媒を除去するだけでよく、製造上非常に有利である。
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャス
ティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコー
ト法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコ
ート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリ
ーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、イン
クジェットプリント法等の塗布法を用いることができ
る。また電子注入材料は、エマルジョン状で水やアルコ
ールに分散させたものも溶液と同様な方法で、成膜する
ことができる。
As a film forming method of the electron injection layer, film formation from a solution is exemplified, and it is sufficient to remove the solvent by coating this solution and then drying, which is very advantageous in manufacturing.
As a film forming method from a solution, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, A coating method such as a flexographic printing method, an offset printing method or an inkjet printing method can be used. Further, as the electron injecting material, an emulsion that is dispersed in water or alcohol can be formed into a film by a method similar to that of the solution.

【0060】陰極に接して設ける10nm以下の絶縁層
としては、金属フッ化物や金属酸化物、または有機絶縁
材料等が挙げられ、アルカリ金属あるいはアルカリ土類
金属等の金属フッ化物や金属酸化物が好ましい。絶縁層
に用いる無機化合物の成膜方法には真空蒸着法が例示さ
れる。
Examples of the insulating layer having a thickness of 10 nm or less provided in contact with the cathode include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials. Metal fluorides or metal oxides such as alkali metals or alkaline earth metals are used. preferable. A vacuum deposition method is exemplified as a method for forming the inorganic compound used for the insulating layer.

【0061】本発明の発光素子を形成する基板は、電極
や該素子の各層を形成する際に変化しないものであれば
よく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、
シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合に
は、反対の電極が透明または半透明であることが好まし
い。
The substrate on which the light emitting device of the present invention is formed may be any one that does not change when forming the electrodes and each layer of the device, such as glass, plastic, polymer film,
A silicon substrate etc. are illustrated. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode is preferably transparent or translucent.

【0062】本発明の発光素子が有する陽極および陰極
からなる電極のうち通常少なくとも一方が透明または半
透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好
ましい。該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物、
半透明の金属等が用いられる。具体的には、酸化インジ
ウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であ
るインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウ
ム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラス(NES
Aなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、
インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。
また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導
体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透
明導電膜を用いてもよい。
It is preferable that at least one of the electrodes comprising an anode and a cathode of the light emitting device of the present invention is usually transparent or semitransparent, and the anode side is transparent or semitransparent. The material of the anode is a conductive metal oxide,
A semitransparent metal or the like is used. Specifically, conductive glass (NES, which is made of indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and indium-tin-oxide (ITO), indium-zinc-oxide, or the like, which is a composite thereof, (NES
A, etc.), gold, platinum, silver, copper, etc. are used, and ITO,
Indium / zinc / oxide and tin oxide are preferable.
Further, as the anode, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof and polythiophene or a derivative thereof may be used.

【0063】陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度と
を考慮して、適宜選択することができるが、例えば10
nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μmで
あり、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
The film thickness of the anode can be appropriately selected in consideration of light transmittance and electric conductivity, and is, for example, 10
nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.

【0064】陽極の作製方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等
が挙げられる。
Examples of the method for producing the anode include a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method and a plating method.

【0065】本発明の発光素子で用いる陰極の材料とし
ては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、
ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウ
ム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウ
ム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマ
リウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムな
どの金属、およびそれらのうち2つ以上の合金、あるい
はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガ
ン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫の
うち1つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイ
ト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグ
ネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マ
グネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、
リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム
合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミ
ニウム合金などが挙げられる。陰極を2層以上の積層構
造としてもよい。
As a material of the cathode used in the light emitting device of the present invention, a material having a small work function is preferable. For example, lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium,
Beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and two or more alloys thereof, or one of them Alloys of one or more with one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite, graphite intercalation compounds, and the like are used. Examples of alloys include magnesium-silver alloys, magnesium-indium alloys, magnesium-aluminum alloys, indium-silver alloys,
Examples thereof include lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.

