JP2003317945A - Manufacturing method for device, device, and electronic apparatus - Google Patents

Manufacturing method for device, device, and electronic apparatus

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JP2003317945A
JP2003317945A JP2002118292A JP2002118292A JP2003317945A JP 2003317945 A JP2003317945 A JP 2003317945A JP 2002118292 A JP2002118292 A JP 2002118292A JP 2002118292 A JP2002118292 A JP 2002118292A JP 2003317945 A JP2003317945 A JP 2003317945A
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JP
Japan
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substrate
manufacturing
droplet
liquid
banks
Prior art date
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JP2002118292A
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Japanese (ja)
Inventor
Hironobu Hasei
宏宣 長谷井
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a device, the device, and an electronic apparatus highly precisely forming a line width when forming a fine pattern on a substrate using a droplet delivery device. <P>SOLUTION: This manufacturing method for the device disposes a liquid body including a film material on a substrate P and forms a pattern composed of the film material. This method is provided with a process of forming banks 22 on the substrate P, a process of delivering the droplet 23 composed of the liquid body 23a between the banks 22 and 22 by the droplet delivery method, and a process of forming the pattern 24 by drying the delivered liquid body 23a. The width between adjoining banks 22 and 22 is formed narrower than the diameter of the droplet 23 of the liquid body 23a. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液滴吐出法を用い
たデバイスの製造方法、デバイス、及び電子機器に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device manufacturing method, a device, and an electronic apparatus using a droplet discharge method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体集積回路などの微細な
配線パターンの製造方法としては、フォトリソグラフィ
ー法が多用されている。一方、特開平11−27467
1号公報、特開2000−216330号公報などに
は、液滴吐出方式を用いた方法が開示されている。これ
ら公報に開示されている技術は、パターン形成用材料を
含んだ液状体を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出するこ
とにより、パターン形成面に材料を配置して配線パター
ンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であ
るなど大変有効であるとされている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a photolithography method has been widely used as a method of manufacturing a fine wiring pattern of a semiconductor integrated circuit or the like. On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 11-27467
No. 1 and Japanese Patent Laid-Open No. 2000-216330 disclose methods using a droplet discharge method. The techniques disclosed in these publications form a wiring pattern by arranging a material on a pattern forming surface by ejecting a liquid material containing a pattern forming material onto a substrate from a droplet ejection head. It is said to be very effective, such as being able to handle small-lot, multi-type production.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年ではデ
バイスを構成する回路の高密度化がますます進み、例え
ば配線パターンについてもさらなる微細化、細線化が要
求されている。しかしながら、このような微細な配線パ
ターンを前記の液滴吐出方式による方法によって形成し
ようとした場合、特にその配線幅の精度を十分にだすの
が難しく、また、吐出する液滴の直径より狭い線幅が要
求される場合などでは、その対応が極めて困難であると
いった課題があった。
By the way, in recent years, the density of circuits constituting devices has been further increased, and further miniaturization and thinning of wiring patterns are required, for example. However, when such a fine wiring pattern is to be formed by the method based on the droplet discharge method described above, it is difficult to obtain a sufficient wiring width accuracy, and a line narrower than the diameter of the droplet to be discharged. When width is required, there is a problem that it is extremely difficult to deal with it.

【0004】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、液滴吐出装置を用いて基
板上に微細なパターンを形成する際、その線幅などを精
度よく形成することができるようにした、デバイスの製
造方法、デバイス、及び電子機器を提供することにあ
る。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to accurately form a line width and the like when forming a fine pattern on a substrate using a droplet discharge device. Another object of the present invention is to provide a device manufacturing method, a device, and an electronic apparatus capable of performing the above.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本発明のデバイスの製造方法では、基板上に膜材料
を含有した液状体を配し、前記膜材料からなるパターン
を形成するデバイスの製造方法において、前記基板上に
バンクを形成する工程と、液滴吐出法により前記液状体
からなる液滴をバンク間に吐出する工程と、吐出された
液状体を乾燥して前記パターンを形成する工程とを有
し、隣接する前記バンク間の幅を、前記液状体の液滴の
直径より狭く形成することを特徴としている。
In order to solve the above-mentioned problems, in the device manufacturing method of the present invention, a device in which a liquid material containing a film material is arranged on a substrate to form a pattern made of the film material. In the manufacturing method, the step of forming a bank on the substrate, the step of ejecting droplets of the liquid material between the banks by a droplet ejection method, and the ejection of the ejected liquid material to form the pattern. And a width between the adjacent banks is formed to be narrower than a diameter of the liquid droplet of the liquid material.

【0006】このデバイスの製造方法よれば、隣接する
前記バンク間の幅より大きい液滴が吐出されることによ
り、液滴の一部がバンク上にのってしまうものの、液滴
の流動性や毛細管現象などによって液滴がバンク間に入
り込むことにより、結果としてバンク間の幅に一致する
幅のパターンが形成される。
According to this device manufacturing method, although droplets larger than the width between the adjacent banks are ejected, a part of the droplets is placed on the bank, but the fluidity of the droplets and Droplets enter between the banks due to a capillary phenomenon or the like, and as a result, a pattern having a width corresponding to the width between the banks is formed.

