JP2003309050A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 効率的に半導体装置の製造歩留まりの向上を
図ることができる半導体装置の製造方法を提供するもの
である。 【解決手段】 ウエハ上の半導体装置について、プロー
ブと半導体装置の検査パッド間の導通が得られているか
どうか調べるコンタクトチェックを行い、、そしてウエ
ハレベルでバーンイン検査を行って、ウェハ上の半導体
装置の各々に対して、完全良品、コンタクト不良品、製
品不良品、の判別を行い、それぞれの判別グレードに応
じて取扱う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、ウエハに形成された半導体装置を検査する
工程を有する半導体装置の製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を製造する際に、形成した半
導体装置の良否を検査するために、半導体装置をチップ
に切離す前に検査工程を有するものとして、特開平５−
７４８９８号公報には、ウエハ検査の前にウェハの状態
でスクリーニングを行うことが開示されている。同公報
では更に、検査で不良と判別されたチップを救済するこ
とにより、製造コストの低減を図ることが開示されてい
る。

【０００３】また、ウエハ状態で検査を行う装置につい
ては、特開平７−２３１０１９号公報にプローブカード
が記載されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、本発明者は、
従来例のようにウエハ状態で半導体装置を検査する場
合、特に、ウエハ状態で効果的に検査を行うために、検
査装置によりウエハ上に形成された多数の半導体装置を
一括して検査しようとするとプローブ装置の破損や、ウ
ェハとプローブ間にごみが挟まる、などが起こる恐れが
あり、ウエハの大領域を一括コンタクトしようとすれば
するほど、半導体装置事態の不良以外の要因によって、
検査条件を満たしているかどうかを判断し難い半導体装
置が出てくることを見出した。よって、様々な原因によ
りウェハ全域に対して全てのコンタクトを保証すること
は非常に困難である。また、検査装置の経時的劣化が生
じて部分的にコンタクトが良好でなくなることも考えら
れる。

【０００５】このため、単に半導体装置の動作を検査し
ただけでは、検査装置及び検査上の不良によって不良品
であると判断してしまい、歩留まりの向上を図れない恐
れがある。一方、高精度・高項強度の検査装置を用いて
検査を行い、部分的な検査装置の損傷が生じる前に次々
と部品を交換すれば、歩留まりを向上することができる
が、高コストとなり、またトータルで見ても効率的な半
導体装置の製造プロセスとならない。

【０００６】そこで、本発明は、上記問題を解決する、
効率的に半導体装置の製造歩留まりの向上を図ることが
できる半導体装置の製造方法を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明により、前記課題
を解決でき、検査の信頼性を確保し、それにより半導体
装置の信頼性を高めることができる。具体的には、コン
タクト不良等発生しうる場合においても、コンタクト不
良のような製品不良以外に起因する良品でないと判断し
た半導体装置と製品不良と判断した半導体装置を判別し
て取扱うことにより、歩留まりを向上させることができ
る。また、検査自体の信頼性を確保し、半導体装置の信
頼性を向上させることができる。

【０００８】また、例えば、以下の形態をとることが好
ましい。 （１）半導体装置にグレードを付けるようにする。例え
ば、半導体ウエハ上にＩＣを備えた半導体装置を複数個
形成するウエハ製造工程と、前記ウエハ上の半導体装置
に形成されたパッドと検査装置とを電気的に接触させて
前記半導体装置の導通及び動作を検査する電気特性検査
工程と、前記電気特性検査工程後、前記ウエハに形成さ
れた前記複数の半導体装置を、前記検査基準を満たして
いると判断した半導体装置、前記検査基準を満たしたと
は判断できない半導体装置、前記検査基準を満たしてい
ないと判断した半導体装置、の少なくとも何れかに区別
した情報をつける工程と、を有する。

【０００９】これにより、検査基準を満たしていない半
導体装置以外の半導体装置であって、検査装置或いはそ
の他の検査工程の都合により、検査基準を満たしたと判
断できない半導体装置について用途に応じて使用できる
途を設けることにより、効果的に歩留まりを向上させる
ことができる。ウエハレベルでの一括検査を導入した場
合であっても、効果的に歩留まりの高い半導体装置の製
造方法を提供することができる。