【0066】陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮
して、適宜選択することができるが、例えば10nmか
ら10μmであり、好ましくは20nm〜1μmであ
り、さらに好ましくは50nm〜500nmである。
The film thickness of the cathode can be appropriately selected in consideration of electric conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm. is there.

【0067】陰極の作製方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等
が用いられる。
As a method for producing the cathode, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded and the like are used.

【0068】陰極作製後、発光素子を保護する保護層を
装着していてもよい。該発光素子を長期安定的に用いる
ためには、素子を外部から保護するために、保護層およ
び/または保護カバーを装着することが好ましい。
After forming the cathode, a protective layer for protecting the light emitting device may be attached. In order to stably use the light emitting device for a long period of time, it is preferable to attach a protective layer and / or a protective cover in order to protect the device from the outside.

【0069】該保護層としては、高分子化合物、金属酸
化物、金属窒化物、金属窒酸化物、金属フッ化物、金属
ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバー
としては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラ
スチック板などを用いることができ、該カバーを熱硬化
樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方
法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持
すれば、素子が破損するのを防ぐことが容易である。該
空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれ
ば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリ
ウム、酸化カルシウム等の乾燥剤を該空間内に設置する
ことにより製造工程で吸着した水分が素子の性能を低下
させるのを制することが容易となる。これらのうち、い
ずれか1つ以上の方策をとることが好ましい。
As the protective layer, polymer compounds, metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides, metal fluorides, metal borides and the like can be used. Further, as the protective cover, a glass plate, a plastic plate whose surface has been subjected to low water permeability treatment, or the like can be used, and a method in which the cover is adhered to the element substrate with a thermosetting resin or a photocurable resin and sealed is preferable. Used for. If the space is maintained by using the spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If the space is filled with an inert gas such as nitrogen or argon, oxidation of the cathode can be prevented, and a desiccant such as barium oxide or calcium oxide can be placed in the space to improve the manufacturing process. It becomes easy to prevent the adsorbed water from deteriorating the performance of the device. It is preferable to take any one or more of these measures.

【0070】本発明の発光素子は、面状光源、セグメン
ト表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装
置のバックライト等として用いることができる。
The light emitting device of the present invention can be used as a surface light source, a segment display device, a dot matrix display device, a backlight of a liquid crystal display device and the like.

【0071】本発明の発光素子を用いて面状の発光を得
るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置
すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、
前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマ
スクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く
形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のい
ずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する
方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成
し、いくつかの電極を独立にOn/OFFできるように
配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表
示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更
に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰
極をともにストライプ状に形成して直交するように配置
すればよい。複数の種類の発光色の異なる重合体を塗り
分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィル
ターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラ
ー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッ
シブ駆動でも、アモルファスシリコンや低温ポリシリコ
ンを用いた薄膜トランジスタなどと組み合わせたアクテ
ィブ駆動でもよい。これらの表示素子は、コンピュー
タ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーショ
ン、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置
として用いることができる。さらに、前記面状の発光素
子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト
用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に
用いることができる。また、フレキシブルな基板を用い
れば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
In order to obtain planar light emission using the light emitting device of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In addition, in order to obtain a patterned light emission,
A method of installing a mask provided with a patterned window on the surface of the planar light-emitting device, a method of forming an organic material layer of a non-light emitting portion to be extremely thick and substantially non-light emitting, either one of an anode and a cathode. Alternatively, there is a method of forming both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols, etc. can be obtained. Further, in order to form a dot matrix device, both the anode and the cathode may be formed in stripes and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multicolor display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymers having different emission colors or a method of using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element may be passively driven or may be actively driven in combination with a thin film transistor using amorphous silicon or low temperature polysilicon. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like. Further, the planar light emitting element is a self-luminous thin type and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. Further, if a flexible substrate is used, it can be used as a curved light source or a display device.