【0007】また、前記デバイスの製造方法において
は、前記液状体が導電性材料を含有したものであるのが
好ましい。このようにすれば、特に線幅のついての精度
が良好な配線パターンを形成することができる。
In the method for manufacturing the device, it is preferable that the liquid material contains a conductive material. By doing so, it is possible to form a wiring pattern having a particularly good accuracy in line width.

【0008】また、前記デバイスの製造方法において
は、前記基板の表面を、親液処理するのが好ましい。こ
のようにすれば、基板表面が親液性となっていることか
ら、溝内に吐出された液状体が基板上にてより広がり易
くなり、これによって液状体がより均一に溝内を埋め込
むようになる。
In the device manufacturing method, it is preferable that the surface of the substrate is lyophilic. In this way, since the substrate surface is lyophilic, the liquid material discharged into the groove is more likely to spread on the substrate, which allows the liquid material to fill the groove more uniformly. become.

【0009】また、前記デバイスの製造方法において
は、前記バンクの少なくとも表面を、撥液性を付与する
処理を行うのが好ましい。このようにすれば、吐出され
た液滴の一部がバンク上にのっても、バンク表面が撥液
性となっていることによりバンクからはじかれ、溝内に
流れ落ちるようになる。したがって、吐出された液状体
が溝内にて基板上に広がり、溝内をほぼ均一に埋め込む
ようになる。
In the device manufacturing method, it is preferable that at least the surface of the bank is subjected to a treatment for imparting liquid repellency. In this way, even if some of the ejected droplets are deposited on the bank, they are repelled from the bank and flow down into the groove because the bank surface is liquid repellent. Therefore, the discharged liquid material spreads on the substrate in the groove, and the groove is almost uniformly filled.

【0010】本発明のデバイスでは、前記の製造方法に
よって形成されたことを特徴としている。このデバイス
によれば、バンクによる溝に規定された線幅に精度よく
一致したパターンを有するものとなる。
The device of the present invention is characterized by being formed by the above manufacturing method. This device has a pattern with which the line width defined in the groove formed by the bank is accurately matched.

【0011】本発明の電子機器は、前記のデバイスを備
えたことを特徴としている。この電子機器によれば、精
度よく形成されたパターンを有することにより、優れた
デバイス性能を有するものとなる。
An electronic apparatus of the present invention is characterized by including the above device. According to this electronic device, by having the pattern formed with high precision, it has excellent device performance.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
図1は本発明のデバイスの製造方法を実施するのに好適
な製造装置の一例を示す図であり、図1中符号IJは製
造装置である。まず、本発明のデバイスの製造方法を説
明するに先立ち、製造装置IJについて説明する。この
製造装置IJは、液滴吐出ヘッド1から基板Pに対して
液滴を吐出(滴下)することにより、各種のパターンを
形成してデバイスを製造するもので、インクジェット方
式を採用した液滴吐出装置(インクジェット装置)から
なるである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention is described in detail below.
FIG. 1 is a diagram showing an example of a manufacturing apparatus suitable for carrying out the device manufacturing method of the present invention, and reference numeral IJ in FIG. 1 is a manufacturing apparatus. First, the manufacturing apparatus IJ will be described prior to describing the device manufacturing method of the present invention. This manufacturing apparatus IJ manufactures a device by forming various patterns by discharging (dripping) liquid droplets from the liquid droplet discharging head 1 onto the substrate P. It is composed of a device (inkjet device).

【0013】すなわち、この製造装置IJは、液滴吐出
ヘッド1と、X軸方向駆動軸4と、Y軸方向ガイド軸5
と、制御装置CONTと、ステージ7と、クリーニング
機構8と、基台9と、ヒータ15とを備えて構成された
ものである。ステージ7は、この製造装置IJによって
液状体が設けられる基板Pを支持するためのもので、基
板Pを基準位置に固定する固定機構(図示せず)を備え
たものである。
That is, the manufacturing apparatus IJ has a droplet discharge head 1, an X-axis direction drive shaft 4, and a Y-axis direction guide shaft 5.
The control unit CONT, the stage 7, the cleaning mechanism 8, the base 9, and the heater 15 are provided. The stage 7 supports the substrate P on which the liquid material is provided by the manufacturing apparatus IJ, and includes a fixing mechanism (not shown) that fixes the substrate P at the reference position.

【0014】液滴吐出ヘッド1は、複数の吐出ノズルを
備えたマルチノズルタイプのヘッドであり、矩形状に形
成された底面の長辺方向とY軸方向とを一致させて配設
されたものである。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッ
ド1の底面にY軸方向に並んで一定間隔で設けられたも
のである。液滴吐出ヘッド1の吐出ノズルからは、ステ
ージ7に支持されている基板Pに対し、例えば導電性微
粒子等の膜材料を含有した液状体が吐出される。
The droplet discharge head 1 is a multi-nozzle type head having a plurality of discharge nozzles, and is arranged so that the long side direction of the rectangular bottom surface and the Y-axis direction are aligned with each other. Is. The plurality of ejection nozzles are arranged on the bottom surface of the droplet ejection head 1 in the Y-axis direction at regular intervals. From the discharge nozzle of the droplet discharge head 1, a liquid containing a film material such as conductive fine particles is discharged onto the substrate P supported by the stage 7.