【００１０】または、ウエハごとのグレードをつけるよ
うにすることができる。例えば、前記ウエハ内に形成さ
れた、前記検査基準を満たしていると判断した半導体装
置数、或いは更に前記検査基準を満たしたとは判断でき
ない半導体装置の数、に基づき、前記ウエハのグレード
をつける工程とを有し、前記ウエハを前記グレードに基
づき取扱う工程を有することができる。例えば、グレー
ドに応じてウエハの価格を変える等も考えられる。

【００１１】または、再度検査をするようにすることが
考えられる。例えば、前記検査装置は複数設置され、第
一の前記検査装置で検査した前記ウエハについて、前記
検査基準を満たしたとは判断できない半導体装置の数が
所定数を越えて連続する場合に、第一の検査装置で検査
した第一のウエハを第二の検査装置で検査する工程を設
けても良い。または、前記したバーンイン工程、およ
び、ウェハ検査工程において、ウェハあるいはロット単
位で、不良率が通常の製品に比べて高い場合には、それ
ぞれ検査を再度行うようにすることもできる。 （２）チップをグレードに応じた取扱い（販売等）をす
る。例えば、半導体ウエハ上にＩＣを備えた半導体装置
を複数形成するウエハ製造工程、前記ウエハ上の前記半
導体装置に形成されたパッドと検査装置とを電気的に接
触させて電気的特性を検査する電気特性検査工程、前記
電気特性検査工程を終了した前記ウエハに形成された前
記半導体装置について、前記検査基準を満たしていると
判断した半導体装置、前記検査基準を満たしたとは判断
できない半導体装置、前記検査基準を満たしていないと
判断した半導体装置、の少なくとも何れかに区別した情
報を付けるウエハ内座標調査工程と、前記ウエハをダイ
シングして前記半導体装置のチップに切離す工程と、前
記チップのうち、前記検査基準を満たしたとは判断でき
ない半導体装置として区別された半導体装置チップを収
納する第一収納部と、前記検査基準を満たしていると判
断した半導体装置と区別された半導体装置チップを収納
する第二収納部と、前記検査基準を満たしていないと判
断した半導体装置と区別された半導体チップを収納する
第三収納部と、に区別して収納する工程と、前記第一収
納部に収納される半導体チップを第一のグレードとし、
前記第二収納部の半導体チップを第二のグレードとし、
前記検査基準を満たしていないと判断した半導体装置を
第三のグレードとして取り扱う工程、とを有する。例え
ば、この後グレードに応じて取扱う工程を備えることが
できる。例えば第一グレードと第二グレードで値段異な
るようにすることが考えられる。また、第三は販売せず
に処分することも考えられる。または、前記ウェハ内座
標調査工程、および、それ以降の検査工程で得られた製
品情報をもとに、製品の品質保証のグレードを示し、そ
れにあわせた価格で販売することが好ましい。 （３）チップで再検査する工程を備えることができる。
例えば、半導体ウエハ上にＩＣを備えた半導体装置を複
数形成するウエハ製造工程、前記ウエハ上の半導体装置
に形成されたパッドと検査装置とを電気的に接触させて
電気的特性を検査する電気特性検査工程、前記電気特性
検査工程を終了後、前記ウエハに形成された前記半導体
装置について、前記検査基準を満たしていると判断した
半導体装置、前記検査基準を満たしたとは判断できない
半導体装置、前記検査基準を満たしていないと判断した
半導体装置、とに区別した情報をつけるウエハ内座標調
査工程と、前記ウエハをダイシングして前記半導体装置
のチップに切離す工程と、前記切離す工程の後、前記検
査基準を満たしたとは判断できない半導体装置として区
別された半導体装置チップは、前記検査基準を満たして
いると判断した半導体装置と区別された半導体装置チッ
プより多くの検査工程を実施することを特徴とする。

【００１２】また、共通して電気特性検査工程を有し、
検査基準を満たしたとは判断できない半導体装置として
区別された半導体装置チップはバーンイン工程を追加す
ることができる。 （４）（１）〜（３）において、例えば、前記半導体装
置は、ＢＩＳＴ回路を備える。ＢＩＳＴ回路は、プロー
ブ装置と検査パッドの接触の状態を調べるための回路を
含む （５）（１）〜（４）において、前記電気特性検査工程
は、検査装置をウエハ上の前記半導体装置に形成された
パッドに電気的に接続して、検査装置から前記パッドへ
の電気的に接続していることを検査するコンタクトチェ
ック工程と、前記半導体素子内の導通及び動作を検査す
る検査工程と、を有する。