【0072】つぎに、本発明の光電子素子の別の様態と
して、スイッチング素子について説明する。スイッチン
グ素子としては、ソース電極、ドレイン電極に式(1)
の繰り返し単位を含む高分子化合物を含む薄膜が形成さ
れ、それに対向する絶縁膜および該絶縁膜の高分子化合
物薄膜と反対側に設けられたゲート電極を有する電界効
果型トランジスタまたは、ソース電極とドレイン電極に
挟まれた上記高分子化合物を含む薄膜が形成され、該薄
膜に埋め込まれたゲート電極を有する静電誘導型トラン
ジスタが例示される。これらのスイッチング素子の作成
方法としては、特許第2609366号公報に記載され
たと類似の方法が例示される。具体的には、ソース電極
とドレイン電極を有する基板上に、高分子化合物の薄膜
形成し、その後、絶縁膜とゲート電極を形成する方法や
ゲート電極とそれを覆うように絶縁膜を有する基板上に
高分子薄膜を形成した後に、ソース電極、ドレイン電極
を形成する方法が例示される。また、静電誘導型トラン
ジスタでは、ソース電極を有する基板上に第一の高分子
薄膜を形成し、その上にゲード電極を形成し、ついで第
二の高分子薄膜を形成し、その上に、ドレイン電極を形
成する方法が例示される。この場合、第一の高分子薄膜
と第二の高分子薄膜は同一の高分子化合物でもよいが、
異なる高分子化合物でもよい。さらに、二つの高分子薄
膜の内少なくとも一方に本発明の高分子化合物が含まれ
ていればよい。これらの高分子薄膜はさらに一層以上の
層が積層されていてもよく、それらは同一の高分子化合
物を含む層を積層してもよく、異なる材料を含む層を積
層してもよい。高分子薄膜の製膜方法は特に制限はない
が、発光素子で例示したものが好適に利用できる。本発
明のスイッチング素子を用いてアクティブマトリックス
駆動回路を構築することができる。該回路は、液晶また
は発光表示装置に用いることができる。
Next, a switching element will be described as another aspect of the optoelectronic element of the present invention. As the switching element, the formula (1) is used for the source and drain electrodes.
, A field effect transistor having a thin film containing a polymer compound containing repeating units and having an insulating film facing the film and a gate electrode provided on the side of the insulating film opposite to the polymer compound thin film, or a source electrode and a drain. An example is a static induction type transistor in which a thin film containing the above-mentioned polymer compound sandwiched between electrodes is formed and a gate electrode is embedded in the thin film. As a method of making these switching elements, a method similar to that described in Japanese Patent No. 2609366 is exemplified. Specifically, a method of forming a thin film of a polymer compound on a substrate having a source electrode and a drain electrode and then forming an insulating film and a gate electrode, or a substrate having a gate electrode and an insulating film so as to cover the gate electrode. An example is a method of forming a source electrode and a drain electrode after forming a polymer thin film on. Further, in the electrostatic induction transistor, a first polymer thin film is formed on a substrate having a source electrode, a gate electrode is formed on the first polymer thin film, and then a second polymer thin film is formed, and then, A method of forming the drain electrode is exemplified. In this case, the first polymer thin film and the second polymer thin film may be the same polymer compound,
Different polymer compounds may be used. Furthermore, the polymer compound of the present invention may be contained in at least one of the two polymer thin films. These polymer thin films may be further laminated with one or more layers, they may be laminated with layers containing the same polymer compound, or may be laminated with layers containing different materials. The method for forming the polymer thin film is not particularly limited, but those exemplified for the light emitting device can be preferably used. An active matrix drive circuit can be constructed using the switching element of the present invention. The circuit can be used in liquid crystal or light emitting display devices.