【0015】X軸方向駆動軸4には、X軸方向駆動モー
タ2が接続されている。X軸方向駆動モータ2はステッ
ピングモータ等からなるもので、制御装置CONTから
X軸方向の駆動信号が供給されることにより、X軸方向
駆動軸4を回転させるよう構成されたものである。X軸
方向駆動軸4が回転すると、前記液滴吐出ヘッド1がX
軸方向に移動するようになっている。Y軸方向ガイド軸
5は、基台9に対し動かないように固定されたものであ
る。前記ステージ7にはY軸方向駆動モータ3を備えら
れている。このY軸方向駆動モータ3はステッピングモ
ータ等からなるもので、制御装置CONTからY軸方向
の駆動信号が供給されることにより、ステージ7をY軸
方向に移動するよう構成されたものである。
An X-axis direction drive motor 2 is connected to the X-axis direction drive shaft 4. The X-axis direction drive motor 2 is composed of a stepping motor or the like, and is configured to rotate the X-axis direction drive shaft 4 when a drive signal in the X-axis direction is supplied from the control device CONT. When the drive shaft 4 in the X-axis direction rotates, the droplet discharge head 1 moves in the X direction.
It is designed to move in the axial direction. The Y-axis direction guide shaft 5 is fixed to the base 9 so as not to move. The stage 7 is equipped with a Y-axis direction drive motor 3. The Y-axis direction drive motor 3 is composed of a stepping motor or the like, and is configured to move the stage 7 in the Y-axis direction when a drive signal in the Y-axis direction is supplied from the control device CONT.

【0016】制御装置CONTは、液滴吐出ヘッド1に
液滴の吐出制御用の信号を供給するよう構成されたもの
である。また、X軸方向駆動モータ2に液滴吐出ヘッド
1のX軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を、さら
にY軸方向駆動モータ3にステージ7のY軸方向の移動
を制御する駆動パルス信号をそれぞれ供給するよう構成
されたものである。クリーニング機構8は、液滴吐出ヘ
ッド1をクリーニングするものである。このクリーニン
グ機構8には、Y軸方向に移動させるための駆動モータ
(図示せず)が備えられており、この駆動モータの駆動
により、クリーニング機構はY軸方向ガイド軸5に沿っ
て移動するようになっている。なお、このクリーニング
機構8の移動も制御装置CONTによって制御されてい
る。ヒータ15は、本例ではランプアニールにより基板
Pを熱処理するように構成されたものであり、基板P上
に塗布された液状体に含まれる分散媒の蒸発及び乾燥を
行うものである。なお、このヒータ15の電源のオンオ
フも、制御装置CONTによって制御されるようになっ
ている。
The control unit CONT is configured to supply a signal for controlling droplet ejection to the droplet ejection head 1. Further, a drive pulse signal for controlling the movement of the droplet discharge head 1 in the X-axis direction is supplied to the X-axis direction drive motor 2, and a drive pulse signal for controlling the movement of the stage 7 in the Y-axis direction is further supplied to the Y-axis direction drive motor 3. Are configured to be supplied respectively. The cleaning mechanism 8 cleans the droplet discharge head 1. The cleaning mechanism 8 is provided with a drive motor (not shown) for moving in the Y-axis direction, and the driving of the drive motor causes the cleaning mechanism to move along the Y-axis direction guide shaft 5. It has become. The movement of the cleaning mechanism 8 is also controlled by the controller CONT. The heater 15 is configured to heat the substrate P by lamp annealing in this example, and evaporates and dries the dispersion medium contained in the liquid material coated on the substrate P. The power supply of the heater 15 is also controlled by the controller CONT.

【0017】次に、このような製造装置IJを用いた本
発明のデバイスの製造方法の一例として、特に配線パタ
ーンの形成工程を備えた製造方法の例について説明す
る。この例では、まず、基板Pを用意し、この基板表面
(配線パターンを形成する側の面)を親液処理してお
く。基板Pの材料としては、ガラス、シリコン、樹脂な
ど製造するデバイスの種類やこのデバイスの部位に応じ
て適宜選択され用いられる。
Next, as an example of a method of manufacturing a device of the present invention using such a manufacturing apparatus IJ, an example of a manufacturing method including a wiring pattern forming step will be described. In this example, first, the substrate P is prepared, and the surface of the substrate (the surface on which the wiring pattern is formed) is subjected to the lyophilic treatment. The material of the substrate P is appropriately selected and used according to the type of device to be manufactured such as glass, silicon, and resin and the site of this device.

【0018】親液処理としては、基板Pの種類によって
も異なるものの、例えば基板Pとしてガラスを用いた場
合、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理
法(O2 プラズマ処理法)が採用される。具体的には、
基板Pに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素
を照射することで行う。O2 プラズマ処理の条件として
は、例えばプラズマパワーが100〜800kW、酸素
ガス流量が50〜100ml/min、プラズマ放電電
極に対する基板Pの板搬送速度が0.5〜10mm/s
ec、基板温度が70〜90℃とされる。
As the lyophilic treatment, although different depending on the type of the substrate P, for example, when glass is used as the substrate P, a plasma treatment method (O 2 plasma treatment method) in which oxygen is used as a treatment gas in the atmosphere is adopted. To be done. In particular,
It is performed by irradiating the substrate P with oxygen in a plasma state from the plasma discharge electrode. The conditions of the O 2 plasma treatment are, for example, a plasma power of 100 to 800 kW, an oxygen gas flow rate of 50 to 100 ml / min, and a plate transport speed of the substrate P to the plasma discharge electrode of 0.5 to 10 mm / s.
ec, the substrate temperature is 70 to 90 ° C.

