【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の下層を形成し、
前記陰極の下層の上に電子銃で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陽極を形成し、
前記陽極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陰極の下層を形成し、
前記陰極の下層の上にスパッタ法で透明導電膜からなる陰極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記透明導電膜は酸化インジウム酸化スズ合金、酸化インジウム酸化亜鉛合金、酸化亜鉛であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記金属材料からなる蒸着材料は、周期表の１族もしくは２族に属する金属元素を含む合金材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１において、前記陰極は、周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、前記陰極の下層は、周期表の１族もしくは２族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着法により形成した膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陰極を形成し、
前記陰極の上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタの上方に陰極を形成し、
前記陰極上に抵抗加熱で蒸着材料を加熱する蒸着法により有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層の上に抵抗加熱で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極の下層を形成し、
前記陽極の下層の上に電子銃で金属材料からなる蒸着材料を加熱する蒸着法により陽極の上層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記金属材料からなる蒸着材料は、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎから選ばれた一種または複数の元素を含む導電性材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする発光装置の作製方法。
[Claims]
(1)
Forming a thin film transistor,
Forming an anode above the thin film transistor ,
Forming a layer containing an organic compound on the anode by an evaporation method of heating an evaporation material by resistance heating ,
A method for manufacturing a light-emitting device, comprising: forming a cathode on a layer containing an organic compound by an evaporation method in which an evaporation material made of a metal material is heated by resistance heating.
(2)
Forming a thin film transistor,
Forming an anode above the thin film transistor ,
Forming a layer containing an organic compound on the anode by an evaporation method of heating an evaporation material by resistance heating ,
On the layer containing the organic compound, a lower layer of the cathode is formed by an evaporation method of heating an evaporation material made of a metal material by resistance heating ,
A method for manufacturing a light emitting device, wherein an upper layer of a cathode is formed on the lower layer of the cathode by an evaporation method in which an evaporation material made of a metal material is heated by an electron gun.
(3)
Forming a thin film transistor,
Forming an anode above the thin film transistor,
Forming a layer containing an organic compound on the anode by an evaporation method of heating an evaporation material by resistance heating,
On the layer containing the organic compound, a lower layer of the cathode is formed by an evaporation method of heating an evaporation material made of a metal material by resistance heating,
A method for manufacturing a light emitting device, wherein an upper layer of a cathode made of a transparent conductive film is formed on the lower layer of the cathode by a sputtering method.
(4)
The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 3, wherein the transparent conductive film is an indium tin oxide alloy, an indium zinc oxide alloy, or zinc oxide.
(5)
The method for manufacturing a light-emitting device according to any one of claims 1 to 4 , wherein the deposition material made of the metal material is an alloy material containing a metal element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table. .
6.
2. The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 1, wherein the cathode is a film formed by co-evaporation of an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table and aluminum.
7.
5. The light emitting device according to claim 2, wherein the lower layer of the cathode is a film formed by co-evaporation of aluminum and an element belonging to Group 1 or 2 of the periodic table. 6. Method of manufacturing.
Claim 8.
Forming a thin film transistor,
Forming a cathode above the thin film transistor,
Forming a layer containing an organic compound on the cathode by an evaporation method of heating an evaporation material by resistance heating,
A method for manufacturing a light-emitting device, wherein an anode is formed over the layer containing an organic compound by an evaporation method in which an evaporation material made of a metal material is heated by resistance heating.
9.
Forming a thin film transistor,
Forming a cathode above the thin film transistor,
Forming a layer containing an organic compound on the cathode by an evaporation method of heating an evaporation material by resistance heating,
On the layer containing the organic compound, a lower layer of the anode is formed by an evaporation method of heating an evaporation material made of a metal material by resistance heating,
A method for manufacturing a light emitting device, wherein an upper layer of an anode is formed on the lower layer of the anode by an evaporation method in which a deposition material made of a metal material is heated by an electron gun.
10.
In Claim 8 or Claim 9 , the vapor deposition material made of the metal material is a conductive material containing one or more elements selected from Pt, Cr, W, Ni, Zn, Sn, and In. Method for manufacturing a light emitting device.
11.
The method for manufacturing a light-emitting device according to any one of claims 1 to 10 , wherein the light-emitting device is a video camera, a digital camera, a goggle-type display, a car navigation, a personal computer, or a portable information terminal.
まず、前処理として陽極１３のクリーニングを行う。陽極表面のクリーニングとしては、真空中での紫外線照射、または酸素プラズマ処理を行い、陽極表面をクリーニングする。また、酸化処理としては、１００〜１２０℃で加熱しつつ、酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射すればよく、陽極がＩＴＯのような酸化物である場合に有効である。また、加熱処理としては、真空中で基板が耐えうる５０℃以上の加熱温度、好ましくは６５〜１５０℃の加熱を行えばよく、基板に付着した酸素や水分などの不純物や、基板上に形成した膜中の酸素や水分などの不純物を除去する。特に、ＥＬ材料は、酸素や水などの不純物により劣化を受けやすいため、蒸着前に真空中で加熱することは有効である。
First, the anode 13 is cleaned as a pretreatment. As cleaning of the anode surface, ultraviolet irradiation in vacuum or oxygen plasma treatment is performed to clean the anode surface. The oxidation treatment may be performed by irradiating ultraviolet rays in an atmosphere containing oxygen while heating at 100 to 120 ° C., which is effective when the anode is an oxide such as ITO. The heat treatment may be performed at a heating temperature of 50 ° C. or higher, preferably 65 ° C. to 150 ° C., at which the substrate can withstand in vacuum. The impurities such as oxygen and moisture in the formed film are removed. In particular, since the EL material is easily deteriorated by impurities such as oxygen and water, it is effective to heat the EL material in a vacuum before the deposition.
なお、蒸着源ホルダ５７に備えられた抵抗加熱は、マイクロコンピュータにより成膜速度を制御できるようにしておくと良い。
Incidentally, provided in the evaporation source holder 5 7 resistive heating, it may keep to control the deposition rate by a microcomputer.
また、基板５３と蒸着源ホルダ５７との間隔距離ｄを代表的には２０ｃｍ以下、好ましくは５ｃｍ〜１５ｃｍに狭めるため、蒸着マスク５４も加熱される恐れがある。従って、蒸着マスク５４は、熱によって変形されにくい低熱膨張率を有する金属材料（例えば、タングステン、タンタル、クロム、ニッケルもしくはモリブデンといった高融点金属もしくはこれらの元素を含む合金、ステンレス、インコネル、ハステロイといった材料）を用いることが望ましい。また、加熱される蒸着マスクを冷却するため、蒸着マスクに冷却媒体（冷却水、冷却ガス）を循環させる機構を備えてもよい。
Further, since the distance d between the substrate 53 and the deposition source holder 57 is typically reduced to 20 cm or less, preferably 5 cm to 15 cm, the deposition mask 54 may be heated. Therefore, the vapor deposition mask 54 is made of a metal material having a low coefficient of thermal expansion that is not easily deformed by heat (for example, a material having a high melting point such as tungsten, tantalum, chromium, nickel, or molybdenum or an alloy containing these elements, a material such as stainless steel, Inconel, and Hastelloy). ) Is desirable. Further, a mechanism for circulating a cooling medium (cooling water, cooling gas) through the evaporation mask may be provided in order to cool the heated evaporation mask.