【0073】つぎに、本発明の別の様態として、光電変
換素子について説明する。少なくとも一方が透明または
半透明な二組の電極間に式(1)の繰り返し単位を含む
高分子化合物の層を挟持させた素子や基板上に製膜した
該高分子化合物層上に形成した一組の櫛形電極を有する
素子が例示される。特性を向上するために、フラーレン
やカーボンナノチューブ等を混合してもよい。光電変換
素子の製造方法としては、特許第3146296号公報
に記載の方法が例示される。具体的には、第一の電極を
有する基板上に高分子薄膜を形成し、その上に第二の電
極を形成する方法、基板上に高分子薄膜を形成して、そ
の上に一組の櫛形電極を形成する方法、基板上に形成し
た一組の櫛形電極の上に高分子薄膜を形成する方法が例
示される。第一または第二の電極のうち一方が透明また
は半透明である。高分子薄膜の形成方法やフラーレンや
カーボンナノチューブを混合する方法については特に制
限はないが、発光素子で例示したものが好適に利用でき
る。
Next, as another aspect of the present invention, a photoelectric conversion element will be described. One formed on a polymer compound layer formed on a device or a substrate in which a layer of a polymer compound containing a repeating unit of the formula (1) is sandwiched between two sets of electrodes, at least one of which is transparent or semitransparent. A device having a pair of comb-shaped electrodes is exemplified. In order to improve the characteristics, fullerenes, carbon nanotubes, etc. may be mixed. A method described in Japanese Patent No. 3146296 is exemplified as a method for manufacturing the photoelectric conversion element. Specifically, a method of forming a polymer thin film on a substrate having a first electrode and then forming a second electrode on the substrate, forming a polymer thin film on the substrate, and Examples include a method of forming a comb-shaped electrode and a method of forming a polymer thin film on a pair of comb-shaped electrodes formed on a substrate. One of the first and second electrodes is transparent or semi-transparent. The method for forming the polymer thin film and the method for mixing the fullerene and the carbon nanotube are not particularly limited, but those exemplified for the light emitting device can be preferably used.

【0074】太陽電池や光電導性を利用した光センサー
はこのような光電変換素子の具体的応用例である。
A solar cell or a photosensor utilizing photoconductivity is a specific application example of such a photoelectric conversion element.

【0075】[0075]

【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明するために
実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。ここで、重量平均分子量、数平均分子量について
は、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーション
クロマトグラフィー(GPC)によりポリスチレン換算
の平均分子量を求めた。
EXAMPLES Examples will be shown below to explain the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these. Here, regarding the weight average molecular weight and the number average molecular weight, the polystyrene equivalent average molecular weight was determined by gel permeation chromatography (GPC) using chloroform as a solvent.

【0076】参考例1 <高分子化合物1の合成>R1およびR2がN,N−ジヘ
キシルアミノ基である2,6−ジクロロ−4,8−ジ
(N、N−ジヘキシルアミノ)ピリミド〔5,4−d〕
ピリミジンを原料モノマーとして、ビス(1,5−シク
ロオクタジェン)ニッケルと、2,2′−ビピリジルと
の混合物としての0価ニッケル錯体の存在下に重合反応
を行った。反応はDMFを溶媒とし、60℃の温度で4
8時間行った。
Reference Example 1 <Synthesis of Polymer Compound 1> 2,6-dichloro-4,8-di (N, N-dihexylamino) pyrimido [wherein R 1 and R 2 are N, N-dihexylamino groups] 5,4-d]
The polymerization reaction was carried out in the presence of a zero-valent nickel complex as a mixture of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel and 2,2'-bipyridyl using pyrimidine as a raw material monomer. The reaction was carried out using DMF as a solvent at a temperature of 60 ° C for 4 hours.
It went for 8 hours.

【0077】この脱ハロゲン化重合反応によって、ポリ
〔4、8ージ(N、N−ジヘキシルアミノ)ピリミド
〔5,4−d〕ピリミジン−2,6−ジイル〕を80%
強の収率で得た。このもののGPC(ポリスチレン換
算)による数平均分子量はMn=19000で、重量平
均分子量はMw=92000であった。
80% of poly [4,8-di (N, N-dihexylamino) pyrimido [5,4-d] pyrimidine-2,6-diyl] was obtained by this dehalogenation polymerization reaction.
Obtained in high yield. The number average molecular weight of this product by GPC (polystyrene conversion) was Mn = 19000, and the weight average molecular weight was Mw = 92000.