【００１３】また、コンタクトチェック工程において、
検査装置の異常、或いは検査できる程度の接触抵抗にな
っているかを検査するようにすることが好ましい。 （６）半導体ウエハ上にＢＩＳＴ回路を有するＩＣを備
えた半導体装置を複数形成するウエハ製造工程、検査装
置をウエハ上の前記半導体装置に形成されたパッドに電
気的に接続して、検査装置から前記パッドへの電気的に
接続していることを検査するコンタクトチェック工程
と、前記半導体素子内の導通及び動作をを検査する検査
工程とを有する電気特性検査工程と、前記電気特性検査
工程を終了した前記ウエハに形成された前記半導体装置
について、前記検査基準を満たしていると判断した半導
体装置、前記検査基準を満たしたとは判断できない半導
体装置、前記検査基準を満たしていないと判断した半導
体装置、の少なくとも何れかに区別した情報を付けるウ
エハ内座標調査工程と、前記ウエハをダイシングして前
記半導体装置のチップに切離す工程と、前記チップのう
ち、前記検査基準を満たしたとは判断できない半導体装
置として区別された半導体装置チップを収納する第一収
納部と、前記検査基準を満たしていると判断した半導体
装置と区別された半導体装置チップを収納する第二収納
部と、前記検査基準を満たしていないと判断した半導体
装置と区別された半導体チップを収納する第三収納部
と、に区別して収納する工程と、前記検査基準を満たし
たとは判断できない半導体装置として区別された半導体
装置チップと、前記検査基準を満たしていると判断した
半導体装置と区別された半導体装置チップの半導体装置
の導通及び動作をチップごとに検査する選別検査工程
と、を有する。 （７）（１）〜（６）において、前記検査装置と前記半
導体装置のパッドとを接続した際に、接触が十分でない
パッドがあった場合に、前記検査装置の前記パッドへの
押圧力を変えて再度前記検査装置を前記パッドに押す工
程と、を有する。 （８）（１）〜（７）において、前記検査装置の前記パ
ッドへの接触不良の情報に基づき、前記検査装置の異常
を検出する工程を備える。また、コンタクト不良の発生
個所の履歴を調べることにより、プローブ装置の故障を
判定するようにすることができる。

【００１４】また、半導体ウェハ上にＢＩＳＴ回路を備
える半導体装置を形成するウェハ製造工程と、前記半導
体装置をウェハの状態でバーンイン検査を行うためのプ
ローブ装置と検査パッドを接触させるプロービング工程
と、前記プロービング工程で各プローブとパッドが接触
しているかどうかを調べるコンタクトチェック工程と、
前記半導体装置を形成したウェハに対してバーンインを
行うバーンイン工程と、バーンイン終了後の半導体装置
の基本的な電気特性を検査するためのウェハ検査工程
と、バーンインおよびウェハ検査で不良が起きた半導体
装置の救済を行う救済工程と、前記コンタクトチェック
工程で発生したコンタクト不良と、前記バーンイン工程
および前記ウェハ検査で発生した不良のうち救済工程で
救済できなかった製品不良と、それ以外の良品と、を判
別するためのウェハ内座標調査工程、を備えるような形
態であることができる。また、前記半導体ウェハ内の良
品と不良品を判別するための座標調査工程後に、ウェハ
をダイシングしてチップにする工程と、良品チップおよ
びコンタクト不良でバーンインが行われていないチップ
に対して、半導体装置の性能を評価する選別検査と、を
更に備える。また、前記ダイシング工程と選別工程の間
に、コンタクト不良でバーンインできていないチップに
対し、チップの状態で追加バーンイン検査を行う工程、
を更に備える。また、前記したバーンイン工程、およ
び、ウェハ検査工程において、ウェハあるいはロット単
位で、不良率が通常の製品に比べて高い場合には、それ
ぞれ検査を再度行うようにすることができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図を参照して具体的に説明する。