【0019】このようにして基板Pを予め親液処理した
ら、図2(a)に示すようにこの基板P上に、対をなす
ことによって所定の幅の溝21を有した平面視帯状のバ
ンク22、22を形成する。すなわち、まず、基板P上
にアクリル樹脂やポリイミド樹脂等からなる樹脂バンク
層(図示せず)を形成し、次いで、必要に応じレジスト
技術を用い、さらにフォトリソグラフィ技術及びエッチ
ング技術を用いてパターニングすることにより、所定の
厚さを有する平面視帯状のバンク22、22を形成す
る。なお、このようにして形成するバンク22、22と
しては、その上部側の幅が狭く、底部側の幅が広いテー
パ状とするのが、後述するように溝21内に液状体の液
滴が流れ込み易くなることから好ましい。
After the substrate P has been lyophilically processed in this manner, as shown in FIG. 2A, a bank having a band 21 in a plan view having a groove 21 of a predetermined width by forming a pair on the substrate P. 22 and 22 are formed. That is, first, a resin bank layer (not shown) made of an acrylic resin, a polyimide resin, or the like is formed on the substrate P, and then patterning is performed by using a resist technique, if necessary, and a photolithography technique and an etching technique. As a result, the band-shaped banks 22 having a predetermined thickness are formed. The banks 22 formed in this manner are tapered so that the width on the upper side is narrower and the width on the bottom side is wider, as described later. It is preferable because it is easy to flow.

【0020】次いで、このようにして形成したバンク2
2、22に対し撥液処理を行い、その表面を撥水性にす
る。撥水処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフ
ルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法(CF4
プラズマ処理法)が採用される。CF4 プラズマ処理の
条件は、例えばプラズマパワーが100〜800kW、
4フッ化メタンガス流量が50〜100ml/min、
プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が0.5〜10
20mm/sec、基体温度が70〜90℃とされる。
なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタン(四フ
ッ化炭素)に限らず、他のフルオロカーボン系のガスを
用いることもできる。
Next, the bank 2 thus formed
A liquid repellent treatment is performed on Nos. 2 and 22 to make the surface water repellent. As the water repellent treatment, for example, a plasma treatment method (CF 4) using tetrafluoromethane as a treatment gas in the atmosphere is used.
Plasma treatment method) is adopted. Conditions for the CF 4 plasma treatment are, for example, plasma power of 100 to 800 kW,
The flow rate of tetrafluoromethane gas is 50 to 100 ml / min,
The substrate transfer speed with respect to the plasma discharge electrode is 0.5 to 10
The substrate temperature is set to 20 mm / sec and 70 to 90 ° C.
The processing gas is not limited to tetrafluoromethane (carbon tetrafluoride), and other fluorocarbon-based gas can be used.

【0021】このような撥液処理を行うことにより、バ
ンク22、22にはこれを構成する樹脂中にフッ素基が
導入され、撥液性が付与される。ここで、アクリル樹脂
やポリイミド樹脂等は、O2 プラズマによる前処理がな
された方がよりフッ素化(撥水化)されやすいという性
質がある。したがって、先に行った基板Pに対する親液
処理は、バンク22、22の形成後に行うようにしても
よい。なお、バンク22、22に対する撥水処理によ
り、先に親液処理した基板P表面に対し多少は影響があ
るものの、特に基板Pがガラス等からなる場合には、撥
水処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板P
はその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれること
はない。また、バンック22、22については、撥水性
を有する材料(例えばフッ素基を有する樹脂材料)によ
って形成することにより、その撥水処理を省略するよう
にしてもよい。
By performing such a liquid repellent treatment, fluorine groups are introduced into the resins constituting the banks 22 and 22 to impart liquid repellency thereto. Here, the acrylic resin and the polyimide resin have a property that they are more easily fluorinated (water repellent) when pretreated with O 2 plasma. Therefore, the lyophilic treatment for the substrate P performed earlier may be performed after the banks 22 and 22 are formed. Although the water repellent treatment on the banks 22 and 22 has some influence on the surface of the substrate P that has been subjected to the lyophilic treatment, the introduction of the fluorine group by the water repellent treatment is performed especially when the substrate P is made of glass or the like. Substrate P
Does not substantially impair its lyophilicity, ie wettability. Further, the bunks 22 and 22 may be formed of a material having water repellency (for example, a resin material having a fluorine group) so that the water repellency treatment may be omitted.

【0022】次いで、前記製造装置IJを用い、図2
(b)に示すように撥水処理したバンク22、22間の
溝21内に向け、液滴吐出ヘッド1より液状体の液滴2
3を吐出して該溝21内に液状体23aを配す。なお、
本例では、液滴23の直径Dがバンク22、22による
溝21の幅W(本例では溝21の開口部における幅)よ
り大きいものとする。具体的には、溝の開口部における
幅Wが10μm以下程度であり、液滴23の直径Dが1
5〜20μm程度であるものとする。ここで、液状体2
3aとしては、本例ではパターンとして配線パターンを
形成することから、以下のような導電性微粒子を含有す
るものが用いられる。
Next, using the manufacturing apparatus IJ, as shown in FIG.
As shown in (b), the liquid droplets 2 from the droplet discharge head 1 are directed toward the groove 21 between the water-repellent banks 22, 22.
3 is discharged and the liquid 23a is placed in the groove 21. In addition,
In this example, the diameter D of the droplet 23 is larger than the width W of the groove 21 formed by the banks 22 and 22 (in this example, the width of the opening of the groove 21). Specifically, the width W at the opening of the groove is about 10 μm or less, and the diameter D of the droplet 23 is 1
It is about 5 to 20 μm. Where liquid 2
Since 3a forms a wiring pattern as a pattern in this example, 3a contains the following conductive fine particles.