【0078】モノマー化合物のC−Cl結合に基づく吸
収ピークの890cm-1はポリマーの赤外吸収スペクト
ルでは全く認められなかった。
The absorption peak of 890 cm -1 based on the C-Cl bond of the monomer compound was not observed at all in the infrared absorption spectrum of the polymer.

【0079】<高分子化合物2、3、4の合成>以上の
重合反応と同様にして、R1およびR2が、N,N−ジデ
シルアミノ基である高分子化合物、R1およびR2が、
N,N−ジー2エチルヘキシルアミノ基である高分子化
合物3、並びに、R1およびR2がN−オクチルアミノ基
である高分子化合物4を合成した
[0079] In analogy to the above polymerization reaction <Synthesis of Polymer Compound 2, 3, 4>, R 1 and R 2 are, N, a polymer compound is N- didecylamino group, R 1 and R 2 are,
A polymer compound 3 having an N, N-di-2-ethylhexylamino group and a polymer compound 4 having R 1 and R 2 each being an N-octylamino group were synthesized.

【0080】<高分子化合物5の合成>2,7−ジブロ
モ−9,9−ジオクチルフルオレン(26.32g、
0.0480mol)、2,7−ジブロモ−9,9−ジ
イソペンチルフルオレン(5.6g、0.0121mo
l)および2,2’−ビピリジル(22g、0.141
mol)を脱水したテトラヒドロフラン1600mLに
溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換し
た。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス(1、5
−シクロオクタジエン)ニッケル(0){Ni(CO
D)2}(40.01g、0.145mol)加え、6
0℃まで昇温し、8時間反応させた。反応後、この反応
液を室温(約25℃)まで冷却し、25%アンモニア水
200mL/メタノール1200mL/イオン交換水1
200mL混合溶液中に滴下して30分間攪拌した後、
析出した沈殿をろ過して風乾した。その後、トルエン1
100mLに溶解させてからろ過を行い、ろ液をメタノ
ール3300mLに滴下して30分間攪拌した。析出し
た沈殿をろ過し、メタノール1000mLで洗浄した
後、5時間減圧乾燥した。得られた重合体の収量は2
0.47gであった。得られた重合体を高分子化合物5
と呼ぶ。該重合体のポリスチレン換算の平均分子量は、
Mn=6.0×104、Mw=1.5×105であった。
共重合体2は、トルエン、クロロホルムなどの溶媒に易
溶であった。
<Synthesis of Polymer Compound 5> 2,7-Dibromo-9,9-dioctylfluorene (26.32 g,
0.0480 mol), 2,7-dibromo-9,9-diisopentylfluorene (5.6 g, 0.0121 mo)
1) and 2,2′-bipyridyl (22 g, 0.141
(mol) was dissolved in 1600 mL of dehydrated tetrahydrofuran, and then the inside of the system was replaced with nitrogen by bubbling with nitrogen. Under a nitrogen atmosphere, bis (1,5
-Cyclooctadiene) nickel (0) {Ni (CO
D) 2 } (40.01 g, 0.145 mol) added, 6
The temperature was raised to 0 ° C. and the reaction was carried out for 8 hours. After the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature (about 25 ° C.), and 25% ammonia water 200 mL / methanol 1200 mL / ion-exchanged water 1
After dripping into a 200 mL mixed solution and stirring for 30 minutes,
The deposited precipitate was filtered and air dried. Then toluene 1
It was dissolved in 100 mL and then filtered, and the filtrate was added dropwise to 3300 mL of methanol and stirred for 30 minutes. The deposited precipitate was filtered, washed with 1000 mL of methanol, and dried under reduced pressure for 5 hours. The yield of the obtained polymer is 2
It was 0.47 g. The obtained polymer is used as a polymer compound 5
Call. The polystyrene-converted average molecular weight of the polymer is
Mn = 6.0 × 10 4 , Mw = 1.5 × 10 5 .
Copolymer 2 was easily soluble in solvents such as toluene and chloroform.