【００１６】まず、本発明の一実施例について説明す
る。図１は、本発明の第１実施例に係る半導体装置の製
造工程を示すフローチャートである。まずウェハ製造工
程において、一例としてメモリ回路等のＩＣを半導体ウ
ェハ上に作りこむ。このときに、ウェハレベルでの検査
およびコンタクトチェックに必要なＢＩＳＴ（Ｂｕｉｌ
ｔ Ｉｎ Ｓｅｌｆ Ｔｅｓｔ）回路もウェハ上の半導
体素子に作りこむ。ＢＩＳＴ回路とは、検査を効率的に
行うために、半導体素子の中に予め組み込まれた検査用
の回路のことである。具体的には、テスタから複雑な波
形を送らなくてよくするために、テスタから送られてき
た単純な入力波形(例えばクロック波形)を検査に必要な
波形パターンに変換しそれを使って検査を行うようにす
ることができる。また、検査に必要なパッド数を低減す
ることができる。ＢＩＳＴ回路のうちのコンタクトチェ
ック用の回路は、例えば２つの検査パッド間を短絡でき
るような回路にする。こうすると、プロービングしたと
きに短絡させたパッド間の抵抗を測定し、その抵抗が小
さければ（導通していれば）コンタクトしている、抵抗
が大きければ（導通していなければ）少なくともどちら
か一方のパッドはコンタクト不良であると判断できる。
コンタクトチェック用の回路は、同様の機能を持つもの
であればこのような回路に限らない。

【００１７】次にバーンイン検査を実施するためのプロ
ーブ装置のプローブを、ウェハ上に形成された半導体装
置のそれぞれの検査パッドに対してプロービングさせ
る。そして、各プローブと検査パッドでコンタクトが取
れているかどうかを確認するためのコンタクトチェック
を行ってから、バーンイン検査を実施する。このとき
に、コンタクトチェックでコンタクト不良となったチッ
プとそれ以外のチップを区別できるようにウェハマップ
を作成し、その情報をそれ以降の検査工程でも共有す
る。ここでバーンイン検査とは、例えば、半導体素子を
温度・電圧などのストレス条件を通常の使用条件より厳
しくした加速試験のことである。例えば、半導体素子の
不良発生状況は、バスタブ型の故障率曲線によって表さ
れ、そのうちの初期不良をバーンイン検査により調べる
ようにすることができる。またコンタクトチェックして
から、ウェハマップのコンタクト不良の多い部分、ある
いは、ウェハ全体について押圧しなおしてコンタクト率
を改善させる工程を入れてもよい。このような工程をい
れることにより、検査の信頼性を向上させることができ
る。そしてウェハ検査を行った後、バーンイン検査およ
びウェハ検査で起こった製品不良に対して救済を行う。
ウエハ検査とは、例えば、ウェハ上に形成された各チッ
プの基本的な特性を調べ、チップの良/不良の判定を行
う検査である。例えば、オープン/ショートを調べた
り、プログラムされた入力信号波形を入力したときの出
力波形を調べたりするものであることができる。救済と
は、例えば、半導体素子の中に予備の回路を予め作り込
んでおき、検査で不良品になったチップを、不良になっ
た個所(断線など)を予備(冗長セル)に置き換えること
で、良品にすることを言う。

【００１８】その後再度ウェハ検査を行い、ウェハの状
態で良品、不良品の分離を行う。ここでいう不良は、一
例としては、製品の形成工程およびバーンイン検査時に
発生し救済できなかった製品不良（半導体装置が検査基
準を満たす性能を有しないと判断した場合等）と、バー
ンインのプロービング時にコンタクトができなかったた
めにバーンイン検査が行われておらず、判定ができてい
ないコンタクト不良（検査装置その他の影響により半導
体装置が検査基準を満たしていると判断できなかった場
合等）とをいい、両者を区別する。このように、検査基
準を満たしていると判断できた完全な良品(ＫＧＤ：Ｋ
ｎｏｗｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ)、コンタクト不良による
未検査品(ＰＧＤ：Ｐｒｏｂａｂｌｙ Ｇｏｏｄ Ｄｉ
ｅ)、製品不良品、に分け、それぞれのウェハ内座標を
求めて、ウェハの製品情報として管理する。

【００１９】このウェハマップなどから、バーンイン工
程およびウェハ検査工程で、ウェハあるいはロット単位
で不良率が通常の製品に比べて高い場合には、それぞれ
の検査を再度行うことにより、検査の信頼性を確保で
き、製品の不良発生状況からの改善対策を実施できる。