【0023】導電性微粒子を含有する液状体としては、
導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液が用いられ
る。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パ
ラジウム、ニッケルのいずれかを含有する金属微粒子の
他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられ
る。これら導電性微粒子については、分散性を向上させ
るためその表面に有機物などをコーティングして使うこ
ともできる。導電性微粒子の表面にコーティングするコ
ーティング材としては、例えばキシレン、トルエン等の
有機溶剤やクエン酸等が挙げられる。導電性微粒子の粒
径は5nm以上0.1μm以下であることが好ましい。
0.1μmより大きいと、後述する液滴吐出装置のヘッ
ドのノズルの目詰まりが起こりやすく、液滴吐出法によ
る吐出が困難になるからである。また、5nmより小さ
いと、導電性微粒子に対するコーテイング剤の体積比が
大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる
からである。
As the liquid containing the conductive fine particles,
A dispersion liquid in which conductive fine particles are dispersed in a dispersion medium is used. As the conductive fine particles used here, in addition to metal fine particles containing any of gold, silver, copper, palladium and nickel, conductive polymer and superconductor fine particles are used. These conductive fine particles can be used by coating the surface thereof with an organic substance or the like in order to improve the dispersibility. Examples of the coating material for coating the surface of the conductive fine particles include organic solvents such as xylene and toluene, citric acid and the like. The particle size of the conductive fine particles is preferably 5 nm or more and 0.1 μm or less.
This is because if it is larger than 0.1 μm, the nozzles of the head of the droplet discharge device described later are likely to be clogged, and discharge by the droplet discharge method becomes difficult. On the other hand, if it is less than 5 nm, the volume ratio of the coating agent to the conductive fine particles becomes large, and the ratio of organic substances in the obtained film becomes excessive.

【0024】導電性微粒子を含有する液体の分散媒とし
ては、室温での蒸気圧が0.001mmHg以上200
mmHg以下(約0.133Pa以上26600Pa以
下)であるものが好ましい。蒸気圧が200mmHgよ
り高いと、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良
好な膜を形成することが困難となるからである。また、
分散媒の蒸気圧は0.001mmHg以上50mmHg
以下(約0.133Pa以上6650Pa以下)である
のがより好ましい。蒸気圧が50mmHgより高いと、
液滴吐出法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰ま
りが起こり易く、安定な吐出が困難になるからである。
一方、室温での蒸気圧が0.001mmHgより低い分
散媒の場合には、乾燥が遅くなって膜中に分散媒が残留
しやすくなり、後工程の熱及び/又は光処理後に良質の
導電膜が得られにくくなる。
A liquid dispersion medium containing conductive fine particles has a vapor pressure of 0.001 mmHg or more and 200 at room temperature.
It is preferably mmHg or less (about 0.133 Pa or more and 26600 Pa or less). This is because when the vapor pressure is higher than 200 mmHg, the dispersion medium evaporates rapidly after ejection, and it becomes difficult to form a good film. Also,
Vapor pressure of dispersion medium is 0.001mmHg or more and 50mmHg
It is more preferable that it is not more than about 0.133 Pa and not more than 6650 Pa. If the vapor pressure is higher than 50 mmHg,
This is because when the droplets are ejected by the droplet ejection method, nozzle clogging due to drying is likely to occur and stable ejection becomes difficult.
On the other hand, when the dispersion medium has a vapor pressure of less than 0.001 mmHg at room temperature, the drying is slowed and the dispersion medium is likely to remain in the film, resulting in a good quality conductive film after the heat and / or light treatment in the subsequent step. Is difficult to obtain.

【0025】使用する分散媒としては、前記の導電性微
粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれ
ば特に限定されない。具体的には、水の他に、メタノー
ル、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアル
コール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、トル
エン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペン
テン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレ
ン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、
またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチル
エチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレ
ングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキ
シエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−
ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカ
ーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピ
ロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることが
できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定
性、また液滴吐出法への適用のし易さの点で、水、アル
コール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ま
しく、更に好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化
合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で
も、あるいは2種以上の混合物としても使用することが
できる。
The dispersion medium used is not particularly limited as long as it can disperse the above-mentioned conductive fine particles and does not cause aggregation. Specifically, in addition to water, alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene. , Hydrocarbon compounds such as cyclohexylbenzene,
Further, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) ether, p-
Examples include ether compounds such as dioxane, and polar compounds such as propylene carbonate, γ-butyrolactone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferable, and more preferable dispersion, from the viewpoints of dispersibility of fine particles, stability of dispersion liquid, and ease of application to the droplet discharge method. Examples of the medium include water and hydrocarbon compounds. These dispersion media can be used alone or as a mixture of two or more kinds.