【0081】実施例1 スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けた
ガラス基板に、ポリ(エチレンジオキシチオフェン)/
ポリスチレンスルホン酸の溶液(バイエル社、Bayt
ronP)を用いてスピンコートにより50nmの厚み
で成膜し、ホットプレート上で200℃で10分間乾燥
した。次に、上記で得た高分子材料1を1.6wt%と
なるように調製したクロロホルム溶液を用いてスピンコ
ートにより1800rpmの回転速度で成膜した。さら
に、これを減圧下80℃で1時間乾燥した後、陰極とし
て、カルシウムを約20nm、次いでアルミニウムを約
50nm蒸着して、EL素子を作製した。なお真空度
が、1×10-4Pa以下に到達したのち、金属の蒸着を
開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、
高分子化合物1からの504nmにピークを有するEL
発光が得られた。EL発光の強度は電流密度にほぼ比例
していた。該素子は、約24.6Vで0.24cd/m
2の発光を示した。
Example 1 A glass substrate having an ITO film with a thickness of 150 nm formed by a sputtering method was coated with poly (ethylenedioxythiophene) /
Polystyrene sulfonic acid solution (Bayer, Bayt
ronP) to form a film with a thickness of 50 nm by spin coating, and dried at 200 ° C. for 10 minutes on a hot plate. Next, the polymer material 1 obtained above was spin-coated at a rotation speed of 1800 rpm using a chloroform solution prepared to have a concentration of 1.6 wt%. Further, this was dried under reduced pressure at 80 ° C. for 1 hour, and then, as a cathode, calcium was deposited by about 20 nm, and then aluminum was deposited by about 50 nm to prepare an EL device. After the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less, vapor deposition of metal was started. By applying a voltage to the obtained device,
EL having peak at 504 nm from polymer compound 1
Luminescence was obtained. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. The device has 0.24 cd / m at about 24.6V.
It exhibited a luminescence of 2 .

【0082】実施例2 実施例1の高分子化合物1の代わりに高分子化合物1と
高分子化合物5とを混合したものを用いた以外は同様
に、素子を得た。この時の高分子化合物1の混合量は高
分子化合物1と高分子化合物5の合計に対して27.4
wt%であった。この素子からは504nmにピークを
有するEL発光が得られた。EL発光の強度は電流密度
にほぼ比例していた。該素子は、約13Vで輝度が1c
d/m2を越え、16.3Vで3.1cd/m2の輝度を
示した。
Example 2 A device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polymer compound 1 and the polymer compound 5 were mixed instead of the polymer compound 1. At this time, the mixing amount of the polymer compound 1 was 27.4 based on the total amount of the polymer compound 1 and the polymer compound 5.
It was wt%. EL light emission having a peak at 504 nm was obtained from this device. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. The device has a brightness of about 13V and a brightness of 1c.
The brightness exceeded 3.1 d / m 2 and exhibited a brightness of 3.1 cd / m 2 at 16.3V.

【0083】実施例3 実施例1の高分子化合物1の代わりに高分子化合物2を
用いた以外は実施例1と同様に、素子を得た。この素子
からは486nmにピークを有するEL発光が得られ
た。EL発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該
素子は、19Vで輝度が1cd/m2を越え、0.1c
d/Aの効率を示した。
Example 3 A device was obtained in the same manner as in Example 1 except that the polymer compound 2 was used instead of the polymer compound 1 of Example 1. EL light emission having a peak at 486 nm was obtained from this device. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. The device has a brightness of more than 1 cd / m 2 at 19 V and 0.1 c
The efficiency of d / A was shown.