【００２０】ウェハの状態で出荷する場合には、この製
品情報を添付し、各チップの品質保証のグレードを提示
する。これによりウェハを使用する側で、ＫＧＤのみを
選んで使用することができ、これまでのようなパッケー
ジングしてから検査する方法に比べて、無駄な組み立て
を減らすことができ、製造コストの低減が図れる。また
ＭＣＭやＭＣＰにおいては、１つでも不良チップがある
と全体が不良となってしまうため、ＫＧＤのみを組み立
てに使うことにより、全体の不良率を大幅に低減するこ
とができ、よりコスト低減効果が高い。またＰＧＤにつ
いては、完全良品に比べて信頼性が低いが使用に耐えう
る可能性がある半導体装置として、保証のグレードを下
げて、完全良品より安価で提供することもできる。ＰＧ
Ｄを使用しない場合は不良品とともに回収し、チップ単
位での追加検査を行い、ＫＧＤとして使用することもで
きるし、従来のようにその状態でパッケージングしてか
ら検査する方法を適用してもよい。

【００２１】また、このようにして得られたコンタクト
不良品のウェハ内座標を調べることにより、プローブ装
置を使用していくうちに発生する故障の個所を特定する
ことができる。プローブ装置のコンタクト不良率(コン
タクト不良発生チップ数/ウェハ内の全チップ数)に対し
て、複数のウェハを検査した時の一個所でのコンタクト
不良率が大きい場合、あるいは、同一個所でのコンタク
ト不良が連続する場合、その個所で故障またはプローブ
の劣化が発生している可能性が高く、その部分を調べる
ことによりプローブの良否を判定することができる。こ
のような不良が発生したときの使用回数を調べること
で、プローブの寿命を評価することもできる。また、前
記したフローのバーンインを行う前のウェハを作りこん
だ直後に、さらにウェハ検査工程を入れてもよい。バー
ンインを行う前に予めウェハ検査を行い、短絡している
チップなどの、他のチップの検査に影響を与えうる不良
品を切り離す、あるいは、救済するなどしておくことに
より、それ以降の検査の信頼性をあげることができる。

【００２２】また、前記したウェハレベルでの検査を行
ったウェハをダイシングし、チップの状態で使用、また
は、出荷する場合には、図２に示すようなフローが適用
できる。これは、ウェハ状態でＫＧＤ、またはＰＧＤだ
ったものについて、チップにダイシングした後に図４に
示すような検査用の構造体を用いることにより、製品の
動作保証をするための選別検査を行って、そこで基準を
満たしたものについてチップの状態で出荷するというも
のである。

【００２３】図４に示す構造体は、１つのベアチップを
パッケージ品と同様の検査ができるようにするための擬
似パッケージである。構造は図に示したような、シェル
状の外形１とプローブ基板２を組み合わせたもので、こ
の中にウェハからチップ単位に切断した半導体装置３を
挿入し、チップ上のパッドとプローブ基板２のプローブ
４を接触させ検査する。

【００２４】プローブ基板２は例えば、プローブ４、二
次電極５、および両者間の配線をＳｉ基板に形成したも
のが適用できる。プローブは周囲のＳｉを異方性エッチ
ングして得られる錘状突起をコアとし、その上にめっき
配線したもので、押圧時の弾性変形によって高さばらつ
きを吸収するため、各々梁上に設ける構造とする。プロ
ーブ基板はこのような構造に限らず同様の機能を持つも
のを適用してもよい。プローブとパッドが安定してコン
タクトするために正確な位置決めが必要なので、チップ
と同寸法のテーパ状の穴付き位置決め用基板６をプロー
ブ基板上に設け、そこにチップを挿入して位置決めをす
る。チップを挿入し蓋７を閉めると、蓋についている押
圧機構７１によりチップの裏側が押され、チップのパッ
ドがプローブに押付けられ、荷重がかかり導通が得られ
る。この状態でパッケージ品の検査時に用いられるもの
と同様のソケット（図示せず）にシェル状の擬似パッケ
ージを入れると、外形外周部に配置されている二次電極
パッド６にソケットのピンが接触し、ソフトを実装して
いるボード上の配線からチップ上のパッドまで導通が得
られる。二次電極パッドの位置を、従来のパッケージ品
と同様に配置することにより、ボードや検査用ソケット
などこれまでに用いられている検査用設備を流用するこ
とができる。