【0026】前記導電性微粒子を分散媒に分散する場合
の分散質濃度としては、1質量%以上80質量%以下と
するのが好ましく、所望の導電膜の膜厚に応じて調整す
ることができる。80質量%を超えると凝集をおこしや
すくなり、均一な膜が得にくくなる。前記導電性微粒子
の分散液(液状体)の表面張力としては、0.02N/
m以上0.07N/m以下の範囲とするのが好ましい。
液滴吐出法にて液状体を吐出する際、表面張力が0.0
2N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対す
る濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、0.
07N/mを超えると、ノズル先端でのメニスカスの形
状が安定しないため、吐出量、吐出タイミングの制御が
困難になるからである。
When the conductive fine particles are dispersed in the dispersion medium, the dispersoid concentration is preferably 1% by mass or more and 80% by mass or less, and can be adjusted according to the desired film thickness of the conductive film. . If it exceeds 80% by mass, aggregation is likely to occur, and it becomes difficult to obtain a uniform film. The surface tension of the dispersion liquid (liquid material) of the conductive fine particles is 0.02 N /
It is preferably in the range of m or more and 0.07 N / m or less.
When the liquid material is discharged by the droplet discharge method, the surface tension is 0.0
When it is less than 2 N / m, the wettability of the ink composition with respect to the nozzle surface is increased, so that flight bending is apt to occur, and the ink composition is less than 0.
When it exceeds 07 N / m, the shape of the meniscus at the tip of the nozzle is not stable, which makes it difficult to control the ejection amount and the ejection timing.

【0027】表面張力を調整するため、前記分散液に
は、基板Sとの接触角を不当に低下させない範囲で、フ
ッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節
剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調
節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリ
ング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生
などの防止に役立つものである。前記分散液は、必要に
応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の
有機化合物を含んでいても差し支えない。
In order to adjust the surface tension, a small amount of a fluorine-based, silicone-based, nonionic-based surface tension adjusting agent or the like may be added to the dispersion liquid as long as the contact angle with the substrate S is not unduly lowered. it can. The nonionic surface tension adjusting agent is useful for improving the wettability of the liquid to the substrate, improving the leveling property of the film, and preventing the occurrence of crushing of the coating film and the occurrence of orange peel skin. The dispersion may contain an organic compound such as alcohol, ether, ester or ketone, if necessary.

【0028】前記分散液の粘度は1mPa・s以上50
mPa・s以下であるのが好ましい。液滴吐出法にて吐
出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズ
ル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘
度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目
詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるか
らである。
The dispersion has a viscosity of 1 mPa · s or more 50
It is preferably mPa · s or less. When ejecting by the droplet ejection method, if the viscosity is less than 1 mPa · s, the peripheral area of the nozzle is easily contaminated by the outflow of ink, and if the viscosity is more than 50 mPa · s, the clogging frequency in the nozzle hole This is because it becomes difficult to smoothly discharge the liquid droplets.

【0029】このような液状体23aの液滴23を液滴
吐出ヘッド1から吐出し、溝21内に液状体23aを配
すと、液滴23はその直径Dが溝21の幅Wより大きい
ことから、図2(c)中二点鎖線で示すようにその一部
がバンク22、22上にのってしまう。ところが、バン
ク22、22の表面が撥液性となっておりしかもテーパ
状になっていることから、これらバンク22、22上に
のった液滴23部分がバンク22、22からはじかれ、
さらには溝21の毛細管現象によって該溝21内に流れ
落ちることにより、図2(c)中実線で示すように液滴
23が溝21内に入り込む。
When such a droplet 23 of the liquid 23a is discharged from the droplet discharge head 1 and the liquid 23a is placed in the groove 21, the diameter 23 of the droplet 23 is larger than the width W of the groove 21. Therefore, as shown by the chain double-dashed line in FIG. 2 (c), a part thereof is placed on the banks 22 and 22. However, since the surfaces of the banks 22 and 22 are lyophobic and have a tapered shape, the droplets 23 portion on the banks 22 and 22 are repelled from the banks 22 and 22,
Furthermore, the capillarity of the groove 21 causes it to flow down into the groove 21, so that the droplet 23 enters the groove 21 as shown by the solid line in FIG.

【0030】また、溝21内に吐出され、あるいはバン
ク22、22から流れ落ちた液状体23aは、基板Pが
親液処理されていることからより広がり易くなってお
り、これによって液状体23aはより均一に溝21内を
埋め込むようになる。したがって、溝21の幅Wが液滴
23の直径Dより狭い(小さい)にもかかわらず、溝2
1内に向けて吐出された液滴23(液状体23a)は、
溝21内に良好に入り込んでこれを均一に埋め込むよう
になる。
The liquid 23a discharged into the groove 21 or flowing down from the banks 22 and 22 is more likely to spread because the substrate P is lyophilic. The groove 21 is evenly filled. Therefore, even though the width W of the groove 21 is narrower (smaller) than the diameter D of the droplet 23,
The liquid droplets 23 (liquid material 23a) discharged toward the inside of 1 are
The groove 21 satisfactorily enters the groove 21 and is uniformly embedded therein.