【0084】実施例4 実施例2の高分子化合物1の代わりに高分子化合物2を
用いた以外は、実施例2と同様に素子を作成し、高分子
化合物2と高分子化合物5の混合した膜を用いたEL素
子を得た。この時の高分子化合物2の混合割合は、高分
子化合物2と高分子化合物5の合計に対して21.5重
量%であった。この素子からは452nmのピークを有
するEL発光が得られた。EL発光の強度は電流密度に
ほぼ比例していた。該素子は、約14Vで輝度が1cd
/m2を越えた。
Example 4 A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the polymer compound 2 was used in place of the polymer compound 1 of Example 2, and the polymer compound 2 and the polymer compound 5 were mixed. An EL device using the film was obtained. At this time, the mixing ratio of the polymer compound 2 was 21.5% by weight based on the total weight of the polymer compound 2 and the polymer compound 5. EL light emission having a peak of 452 nm was obtained from this device. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. The device has a brightness of about 14V and a brightness of 1 cd.
/ M 2 exceeded.

【0085】実施例5 実施例4の高分子化合物2の代わりに高分子化合物3を
用いた以外は、実施例2と同様に素子を作成し、高分子
化合物3と高分子化合物5の混合した膜を用いたEL素
子を得た。この時の高分子化合物3の混合割合は、高分
子化合物3と高分子化合物5の合計に対して25.4重
量%であった。この素子からは476nmと508nm
のピークを有するEL発光が得られた。EL発光の強度
は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約14Vで
輝度が1cd/m2を越え、0.24cd/Aの効率を
示した。
Example 5 A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the polymer compound 3 was used in place of the polymer compound 2 of Example 4, and the polymer compound 3 and the polymer compound 5 were mixed. An EL device using the film was obtained. The mixing ratio of the polymer compound 3 at this time was 25.4% by weight with respect to the total of the polymer compound 3 and the polymer compound 5. 476nm and 508nm from this device
EL light emission having a peak of was obtained. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density. The device showed an efficiency of 0.24 cd / A with a brightness of more than 1 cd / m 2 at about 14V.

【0086】実施例6 実施例2の高分子化合物1の代わりに高分子化合物4を
用いた以外は、実施例2と同様に素子を作成し、高分子
化合物4と高分子化合物5の混合した膜を用いたEL素
子を得た。この時の高分子化合物4の混合割合は、高分
子化合物4と高分子化合物5の合計に対してに対して2
9.4重量%であった。この素子からは424nm、4
72nmと504nmのピークを有するEL発光が得ら
れた。EL発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。
該素子は、約26Vで輝度が約1cd/m2となり、
0.15cd/Aの効率を示した。
Example 6 A device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the polymer compound 4 was used instead of the polymer compound 1 of Example 2, and the polymer compound 4 and the polymer compound 5 were mixed. An EL device using the film was obtained. The mixing ratio of the polymer compound 4 at this time is 2 with respect to the total of the polymer compound 4 and the polymer compound 5.
It was 9.4% by weight. 424 nm from this element, 4
EL emission having peaks at 72 nm and 504 nm was obtained. The intensity of EL light emission was almost proportional to the current density.
The device has a brightness of about 1 cd / m 2 at about 26 V,
The efficiency was 0.15 cd / A.

【0087】[0087]

【発明の効果】本発明により、ピリミド〔5,4−d〕
ピリミジン骨格を主鎖に含む高分子化合物を用いた新規
な光電子素子を提供することができた。該光電子素子で
ある発光素子やスイッチング素子は、液晶ディスプレイ
のバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の
光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリック
スのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使
用できる。さらに、太陽電池や光センサーとしても好ま
しく用いることができる。
According to the present invention, pyrimido [5,4-d]
It was possible to provide a novel optoelectronic device using a polymer compound having a pyrimidine skeleton in the main chain. The light emitting element or the switching element which is the optoelectronic element can be preferably used for a device such as a curved or flat light source for a backlight or illumination of a liquid crystal display, a segment type display element, a dot matrix flat panel display and the like. Furthermore, it can be preferably used as a solar cell or an optical sensor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 31/04 H05B 33/22 D H05B 33/22 H01L 27/14 E 31/04 D (72)発明者 大西 敏博 茨城県つくば市北原6 住友化学工業株式 会社内 Fターム(参考) 2H091 FA41Z FA44Z GA01 GA02 GA09 GA11 LA30 3K007 AB02 AB03 DB03 4J032 BA12 BB01 BC03 BC05 BD02 4M118 AA10 AB10 CA14 CB20 5F051 AA11 CB14 CB30 FA01 GA03─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H01L 31/04 H05B 33/22 D H05B 33/22 H01L 27/14 E 31/04 D (72) Inventor Toshihiro Ohnishi 6 Kitahara, Tsukuba-shi, Ibaraki Sumitomo Chemical Co., Ltd. Internal F-term (reference) 2H091 FA41Z FA44Z GA01 GA02 GA09 GA11 LA30 3K007 AB02 AB03 DB03 4J032 BA12 BB01 BC03 BC05 BD02 4M118 AA10 AB10 CA14 CB20 5F051 AA11 FA14 CB03