【００２５】またこのようにチップの状態で選別検査を
することができれば、検査方法はこのような構造体を用
いる方法に限らない。

【００２６】さらに、図３のようにすることもできる。
図３の工程は、ダイシングの後、ＰＧＤをＫＧＤより多
い検査工程を備えて信頼性を高めるものである。例え
ば、ＰＧＤを、チップの状態で追加バーンイン検査す
る。追加バーンイン検査は、ＫＧＤや不良品は行わずＰ
ＧＤだけ行うようにすることもできる。。追加バーンイ
ン検査する方法としては、前記した検査用の構造体を追
加バーンイン検査と共用化し、ＫＧＤは選別検査のみ、
ＰＧＤは追加バーンインと選別検査を行うことで、全体
の検査コストをあまり増加させず、全体の良品率を向上
させることができる。また、このように共用化せず、従
来のバーンイン検査工程で行ってもよい。また、その他
の具体的形態としては、チップ単体で検査を行うのでは
なく、ＭＣＰのような複数の半導体素子を一つのパッケ
ージ内に組み込む場合が考えられる。このような場合に
は、パッケージング後にＰＧＤであるチップにだけ検査
できていない検査を追加して行うようにしてもよい。こ
のようにすることにより、パッケージングにより不良が
起こった場合には、追加検査を行う必要がなくなる。

【００２７】また、半導体装置を製造、出荷する場合の
比較例の工程の概要を以下に説明する。 ・ウェハ上に多数の半導体装置を形成するウェハ製造工
程 ・ウェハ上に形成された多数の半導体装置に対して、そ
れぞれの基本的な電気特性を検査するためのウェハ検査
工程 ・ウェハを各素子毎に切断し、複数のチップとするダイ
シング工程 ・チップ毎にパッケージする組み立て工程 ・半導体装置の初期不良を取り除くためのバーンイン検
査工程 ・半導体装置の性能を検査するための選別工程 このように、ウェハ検査以外の検査工程はウェハをチッ
プにダイシングした後、パッケージングされた状態で行
われる形態がある。

【００２８】また、ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｍ
ｏｄｕｌｅ）や、ＭＣＰ（Ｍｕｌｔｉ Ｃｈｉｐ Ｐａ
ｃｋａｇｅ）などの、半導体装置をパッケージせずベア
チップの状態で実装する新しい実装形態に移行しつつあ
る。これらに用いる半導体装置チップとしては、チップ
の半導体装置の動作を検査した良品であるＫＧＤ（Ｋｎ
ｏｗｎ Ｇｏｏｄ Ｄｉｅ）で出荷することが望まし
い。また、チップに切断する前のウェハ状態での出荷を
することも考えられる。 このようなＫＧＤでの出荷、
あるいは、ウェハ状態での出荷、する場合であっても十
分対応できるように検査の効率を向上するためにも、前
記実施例のようにすることが好ましい。また、ＷＬＢＩ
などのウェハでの検査を実施する場合には、ウェハを一
括で検査することにより検査効率の向上が図れることの
ほかに、半導体装置の製造工程の順番を改善することに
より、さらに製造の効率の向上を図れる。

【００２９】本発明に用いるプローブ装置の一実施例を
図５、図６に示す。図５はプローブ装置の平面図、図６
はＡ−Ａ’断面図である。プローブ装置は、複数のプロ
ーブ構造体１１、プローブ構造体を位置決めする位置決
め枠１２、プローブ構造体を被検査体である半導体ウェ
ハ２１に対して押圧する押圧機構１３、プリント基板１
４、プリント基板がたわまないようにするための補強板
１５と、半導体ウェハ２１を載せるステージ１６とを備
えている。

【００３０】プローブ構造体１１は、被検査体である半
導体ウェハ２１に形成された半導体装置２２の電極パッ
ド２３に対応する位置にプローブとなる突起１１１１を
備え、一つのプローブ構造体で複数の半導体装置を検査
できる。

【００３１】このようなプローブ構造体を複数用い、位
置決め枠１２を使って、半導体ウェハ上の半導体装置の
位置に対応させることにより、ウェハ一括プローブを実
現する。