【0031】その後、前記ヒータ15によって溝21内
の液状体23aを乾燥し、液状体23a中に含まれる分
散媒を蒸発させ、乾燥、さらには導電性微粒子の焼結を
行うことにより、図2(d)に示すように連続した膜と
しての導電性パターン、すなわち配線パターン24を得
る。なお、得られる配線パターン24の膜厚を十分に得
たい場合には、液滴23の吐出、乾燥を複数回繰り返
し、最終的に焼結を行って所望する膜厚の配線パターン
24としてもよい。
Then, the liquid material 23a in the groove 21 is dried by the heater 15, the dispersion medium contained in the liquid material 23a is evaporated, dried, and the conductive fine particles are sintered. As shown in (d), a conductive pattern as a continuous film, that is, the wiring pattern 24 is obtained. In addition, when it is desired to obtain a sufficient film thickness of the obtained wiring pattern 24, the discharging of the droplets 23 and the drying are repeated a plurality of times, and finally the sintering is performed to obtain the wiring pattern 24 having a desired film thickness. .

【0032】このような配線パターン24の形成工程を
備えたデバイスの製造方法にあっては、バンク22、2
2による溝21内に液状体23aの液滴23を吐出する
ので、溝21内に配した液状体23aを基板P上に広
げ、溝21内にほぼ均一に埋め込むことができ、したが
って形成された配線パターン24を、バンク22、22
による溝21に規定された線幅に精度よく一致させるこ
とができる。
In the device manufacturing method including the step of forming the wiring pattern 24, the banks 22 and 2 are formed.
Since the liquid droplets 23 of the liquid material 23a are discharged into the groove 21 according to No. 2, the liquid material 23a disposed in the groove 21 can be spread on the substrate P and embedded in the groove 21 almost uniformly, and thus formed. The wiring pattern 24 is set to the banks 22 and 22.
The line width defined by the groove 21 can be accurately matched.

【0033】なお、前記例では、バンク22、22によ
る溝21の幅Wを液滴23の直径Dより狭くしたが、本
発明はこれに限定されることなく、溝21の幅Wを液滴
23の直径Dより広くしてもよいのはもちろんであり、
その場合にも、溝21に規定された線幅に精度よく一致
したパターンを形成することができる。
In the above example, the width W of the groove 21 formed by the banks 22 and 22 is made smaller than the diameter D of the droplet 23. However, the present invention is not limited to this, and the width W of the groove 21 is a droplet. Of course, it may be wider than the diameter D of 23,
Even in that case, it is possible to form a pattern that accurately matches the line width defined in the groove 21.

【0034】このような配線パターン24の形成工程な
どによって得られるデバイスとしては、有機エレクトロ
ルミネセンス装置や液晶表示装置、プラズマディスプレ
イ、電気泳動装置などの電気光学装置、さらには半導体
装置などがあり、これらのデバイスの製造に用いられる
種々の配線パターンの形成に本発明が適用できる。ま
た、本実施の形態では、導電性微粒子を含有する液状体
により配線パターンを形成する例を示したが、特にこれ
に限定されず、例えば絶縁性微粒子を含有する液状体を
液滴吐出装置より吐出して絶縁性のパターンの形成に応
用してもよい。上記の絶縁性微粒子の例としては、例え
ば、酸化珪素、窒化珪素、アルミナ、マグネシア等の無
機絶縁性微粒子や、絶縁性ポリマー等からなる絶縁性微
粒子が挙げられ、これら絶縁性微粒子に適応できる分散
媒に分散させたものが用いられる。
Examples of devices obtained by such a process of forming the wiring pattern 24 include organic electroluminescence devices, liquid crystal display devices, plasma displays, electro-optical devices such as electrophoretic devices, and semiconductor devices. The present invention can be applied to the formation of various wiring patterns used for manufacturing these devices. Further, in the present embodiment, an example in which the wiring pattern is formed by a liquid material containing conductive fine particles is shown, but the present invention is not particularly limited to this, and for example, a liquid material containing insulating fine particles may be formed by a liquid droplet ejecting device. It may be discharged to be applied to the formation of an insulating pattern. Examples of the above-mentioned insulating fine particles include, for example, inorganic insulating fine particles such as silicon oxide, silicon nitride, alumina, and magnesia, and insulating fine particles made of an insulating polymer and the like, and dispersions applicable to these insulating fine particles. What is dispersed in a medium is used.