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ポリスチレン換算の数平均分子量が103
〜108であり、下記式(1)で示される繰り返し単位
を含む高分子化合物を用いたことを特徴とする光電子素
子。 (1)〔ここで、R1およびR2はそれぞれ独立に水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリ
ール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリール
アルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニ
ル基、アリールアルキニル基、置換シリル基、アルキル
アミノ基、アリールアミノ基、1価の複素環基、カルボ
キシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示
す。〕
1. A polystyrene-equivalent number average molecular weight of 10 3
A 10 8, optoelectronic element characterized by using a polymer compound containing a repeating unit represented by the following formula (1). (1) [wherein R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkenyl group, It represents an arylalkynyl group, a substituted silyl group, an alkylamino group, an arylamino group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group. ]
【請求項2】上記式(1)で示される繰り返し単位を含
む高分子化合物を含む層を有することを特徴とする請求
項1記載の光電子素子。
2. An optoelectronic device according to claim 1, which has a layer containing a polymer compound containing a repeating unit represented by the formula (1).
【請求項3】光電子素子が発光素子であることを特徴と
する請求項1または2に記載の光電子素子。
3. The optoelectronic device according to claim 1, wherein the optoelectronic device is a light emitting device.
【請求項4】光電子素子がスイッチング素子であること
を特徴とする請求項1または2に記載の光電子素子。
4. The optoelectronic device according to claim 1, wherein the optoelectronic device is a switching device.
【請求項5】光電子素子が光電変換素子であることを特
徴とする請求項1または2に記載の光電子素子。
5. The optoelectronic device according to claim 1, wherein the optoelectronic device is a photoelectric conversion device.
【請求項6】光電子素子が太陽電池であることを特徴と
する請求項1または2に記載の光電子素子。
6. The optoelectronic device according to claim 1, wherein the optoelectronic device is a solar cell.
【請求項7】光電子素子が光電導性を利用した光センサ
ーであることを特徴とする請求項1または2に記載の光
電子素子。
7. The optoelectronic element according to claim 1, wherein the optoelectronic element is an optical sensor utilizing photoconductivity.
【請求項8】請求項3に記載の発光素子を用いたことを
特徴とする面状光源。
8. A planar light source using the light emitting device according to claim 3.
【請求項9】請求項3に記載の発光素子を用いたことを
特徴とするセグメント表示装置。
9. A segment display device using the light emitting device according to claim 3.
【請求項10】請求項3に記載の発光素子を用いたこと
を特徴とするドットマトリックス表示装置。
10. A dot matrix display device comprising the light emitting device according to claim 3.
【請求項11】請求項3に記載の発光素子をバックライ
トとすることを特徴とする液晶表示装置。
11. A liquid crystal display device comprising the light emitting device according to claim 3 as a backlight.
【請求項12】請求項4に記載のスイッチング素子から
主に構築されるアクティブマトリックス駆動回路を有す
る液晶または発光表示装置。
12. A liquid crystal or light emitting display device having an active matrix drive circuit mainly constructed from the switching element according to claim 4.
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