【００３２】それぞれのプローブ構造体は押圧機構１３
の弾性体１３０を介して押圧し、押圧する方向に独立に
移動できるようにすることで、ウェハ面の高さばらつき
に追随させ、ウェハ全面に均一にコンタクトさせる。こ
のような構造にすることで、コンタクト不良が起こった
場合には、コンタクト不良が起こったチップにプロービ
ングするプローブ構造体を部分的に押圧し直してコンタ
クト不良を改善することもできる。また、一つ一つのプ
ローブ構造体を小さくできるため、プローブ構造体の製
造不良率を低減することもできる。また、使用中に破損
した場合は、破損部分だけ交換することによりリペアも
容易である。

【００３３】本実施例で用いるプローブ構造体は、例え
ば、特開平１１−２７４２５１号公報に示されるような
ウェハと同じ材質であるＳｉをマイクロマシニング技術
を用いて形成するものでもよいし、特開平７−２３１０
１９号公報に示されるメンブレン構造のものでよい。ま
たそれ以外でも、同様の機能を持つものであればそれを
適用してもよい。

【００３４】本発明に用いるプローブ装置の別の一実施
例を図７に示す。本実施例では、前記したような複数の
ブロック状のプローブ構造体ではなく、一つの構造体で
ウェハを一括検査する。このようにすることにより、前
記した実施例で必要となるプローブ構造体相互の位置決
めが必要なくなるため、全体の構造を簡略化できる。本
実施例においても、コンタクト不良が起こった場合に
は、全体を押圧しなおしてコンタクトさせてもよい。こ
のような本発明の実施例の半導体装置の製造方法によれ
ば、ウェハの状態で半導体装置を検査し、効率を向上さ
せるとともに、その検査の信頼性を確保できる。これに
より信頼性の高い半導体装置を安価で製造することがで
きる。

【００３５】

【発明の効果】本発明により、効率的に半導体装置の製
造歩留まりの向上を図ることができる半導体装置の製造
方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体装置の製造方法の一例におけ
る工程を示すフローチャート

【図２】 本発明の半導体装置の製造方法の別の一例に
おける工程を示すフローチャート

【図３】 本発明の半導体装置の製造方法のさらに別の
一例における工程を示すフローチャート

【図４】 本発明の半導体装置の製造方法に用いる検査
治具

【図５】 本発明の半導体装置の製造方法に用いるプロ
ーブ装置の一実施例の平面図

【図６】 本発明の半導体装置の製造方法に用いるプロ
ーブ装置の一実施例の断面図

【図７】 本発明の半導体装置の製造方法に用いるプロ
ーブ装置の別の一実施例の平面図

【符号の説明】

１…外形、２…プローブ基板、３…半導体装置、４…プ
ローブ、５…二次電極パッド、６…位置決め用基板、７
…蓋、７１、押圧機構、１１…プローブ構造体、１２…
位置決め枠、１３…押圧機構、１３０…弾性体、１４…
プリント基板、１５…補強板、１６…ステージ、２１…
半導体ウェハ、２２…半導体装置、２３…電極パッド、
１１１１…突起

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 清水 浩也 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 河野 竜治 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 青木 英之 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体グループ内 Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA01 CA15 DD10 DJ20 DJ32 DJ38