【0035】また、本発明の電子機器は、例えば前記の
配線パターン24を有した電気光学装置としてのデバイ
スを表示部としたものであり、具体的には図3に示すも
のが挙げられる。図3(a)は、携帯電話の一例を示し
た斜視図である。図3(a)において、600は携帯電
話本体を示し、601は前記デバイスからなる表示部を
示している。図3(b)は、ワープロ、パソコンなどの
携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図3
(b)において、700は情報処理装置、701はキー
ボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は
前記デバイスからなる表示部を示している。図3(c)
は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図
3(c)において、800は時計本体を示し、801は
前記デバイスからなる表示部を示している。図3(a)
〜(c)に示す電子機器は、精度よく形成されたパター
ンを有するデバイスを表示部として備えているので、表
示性能に優れた良好なものとなる。
Further, the electronic apparatus of the present invention uses, for example, a device as an electro-optical device having the wiring pattern 24 as a display unit, and specifically, the one shown in FIG. FIG. 3A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 3A, reference numeral 600 denotes a mobile phone main body, and 601 denotes a display unit including the device. FIG. 3B is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor and a personal computer. Figure 3
In (b), 700 is an information processing device, 701 is an input unit such as a keyboard, 703 is an information processing main body, and 702 is a display unit including the device. Figure 3 (c)
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a wrist watch type electronic device. In FIG. 3 (c), reference numeral 800 indicates the timepiece main body, and 801 indicates the display unit including the device. Figure 3 (a)
Since the electronic devices shown in (c) to (c) include a device having a pattern formed with high accuracy as a display unit, the electronic device has excellent display performance.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、隣
接する前記バンクの幅より大きい液滴を吐出することに
より、液滴の一部がバンク上にのってしまうものの、液
滴の流動性や毛細管現象などによって液滴がバンク間に
入り込むことにより、結果としてバンク間の幅に一致す
る幅のパターンを形成することができる。
As described above, according to the present invention, by ejecting a droplet larger than the width of the adjacent bank, although a part of the droplet is placed on the bank, The liquid droplets enter between the banks due to the fluidity or the capillary phenomenon, and as a result, a pattern having a width matching the width between the banks can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の製造方法を実施するのに好適な製造
装置の一例の概略構成を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of an example of a manufacturing apparatus suitable for carrying out a manufacturing method of the present invention.

【図2】 (a)〜(d)は本発明に係るパターン形成
工程を工程順に説明するための要部側断面図である。
FIGS. 2A to 2D are side cross-sectional views of a main part for explaining a pattern forming process according to the present invention in order of processes.

【図3】 電子機器の具体例を示す図であり、(a)は
携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、(b)は
情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視図、
(c)は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を示す
斜視図である。
3A and 3B are diagrams showing a specific example of an electronic device, in which FIG. 3A is a perspective view showing an example applied to a mobile phone, and FIG. 3B is a perspective view showing an example applied to an information processing device;
(C) is a perspective view showing an example when applied to a wristwatch type electronic device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

IJ…製造装置、1…液滴吐出ヘッド、21…溝、22
…バンク、23…液滴、23a…液状体、24…配線パ
ターン(パターン)、P…基板
IJ ... Manufacturing apparatus, 1 ... Droplet ejection head, 21 ... Groove, 22
... bank, 23 ... droplet, 23a ... liquid material, 24 ... wiring pattern (pattern), P ... substrate

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/14 H05B 33/22 Z 33/22 G02F 1/13 101 // G02F 1/13 101 B41J 3/04 101Z Fターム(参考) 2C056 FA02 FA15 FB01 2H088 EA22 EA27 FA17 FA18 FA30 HA01 HA02 HA04 MA20 3K007 AB18 DB03 FA01 4F041 AA05 AA17 AB01 BA01 4M104 BB04 BB05 BB07 BB08 BB09 DD51 Front page continuation (51) Int.Cl. 7 Identification code FI theme code (reference) H05B 33/14 H05B 33/22 Z 33/22 G02F 1/13 101 // G02F 1/13 101 B41J 3/04 101Z F Term (reference) 2C056 FA02 FA15 FB01 2H088 EA22 EA27 FA17 FA18 FA30 HA01 HA02 HA04 MA20 3K007 AB18 DB03 FA01 4F041 AA05 AA17 AB01 BA01 4M104 BB04 BB05 BB07 BB08 BB09 DD51

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に膜材料を含有した液状体を配
し、前記膜材料からなるパターンを形成するデバイスの
製造方法において、 前記基板上にバンクを形成する工程と、 液滴吐出法により前記液状体からなる液滴をバンク間に
吐出する工程と、 吐出された液状体を乾燥して前記パターンを形成する工
程とを有し、 隣接する前記バンク間の幅を、前記液状体の液滴の直径
より狭く形成することを特徴とするデバイスの製造方
法。
1. A method of manufacturing a device, in which a liquid material containing a film material is arranged on a substrate to form a pattern made of the film material, the method comprising a step of forming a bank on the substrate and a droplet discharge method. A step of discharging droplets of the liquid material between the banks; and a step of drying the discharged liquid material to form the pattern, wherein the width between the adjacent banks is defined by the liquid of the liquid material. A method for manufacturing a device, wherein the device is formed to have a diameter smaller than that of the droplet.
【請求項2】 前記液状体が導電性材料を含有すること
を特徴とする請求項1記載のデバイスの製造方法。
2. The method for manufacturing a device according to claim 1, wherein the liquid material contains a conductive material.
【請求項3】 前記基板の表面を、親液処理することを
特徴とする請求項1又は2記載のデバイスの製造方法。
3. The device manufacturing method according to claim 1, wherein the surface of the substrate is subjected to a lyophilic treatment.
【請求項4】 前記バンクの少なくとも表面に、撥液性
を付与する処理を行うことを特徴とする請求項1〜3の
いずれかに記載のデバイスの製造方法。
4. The method for manufacturing a device according to claim 1, wherein a treatment for imparting liquid repellency is performed on at least the surface of the bank.
【請求項5】 請求項1〜4記載の製造方法によって形
成されたことを特徴とするデバイス。
5. A device formed by the manufacturing method according to claim 1.
【請求項6】 請求項5記載のデバイスを備えたことを
特徴とする電子機器。
6. An electronic apparatus comprising the device according to claim 5.
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