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体ウエハ上にＩＣを備えた半導体装置
   を複数個形成するウエハ製造工程と、前記ウエハ上の半
   導体装置に形成されたパッドと検査装置とを電気的に接
   触させて前記半導体装置の導通及び動作を検査する電気
   特性検査工程と、前記電気特性検査工程後、前記ウエハ
   に形成された前記複数の半導体装置を、前記検査基準を
   満たしていると判断した半導体装置、前記検査基準を満
   たしたとは判断できない半導体装置、前記検査基準を満
   たしていないと判断した半導体装置、の少なくとも何れ
   かに区別した情報をつける工程と、を有することを特徴
   とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】半導体ウエハ上にＩＣを備えた半導体装置
   を複数形成するウエハ製造工程、前記ウエハ上の前記半
   導体装置に形成されたパッドと検査装置とを電気的に接
   触させて電気的特性を検査する電気特性検査工程、前記
   電気特性検査工程を終了した前記ウエハに形成された前
   記半導体装置について、前記検査基準を満たしていると
   判断した半導体装置、前記検査基準を満たしたとは判断
   できない半導体装置、前記検査基準を満たしていないと
   判断した半導体装置、の少なくとも何れかに区別した情
   報を付けるウエハ内座標調査工程と、前記ウエハをダイ
   シングして前記半導体装置のチップに切離す工程と、前
   記チップのうち、前記検査基準を満たしたとは判断でき
   ない半導体装置として区別された半導体装置チップを収
   納する第一収納部と、前記検査基準を満たしていると判
   断した半導体装置と区別された半導体装置チップを収納
   する第二収納部と、前記検査基準を満たしていないと判
   断した半導体装置と区別された半導体チップを収納する
   第三収納部と、に区別して収納する工程と、前記第一収
   納部に収納される半導体チップを第一のグレードとし、
   前記第二収納部の半導体チップを第二のグレードとし、
   前記検査基準を満たしていないと判断した半導体装置を
   第三のグレードとして取り扱う工程、とを有することを
   特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】半導体ウエハ上にＩＣを備えた半導体装置
   を複数形成するウエハ製造工程、前記ウエハ上の半導体
   装置に形成されたパッドと検査装置とを電気的に接触さ
   せて電気的特性を検査する電気特性検査工程、前記電気
   特性検査工程を終了後、前記ウエハに形成された前記半
   導体装置について、前記検査基準を満たしていると判断
   した半導体装置、前記検査基準を満たしたとは判断でき
   ない半導体装置、前記検査基準を満たしていないと判断
   した半導体装置、とに区別した情報をつけるウエハ内座
   標調査工程と、前記ウエハをダイシングして前記半導体
   装置のチップに切離す工程と、前記切離す工程の後、前
   記検査基準を満たしたとは判断できない半導体装置とし
   て区別された半導体装置チップは、前記検査基準を満た
   していると判断した半導体装置と区別された半導体装置
   チップより多くの検査工程を実施することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】請求項１において、前記半導体装置は、Ｂ
   ＩＳＴ回路を備えることを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】請求項１において、前記電気特性検査工程
   は、検査装置をウエハ上の前記半導体装置に形成された
   パッドに電気的に接続して、検査装置から前記パッドへ
   の電気的に接続していることを検査するコンタクトチェ
   ック工程と、前記半導体素子内の導通及び動作を検査す
   る検査工程と、を有することを特徴とする半導体装置。
6. 【請求項６】半導体ウエハ上にＢＩＳＴ回路を有するＩ
   Ｃを備えた半導体装置を複数形成するウエハ製造工程、
   検査装置をウエハ上の前記半導体装置に形成されたパッ
   ドに電気的に接続して、検査装置から前記パッドへの電
   気的に接続していることを検査するコンタクトチェック
   工程と、前記半導体素子内の導通及び動作をを検査する
   検査工程とを有する電気特性検査工程と、前記電気特性
   検査工程を終了した前記ウエハに形成された前記半導体
   装置について、前記検査基準を満たしていると判断した
   半導体装置、前記検査基準を満たしたとは判断できない
   半導体装置、前記検査基準を満たしていないと判断した
   半導体装置、の少なくとも何れかに区別した情報を付け
   るウエハ内座標調査工程と、前記ウエハをダイシングし
   て前記半導体装置のチップに切離す工程と、前記チップ
   のうち、前記検査基準を満たしたとは判断できない半導
   体装置として区別された半導体装置チップを収納する第
   一収納部と、前記検査基準を満たしていると判断した半
   導体装置と区別された半導体装置チップを収納する第二
   収納部と、前記検査基準を満たしていないと判断した半
   導体装置と区別された半導体チップを収納する第三収納
   部と、に区別して収納する工程と、前記検査基準を満た
   したとは判断できない半導体装置として区別された半導
   体装置チップと、前記検査基準を満たしていると判断し
   た半導体装置と区別された半導体装置チップの半導体装
   置の導通及び動作をチップごとに検査する選別検査工程
   と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】請求項１において、前記検査装置と前記半
   導体装置のパッドとを接続した際に、接触が十分でない
   パッドがあった場合に、前記検査装置の前記パッドへの
   押圧力を変えて再度前記検査装置を前記パッドに押す工
   程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方
   法。
8. 【請求項８】請求項１において、前記検査装置の前記パ
   ッドへの接触不良の情報に基づき、前記検査装置の異常
   を検出する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。